JP2021536160A - 薄膜バルク音響波共振器ならびにその製造方法 - Google Patents
薄膜バルク音響波共振器ならびにその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021536160A JP2021536160A JP2021503167A JP2021503167A JP2021536160A JP 2021536160 A JP2021536160 A JP 2021536160A JP 2021503167 A JP2021503167 A JP 2021503167A JP 2021503167 A JP2021503167 A JP 2021503167A JP 2021536160 A JP2021536160 A JP 2021536160A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- electrode
- acoustic wave
- substrate
- bulk acoustic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 78
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 45
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 95
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 85
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 76
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 25
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 28
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 14
- 239000004831 Hot glue Substances 0.000 claims description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 9
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 9
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 claims description 5
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 17
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 238000010790 dilution Methods 0.000 abstract description 3
- 239000012895 dilution Substances 0.000 abstract description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 15
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 6
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 6
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- 229910003811 SiGeC Inorganic materials 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HMDDXIMCDZRSNE-UHFFFAOYSA-N [C].[Si] Chemical compound [C].[Si] HMDDXIMCDZRSNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001465382 Physalis alkekengi Species 0.000 description 1
- -1 SiC Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005289 physical deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N potassium;oxido(dioxo)niobium Chemical compound [K+].[O-][Nb](=O)=O UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
- H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
- H03H9/173—Air-gaps
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/0504—Holders; Supports for bulk acoustic wave devices
- H03H9/0514—Holders; Supports for bulk acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H2003/021—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks the resonators or networks being of the air-gap type
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H2003/023—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks the resonators or networks being of the membrane type
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
本発明は薄膜バルク音響波共振器ならびにその製造方法を提供し、薄膜バルク音響波共振器の製造方法は、第１の基板に第１の電極層、圧電材料層、および第２の電極層を順次形成し、第２の電極層に支持層を形成し、前記支持層に上部の開口したキャビティを形成し、第２の基板と支持層を結合させ、第１の基板を除去し、第１の電極層、圧電材料層、および第２の電極層をパターニングし、第１の電極、圧電層、および第２の電極を形成することを含む。本発明は支持層をエッチングするプロセスと結合プロセスにより薄膜バルク音響波フィルタのキャビティ構造を実現でき、したがって、ＣＭＰプロセスを起因とした異なる媒体間の小さな起伏による圧電層の均一性への影響を避け、同時に、犠牲層の不完全な希釈による薄膜バルク音響波共振器のパフォーマンスへの影響を避ける。【選択図】図３Ｋ
Description
本発明は、半導体製造の分野、特に薄膜バルク音響波共振器ならびにその製造方法に関する。
携帯電話で使用されるような無線周波数（下記は、「ＲＦ」と略す）通信では、無線周波数フィルタを使用する必要がある。各無線周波数フィルタは、必要な周波数を通過させ、他のすべての周波数を制限できる。モバイル通信技術の発展に伴い、モバイルデータの送信量も急増している。そのため、周波数資源が限られ、モバイル通信機器をなるべく少なく使用できるようという前提に、無線基地局、マイクロ基地局、リピーターなどの無線送信出力装置の送信出力を増加させることが考慮すべき課題となり、モバイル通信機器のフロントエンド回路におけるフィルタの出力へ要求も高まっている。
現在、無線基地局などの装置では高出力フィルタは主にキャビティフィルタであり、その出力は数百ワットに達することができるが、そのようなフィルタのサイズは大きすぎる。一部の装置では誘電体フィルタが使用され、その平均出力は５ワットを超えることができるが、そのフィルタのサイズも大きすぎる。サイズが大きいため、これら２種類のフィルタをＲＦフロントエンドチップには統合することはできない。
ＭＥＭＳ技術がますます成熟するにつれて、バルク音響波共振器で構成されるフィルタは、上記の２種類のフィルタの欠陥を十分に解消できる。薄膜バルク音響波共振器（Ｆｉｌｍ Ｂｕｌｋ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ、ＦＢＡＲ）には、動作周波数高く、挿入損失小さく、Ｑ値高く、耐久力高く、体積小さいなど、多くのメリットがあり、通信やレーダーなどのような電子システムのＲＦトランシーバーフロントエンドによる高周波数・小型化ＲＦフィルタへの緊迫な需要に満たすことができ、市場のホットスポットになっている。
薄膜バルク音響波共振器のコア構造は、上電極−圧電フィルム層ー下電極からなる積層構造（「サンドイッチ」構造）であり、その動作原理は、圧電フィルム層の逆圧電効果を利用して電気エネルギーを機械エネルギーに変換し、機械的振動がフィルム内で音波を励起して送信し、最終的に圧電効果によって音声信号を電気信号に変換して出力することである。共振器にとって最も重要なものは、圧電フィルム層の圧電パフォーマンスを確保するとともに、音波のエネルギーを圧電フィルム層に閉じ込めることです。したがって、薄膜バルク音響波共振器における下部電極の上部電極に面する領域の下方にキャビティが設定される。
薄膜バルク音響波共振器は堆積法により基板材料に製造することができ、上電極―圧電フィルム層―下電極からなる積層構造を形成した後、該積層構造の下方にキャビティを形成する必要があるので、薄膜バルク音響波共振器の製造は困難である。従来技術には前述課題を解決するための解決策が提案されている。図１Ａ〜１Ｅに示されるように、まず、図１Ａに示されるように、基板１００にトレンチ１１０’が形成される。そして、図１Ｂに示すように、前記トレンチ１１０’に犠牲層材料が充填され、基板１００および犠牲層材料の表面は、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）プロセスによって平坦化されて犠牲層１０１が形成される。その後、図１Ｃに示されるように、平坦化された基板１００および犠牲層１０１の表面に第１の電極１０２、圧電フィルム層１０３、および第２の電極１０４が、順次堆積される。次に、図１Ｄに示されるように、圧電フィルム層１０３および第２の電極１０４がパターニングされ、犠牲層１０１の上に圧電フィルム層１０３および第２の電極１０４のみが残される。そして、図１Ｄに示されるように、犠牲層１０１の上であり圧電フィルム層１０３及び第２の電極１０４で覆われていない第１の電極１０２にいくつかの貫通穴１２０が設けられる。最後に、図１Ｅに示されるように、形成された前記デバイスが化学試薬に投入され、化学試薬が貫通穴１２０を通過して犠牲層材料１２０がエッチングし除去され、犠牲層１０１が放出されてキャビティ１１０が形成され、それにより、薄膜バルク音響波共振器の浮遊配置を実現する。
しかしながら、上記の方法には依然として多くの欠点がある。例えば、この方法が基板１００および犠牲材料に対して化学的機械的研磨（ＣＭＰ）プロセスを施す場合、研磨速度の違いにより、犠牲層１０１領域に小さな窪みが形成され、その後の圧電層１０３の成長均一性に影響を与え、それが最終的に薄膜バルク音響波共振器のパフォーマンスに影響を与える。さらに、この方法は犠牲層１０１の製造を必要とし、犠牲層１０１の放出プロセスでは薄膜バルク音響波共振器の関連フィルムに亀裂を生じさせる可能性が非常に高い。さらに、犠牲層１０１がきれいに放出きれず不純物が残っていては、薄膜バルク音響波共振器のＱ値を大幅に低下させ、薄膜バルク音響波共振器の品質に影響を与える。
上記課題を解決するために、本発明は、犠牲層製造過程におけるＣＭＰプロセス及び犠牲層の不完全な放出による、薄膜バルク音響波共振器への影響を効果的に避けられる薄膜バルク音響波共振器ならびにその製造方法を提供する。
本発明によれば、第１の基板を提供し、前記第１の基板に第１の電極層、圧電材料層、および第２の電極層を順次形成することと、
上部で開口するキャビティが貫通して形成される支持層を、前記第２の電極層に形成することと、
第２の基板を提供し、前記第２の基板と前記支持層とを結合させることと、
前記第１の基板を除去することと、
前記第１の電極層、圧電材料層、および第２の電極層をパターニングすることにより、第１の電極、圧電層、および第２の電極を形成することと、を含む薄膜バルク音響波共振器の製造方法が提供される。
上部で開口するキャビティが貫通して形成される支持層を、前記第２の電極層に形成することと、
第２の基板を提供し、前記第２の基板と前記支持層とを結合させることと、
前記第１の基板を除去することと、
前記第１の電極層、圧電材料層、および第２の電極層をパターニングすることにより、第１の電極、圧電層、および第２の電極を形成することと、を含む薄膜バルク音響波共振器の製造方法が提供される。
好ましくは、前記第１の電極層を形成する前に、さらに、前記第１の基板に放出層を形成することを含む。
好ましくは、前記第２の電極層を形成してから前記支持層を形成する前に、さらに、前記第２の電極層にエッチング停止層を形成することを含む。
好ましくは、前記第１の電極層、圧電材料層、および第２の電極層をパターニングすることにより、第１の電極、圧電層、および第２の電極を形成した後、さらに、前記第１の電極、前記圧電層、および前記第２の電極を覆う鈍化層を形成することを含む。
好ましくは、前記第２の基板と前記支持層との結合は、ホットプレス結合またはドライフィルム接合によって行われる。
好ましくは、前記第１の基板を除去するための方法は、薄化プロセス、熱放出プロセス、および剥離プロセスのうちの１つを含む。
好ましくは、前記放出層の材料は、誘電性材料、光硬化性接着剤、ホットメルト接着剤、またはレーザー離型材料を含む。
好ましくは、前記放出層の材料が誘電性材料である場合、薄化プロセスで前記誘電性材料と前記第１の基板を除去し、前記放出層の材料が光硬化性接着剤である場合、化学試薬で前記光硬化性接着剤を除去することにより、前記第１の基板を除去し、前記放出層の材料がホットメルト接着剤である場合、熱放出プロセスで前記ホットメルト接着剤の接着性を除去することにより、前記第１の基板を除去し、前記放出層の材料がレーザー離型材料である場合、レーザーで前記放出層をエッチングすることにより、前記第１の基板を剥離させる。
また、本発明によれば、キャビティが貫通して形成されるように前記第２の基板に結合された支持層と、
前記支持層に順次設けられる第２の電極、圧電層および第１の電極と、を含む薄膜バルク音響波共振器が提供される。
前記支持層に順次設けられる第２の電極、圧電層および第１の電極と、を含む薄膜バルク音響波共振器が提供される。
好ましくは、前記支持層は、ホットプレス結合またはドライフィルム接合によって前記第２の基板に結合される。
好ましくは、前記第２の基板とホットプレス結合される前記支持層の面には、結合層が設けられる。
好ましくは、前記支持層とドライフィルム接合される前記第２の基板の面には、ドライフィルム層が設けられる。
好ましくは、前記第２の電極と前記支持層との間には、エッチング停止層が設けられる。
好ましくは、前記薄膜バルク音響波共振器は、さらに、前記第１の電極、前記圧電層、および前記第２の電極を覆う鈍化層を含む。
好ましくは、前記薄膜バルク音響波共振器は、前記キャビティの外側に位置するとともに、それぞれ前記第１の電極及び前記第２の電極に電気的に接続される少なくとも２つのパッドをさらに含む。
好ましくは、前記支持層の厚さは０．５〜３μｍである。
総じて、本発明は薄膜バルク音響波共振器の製造方法を提供し、当該製造方法は、第１の基板に第１の電極層、圧電材料層、および第２の電極層を順次形成し、前記第２の電極層に支持層を形成し、前記支持層に上部の開口したキャビティを形成し、第２の基板と前記支持層を結合させ、第１の基板を除去し、前記第１の電極層、前記圧電材料層、および前記第２の電極層をパターニングし、第１の電極、圧電層、および第２の電極を形成することを含む。本発明は結合プロセスにより薄膜バルク音響波フィルタのキャビティ構造を実現でき、したがって、ＣＭＰプロセスを起因とした異なる媒体間の小さな起伏による圧電層の均一性への影響を避け、同時に、犠牲層の不完全な希釈による薄膜バルク音響波共振器のパフォーマンスへの影響を避ける。
本発明の実施形態または従来技術における技術方案をより明確に説明するために、以下に、実施形態または従来技術の説明に使用される必要な図面を簡単に紹介する。言うまでもなく、以下の図面は、本発明のいくつかの実施形態に過ぎなく、当業者にとって、他の図面は、創造的な作業なしに、これらの図面に基づいて得ることができる。
以下、本発明の薄膜バルク音響波共振器および薄膜バルク音響波共振器の製造方法を、添付の図面と具体的実施例を参照してさらに詳細に説明する。以下の説明および図面によれば、本発明の利点および特徴はより明確になるであろうが、本発明の技術方案は、多くの異なる形態で実施することができ、本明細書に記載の特定の実施例に限定されないことに留意されたい。図面は、非常に簡略化された形式であり、すべて精確でない比例を使用し、本発明の実施例を容易かつ明瞭に補助して説明するためのみに使用される。
明細書および特許請求の範囲における「第１」、「第２」などの用語は、類似の要素を区別するために使用され、必ずしも特定の順序または時系列を説明するために使用されるわけではない。適切な状況で、そのように使用されるこれらの用語は、例えば、本明細書に記載または示された以外の順序で本明細書に記載の本発明の実施形態を実施できるように置き換えることができることを理解されたい。同様に、本明細書に記載の方法が一連の工程を含み、本明細書に記載のこれらの工程の順序が必ずしもこれらの工程を実行できる唯一の順序ではなく、記載された工程のいくつかが省略され得るおよび／または本明細書に記載されない他の工程も方法に追加できる。特定の図面の部材が他の図面の部材と同じである場合、これらの部材はすべての図面で簡単に識別できるが、図面の説明を明確にするために、同じ部材の符号をすべて各図に示されるわけではない。
図２は、本実施形態によって提供される薄膜バルク音響波共振器を製造するための方法のフローチャートである。図２に示されるように、本実施形態に提供される薄膜バルク音響波共振器の製造方法は、以下の工程を含む：
Ｓ０１：第１の基板を提供し、前記第１の基板に第１の電極層、圧電材料層、及び第２の電極層を順次形成し；
Ｓ０２：前記第２の電極層に支持層を形成し、前記支持層に上部の開口したキャビティを形成し、前記キャビティが前記支持層を貫通し；
Ｓ０３：第２の基板を提供し、前記第２の基板と前記支持層とを結合させ；
Ｓ０４：前記第１の基板を除去し、及び、
Ｓ０５：前記第１の電極層、前記圧電材料層、および前記第２の電極層をパターニングし、第１の電極、圧電層、および第２の電極を形成する。
Ｓ０１：第１の基板を提供し、前記第１の基板に第１の電極層、圧電材料層、及び第２の電極層を順次形成し；
Ｓ０２：前記第２の電極層に支持層を形成し、前記支持層に上部の開口したキャビティを形成し、前記キャビティが前記支持層を貫通し；
Ｓ０３：第２の基板を提供し、前記第２の基板と前記支持層とを結合させ；
Ｓ０４：前記第１の基板を除去し、及び、
Ｓ０５：前記第１の電極層、前記圧電材料層、および前記第２の電極層をパターニングし、第１の電極、圧電層、および第２の電極を形成する。
図３Ａ〜図３Ｋは、本実施形態によって提供される薄膜バルク音響波共振器の製造方法に対応する各工程の構造概略図である。以下、図２を参照し図３Ａ〜３Ｋに基づき本実施形態に提供される薄膜バルク音響波共振器の製造方法を詳細に説明する。
まず、図３Ａに示されるように、第１の基板２００が提供される。前記第１の基板２００は、当業者に知られている任意の適切な基板であってよく、例えば、以下に記載の材料の少なくとも１つである：シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）、シリコンカーボン（ＳｉＣ）、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅＣ）、インジウムヒ素（ＩｎＡｓ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、インジウムリン（ＩｎＰ）または他のＩＩＩ／Ｖ複合半導体（これらの半導体で構成される多層構造なども含まれる）；またはシリコンオンインシュレーター（ＳＯＩ）、積層シリコンオンインシュレーター（ＳＳＯＩ）、積層シリコンゲルマニウムオンインシュレーター（Ｓ−ＳｉＧｅＯＩ）、シリコンゲルマニウムオンインシュレーター（ＳｉＧｅＯＩ）およびゲルマニウムオンインシュレーター（ＧｅＯＩ）；または両面研磨ウェーハ（Ｄｏｕｂｌｅ Ｓｉｄｅ Ｐｏｌｉｓｈｅｄ Ｗａｆｅｒｓ，ＤＳＰ）；アルミナなどのセラミック基板、石英またはガラス基板など。
好ましくは、図３Ｂに示されるように、放出層２０１が前記第１の基板２００に形成され、前記放出層２０１は、その後形成される薄膜バルク音響波共振器の圧電積層構造による第１の基板２００への影響を避けられる。同時に、その後の第１の基板２００の除去プロセスにおいて、放出層２０１をエッチングして、前記第１の基板２００をその後に形成される圧電積層構造から分離させることができ、前記第１の基板２００の迅速除去に有利であるため、プロセス効率が改善される。前記放出層の材料には、誘電性材料、光硬化性接着剤、ホットメルト接着剤、またはレーザー離型材料が含まれる。例えば、前記放出層２０１の材料は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）、窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、または窒化アルミニウム（ＡｌＮ）であってよく、化学蒸着、マグネトロンスパッタリングまたは蒸着などの方式によって形成することができる。この実施形態では、前記第１の基板２００はシリコンウェーハであり、前記放出層２０１の材料は二酸化シリコン（ＳｉＯ2）である。
次に、図３Ｃに示すように、圧電積層構造が前記放出層２０１に形成され、前記圧電積層構造は、前記第１の電極層２０２’、圧電材料層２０３’、および第２の電極層２０４を含む。ここで、前記圧電材料層２０３’は、前記第１の電極層２０２’と前記第２の電極層２０４’との間に位置し、また、前記第１の電極層２０２’と前記第２の電極層２０４’とは対向して配置される。第１の電極層２０２’は、無線周波数（ＲＦ）信号などの電気信号を受信または発信する入力電極または出力電極として使用することができる。例えば、第２の電極層２０４’が入力電極として使用される場合、第１の電極層２０２’は出力電極として使用されることができ、また、第２の電極層２０４’が出力電極として使用される場合、第１の電極層２０２’は入力電極として使用されることができる。圧電材料層２０３’は、第１の電極層２０２’または第２の電極層２０４ ’を介して入力された電気信号をバルク音響波に変換する。例えば、圧電材料層２０３’は、物理的振動を通じて電気信号をバルク音響波に変換する。
前記第１の電極層２０２’と前記第２の電極層２０４’は、当分野で周知した任意の適切な導電性材料または半導体材料を使用することができ、ここの導電性材料は、導電性を有する金属材料であってよい。例えば、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、プラチナ（Ｐｔ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、レニウム（Ｒｅ）、パラジウム（Ｐｄ）およびその他の金属うちの１つまたは上述金属からなる積層体でできている。前記半導体材料は、たとえば、Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｉＧｅ、ＳｉＣ、ＳｉＧｅＣなどである。第１の電極層２０２’および第２の電極層２０４’は、マグネトロンスパッタリング、蒸着などの物理的蒸着法または化学的蒸着法によって形成されることができる。前記圧電材料層２０３’は、圧電共振層または圧電共振部分と呼ばれることもある。前記圧電材料層２０３’の材料は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3）、石英（Ｑｕａｒｔｚ）、ニオブ酸カリウム（ＫＮｂＯ3）または、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ3）などのようなウルツ鉱型結晶構造を有する圧電材料とそれらの組み合わせを使用できる。圧電材料層２０３’が窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を含む場合、圧電材料層２０３’は希土類金属をさらに含むことができ、当該希土類金属は例えば、スカンジウム（Ｓｃ）、エルビウム（Ｅｒ）、イットリウム（Ｙ）およびランタン（Ｌａ）のうちの少なくとも１つである。さらに、圧電材料層２０３’が窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を含む場合、圧電材料層２０３’は遷移金属をさらに含むことができ、当該遷移金属は例えば、ジルコニウム（Ｚｒ）、チタン（Ｔｉ）、マンガン（Ｍｎ）、およびハフニウム（Ｈｆ）のうちの少なくとも１つである。圧電材料層２０３’は、化学的蒸着、物理的蒸着、または原子層堆積などの当業者に知られている任意の適切な方法によって堆積することができる。好ましくは、この実施形態では、前記第１の電極層２０２’および第２の電極層２０４’は金属モリブデン（Ｍｏ）ででき、前記圧電材料層２０３’は窒化アルミニウム（ＡｌＮ）でできている。
前記第１の電極層２０２’、圧電材料層２０３’および第２の電極層２０４’の形状は、同じでも同じでなくてもよく、そして、第１の電極層２０２’、圧電材料層２０３’および第２の電極層２０４’の面積は同じでも同じでなくてもよい。この実施形態では、前記第１の電極層２０２’、圧電材料層２０３’、および第２の電極層２０４’は形状も面積も同じで、前記第１の電極層２０２’、圧電材料層２０３’および第２の電極層２０４’はいずれも多角形で、例えば、正方形である。
第１の電極層２０２’を形成する前に、前記放出層２０１にシード層（図３Ｃには示されていない）を形成することができ、前記シード層が前記放出層２０１と前記第１の電極層２０２’の間に形成され、前記シード層は、その後形成される第１の電極層２０２’（圧電材料層２０３’および第２の電極層２０４’）の結晶配向に対し配向性を有し、その後形成される圧電積層構造が特定の結晶配向に沿って成長でき、圧電層の均一性が保証されることになる。前記シード層の材料は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）とすることができるが、シード層は、ＡｌＮに加えて、六方最密充填（ＨＣＰ）構造を持つ金属または誘電性材料で形成することもできる。例えば、前記シード層は金属チタン（Ｔｉ）で形成されることもできる。
次に、工程Ｓ０２を実施する。図３Ｄに示すように、前記第２の電極層２０４’に支持層２０６を形成し、前記支持層２０６に上部の開いたキャビティ２１０を形成し、前記キャビティ２１０は前記支持層２０６を貫通する。具体的には、まず、化学的堆積法により支持層２０６を形成することができる。前記支持層２０６の材料は、例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）、窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、および窒化アルミニウム（ＡｌＮ）のうちの一種類または複数種類の組み合わせである。この実施形態では、前記支持層２０６の材料は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）である。次に、エッチングプロセスにより前記支持層２０６をエッチングして開口部２１０’を形成し、前記第２の電極層２０４’の一部を露出させる。当該エッチングプロセスは、湿式エッチングまたは乾式エッチングプロセスであってよい。好ましくは、乾式エッチングプロセスが使用される。乾式エッチングには、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、イオンビームエッチング、プラズマエッチング、またはレーザー切断が含まれるが、これらに限られるものではない。開口部２１０’の深さおよび形状は、製造される薄膜バルク音響波共振器に必要なキャビティの深さおよび形状に依存する。前記薄膜バルク音響波共振器のキャビティの厚さは、共振周波数に関係するので、薄膜バルク音響波共振器に必要な共振周波数に基づき、前記開口部２１０’の深さ、すなわち、支持層２０６の厚さを設定することができる。例示的に、前記開口部２１０’の深さは、０．５μｍから３μｍで、例えば、１μｍまたは２μｍまたは３μｍである。前記開口部２１０’の底面の形状は、長方形または五角形、六角形、八角形などの長方形以外の多角形であってよく、円形または楕円形であってよい。開口部２１０’の側壁は、傾斜しても垂直であってもよい。この実施形態では、開口部２１０’の底面は長方形であり、側壁と底面とは鈍角を形成する（開口部２１０’の縦断面（基板の厚さ方向に沿った断面）の形状は逆台形である）。本発明の他の実施形態において、開口部２１０’の縦断面の形状は所謂「上広下狭」形状の球形キャップであり、すなわち、その縦断面はＵ字形である。
この実施形態では、前記支持層２０６を形成する前に、前記第２の電極層２０４’上にさらにエッチング停止層２０５を形成する。前記エッチング停止層２０５の材料は、窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）および酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）を含むが、これに限られるものではない。前記エッチング停止層２０５は、後で形成される支持層２０６よりも低いエッチング速度を有するので、その後前記支持層２０６をエッチングし開口部を形成する際に、オーバーエッチングを防ぐことができ、その下に位置する第２の電極層２０４’を表面損傷から保護することができる。
次に、図３Ｆに示されるように、工程Ｓ０３を実施し、第２の基板３００を提供し、前記第２の基板３００と前記支持層２０６とを結合させ、前記第２の基板３００と第２の電極２０４とは、前記支持層２０６の開口部２１０’にキャビティ２１０を形成する。前記第２の基板３００は、当業者に知られている任意の適切な基板であってよく、例えば、以下に記載の材料の少なくとも１つである：シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）、シリコンカーボン（ＳｉＣ）、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅＣ）、インジウムヒ素（ＩｎＡｓ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、インジウムリン（ＩｎＰ）または他のＩＩＩ／Ｖ複合半導体（これらの半導体で構成される多層構造なども含まれる）；またはシリコンオンインシュレーター（ＳＯＩ）、積層シリコンオンインシュレーター（ＳＳＯＩ）、積層シリコンゲルマニウムオンインシュレーター（Ｓ−ＳｉＧｅＯＩ）、シリコンゲルマニウムオンインシュレーター（ＳｉＧｅＯＩ）およびゲルマニウムオンインシュレーター（ＧｅＯＩ）；または両面研磨ウェーハ（Ｄｏｕｂｌｅ Ｓｉｄｅ Ｐｏｌｉｓｈｅｄ Ｗａｆｅｒｓ，ＤＳＰ）；アルミナなどのセラミック基板、石英またはガラス基板など。前記第２の基板３００と前記支持層２０６との結合は、ホットプレス結合によって実現することができる。前記支持層２０６と前記第２の基板３００との結合能力を高めるために、前記支持層２０６のホットプレス結合が行われる面に結合層が形成され、前記結合層は、例えば、二酸化ケイ素層であってよい。本発明の他の実施形態では、他の結合方法で結合することができる。例えば、ドライフィルム接合により第２の基板３００と前記支持層２０６とを一体に結合させる。例えば、前記第２の基板３００のドライフィルム接合の行われる面にドライフィルム層を形成し、ドライフィルムにより前記第２の基板３００と前記支持層２０６とを一体に結合させる。結合工程が完了した後、結合後の上記薄膜バルク音響波共振器を裏返して、図３Ｇに示す構造を得られる。
次に、図３Ｈに示すように、工程Ｓ０４を実行して、前記第１の基板２００を除去する。前記第１の基板２００は、薄化プロセス、熱放出プロセス、および剥離プロセスによって除去することができる。例えば、前記放出層２０１の材料が誘電性材料を含む場合、機械的研磨などの薄化プロセスによって前記放出層２０１および前記第１の基板２００を除去することができる。前記放出層２０１が光硬化性接着剤である場合、化学試薬によって前記光硬化性接着剤を除去することにより前記第１の基板２００を除去することができる。前記放出層がホットメルト接着剤である場合、熱放出プロセスにより前記ホットメルト接着剤に接着性を失わせ、前記第１の基板２００を除去するようにする。本発明の他の実施形態では、他の方法で前記第１の基板２００を除去することができるが、ここで一々列挙しないこととする。
次に、図３Ｉに示すように、工程Ｓ０５を実行して、前記第１の電極層２０２’、前記圧電材料層２０３’、および前記第２の電極層２０４’をパターニングして、第１の電極２０２、圧電層２０３及び第２の電極２０４を形成し、前記第１の電極２０２、前記圧電層２０３、および前記第２の電極２０４の垂直方向（すなわち、厚さ方向）におけるオーバーラップ領域は、少なくとも部分的に前記キャビティ２１０の上に位置する。
パターニングした後、前記第２の電極２０４は、キャビティ２１０の開口部を覆うだけでなく、開口部２１０の周りの支持層２０６の一部を覆うように延びる（具体的には、支持層２０６の上のエッチング停止層２０５の表面を直接に覆う）。すなわち、前記第２の電極２０４は、キャビティ２１０を完全に封じるだけでなく、前記支持層２０６にも掛けている。前記第２の電極２０４の支持層２０６に掛けた部分は、前記キャビティ２１０の開口部を取り囲みクローズループ構造を形成することができる。本発明の他の実施形態では、前記第２の電極２０４は、前記支持層２０６の縁と同一平面に保たれる。
前記第１の電極層２０２’、前記圧電材料層２０３’、および前記第２の電極層２０４’をパターニングすることにより形成される第１の電極２０２および圧電層２０３の形状は、第２の電極２０４の形状と同じでも同じでなくてもよく、その上面図の形状は、五角形、または四辺形、六角形、七角形、八角形などの他の多角形にすることができる。この実施形態では、パターニング後、前記第１の電極２０２と圧電層２０３の面積は等しく完全にオーバーラップし、第２の電極２０４は、キャビティ２１０の開口部の面積よりも大きい。
具体的には、リソグラフィー、エッチングプロセスによって、前記第１の電極層２０２’、前記圧電材料層２０３’、および前記第２の電極層２０４’をパターニングできる。例えば、図３Ｉを参照して示されるように、リソグラフィーにより第１の電極２０２の電極パターンを定義し、乾式エッチングまたは湿式エッチングによって第１の電極２０２の形状を形成し、次いで、第１の電極２０２をマスクとし、乾式エッチングまたは湿式エッチングによって前記圧電材料層２０３’をエッチングして、次に、図３Ｊに示されるように、リソグラフィーにより第２の電極２０４の電極パターンを定義し、乾式エッチングまたは湿式エッチングによって第２の電極２０４の形状を形成する。ここで、パターニングされた第１の電極２０２、前記圧電層２０３、および前記第２の電極２０４は、垂直方向にオーバーラップ領域を有し、従って、前記第１の電極２０２および第２の電極２０４に電圧が印加されたら、両者の間に電場を形成することができ、前記電場は前記圧電層２０３に機械的振動を発生させることができる。さらに、前記オーバーラップ領域は、少なくとも部分的に前記キャビティ２１０の上に位置し、前記キャビティ２１０の上の第２の電極２０４の一部領域が露出している。即ち、前記キャビティ２１０の上に位置する前記第１の電極２０２、前記圧電層２０３及び前記第２の電極２０４の厚さ方向におけるオーバーラップ領域が、バルク音響波共振器が動作するアクティブ領域（有効動作領域）である。この配置は、音響波エネルギーの散逸を比較的低減し、バルク音響波共振器の品質係数を改善できる。
さらに、本発明によって提供される薄膜バルク音響波共振器を製造する方法において、図３Ｋに示される、前記第１の電極２０２’、前記圧電材料層２０３’および前記第２の電極層２０４’をパターニングし第１の電極２０２、圧電層２０３および第２の電極２０４を形成した後、さらに、鈍化層２０７を形成する工程を含む。前記鈍化層２０７は、前記第１の電極２０２、前記圧電層２０３、および第２の電極２０４を覆い、前記鈍化層２０７は、さらに前記支持層２０６を覆ってよい。前記支持層２０６の上の鈍化層２０７および前記第２の電極２０４の上の鈍化層２０７において、それぞれ、鈍化層開口部が形成され、一部の鈍化層開口部が前記第２の電極２０４を露出し、別の一部の鈍化層開口部が第２の電極２０２を露出する。前記鈍化層開口部に、それぞれ前記第１の電極２０２および前記第２の電極２０４に電気的に接続される第１のパッド２０８ａと第２のパッド２０８ｂが形成される。具体的には、鈍化層２０７は、化学的堆積または熱酸化によって形成することができ、前記鈍化層２０７の材料は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）、窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4）、酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）、窒化アルミニウム（Ａ１Ｎ）、酸化アルミニウム（Ａ１2Ｏ3）等であってよい。そして、前記鈍化層２０７をエッチングし、前記第１の電極２０２および前記第２の電極２０４の上に電極引出窓として鈍化層開口部が形成される。最後に、前記鈍化層開口部に金属などの導電性材料を充填し、それぞれ前記第１の電極２０２および前記第２の電極２０４に電気的に接続される第１のパッド２０８ａおよび第２のパッド２０８ｂを形成し、薄膜バルク音響波共振器の電極と外部電源装置との接続を実現する。前記第１のパッド２０８ａおよび前記第２のパッド２０８ｂの材料は、アルミニウム（Ａ１）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）またはタングステン（Ｗ）のうちの１つまたは複数の組み合わせによる複合構造である。好ましくは、この実施形態では、前記第１のパッド２０８ａおよび前記第２のパッド２０８ｂはアルミニウムパッドであり、前記第１のパッド２０８ａおよび前記第２のパッド２０８ｂは、それぞれ、前記キャビティ２１０の両側に配置されている。
上記のエッチング工程において、前記エッチング方法には、湿式エッチング技術、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）エッチング、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）などが含まれるが、これらに限られるものではない。前記堆積方法には、化学蒸気堆積、マグネトロンスパッタリング、電気化学堆積、原子層堆積（ＡＬＤ）、分子ビームエピタキシー（ＭＢＥ）などが含まれるが、これらに限られるものではない。
この実施形態は、上記薄膜バルク音響波共振器の製造方法によって製造される薄膜バルク音響波共振器を提供する。図３Ｋに示されるように、前記薄膜バルク音響波共振器は、以下を含む：
第２の基板３００；
前記第２の基板３００上に配置された支持層２０６；
前記第２の基板３００に結合された支持層２０６であり、前記支持層２０６を貫通するとともに前記支持層２０６に設けられるキャビティ２１０；
前記支持層２０６に順次配置される第２の電極２０４、圧電層２０３、および第１の電極２０２。
第２の基板３００；
前記第２の基板３００上に配置された支持層２０６；
前記第２の基板３００に結合された支持層２０６であり、前記支持層２０６を貫通するとともに前記支持層２０６に設けられるキャビティ２１０；
前記支持層２０６に順次配置される第２の電極２０４、圧電層２０３、および第１の電極２０２。
前記第１の電極２０２、前記圧電層２０３、および前記第２の電極２０４の厚さ方向におけるオーバーラップ領域の下の前記支持層２０６にキャビティ２１０が設けられ、前記第２の電極２０４は、前記キャビティ２１０の開口部および前記開口部の周りの支持層２０６の一部を覆う。前記第２の電極２０４の支持層２０６に掛けた部分は、前記キャビティ２１０の開口部を取り囲みクローズリング構造を形成してよい。本発明の他の実施形態では、前記第２の電極２０４は、前記支持層２０６の縁と同一平面に保たれる。
前記第２の基板３００は、当業者に知られている任意の適切な基板であってよく、例えば、以下に記載の材料の少なくとも１つである：シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）、シリコンカーボン（ＳｉＣ）、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅＣ）、インジウムヒ素（ＩｎＡｓ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、インジウムリン（ＩｎＰ）または他のＩＩＩ／Ｖ複合半導体（これらの半導体で構成される多層構造なども含まれる）；またはシリコンオンインシュレーター（ＳＯＩ）、積層シリコンオンインシュレーター（ＳＳＯＩ）、積層シリコンゲルマニウムオンインシュレーター（Ｓ−ＳｉＧｅＯＩ）、シリコンゲルマニウムオンインシュレーター（ＳｉＧｅＯＩ）およびゲルマニウムオンインシュレーター（ＧｅＯＩ）；または両面研磨ウェーハ（Ｄｏｕｂｌｅ Ｓｉｄｅ Ｐｏｌｉｓｈｅｄ Ｗａｆｅｒｓ，ＤＳＰ）；アルミナなどのセラミック基板、石英またはガラス基板など。この実施形態では、前記第１の電極２０２および前記第２の電極層２０４’は金属モリブデン（Ｍｏ）ででき、前記圧電層２０３は窒化アルミニウム（ＡｌＮ）でできている。前記支持層２０６の材料は、例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）、窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）および窒化アルミニウム（ＡｌＮ）の１つまたはそれらの組み合わせである。好ましくは、前記支持層２０６の材料は二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）である。
好ましくは、前記第１の電極２０２と圧電層２０３の面積は等しく、完全にオーバーラップし、第２の電極２０４の面積は、キャビティ２１０の開口部より大きい。前記第１の電極２０２、前記圧電層２０３及び前記第２の電極２０４の厚さ方向におけるオーバーラップ領域、即ち、バルク音響波共振器の動作するアクティブ領域（有効動作領域）が前記キャビティ２１０の真上に位置する。この配置は、音響波エネルギーの散逸を低減し、バルク音響波共振器の品質係数を改善できる。
前記支持層２０６は、ホットプレス結合またはドライフィルム接合によって前記第２の基板３００に結合されている。ホットプレス結合の方法を採用する場合、前記支持層と前記第２の基板とのホットプレス結合が行われる面に結合層が形成され；ドライフィルム接合の方法を採用する場合、前記第２の基板と前記支持層とのドライフィルム接合が行われる面にドライフィルム層が形成される。
好ましくは、エッチング停止層２０５が前記第２の電極２０４と前記支持層２０６との間に配置される。さらに、前記エッチング停止層２０５と第２の電極２０４は、同じ形状と同じ面積を有し、完全にオーバーラップしている。前記エッチング停止層２０５の材料には、窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）および酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）が含まれるが、これらに限られるものではない。
好ましくは、前記薄膜バルク音響波共振器は、前記第１の電極２０２、前記圧電層２０３、前記第２の電極２０４、および前記支持層２０６を覆う鈍化層２０７をさらに含む。
好ましくは、前記支持層２０６の上の鈍化層２０７および第２の電極２０４の上の鈍化層２０７には、それぞれ、前記キャビティ２１０とは異なる鈍化層開口部が形成され、前記薄膜バルク音響波共振器は少なくとも２つのパッドを含み、前記パッドは前記鈍化層２０７に配置され、前記鈍化層２０７の開口部を介して、それぞれ前記第１の電極２０２および前記第２の電極２０４に電気的に接続される。例えば、第１のパッド２０８ａは、前記第１の電極２０２に電気的に接続され、前記第２のパッド２０８ｂは、前記第２の電極２０４に電気的に接続される。好ましくは、前記第１のパッド２０８ａおよび前記第２のパッド２０８ｂは、それぞれ、前記キャビティ２１０の両側に配置されている。
本発明は薄膜バルク音響波共振器ならびにその製造方法を提供し、薄膜バルク音響波共振器の製造方法は、第１の基板に第１の電極層、圧電材料層、および第２の電極層を順次形成し、前記第２の電極層に支持層を形成し、前記支持層に上部の開口したキャビティを形成し、前記キャビティが前記支持層を貫通し、第２の基板と前記支持層とを結合させ、前記第１の基板を除去し、前記第１の電極層、前記圧電材料層、および前記第２の電極層をパターニングし、第１の電極、圧電層、および第２の電極を形成し、前記第１の電極と前記圧電層と前記第２の電極との厚さ方向におけるオーバーラップ領域を前記キャビティの真上に位置させるようにすることを含む。本発明は支持層をエッチングするプロセスと結合プロセスにより薄膜バルク音響波フィルタのキャビティ構造を実現でき、したがって、ＣＭＰプロセスを起因とした異なる媒体間の小さな起伏による圧電層の均一性への影響を避け、同時に、犠牲層の不完全な希釈による薄膜バルク音響波共振器のパフォーマンスへの影響を避ける。
本明細書の各実施形態は、関連する方式で説明され、各実施形態の間の同じまたは類似の部分は、互いに参照され得ることに留意されたい。各実施形態は、他の実施形態との違いを重要点として説明し、特に、構造に関する実施形態につき、基本的に方法の実施形態と同様であるため、その説明は比較的簡単であり、関連部材につき、方法に関する実施形態についての説明を参照されたい。
前述の説明は、あくまでも本発明の好ましい実施形態の説明に過ぎず、本発明の範囲を決して限定するものではない。当業者が前述の開示に基づき行われた変更または修正は、いずれも特許請求の範囲に含まれるものとする。
１００−基板； １１０’−トレンチ； １１０−キャビティ； １０１−犠牲層； １０２−第１の電極； １０３−圧電層； １０４−第２の電極； １２０−貫通穴；
２００−第１の基板； ２１０’−開口部； ２１０−キャビティ； ２０１−放出層； ２０２−第１の電極； ２０３−圧電層； ２０４−第２の電極； ２０５−エッチング停止層； ２０６−支持層； ２０７−鈍化層； ２０８ａ−第１のパッド； ２０８ｂ−第２のパッド。
３００−第２の基板。
２００−第１の基板； ２１０’−開口部； ２１０−キャビティ； ２０１−放出層； ２０２−第１の電極； ２０３−圧電層； ２０４−第２の電極； ２０５−エッチング停止層； ２０６−支持層； ２０７−鈍化層； ２０８ａ−第１のパッド； ２０８ｂ−第２のパッド。
３００−第２の基板。
Claims (15)
- 第１の基板を提供し、前記第１の基板に第１の電極層、圧電材料層、および第２の電極層を順次形成することと、
上部で開口するキャビティが貫通して形成される支持層を、前記第２の電極層に形成することと、
第２の基板を提供し、前記第２の基板と前記支持層とを結合させることと、
前記第１の基板を除去することと、
前記第１の電極層、圧電材料層、および第２の電極層をパターニングすることにより、第１の電極、圧電層、および第２の電極を形成することと、を含む、
ことを特徴とする薄膜バルク音響波共振器の製造方法。 - 前記第１の電極層を形成する前に、
前記第１の基板に放出層を形成することをさらに含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の薄膜バルク音響波共振器の製造方法。 - 前記第２の電極層を形成してから前記支持層を形成する前に、
前記第２の電極層にエッチング停止層を形成することをさらに含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の薄膜バルク音響波共振器の製造方法。 - 前記第１の電極層、圧電材料層、および第２の電極層をパターニングすることにより、第１の電極、圧電層、および第２の電極を形成した後、
前記第１の電極、前記圧電層、および前記第２の電極を覆う鈍化層をさらに形成することを含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の薄膜バルク音響波共振器の製造方法。 - 前記第２の基板と前記支持層との結合は、ホットプレス結合またはドライフィルム接着によって行われる、
ことを特徴とする請求項１に記載の薄膜バルク音響波共振器の製造方法。 - 前記放出層の材料は、誘電性材料、光硬化性接着剤、ホットメルト接着剤、またはレーザー離型材料を含む、
ことを特徴とする請求項２に記載の薄膜バルク音響波共振器の製造方法。 - 前記放出層の材料が誘電性材料である場合、薄化プロセスで前記誘電性材料と前記第１の基板を除去し、
前記放出層の材料が光硬化性接着剤である場合、化学試薬で前記光硬化性接着剤を除去することにより前記第１の基板を除去し、
前記放出層の材料がホットメルト接着剤である場合、熱放出プロセスで前記ホットメルト接着剤の接着性を除去することにより前記第１の基板を除去し、
前記放出層の材料がレーザー離型材料である場合、レーザーで前記放出層をエッチングすることにより前記第１の基板を剥離させる、
ことを特徴とする請求項６に記載の薄膜バルク音響波共振器の製造方法。 - 第２の基板と、
キャビティが貫通して形成されるように前記第２の基板に結合された支持層と、
前記支持層に順次設けられる第２の電極、圧電層および第１の電極と、を含む、
ことを特徴とする薄膜バルク音響波共振器。 - 前記支持層は、ホットプレス結合またはドライフィルム接着によって前記第２の基板に結合される、
ことを特徴とする請求項８に記載の薄膜バルク音響波共振器。 - 前記第２の基板とホットプレス結合される前記支持層の面には、結合層が設けられる、
ことを特徴とする請求項９に記載の薄膜バルク音響波共振器。 - 前記支持層とドライフィルム接着される前記第２の基板の面には、ドライフィルム層が設けられる、
ことを特徴とする請求項９に記載の薄膜バルク音響波共振器。 - 前記第２の電極と前記支持層との間には、エッチング停止層が設けられる、
ことを特徴とする請求項８に記載の薄膜バルク音響波共振器。 - 前記第１の電極、前記圧電層、および前記第２の電極を覆う鈍化層をさらに含む、
ことを特徴とする請求項８に記載の薄膜バルク音響波共振器。 - 前記キャビティの外側に位置するとともに、それぞれ前記第１の電極及び前記第２の電極に電気的に接続される少なくとも２つのパッドをさらに含む、
ことを特徴とする請求項８に記載の薄膜バルク音響波共振器。 - 前記支持層の厚さは０．５〜３μｍである、
ことを特徴とする請求項８に記載の薄膜バルク音響波共振器。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910657440.7 | 2019-07-19 | ||
| CN201910657440.7A CN112039460B (zh) | 2019-07-19 | 2019-07-19 | 薄膜体声波谐振器及其制作方法 |
| PCT/CN2020/099741 WO2021012923A1 (zh) | 2019-07-19 | 2020-07-01 | 薄膜体声波谐振器及其制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2021536160A true JP2021536160A (ja) | 2021-12-23 |
| JP7259005B2 JP7259005B2 (ja) | 2023-04-17 |
Family
ID=73576235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021503167A Active JP7259005B2 (ja) | 2019-07-19 | 2020-07-01 | 薄膜バルク音響波共振器ならびにその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US11942917B2 (ja) |
| JP (1) | JP7259005B2 (ja) |
| CN (1) | CN112039460B (ja) |
| WO (1) | WO2021012923A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20210123567A (ko) * | 2020-04-03 | 2021-10-14 | 삼성전기주식회사 | 체적 음향 공진기 |
| WO2022183494A1 (zh) * | 2021-03-05 | 2022-09-09 | 天津大学 | 石英晶体谐振器及其形成方法、电子设备 |
| CN113346864B (zh) * | 2021-05-28 | 2022-01-04 | 杭州星阖科技有限公司 | 一种体声波谐振器及其制作方法 |
| CN113746446B (zh) * | 2021-09-07 | 2024-02-06 | 上海集成电路材料研究院有限公司 | 具有稳定频率功能的体声波谐振器 |
| CN113708740B (zh) * | 2021-09-07 | 2024-04-26 | 上海集成电路材料研究院有限公司 | 压电薄膜体声波谐振器及其制备方法 |
| CN113810009B (zh) * | 2021-09-22 | 2023-03-24 | 武汉敏声新技术有限公司 | 薄膜体声波谐振器及其制备方法、薄膜体声波滤波器 |
| WO2023108590A1 (zh) * | 2021-12-17 | 2023-06-22 | 中国科学技术大学 | 高频高q值的声波谐振器及其制作方法 |
| CN114362711A (zh) * | 2021-12-31 | 2022-04-15 | 河源市艾佛光通科技有限公司 | 一种高带宽空腔型薄膜体声波谐振器及其制备方法 |
| CN114337581A (zh) * | 2022-03-17 | 2022-04-12 | 常州承芯半导体有限公司 | 体声波谐振装置的形成方法 |
| CN115001426B (zh) * | 2022-04-26 | 2024-05-17 | 浙江大学杭州国际科创中心 | 一种基于多次键合工艺的薄膜体声波谐振器的制备方法 |
| CN114894229B (zh) * | 2022-04-26 | 2024-05-03 | 武汉敏声新技术有限公司 | 一种薄膜体声波传感器及其制备方法 |
| WO2024016095A1 (zh) * | 2022-07-18 | 2024-01-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种滤波器单元及其制备方法、电子设备 |
Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005333642A (ja) * | 2004-05-17 | 2005-12-02 | Samsung Electronics Co Ltd | エアギャップ型の薄膜バルク音響共振器およびその製造方法 |
| JP2006086787A (ja) * | 2004-09-16 | 2006-03-30 | Murata Mfg Co Ltd | 薄膜圧電フィルタおよびその製造方法 |
| JP2008098831A (ja) * | 2006-10-10 | 2008-04-24 | Toshiba Corp | 薄膜圧電共振器 |
| JP2009290371A (ja) * | 2008-05-27 | 2009-12-10 | Panasonic Electric Works Co Ltd | Ｂａｗ共振装置 |
| JP2013512583A (ja) * | 2009-12-17 | 2013-04-11 | インテル コーポレイション | 多層ガラスコアを含む集積回路デバイス用基板、及びその製造方法 |
| JP2016140053A (ja) * | 2015-01-27 | 2016-08-04 | ツーハイ アドバンスド チップ キャリアーズ アンド エレクトロニック サブストレート ソリューションズ テクノロジーズ カンパニー リミテッド | 膜バルク音響共振器フィルタを作製する方法 |
| JP2018129561A (ja) * | 2017-02-06 | 2018-08-16 | 新日本無線株式会社 | バルク弾性波共振器の製造方法 |
| US20180278227A1 (en) * | 2017-03-24 | 2018-09-27 | Dror Hurwitz | Method for fabricating rf resonators and filters |
| JP2018190891A (ja) * | 2017-05-10 | 2018-11-29 | 株式会社サイオクス | 圧電膜を有する積層基板の製造方法、圧電膜を有する素子の製造方法および圧電膜を有する積層体 |
| JP2018537672A (ja) * | 2015-11-20 | 2018-12-20 | コーボ ユーエス，インコーポレイティド | せん断モード応答を高めるために活性領域の機械的締め付けを少なくした音響共振器 |
| CN109150135A (zh) * | 2018-11-13 | 2019-01-04 | 杭州左蓝微电子技术有限公司 | 基于键合的薄膜体声波谐振器及其加工方法 |
| CN109309483A (zh) * | 2018-10-10 | 2019-02-05 | 华南理工大学 | 一种支撑型薄膜体声波谐振器的制备方法 |
| JP2019105447A (ja) * | 2017-12-08 | 2019-06-27 | コニカミノルタ株式会社 | Ｘ線画像検出器 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005236337A (ja) * | 2001-05-11 | 2005-09-02 | Ube Ind Ltd | 薄膜音響共振器及びその製造方法 |
| US6713314B2 (en) * | 2002-08-14 | 2004-03-30 | Intel Corporation | Hermetically packaging a microelectromechanical switch and a film bulk acoustic resonator |
| KR100616511B1 (ko) * | 2003-09-24 | 2006-08-29 | 삼성전기주식회사 | Ｆｂａｒ 소자 및 그 제조 방법 |
| KR100802109B1 (ko) * | 2006-09-12 | 2008-02-11 | 삼성전자주식회사 | 공진기, 그것을 구비하는 장치 및 공진기의 제조 방법 |
| EP1959568A1 (en) * | 2007-02-19 | 2008-08-20 | Consejo Superior de Investigaciones Cientificas | Thin-film bulk acoustic ware resonator and method for performing heterogeneous integration of the same with complementary-metal-oxide-semiconductor integrated circuit |
| US8653908B2 (en) * | 2008-03-04 | 2014-02-18 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Film bulk acoustic resonator, filter, communication module and communication apparatus |
| US8854156B2 (en) * | 2009-02-20 | 2014-10-07 | Ube Industries, Ltd. | Thin-film piezoelectric resonator and thin-film piezoelectric filter using the same |
| US8710717B2 (en) * | 2010-01-29 | 2014-04-29 | Research Triangle Institute | Piezoelectric ultrasonic transducer apparatus |
| CN101895269B (zh) * | 2010-07-30 | 2012-09-05 | 中国科学院声学研究所 | 一种压电薄膜体声波谐振器的制备方法 |
| CN102025340B (zh) * | 2010-10-21 | 2013-05-08 | 张�浩 | 声波谐振器及其加工方法 |
| CN102437169B (zh) * | 2011-11-25 | 2013-12-25 | 格科微电子（上海）有限公司 | 图像传感器的制造方法 |
| US8910355B2 (en) * | 2011-12-12 | 2014-12-16 | International Business Machines Corporation | Method of manufacturing a film bulk acoustic resonator with a loading element |
| CN103296992B (zh) * | 2013-06-28 | 2016-02-10 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 薄膜体声波谐振器结构及其制造方法 |
| CN106209003B (zh) * | 2016-07-06 | 2019-03-22 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 利用薄膜转移技术制备薄膜体声波器件的方法 |
| CN107222181A (zh) * | 2016-12-29 | 2017-09-29 | 杭州左蓝微电子技术有限公司 | 基于soi基片的薄膜体声波谐振器及其制备方法 |
| KR102369436B1 (ko) * | 2017-04-19 | 2022-03-03 | 삼성전기주식회사 | 체적 음향 공진기 |
| CN107809221B (zh) * | 2017-09-27 | 2021-05-11 | 佛山市艾佛光通科技有限公司 | 一种空腔型薄膜体声波谐振器及其制备方法 |
| TWI662594B (zh) * | 2018-08-16 | 2019-06-11 | 友達光電股份有限公司 | 軟性基板及線路結構及其製造方法 |
| US10797681B1 (en) * | 2019-07-25 | 2020-10-06 | Zhuhai Crystal Resonance Technologies Co., Ltd. | Method of fabricating novel packages for electronic components |
-
2019
- 2019-07-19 CN CN201910657440.7A patent/CN112039460B/zh active Active
-
2020
- 2020-07-01 JP JP2021503167A patent/JP7259005B2/ja active Active
- 2020-07-01 WO PCT/CN2020/099741 patent/WO2021012923A1/zh active Application Filing
-
2021
- 2021-03-01 US US17/249,391 patent/US11942917B2/en active Active
-
2024
- 2024-02-12 US US18/438,772 patent/US20240186973A1/en active Pending
Patent Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005333642A (ja) * | 2004-05-17 | 2005-12-02 | Samsung Electronics Co Ltd | エアギャップ型の薄膜バルク音響共振器およびその製造方法 |
| JP2006086787A (ja) * | 2004-09-16 | 2006-03-30 | Murata Mfg Co Ltd | 薄膜圧電フィルタおよびその製造方法 |
| JP2008098831A (ja) * | 2006-10-10 | 2008-04-24 | Toshiba Corp | 薄膜圧電共振器 |
| JP2009290371A (ja) * | 2008-05-27 | 2009-12-10 | Panasonic Electric Works Co Ltd | Ｂａｗ共振装置 |
| JP2013512583A (ja) * | 2009-12-17 | 2013-04-11 | インテル コーポレイション | 多層ガラスコアを含む集積回路デバイス用基板、及びその製造方法 |
| JP2016140053A (ja) * | 2015-01-27 | 2016-08-04 | ツーハイ アドバンスド チップ キャリアーズ アンド エレクトロニック サブストレート ソリューションズ テクノロジーズ カンパニー リミテッド | 膜バルク音響共振器フィルタを作製する方法 |
| JP2018537672A (ja) * | 2015-11-20 | 2018-12-20 | コーボ ユーエス，インコーポレイティド | せん断モード応答を高めるために活性領域の機械的締め付けを少なくした音響共振器 |
| JP2018129561A (ja) * | 2017-02-06 | 2018-08-16 | 新日本無線株式会社 | バルク弾性波共振器の製造方法 |
| US20180278227A1 (en) * | 2017-03-24 | 2018-09-27 | Dror Hurwitz | Method for fabricating rf resonators and filters |
| JP2018190891A (ja) * | 2017-05-10 | 2018-11-29 | 株式会社サイオクス | 圧電膜を有する積層基板の製造方法、圧電膜を有する素子の製造方法および圧電膜を有する積層体 |
| JP2019105447A (ja) * | 2017-12-08 | 2019-06-27 | コニカミノルタ株式会社 | Ｘ線画像検出器 |
| CN109309483A (zh) * | 2018-10-10 | 2019-02-05 | 华南理工大学 | 一种支撑型薄膜体声波谐振器的制备方法 |
| CN109150135A (zh) * | 2018-11-13 | 2019-01-04 | 杭州左蓝微电子技术有限公司 | 基于键合的薄膜体声波谐振器及其加工方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20210184643A1 (en) | 2021-06-17 |
| US20240186973A1 (en) | 2024-06-06 |
| WO2021012923A1 (zh) | 2021-01-28 |
| CN112039460A (zh) | 2020-12-04 |
| CN112039460B (zh) | 2022-05-10 |
| US11942917B2 (en) | 2024-03-26 |
| JP7259005B2 (ja) | 2023-04-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2021536160A (ja) | 薄膜バルク音響波共振器ならびにその製造方法 | |
| CN112039479B (zh) | 一种薄膜体声波谐振器及其制造方法 | |
| CN107093994B (zh) | 薄膜体声波谐振器及其加工方法 | |
| CN112039463B (zh) | 一种薄膜体声波谐振器的制造方法 | |
| CN112039467B (zh) | 一种薄膜体声波谐振器及其制造方法 | |
| JP7081041B2 (ja) | 薄膜バルク音響波共振器とその製造方法、フィルタ、および無線周波数通信システム | |
| CN112039469B (zh) | 一种薄膜体声波谐振器的制造方法 | |
| WO2021179729A1 (zh) | 一种薄膜体声波谐振器及其制造方法 | |
| JP7138988B2 (ja) | バルク音響波共振器及びその製造方法並びにフィルタ、無線周波数通信システム | |
| WO2021232763A1 (zh) | 一种薄膜体声波谐振器及其制造方法 | |
| CN112039470B (zh) | 薄膜体声波谐振器的制造方法 | |
| CN112039462B (zh) | 一种薄膜体声波谐振器及其制造方法 | |
| CN112039477B (zh) | 一种薄膜体声波谐振器及其制造方法 | |
| CN114070223A (zh) | 薄膜体声波谐振器及其制造方法 | |
| WO2021184863A1 (zh) | 一种薄膜体声波谐振器及其制造方法及滤波器、电子设备 | |
| WO2022057766A1 (zh) | 薄膜体声波谐振器的制造方法及滤波器 | |
| WO2022057769A1 (zh) | 一种薄膜体声波谐振器及其制造方法和滤波器 | |
| US11848657B2 (en) | Film bulk acoustic resonator and fabrication method thereof | |
| JP7199758B2 (ja) | バルク音響波共振器及びその製造方法並びにフィルタ、無線周波数通信システム |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210120 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220322 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220523 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221004 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221207 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230404 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230405 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7259005 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |