JP2021534315A - 高解像度パターニングのためのシラノール含有有機‐非有機ハイブリッドコーティング - Google Patents
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Abstract
Description
で表され、
式(I)中、
A、B、C、Dはそれぞれ独立に1〜1000の整数を表し、Zは官能基を表し、Mは金属原子を表し、R1〜R8はそれぞれ独立にヒドロカルビルラジカルを表し、a、b、m、o、y、z、p、q、xはそれぞれ独立に0〜3の整数を表す。
任意に少なくともゼロ、1つ、2つまたは3つのヒドロカルビルラジカルおよび化合物のケイ素原子に結合した少なくとも1つの加水分解性基を有する第2の単量体ケイ素化合物(すなわち「前駆体B」)、
任意に少なくとも1つの官能基および化合物のケイ素原子に結合した少なくとも1つの加水分解性基を有する第3の単量体ケイ素化合物を用いて加水分解してシロキサン材料を形成し、官能基は現像液への溶解を増強し(すなわち「前駆体C」)、
任意にシロキサン材料を適切な溶媒系中で安定な組成物に配合する1つまたは複数の加水分解性金属酸化物前駆体に基づく第4の前駆体(すなわち「前駆体D」)で
加水分解することによって得られる。
R1 a‐Si‐R2 b・・・(II)
ここで、
aは1または2の整数であり、
bは2または3の整数であり、
R1は水素原子を示し、
R2は水酸基、アルコキシ、アシルオキシおよびハロゲンから独立して選択され得る加水分解性基を示す。
R3 m‐SiR2 n‐R4 o・・・(III)
ここで、
R3およびR4は、アルキル基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン化アリール基、ハロゲン化アラルキル基、エポキシ基を有する有機基、メルカプト基、アルコキシアリール基、アシルオキシアリール基、イソシアヌレート基、ヒドロキシ基、環状アミノ基、またはシアノ基、またはこれらの組み合わせから独立に選択することができ、
R 2およびR 3はアルコキシ基、アシルオキシ基、またはハロゲン基であってもよく、
mは0〜1の整数であり、
nは2〜4の整数であり、
oは0〜1の整数であり、
m+n+oの合計値は4を超えてはならない。
Zx‐R5 y‐SiR2 n‐R6 z・・・(IV)
ここで、
Zは水酸基、カルボン酸、メルカプト、アミンまたはその塩、または水性現像液への溶解性を促進する第4級アンモニウム塩のような基であり、
R5はZおよびSiの両方に共有結合したスペーサ基であり、アルキル基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン化アリール基、ハロゲン化アラルキル基、アルケニル基、アルコキシアリール基、アシルオキシアリール基、またはそれらの組合せから誘導される二価基から独立に選択することができ、
R6はアルキル基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン化アリール基、ハロゲン化アラルキル基、エポキシ基を有する有機基、メルカプト基、アルコキシアリール基、アシルオキシアリール基、水酸基基、環状アミノ基、またはシアノ基から独立に選択することができる。
yは0〜2の整数であり、
nは1〜3の整数であり、
zは0〜11の整数であり、
ここでy+n+zの合計値は4を超えてはならない。
R7 p‐MR8 q ・・・(V)
を有する前駆体で加水分解して得られるコポリ(オルガノシロキサン)を含む組成物に関し、
R7は、アルキル基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン化アリール基、ハロゲン化アラルキル基、アルケニル基、アルコキシアリール基、アシルオキシアリール基、またはそれらの組み合わせから独立に選択することができ、
Mは、金属酸化物または金属‐オキソ水酸化物に加水分解および凝縮され得る前駆体を形成することができる任意の金属から独立して選択することができ、
pは0から1の整数であり、
Mは安定な炭素金属結合を形成することができ、
qはM ox‐pから得られる数の整数であり、
M oxは、金属前駆体の酸化状態であり、
pは、金属前駆体に共有結合して炭素ラジカルR7の数であり、
R8は、他の金属原子への結合として機能する、アルコキシ基、アシロキシ基、ハロゲン基、水酸化基または酸素原子であってもよく、またはR8は、金属の二元または配位配位子からなることも必要である。
「アルコキシ基」は、C1‐10アルコキシ基、特にC1‐4アルコキシ基を表し、
「アリール基」は、1〜5個の環を有し、縮合または共役しており、4〜30個の炭素原子を有する芳香環基を意味する。
「アルコキシアリール」は、1〜5個の環および4〜30個の炭素原子を有し、環置換基として1〜6個のアルコキシ基を有するアリール基を表し、アルコキシ基は1〜10個、好ましくは1〜4個の炭素原子を有し、
「アシルオキシアリール」は、1〜5個の環および4〜30個の炭素原子を有し、環置換基として1〜6個のアシルオキシ基を有するアリール基を表し、アシルオキシ基は1〜4個の炭素原子を含む。
レジスト下地膜またはいくつかの下地膜を半導体基板上に塗布し、組成物を焼成して1つ以上のレジスト下地膜を形成することと、
請求項1に記載の組成物をレジストとして1つ以上のレジスト下地膜上に塗布してレジスト膜を形成することと、
レジスト膜を光に露光することと、
露光後、レジスト膜を現像してレジストパターンを形成することと、
レジストパターンを使用して、レジスト下地膜をエッチングすることと、
このようにしてパターニングされたレジスト膜と、このようにパターニングされたレジスト下地膜とを用いて半導体基板を作製することと、
を含む、半導体装置の製造方法が提供される。
半導体基板上に有機下地膜を形成することと、
有機下地膜上にレジスト膜を形成するための組成物を塗布し、組成物を焼成してレジスト膜を形成することと、
レジスト膜を光に露光することと、
露光後、レジスト膜を現像してレジストパターンを形成することと、
レジストパターンを使用して、レジスト下地膜をエッチングすることと、
このようにしてパターニングされたレジスト下地膜を用いて有機下地膜をエッチングすることと、
このようにしてパターニングされた有機下地膜を用いて半導体基板を作製することと、
を含む、半導体装置の製造方法が提供される。
レジスト下地膜またはいくつかの下地膜を半導体基板上に塗布し、組成物を焼成して1つ以上のレジスト下地膜を形成することと、
請求項1に記載の組成物をレジストとして1つ以上のレジスト下地膜上に塗布してレジスト膜を形成することと、
レジスト膜を光に露光することと、
露光後、レジスト膜を現像してレジストパターンを形成することと、
レジストパターンを使用して、レジスト下地膜をエッチングすることと、
このようにしてパターニングされたレジスト膜と、このようにパターニングされたレジスト下地膜とを用いて半導体基板を作製することと、
含む。
半導体基板上に有機下地膜を形成することと、
有機下地膜上にレジスト膜を形成するための組成物を塗布し、組成物を焼成してレジスト膜を形成することと、
レジスト膜を光に露光することと、
露光後、レジスト膜を現像してレジストパターンを形成することと、
レジストパターンを使用して、レジスト下地膜をエッチングすることと、
このようにしてパターニングされたレジスト下地膜を用いた有機下地膜をエッチングすることと、
このようにしてパターニングされた有機下地膜を用いて半導体基板を作製することと、
のステップを含む。
1.樹脂のみを含むケイ素と比較した樹脂の感度の増加、または
2.非金属含有配合物と比較した加速凝縮プロセス
より得ることができる。
前駆体溶液は、有機液体を含み、ケイ素‐酸素ネットワーク中のSi‐HまたはSi‐Rと比較して約0.001M〜約1Mのシラノール、またはケイ素‐炭素結合およびケイ素‐水素を有するケイ素‐酸素‐金属、および約0.5センチポアズ(cP)〜約150 cPの粘度を有する前駆体溶液。有機液体は、少なくとも10℃の引火点および約10kPa未満の20℃の蒸気圧を有することができる。
実施例
1つのフラスコ中で、121.55グラムのトリエトキシシラン(HTEOS)を234.60グラムのメチルテトラヒドロフルフリルエーテル(MeOTHF)に溶解した。58.65グラムのMeOTHF、25.62グラムの脱イオン水(DIW)および11.71グラムの0.01モルの硝酸の混合物を混合し、1.5時間で上記HTEOS溶液に対し、3つの等しい部分に加えた。添加終了後、さらに20時間混合し反応を続けた。蒸発を行い、固形分21〜25%を得た。メチルエチルケトン(MEK)を重合体重量に4回添加した。得られた重合体液を0.2ミクロンフィルタでろ過した。ゲルパーミエーションクロマトグラフィデータは、5001のMw、2239のMn、および2.23の多分散性を示す。
表1.実施例1で作製した重合体のエッチングデータ
1つのフラスコ中で、121.55グラムのHTEOSを234.60グラムのエチルテトラヒドロフルフリルエーテル(EtOTHF)に溶解した。58.65グラムのEtOTHF、25.62グラムのDIWおよび11.71グラムの0.01モルの硝酸の混合物を混合し、1.5時間で上記HTEOS溶液に対し、3つの等しい部分に加えた。添加終了後、反応をさらに20時間混合し続けた。蒸発を行い、固形分21〜25%を得た。MEKをポリマー重量に4回添加した。得られた重合体液を0.2ミクロンフィルタでろ過した。ゲルパーミエーションクロマトグラフィデータは、7396のMw、2903のMn、および2.54の多分散性を示す。
1つのフラスコ中で、90:10のモル比を有するHTEOS5.510グラムおよびテトラメトキシシラン(TMOS)0.567グラムの量を、11.730グラムのMeOTHF中に溶解した。2.932グラムのMeOTHF、1.290グラムのDIWおよび0.590グラムの0.01モルの硝酸の混合物を混合し、1.5時間で上記のHTEOSおよびTMOS溶液に対し、3つの等しい部分に加えた。添加終了後、反応をさらに20時間混合し続けた。蒸発を行い、固形分21〜25%を得た。MEKをポリマー重量に4回添加した。得られた重合体液を0.2ミクロンフィルタでろ過した。ゲルパーミエーションクロマトグラフィデータは、4497のMw、2059のMn、および2.18の多分散性を示す。
1つのフラスコ中で、85:15のモル比を有する5.223グラムのHTEOSおよび0.854グラムのTMOSを11.729グラムのMeOTHFに溶解した。2.930グラムのMeOTHF、1.290グラムのDIWおよび0.590グラムの0.01モルの硝酸の混合物を混合し、1.5時間で上記のHTEOSおよびTMOS溶液に対し、3つの等しい部分に加えた。添加終了後、さらに20時間混合し反応を続けた。蒸発を行い、固形分21〜25%を得た。MEKをポリマー重量に4回添加した。得られた重合体液を0.2ミクロンフィルタでろ過した。ゲルパーミエーションクロマトグラフィデータは、2022のMw、1191のMn、および1.69の多分散性を示す。
1つのフラスコ中で、モル比が50:50のHTEOS3.154グラムおよびTMOS2.293グラムの量を、MeOTHF11.729グラムに溶解した。2.930グラムのMeOTHF、1.330グラムのDIWおよび0.610グラムの0.01モルの硝酸の混合物を混合し、1.5時間で上記のHTEOSおよびTMOS溶液に対し、3つの等しい部分に加えた。添加終了後、反応をさらに20時間混合し反応を続けた。蒸発を行い、固形分21〜25%を得た。MEKをポリマー重量に4回添加した。得られた重合体液を0.2ミクロンフィルタでろ過した。ゲルパーミエーションクロマトグラフィデータは、3359のMw、1669のMn、および2.01の多分散性を示す。
1つのフラスコ中で、60.77グラムのHTEOSを117.25グラムのエタノールに溶解した。29.37グラムのエタノール、6.40グラムのDIWおよび2.93グラムの0.01モルの硝酸の混合物を混合し、1.5時間で上記HTEOS溶液に対し、3つの等しい部分に加えた。添加終了後、さらに20時間混合し反応を続けた。250グラムのPGMEAの添加により溶媒交換を行い、溶媒蒸発を行い、21〜25%の固形分を得た。MEKをポリマー重量に4回添加した。得られた重合体液を0.2ミクロンフィルタでろ過した。ゲルパーミエーションクロマトグラフィデータは、16598のMw、8432のMn、および1.97の多分散性を示す。
1つのフラスコ中で、60.77グラムのHTEOSを117.25グラムのエタノールに溶解した。146.60グラムのエタノール、6.40グラムのDIWおよび2.93グラムの0.01モルの硝酸の混合物を混合し、1.5時間で上記HTEOS溶液に対し、3つの等しい部分に加えた。添加終了後、反応をさらに20時間混合し続けた。300グラムの1‐BuOHの添加により溶媒交換を行い、溶媒蒸発を行い、固形分21〜25%を得た。メチルエチルケトン(MEK)を重合体重量に4回添加した。得られた重合体液を0.2ミクロンフィルタでろ過した。ゲルパーミエーションクロマトグラフィのデータは、Mwが3188、Mnが1967、多分散度が1.62であることを示している。
GPC上の実施例14〜18の重合体の分子量を比較例1および2の材料と比較した。次いで、ポリマー溶液を2%、1500rpmのスピニング速度で30秒間スピンコートすることにより、種々のポリマーからフィルムサンプルを調製した。次いで、80℃〜150℃の範囲で30秒〜2分間ソフトベークを行った。
表2.異なる組成物で製造された材料のGPCデータとコーティング後遅延。
X=80oC/1hおよび150oC/1hでの焼成後にPCDの少なくとも1hに良好、
Y=80oC/1h後にY=良好であるが、150oC/1hでは良好ではない、
Z=80oC/1hおよび150oC/1hの両方でZ=不良。
注:EUVLの場合、PCD時間は少なくとも1時間でなければ、安全に露光できない。
HTEOS:HFIPTEOS=99:1モル比を有するポリマー溶液の調製
1つのフラスコ中で、99:1のモル比を有する5.941グラムのHTEOSおよび0.136グラムの3‐ヒドロキシ‐3,3‐ビス(トリフルオロ‐メチル)プロピルトリエトキシシラン(HFIPTEOS)を11.729グラムのMeOTHFに溶解した。2.930グラムのEtOTHF、1.300グラムのDIWおよび0.590グラムの0.01モルの硝酸の混合物を混合し、1.5時間で上記HTEOSおよびHFIPTEOS溶液に対し、3つの等しい部分に加えた。添加終了後、反応をさらに20時間混合し続けた。蒸発を行い、固形分21〜25%を得た。MEKをポリマー重量に4回添加した。得られた重合体液を0.2ミクロンフィルタでろ過した。ゲルパーミエーションクロマトグラフィデータは、3970のMw、2023のMn、および1.96の多分散性を示す。
HTEOS:HFIPTEOS=97.5:2.5モル比
1つのフラスコ中で、モル比97.5:2.5のHTEOS5.744グラムおよびHFIPTEOS0.334グラムを11.729グラムのMeOTHFに溶解した。2.930グラムのEtOTHF、1.290グラムのDIWおよび0.590グラムの0.01モルの硝酸の混合物を混合し、1.5時間で上記HTEOSおよびHFIPTEOS溶液に対し、3つの等しい部分に加えた。添加終了後、さらに20時間混合し反応を続けた。蒸発を行い、固形分21〜25%を得た。MEKをポリマー重量に4回添加した。得られた重合体液を0.2ミクロンフィルタでろ過した。ゲルパーミエーションクロマトグラフィデータは、3519のMw、1766のMn、および1.99の多分散性を示す。
HTEOS:HFIPTEOS=95:5モル比
1つのフラスコ中で、モル比95:5のHTEOS5.430グラムおよびHFIPTEOS0.648グラムを、MeOTHF11.729グラムに溶解した。2.930グラムのEtOTHF、1.290グラムのDIWおよび0.590グラムの0.01モルの硝酸の混合物を混合し、1.5時間で上記HTEOSおよびHFIPTEOS溶液に対し、3つの等しい部分に加えた。添加終了後、さらに20時間混合し反応を続けた。蒸発を行い、固形分21〜25%を得た。MEKをポリマー重量に4回添加した。得られた重合体液を0.2ミクロンフィルタでろ過した。ゲルパーミエーションクロマトグラフィデータは、3069のMw、1569のMn、および1.95の多分散性を示す。
HTEOS:HFIPTEOS=90:10モル比
1つのフラスコ中で、4.855グラムのHTEOSおよび1.223グラムのモル比90:10のHFIPTEOSを11.729グラムのMeOTHFに溶解した。2.930グラムのEtOTHF、1.290グラムのDIWおよび0.590グラムの0.01モルの硝酸の混合物を混合し、1.5時間で上記HTEOSおよびHFIPTEOS溶液に対し、3つの等しい部分に加えた。添加終了後、さらに20時間混合し反応を続けた。蒸発を行い、固形分21〜25%を得た。MEKをポリマー重量に4回添加した。得られた重合体液を0.2ミクロンフィルタでろ過した。ゲルパーミエーションクロマトグラフィデータは、2661のMw、1524のMn、および1.74の多分散性を示す。
ポリマー1+HFIPTEOS=97.5:2.5モル
実施例1で作製したポリマーをPGMEAで希釈し、2%固形分溶液を得た。HFIPTEOSの量を、重合体1:HFIPTEOS=97.5:2.5モル比のモル比で添加した。2つの溶液を室温で30分間混合した。次いで、最終液を0.2ミクロンのフィルタで濾過した。
実施例1および6〜9の重合体の分子量をGPC上で測定した。種々のポリマーのフィルム試料を、2%の重合体溶液のスピンコートにより、1500rpmのスピニング速度で30秒間調製した。次いで、80℃〜150℃の範囲で30秒〜2分間ソフトベークを行った。
表3.異なる組成物で製造された材料のGPCデータとコーティング後遅延。
X=80oC/1hおよび150oC/1hでの焼成後にPCDの少なくとも1hに良好、
Y=80oC/1h後に良好、ただし150C/1hでは良好ではなく、
Z=80oC/1hおよび150oC/1hの両方で不良。
注:EUVLの場合、PCD時間は少なくとも1時間でなければ、安全に露光できない。
HTEOS:MTEOS=90:10モル比
1つのフラスコ中で、90:10のモル比を有する5.423グラムのHTEOSおよび0.654グラムのメチルトリエトキシシランを11.729グラムのMeOTHFに溶解した。2.930グラムのEtOTHF、1.290グラムのDIWおよび0.590グラムの0.01モルの硝酸の混合物を混合し、1.5時間で上記のHTEOSおよびMTEOS溶液に対し、3つの等しい部分に加えた。添加終了後、さらに20時間混合し反応を続けた。蒸発を行い、固形分21〜25%を得た。MEKをポリマー重量に4回添加した。得られた重合体液を0.2ミクロンフィルタでろ過した。ゲルパーミエーションクロマトグラフィデータは、2525のMw、1277のMn、および1.97の多分散性を示す。
HTEOS:DMDEOS=90:10モル比
1つのフラスコ中で、90:10のモル比を有する5.524グラムのHTEOSおよび0.554グラムのジメチルジエトキシシラン(DMDEOS)を11.729グラムのMeOTHFに溶解した。2.930グラムのEtOTHF、1.290グラムのDIWおよび0.590グラムの0.01モルの硝酸の混合物を混合し、1.5時間で上記のHTEOSおよびDMDEOS溶液に対し、3つの等しい部分に加えた。添加終了後、さらに20時間混合し反応を続けた。蒸発を行い、固形分21〜25%を得た。MEKをポリマー重量に4回添加した。得られた重合体液を0.2ミクロンのフィルタで濾過した。ゲルパーミエーションクロマトグラフィデータは、2207のMw、1148のMn、および1.92の多分散性を示す。
HTEOS:PhTMOS=90:10モル比
1つのフラスコ中で、90:10のモル比を有する5.359グラムのHTEOSおよび0.719グラムのPhTMOSを11.729グラムのMeOTHFに溶解した。2.930グラムのEtOTHF、1.250グラムのDIWおよび0.570グラムの0.01モルの硝酸の混合物を混合し、1.5時間で上記のHTEOSおよびPhTMOS溶液に対し、3つの等しい部分に加えた。添加終了後、さらに20時間混合し反応を続けた。蒸発を行い、固形分21〜25%を得た。メチルエチルケトン(MEK)を重合体重量に4回添加した。得られた重合体液を0.2ミクロンフィルタでろ過した。ゲルパーミエーションクロマトグラフィデータは、1930のMw、746のMn、および2.59の多分散性を示す。
結果の評価実施例11〜13は、HTEOSまたは他の水素含有前駆体と共重合するために使用することができるいくつかの他のモノマーの効果を示す。
ポリマー1+酸化チタン=98:2重量%
酸化チタンナノ粒子を、チタン(IV)イソプロポキシド(TIIP、15.887グラム)をイソプロパノール(200g)に溶解することにより合成した。硝酸水溶液0.01 M(5.033グラム)、酢酸(3.357グラム)、およびIPA (200g)の混合物を別々に調製し、TIIP溶液中に滴下した。反応を室温で6時間行い、次いで、反応混合物にPGME(500グラム)を添加し、回転式蒸発器を介してIPAを溶液から除去した。溶媒蒸発を続けて、2重量%の固溶体を得た。生成物は、0.2ミクロンのフィルタで液をろ過した後、最終的に得られた。次に、実施例1で作製したポリマーをPGMEAで希釈し、2%固形分溶液を得た。酸化チタンナノ粒子の量を、重合体1:TiOx=98:2重量%の質量比で添加した。2つの溶液を室温で30分間混合した。次いで、この液を0.2マイクロメートルフィルタで濾過した。
ポリマー1+酸化チタン=95:5重量%
試料を作製する工程は、酸化チタンの添加量を5重量%とした以外は実施例17と同様である。
ポリマー1+酸化チタン=90:10重量%
試料を作製する工程は、酸化チタンの添加量を10重量%とした以外は実施例15と同様である。
ポリマー1+酸化チタンアルミニウム=97:3重量%
実施例1で作製したポリマーをPGMEAで希釈し、2%固形分溶液を得た。酸化チタンアルミニウムナノ粒子の量を、ポリマー1:酸化チタンアルミニウム=97:3の質量比で添加した。2つの溶液の混合を室温で30分間得た。次いで、液を0.2ミクロンフィルタで濾過した。
ポリマー1+酸化チタンアルミニウム=90:10重量%
酸化チタンアルミニウムナノ粒子合成は、TIIPとアルミニウムイソプロポキシド(AlOiPr)の制御された加水分解/縮合により行った。磁気バーを備えたラウンドボトムフラスコで、TIIP(27.831g)とAlOiPr(5g)の混合物をIPA(320g)溶媒で溶解した。Ti:Alモル比は8:2である。別のフラスコ中で、8.377グラムの水、7.350グラムの酢酸、および200グラムのIPAの混合物を混合した。第2のフラスコ中の溶液をモノマー溶液に滴下した。添加が完了した後、200グラムのPGMEを反応混合物に添加し、撹拌を室温で16時間続けた。次いで、IPAおよび水を蒸発させて、2%固溶体を得た。0.2ミクロンフィルタでろ過した後、最終的に反応生成物が得られた。
試料調製の工程は、酸化チタンアルミニウムの添加量が10重量%になることを除いて、実施例17と同様である。
ポリマー1+酸化物ハフニウムナノ粒子=90:10重量%
酸化ハフニウムナノ粒子合成:ナノ粒子をハフニウム(IV)n‐ブトキシドの制御加水分解/縮合により合成した。20グラムのハフニウム(IV) n‐ブトキシド(95%)をn‐ブタノール溶媒(800グラム)に溶解した。モル比がハフニウム:MAA=1:1.5のメタクリル酸(MAA、5.26グラム)の量を添加し、1時間混合した。加水分解工程は、水(2.91グラム)とn‐BuOH(600グラム)の混合物を反応媒体に滴下することにより室温で実施した。添加が完了した後、反応を20時間継続した。次いで、n‐ブタノールを3%固溶体が得られるまで蒸発させた。反応生成物は、0.2ミクロンのフィルタで溶液を濾過した後に達成した。次に、実施例1で作製したポリマーをPGMEAで希釈し、2%固形分溶液を得た。酸化物ハフニウムナノ粒子の量を、質量比で重合体1:HfOx=90:10の質量比で添加した。2つの溶液を室温で30分間混合した。次いで、溶液を0.2マイクロメートル塑性ミクロンで濾過した。
実施例14〜18の重合体の分子量をGPC上で測定した。フィルム試料は、2%のポリマー溶液を1500rpmのスピニング速度で30秒間スピンコートすることによって調製した。次いで、80℃〜150℃の範囲で30秒〜2分間ソフトベークを行った。
表4.異なる組成物で製造された材料のコーティング後遅延。
X=80oC/1hおよび150oC/1hでの焼成後にPCDの少なくとも1hに良好、
Y=80oC/1h後に良好、ただし150C/1hでは良好ではなく、
Z=80oC/1hおよび150oC/1hの両方で不良。
注:EUVLの場合、PCD時間は少なくとも1時間でなければ、安全に露光できない。
ポリマー1+光酸
実施例1の重合体をPGMEAで希釈し、固形分2%の溶液を得た。光酸である5重量%のヨードニウム、(4‐メチルフェニル)[4‐(2‐メチルプロピル)フェニル]‐、ヘキサフルオロホスフェート(1‐)をポリマー溶液に添加した。重合体溶液中に光酸を分散させるために磁気撹はん機を用いた。
実施例21
ポリマー1+光塩基
実施例1の重合体をPGMEAで希釈し、固形分2%の溶液を得た。光塩基である(Z)‐{[ビス(ジメチルアミノ)メチリデン]アミノ}‐N‐シクロヘキシル(シクロヘキシルアミノ)‐メタンイミニウムテトラキス(3‐フルオロフェニル)ホウ酸塩の5重量%および増感剤としての2‐イソプロピルチオキサントンの2重量%の量をポリマー溶液に添加した。
CAR:化学増幅レジスト
EBL:電子ビームリソグラフィ
EUV:極端紫外光(波長)
EUVL:極端紫外光リソグラフィ
GPC:ゲル浸透クロマトグラフィ
HSQ:水素シルセスキオキサン
LER:ラインエッジ粗さ
LWR:ライン幅粗さ
NIL:ナノインプリントリソグラフィ
PBL:光子ビームリソグラフィ
PCD:コーティング後遅延
SEM:走査型電子顕微鏡
TEOS:テトラエトキシシラン
TMAH:テトラメチルアンモニウムヒドロキシド
参考文献リスト
非特許文献
1. Okoroanyanwu, U. Molecular Theory of Lithography. (SPIE Press, 2015).
2. Gangnaik, A. S., Georgiev, Y. M. & Holmes, J. D. New Generation Electron Beam Resists: A Review. Chem. Mater. 29, 1898‐1917 (2017).
3.Simone, D. De et al. Progresses and Challenges of EUV Lithography Materials. J. Photopolym. Sci. Technol. 27, 601‐610 (2014).
4. Higgins, C. D. et al. Resolution, line‐edge roughness, sensitivity tradeoff, and quantum yield of high photo acid generator resists for extreme ultraviolet lithography. Jpn. J. Appl. Phys. 50, 1‐8 (2011).
5. De Simone, D., Vesters, Y. & Vandenberghe, G. Photoresists in extreme ultraviolet lithography (EUVL). Adv. Opt. Technol. 6, 163‐172 (2017).
6. Takeo Watanabe. Current status and prospect for EUV lithography. 2017 7th Int. Conf. Integr. Circuit, Des. Verif. 3‐8 (2017).
7. Grigorescu, A. E. & Hagen, C. W. Resists for sub‐20‐nm electron beam lithography with a focus on HSQ: State of the art. Nanotechnology 20, 292001 (2009).
8. Yang, J. K. W. et al. Understanding of hydrogen silsesquioxane electron resist for sub‐5‐nm‐half‐pitch lithography. J. Vac. Sci. Technol. B Microelectron. Nanom. Struct. 27, 2622 (2009).
Claims (33)
- ケイ素‐酸素ネットワークで、シラノール(Si‐OH)とケイ素‐水素(Si‐H)、および任意にケイ素‐炭素結合を示す樹脂、または、ケイ素‐酸素‐金属ネットワークで、ケイ素‐水素(Si‐H)および任意にケイ素‐炭素結合を液相で含む、水素シルセスキオキサン樹脂コーティング組成物であって、
Si‐HとSi‐OHのピーク高さの比率は約2:1から100:1である、水素シルセスキオキサン樹脂コーティング組成物。 - 約35重量%以上のケイ素含有量を有する、請求項1に記載の組成物。
- 前記水素シルセスキオキサン樹脂が、Si‐H対Si‐OHのピーク高さ比が3:1〜50:1である、請求項1または2に記載の組成物。
- 溶媒中で、少なくとも部分的に架橋され、任意に金属を含む、オルガノシロキサンポリマーを含有し、前記ポリマーが、ポリスチレン標準に対して測定される、約500〜100,000g/mol、特に約1000〜50,000g/molの分子量を有する、請求項1〜3のいずれかに記載の組成物。
- 酸もしくは潜在酸または塩基もしくは潜在塩基、および任意に潜在触媒を含む、請求項1〜4のいずれかに記載の組成物。
- 前記液相が、水素シルセスキオキサン樹脂のための少なくとも1つの有機溶媒によって、任意に水と混合して、形成される、請求項1〜5のいずれかに記載の組成物。
- ジルコニウム、ハフニウム、アルミニウム、チタンおよびスズ、ならびにそれらの組み合わせの群から選択される金属を含む、請求項1〜6のいずれかに記載の組成物。
- 三官能性シランを適当な他のケイ素または金属含有前駆体と加水分解/縮合反応させて得られるシラノール含有ポリヒドリドシルセスキオキサン樹脂溶液を含み、金属およびシラノール含有ポリヒドリドシルセスキオキサンを生成する、請求項1〜7のいずれかに記載の組成物。
- SiO部分を含有するシロキサンポリマーと、該ポリマーに沿って分布する複数の反応部位と、第1のSiH部分と、第2のSiOH部分と、中間体の芳香族および非芳香族部分と、金属‐酸素結合を含有する第4の部分とを含み、前記ポリマーは、500〜50,000g/molの分子量を有し、
好ましくは、酸および/または塩基触媒並びに溶媒をさらに含む、請求項1〜8のいずれかに記載の組成物。 - 照射によるパターニングに使用するのに適しており、
特に、基材上にキャスト可能なコーティング配合物の製造に適しており、
前記基材上の前記コーティングは、照射によってパターニング可能である、請求項1〜10のいずれかに記載の組成物。 - 三官能性シランを他のケイ素または金属含有前駆体と加水分解/縮合反応させて、金属およびシラノール含有ポリヒドリドシルセスキオキサン樹脂を得ることを含む、有機溶液中に金属およびシラノール含有ポリヒドリドシルセスキオキサン樹脂を含有する組成物を製造する方法。
- ケイ素に少なくとも2または3つの加水分解性基が結合した第1の単量体水素含有ケイ素化合物を、
少なくともゼロ、1、2、または3つのヒドロカルビルラジカルと、化合物のケイ素原子に結合した少なくとも1つの加水分解性基とを有する、第2の単量体ケイ素化合物で、
任意に
少なくとも1つの官能基と、該化合物のケイ素原子に結合してシロキサン材料を形成する少なくとも1つの加水分解性基とを有する第3の単量体ケイ素化合物であって、前記官能基が現像液への溶解を増強する、第3の単量体ケイ素化合物と、
1つ以上の加水分解性金属酸化物前駆体を含有する第4の化合物、
のうちの少なくとも1つとともに加水分解することと、
前記シロキサン材料を適切な溶媒系中で安定な組成物に配合することと、
を含む、請求項12に記載の方法。 - 前記第1および第2のケイ素化合物が、0〜100モル%、前記第3のケイ素化合物が0〜20モル%、前記第4の金属化合物が0〜50モル%で使用され、前記第1および第2のケイ素化合物の総量が、少なくとも50モル%、特に少なくとも60モル%、例えば少なくとも70モル%である、請求項12または13に記載の方法。
- 前記式II:
R1 a‐Si‐R2 b・・・(II)
を有する第1のケイ素化合物を加水分解することを含む、請求項12〜14のいずれかに記載の方法であって、
式中、
aは1または2の整数であり、
bは2または3の整数であり、
R1は水素原子を示し、
R2は水酸基、アルコキシ、アシルオキシおよびハロゲンから独立して選択され得る加水分解性基を示す、方法。 - 前記記号a、b、R1およびR2が前記と同じである、前記式IIを有する第1のケイ素化合物を、
式III:
R3 m‐SiR2 n‐R4 o・・・(III)
を有する第2の化合物とともに、
加水分解することにより、コポリ(オルガノシロキサン)を製造することを含む、
請求項12〜15のいずれかに記載の方法であって、
式中、
R3およびR4は、アルキル基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン化アリール基、ハロゲン化アラルキル基、エポキシ基を有する有機基、メルカプト基、アルコキシアリール基、アシルオキシアリール基、イソシアヌレート基、ヒドロキシ基、環状アミノ基、またはシアノ基から独立して選択され、または
R2およびR3はアルコキシ基、アシルオキシ基、またはハロゲン基を表し、
mは0〜1の整数であり、
nは2〜4の整数であり、
oは0〜1の整数であり、
m+n+oの合計値は4を超えない、方法。 - 前記記号a、b、R1およびR2が前記と同じである、前記式IIを有する第1のケイ素化合物を、
式IV:
Zx‐R5 y‐SiR2 n‐R6 z・・・(IV)
を有する第2の化合物とともに、
加水分解することにより、コポリ(オルガノシロキサン)を含む組成物を製造することを含む、請求項12〜16のいずれかに記載の方法であって、
式中、
Zは、ヒドロキシ、カルボン酸、メルカプト、アミンまたはその塩、または水性現像液への溶解を促進する第4級アンモニウム塩から選択される基であり、
R5は、ZとSiの両方に共有結合したスペーサ基であり、アルキル基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン化アリール基、ハロゲン化アラルキル基、アルコキシアリール基、アシルオキシアリール基、またはそれらの組み合わせに由来する二価基から独立して選択することができ、
R6は、アルキル基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン化アリール基、ハロゲン化アラルキル基、エポキシ基を有する有機基、メルカプト基、アルコキシアリール基、アシルオキシアリール基、ヒドロキシ基、環状アミノ基、またはシアノ基、またはそれらの組み合わせ、から独立して選択され、
R2は、アルコキシ基、アシルオキシ基、またはハロゲン基であり、
yは0〜2の整数であり、
nは1〜3の整数であり、
zは0〜11の整数であり、
y+n+zの合計値は4以下である、方法。 - 前記記号a、b、R1およびR2が前記と同じである、前記式IIを有する第1のケイ素化合物を、
式V:
R7 p‐MR8 q ・・・(V)
を有する第2の化合物とともに、
加水分解することにより、コポリ(オルガノシロキサン)を製造することを含む、請求項12〜17のいずれかに記載の方法であって、
式中、
R7は、アルキル基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン化アリール基、ハロゲン化アラルキル基、アルケニル基、アルコキシアリール基、アシロキシアリール基、またはそれらの組合せから独立に選択され、
Mは、金属酸化物または金属‐オキソ水酸化物に加水分解および凝縮可能な前駆体を形成可能な金属から独立して選択され、
pは0〜1の整数であり、
Mは、安定な炭素金属結合を形成可能であり、
qは、Mox‐pから得られる数の整数であり、
Moxは、金属前駆体の酸化状態であり、
pは、金属前駆体に共有結合してする炭素ラジカルR7の数であり、
R8は、アルコキシ基、アシロキシ基、ハロゲン基、水酸化基または他の金属原子との結合として機能する酸素原子であり、または
R 8は、金属の二元または配位配位子である、方法。 - HTEOS (HSi(OC2 H5)3)またはHTEOSと他の三官能性シランとの混合物を使用することを含み、制御された加水分解/縮合反応を受けて、部分的に縮合したポリヒドリドシルセスキオキサン樹脂を作成することを含む、請求項12から18のいずれかに記載の方法。
- 前記三官能性シランが、典型的には、メチルトリメトキシシラン(MTMOS)、メチルトリエトキシシラン(MTEOS)、トリメトキシエチルシラン(ETMOS)またはジエトキシジメチルシラン(DMDEOS)またはトリメトキシフェニルシラン(PhTMOS)またはそれらの組み合わせから選択される、請求項19に記載の方法。
- 特定の波長の光の放射で金属およびシラノール含有ポリヒドリドシルセスキオキサンコーティング基材をパターニングする方法であって、
選択されたパターンに沿ってコーティング基材を照射して、照射されたコーティング領域および未照射のコーティング領域を有する照射された構造を形成することと、
前記照射された構造を選択的に現像して、照射されていないコーティングのかなりの部分を除去してパターン化された基板を形成することと、
を含む、方法。 - 金属およびシラノール含有ポリヒドリドシルセスキオキサンコーティング基材を、1〜200nmの波長の放射線の光照射する、請求項21に記載の方法。
- 金属およびシラノール含有ポリヒドリドシルセスキオキサンコーティング基材に、13.5nmの波長の放射線の光を照射する、請求項22記載の方法。
- 前記コーティングが、SiO部分を含有するシロキサン重合体、前記重合体に沿って分布する複数の反応部位、および第1のSiH部分、第2のSiOH部分、ならびに中間体の芳香族および非芳香族部分、金属‐酸素結合を含有する第4の部分を含み、前記重合体が500〜50000g/molの分子量を有する、請求項21〜23のいずれかに記載の方法。
- 基板をパターニングすることを含む、請求項21〜25のいずれかに記載の方法であって、
選択されたパターンに沿ってコーティング基材を照射して、照射されたコーティング領域および未照射のコーティング領域で照射された構造を形成し、前記コーティング基材は、約5nm〜約400nmの平均厚さを有するコーティングを含み、材料構造中にSi‐HおよびSi‐OH結合を有するSi‐O‐Siネットワークを含むことと、
前記照射された構造体を約45℃〜約200℃の温度で0.1分間〜約30分間加熱して、アニールされた照射された構造を形成することと、
未照射コーティングのかなりの部分を除去するために、アニールされた照射された構造を選択的に現像して、パターン化された基板を形成することと、
を含む、方法。 - 前記照射された構造が、水性ベースに不溶性である照射されたコーティングおよび水性ベースに水溶性の非照射コーティングを有し、前記照射された構造がネガティブトーンイメージングに供される、請求項21〜26のいずれかに記載の方法。
- 表面と、該表面に沿った選択された領域にあり、該表面に沿った他の領域には存在しないコーティングとを有する基板をパターン化することを含み、前記コーティングは、ケイ素‐炭素結合およびケイ素‐水素および/またはシラノール結合を有するケイ素‐酸素、またはケイ素‐酸素‐金属ネットワークを含み、前記コーティングは有機液体または水性塩基に可溶である、請求項21〜27のいずれかに記載の方法。
- 請求項1〜11のいずれかに記載のレジスト下地膜形成用組成物を半導体基板上に塗布し、焼成することによりレジスト膜を形成する方法。
- レジスト下地膜またはいくつかの下地膜を半導体基板上に塗布し、組成物を焼成して1つ以上のレジスト下地膜を形成することと、
請求項1〜11のいずれかに記載の組成物をレジストとして1つ以上のレジスト下地膜上に塗布してレジスト膜を形成することと、
前記レジスト膜を光に露光することと、
露光後、レジスト膜を現像してレジストパターンを形成することと、
前記レジストパターンを使用して、前記レジスト下地膜をエッチングすることと、
このようにしてパターニングされた前記レジスト膜と、このようにパターニングされた前記レジスト下地膜とを用いて半導体基板を作製することと、
を含む、半導体デバイスの製造方法。 - 半導体装置を製造する方法であって、
半導体基板上に有機下地膜を形成することと、
前記有機下地膜上にレジスト膜を形成するための請求項1〜11のいずれかに記載の組成物を塗布し、焼成してレジスト膜を形成することと、
前記レジスト膜を光に露光することと、
露光後、前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成することと、
前記レジストパターンを使用して、レジスト下地膜をエッチングすることと、
このようにしてパターニングされた前記レジスト下地膜を用いて前記有機下地膜をエッチングすることと、
このようにしてパターニングされた前記有機下地膜を用いて半導体基板を作製することと、
を含む、方法。 - 半導体装置を製造する方法であって、
レジスト下地膜またはいくつかの下地膜を半導体基板上に塗布し、組成物を焼成して1つ以上のレジスト下地膜を形成することと、
請求項1〜11のいずれかに記載の組成物をレジストとして1つ以上のレジスト下地膜上に塗布してレジスト膜を形成することと、
前記レジスト膜を光に露光することと、
露光後、前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成することと、
前記レジストパターンを使用して、前記レジスト下地膜をエッチングすることと、
このようにしてパターニングされた前記レジスト膜と、このようにパターニングされた前記レジスト下地膜とを用いて半導体基板を作製することと、
を含む、方法。 - 半導体装置を製造する方法であって、
半導体基板上に有機下地膜を形成することと、
前記有機下地膜上にレジスト膜を形成するための請求項1〜11のいずれかに記載の組成物を塗布し、焼成してレジスト膜を形成することと、
前記レジスト膜を光に露光することと、
露光後、前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成することと、
前記レジストパターンを使用して、レジスト下地膜をエッチングすることと、
このようにしてパターニングされた前記レジスト下地膜を用いて前記有機下地膜をエッチングすることと、
このようにしてパターニングされた前記有機下地膜を用いて半導体基板を作製することと、
を含む、方法。
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WO2023170438A1 (en) * | 2022-03-10 | 2023-09-14 | Totalenergies One Tech | Photoactivable hybrid organic-inorganic sol-gel resin for 3d printing |
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Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63152131A (ja) * | 1986-12-04 | 1988-06-24 | ダウ コーニング コーポレーション | セラミック被膜形成方法 |
JPH10183063A (ja) * | 1996-10-04 | 1998-07-07 | Dow Corning Corp | 電子デバイス上にコーティングを形成する方法 |
Family Cites Families (15)
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---|---|---|---|---|
US4999397A (en) * | 1989-07-28 | 1991-03-12 | Dow Corning Corporation | Metastable silane hydrolyzates and process for their preparation |
US5010159A (en) * | 1989-09-01 | 1991-04-23 | Dow Corning Corporation | Process for the synthesis of soluble, condensed hydridosilicon resins containing low levels of silanol |
US5238787A (en) * | 1991-04-22 | 1993-08-24 | Dow Corning Corporation | Photodelineable coatings from hydrogen silsesquioxane resin |
JP3499032B2 (ja) * | 1995-02-02 | 2004-02-23 | ダウ コーニング アジア株式会社 | 放射線硬化性組成物、その硬化方法及びパターン形成方法 |
JP3529953B2 (ja) * | 1996-09-03 | 2004-05-24 | 株式会社東芝 | 絶縁膜パターンの形成方法および感光性組成物 |
DE69806824T2 (de) * | 1997-02-07 | 2003-02-27 | Dow Corning | Verfahren zur Herstellung von Überzügen auf Elektronikteilen |
US5707681A (en) * | 1997-02-07 | 1998-01-13 | Dow Corning Corporation | Method of producing coatings on electronic substrates |
US20040058090A1 (en) * | 2001-09-14 | 2004-03-25 | Carlo Waldfried | Low temperature UV pretreating of porous low-k materials |
JP4819676B2 (ja) * | 2003-07-03 | 2011-11-24 | ダウ・コーニング・コーポレイション | 感光性シルセスキオキサン樹脂 |
KR101247545B1 (ko) * | 2004-11-02 | 2013-03-26 | 다우 코닝 코포레이션 | 레지스트 조성물 |
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US8163658B2 (en) * | 2009-08-24 | 2012-04-24 | International Business Machines Corporation | Multiple patterning using improved patternable low-k dielectric materials |
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US20140322519A1 (en) * | 2011-11-08 | 2014-10-30 | Dow Corning Corporation | Organopolysiloxane compositions and surface modification of cured silicone elastomers |
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---|---|---|---|---|
JPS63152131A (ja) * | 1986-12-04 | 1988-06-24 | ダウ コーニング コーポレーション | セラミック被膜形成方法 |
JPH10183063A (ja) * | 1996-10-04 | 1998-07-07 | Dow Corning Corp | 電子デバイス上にコーティングを形成する方法 |
Non-Patent Citations (1)
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LIU W-C: "NANOPOROUS SILICA FILMS DERIVED FROM STRUCTURAL CONTROLLABLE POLY(SILSESQUIOXANE) OLIGOMERS BY TEMP", MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, vol. 766, JPN7023001457, 1 January 2003 (2003-01-01), US, pages 309 - 314, XP009038026, ISSN: 0005039326, DOI: 10.1002/masy.200390140 * |
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