JP2021532406A - 有機・無機ハイブリッドフォトレジスト工程液組成物 - Google Patents
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Abstract
Description
有機・無機ハイブリッドフォトレジスト組成物は、EUV、ArFおよびKrFレーザー照射によって行われるパターニング工程で使用される素材であり、これらの無機物は、コバルト(Co)、アンチモン(Sb)、ハフニウム(Hf)、パラジウム(Pd)、錫(Sn)およびこれらの混合物で構成されており、有機リガンドと陽イオン無機リガンドで構成されている場合もある。
有機・無機ハイブリッドフォトレジスト工程液組成物は、下記の化学式1を含む組成物である。
前記化学式1中、R1、R2およびR3は、互いに独立して炭素数1〜6のアルキル基、ベンジル基、またはアルキルアルコール基である。
有機・無機ハイブリッドフォトレジスト工程液組成物は、
i)化学式1の化合物と;
ii)ケトン類、エステル類、エーテル類、添加剤またはこれらの混合物と;で構成して使用することができる。
ケトン類は、2−ヘプタノン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、またはこれらの混合物を含む。
エーテル類は、プロピレングリコールモノメチルエーテルを含む。
エッジリンスが不完全であって有機または無機パーティクルが残留すると、後続工程でウエハーの内部に遷移して工程不良を引き起こすおそれがあり、バックリンスが不完全になると、フォト装備においてウエハーを移動させるチャックが汚染して装備の誤作動などの装備問題を引き起こすおそれがある。このため、これらを除去する工程および処理溶液が必要である。
前記化学式1中、R1、R2およびR3は、互いに独立して炭素数1〜6のアルキル基、ベンジル基、またはアルキルアルコール基である。
化学式1の化合物は、好ましくはアセチルアセトンである。
このような構造的特徴により、多くのメタルとコンプレックス構造を持つ。メタルアセチルアセトネートコンプレックスと呼ばれる当該構造は、非常に容易に形成され、メタルリガンドなどの合成に利用されてきた。
エステル類は、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、メトキシメチルプロピオネート、エトキシエチルプロピオネート、γ−ブチロラクトン、エチルラクテート、ヒドロキシイソ酪酸メチルエステルまたはこれらの混合物を含む。
添加剤は、キレート剤または界面活性剤を適用することができる。
有機・無機ハイブリッドフォトレジスト処理溶液としての使用に適した、キレート剤は、無機物に対するキレーティング性能を補完する添加剤として適用することができ、イオン性液体、ジヒドロキシ安息香酸、シュウ酸、クエン酸、リンゴ酸、酒石酸またはこれらの混合物を含み、界面活性剤は、ポリプロピレングリコールまたはポリアスパラギン酸を含む。
以下、本発明を実施例、比較例および実験例を用いてより詳細に説明する。しかし、下記の実施例、比較例および実験例は、本発明を例示するためのものであって、本発明の範囲が下記の実施例、比較例および実験例によって制限されるものと解釈されず、多様に修正および変更することができるのは、当業分野における通常の知識を有する者にとって自明であろう。
マグネチックバーが設置されているそれぞれの実験用ビーカーに[表1]に記載の組成比率で実施例および比較例の組成成分を投入し、ビーカーの上部を密閉させた後、常温で30分間400rpmの速度で攪拌して工程液組成物を製造した。
1.有機・無機ハイブリッド化合物の製造
ジブチル錫マレエート(dibutyl tin maleate)、ジブチル錫ジラウレート(dibutyl tin dilaurate)、ジブチル錫ジアセテート(dibutyl tin diacetate)の3種の有機・無機ハイブリッド化合物をプロピレングリコールモノメチルエーテルにそれぞれ3重量%で混合した後、ビーカーの上部を密閉させ、しかる後に、常温で30分間300rpmの速度で攪拌して組成物を製造した。
前記実施例および比較例で製造された有機・無機ハイブリッド化合物の処理溶剤のエッジ切断性能を評価するために、8インチのシリコンウエハー上に、上述のように製造されたDTD溶液をスピンコーティングしながら、評価を行った。そして、光学顕微鏡を用いてビーズの除去性能を評価し、その結果を下記表2に示した。
◎:EBR面の真直度が均一で一定であり、非常に良好な状態
○:EBR面の真直度が75%以上で、良好な状態
△:EBR面の真直度が50%以上で、普通である状態
X:EBR面の真直度が50%未満で、不良な状態
前記実施例および比較例で製造された有機・無機ハイブリッド化合物の処理溶剤の有機・無機ハイブリッド化合物に対する除去性能を評価するために、8インチのシリコンウエハー上に、上述のように製造されたDTM、DTDおよびDTA溶液をスピンコーティングして膜質を形成した。その後、分あたり1リットルの量で処理溶剤をウエハーセンターから吐出して有機・無機ハイブリッド化合物を除去した後、100:1のDHF溶液に浸漬した。そして、DHF溶液の元素分析を介して残留錫の含有量を把握して、ウエハーの単位面積当たりの錫の数に換算した。その結果を表2に示した。
Claims (13)
- 有機・無機ハイブリッドフォトレジストの無機物は、コバルト(Co)、アンチモン(Sb)、ハフニウム(Hf)、パラジウム(Pd)、錫(Sn)、またはこれらの混合物よりなる群から選択されるいずれかであることを特徴とする、請求項1に記載の有機・無機ハイブリッドフォトレジスト工程液組成物。
- i)化学式1の化合物;および
ii)ケトン類、エステル類、エーテル類、添加剤またはこれらの混合物;で構成されることを特徴とする、請求項1に記載の有機・無機ハイブリッドフォトレジスト工程液組成物。 - i)化学式1の化合物70〜99重量%;および
ii)ケトン類、エステル類、エーテル類、添加剤またはこれらの混合物1〜30重量%;で構成されることを特徴とする、請求項3に記載の有機・無機ハイブリッドフォトレジスト工程液組成物。 - i)化学式1の化合物70〜95重量%;および
ii)ケトン類、エステル類、エーテル類、添加剤またはこれらの混合物5〜30重量%;で構成されることを特徴とする、請求項4に記載の有機・無機ハイブリッドフォトレジスト工程液組成物。 - 化学式1の化合物はアセチルアセトンであることを特徴とする、請求項3に記載の有機・無機ハイブリッドフォトレジスト工程液組成物。
- ケトン類は2−ヘプタノン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、またはこれらの混合物であることを特徴とする、請求項3に記載の有機・無機ハイブリッドフォトレジスト工程液組成物。
- エステル類はプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、メトキシメチルプロピオネート、エトキシエチルプロピオネート、γ−ブチロラクトン、エチルラクテート、ヒドロキシイソ酪酸メチルエステル、またはこれらの混合物であることを特徴とする、請求項3に記載の有機・無機ハイブリッドフォトレジスト工程液組成物。
- エーテル類はプロピレングリコールモノメチルエーテルであることを特徴とする、請求項3に記載の有機・無機ハイブリッドフォトレジスト工程液組成物。
- 添加剤はキレート剤または界面活性剤であることを特徴とする、請求項3に記載の有機・無機ハイブリッドフォトレジスト工程液組成物。
- キレート剤はイオン性液体、ジヒドロキシ安息香酸、シュウ酸、クエン酸、リンゴ酸、酒石酸、またはこれらの混合物であることを特徴とする、請求項10に記載の有機・無機ハイブリッドフォトレジスト工程液組成物。
- 界面活性剤はポリプロピレングリコール、ポリアスパラギン酸、またはこれらの混合物であることを特徴とする、請求項10に記載の有機・無機ハイブリッドフォトレジスト工程液組成物。
- 電子ビーム、EUV、ArFおよびKrFレーザの照射によって行われる有機・無機ハイブリッドフォトレジストパターニング工程に使用されることを特徴とする、請求項1〜12のいずれか一項に記載の有機・無機ハイブリッドフォトレジスト工程液組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2023077199A JP2023100888A (ja) | 2018-08-06 | 2023-05-09 | 有機・無機ハイブリッドフォトレジスト工程液組成物 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180091227A KR101910157B1 (ko) | 2018-08-06 | 2018-08-06 | 유무기 하이브리드 포토레지스트 공정액 조성물 |
KR10-2018-0091227 | 2018-08-06 | ||
PCT/KR2019/008300 WO2020032398A1 (ko) | 2018-08-06 | 2019-07-05 | 유무기 하이브리드 포토레지스트 공정액 조성물 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023077199A Division JP2023100888A (ja) | 2018-08-06 | 2023-05-09 | 有機・無機ハイブリッドフォトレジスト工程液組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021532406A true JP2021532406A (ja) | 2021-11-25 |
Family
ID=64102211
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021503601A Pending JP2021532406A (ja) | 2018-08-06 | 2019-07-05 | 有機・無機ハイブリッドフォトレジスト工程液組成物 |
JP2023077199A Pending JP2023100888A (ja) | 2018-08-06 | 2023-05-09 | 有機・無機ハイブリッドフォトレジスト工程液組成物 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023077199A Pending JP2023100888A (ja) | 2018-08-06 | 2023-05-09 | 有機・無機ハイブリッドフォトレジスト工程液組成物 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210333709A1 (ja) |
EP (1) | EP3835870A4 (ja) |
JP (2) | JP2021532406A (ja) |
KR (1) | KR101910157B1 (ja) |
CN (1) | CN112543890A (ja) |
TW (1) | TWI709553B (ja) |
WO (1) | WO2020032398A1 (ja) |
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-
2018
- 2018-08-06 KR KR1020180091227A patent/KR101910157B1/ko active IP Right Grant
-
2019
- 2019-07-05 EP EP19847706.9A patent/EP3835870A4/en active Pending
- 2019-07-05 US US17/264,584 patent/US20210333709A1/en active Pending
- 2019-07-05 WO PCT/KR2019/008300 patent/WO2020032398A1/ko unknown
- 2019-07-05 CN CN201980052922.8A patent/CN112543890A/zh active Pending
- 2019-07-05 JP JP2021503601A patent/JP2021532406A/ja active Pending
- 2019-07-08 TW TW108123983A patent/TWI709553B/zh active
-
2023
- 2023-05-09 JP JP2023077199A patent/JP2023100888A/ja active Pending
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EP3835870A1 (en) | 2021-06-16 |
JP2023100888A (ja) | 2023-07-19 |
KR101910157B1 (ko) | 2018-10-19 |
WO2020032398A1 (ko) | 2020-02-13 |
CN112543890A (zh) | 2021-03-23 |
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