CN117659055A - 一种Zn基有机配位纳米颗粒及其制备方法、包含其的光刻胶组合物及其应用 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种Zn基有机配位纳米颗粒及其制备方法、包含其的光刻胶组合物及其应用。该Zn基有机配位纳米颗粒采用含锌化合物优选醋酸锌、苯甲酸以及含氮有机配体在有机溶剂中混合搅拌后进行后处理得到，另外获得化学通式为[ZnmXn(CH3COO)tYpHq]r的纳米颗粒，其中，X为苯甲酸根，CH3COO表示乙酸根，Y为含氮有机配体，r为聚合度，m、n、p、q、n、r各自独立的选自1～20的任意整数，t选自0～20的任意整数。本发明Zn基有机配位纳米颗粒作为光刻胶成分，可以实现高分辨、高灵敏度、低线条粗糙度等更优异的光刻性能。

Description

一种Zn基有机配位纳米颗粒及其制备方法、包含其的光刻胶 组合物及其应用
技术领域
本发明涉及光刻胶技术领域，特别是涉及一种Zn基有机配位纳米颗粒及其制备方法、包含其的光刻胶组合物及其应用。
背景技术
光刻是芯片制造的核心技术，占芯片制造总成本的三分之一以上，光刻过程如下：基片上涂敷的光刻胶受透过掩模版光的激发，在光照区与非光照区溶解度发生变化、阴刻或阳刻了掩模版的图形，基片上的图形经后续工艺加工制成集成电路。在光刻波长确定的情况下，光刻胶决定了光刻的质量。。随着光刻技术的不断发展，光源线宽不断降低，13.5nm的极紫外光源曝光技术逐渐成为7nm以下光刻节点的主要选择。
光刻胶(Photoresist)是指通过紫外光、电子束、粒子束、极紫外(Extreme Ultra-violet,EUV)或者软X射线等的照射，使得溶解度发生变化的耐蚀薄膜材料。广泛用于高端微纳结构制造过程中的图形转移，包括半导体集成电路、液晶面板加工以及高端光学器件制造等领域。随着半导体技术的不断进步以及摩尔定律的发展，半导体制程随之不断减小，对加工的特征尺寸减小提出了更高的要求。为了满足更先进的半导体制程，实现更小的特征尺寸，光刻技术也在不断发展，从I-线、G线、深紫外(Deep Ultra-violet,DUV)、193nm、浸没式193nm发展到极紫外光刻、电子束光刻等精细加工手段。
传统光刻胶组分复杂，包含光刻胶树脂本体、感光剂、流平剂、稳定剂、分散剂、增稠剂和溶剂等，生产制造流程繁琐，对配比和纯度的控制工艺要求极高。由于传统光刻胶多为大分子聚合物和含有众多功能化的添加剂，其成分复杂导致光刻胶尺寸分布较宽，存在各种尺寸的成分，某些尺寸构象可以达到10nm～20nm，使得光刻胶图形的尺寸难以控制，同时可能产生众多缺陷。另外，对于传统光刻胶而言，其使用范围受光源的波长影响很大，对于不同的光源需要有不同的光刻胶进行匹配。
极紫外(extreme ultraviolet；EUV)光刻作为用于制造下一代半导体装置的一种基本技术而受到关注。EUV光刻是使用具有约13.5纳米的波长的EUV射线作为曝光光源的图案形成技术。根据EUV光刻，已知可在半导体装置的制造期间在曝光工艺中形成极精细图案(例如，小于或等于约20纳米)。
但是在现有技术中通过光刻获得的图形边缘粗糙度大并且图形分辨率较低，不利于光刻技术的应用，有必要对此加以改进。
发明内容
基于此，有必要针对传统光刻胶光刻得到的图形边缘粗糙度大并且图形分辨率较低的问题，提出一种Zn基有机配位纳米颗粒及其制备方法、包含其的光刻胶组合物及其应用。
本发明一方面，提供一种Zn基有机配位纳米颗粒，其由如下方法制备得到：含锌化合物、苯甲酸以及含氮有机配体在有机溶剂中混合搅拌后进行后处理得到，其中含锌化合物：苯甲酸以及含氮有机配体的摩尔比为(2-10)：(4-10)：(2-10)。进一步的，其中含氮有机配体选自有机脂肪胺类及其衍生物、吡啶及其衍生物、吡咯及其衍生物、嘧啶及其衍生物、哒嗪及其衍生物、哌啶及其衍生物、酰胺及其衍生物中的任意一种或多种。含锌化合物如含锌的可溶盐，比如醋酸锌、二水合醋酸锌、氯化锌、硫酸锌，优选醋酸锌或二水合醋酸锌。
进一步的，所述有机脂肪胺类选自三异丙基胺、三乙醇胺、二甲基胺、二乙基胺、二丙基胺、二异丙基胺、二异丙基乙胺中的任意一种或多种；吡啶及其衍生物选自甲基吡啶、乙烯基吡啶、甲基吡啶烷、全氢吡啶、α-吡啶的任意一种或多种；吡咯及其衍生物选自四氢吡咯、甲基吡咯、乙烯基吡咯中的任意一种或多种；所述哒嗪及其衍生物选自乙烯基哒嗪、二乙烯基哒嗪中的任意一种或多种；所述哌啶及其衍生物选自哌啶、乙烯基哌啶、3-甲基哌啶的任意一种或多种；所述酰胺及其衍生物选自甲酰胺、硬脂酰胺、琥珀酰胺、草酰胺、丙烯酰胺、烟酰胺的任意一种或多种。
进一步的，含氮有机配体选自选自二乙胺、哌啶、二异丙基乙胺或四氢吡咯。
进一步的，后处理包括：在45℃-80℃下搅拌5h-24h，然后用旋蒸仪40℃-60℃旋蒸20min-80min，再在真空烘箱中45℃-75℃真空抽5h。
进一步的，有机溶剂为乙酸乙酯、乙酸丁酯、丙二醇单乙醚醋酸酯、丙二醇甲醚醋酸酯、1-乙氧基-2丙醇、甲醇、乙醇、丙醇中的任意一种或多种。
上述光刻胶用Zn基有机配位纳米颗粒的制备方法如下：
含锌化合物、苯甲酸以及含氮有机配体在有机溶剂中混合搅拌后进行后处理得到，其中含锌化合物：苯甲酸以及含氮有机配体的摩尔比为(2-10)：(4-10)：(2-10)，所述含氮有机配体选自有机脂肪胺类及其衍生物、吡啶及其衍生物、吡咯及其衍生物、嘧啶及其衍生物、哒嗪及其衍生物、哌啶及其衍生物、酰胺及其衍生物中的任意一种或多种。含锌化合物如含锌的可溶盐，比如醋酸锌、二水合醋酸锌、氯化锌、硫酸锌，优选醋酸锌或二水合醋酸锌。
本发明提供了Zn基有机配位纳米颗粒，其化学通式[ZnmXn(CH3COO)tYpHq]r，其中，X为苯甲酸，CH3COO表示乙酸根，Y为含氮有机配体，r为聚合度，m、n、p、q、n、r各自独立的选自1～20的任意整数，t选自0～20的任意整数。
Y进一步为选自有机脂肪胺类及其衍生物、吡啶及其衍生物、吡咯及其衍生物、嘧啶及其衍生物、哒嗪及其衍生物、哌啶及其衍生物、酰胺及其衍生物中的等任意一种或多种。
所述有机脂肪胺类选自三异丙基胺、三乙醇胺、二甲基胺、二乙基胺、二丙基胺、二异丙基胺、二异丙基乙胺中的任意一种或多种；吡啶及其衍生物选自甲基吡啶、乙烯基吡啶、甲基吡啶烷、全氢吡啶、α-吡啶等的任意一种或多种；吡咯及其衍生物选自四氢吡咯、甲基吡咯、乙烯基吡咯中的任意一种或多种；哒嗪及其衍生物选自乙烯基哒嗪、二乙烯基哒嗪中的任意一种或多种；哌啶及其衍生物选自哌啶、乙烯基哌啶、3-甲基哌啶的任意一种或多种；酰胺及其衍生物选自甲酰胺、硬脂酰胺、琥珀酰胺、草酰胺、丙烯酰胺、烟酰胺的任意一种或多种。
本发明得到的Zn基有机配位纳米颗粒，具有特殊结构，在光照条件下，可以和光致产酸剂(光酸剂)发生相互作用，材料极性变化，发生团聚，导致Zn基有机配位纳米颗粒在光照前后的溶解度发生变化。由于这些特性，将该Zn基有机配位纳米颗粒作为光刻胶成分，可以使光刻胶感光部分和遮光部分在显影剂中的溶解度产生差异，感光部分团聚在显影液中溶解度降低，而遮光部分不团聚在显影液中溶解，从而显影后能够将非曝光区域去除，而获得期望形状的图案。特别的是，由于该Zn基有机配位纳米颗粒的特殊结构，相比于传统的聚合物型光刻胶和分子玻璃光刻胶，将本发明Zn基有机配位纳米颗粒作为光刻胶成分，可以实现高分辨、高灵敏度、低线条粗糙度等更优异的光刻性能。本发明发现在Zn基有机配位纳米颗粒中，引入苯甲酸配体可以有效的降低配合物的结晶性，提高材料在有机试剂中的溶解度，便于储存和应用。
进一步的，Y选自二乙胺、哌啶、二异丙基乙胺、四氢吡咯。
进一步的，m、n、p、q、n、r各自独立的为1-10之间的整数，如1、2、3、4、5、6、7、8、9或10，t为0、1、2、3、4、5、6、7、8、9或10。
进一步的，所述Zn基有机配位纳米颗粒晶体的尺寸为1nm-4nm。
进一步的，Zn基有机配位纳米颗粒可以是如下结构：
Zn2(C6H5COO)5(C4H11N)H，其中C4H11N为二乙胺，C6H5COO为苯甲酸根；
Zn4(C6H5COO)6(CH3COO)6(C4H9N)4H4，其中C4H9N为四氢吡咯；
Zn3(C6H5COO)7(CH3COO)(C5H11N)2H2其中C5H11N为哌啶；
Zn2(C6H5COO)5(C8H19N)H，其中C8H19N为二异丙基乙胺。
本发明还提供了Zn基有机配位纳米颗粒的制备方法，包括以下步骤：含锌化合物、苯甲酸以及含氮有机配体在有机溶剂中混合搅拌后进行后处理得到，其中含锌化合物：苯甲酸以及含氮有机配体的摩尔比为(2-10)：(4-10)：(2-10)。含锌化合物优选为醋酸锌。
本发明还提供了一种光刻胶组合物，包括上述纳米颗粒。
进一步的，上述光刻胶组合物，还包括光酸剂和有机分散溶剂，光酸剂优选为占据组合物的5wt％-10wt％，纳米颗粒优选为占据组合物的3wt％-20wt％。
进一步的，光酸剂选自N-羟基萘酰亚胺三氟甲磺酸、1,4-氨基萘磺酸、2-氨基-5,7-萘二磺酸、叔丁基苯基碘鎓盐全氟辛烷磺酸、三苯基锍全氟丁烷磺酸、三苯基锍全氟丁基和三苯基锍三氟磺酸中的任意一种或多种。
进一步的，有机分散溶剂选自乙酸乙酯、乙酸丁酯、丙二醇单乙醚醋酸酯、丙二醇甲醚醋酸酯、1-乙氧基-2丙醇、甲醇、乙醇、丙醇中的任意一种或多种。溶剂优选为乙酸乙酯。
本发明还提供一种光刻方法，采用上述光刻胶组合物，将光刻胶组合物滴加到基底，旋转，加热，再用电子束、中紫外、深紫外或极紫外曝光，采用显影剂显影。
中紫外、深紫外或极紫外曝光剂量为50mJ/cm2～500mJ/cm2，电子束曝光剂量为50μC/cm2～500μC/cm2。曝光剂量应控制在合适的范围内，曝光剂量过小则能量过低不利于曝光区域光刻胶颗粒的聚合，不利于形成曝光区域和非曝光区域溶解度的差异，显影效果差。相对于裸露的金属纳米粒子，含有有机物配体的纳米粒子的聚合更容易进行，曝光剂量过大则可能会造成有机物配体直接从金属氧化物上脱落形成碎片，光刻胶颗粒不再能够发生有机配体的交换反应，降低曝光区域的聚合度。
进一步的，显影剂选自茚、茚满、喹啉、1-甲基萘、甲苯、邻二甲苯、间二甲苯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙醇、正丙醇、十氢化萘、四氢化萘、异丙醇、正丁醇、正己烷及环己烷中的任意一种或多种的混合物，显影温度为20℃～50℃。
除有机分散溶剂后的预成膜层的厚度可以为10nm～100nm。具体的，预成膜层的厚度可以为10nm～20nm、20nm～30nm、30nm～40nm、40nm～50nm、50nm～60nm、60nm～70nm、70nm～80nm、80nm～90nm、90nm～100nm。
进一步的，上述纳米颗粒的用途，用于光刻胶领域，包括电子束、中紫外、深紫外或极紫外光刻胶。
曝光条件选自中紫外、深紫外、电子束、极紫外中的任意一种。本发明的光刻胶组合物能够用于任意一种曝光条件。
所述基底选自硅板，还可根据实际需求选择其他不溶于显影剂的基底。
关于掩膜，深紫外及更长波长光源为透射掩膜，极紫外为反射掩膜，电子束根据软件所设图形曝光。
本发明得到的Zn基有机配位纳米颗粒，具有特殊结构，在光照条件下，可以和光致产酸剂(光酸剂)发生相互作用，材料极性变化，发生团聚，导致Zn基有机配位纳米颗粒在光照前后的溶解度发生变化。由于这些特性，将该Zn基有机配位纳米颗粒作为光刻胶成分，可以使光刻胶感光部分和遮光部分在显影剂中的溶解度产生差异，感光部分团聚在显影液中溶解度降低，而遮光部分不团聚在显影液中溶解，从而显影后能够将非曝光区域去除，而获得期望形状的图案。特别的是，由于该Zn基有机配位纳米颗粒的特殊结构，相比于传统的聚合物型光刻胶和分子玻璃光刻胶，将本发明Zn基有机配位纳米颗粒作为光刻胶成分，可以实现高分辨、高灵敏度、低线条粗糙度等更优异的光刻性能。并且由于本申请中提及的苯甲酸和含氮配体的共同存在，相对于苯甲酸和三乙胺配体，其稳定性得到一定的提高，便于储存和应用。
附图说明
图1为本发明实施例1的Zn基有机配位纳米颗粒的动态光散射图；
图2A为本发明实施例1的Zn基有机配位纳米颗粒和原料的核磁氢谱；
图2B为本发明实施例1的Zn基有机配位纳米颗粒的单晶图；
图3为本发明实施例2的Zn基有机配位纳米颗粒的动态光散射图；
图4为本发明实施例2的Zn基有机配位纳米颗粒的单晶图；
图5为本发明实施例3的Zn基有机配位纳米颗粒的动态光散射图；
图6A为本发明实施例3的Zn基有机配位纳米颗粒和原料的核磁氢谱；
图6B为本发明实施例3的Zn基有机配位纳米颗粒的单晶图；
图7为本发明实施例4的Zn基有机配位纳米颗粒的动态光散射图；
图8A为本发明实施例4的Zn基有机配位纳米颗粒和原料的核磁氢谱；
图8B为本发明实施例4的Zn基有机配位纳米颗粒的单晶图；
图9A和图9B为本发明实施例1的Zn基有机配位纳米颗粒的在254nm以及电子束(E-beam)下曝光样图；
图10A和图10B为本发明实施例2的Zn基有机配位纳米颗粒的在254nm以及电子束(E-beam)下曝光样图；
图11A和图11B为本发明实施例3的Zn基有机配位纳米颗粒的在254nm以及电子束(E-beam)下曝光样图；
图12A和图12B为本发明实施例4的Zn基有机配位纳米颗粒的在254nm以及电子束(E-beam)下曝光样图；
图13为本发明实施例1刚合成时以及放置两个月后的曝光性能差异；
图14为本发明对比实施例1刚合成时以及放置两个月后的曝光性能差异。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。
实施例1
取0.02mol醋酸锌、0.04mol苯甲酸、0.03mol有机胺二异丙基乙胺和45mL乙酸乙酯溶剂混合，搅拌均匀。在65摄氏度下搅拌8h。然后用旋蒸仪50℃旋蒸30min，再在真空烘箱中65℃真空抽5h。经分析，实施例1获得纳米颗粒中包括Zn2(C6H5COO)5(C8H19N)H，该纳米颗粒的1H NMR(400MHz,DMSO-d6)δ7.97–7.89(m),7.51–7.44(m),7.43–7.35(m),3.34–3.17(m),2.74(q),1.86(d),1.17(td),1.08(d).
针对其采用的原料以及获得纳米颗粒的粒径和核磁氢谱、单晶图都做了表征，具体如图1-2所示。根据核磁检测结果：在合成实施例1的光刻胶纳米颗粒后，各单体分别进行配位，发生峰位移。二异丙基乙胺结构中的峰分别从2.96、2.42、0.94分别移到了3.26、2.74、1.08的位置；醋酸锌中甲基的峰从1.82移到了1.85的位置；苯甲酸中苯环的峰也从7.51、7.63、7.95移到了7.40、7.46、7.93。
实施例2
将实施例1中的有机胺选择为二乙胺，其他与实施例1相同。经分析，获得的纳米颗粒中包括Zn2(C6H5COO)5(C4H11N)H，针对其采用的原料以及获得纳米颗粒的粒径和单晶图都做了表征，具体如图3-4所示。
实施例3
将实施例1中的有机胺选择为哌啶，其他与实施例1相同。经分析，获得的纳米颗粒中包括Zn3(C6H5COO)7(CH3COO)(C5H11N)2H2，针对其采用的原料以及获得纳米颗粒的粒径和核磁氢谱、单晶图都做了表征，具体如图5-6所示。根据核磁检测结果：1H NMR(400MHz,DMSO-d6)δ7.98–7.91(m),7.49–7.43(m),7.42–7.35(m),2.99(d),1.86(s),1.60(dq),1.53(q)。合成实施例3的光刻胶纳米颗粒后，各单体分别进行配位，发生峰位移。哌啶结构中的峰分别从1.35、1.43、2.58分别移到了1.53、1.60、2.99的位置；醋酸锌中甲基的峰从1.82移到了1.86的位置；苯甲酸中苯环的峰也从7.51、7.63、7.95移到了7.40、7.45、7.94。
实施例4
将实施例1中的有机胺选择为四氢吡咯，其他与实施例1相同。经分析，获得的纳米颗粒中包括Zn4(C6H5COO)6(CH3COO)6(C4H9N)4H。针对其采用的原料以及获得纳米颗粒的粒径和核磁氢谱、单晶图都做了表征，具体如图7-8所示。根据核磁检测结果：1H NMR(600MHz,DMSO-d6)δ7.96–7.90(m),7.48–7.41(m),7.41–7.32(m),3.18–2.94(m),1.86(d),1.80–1.70(m)。各单体分别进行配位，发生峰位移。四氢吡咯结构中的峰分别从1.54、2.66分别移到了1.77、3.06的位置；醋酸锌中甲基的峰从1.82移到了1.86的位置；苯甲酸中苯环的峰也从7.51、7.63、7.95移到了7.38、7.44、7.93。
实施例5
采用丙二醇甲醚醋酸酯溶解实施例1中的纳米颗粒，控制纳米颗粒占组合物的质量比为5％，再加入光酸剂三苯基锍全氟丁烷磺酸，光酸剂质量占组合物的10％，搅拌5min，直至全部溶解，得到光刻胶混合溶液。
用滤头将光刻胶混合液过滤两次，然后把硅片放在匀胶机上，将光刻胶滴加到硅片，设置转速为2000r/min，旋转1min。然后在热板上80℃加热1min。就可以进行电子束或中紫外、深紫外、极紫外曝光。曝光后的硅片，用十氢萘显影10s-40s。用氮气吹干即可。
测试得到的图样如图9A和图9B所示。图9A显示实施例5中组合物在中紫外(150mJ/cm2)条件下以及电子束(200μC/cm2，50nm)(图9B)条件下，获得了清晰的曝光图样。
实施例6-8
分别对实施例2-4所获得纳米颗粒参照实施例5获得相应的组合物，进行光刻测试，获得的图样如图10A-12B所示。图10A和图10B分别为实施例6组合物在中紫外(150mJ/cm2)条件下以及电子束(150μC/cm2,50nm)条件下的曝光图样。图11A和图11B分别为在中紫外(150mJ/cm2)条件下以及电子束(200μC/cm2,50nm)条件下实施例7组合物的曝光图样。图12A和图12B分别为在中紫外(150mJ/cm2)条件下以及电子束(150μC/cm2,50nm)条件下实施例8组合物的曝光图样。
对比例1
对于实施例1中制备方法，将有机胺替换为三乙胺，获得纳米颗粒。其他与实施例1相同。进一步，参照实施例5获得相应的光刻胶组合物。
实施例10
对于实施例5以及对比例1在EUV下进行曝光(曝光条件90mJ/cm2，并在2个月之后进行获得如图13-14的曝光图样。
从图样中可以得到实施例1的纳米颗粒在刚合成时：线条无桥连，对比度好，两个月后线条相对清晰，桥连相对较少，对比度相对好，对比例1的纳米颗粒在刚合成时：线条有桥连，对比度略差，两个月后线条粘连严重，断裂较多，对比度相对差。由此可见，本申请中的纳米颗粒在稳定性上比对比例1要更好。
综上，本发明获得了四种有效的纳米颗粒以及相应的组合物，验证了其粒径分布和254nm下以及电子束曝光条件下具备良好的光刻性能，其可以实现高分辨、高灵敏度、低线条粗糙度等更优异的光刻性能，并证明了苯甲酸作为配体可以提高纳米颗粒的在光刻方面的稳定性。

Claims (15)

1.一种Zn基有机配位纳米颗粒，其特征在于，化学通式为[ZnmXn(CH3COO)tYpHq]r，其中，X为苯甲酸根，CH3COO表示乙酸根，Y为含氮有机配体，r为聚合度，m、n、p、q、n、r各自独立的选自1～20的任意整数，t选自0～20的任意整数。
2.根据权利要求1所述的纳米颗粒，其特征在于，所述含氮有机配体选自有机脂肪胺类及其衍生物、吡啶及其衍生物、吡咯及其衍生物、嘧啶及其衍生物、哒嗪及其衍生物、哌啶及其衍生物、酰胺及其衍生物中的任意一种或多种。
3.根据权利要求1所述的纳米颗粒，其特征在于，所述含氮有机配体选自二乙胺、四氢吡咯、哌啶、二异丙基乙胺。
4.根据权利要求1-3任一项所述的纳米颗粒，其特征在于，所述Zn基有机配位纳米颗粒结构式为Zn2(C6H5COO)5(C4H11N)H，其中C4H11N为二乙胺，C6H5COO为苯甲酸根；或者Zn4(C6H5COO))6(CH3COO)6(C4H9N)4H4，其中C4H9N为四氢吡咯；或者Zn3(C6H5COO)7(CH3COO)(C5H11N)2H2，其中C5H11N为哌啶；或者Zn2(C6H5COO)5(C8H19N)H，其中C8H19N为二异丙基乙胺。
5.根据权利要求4所述的纳米颗粒，其特征在于，所述Zn基有机配位纳米颗粒晶体的尺寸为1nm-4nm。
6.根据权利要求1-5任一项所述的纳米颗粒的制备方法，其特征在于，通过含锌化合物、苯甲酸以及含氮有机配体在有机溶剂中混合搅拌后进行后处理得到，其中含锌化合物：苯甲酸以及含氮有机配体的摩尔比为(2-10)：(4-10)：(2-10)，优选所述后处理包括：在45℃-80℃下搅拌5h-24h，然后用旋蒸仪40℃-60℃旋蒸20min-80min，再在真空烘箱中45℃-75℃真空抽5h。
7.如权利要求6所述的纳米颗粒的制备方法，其特征在于，所述含锌化合物为醋酸锌。
8.一种光刻胶组合物，其特征在于，包括权利要求1-5任一项所述的纳米颗粒。
9.根据权利要求8所述的光刻胶组合物，其特征在于，还包括光酸剂和有机分散溶剂，所述光酸剂占据组合物的5wt％-10wt％，所述纳米颗粒占据组合物的3wt％-20wt％。
10.根据权利要求9所述的光刻胶组合物，其特征在于，所述光酸剂选自N-羟基萘酰亚胺三氟甲磺酸、1,4-氨基萘磺酸、2-氨基-5,7-萘二磺酸、叔丁基苯基碘鎓盐全氟辛烷磺酸、三苯基锍全氟丁烷磺酸、三苯基锍全氟丁基和三苯基锍三氟磺酸中的任意一种或多种。
11.根据权利要求9所述的光刻胶组合物，其特征在于，所述有机分散溶剂选自乙酸乙酯、乙酸丁酯、丙二醇单乙醚醋酸酯、丙二醇甲醚醋酸酯、1-乙氧基-2丙醇、甲醇、乙醇、丙醇中的任意一种或多种。
12.一种光刻方法，其特征在于，采用权利要求8-11任一项所述的光刻胶组合物，将所述光刻胶组合物滴加到基底，旋转，加热，再用电子束、中紫外、深紫外或极紫外曝光，采用显影剂显影。
13.根据权利要求12所述的光刻方法，其特征在于，中紫外、深紫外或极紫外曝光剂量为50mJ/cm2～500mJ/cm2，电子束曝光剂量为50μC/cm2～500μC/cm2。
14.根据权利要求12所述的光刻方法，其特征在于，所述显影剂选自茚、茚满、喹啉、1-甲基萘、甲苯、邻二甲苯、间二甲苯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙醇、正丙醇、四氢化萘、十氢化萘、异丙醇、正丁醇、正己烷及环己烷中的任意一种或多种的混合物，显影温度为20℃～50℃。
15.根据权利要求1-5任一项所述的纳米颗粒的用途，其特征在于，用于光刻胶领域，包括电子束、中紫外、深紫外或极紫外光刻胶。
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