JP2021509774A - 専用トレンチ内に浮遊ゲートを有する不揮発性メモリセル - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、2018年1月5日に出願された中国特許出願第201810013633.4号及び2018年12月3日に出願された米国特許出願第16/208,072号に対する利益を主張する。
Claims (27)
- メモリセル対であって、該メモリ対は、
上面を有する半導体基板と、
前記上面に形成され、互いに離間した第1及び第2のトレンチと、
前記第1のトレンチ内に配設され、前記基板から絶縁された導電性材料の第1の浮遊ゲートと、
前記第2のトレンチ内に配設され、前記基板から絶縁された導電性材料の第2の浮遊ゲートと、
前記上面内に延在する第1の部分を有し、前記第1の浮遊ゲートと前記第2の浮遊ゲートとの間に横方向に配設され、前記第1及び第2の浮遊ゲートから絶縁された導電性材料の消去ゲートと、
前記第1の浮遊ゲートに隣接する前記上面の一部分の上方に配設され、前記第1の浮遊ゲートに隣接する前記上面の前記一部分から絶縁された導電性材料の第1のワード線ゲートと、
前記第2の浮遊ゲートに隣接する前記上面の一部分の上方に配設され、前記第2の浮遊ゲートに隣接する前記上面の前記一部分から絶縁された導電性材料の第2のワード線ゲートと、
前記第1の浮遊ゲートと前記第2の浮遊ゲートとの間に横方向に、かつ前記消去ゲートの前記第1の部分の下に垂直に、前記基板内に形成されたソース領域と、
前記第1のワード線ゲートに隣接する前記上面の一部分内に形成された第1のドレイン領域と、
前記第2のワード線ゲートに隣接する前記上面の一部分内に形成された第2のドレイン領域と、を備え、
前記基板の第1のチャネル領域は、少なくとも前記第1のトレンチの下に、前記第1のトレンチの側壁に沿って、かつ前記第1のワード線ゲートの下に配設された前記上面の一部分に沿って延在することを含めて、前記ソース領域から前記第1のドレイン領域まで延在し、
前記基板の第2のチャネル領域は、少なくとも前記第2のトレンチの下に、前記第2のトレンチの側壁に沿って、かつ前記第2のワード線ゲートの下に配設された前記上面の一部分に沿って延在することを含めて、前記ソース領域から前記第2のドレイン領域まで延在している、メモリセル対。 - 前記第1のトレンチは内部に、前記第1の浮遊ゲートと、前記基板から前記第1の浮遊ゲートを絶縁する絶縁材料とのみを含み、前記第2のトレンチは内部に、前記第2の浮遊ゲートと、前記基板から前記第2の浮遊ゲートを絶縁する絶縁材料とのみを含む、請求項1に記載のメモリセル対。
- 前記消去ゲートは、前記第1及び第2の浮遊ゲートの上方に、かつ少なくとも部分的に垂直に延在する第2の部分を更に含む、請求項1に記載のメモリセル対。
- 前記浮遊ゲートのそれぞれは、切欠きが形成された上面を含み、前記消去ゲートの下部は、前記切欠きのそれぞれの中に延在している、請求項3に記載のメモリセル対。
- 前記消去ゲートの前記第2の部分と前記第1のワード線ゲートとの間に横方向に配設され、前記消去ゲートの前記第2の部分及び前記第1のワード線ゲートから絶縁され、かつ前記第1の浮遊ゲートの上方に垂直に配設され、前記第1の浮遊ゲートから絶縁された導電性材料の第1の制御ゲートと、
前記消去ゲートの前記第2の部分と前記第2のワード線ゲートとの間に横方向に配設され、前記消去ゲートの前記第2の部分及び前記第2のワード線ゲートから絶縁され、かつ前記第2の浮遊ゲートの上方に垂直に配設され、前記第2の浮遊ゲートから絶縁された導電性材料の第2の制御ゲートと、を更に備える、請求項3に記載のメモリセル対。 - 前記第1のワード線ゲートと前記第2のワード線ゲートとの間に横方向に配設され、前記第1及び第2のワード線ゲートから絶縁され、かつ前記消去ゲート並びに前記第1及び第2の浮遊ゲートの上方に垂直に配設され、前記消去ゲート並びに前記第1及び第2の浮遊ゲートから絶縁された導電性材料の制御ゲートを更に備える、請求項1に記載のメモリセル対。
- メモリセル対であって、
上面を有する半導体基板と、
前記上面に形成され、互いに離間した第1及び第2のトレンチと、
前記第1のトレンチ内に配設され、前記基板から絶縁された導電性材料の第1の浮遊ゲートと、
前記第2のトレンチ内に配設され、前記基板から絶縁された導電性材料の第2の浮遊ゲートと、
前記第1の浮遊ゲートに隣接する前記上面の一部分の上方に配設され、前記第1の浮遊ゲートに隣接する前記上面の前記一部分から絶縁された導電性材料の第1のワード線ゲートと、
前記第2の浮遊ゲートに隣接する前記上面の一部分の上方に配設され、前記第2の浮遊ゲートに隣接する前記上面の前記一部分から絶縁された導電性材料の第2のワード線ゲートと、
前記第1の浮遊ゲートと前記第2浮遊ゲートとの間に横方向に、前記基板内に形成されたソース領域と、
前記第1のワード線ゲートに隣接する前記上面の一部分内に形成された第1のドレイン領域と、
前記第2のワード線ゲートに隣接する前記上面の一部分内に形成された第2のドレイン領域と、を備え、
前記基板の第1のチャネル領域は、少なくとも前記第1のトレンチの下に、前記第1のトレンチの側壁に沿って、かつ前記第1のワード線ゲートの下に配設された前記上面の一部分に沿って延在することを含めて、前記ソース領域から前記第1のドレイン領域まで延在し、
前記基板の第2のチャネル領域は、少なくとも前記第2のトレンチの下に、前記第2のトレンチの側壁に沿って、かつ前記第2のワード線ゲートの下に配設された前記上面の一部分に沿って延在することを含めて、前記ソース領域から前記第2のドレイン領域まで延在している、メモリセル対。 - 前記第1のトレンチは内部に、前記第1の浮遊ゲートと、前記基板から前記第1の浮遊ゲートを絶縁する絶縁材料とのみを含み、前記第2のトレンチは内部に、前記第2の浮遊ゲートと、前記基板から前記第2の浮遊ゲートを絶縁する絶縁材料とのみを含む、請求項7に記載のメモリセル対。
- 前記第1の浮遊ゲートの上方に配設され、前記第1の浮遊ゲートから絶縁された導電性材料の第1の消去ゲートであって、前記第1のワード線ゲートは、前記第1の消去ゲートに横方向に隣接し、前記第1の消去ゲートから絶縁されている、第1の消去ゲートと、
前記第2の浮遊ゲートの上方に配設され、前記第2の浮遊ゲートから絶縁された導電性材料の第2の消去ゲートであって、前記第2のワード線ゲートは、前記第2の消去ゲートに横方向に隣接し、前記第2の消去ゲートから絶縁されている、第2の消去ゲートと、を更に備える、請求項7に記載のメモリセル対。 - 前記ソース領域の上方に配設され、前記ソース領域と電気的に接触し、かつ前記第1の消去ゲートと前記第2の消去ゲートとの間に横方向に配設され、前記第1及び第2の消去ゲートから絶縁された導電性材料のブロックを更に備える、請求項9に記載のメモリセル対。
- 前記ソース領域の上方に配設され、前記ソース領域から絶縁され、かつ前記第1の消去ゲートと前記第2の消去ゲートとの間に横方向に配設され、前記第1及び第2の消去ゲートから絶縁された導電性材料のブロックを更に備える、請求項9に記載のメモリセル対。
- 前記第1及び第2の浮遊ゲートの上方に配設され、前記第1及び第2の浮遊ゲートから絶縁された導電性材料の消去ゲートを更に備える、請求項7に記載のメモリセル対。
- 導電性材料の前記消去ゲートは、酸化物、窒化物、酸化物層によって前記第1及び第2の浮遊ゲートから絶縁されている、請求項12に記載のメモリセル対。
- 前記第1の浮遊ゲートの上方に配設され、前記第1の浮遊ゲートから絶縁され、かつ前記消去ゲートと前記第1のワード線ゲートとの間に横方向に配設され、前記消去ゲート及び前記第1のワード線ゲートから絶縁された導電性材料の第1の制御ゲートと、
前記第2の浮遊ゲートの上方に配設され、前記第2の浮遊ゲートから絶縁され、かつ前記消去ゲートと前記第2のワード線ゲートとの間に横方向に配設され、前記消去ゲート及び前記第2のワード線ゲートから絶縁された導電性材料の第2の制御ゲートと、を更に備える、請求項12に記載のメモリセル対。 - メモリセル対を形成する方法であって、
離間した第1及び第2のトレンチを半導体基板の上面に形成するステップと、
前記第1のトレンチ内に、前記基板から絶縁された導電性材料の第1の浮遊ゲートを形成するステップと、
前記第2のトレンチ内に、前記基板から絶縁された導電性材料の第2の浮遊ゲートを形成するステップと、
前記上面内に延在する第1の部分を有し、前記第1の浮遊ゲートと前記第2の浮遊ゲートとの間に横方向に配設され、前記第1及び第2の浮遊ゲートから絶縁された導電性材料の消去ゲートを形成するステップと、
前記第1の浮遊ゲートに隣接する前記上面の一部分の上方に、前記第1の浮遊ゲートに隣接する前記上面の前記一部分から絶縁された導電性材料の第1のワード線ゲートを形成するステップと、
前記第2の浮遊ゲートに隣接する前記上面の一部分の上方に、前記第2の浮遊ゲートに隣接する前記上面の前記一部分から絶縁された導電性材料の第2のワード線ゲートを形成するステップと、
前記第1の浮遊ゲートと前記第2の浮遊ゲートとの間に横方向に、かつ前記消去ゲートの前記第1の部分の下に垂直に、前記基板内にソース領域を形成するステップと、
前記第1のワード線ゲートに隣接する前記上面の一部分に第1のドレイン領域を形成するステップと、
前記第2のワード線ゲートに隣接する前記上面の一部分に第2のドレイン領域を形成するステップと、を含み、
前記基板の第1のチャネル領域は、少なくとも前記第1のトレンチの下に、前記第1のトレンチの側壁に沿って、かつ前記第1のワード線ゲートの下に配設された前記上面の一部分に沿って延在することを含めて、前記ソース領域から前記第1のドレイン領域まで延在し、
前記基板の第2のチャネル領域は、少なくとも前記第2のトレンチの下に、前記第2のトレンチの側壁に沿って、かつ前記第2のワード線ゲートの下に配設された前記上面の一部分に沿って延在することを含めて、前記ソース領域から前記第2のドレイン領域まで延在している、方法。 - 前記第1のトレンチは内部に、前記第1の浮遊ゲートと、前記基板から前記第1の浮遊ゲートを絶縁する絶縁材料とのみを含み、前記第2のトレンチは内部に、前記第2の浮遊ゲートと、前記基板から前記第2の浮遊ゲートを絶縁する絶縁材料とのみを含む、請求項15に記載の方法。
- 前記消去ゲートは、前記第1及び第2の浮遊ゲートの上方に、少なくとも部分的に垂直に延在する第2の部分を更に含み、前記浮遊ゲートのそれぞれは、切欠きが形成された上面を含み、前記消去ゲートの下部は、前記切欠きのそれぞれの中に延在している、請求項15に記載の方法。
- 前記消去ゲートの前記第2の部分と前記第1のワード線ゲートとの間に横方向に、前記消去ゲートの前記第2の部分及び前記第1のワード線ゲートから絶縁された、かつ前記第1の浮遊ゲートの上方に垂直に、前記第1の浮遊ゲートから絶縁された導電性材料の第1の制御ゲートを形成するステップと、
前記消去ゲートの前記第2の部分と前記第2のワード線ゲートとの間に横方向に、前記消去ゲートの前記第2の部分及び前記第2のワード線ゲートから絶縁された、かつ前記第2の浮遊ゲートの上方に垂直に、前記第2の浮遊ゲートから絶縁された導電性材料の第2の制御ゲートを形成するステップと、を更に含む、請求項17に記載の方法。 - 前記第1のワード線ゲートと前記第2のワード線ゲートとの間に横方向に、前記第1及び第2のワード線ゲートから絶縁された、かつ前記消去ゲート並びに前記第1及び第2の浮遊ゲートの上方に垂直に、前記消去ゲート並びに前記第1及び第2の浮遊ゲートから絶縁された導電性材料の制御ゲートを形成するステップを更に含む、請求項15に記載の方法。
- メモリセル対を形成する方法であって、
離間した第1及び第2のトレンチを半導体基板の上面に形成するステップと、
前記第1のトレンチ内に、前記基板から絶縁された導電性材料の第1の浮遊ゲートを形成するステップと、
前記第2のトレンチ内に、前記基板から絶縁された導電性材料の第2の浮遊ゲートを形成するステップと、
前記第1の浮遊ゲートに隣接する前記上面の一部分の上方に、前記第1の浮遊ゲートに隣接する前記上面の前記一部分から絶縁された導電性材料の第1のワード線ゲートを形成するステップと、
前記第2の浮遊ゲートに隣接する前記上面の一部分の上方に、前記第2の浮遊ゲートに隣接する前記上面の前記一部分から絶縁された導電性材料の第2のワード線ゲートを形成するステップと、
前記第1の浮遊ゲートと前記第2浮遊ゲートとの間に横方向に、前記基板内にソース領域を形成するステップと、
前記第1のワード線ゲートに隣接する前記上面の一部分に第1のドレイン領域を形成するステップと、
前記第2のワード線ゲートに隣接する前記上面の一部分に第2のドレイン領域を形成するステップと、を含み、
前記基板の第1のチャネル領域は、少なくとも前記第1のトレンチの下に、前記第1のトレンチの側壁に沿って、かつ前記第1のワード線ゲートの下に配設された前記上面の一部分に沿って延在することを含めて、前記ソース領域から前記第1のドレイン領域まで延在し、
前記基板の第2のチャネル領域は、少なくとも前記第2のトレンチの下に、前記第2のトレンチの側壁に沿って、かつ前記第2のワード線ゲートの下に配設された前記上面の一部分に沿って延在することを含めて、前記ソース領域から前記第2のドレイン領域まで延在している、方法。 - 前記第1のトレンチは内部に、前記第1の浮遊ゲートと、前記基板から前記第1の浮遊ゲートを絶縁する絶縁材料とのみを含み、前記第2のトレンチは内部に、前記第2の浮遊ゲートと、前記基板から前記第2の浮遊ゲートを絶縁する絶縁材料とのみを含む、請求項20に記載の方法。
- 前記第1の浮遊ゲートの上方に、前記第1の浮遊ゲートから絶縁された導電性材料の第1の消去ゲートを形成するステップであって、前記第1のワード線ゲートは、前記第1の消去ゲートに横方向に隣接し、前記第1の消去ゲートから絶縁されている、形成するステップと、
前記第2の浮遊ゲートの上方に、前記第2の浮遊ゲートから絶縁された導電性材料の第2の消去ゲートを形成するステップであって、前記第2のワード線ゲートは、前記第2の消去ゲートに横方向に隣接し、前記第2の消去ゲートから絶縁されている、形成するステップと、を更に含む、請求項20に記載の方法。 - 前記ソース領域の上方に、前記ソース領域と電気的に接触する、かつ前記第1の消去ゲートと前記第2の消去ゲートとの間に横方向に、前記第1及び第2の消去ゲートから絶縁された導電性材料のブロックを形成するステップを更に含む、請求項22に記載の方法。
- 前記ソース領域の上方に、前記ソース領域から絶縁された、かつ前記第1の消去ゲートと前記第2の消去ゲートとの間に横方向に、前記第1及び第2の消去ゲートから絶縁された導電性材料のブロックを形成するステップを更に含む、請求項22に記載の方法。
- 前記第1及び第2の浮遊ゲートの上方に、前記第1及び第2の浮遊ゲートから絶縁された導電性材料の消去ゲートを形成するステップを更に含む、請求項20に記載の方法。
- 導電性材料の前記消去ゲートは、酸化物、窒化物、酸化物層によって前記第1及び第2の浮遊ゲートから絶縁されている、請求項25に記載の方法。
- 前記第1の浮遊ゲートの上方に、前記第1の浮遊ゲートから絶縁された、かつ前記消去ゲートと前記第1のワード線ゲートとの間に、前記消去ゲート及び前記第1のワード線ゲートから絶縁された導電性材料の第1の制御ゲートを形成するステップと、
前記第2の浮遊ゲートの上方に、前記第2の浮遊ゲートから絶縁された、かつ前記消去ゲートと前記第2のワード線ゲートとの間に横方向に、前記消去ゲート及び前記第2のワード線ゲートから絶縁された導電性材料の第2の制御ゲートを形成するステップと、を更に含む、請求項25に記載の方法。
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