JP2021506122A5

JP2021506122A5 -

Info

Publication number: JP2021506122A5
Application number: JP2020530620A
Authority: JP
Filing date: 2018-11-21
Publication date: 2021-12-09
Anticipated expiration: 2038-11-21

Description

発明の簡単な説明
この目的を達成するために、本発明は、ドナー基板の残余部分を整える方法を提案し、イオン注入によって弱められた平面での剥離によってドナー基板から層が除去されており、残余部分は主面上に、ドナー基板の除去されていない部分に対応する環状段差を備え、方法は、環状段差によって画定される内部空間を充填しおよび環状段差の少なくとも一部を覆うために、残余部分の主面上に平滑化酸化物を堆積すること、ならびに平滑化酸化物の緻密化のための熱処理を含む。

ドナー基板１および支持基板４は、有利には、その直径が典型的に２００ｍｍ、３００ｍｍまたはさらには４５０ｍｍである、ディスク形状のシリコンウエハであり得る。これらのウエハの少なくとも１つは、表面絶縁層を有し得、その結果、シリコンオンインシュレーターウエハは、方法の最後に得られる。しかしながら、本発明はこれらの材料、この形状またはこれらの寸法のみに限定されない。

次に、図１Ｃに示すように、ドナー基板１への軽い種の注入によって弱められた平面３の形成の最初のステップが実行され、この平面とドナー基板1の注入された表面の間に薄層５が形成される。弱められた平面３は、典型的には、水素および／または希ガスの注入によって生成される。すなわち、軽い種は、５ｅ１５と１ｅ１７ａｔ／ｃｍ²の間の投与量の水素およびヘリウムイオンから選択され得る。

本発明による方法は、材料の損失を低減し、残余部分１’の主面１０の段差１１を完全に除去する必要がないという利点、および完全に平坦な面を提供するという利点を有する。特に、従来技術の解決策において一般的に必要である「両面研磨」のステップを省くことが可能である。それは、残余部分１’を少数のステップで生成することを可能にし、材料の損失を低減し、および、例えば、ＭＥＭＳ用の基板の製造のための受容基板として使用される、満足のいく表面特性を有する。

Claims

ドナー基板（１）の残余部分（１’）を整える方法であって、イオン注入によって弱められた平面（３）での層間剥離により層（５）が前記ドナー基板（１）から除去されていて、前記残余部分（１’）が主面（１０）に、前記ドナー基板の除去されていない部分に対応する環状段差（１１）を備え、前記方法は、
ａ．前記環状段差（１１）によって画定される内部空間を充填し、および、前記環状段差（１１）の少なくとも一部を覆うために、前記残余部分の前記主面（１０）に平滑化酸化物（６）を堆積させるステップと、
ｂ．前記平滑化酸化物（６）の緻密化のための熱処理のステップと、
を含む、方法。
前記平滑化酸化物（６）がＳＯＧ（スピンオングラス）ファミリーに属する、請求項１に記載の整える方法。
前記緻密化熱処理が２２５℃から９００℃の間の温度を有する、請求項１または２に記載の整える方法。
前記緻密化熱処理が窒素（Ｎ２）雰囲気下で実行される、請求項１から３のいずれか一項に記載の整える方法。
平滑化酸化物（６）の前記堆積が、前記環状段差（１１）の高さの少なくとも１．５倍に等しい厚さを有する層の形成をもたらす条件下で実行される、請求項４に記載の整える方法。
前記堆積ステップの前に、イオン注入により損傷した前記表面の周辺ゾーン（１ａ）の前記除去を含む前記残余部分（１’）の前記表面（１０）を整えるステップを含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の整える方法。
基板（７）であって、
ａ．ドナー基板（１）の残余部分（１’）であって、イオン注入によって弱められた平面（３）での層間剥離により層（５）が前記ドナー基板（１）から除去されていて、前記残余部分（１’）は主面（１０）に、前記ドナー基板（１）の除去されていない部分に対応する環状段差（１１）を備えた、前記残余部分（１’）と、
ｂ．前記残余部分（１’）の前記主面上の酸化物層（６）であって、前記酸化物層（６）は、前記環状段差によって画定される内部空間を充填し、および前記残余部分の前記環状段差の少なくとも一部を覆う、前記酸化物層（６）と、
を備えた、前記基板（７）。
前記酸化物層が、前記環状段差の高さの少なくとも１．５倍に等しい厚さを有する、請求項７に記載の基板（７）。
前記残余部分（１’）が表面酸化物層（２）を備えた、請求項７から８のいずれか一項に記載の基板（７）。
前記ドナー基板（１）がシリコンからなる、請求項７から９のいずれか一項に記載の基板（７）。
基板（７）の使用であって、
ａ．請求項７から１０のいずれか一項に記載の基板（７）を提供するステップと、
ｂ．前記基板（７）をドナー基板と組み立てるステップと、
ｃ．前記ドナー基板を薄くして絶縁体上に構造を形成するステップと、
を含む、基板（７）の使用。
前記組み立てが１００℃と５００℃の間の温度での熱処理を含む、請求項１１に記載の基板（７）の使用。