JP2021501478A - 有機−無機複合太陽電池および有機−無機複合太陽電池の製造方法 - Google Patents

有機−無機複合太陽電池および有機−無機複合太陽電池の製造方法 Download PDF

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Abstract

本明細書は、第1電極と、前記第1電極上に備えられた第1共通層と、前記第1共通層上に備えられたペロブスカイト物質を含む光吸収層と、前記光吸収層上に備えられた第2共通層と、前記第2共通層上に備えられた導電性粘着剤層とを含む有機−無機複合太陽電池およびその製造方法に関する。

Description

本出願は、2017年11月1日付で韓国特許庁に提出された韓国特許出願第10−2017−0144643号の出願日の利益を主張し、その内容のすべては本明細書に組み込まれる。
本明細書は、有機−無機複合太陽電池および有機−無機複合太陽電池の製造方法に関する。
化石エネルギーの枯渇とその使用による地球環境的な問題を解決するために、太陽エネルギー、風力、水力といった、再生可能で、クリーンな代替エネルギー源に関する研究が活発に進められている。このうち、太陽光から直接電気的エネルギーを変化させる太陽電池に対する関心が大きく増加している。ここで、太陽電池とは、太陽光から光エネルギーを吸収して電子と正孔を発生する光起電効果を利用して電流−電圧を生成する電池を意味する。
このような太陽電池の商用化のために、製造コストの低減および大面積化を必要としている。これによって、製造コストの低減のためにロールツーロール(roll−to−roll、R2R)工程を適用した太陽電池の製造方法が研究されており、なかでも、常圧溶液型R2R工程の開発に対する必要性が注目されている。
しかし、既存の太陽電池の作製工程において、上部電極の形成は、大部分金属真空蒸着または導電性インクを通した印刷工程により形成されていて、工程費用および材料費用の低減に限界があった。
一方、太陽電池の中でも、有機−無機複合ペロブスカイト物質は、吸光係数が高く、溶液工程により容易に合成可能な特性のため、最近、有機−無機複合太陽電池の光吸収物質として注目されている。しかし、有機−無機複合太陽電池の上部電極も金属真空蒸着または導電性インクを通した印刷工程により形成されるので、前述した工程および費用上の問題点が同じく発生する。
これによって、低価格大量生産が可能な新たな上部電極の形成およびフィルム型太陽電池の生産に関する研究が必要なのが現状である。
本明細書は、有機−無機複合太陽電池および有機−無機複合太陽電池の製造方法を提供する。
本明細書の一実施態様は、第1電極と、
前記第1電極上に備えられた第1共通層と、
前記第1共通層上に備えられたペロブスカイト物質を含む光吸収層と、
前記光吸収層上に備えられた第2共通層と、
前記第2共通層上に接するように備えられた導電性粘着剤層とを含む有機−無機複合太陽電池を提供する。
本明細書の他の実施態様は、第1電極と、第1共通層と、ペロブスカイト物質を含む光吸収層と、第2共通層とを含む第1構造体を形成するステップと、
導電性粘着剤層を用意するステップと、
前記第2共通層および導電性粘着剤層が接するように貼り合わせるステップとを含む有機−無機複合太陽電池の製造方法を提供する。
本明細書の一実施態様に係る有機−無機複合太陽電池は、効率および安定性に優れる。
本明細書の一実施態様に係る有機−無機複合太陽電池の製造方法は、上部電極および封止層の形成が別途に行われず、工程が簡単でありながらも、効率に優れた有機−無機複合太陽電池の製造が可能である。
本明細書の一実施態様に係る有機−無機複合太陽電池は、フレキシブル(flexible)素子の製造が可能である。
本明細書の一実施態様に係る有機−無機複合太陽電池を示す図である。 本明細書の一実施態様に係る有機−無機複合太陽電池を示す図である。 本明細書の一実施態様に係る有機−無機複合太陽電池を示す図である。 一般的な有機−無機複合太陽電池を示す図である。 本明細書の実施態様で製造された有機−無機複合太陽電池の電圧に応じた電流密度を示す図である。 10:第1電極 20:第1共通層 30:光吸収層 40:第2共通層 50:導電性粘着剤層 60:基材 70:金属箔 80:保護フィルム 90:基板 100:第2電極 110:粘着層
以下、本明細書を詳細に説明する。
本明細書において、ある部分がある構成要素を「含む」とする時、これは、特に反対の記載がない限り、他の構成要素を除くのではなく、他の構成要素をさらに包含できることを意味する。
本明細書において、ある部材が他の部材の「上に」位置しているとする時、これは、ある部材が他の部材に接している場合のみならず、2つの部材の間にさらに他の部材が存在する場合も含む。
本明細書の一実施態様は、第1電極と、
前記第1電極上に備えられた第1共通層と、
前記第1共通層上に備えられたペロブスカイト物質を含む光吸収層と、
前記光吸収層上に備えられた第2共通層と、
前記第2共通層上に接するように備えられた導電性粘着剤層とを含む有機−無機複合太陽電池を提供する。
図1には、本明細書の一実施態様に係る有機−無機複合太陽電池の構造を示した。具体的には、図1には、第1電極10、第1共通層20、光吸収層30、第2共通層40、および導電性粘着剤層50が順次に積層された有機−無機複合太陽電池を示した。
本明細書の一実施態様において、前記導電性粘着剤層上に基材をさらに含んでもよい。
本明細書の一実施態様において、前記基材は、バリアフィルムを含む。この時、前記バリアフィルムは、外部環境(例えば、水分および酸素)から保護する役割を果たす。
本明細書の一実施態様において、前記バリアフィルムは、金属箔(foil)であってもよい。前記金属箔(foil)の金属は、銀(Ag)、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、モリブデン(Mo)、ニッケル(Ni)、鉄(Fe)、およびパラジウム(Pd)からなる群より選択される1種以上、またはこれらの合金を含むことができる。具体的には、Invarなどの鉄とニッケルの合金、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、または鉄(Fe)であってもよい。
本明細書の一実施態様において、前記基材は、保護フィルムをさらに含む。この時、前記保護フィルムは、素子の最外部に位置し、スクラッチ、汚染防止などの役割を果たす。
本明細書の一実施態様において、前記保護フィルムは、ポリテトラフルオロエチレン(PTET、polytetrafluoroethylene);ポリビニリデンフルオライド(PVDF、Polyvinylidene fluoride)などのテフロン(登録商標)系高分子、トリアセチルセルロース(TAC、triacetyl cellulose)、ポリエチレンテレフタレート(PET、polyethylene terephthalate)、シクロオレフィンポリマー(COP、cycloolefin polymer)、およびアクリル系フィルムなどを単独または混合して使用することができる。
図2には、導電性粘着剤層上に基材が含まれた有機−無機複合太陽電池の構造を示した。具体的には、図2では、第1電極10、第1共通層20、光吸収層30、第2共通層40、導電性粘着剤層50、および基材60が順次に積層された有機−無機複合太陽電池を示した。より具体的には、図2では、第1電極10、第1共通層20、光吸収層30、第2共通層40、導電性粘着剤層50、金属箔70、および保護フィルム80が順次に積層された有機−無機複合太陽電池を示した。
本明細書の一実施態様において、前記有機−無機複合太陽電池は、第1電極の下部に基板を追加的に含んでもよい。
図3には、基板が備えられた有機−無機複合太陽電池を示した。具体的には、図3には、基板90、第1電極10、第1共通層20、光吸収層30、第2共通層40、導電性粘着剤層50、金属箔70、および保護フィルム80が順次に積層された有機−無機複合太陽電池を示した。
本明細書の一実施態様において、前記導電性粘着剤層は、従来の有機−無機複合太陽電池における上部電極および粘着層の役割を同時に果たす。
図4には、従来の有機−無機複合太陽電池の構造を示した。具体的には、図4には、第2電極(上部電極)および粘着層が別途に備えられた従来の有機−無機複合太陽電池を示した。より具体的には、図4には、基板90、第1電極10、第1共通層20、光吸収層30、第2共通層40、第2電極100、粘着層110、金属箔70、および保護フィルム80が順次に備えられた従来の有機−無機複合太陽電池の構造を示した。
本明細書の一実施態様において、前記ペロブスカイト物質は、下記化学式1または化学式2で表される化合物であってもよい。
[化学式1]
AMX
[化学式2]
B'(1−a)M'X'X''(3−z)
前記化学式1または2において、
BおよびB'は、互いに異なり、
A、BおよびB'は、それぞれC2n+1NH 、NH 、HC(NH 、Cs、NF 、NCl 、PF 、PCl 、CHPH 、CHAsH 、CHSbH 、PH 、AsH 、およびSbH から選択される1価の陽イオンであり、
MおよびM'は、互いに同一または異なり、それぞれ独立して、Cu2+、Ni2+、Co2+、Fe2+、Mn2+、Cr2+、Pd2+、Cd2+、Ge2+、Sn2+、Pb2+、およびYb2+から選択される2価の金属イオンであり、
X、X'およびX''は、それぞれ独立して、ハロゲンイオンであり、
nは、1〜9の整数であり、
aは、0<a<1の実数であり、
zは、0<z<3の実数である。
本明細書の一実施態様において、前記AとBは、互いに同一または異なる。また、AとB'は、互いに同一または異なる。
本明細書の一実施態様において、前記光吸収層のペロブスカイト物質は、単一の陽イオンを含むことができる。本明細書において、単一の陽イオンとは、1種類の1価の陽イオンを用いたものを意味する。すなわち、化学式1において、Aとして1種類の1価の陽イオンのみ選択されたものを意味する。例えば、前記化学式1のAは、C2n+1NH であり、nは、1〜9の整数であってもよい。
本明細書の一実施態様において、前記光吸収層のペロブスカイト構造の化合物は、複合陽イオンを含むことができる。本明細書において、複合陽イオンとは、2種類以上の1価の陽イオンを用いたものを意味する。すなわち、化学式2において、BおよびB'がそれぞれ互いに異なる1価の陽イオンが選択されたものを意味する。例えば、前記化学式2のBは、C2n+1NH 、B'は、HC(NH であってもよい。
本明細書の一実施態様において、前記ペロブスカイト物質は、化学式1で表される。
本明細書の一実施態様において、前記ペロブスカイト物質は、化学式2で表される。
本明細書の一実施態様において、前記A、BおよびB'は、それぞれC2n+1NH またはHC(NH である。この時、BとB'は、互いに異なる。
本明細書の一実施態様において、前記Aは、CHNH またはHC(NH である。
本明細書の一実施態様において、前記AおよびBは、それぞれCHNH である。
本明細書の一実施態様において、前記B'は、HC(NH である。
本明細書の一実施態様において、前記MおよびM'は、Pb2+である。
本明細書の一実施態様において、前記X'およびX''は、互いに異なる。
本明細書の一実施態様において、前記X、X'およびX''は、それぞれFまたはBrである。
本明細書の一実施態様において、前記BおよびB'の合計が1となるために、aは、0<a<1の実数である。また、前記X'およびX''の合計が3となるために、zは、0<z<3の実数である。
本明細書の一実施態様において、前記ペロブスカイト物質は、CHNHPbI、HC(NHPbI、CHNHPbBr、HC(NHPbI、または(CHNH(HC(NH(1−a)IzBr(3−z)であり、nは、1〜9の整数、aは、0<a<1の実数、zは、0<z<3の実数である。
本明細書の一実施態様において、第1共通層および第2共通層は、それぞれ電子輸送層または正孔輸送層を意味する。この時、第1共通層と第2共通層は、互いに同一の層ではない。例えば、前記第1共通層が電子輸送層の場合、前記第2共通層は、正孔輸送層であり、前記第1共通層が正孔輸送層の場合、前記第2共通層は、電子輸送層である。
本明細書の一実施態様において、前記導電性粘着剤層は、導電性物質および粘着物質を含む。
本明細書の一実施態様において、前記導電性粘着剤層内における粘着物質と導電性物質の質量比は、1:99〜99:1であってもよい。具体的には、20:80〜80:20であってもよい。
本明細書の一実施態様において、前記導電性粘着剤層内における導電性物質は、分散した形態で存在してもよい。
本明細書の一実施態様において、前記導電性物質は、炭素ベースの物質または金属粒子を含む。
本明細書の一実施態様において、前記炭素ベースの物質は、カーボンブラック、カーボンナノチューブ(CNT)、グラファイト(Graphite)、グラフェン(Graphene)、活性炭、多孔性炭素(Mesoporous Carbon)、炭素繊維(Carbon fiber)、およびカーボンナノワイヤ(Carbon nano wire)のうちの少なくとも1つである。
本明細書の一実施態様において、前記金属粒子は、一般的に用いられる導電性金属粒子が使用可能であり、具体的には、金(Au)、白金(Pt)、銀(Ag)、銅(Cu)、ニッケル(Ni)、またはこれらの合金のうちの少なくとも1つであってもよい。
本明細書の一実施態様において、前記導電性粘着剤層は、導電性粘着剤組成物を用いて形成され、前記導電性粘着剤組成物は、導電性物質および粘着物質を含む。
本明細書の一実施態様において、前記導電性粘着剤組成物内の導電性物質の含有量は、1wt%〜40wt%である。具体的には、10wt%〜40wt%である。より具体的には、15wt%〜40wt%である。導電性粘着剤組成物内の導電性物質の含有量が1wt%未満の場合、導電性が低下し、導電性物質の含有量が40wt%超過の場合、粘着力が低下する問題点がある。また、導電性物質の含有量が前記範囲を満足することにより、導電性粘着剤層の導電性に優れ、数百オーム以下の面抵抗値を示すことができる。
本明細書の一実施態様において、前記導電性粘着剤組成物は、無溶剤タイプ(solventless)の粘着物質を含むことができる。
本明細書の一実施態様において、前記導電性粘着剤組成物は、溶剤タイプの粘着物質を含むことができる。
本明細書の一実施態様において、前記粘着物質は、粘着剤組成物または粘着剤組成物の硬化物を含む。この時、前記粘着剤組成物は、当業界で用いられる物質であれば制限なく使用可能である。例えば、前記粘着剤組成物は、硬化前は液状で存在し、硬化された後は固状に変換される物質であってもよい。
本明細書の一実施態様において、前記粘着剤組成物は、未硬化の状態で含まれていてもよい。本明細書において、「硬化」は、粘着剤層内に含まれた成分の化学的または物理的作用あるいは反応によって、粘着物質が粘着性能を発現できる状態に変換される過程を意味する。
本明細書の一実施態様において、前記粘着剤組成物は、ブチレンから誘導された高分子を含むことができる。前記ブチレンから誘導された高分子は、極性が低く、透明であり、腐食の影響がほとんどないので、粘着物質としての使用時に優れた水分遮断特性および耐久性を実現できるようにする効果がある。
本明細書において、前記「ブチレンから誘導された高分子」は、前記高分子の重合単位の1つ以上がブチレンからなるものを意味する。
本明細書の一実施態様において、前記ブチレンから誘導された高分子は、ブチレン単量体の単独重合体、ブチレン単量体と重合可能な他の単量体を共重合した共重合体、ブチレン単量体を用いた反応性オリゴマー、またはこれらの混合物であってもよい。
本明細書の一実施態様において、前記ブチレン単量体は、例えば、1−ブテン、2−ブテン、またはイソブチレンであってもよいし、前記ブチレン単量体と重合可能な他の単量体は、例えば、イソプレン、スチレン、またはブタジエンであってもよいが、これのみに限定されるものではない。
本明細書の一実施態様において、前記ブチレンから誘導された高分子は、例えば、ブチルゴムであってもよいが、これのみに限定されるものではない。
本明細書の一実施態様において、前記粘着剤組成物は、多官能性重合性化合物を含むことができる。前記多官能性重合性化合物は、具体的には、活性エネルギー線の照射によって重合可能な多官能性活性エネルギー線重合性化合物であってもよい。
本明細書の一実施態様において、前記多官能性活性エネルギー線重合性化合物は、活性エネルギー線の照射によって重合反応に参加可能な官能基、例えば、アクリロイル基またはメタクリロイル基などのエチレン性不飽和二重結合を含む官能基;エポキシ基;またはオキセタン基などの官能基を2個以上含む化合物であってもよい。具体的には、前記多官能性活性エネルギー線重合性化合物は、例えば、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,3−ブチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、1,8−オクタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,12−ドデカンジオールジ(メタ)アクリレート、およびトリメチルプロパントリアクリレートであってもよいが、これのみに限定されるものではない。
本明細書の一実施態様において、前記粘着剤組成物は、粘着付与剤、水分吸着剤、水分遮断剤、分散剤、光開始剤、熱開始剤、またはラジカル開始剤のうちの1種以上の添加物質をさらに含んでもよい。
本明細書の一実施態様において、前記添加物質の配合比率は特に制限されず、目的の導電性粘着剤層の粘度および硬化後に実現しようとする粘着物性などを考慮して適宜選択可能である。
本明細書の一実施態様において、前記粘着付与剤は、粘着剤組成物と相溶性が良くかつ、水分遮断性に優れた物質であれば制限なく使用可能である。例えば、水添炭化水素樹脂、水素化されたエステル系樹脂、または水素化されたジシクロペンタジエン系樹脂であってもよいが、これのみに限定されるものではない。
本明細書の一実施態様において、前記水分吸着剤は、当業界で用いる物質であれば制限なく使用可能である。例えば、アルミニウムオキサイドオクチレートなどの有機金属酸化物;硫酸マグネシウム、硫酸ナトリウム、または硫酸ニッケルなどの硫酸塩;または五酸化リン(P)、酸化リチウム(LiO)、酸化ナトリウム(NaO)、酸化バリウム(BaO)、酸化カルシウム(CaO)、または酸化マグネシウム(MgO)金属酸化物などであってもよいが、これらのみに限定されるものではない。
本明細書において、前記「水分遮断剤」は、水分と反応性がなかったり、水分と反応性が低かったり、水分が物質内で移動することを遮断または妨げる物質を意味する。前記水分遮断剤としては、例えば、クレー、シリカ、ゼオライト、チタニア、およびジルコニアのうちの1種以上が使用できるが、これのみに限定されるものではない。
本明細書の一実施態様において、前記光開始剤、熱開始剤、またはラジカル開始剤は、当業界で用いる物質であれば制限なく使用可能である。
本明細書の一実施態様において、前記導電性粘着剤組成物内の粘着物質の含有量は、1wt%〜60wt%である。具体的には、5wt%〜50wt%であってもよいし、より具体的には、10wt%〜30wt%であってもよい。前記粘着物質の含有量が60wt%超過の場合、導電性物質との相溶性が低くなり、前記粘着物質の含有量が1wt%以下の場合、粘着特性が低下する問題点がある。
本明細書の一実施態様において、前記導電性粘着剤層は、常温での粘度が10dyne/cm以上、好ましくは、10dyne/cm以上であってもよい。この時の「常温」は、加温または感温されない自然のままの温度を意味し、例えば、約15℃〜35℃、より具体的には、約20℃〜25℃、さらに具体的には、約25℃の温度を意味することができる。前記粘度は、ARES(Advanced Rheometric Expansion System)を用いて測定することができる。
本明細書の一実施態様では、導電性粘着剤層の粘度を前記範囲に調節して、有機−無機複合太陽電池の製造過程で、作業の工程性が円滑で均一な厚さの導電性粘着剤層を形成することが可能である。また、樹脂の硬化などによって発生しうる収縮および揮発ガスなどの問題を大幅に縮小させて、有機−無機複合太陽電池に物理的または化学的損傷が加えられるのを防止することができる。本発明では、導電性粘着剤層が常温で固状または半固状の状態を維持する限り、前記粘度の上限は特に制限されず、例えば、工程性などを考慮して、約10dyne/cm以下の範囲で制御することができる。
本明細書の一実施態様において、前記導電性粘着剤層の粘着力は、フィルムを30℃、1MPa、1秒〜2秒の条件で仮圧着した後の剥離力が、好ましくは、100gf/cm以上であってもよく、より好ましくは、300gf/cm以上であってもよいし、さらに好ましくは、500gf/cm以上であってもよい。
本明細書の一実施態様において、前記剥離力のため、PET離型フィルム上に形成した導電性粘着物質(以下、導電性粘着フィルム)を常温(25℃)で1時間放置させた後、前記導電性粘着フィルムを一定の規格(フィルムの幅1.5mm)に裁断し、パターンのないガラスに、実測温度30℃で1MPa、1秒の仮圧着条件で仮圧着した後、PET離型フィルムを除去した。その後、幅が1.5mmであり、前記ガラス上に仮圧着した導電性粘着フィルムより長さが5cmさらに長く裁断した接着テープ(Nitto社)を、前記PET離型フィルムの除去された導電性粘着フィルム上に位置させ、ゴムローラを2回移動させて前記接着テープと導電性粘着フィルムとが相互接着されるようにした。前記のような方法で導電性粘着フィルムを3つの試験片を用意し、UTMを用いてピール強度を測定した後、その平均値を計算した。
本明細書の一実施態様において、前記導電性粘着剤層の面抵抗値は、0.01Ω/sq〜100Ω/sqである。したがって、有機−無機複合太陽電池の電極への使用に適する。
本明細書の一実施態様において、前記面抵抗は、4−point probe方式により、公知の面抵抗器を用いて測定できる。面抵抗は、4つの探針で電流(I)と電圧(V)を測定して抵抗値(V/I)を測定した後、これに、サンプルの面積(断面積、W)と抵抗を測定するための電極間の距離(L)を用いて面抵抗を求め(V/I×W/L)、面抵抗単位であるΩ/sqで計算するために抵抗補正係数(RCF)を乗じる。
前記抵抗補正係数は、サンプルのサイズ、厚さおよび測定時の温度を用いて算出され、これは、ポアソン方程式によって算出される。全体積層体の面抵抗は、積層体自体から測定および算出され、各層の面抵抗は、全体積層体から測定しようとする対象層を除いた残りの材料からなる層を形成する前に測定されるか、全体積層体から測定しようとする対象層を除いた残りの材料からなる層を除去した後に測定されるか、対象層の材料を分析して対象層と同じ条件の層を形成した後に測定される。例えば、前記導電性粘着剤層の面抵抗値は、導電性粘着剤層のみ別途に作製した後、4−point probeを用いて測定される。
本明細書の一実施態様において、前記導電性粘着剤層を形成するために、導電性粘着剤組成物を溶媒に溶かして使用することができる。この時、溶媒は、当業界で用いる物質であれば制限なく使用可能であり、例えば、シクロペンチルメチルエーテル(cyclopentyl methyl ether)、ジ−タート−ブチルエーテル(di−tert−butyl ether)、ジブチルエーテル(dibutyl ether)、ジエチルエーテル(diethyl ether)、ジイソプロピルエーテル(diisopropyl ether)、1,4−ジオキサン(1,4−dioxane)、エチル−タート−ブチルエーテル(ethyl tert−butyl ether)、ポリエチレングリコール(polyethylene glycol)、テトラヒドロフラン(tetrahydrofuran)などのエーテル(ether)系溶媒であってもよい。
本明細書の一実施態様において、前記第1電極は、透明電極であり、前記太陽電池は、前記第1電極を経由して光を吸収するものであってもよい。
本明細書の一実施態様において、前記第1電極が透明電極の場合、前記第1電極は、ガラスおよび石英板のほか、ポリエチレンテレフタレート(polyethylene terephthalate、PET)、ポリエチレンナフタレート(polyethylene naphthelate、PEN)、ポリプロピレン(polypropylene、PP)、ポリイミド(polyimide、PI)、ポリカーボネート(polycarbornate、PC)、ポリスチレン(polystylene、PS)、ポリオキシエチレン(polyoxyethlene、POM)、AS樹脂(acrylonitrile styrene copolymer)、ABS樹脂(acrylonitrile butadiene styrene copolymer)、トリアセチルセルロース(Triacetyl cellulose、TAC)、およびポリアリーレート(polyarylate、PAR)などを含むプラスチックのような柔軟で透明な物質上に導電性を有する物質がドーピングされたものが使用できる。具体的には、前記第1電極は、酸化スズインジウム(indium tin oxide、ITO)、フッ素含有酸化スズ(fluorine doped tin oxide;FTO)、アルミニウムドーピングされたジンクオキサイド(aluminium doped zink oxide、AZO)、IZO(indium zinc oxide)、ZnO−Ga、ZnOAl、およびATO(antimony tin oxide)などになってもよいし、より具体的には、前記第1電極は、ITOであってもよい。
本明細書の一実施態様において、前記第1電極は、半透明電極であってもよい。前記第1電極が半透明電極の場合、銀(Ag)、金(Au)、マグネシウム(Mg)、またはこれらの合金のような金属で製造できる。
本明細書において、前記基板は、透明性、表面平滑性、取扱容易性、および防水性に優れた基板を用いることができる。具体的には、ガラス基板、薄膜ガラス基板、またはプラスチック基板を用いることができる。前記プラスチック基板は、ポリエチレンテレフタレート(polyethylene terephthalate、PET)、ポリエチレンナフタレート(polyehtylene naphthalate、PEN)、ポリエーテルエーテルケトン(polyether ether ketone)、およびポリイミド(polyimide)などのフレキシブルフィルムが単層または複層の形態で含まれる。ただし、前記基板はこれに限定されず、有機−無機複合太陽電池に通常用いられる基板を用いることができる。
本明細書の一実施態様は、第1電極と、第1共通層と、ペロブスカイト物質を含む光吸収層と、第2共通層とを含む第1構造体を形成するステップと、
導電性粘着剤層を用意するステップと、
前記第2共通層および導電性粘着剤層が接するように貼り合わせるステップとを含む有機−無機複合太陽電池の製造方法を提供する。
本明細書の一実施態様において、前記第1構造体を形成するステップは、
第1電極を用意するステップと、
前記第1電極上に第1共通層を形成するステップと、
前記第1共通層上にペロブスカイト物質を含む光吸収層を形成するステップと、
前記光吸収層上に第2共通層を形成するステップとを含む。
この時、前記第1電極、第1共通層、ペロブスカイト物質、および第2共通層の物質は、前述したものと同じである。
本明細書の一実施態様において、前記導電性粘着剤層は、第2共通層と接する部分の反対面に基材がさらに備えられた状態であってもよい。この時の基材は、前述したものと同じである。
本明細書の一実施態様において、導電性粘着剤層を用意するステップは、離型フィルム上に導電性粘着剤組成物を塗布した後、乾燥または硬化するステップを含む。この時、離型フィルムは、当業界で用いる物質であれば制限なく使用可能であり、PETフィルムであってもよい。
例えば、本明細書の一実施態様において、前記導電性粘着剤層を用意するステップは、PET離型フィルム、導電性粘着剤、および基材が順次に積層された第2構造体を用意するステップであってもよい。
本明細書の一実施態様において、前記第2共通層および導電性粘着剤層が接するように貼り合わせるステップは、前記第1構造体の第2共通層上に導電性粘着剤層の一面を位置させた後に行われる。具体的には、第1構造体中の第2共通層の一面と、PET離型フィルムの除去された導電性粘着剤層の一面とが接するように位置させた後に行われる。すなわち、貼り合わせ後に、第2共通層および導電性粘着剤層が順次に備えられるか、第2共通層、導電性粘着剤層、および基材が順次に備えられるように行われる。
一般的に、有機−無機複合太陽電池を製造するにあたり、上部電極を導電性有機物またはインクで適用する場合、材料の高い抵抗特性によって効率が減少する。また、真空蒸着方法により金属で上部電極を形成する場合、常圧からの真空雰囲気、真空からの常圧雰囲気への切替による工程費用の増加が誘発される。また、このように形成された上部電極上に封止層を別途に粘着しなければならないので、工程が追加される問題点があった。
本明細書において、「封止層」は、粘着層および基材を積層した物質を意味する。具体的には、前記封止層は、粘着層、バリアフィルム、および保護フィルムが順次に積層された物質であってもよい。より具体的には、前記封止層は、粘着層、金属箔、および保護フィルムが順次に積層された物質であってもよい。この時、前記粘着層は、前述した粘着剤組成物で形成される。
本明細書において、「封止フィルム」は、前記封止層をフィルム形態にしたものを意味する。
これに対し、本明細書の一実施態様に係る有機−無機複合太陽電池の製造方法は、上部電極と粘着層とを一元化した導電性粘着剤層を第2共通層上に直に貼り合わせることにより、工程が簡単で、導電性物質の損傷なく効率が向上する効果がある。また、光吸収層および共通層が完成した素子の上部に上部電極を直接処理しないため、使用可能な材料の範囲を拡張することができ、特に、アルコール系溶媒の使用が可能で、光吸収層および共通層の劣化なく導電性粘着フィルムの性能を効果的に向上させることができる。
本明細書の一実施態様において、前記第2共通層および導電性粘着剤層が接するように貼り合わせるステップは、20℃〜100℃でロールを用いて製造される。すなわち、ロールツーロール工程を用いて素子が完成するので、工程が簡便で、常圧の条件で電極を形成することができて、有機電子素子の連続生産工程に使用可能である。
本明細書の一実施態様において、前記光吸収層を形成するステップは、第1共通層の上部に有機ハロゲン化物を含む溶液および金属ハロゲン化物を含む溶液をそれぞれコーティングするステップ、または有機ハロゲン化物および金属ハロゲン化物をすべて含む溶液をコーティングするステップを含む。
本明細書の一実施態様において、前記有機ハロゲン化物は、下記化学式3または4で表される物質であってもよい。
[化学式3]
AX
[化学式4]
B'B''(1−a)X'X''(1−z)
前記化学式3または化学式4において、
BおよびB'は、互いに異なり、A、BおよびB'は、それぞれC2n+1NH 、NH 、HC(NH 、Cs、NF 、NCl 、PF 、PCl 、CHPH 、CHAsH 、CHSbH 、PH 、AsH 、およびSbH から選択される1価の陽イオンであり、
X'およびX''は、互いに異なり、
X、X'およびX''は、それぞれハロゲンイオンであり、
nは、1〜9の整数であり、
yは、0<y<1の実数であり、
zは、0<z<1の実数である。
本明細書の一実施態様において、前記金属ハロゲン化物は、下記化学式5で表される物質であってもよい。
[化学式5]
MX'''
前記化学式5において、
Mは、Cu2+、Ni2+、Co2+、Fe2+、Mn2+、Cr2+、Pd2+、Cd2+、Ge2+、Sn2+、Pb2+、およびYb2+から選択される2価の金属イオンであり、
X'''は、ハロゲンイオンである。
本明細書の一実施態様において、前記A、BおよびB'は、それぞれCHNHまたはHC(NHであってもよい。
本明細書の一実施態様において、前記M、M'およびM''は、それぞれPb2+であってもよい。
本明細書の一実施態様において、前記X、X'、X''およびX'''は、ヨウ素(I)イオンまたは臭素(Br)イオンであってもよい。
本明細書の一実施態様において、前記有機ハロゲン化物は、CHNHI、HC(NHI、CHNHBr、HC(NHBr、または(CHNH(HC(NH(1−a)Br(1−z)であり、yは、0<y<1の実数、zは、0<z<1の実数であってもよい。
本明細書の一実施態様において、前記金属ハロゲン化物は、PbI、PbBr、またはPbIBrであってもよい。
本明細書において、前記有機−無機複合太陽電池は、n−i−p構造であってもよい。従来の有機−無機複合太陽電池のn−i−p構造は、第1電極、電子輸送層、光吸収層、正孔輸送層および第2電極、および封止層が順次に積層された構造で、第2電極の物質による効率の減少、および第2電極が金属電極の場合の、金属真空蒸着による工程費用の増加という問題点があった。
これに対し、本明細書の一実施態様に係る有機−無機複合太陽電池のn−i−p構造は、第1電極、電子輸送層、光吸収層、正孔輸送層、および導電性粘着剤層が順次に積層された構造であり、第2電極および封止層が別途に形成されず、工程が簡単である。
本明細書において、前記有機−無機複合太陽電池は、p−i−n構造であってもよい。従来の有機−無機複合太陽電池のp−i−n構造は、第1電極、正孔輸送層、光吸収層、電子輸送層、第2電極、および封止層が順次に積層された構造で、第2電極の物質による効率の減少、および第2電極が金属電極の場合の、金属真空蒸着による工程費用の増加という問題点があった。
これに対し、本明細書の一実施態様に係る有機−無機複合太陽電池のp−i−n構造は、第1電極、正孔輸送層、光吸収層、電子輸送層、および導電性粘着剤層が順次に積層された構造であり、第2電極および封止層が別途に形成されず、工程が簡単である。
本明細書において、前記有機−無機複合太陽電池は、前記第1電極および導電性粘着剤層の間に備えられた追加の層をさらに含んでもよい。具体的には、本明細書の一実施態様によれば、前記追加の層は、正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、電子輸送層、および電子注入層からなる群より選択される1以上を含むことができる。
本明細書において、前記正孔輸送層および/または電子輸送層物質は、電子と正孔を光吸収層に効率的に伝達させることにより、生成される電荷が電極に移動する確率を高める物質になってもよいが、特に制限はない。
本明細書において、前記電子輸送層は、金属酸化物を含むことができる。金属酸化物は、具体的には、Ti酸化物、Zn酸化物、In酸化物、Sn酸化物、W酸化物、Nb酸化物、Mo酸化物、Mg酸化物、Zr酸化物、Sr酸化物、Yr酸化物、La酸化物、V酸化物、Al酸化物、Y酸化物、Sc酸化物、Sm酸化物、Ga酸化物、In酸化物、Ta酸化物、およびSrTi酸化物、およびこれらの複合物の中から1または2以上選択されたものが使用可能であるが、これのみに限定されるものではない。
本明細書において、前記電子輸送層は、ドーピングを利用して電荷の特性を改善することができ、フラーレン誘導体などを用いて表面を改質することができる。
本明細書において、前記電子輸送層は、スパッタリング、E−Beam、熱蒸着、スピンコーティング、スクリーンプリンティング、インクジェットプリンティング、ドクターブレード、またはグラビアプリンティング法を用いて第1電極の一面に塗布されるか、フィルム形態にコーティングされることにより形成される。
本明細書において、前記正孔輸送層は、アノードバッファ層であってもよい。
前記光吸収層の上部には、正孔輸送層がスピンコーティング、ディップコーティング、インクジェットプリンティング、グラビアプリンティング、スプレーコーティング、ドクターブレード、バーコーティング、グラビアコーティング、ブラシペインティング、熱蒸着などの方法により導入可能である。
前記正孔輸送層は、ターシャリーブチルピリジン(tertiary butyl pyridine、TBP)、リチウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド(Lithium Bis(Trifluoro methanesulfonyl)Imide、LiTFSI)、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン):ポリ(4−スチレンスルホネート)[PEDOT:PSS]などを使用することができるが、これらのみに限定されるものではない。
本明細書において、第1構造体は、基板、第1電極、第1共通層、光吸収層、および第2共通層が順次に積層された構造を意味する。具体的には、本明細書の一実施態様において、前記第1構造体は、基板、第1電極、電子輸送層、光吸収層、および正孔輸送層が順次に形成された構造であってもよい。
本明細書において、第2構造体は、PET離型フィルム、導電性粘着剤、および基材が順次に積層された構造を意味する。
以下、本明細書を具体的に説明するために実施例を挙げて詳細に説明する。しかし、本明細書に係る実施例は種々の異なる形態に変形可能であり、本明細書の範囲が以下に述べる実施例に限定されると解釈されない。本明細書の実施例は、当業界における平均的な知識を有する者に本明細書をより完全に説明するために提供されるものである。
実施例1.第1構造体と第2構造体とを貼り合わせて製造した有機−無機複合太陽電池
(1)第1構造体の製造
基板上にPIワニスで基材を形成し、ITOスパッタリングにより80Ω/sq水準の第1電極を形成した。第1電極の形成された基材を超音波を利用してエタノールで20分間洗浄した。この後、前記ITO基板上に2wt%TiO分散溶液((株)ナノ新素材社)をスピンコーティング方法でコーティングし、150℃で30分間熱処理することにより電子輸送層を形成した。電子輸送層上に約50wt%濃度の(HC(NH0.85(CHNH0.15PbI2.55Br0.45ペロブスカイト(perovskite)の溶けているジメチルホルムアミド(DMF)溶液をスピンコーティングした後、100℃で30分間熱処理して黒色の光吸収層を形成した。次いで、前記光吸収層上に80mgのSpiro−OMeTAD(2,2',7,7'−tetrakis(N,N−di−p−methoxyphenylamine)−9,9'−spirobifluorene)、28.5μlのタート−ブチルピリジン(tert−butylpyridine、tBP)、および17.5μlのLiTFSI(bis(trifluoromethane)sulfonimide lithium salt)アセトニトリル(acetonitrile)溶液(520mg LiTFSI/1ml acetonitrile)を1mlのクロロベンゼン(chlorobenzene)に混合した溶液を前記スピンコーティングして正孔輸送層を形成することにより、第1構造体を製造した。
(2)第2構造体の製造
粘着層溶液を次のように調液した。ブチレンから誘導された高分子としてブチルゴム(Br068、EXXON社)50g、粘着付与剤として水添炭化水素樹脂(Eastotac H−100L)24g、多官能性の活性エネルギー線重合性化合物としてトリメチロールプロパントリアクリレート15g、およびラジカル開始剤として2,2−ジメトキシ−1,2−ジフェニルエタン−1−オン1g(Irgacure651、Ciba社)を投入して粘着剤組成物を形成した。その後、前述した物質100重量部対比50重量部のカーボンフレークを添加して分散し、トルエンで固形分20重量%程度となるように希釈して導電性粘着コーティング溶液を製造した。前記用意された溶液を離型PETフィルムの離型面に塗布し、100℃のオーブンにて30分間乾燥して厚さ50μmの導電性粘着剤層を形成した。その後、20μmの銅フィルムと貼り合わせて、PET離型層、導電性粘着剤層、銅フィルム構造の第2構造体を作製した。
(3)有機−無機複合太陽電池の完成
前記方法で製造された第1構造体と第2構造体とを貼り合わせるために、加温型ロールラミネート機を用いた。100℃の温度で第1構造体とPET離型層を除去した第2構造体とを貼り合わせた後、真空貼着機器を用いて、25℃〜100℃の間の温度条件下、100Paの真空度と0.5MPaの圧力下で脱泡を進行させて、フレキシブルフィルム型有機−無機複合太陽電池を完成した。
比較例1.上部電極上に封止フィルムを貼り合わせて製造した有機−無機複合太陽電池
基板上にPIワニスで基材を形成し、ITOスパッタリングにより80Ω/sq水準の第1電極を形成した。第1電極の形成された基材を超音波を利用してエタノールで20分間洗浄した。この後、前記ITO基板上に2wt%TiO分散溶液((株)ナノ新素材社)をスピンコーティング方法でコーティングし、150℃で30分間熱処理することにより電子輸送層を形成した。電子輸送層上に約50wt%濃度の(HC(NH0.85(CHNH0.15PbI2.55Br0.45ペロブスカイト(perovskite)の溶けているジメチルホルムアミド(DMF)溶液をスピンコーティングした後、100℃で30分間熱処理して黒色の光吸収層を形成した。次いで、前記光吸収層上に80mgのSpiro−OMeTAD(2,2',7,7'−tetrakis(N,N−di−p−methoxyphenylamine)−9,9'−spirobifluorene)、28.5μlのタート−ブチルピリジン(tert−butylpyridine、tBP)、および17.5μlのLiTFSI(bis(trifluoromethane)sulfonimide lithium salt)アセトニトリル(acetonitrile)溶液(520mg LiTFSI/1ml acetonitrile)を1mlのクロロベンゼン(chlorobenzene)に混合した溶液を前記スピンコーティングして正孔輸送層を形成した。その後、導電性カーボンペーストをバーコーティングして20μmの厚さに上部電極を形成し、最後に、商用封止フィルム(FSA DL−01、LG化学社)を常温ロールラミネート機で貼り合わせた後、真空貼着機器を用いて60℃、100Paの真空度と0.5MPaの圧力下で脱泡を進行させて、フレキシブルフィルム型有機−無機複合太陽電池を完成した。
この時、導電性カーボンペーストの場合、ポリスチレン系樹脂をバインダーとしてカーボンフレークを添加し、全体樹脂量100重量部対比50重量部のカーボンフレークを添加して分散し、トルエンで固形分20重量%程度となるように希釈して製造した。
表1には、本明細書の実施態様に係る有機−無機複合太陽電池の性能を示し、図5は、本明細書の実施態様で製造された有機−無機複合太陽電池の電圧に応じた電流密度を示す図である。
Figure 2021501478
表1中、Vocは開放電圧を、Jscは短絡電流を、FFはフィルファクター(Fill factor)を、PCEはエネルギー変換効率を意味する。開放電圧と短絡電流は、それぞれ電圧−電流密度曲線の4つの象限におけるX軸およびY軸切片であり、この2つの値が高いほど、太陽電池の効率は好ましく高まる。また、フィルファクター(Fill factor)は、曲線の内部に描ける長方形の広さを、短絡電流と開放電圧との積で割った値である。この3つの値を照射された光の強度で割るとエネルギー変換効率が求められ、高い値であるほど好ましい。
実施例1のように導電性粘着剤層が含まれた第1構造体と第2構造体とを貼り合わせて作られた素子の場合、比較例1のように上部電極の形成後に封止フィルムを適用した場合に比べて、優れた光電変換効率を示すことを確認することができる。これによって、本明細書の一実施態様に係る有機−無機複合太陽電池は、蒸着工程を用いず、価格競争力が高くかつ、性能にも優れていることが分かる。

Claims (13)

  1. 第1電極と、
    前記第1電極上に備えられた第1共通層と、
    前記第1共通層上に備えられたペロブスカイト物質を含む光吸収層と、
    前記光吸収層上に備えられた第2共通層と、
    前記第2共通層上に接するように備えられた導電性粘着剤層とを含む有機−無機複合太陽電池。
  2. 前記導電性粘着剤層上に基材をさらに含むものである、請求項1に記載の有機−無機複合太陽電池。
  3. 前記基材は、バリアフィルムを含むものである、請求項2に記載の有機−無機複合太陽電池。
  4. 前記基材は、保護フィルムをさらに含むものである、請求項3に記載の有機−無機複合太陽電池。
  5. 前記ペロブスカイト物質は、下記化学式1または化学式2で表される化合物である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の有機−無機複合太陽電池:
    [化学式1]
    AMX
    [化学式2]
    B'(1−a)M'X'X''(3−z)
    前記化学式1または2において、
    BおよびB'は、互いに異なり、
    A、BおよびB'は、それぞれC2n+1NH 、NH 、HC(NH 、Cs、NF 、NCl 、PF 、PCl 、CHPH 、CHAsH 、CHSbH 、PH 、AsH 、およびSbH から選択される1価の陽イオンであり、
    MおよびM'は、互いに同一または異なり、それぞれ独立して、Cu2+、Ni2+、Co2+、Fe2+、Mn2+、Cr2+、Pd2+、Cd2+、Ge2+、Sn2+、Pb2+、およびYb2+から選択される2価の金属イオンであり、
    X、X'およびX''は、それぞれ独立して、ハロゲンイオンであり、
    nは、1〜9の整数であり、
    aは、0<a<1の実数であり、
    zは、0<z<3の実数である。
  6. 前記導電性粘着剤層は、導電性物質および粘着物質を含むものである、請求項1〜5のいずれか1項に記載の有機−無機複合太陽電池。
  7. 前記導電性物質は、炭素ベースの物質または金属粒子を含むものである、請求項6に記載の有機−無機複合太陽電池。
  8. 前記炭素ベースの物質は、カーボンブラック、カーボンナノチューブ(CNT)、グラファイト(Graphite)、グラフェン(Graphene)、活性炭、多孔性炭素(Mesoporous Carbon)、炭素繊維(Carbon fiber)、およびカーボンナノワイヤ(Carbon nano wire)のうちの少なくとも1つである、請求項7に記載の有機−無機複合太陽電池。
  9. 前記導電性粘着剤層の面抵抗値は、0.01Ω/sq〜100Ω/sqである、請求項1〜8のいずれか1項に記載の有機−無機複合太陽電池。
  10. 第1電極と、第1共通層と、ペロブスカイト物質を含む光吸収層と、第2共通層とを含む第1構造体を形成するステップと、
    導電性粘着剤層を用意するステップと、
    前記第2共通層および導電性粘着剤層が接するように貼り合わせるステップとを含む、請求項1〜9のいずれか1項に記載の有機−無機複合太陽電池の製造方法。
  11. 前記第1構造体を形成するステップは、
    第1電極を用意するステップと、
    前記第1電極上に第1共通層を形成するステップと、
    前記第1共通層上にペロブスカイト物質を含む光吸収層を形成するステップと、
    前記光吸収層上に第2共通層を形成するステップとを含むものである、請求項10に記載の有機−無機複合太陽電池の製造方法。
  12. 前記導電性粘着剤層が前記第2共通層と接する部分の反対面に基材がさらに備えられるものである、請求項10または11に記載の有機−無機複合太陽電池の製造方法。
  13. 前記第2共通層および導電性粘着剤層が接するように貼り合わせるステップは、20℃〜100℃でロールを用いるものである、請求項10〜12のいずれか1項に記載の有機−無機複合太陽電池の製造方法。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210009879A (ko) 2019-07-18 2021-01-27 고려대학교 산학협력단 페로브스카이트 입자가 분산된 벌크이종접합 구조의 태양전지용 활성층 및 이의 제조방법
KR102321757B1 (ko) * 2019-09-03 2021-11-03 부산대학교 산학협력단 대면적 페로브스카이트 태양전지를 이용한 버스정류장
CN114695668B (zh) * 2022-03-22 2023-04-07 电子科技大学 一种表面处理提高大面积柔性钙钛矿太阳电池性能的方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007217693A (ja) * 2007-02-15 2007-08-30 Shin Etsu Chem Co Ltd シリコーンゴム複合体及びその製造方法
JP2008209584A (ja) * 2007-02-26 2008-09-11 Toppan Printing Co Ltd 電気泳動表示シートモビール
CN104134752A (zh) * 2014-07-08 2014-11-05 中国科学院物理研究所 钙钛矿太阳能电池及其热塑性碳对电极的制备方法
JP2016149472A (ja) * 2015-02-13 2016-08-18 ペクセル・テクノロジーズ株式会社 ペロブスカイト化合物を用いた光電変換素子およびその製造方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010103998A1 (ja) * 2009-03-11 2010-09-16 信越化学工業株式会社 太陽電池セル電極の接続用シート、太陽電池モジュールの製造方法及び太陽電池モジュール
JP2011096988A (ja) * 2009-11-02 2011-05-12 Keiwa Inc 太陽電池モジュール裏面保護用粘着シート及びこれを用いた太陽電池モジュール
KR101657260B1 (ko) * 2011-01-03 2016-09-13 주식회사 엘지화학 태양전지용 전극의 제조방법 및 이로부터 제조된 전극
EP2487215B1 (en) * 2011-02-11 2013-07-24 Henkel AG & Co. KGaA Electrically conductive adhesives comprising at least one metal precursor
WO2013031656A1 (ja) * 2011-08-26 2013-03-07 三菱化学株式会社 接着性封止フィルム、接着性封止フィルムの製造方法および接着性封止フィルム用塗布液
TWI639667B (zh) * 2012-11-30 2018-11-01 日商琳得科股份有限公司 Substrate composition, subsequent sheet, electronic device and method of manufacturing same
US10079356B2 (en) * 2012-12-20 2018-09-18 Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem Ltd. Perovskite schottky type solar cell
CN103903675A (zh) * 2012-12-28 2014-07-02 北京中科纳通科技有限公司 一种高稳定性导电浆料及其制备方法
WO2014109604A1 (ko) * 2013-01-10 2014-07-17 한국화학연구원 내구성과 고성능의 무-유기 하이브리드 태양전지
KR20150016877A (ko) * 2013-08-05 2015-02-13 주식회사 엘지화학 점착제 조성물, 점착 필름 및 이를 이용한 유기전자장치의 봉지방법
DE102014207074A1 (de) * 2014-04-11 2015-10-15 Tesa Se Klebeband für die Kapselung einer organischen elektronischen Anordnung
KR101666563B1 (ko) * 2014-04-28 2016-10-27 성균관대학교산학협력단 페로브스카이트 태양전지 및 그의 제조 방법
CN104009159B (zh) * 2014-05-14 2017-11-10 中国科学院物理研究所 钙钛矿基薄膜太阳电池及其制备方法
CN104022226B (zh) * 2014-05-14 2017-07-28 中国科学院物理研究所 钙钛矿基薄膜太阳电池及其制备方法
KR101677798B1 (ko) 2014-06-13 2016-11-18 주식회사 엘지화학 태양전지 및 이의 제조방법
KR101571528B1 (ko) * 2014-07-01 2015-11-25 한국화학연구원 광전변환효율이 향상된 페로브스카이트 태양전지 및 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
WO2016019422A1 (en) * 2014-08-07 2016-02-11 Flinders Partners Pty Ltd Transparent electrode materials and methods for forming same
JP6030176B2 (ja) * 2015-03-19 2016-11-24 株式会社東芝 光電変換素子とその製造方法
KR20170072079A (ko) * 2015-12-16 2017-06-26 주식회사 엘지화학 태양전지의 광흡수체 제조 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007217693A (ja) * 2007-02-15 2007-08-30 Shin Etsu Chem Co Ltd シリコーンゴム複合体及びその製造方法
JP2008209584A (ja) * 2007-02-26 2008-09-11 Toppan Printing Co Ltd 電気泳動表示シートモビール
CN104134752A (zh) * 2014-07-08 2014-11-05 中国科学院物理研究所 钙钛矿太阳能电池及其热塑性碳对电极的制备方法
JP2016149472A (ja) * 2015-02-13 2016-08-18 ペクセル・テクノロジーズ株式会社 ペロブスカイト化合物を用いた光電変換素子およびその製造方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
DANIEL BRYANT ET AL.: ""A Transparent Conductive Adhesive Laminate Electrode for High-Efficiency Organic-Inorganic Lead Hal", ADVANCED MATERIALS, vol. 26, JPN6021015943, 2014, pages 7499 - 7504, XP055422409, ISSN: 0004646384, DOI: 10.1002/adma.201403939 *
GEORGE D. SPYROPOULOS ET AL.: ""Organic and perovskite solar modules innovated by adhesive top electrode and depth-resolved laser p", ENERGY & ENVIRONMENTAL SCIENCE, vol. 9, JPN6021015939, 2016, pages 2302 - 2313, XP055839043, ISSN: 0004646385, DOI: 10.1039/C6EE01555G *

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