JP2021188114A - 金属成膜部材の製造方法、金属成膜部材、波長変換部材、又は、発光装置 - Google Patents

金属成膜部材の製造方法、金属成膜部材、波長変換部材、又は、発光装置 Download PDF

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Abstract

【課題】 所望の部分に精度良く金属膜を設ける。【解決手段】 セラミック部材と、セラミック部材と接続する接続部材と、を有する複合セラミック部材であって、セラミック部材よりも接続部材の方が貴金属との密着力が大きい複合セラミック部材を準備する工程と、セラミック部材の一部の表面及び接続部材の一部の表面が少なくとも含まれる表面領域に貴金属膜を設ける工程と、複合セラミック部材の表面領域に設けられた貴金属膜のうち、セラミック部材と接続部材の境界を境にして、セラミック部材の表面上に設けられた貴金属膜を除去する工程と、を含む、金属成膜部材の製造方法。【選択図】 図１

Description

本発明は、金属成膜部材の製造方法、金属成膜部材、波長変換部材、又は、発光装置に関する。
遮光などを目的として、表面の一部に金属膜を設ける技術が知られている。特許文献１には、蛍光体層の上面に金属の遮光膜を形成してから、一部の遮光膜を除去する方法が開示されている。
特開２０１３−２３２５３９
部分的に金属膜を設けようとする場合、金属膜は、必要とされる部分に精度良く形成されることが望ましい。本発明は、所望の部分に精度良く金属膜を設けることを目的とする。
本明細書において開示される金属成膜部材の製造方法は、セラミック部材と、前記セラミック部材と接続する接続部材と、を有する複合セラミック部材であって、前記セラミック部材よりも前記接続部材の方が貴金属との密着力が大きい前記複合セラミック部材を準備する工程と、前記セラミック部材の一部の表面及び前記接続部材の一部の表面が少なくとも含まれる表面領域に貴金属膜を設ける工程と、前記複合セラミック部材の前記表面領域に設けられた前記貴金属膜のうち、前記セラミック部材と前記接続部材の境界を境にして、前記セラミック部材の表面上に設けられた前記貴金属膜を除去する工程と、を含む。
また、本明細書において開示される金属成膜部材は、セラミック部材と、前記セラミック部材と接続する接続部材と、前記セラミック部材と前記接続部材との境界に沿って、前記接続部材の表面上に形成される貴金属膜と、を有し、前記境界を境に、前記接続部材の表面の方が前記セラミック部材の表面よりも、貴金属との密着力が大きい。
また、本明細書において開示される金属成膜部材は、セラミック部材と前記セラミック部材よりも貴金属との密着力が大きい接続部材とが連続する複合セラミック部材の表面領域に貴金属膜を設ける工程と、前記表面領域に設けられた前記貴金属膜のうちセラミック部材の表面上に設けられた前記貴金属膜を除去する工程と、を含む方法で製造される、前記貴金属膜の境界と前記セラミック部材と前記接続部材との境界とが一致する金属成膜部材である。
また、本明細書において開示される金属成膜部材は、第１セラミック部材と、前記第１セラミック部材と接続する第２セラミック部材と、前記第１セラミック部材と前記第２セラミック部材との境界に沿って、前記第２セラミック部材の表面上に形成される貴金属膜と、を有し、前記第２セラミック部材は、前記貴金属膜が形成される表面の表面粗さＲｚが０．１０μｍ以上である。
また、本明細書において開示される波長変換部材は、蛍光体を有する波長変換部と、前記波長変換部と接続する光反射部と、前記波長変換部と前記光反射部との境界に沿って、前記光反射部の表面上に形成される遮光膜と、を有し、前記遮光膜は、貴金属膜であり、前記境界を境にして、前記光反射部の表面の方が前記波長変換部の表面よりも、貴金属との密着力が大きい。
また、本明細書において開示される波長変換部材は、波長変換部と、セラミックを主材料とし、前記波長変換部と接続する接続部材と、前記波長変換部と前記接続部材との境界に沿って、前記接続部材の表面上に形成される遮光膜と、を有し、前記遮光膜は、貴金属膜であり、前記接続部材は、前記貴金属膜が形成される表面の表面粗さＲｚが０．１０μｍ以上である。
また、本明細書において開示される発光装置は、発光素子と、前記発光素子が配置されるパッケージと、波長変換部、前記波長変換部と接続する接続部材、及び、前記接続部材の表面上に形成される遮光膜と、を有し、直接または間接的に前記パッケージと接続する波長変換部材と、を備え、前記遮光膜は、前記波長変換部と前記接続部材との境界に沿って、前記接続部材の表面上に形成される貴金属膜であり、前記境界を境に、前記接続部材の表面の方が前記波長変換部の表面よりも、貴金属との密着力が大きい。
また、本明細書において開示される発光装置は、発光素子と、前記発光素子が配置されるパッケージと、波長変換部、セラミックを主材料とし前記波長変換部と接続する接続部材、及び、前記接続部材の表面上に形成される遮光膜と、を有し、直接または間接的に前記パッケージと接続する波長変換部材と、を備え、前記遮光膜は、前記波長変換部と前記接続部材との境界に沿って、前記接続部材の表面上に形成される貴金属膜であり、前記接続部材は、前記貴金属膜が形成される表面の表面粗さＲｚが０．１０μｍ以上である。
本発明によれば、表面に精度よく金属膜が設けられた部材を実現することができる。
図１は、実施形態に係る金属成膜部材の斜視図である。 図２は、図１のII-II線における金属成膜部材の断面図である。 図３Ａは、金属成膜部材の製造方法を説明するための断面図である。 図３Ｂは、金属成膜部材の製造方法を説明するための断面図である。 図３Ｃは、金属成膜部材の製造方法を説明するための断面図である。 図３Ｄは、金属成膜部材の製造方法を説明するための断面図である。 図４Ａは、製造された金属成膜部材のＴＥＭ画像である。 図４Ｂは、製造された金属成膜部材の他のＴＥＭ画像である。 図４Ｃは、製造された金属成膜部材の他のＴＥＭ画像である。 図４Ｄは、製造された金属成膜部材の他のＴＥＭ画像である。 図５は、実施形態に係る発光装置の斜視図である。 図６は、図５に対応する上面図である。 図７は、図６のVII-VII線における発光装置の断面図である。 図８は、実施形態に係る発光装置の内部構造を説明するための斜視図である。 図９は、図８に対応する上面図である。 図１０は、実施形態に係る発光装置の内部構造を説明するための斜視図である。 図１１は、図１０に対応する上面図である。
本明細書または特許請求の範囲において、三角形や四角形などの多角形に関しては、多角形の隅に角丸め、面取り、角取り、丸取り等の加工が施された形状も含めて、多角形と呼ぶものとする。また、隅（辺の端）に限らず、辺の中間部分に加工が施された形状も同様に、多角形と呼ぶものとする。つまり、多角形をベースに残しつつ、部分的な加工が施された形状は、本明細書及び特許請求の範囲で記載される“多角形”の解釈に含まれるものとする。
また、多角形に限らず、台形や円形や凹凸など、特定の形状を表す言葉についても同様である。また、その形状を形成する各辺を扱う場合も同様である。つまり、ある辺において、隅や中間部分に加工が施されていたとしても、“辺”の解釈には加工された部分も含まれる。なお、部分的な加工のない“多角形”や“辺”を、加工された形状と区別する場合は“厳密な”を付して、例えば、“厳密な四角形”などと記載するものとする。
また、本明細書または特許請求の範囲において、上下、左右、表裏、前後、手前と奥などの表現は、相対的な位置、向き、方向などの関係を述べるに過ぎず、使用時における関係と一致していなくてもよい。例えば、部品と完成品において、部品の上面が、完成品の側面に位置するように実装される場合でも、その部品にとっての上面は変わらない。
また、本明細書または特許請求の範囲において、ある構成要素に関し、これに該当するものが複数あり、それぞれを区別して表現する場合に、その構成要素の頭に“第１”、“第２”と付記して区別することがある。また、本明細書と特許請求の範囲とで区別する対象や観点が異なる場合、本明細書と特許請求の範囲との間で、同一の付記が、同一の対象を指さない場合がある。
例えば、本明細書において“第１”、“第２”、“第３”と付記されて区別される対象があり、本明細書の“第１”及び“第３”のみを対象として特許請求の範囲を記載する場合に、見易さの観点から特許請求の範囲においては“第１”、“第２”と付記して区別することがある。この場合、特許請求の範囲において“第１”、“第２”と付記された対象が、本明細書において“第１”“第３”と付記された対象を指すことになる。
以下に、図面を参照しながら、本明を実施するための形態を説明する。ただし、示される形態は、本発明の技術思想が具体化されたものではあるが、本発明を限定するものではない。また、以下の説明において、同一の名称、符号については同一もしくは同質の部材を示しており、重複した説明は適宜省略することがある。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするために誇張していることがある。
＜実施形態＞
図１は、実施形態に係る金属成膜部材１の一例を示す斜視図である。図２は、図１のII-II線における金属成膜部材１の断面図である。図３Ａ、図３Ｂ、図３Ｃ、及び、図３Ｄは金属成膜部材１の製造方法を説明するための断面図である。図４Ａ乃至図４Ｄは、金属成膜部材１のＴＥＭ（Transmission Electron Microscope）画像である。
図５は、実施形態に係る発光装置２の一例を示す斜視図である。図６は、発光装置２の上面図である。図７は、図６のVII-VII線における発光装置２の断面図である。図８は、内部構造を説明するために発光装置２から遮光部材３００を除いた状態の斜視図である。図９は、図８と同様の状態における上面図である。図１０は、内部構造を説明するために発光装置２からさらに透光性部材２９０と波長変換部材２８０を除いた状態の斜視図である。図１１は、図９と同様の状態における上面図である。
まず、実施形態に係る金属成膜部材１について説明し、その後で、実施形態に係る金属成膜部材１を構成要素に含んで形成される発光装置２について説明する。
金属成膜部材１は、構成要素として、複合セラミック部材１１０、貴金属膜１２０、金属膜１３０、及び、黒色膜１４０を有する。また、金属成膜部材１は、構成要素として、少なくとも、複合セラミック部材１１０、及び、貴金属膜１２０を有する。
金属成膜部材１の各構成要素について説明する。
（複合セラミック部材１１０）
複合セラミック部材１１０は、構成要素として、セラミック部材１１１、及び、接続部材１１２を有する。また、複合セラミック部材１１０は、上面、下面、及び、側面を有する。また、複合セラミック部材１１０は、平板形状で形成される。また、複合セラミック部材１１０は、直方体の形状で形成される。また、複合セラミック部材１１０は、上面視または下面視で、矩形の形状で形成される。ここでの矩形には正方形も含まれる。
複合セラミック部材１１０の上面において、セラミック部材１１１及び接続部材１１２は連続する。また、複合セラミック部材１１０の下面において、セラミック部材１１１及び接続部材１１２は連続する。また、複合セラミック部材１１０の側面において、接続部材１１２は露出するが、セラミック部材１１１は露出しない。そのため、複合セラミック部材１１０の側面において、セラミック部材１１１及び接続部材１１２は連続していない。
複合セラミック部材１１０の上面において、セラミック部材１１１は、接続部材１１２に囲まれる。また、複合セラミック部材１１０の下面において、セラミック部材１１１は、接続部材１１２に囲まれる。また、複合セラミック部材１１０の上面においてセラミック部材１１１が露出する領域と、複合セラミック部材１１０の下面においてセラミック部材１１１が露出する領域とは、形状及び大きさが同じである。
セラミック部材１１１は、上面、下面、及び、側面を有する。また、セラミック部材１１１は、平板形状で形成される。また、セラミック部材１１１は、直方体の形状で形成される。また、セラミック部材１１１は、上面視または下面視で、矩形の形状で形成される。ここでの矩形には正方形も含まれる。なお、この形状は矩形に限らなくてよい。例えば、円形などであってもよい。図示されるセラミック部材１１１は、上面視および下面視で、長方形の形状で形成される。
また、セラミック部材１１１は、接続部材１１２と接続する接続領域を有する。また、セラミック部材１１１の側面に、接続領域を有する。また、セラミック部材１１１の側面の全面が接続領域となる。また、セラミック部材１１１の上面の外縁、または、下面の外縁は、接続領域に含まれる。また、セラミック部材１１１の上面、または、下面は、外縁を除いて、接続領域に含まれない。
なお、セラミック部材１１１の上面、または、下面の全面が、接続領域に含まれなくてもよい。上面又は下面の全面が接続領域に含まれない形態として、例えば、セラミック部材１１１の上面または下面が、接続部材１１２の上面または下面よりも突出した形状を有する場合があげられる。
セラミック部材１１１は、セラミックを主材料として形成される。主材料に用いられるセラミックスとしては、例えば、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウムなどが挙げられる。また、焼結体のセラミック部材１１１が形成される。
接続部材１１２は、上面、下面、外側面、及び、内側面を有する。また、接続部材１１２は、平板に貫通孔が設けられた形状で形成される。また、上面視または下面視で、接続部材１１２の外縁は矩形となる。ここでの矩形には正方形も含まれる。なお、この形状は矩形に限らなくてよい。例えば、円形などであってもよい。
また、接続部材１１２は、セラミック部材１１１と接続する接続領域を有する。また、接続部材１１２の内側面に、接続領域を有する。また、接続部材１１２の内側面の全面が接続領域となる。また、接続部材１１２の上面と内側面との交線、または、下面と内側面の交線は、接続領域に含まれる。また、接続部材１１２の上面、または、下面は、内側面との交線を除いて、接続領域に含まれない。
なお、接続部材１１２の上面、または、下面の全面が、接続領域に含まれなくてもよい。上面又は下面の全面が接続領域に含まれない形態として、例えば、接続部材１１２の上面または下面が、セラミック部材１１１の上面または下面よりも突出した形状を有する場合があげられる。
また、貴金属との密着力は、接続部材１１２の方がセラミック部材１１１よりも大きい。また、少なくとも、貴金属膜１２０が形成される表面において、接続部材１１２の方がセラミック部材１１１よりも、貴金属との密着力が大きい。つまり、セラミック部材１１１よりも、貴金属と密着しやすい材料または形状で、接続部材１１２は形成される。密着しやすいとは、言い換えれば、剥離しにくいということである。
また、接続部材１１２は、セラミックを主材料として形成される。主材料に用いられるセラミックスとしては、例えば、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウムなどが挙げられる。なお、セラミックを主材料としなくてもよい。例えば、接続部材１１２は、金属を主材料として形成されてもよい。貴金属との密着力は、Ａｌ、Ｆｅ、Ｔｉなどの金属の方が、セラミックよりも大きい。
また、セラミック部材１１１と接続部材１１２とは、一体的に形成される。また、セラミック部材１１１と接続部材１１２とが一体的に焼結された一体焼結体によって、セラミック部材１１１及び接続部材１１２は形成される。例えば、焼結体のセラミック部材１１１と、接続部材１１２を形成する粉粒の材料と、を一体的に成形して焼結し形成することができる。焼結には、例えば、常圧焼結法、放電プラズマ焼結法（ＳＰＳ法）、ホットプレス焼結法（ＨＰ法）等を用いることができる。
また、同じセラミックを主材料としてセラミック部材１１１及び接続部材１１２を形成する場合、接続部材１１２の方がセラミック部材１１１よりも、空隙率が大きい。つまり、接続部材１１２の方が、より多くの空隙を含んで形成される。このような空隙率の違いは、焼結条件（焼結温度、焼結時間、昇温速度）や、材料の粒径、焼結助剤の濃度などによって調整することができる。
空隙率を大きくすることで接続部材１１２の表面に空隙による凹凸が増える。貴金属膜１２０は、凹凸の多い表面に設ける方が、凹凸の少ない表面に設けるよりも、表面に密着させて成膜することができる。凹凸に貴金属が入り込んで成膜されるためである。そのため、空隙率を大きくすることで、貴金属との密着力を大きくすることができる。
（貴金属膜１２０）
貴金属膜１２０は、貴金属を主材料として形成される金属膜である。また、貴金属のみから形成される金属膜である。なお、ここでの貴金属のみから形成される金属膜とは、貴金属の含有率が全体の８０％以上を占めることをいうものとする。なお、貴金属以外の金属を含んだ合金であってもよい。また、貴金属膜１２０を形成する貴金属材料として、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｒｈ等の中から選択される１以上の材料を含む。また、例えば、貴金属膜１２０は、Ｐｔのみから形成することができる。
また、貴金属膜１２０は、５ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲の膜厚で形成することができる。なお、５００ｎｍを超える膜厚であってもよい。また、１０００ｎｍ以下の膜厚で形成されるのが好ましい。
（金属膜１３０）
金属膜１３０は、金属を主材料として形成される金属膜である。また、金属膜１３０の主材料には、貴金属膜１２０の主材料とは異なる金属が用いられる。また、貴金属膜１２０を形成する材料に含まれていない材料によって、金属膜１３０は形成される。また、金属膜１３０を形成する金属材料としてＲｕ、Ｗ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ等の中から選択される１以上の材料を含む。また、例えば、金属膜１３０は、Ｒｕのみから形成することができる。
また、金属膜１３０は、５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の範囲の膜厚で形成することができる。なお、１０００ｎｍを超える膜厚であってもよい。また、２０００ｎｍ以下の膜厚で形成されるのが好ましい。
（黒色膜１４０）
黒色膜１４０は、黒色の膜である。なお、ここでの黒色は、可視光の反射率が３０％以下であり、可視光の吸収率が７０％以上である色とする。また、例えば、黒色膜１４０は、ＲｕＯ２のみから形成することができる。また、黒色膜１４０は、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲の膜厚で形成することができる。なお、１００ｎｍを超える膜厚であってもよい。
次に、金属成膜部材１の製造方法について説明する。
まず、複合セラミック部材１１０を準備する。図３Ａは、複合セラミック部材１１０が準備された状態を表している。複合セラミック部材１１０は、セラミック部材１１１及び接続部材１１２から複合セラミック部材１１０を製造することで、準備することができる、また、複合セラミック部材１１０を製造する代わりに、複合セラミック部材１１０を調達することで準備してもよい。
複合セラミック部材１１０は、例えば、接着剤を用いて接続部材１１２にセラミック部材１１１を接合して製造することができる。また、上述したように、セラミック部材１１１と接続部材１１２の一体焼結体を形成して製造することができる。
次に、複合セラミック部材１１０に貴金属膜１２０を設ける。図３Ｂは、複合セラミック部材１１０に貴金属膜１２０が設けられた状態を表している。貴金属膜１２０は、複合セラミック部材１１０の表面上に設けられる。また、貴金属膜１２０は、複合セラミック部材１１０の上面または下面に設けられる。なお、貴金属膜１２０は、複合セラミック部材１１０の上面あるいは下面だけでなく、例えば、上面あるいは下面からさらに側面にまで亘って設けられてもよい。
また、貴金属膜１２０は、セラミック部材１１１から接続部材１１２に亘って設けられる。また、貴金属膜１２０は、複合セラミック部材１１０の表面上に設けられる。また、貴金属膜１２０は、複合セラミック部材１１０の全表面のうちの一部の表面に設けられる。また、貴金属膜１２０は、セラミック部材１１１の一部の表面、及び、接続部材１１２の一部の表面を含む表面領域に設けられる。
また、貴金属膜１２０は、貴金属との密着力が異なる２つの領域が連続する連結領域に設けられる。また、貴金属膜１２０は、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｒｈの中から選択される１以上の貴金属との密着力が異なる２つの領域が連続する連結領域に設けられる。また、連結領域には、貴金属との密着力が弱い領域と、貴金属との密着力が強い領域と、が含まれる。なお、セラミック部材１１１と接続部材１１２は、互いに貴金属との密着力が異なるため、セラミック部材１１１と接続部材１１２を含む領域は、連結領域となる。
貴金属膜１２０は、例えば、スパッタリング法によって複合セラミック部材１１０の表面上に成膜することができる。また、スパッタリング法等を用いて、十分に空隙を含ませたセラミック焼結体に貴金属膜１２０を成膜する場合、貴金属膜１２０は、表面上の凸凹の形状に応じて貴金属が窪みに入り込むようにして、成膜される。
次に、複合セラミック部材１１０に設けられた貴金属膜１２０の上に、剥離膜を設ける。図３Ｃは、貴金属膜１２０の上に剥離膜が設けられた状態を表している。なお、図示される金属成膜部材において、金属膜１３０が剥離膜である。
剥離膜は、表面領域の上に設けられる。また、剥離膜は、貴金属膜１２０が設けられている領域であって、セラミック部材１１１から接続部材１１２にまで亘った領域に設けられる。また、剥離膜は、連結領域の上に設けられる。剥離膜は、例えば、スパッタリング法によって貴金属膜１２０の表面上に成膜することができる。また、剥離膜は、貴金属膜１２０に用いられた貴金属とは異なる金属を用いて成膜される。
次に、剥離膜の上に、黒色膜１４０を設ける。図３Ｄは、剥離膜の上に黒色膜１４０が設けられた状態を表している。黒色膜１４０は、少なくとも、複合セラミック部材１１０のうち、貴金属との密着力が大きい領域に設けられた貴金属膜１２０及び剥離膜の上に、成膜される。黒色膜１４０は、例えば、スパッタリング法によって剥離膜の表面上に成膜することができる。
次に、貴金属膜１２０が成膜された複合セラミック部材１１０から、セラミック部材１１１の表面の上に設けられた貴金属膜１２０を除去する。また、貴金属膜１２０の除去に伴い、セラミック部材１１１の表面の上に設けられた剥離膜、及び、黒色膜１４０も除去される。
また、複合セラミック部材１１０に設けられた貴金属膜１２０のうち、セラミック部材１１１と接続部材１１２の境界を境にして、セラミック部材１１１の表面上に設けられた貴金属膜１２０を除去する。また、複合セラミック部材１１０に設けられた貴金属膜１２０のうち、接続部材１１２の表面上に設けられた貴金属膜１２０は除去しない。そのため、接続部材１１２の表面上に設けられた貴金属膜１２０の上には、剥離膜が設けられたままである。複合セラミック部材１１０の連結領域に設けられた貴金属膜１２０のうち、貴金属との密着力が弱い領域に設けられた貴金属膜１２０のみが除去される。
貴金属膜１２０は、密着力の違いを利用して除去される。例えば、セラミック部材１１１の上に設けられた貴金属膜１２０は、貴金属膜１２０が成膜された複合セラミック部材１１０を振動させることで除去することができる。また例えば、貴金属膜１２０が成膜されたセラミック部材１１１に超音波振動や熱衝撃を与えることで除去することができる。
セラミック部材１１１は、貴金属との密着力が小さいため、複合セラミック部材１１０に貴金属膜１２０が成膜されたときに貴金属と十分に密着していない状態にある。一方で、接続部材１１２は、貴金属との密着力が大きいため、複合セラミック部材１１０に貴金属膜１２０が成膜されたときに貴金属と十分に密着している状態にある。この密着力の違いから、振動や、超音波振動などの外力によって、セラミック部材１１１の表面に設けられた貴金属膜１２０のみが除去される。
図４Ａ及び図４Ｄは、製造された金属成膜部材１のＴＥＭ画像である。また、図４Ａ及び図４Ｃは散乱電子像であり、図４Ｂ及び図４Ｄは透過電子像である。
この画像が得られた金属成膜部材１において、複合セラミック部材１１０は、主材料を酸化アルミニウムとするセラミック部材１１１、及び、主材料を酸化アルミニウムとする接続部材１１２から形成された一体焼結体である。また、接続部材１１２の空隙率が１０％程度となるように、焼結条件を調整して形成された。また、複合セラミック部材１１０の厚みは、０．４ｍｍである。また、貴金属膜１２０にはＰｔを採用し、剥離膜にはＲｕを採用し、黒色膜１４０にはＲｕＯ２を採用した。膜厚はそれぞれ２００ｎｍとなるように、成膜レートを調整した。
図４Ａ及び図４ＢのＴＥＭ画像は、セラミック部材１１１と接続部材１１２の境界付近であり、かつ、貴金属膜１２０が設けられている表面付近を分析した結果である。画像の左側がセラミック部材１１１で、右側が接続部材１１２である。接続部材１１２には、多くの空隙がみられる一方で、セラミック部材１１１には、空隙がみられない。また、表面に空隙による凸凹が形成されている接続部材１１２には、貴金属膜１２０、剥離膜、及び、黒色膜１４０が形成されている。
図４Ａ及び図４Ｂの画像からわかるように、貴金属膜１２０は、表面に凸凹がある領域に設けられており、凸凹のない領域からは除去されている。つまり、セラミック部材１１１と接続部材１１２との境界に沿って、接続部材１１２の表面上に貴金属膜１２０は形成される。またさらに、貴金属膜１２０が設けられる領域と、設けられない領域とは、表面に凸凹がある領域と凸凹のない領域の境界で、きれいに分けられる。つまり、貴金属膜１２０の境界と、セラミック部材１１１と接続部材１１２との境界と、が一致するといえ、精度良く、セラミック部材１１１のみから貴金属膜１２０を除去することができている。
貴金属膜１２０が設けられる表面において、セラミック部材１１１と接続部材１１２の凸凹の度合いは異なる。セラミック部材１１１において、貴金属膜１２０が設けられる表面の表面粗さＲｚ（最大高さ）は、０．０５μｍ以下である。また、接続部材１１２において、貴金属膜１２０が設けられる表面の表面粗さＲｚは、０．１０μｍ以上である。このような凸凹の差によって、貴金属との密着力に差を生じさせ、貴金属膜を設ける領域を制御することができる。
この製造方法によれば、貴金属膜１２０が設けられている領域と設けられていない領域との境界を、セラミック部材１１１と接続部材１１２との境界から１０００ｎｍ以内に設けることができる。またあるいは、貴金属膜１２０が設けられている領域と設けられていない領域との境界を、セラミック部材１１１と接続部材１１２との境界から１００ｎｍ以内に設けることができる。またあるいは、貴金属膜１２０が設けられている領域と設けられていない領域との境界を、セラミック部材１１１と接続部材１１２との境界から５０ｎｍ以内に設けることができる。またあるいは、貴金属膜１２０が設けられている領域と設けられていない領域との境界を、セラミック部材１１１と接続部材１１２との境界と、実質的に同じ位置に設けることができる。
ここで、貴金属膜１２０の境界と、セラミック部材１１１と接続部材１１２との境界と、が一致する度合いは、高精度であるといえるが、全くずれがないと断言することはできない。このような点を踏まえて、ここでは実質的に同じ位置と述べている。図４Ａ〜図４Ｄからは一致しているように見え、高精度であることは明らかだが、一致の精度を正確に数値化することは困難である。ここでは、実質的に同じ位置にあるという意味で「一致する」というものとする。
図４Ｃ及び図４ＤのＴＥＭ画像は、貴金属膜１２０が設けられている領域を分析した結果である。なお、図４Ｃの左端は、図４Ａにおけるセラミック部材１１１と接続部材１１２の境界付近である。図４Ｃでは、貴金属膜１２０、剥離膜、及び、黒色膜１４０の各層がはっきりと見えていないが、図４Ｄでは、貴金属膜１２０、剥離膜、及び、黒色膜１４０の各層を認識できる。
また、図４Ｃ及び図４Ｄの画像からわかるように、貴金属膜１２０は、表面に凸凹に入り込むようにして設けられるが、内部の空隙には入り込んでいない。従って、空隙そのものというよりは、表面の凸凹が、貴金属膜１２０との密着力を大きくする要因であるといえる。言い換えれば、空隙を設けるという方法以外であっても、表面に凸凹を設ける方法であれば、貴金属膜１２０との密着力を大きくすることは可能といえる。
以上、金属成膜部材１及びその製造方法について説明した。なお、剥離膜が成膜されていない状態であっても、セラミック部材１１１の表面に設けられた貴金属膜１２０を除去することができる。そのため、剥離膜を設ける工程を介さなくても、セラミック部材１１１の表面に設けられた貴金属膜１２０を除去する工程を実行することはできる。剥離膜を設けることで、貴金属膜１２０の除去が容易になる。また、金属成膜部材１の製造において、黒色膜１４０を設ける工程はなくてもよい。
また、金属成膜部材１は、例えば、光学部材として利用することができる。また、光学部材として利用するとき、貴金属膜１２０は、遮光膜として利用することができる。例えば、セラミック部材１１１を光の出射領域とするときに、接続部材１１２からの光の漏れへの対策として、遮光膜を設けることが考えられる。なお、金属成膜部材１の利用形態はこれに限らない。
（発光装置）
次に、構成要素の一つに金属成膜部材１を有する発光装置２について説明する。発光装置２では、金属成膜部材１を、光学部材の一例である波長変換部材２８０として利用する。
発光装置２は、構成要素として、基部２１０、発光素子２２０、サブマウント２３０、光反射部材２４０、保護素子２５０、温度測定素子２６０、配線２７０、波長変換部材２８０、透光性部材２９０、及び、遮光部材３００を有する。また、発光装置２は、構成要素として、少なくとも、発光素子２２０、及び、光学部材を有する。
また、発光装置２は、１または複数の発光素子２２０を有する。また、発光素子２２０と同数のサブマウント２３０と、発光素子２２０と同数の光反射部材２４０とを有する。また、１または複数の保護素子２５０を有する。また、１または複数の温度測定素子２６０を有する。また、１または複数の配線２７０を有する。
次に、発光装置２の各構成要素について説明する。
（基部２１０）
基部２１０は、上面から下面の方向に窪んだ凹形状を有する。また、上面視で外形が矩形であり、窪みはこの外形の内側に形成される。基部２１０は、上面２１１、底面２１２、下面２１３、複数の内側面２１４、及び、１または複数の外側面２１５を有している。また、上面視で、上面２１１に交わる１または複数の内側面２１４によって枠が形成される。基部２１０の窪みはこの枠に囲まれる。
また、基部２１０は、枠の内側において、１または複数の段差部２１６を有する。なお、段差部２１６は、上面、及び、この上面と交わり下方に進む側面のみから構成される。１または複数の内側面２１４には、基部２１０の上面２１１と交わる側面と、段差部２１６の側面と、が含まれる。
基部２１０は、セラミックを主材料として形成することができる。例えば、セラミックとして、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、炭化ケイ素を用いることができる。なお、セラミックに限らず、絶縁性を有する他の材料を主材料に用いて形成してもよい。
また、基部２１０の底面２１２には、１または複数の金属膜が設けられる。また、基部２１０の上面２１１には１または複数の金属膜が設けられる。また、底面２１２に設けられる１または複数の金属膜には、上面２１１に設けられた金属膜と電気的に接続する金属膜が含まれる。
（発光素子２２０）
発光素子２２０は、半導体レーザ素子である。なお、半導体レーザ素子でなくてもよい。例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）や有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）など、光を発する素子であれば、発光装置２の発光素子２２０に採用できる。図示される発光装置２の例では、発光素子２２０として、半導体レーザ素子２０が採用されている。
図示される半導体レーザ素子２０は、上面視で長方形の外形を有する。また、長方形の２つの短辺のうちの一辺と交わる側面が、半導体レーザ素子２０から放射される光の出射端面となる。また、半導体レーザ素子２０の上面及び下面は、出射端面よりも面積が大きい。
なお、半導体レーザ素子２０から放射される光（レーザ光）は拡がりを有し、光の出射端面と平行な面において楕円形状のファーフィールドパターン（以下「ＦＦＰ」という。）を形成する。ここで、ＦＦＰとは、出射端面から離れた位置における出射光の形状や光強度分布を示す。
半導体レーザ素子２０から出射される光は、光の出射端面と平行な平面において、活性層を含む複数の半導体層の層方向を短径とし、それに垂直な積層方向を長径とする楕円形状のＦＦＰを形成する。短径に対応する層方向をＦＦＰの水平方向、長径に対応する積層方向をＦＦＰの垂直方向というものとする。
また、半導体レーザ素子２０のＦＦＰの光強度分布に基づいて、ピーク強度値に対する１／ｅ２以上の強度を有する光を、主要部分の光と呼ぶものとする。また、この光強度分布の半値全幅に相当する角度を拡がり角と呼ぶものとする。ＦＦＰの垂直方向における拡がり角は垂直方向の拡がり角と呼び、ＦＦＰの水平方向における拡がり角は水平方向の拡がり角と呼ぶものとする。
発光素子２２０には、発光素子２２０から出射される光の発光ピーク波長が、３２０ｎｍ〜５３０ｎｍの範囲、典型的には、４３０ｎｍ〜４８０ｎｍの範囲にあるものを用いることができる。このような半導体レーザ素子２０としては、窒化物半導体を含む半導体レーザ素子が挙げられる。窒化物半導体としては、例えば、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、及びＡｌＧａＮを用いることができる。なお、発光素子２２０から出射される光は、これに限らなくてよい。
（サブマウント２３０）
サブマウント２３０は、直方体の形状で構成され、下面、上面、及び、側面を有する。また、サブマウント２３０は上下方向の幅が最も小さい。なお、形状は直方体に限らなくてよい。サブマウント２３０は、例えば、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、又は炭化ケイ素を用いて形成される。なお、他の材料を用いてもよい。また、サブマウント２３０の上面には金属膜が設けられている。
（光反射部材２４０）
光反射部材２４０は、光を反射する光反射面２４１を有する。光反射面には、例えば、照射された光のピーク波長に対する光反射率が９０％以上となる面が設けられる。ここでの光反射率は１００％以下あるいは１００％未満とすることができる。
また、光反射部材２４０は、複数の光反射面２４１を有する。複数の光反射面２４１には、いずれも平面形状で、下面に対して傾斜しており、互いに下面に対する傾斜角が異なる２つの光反射面２４１が含まれる。この２つの光反射面２４１はいずれも、下面に対する配置関係が垂直でも平行でもない。また、２つの光反射面２４１は連続して繋がっており、一体的な１つの反射領域を形成する。なお、光反射面２４１の形状は、平面形状に限らず、例えば、曲面形状であってもよい。
光反射部材２４０は、その外形を形成する主材料に、ガラスや金属などを用いることができる。主材料は熱に強い材料がよく、例えば、石英若しくはＢＫ７（硼珪酸ガラス）等のガラス、アルミニウム等の金属、又はＳｉを用いることができる。また、光反射面は、例えば、Ａｇ、Ａｌ等の金属やＴａ２Ｏ５／ＳｉＯ２、ＴｉＯ２／ＳｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５／ＳｉＯ２等の誘電体多層膜を用いて形成することができる。
（保護素子２５０）
保護素子２５０は、発光素子などの特定の素子に過剰な電流が流れて破壊されてしまうことを防ぐためのものである。保護素子２５０としては、例えば、Ｓｉで形成されたツェナーダイオードを用いることができる。
（温度測定素子２６０）
温度測定素子２６０は、周辺の温度を測定するための温度センサとして利用される素子である。温度測定素子２６０としては、例えば、サーミスタを用いることができる。
（配線２７０）
配線２７０は、２つの構成要素間の電気的な接続に用いられる。配線２７０としては、例えば、金属のワイヤを用いることができる。
（波長変換部材２８０）
波長変換部材２８０は、金属成膜部材１の一つの形態である。波長変換部材２８０は、波長変換部２８１、光反射部２８２、及び、遮光膜２８３を有する。
波長変換部材２８０における波長変換部２８１は、金属成膜部材１におけるセラミック部材１１１に対応する。波長変換部材２８０における光反射部２８２は、金属成膜部材１における接続部材１１２に対応する。波長変換部材２８０における遮光膜２８３は、金属成膜部材１における貴金属膜１２０に対応する。従って、波長変換部２８１、光反射部２８２、及び、遮光膜２８３に対しても、セラミック部材１１１、接続部材１１２、及び、貴金属膜１２０に対してした説明と同様のことがいえる。
波長変換部材２８０は、母材の表面に遮光膜２８３が設けられて形成される。波長変換部２８１と、光反射部２８２と、を一体的に形成することで、波長変換部材２８０の母材が形成される。波長変換部材２８０の母材は、金属成膜部材１における複合セラミック部材１１０に対応する。従って、波長変換部材２８０の母材に対しても、複合セラミック部材１１０に対してした説明と同様のことがいえる。なお、波長変換部材２８０は、さらに、金属膜１３０、あるいは、黒色膜１４０を有していてもよい。
波長変換部材２８０は、入射した光を異なる波長の光に変換し、変換された光を出射する。また、波長変換部材２８０は、入射した光の一部を出射する。なお、波長変換部材２８０は、入射した光を全て異なる波長の光に変換してもよい。この場合、波長変換部材２８０に入射した光は、波長変換部材２８０から出射されない。
波長変換部２８１は、波長変換部２８１に入射した光を、異なる波長の光に変換する。波長変換部２８１は、セラミックスを主材料とし、蛍光体を含有させて形成することができる。なお、波長変換部２８１が熱によって変形や変色などの変質が生じないように、融点が１３００℃〜２５００℃の材料を主材料に用いるのが好ましい。
例えば、波長変換部２８１は、蛍光体と酸化アルミニウム等の透光性材料とを焼結させて形成することができる。蛍光体の含有量は、セラミックスの総体積に対して０．０５体積％〜５０体積％とすることができる。また例えば、蛍光体の紛体を焼結させた、実質的に蛍光体のみからなるセラミックスを用いてもよい。また、波長変換部２８１は、蛍光体の単結晶で形成されてもよい。蛍光体の単結晶は、貴金属との密着力が小さい。
蛍光体としては、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）、セリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット（ＬＡＧ）、ユウロピウム及び／又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム（ＣａＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2）、ユウロピウムで賦活されたシリケート（（Ｓｒ，Ｂａ）2ＳｉＯ4）、αサイアロン蛍光体、βサイアロン蛍光体等が挙げられる。なかでも、耐熱性が良好であり、青色の励起光と組み合わせて白色光の発光が可能となる蛍光体であるＹＡＧ蛍光体を用いることが好ましい。
光反射部２８２は、波長変換部２８１から光反射部２８２に向かって照射された光を反射する。また、光反射部２８２の内側面は波長変換部２８１の側面と接している。光反射部２８２は、波長変換部２８１に入射した光、または、波長変換部２８１によって波長変換された光を、光反射部２８２の内側面において反射する。
光反射部２８２は、セラミックスを主材料に用いて形成することができる。また、これに限らず、金属や、セラミックスと金属の複合体などを用いてもよい。高反射率を有するセラミック材料としては、例えば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）が挙げられる。
また、光反射部２８２には、波長変換部２８１による熱を排熱する高熱伝導率の材料を用いるのが好ましい。高熱伝導率の材料が主材料に用いられた光反射部２８２は、波長変換部２８１における熱を排熱する放熱機能を有し、この観点から光反射部２８２に代えて放熱部材と捉えることもできる。アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）は、高熱伝導率を有するセラミック材料である。
波長変換部材２８０の母材を構成する波長変換部２８１及び光反射部２８２には、発光装置２の動作時に光が照射される。そのため、波長変換部材２８０の母材は、光の照射により分解されにくい無機材料を主材料に用いて形成することが好ましい。なお、無機材料でなくてもよい。
（透光性部材２９０）
透光性部材２９０は、下面と、上面と、側面とを有する。また、透光性部材２９０は、光を透過する透光性を有する。ここで、透光性とは、光に対する透過率が８０％以上であることとする。また、透光性部材２９０は、直方体の平板形状で構成される母材を有する。なお、形状は直方体に限らない。
透光性部材２９０の母材は、サファイアを主材料に用いて形成することができる。サファイアは、比較的透過率が高く、比較的強度も高い材料である。なお、主材料には、サファイアの他に、例えば、石英、炭化ケイ素、又は、ガラス等を用いることもできる。
（遮光部材３００）
遮光部材３００は、遮光性を有する樹脂によって形成される。ここで、遮光性とは光を透過しない性質を示し、光を遮る性質の他、吸収する性質や反射する性質などを利用して、遮光性を実現してもよい。例えば、樹脂に、光拡散材及び／又は光吸収材等のフィラーを含有させることで形成できる。
遮光部材３００を形成する樹脂としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、ＢＴレジン等が挙げられる。また、光吸収性のフィラーとしては、カーボンブラック等の暗色系の顔料等が挙げられる。
次に、これらの構成要素を用いて製造される発光装置２について説明する。
まず、基部２１０の底面２１２に２つの光反射部材２４０が配置される。２つの光反射部材２４０は、それぞれ異なる金属膜の上に配置され、その下面が基部２１０の底面２１２に接合される。また、２つの光反射部材２４０は、点ＳＰに対して点対称に配置される（図１１参照）。また、２つの光反射部材２４０は、上面視で、光反射面２４１の上端が、基部２１０の内側面２１４または外側面２１５と平行あるいは垂直である。
次に、基部２１０の底面２１２に、保護素子２５０と温度測定素子２６０とが配置される。保護素子２５０は、２つの光反射部材２４０のうちの一方が配置されている金属膜に配置され、接合される。温度測定素子２６０は、２つの光反射部材２４０が配置された金属膜とは異なる金属膜の上に配置され、接合される。
次に、基部２１０の底面２１２に２つのサブマウント２３０が配置される。２つのサブマウント２３０は、それぞれ異なる金属膜の上に配置され、その下面が基部２１０の底面２１２に接合される。また、２つのサブマウント２３０はそれぞれ、光反射部材２４０が配置されている金属膜に配置される。なお、サブマウント２３０と光反射部材２４０は、異なる金属膜に配置されていてもよい。
次に、発光素子２２０がサブマウント２３０に配置される。図示される発光装置２の例では、半導体レーザ素子２０がサブマウント２３０に配置される。また、２つの半導体レーザ素子２０は、それぞれ異なるサブマウント２３０の上面に配置され、その下面が接合される。また、２つの半導体レーザ素子２０は、点ＳＰに対して点対称に配置される。つまり、２つの半導体レーザ素子２０が対称となる点と、２つの光反射部材２４０が対称となる点と、は同じ位置にある。以降の説明では、この点ＳＰを、対称点と呼ぶものとする。
２つの半導体レーザ素子２０は、上面視で、出射端面が、基部２１０の内側面２１４または外側面２１５と平行及び垂直にならない。そのため、光反射面２４１の上端とも、平行及び垂直にならない。つまり、半導体レーザ素子２０は、上面視で、基部２１０の内側面２１４及び外側面２１５、または、光反射面２４１の上端、に対して出射端面が斜めになるように配置される。
なお、半導体レーザ素子２０を斜めに配置する代わりに、光反射部材２４０を斜めに配置するようにしてもよい。つまり、半導体レーザ素子２０を、基部２１０の内側面２１４または外側面２１５と平行あるいは垂直に配置し、光反射部材２４０を平行及び垂直にならないように配置してもよい。
２つの半導体レーザ素子２０のそれぞれで、出射端面から出射された光は、対応する光反射部材２４０に照射される。対応する光反射部材２４０とは、同じ金属膜に配置されている光反射部材２４０である。少なくとも主要部分の光が光反射面２４１に照射されるように、半導体レーザ素子２０は配置される。
また、対応する半導体レーザ素子２０と光反射部材２４０との間で、光反射部材２４０よりも半導体レーザ素子２０の方が対称点から遠い位置にある。従って、半導体レーザ素子２０から出射された光は、対称点に近付く方向に進む。また、２つの発光素子２２０のうちの少なくとも一方は温度測定素子２６０に近い位置に配される。これにより、発光素子２２０の温度を良好に測定することができる。
発光素子２２０が配されたサブマウント２３０は、発光装置２において、発光素子２２０から発生した熱を逃がす放熱部材としての役割を果たしている。サブマウント２３０を放熱部材として機能させるには、発光素子２２０よりも熱伝導率の良い材料で形成すればよい。また、基部の底面よりも熱伝導率の良い材料で形成すると、より高い放熱効果を得ることができる。
また、サブマウント２３０は、発光装置２において、半導体レーザ素子２０の光の出射位置を調整する役割を果たすことができる。例えば、光軸を通る光が底面２１２と水平になるようにし、かつ、光反射面２４１の所定の位置に照射させたい場合に、サブマウントを調整部材として用いられる。
次に、発光素子２２０、保護素子２５０、及び、温度測定素子２６０を電気的に接続するための複数の配線２７０が接合される。電気的な接続には、基部２１０の底面２１２に設けられた金属膜を利用する。これにより、基部２１０の上面２１１の金属膜を介して、これらの素子と外部電源とを電気的に接続することができる。
次に、透光性部材２９０が基部２１０の上面に配置される。また、透光性部材２９０の下面が基部２１０と接合する。また透光性部材２９０が、基部２１０の段差部２１６の上面と接合する。透光性部材２９０が基部２１０に接合されることで、半導体レーザ素子２０が配された閉空間が形成される。このように、発光装置２では、透光性部材２９０は蓋部材としての役割を果たすことができる。また、この閉空間は気密封止された状態で形成される。気密封止されることで、半導体レーザ素子２０の光の出射端面に有機物等が集塵することを抑制できる。
また、透光性部材２９０の上面には、波長変換部材２８０が配置される。波長変換部材２８０は、透光性部材２９０と接合する。透光性部材２９０を基部２１０に接合させるとき、波長変換部材２８０は既に透光性部材２９０と接合している。あるいは、透光性部材２９０を基部２１０に接合してから、波長変換部材２８０を透光性部材２９０に接合してもよい。
発光素子２２０によって出射された光の主要部分は、透光性部材２９０に入射する。透光性部材２９０は、発光素子２２０によって出射された光に対して透光性を有する。また、光の主要部分は、波長変換部材２８０に入射する。また、光の主要部分は、波長変換部材２８０の波長変換部２８１に入射する。また、光の主要部分は、透光性部材２９０を透過した後に波長変換部材２８０に入射する。
波長変換部材２８０は、その下面において、主要部分の光が入射する光入射領域と、その周辺領域と、を有する。また、波長変換部材２８０において、波長変換部２８１が光入射領域を形成する。発光素子２２０からの光または波長変換された光は、波長変換部２８１の上面から発光装置２の外部に出射される。つまり、波長変換部２８１の上面が、発光装置２の光取出面となる。
遮光膜２８３は、波長変換部材２８０の上面側に設けられる。また、遮光膜２８３は発光装置２の光取出面側に設けられる。また、遮光膜２８３は、光反射部２８２の上面に設けられる。遮光膜２８３の境界は、光取出面となる波長変換部２８１と光反射部２８２との境界と一致する。貴金属膜１２０によって高精度に設けられた遮光膜２８３は、光取出面となる波長変換部２８１以外からの光の漏れを抑制することができ、優れた品質の発光装置２を実現することができる。
例えば、発光装置２あるいは波長変換部材２８０を量産する場合、セラミックを主材料とする波長変換部２８１の形状にはばらつきが生じる。メタルマスク等を利用して必要な領域に遮光膜を設ける方法と比較して、実施形態の方法は、このような形状のばらつきが遮光膜の精度に与える影響を小さくすることができる。
また、遮光膜２８３は、好ましくは、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲の膜厚で形成するとよい。この範囲で形成することで、適当な量の貴金属で、遮光膜としての機能を十分に果たすことができる。
なお、遮光膜２８３の上にさらに黒色膜１４０が設けられた波長変換部材２８０の場合、発光装置２は、戻り光などの発光装置２の外部から発光装置２へと向かう光を吸収することができる。つまり、遮光膜２８３や金属膜１３０では、このような光は反射されるが、黒色膜１４０を設けることで、戻り光などの反射を抑制することができる。
なお、波長変換により生じる熱が特定の箇所に集中すると波長変換部２８１による光の変換効率が低下しやすいため、波長変換部２８１に入射する光の分布は拡散している方がよい。例えば、２つの半導体レーザ素子２０のそれぞれから出射されたレーザ光の光強度の強い部分が重ならないようにするとよい。例えば、光反射部材２４０の光反射面２４１を調整することで、このような制御が可能である。
なお、透光性部材２９０の上面の方が、波長変換部材２８０の下面よりも大きい。また、上面視で、透光性部材２９０の上面は、波長変換部材２８０の下面を囲う。あるいは、波長変換部材２８０を囲う。
次に、遮光部材３００が、基部２１０の上面２１１による枠の内側に形成される。遮光部材３００は、基部２１０と波長変換部材２８０との隙間を埋めるようにして形成される。遮光部材３００は、例えば、熱硬化性の樹脂を流し込み、これを熱で硬化させることで形成できる。遮光部材３００を設けることで光の漏れを抑制する。
遮光部材３００は、基部２１０の上面２１１と交わる内側面２１４、基部２１０の段差部２１６の上面、透光性部材２９０の側面、透光性部材２９０の上面、及び、波長変換部材２８０の側面、に接する。また、波長変換部材２８０の上面には達さない。あるいは、光反射部２８２の上面に達したとしても、波長変換部２８１の上面には達さない。つまり、遮光部材３００によっては、波長変換部２８１と光反射部２８２の境界まで高精度に遮光を実現することは困難であり、遮光膜２８３と合わせることで。光取出面以外からの光の漏れを高精度に抑制することができる。
以上、説明してきたが、明細書により開示された技術的特徴を有した本発明は、明細書の実施形態で説明した構造に限られるわけではない。例えば、実施形態に開示のない構成要素を有する装置などにおいても本発明は適用され得るものであり、開示された構造と違いがあることは本発明を適用できないことの根拠とはならない。また、発明を完成させるための最小の構成要素という観点でみれば、実施形態により開示された装置などが有する構成要素の中には、必須でない構成要素も含まれ得るといえる。
このことはつまり、本明細書の実施形態により開示される装置などには、発明の完成という観点の他、一つの利用形態を想定した合理的構成の開示という観点も含まれるということである。発明の適用はその例示的な利用形態に限られるものではない一方で、その利用形態に適用することで効果的に作用する側面もある。
このような点から、本発明（特許請求の範囲）においては、一実施形態において開示された全ての構成要素を備えることは必須ではないこともあり得る。例えば、特許請求の範囲に、実施形態により開示された装置などが有する一部の構成要素が記載されていなかった場合、その構成要素については、本実施形態に開示されたものに限らず、代替、省略、形状の変形、材料の変更などといった当業者による設計の自由度を認め、その上で特許請求の範囲に記載された発明が適用されることを請求するものである。
実施形態に記載の金属成膜部材及び発光装置は、車載ヘッドライトに利用することができる。つまり、車載ヘッドライトは、本発明が適用される一つの利用形態といえる。なお、本発明は、これに限らず、照明、プロジェクター、ヘッドマウントディスプレイ、その他ディスプレイのバックライト等の光源に利用することができる。またあるいは、本発明に係る金属成膜部材の利用形態はこれらに限らず、多岐に亘って利用され得るものである。
１ 金属成膜部材
１１０ 複合セラミック部材
１１１ セラミック部材
１１２ 接続部材
１２０ 貴金属膜
１３０ 金属膜
１４０ 黒色膜
２ 発光装置
２１０ 基部
２１１ 上面
２１２ 底面
２１３ 下面
２１４ 内側面
２１５ 外側面
２１６ 段差部
２２０ 発光素子
２３０ サブマウント
２４０ 光反射部材
２４１ 光反射面
２５０ 保護素子
２６０ 温度測定素子
２７０ 配線
２８０ 波長変換部材
２８１ 波長変換部
２８２ 光反射部
２８３ 遮光膜
２９０ 透光性部材
３００ 遮光部材

Claims (21)

  1. セラミック部材と、前記セラミック部材と接続する接続部材と、を有する複合セラミック部材であって、前記セラミック部材よりも前記接続部材の方が貴金属との密着力が大きい前記複合セラミック部材を準備する工程と、
    前記セラミック部材の一部の表面及び前記接続部材の一部の表面が少なくとも含まれる表面領域に貴金属膜を設ける工程と、
    前記複合セラミック部材の前記表面領域に設けられた前記貴金属膜のうち、前記セラミック部材と前記接続部材の境界を境にして、前記セラミック部材の表面上に設けられた前記貴金属膜を除去する工程と、
    を含む、金属成膜部材の製造方法。
  2. 前記複合セラミック部材を準備する工程において、前記セラミック部材が第１セラミック部材であり、前記接続部材が第２セラミック部材であり、かつ、前記第１セラミック部材と前記第２セラミック部材の空隙率に差がある前記複合セラミック部材を準備する請求項１に記載の製造方法。
  3. 前記表面領域に貴金属膜を設ける工程において、前記第２セラミック部材の表面上に形成された空隙に貴金属が入り込んだ前記貴金属膜を設ける請求項２に記載の製造方法。
  4. 前記貴金属膜を除去する工程において、空隙によって貴金属との密着力が前記第１セラミック部材よりも大きくなった前記第２セラミック部材の表面上に設けられた前記貴金属膜を残し、かつ、貴金属との密着力が前記第２セラミック部材よりも小さくなった前記第１セラミック部材の表面上に設けられた前記貴金属膜を除去する請求項２または３に記載の製造方法。
  5. 前記貴金属膜を設ける工程において、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｒｈの中から選択される１以上の材料を含む前記貴金属膜を設ける請求項１乃至４のいずれか一項に記載の製造方法。
  6. 前記貴金属膜を除去する工程において、前記複合セラミック部材の表面上に設けられた前記貴金属膜の上に、剥離膜を設け、前記セラミック部材の表面上に設けられた前記貴金属膜を除去する請求項１に記載の製造方法。
  7. 前記貴金属膜を除去する工程において、前記貴金属膜の上に、前記貴金属膜を形成する材料と異なる金属で形成される前記剥離膜を設ける請求項６に記載の製造方法。
  8. 前記貴金属膜を除去する工程において、前記剥離膜は、前記接続部材の表面上に設けられた前記貴金属膜の上に設けられたままである請求項６または７に記載の製造方法。
  9. セラミック部材と、
    前記セラミック部材と接続する接続部材と、
    前記セラミック部材と前記接続部材との境界に沿って、前記接続部材の表面上に形成される貴金属膜と、を有し、
    前記境界を境に、前記接続部材の表面の方が前記セラミック部材の表面よりも、貴金属との密着力が大きい、金属成膜部材。
  10. 前記セラミック部材は第１セラミック部材であり、前記接続部材は第２セラミック部材であり、前記第１セラミック部材及び前記第２セラミック部材が一体的に焼結された一体焼結体で形成される請求項９に記載の金属成膜部材。
  11. 前記セラミック部材は第１セラミック部材であり、前記接続部材は第２セラミック部材であり、前記第２セラミック部材の方が前記第１セラミック部材よりも空隙率が大きい、請求項９に記載の金属成膜部材。
  12. 前記貴金属膜は、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｒｈの中から選択される１以上の貴金属を含む請求項９乃至１１のいずれか一項に記載の金属成膜部材。
  13. セラミック部材と前記セラミック部材よりも貴金属との密着力が大きい接続部材とが連続する複合セラミック部材の表面領域に貴金属膜を設ける工程と、前記表面領域に設けられた前記貴金属膜のうちセラミック部材の表面上に設けられた前記貴金属膜を除去する工程と、を含む方法で製造される、前記貴金属膜の境界と前記セラミック部材と前記接続部材との境界とが一致する金属成膜部材。
  14. 第１セラミック部材と、
    前記第１セラミック部材と接続する第２セラミック部材と、
    前記第１セラミック部材と前記第２セラミック部材との境界に沿って、前記第２セラミック部材の表面上に形成される貴金属膜と、を有し、
    前記第２セラミック部材は、前記貴金属膜が形成される表面の表面粗さＲｚが０．１０μｍ以上である金属成膜部材。
  15. 蛍光体を有する波長変換部と、
    前記波長変換部と接続する光反射部と、
    前記波長変換部と前記光反射部との境界に沿って、前記光反射部の表面上に形成される遮光膜と、を有し、
    前記遮光膜は、貴金属膜であり、
    前記境界を境にして、前記光反射部の表面の方が前記波長変換部の表面よりも、貴金属との密着力が大きい、波長変換部材。
  16. 前記波長変換部は、セラミックの焼結体、または、前記蛍光体の単結晶で形成される請求項１５に記載の波長変換部材。
  17. 波長変換部と、
    セラミックを主材料とし、前記波長変換部と接続する接続部材と、
    前記波長変換部と前記接続部材との境界に沿って、前記接続部材の表面上に形成される遮光膜と、を有し、
    前記遮光膜は、貴金属膜であり、
    前記接続部材は、前記貴金属膜が形成される表面の表面粗さＲｚが０．１０μｍ以上である波長変換部材。
  18. 発光素子と、
    前記発光素子が配置されるパッケージと、
    波長変換部、前記波長変換部と接続する接続部材、及び、前記接続部材の表面上に形成される遮光膜と、を有し、直接または間接的に前記パッケージと接続する波長変換部材と、
    を備え、
    前記遮光膜は、前記波長変換部と前記接続部材との境界に沿って、前記接続部材の表面上に形成される貴金属膜であり、
    前記境界を境に、前記接続部材の表面の方が前記波長変換部の表面よりも、貴金属との密着力が大きい、発光装置。
  19. 前記波長変換部材は、前記接続部材の上に設けられた前記遮光膜の上に、さらに黒色膜を有する請求項１８に記載の発光装置。
  20. 前記遮光膜は、前記発光素子から出射された光が入射する面と反対側の面に配置される請求項１８又は１９に記載の発光装置。
  21. 発光素子と、
    前記発光素子が配置されるパッケージと、
    波長変換部、セラミックを主材料とし前記波長変換部と接続する接続部材、及び、前記接続部材の表面上に形成される遮光膜と、を有し、直接または間接的に前記パッケージと接続する波長変換部材と、
    を備え、
    前記遮光膜は、前記波長変換部と前記接続部材との境界に沿って、前記接続部材の表面上に形成される貴金属膜であり、
    前記接続部材は、前記貴金属膜が形成される表面の表面粗さＲｚが０．１０μｍ以上である発光装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP4087244B2 (ja) * 2002-12-20 2008-05-21 電気化学工業株式会社 セラミックスの改質方法
JP6955151B2 (ja) * 2017-09-13 2021-10-27 日亜化学工業株式会社 光学部品、光学部品を用いた発光装置、及び光学部品の製造方法
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