強誘電体メモリのためのマルチレベルアクセシング、センシング、および他の動作のための技法、方法、および装置が説明されている。いくつかの例では、センシングは、メモリセルに関連付けられる複数の電荷に基づくことが可能であり、また、強誘電体メモリセルの誘電体に関連付けられる第1の電荷、および、強誘電体メモリセルの分極に関連付けられる第2の電荷に関連することが可能である。これらの2つの電荷のセンシングは、複数のメモリ状態を生成させるために、1つのストレージタイプ(たとえば、分極に関連付けられる電荷)のセンスウィンドウを複数のセグメントにスプリットすることに関連付けられる問題および欠点を回避することが可能である。それに加えて、場合によっては、絶縁されているセンスアンプを使用するときに、2つのセンシングサイクルは、強誘電体セルから3つのメモリレベルをセンシングするように実施され得る。1つの例として、1つのレベルは、誘電体関連の電荷に基づくことが可能であり、2つのレベルは、分極関連の電荷に基づくことが可能である。別の例として、2つのレベルが、誘電体関連の電荷に基づくことが可能であり、1つのレベルが、分極関連の電荷に基づくことが可能である。強誘電体メモリのためのマルチレベルアクセシング(たとえば、書き込み、読み出し)、センシング、および他の動作は、極性に基づいて、分極関連の電荷と誘電体関連の電荷との間のメモリレベルをスプリットすることを促進させ、それは、センシングの間に3つの状態のそれぞれを差別化する信頼性を増加させる。
いくつかの例では、メモリセルは、少なくとも、メモリセルの1つのパーツ(たとえば、誘電体エレメント)に関連付けられる第1の電荷、および、メモリセルの第2のパーツ(たとえば、分極エレメント)に関連付けられる第2の電荷を蓄積することが可能である。センシングは、1つまたは複数の回路コンポーネントを開始させ、第2の電荷(または、第2の電荷の第2の部分)が依然としてメモリセルの中に蓄積されている間に、メモリセルから第1の電荷(または、蓄積された電荷の第1の部分)を移送することに基づくことが可能である。場合によっては、ワードラインは、誘電体に関連する第1の電荷をメモリセルからセンスコンポーネントへ移送するように活性化され得る。場合によっては、センスコンポーネントは、第1の電荷を受け取ることが可能であり、次いで、第1の時間において第1の電荷をセンシングするために、絶縁された後に活性化され得る。センシングされた第1の電荷は、ラッチの中に蓄積され得る。また、センシングは、ワードラインを活性化させ、第1の電荷が蓄積されている間に、メモリセルの分極に関連する第2の電荷を移送することに基づくことが可能である。場合によっては、センスコンポーネントは、メモリセルの分極デバイスに関連付けられる第2の電荷を受け取ることが可能であり、センスコンポーネントは、第2の時間において第2の電荷をセンシングするように活性化され得る。場合によっては、センシングされた第2の電荷は、1つもしくは複数の条件に基づいて、自動的に再蓄積されるかもしくは書き換えられ得、または、1つもしくは複数の動作に基づくことが可能である。
いくつかの例では、分極関連の電荷および誘電体関連の電荷を使用することは、3つの状態のメモリセルを提供する。このタイプのセルを使用することは、2つの状態(たとえば、分極に関連するもの)が不揮発性であることを可能にし、また、1つの状態(たとえば、誘電体に関連するもの)が揮発性であることを可能にすることができる。不揮発性のビットは、パワーダウンまたは非動作状態などのような、第1の状態の間に使用され得、揮発性のビットは、セルのメモリサイズを拡張するための動作状態などのような、第2の状態の間に使用され得る。場合によっては、分極関連の電荷は、プラスの極性またはマイナスの極性を含むことが可能である。場合によっては、誘電体関連の電荷は、プラスの極性またはマイナスの極性を含むことが可能であり、場合によっては、電荷のそれぞれは、同じ極性または異なる極性を有することが可能である。場合によっては、このタイプのメモリセルを使用することは、デュアルストレージ方法または技法を可能にし、それは、それぞれ、メモリセルの誘電体または分極に関連付けられ得る異なる電荷に基づくことが可能である。いくつかの例では、揮発性のストレージ(たとえば、誘電体関連の)および不揮発性のストレージ(たとえば、分極関連の)の両方は、同じ物理的なセルの中で行われることが可能であり、本開示の態様にしたがって、コンパクトなストレージ、および、より効率的な処理および動作を可能にする。アクセシング、センシング、およびその他(下記に説明されているようなもの)を含む、マルチレベル動作において、両方のストレージモードが使用され得る。より詳細に下記に説明されているように、組み合わせられた揮発性のストレージおよび不揮発性のストレージは、DRAMタイプメモリ(たとえば、揮発性のメモリタイプ)およびFeRAMタイプメモリ(たとえば、不揮発性のメモリタイプ)をセルの中に組み込むこと、ならびに、本開示の態様にしたがったそれぞれのタイプに関連付けられる関連の動作に基づくことが可能である。
上記に導入されている本開示の特徴は、メモリアレイの文脈において、さらに下記に説明されている。次いで、特定の例は、強誘電体メモリのためのマルチレベルアクセシング、センシング、および他の動作に関して説明されている。本開示のこれらの特徴および他の特徴は、複数の電荷に基づく強誘電体メモリのためのマルチレベルアクセシング、センシング、および他の動作に関連する装置ダイアグラム、システムダイアグラム、およびフローチャートによってさらに図示されており、また、それを参照して説明されている。
図1は、本開示のさまざまな例による強誘電体メモリのためのマルチレベルアクセシング、センシング、および他の動作をサポートする、例示的なメモリアレイ100を図示している。また、メモリアレイ100は、電子メモリ装置と称され得る。メモリアレイ100は、メモリセル105を含み、メモリセル105は、異なる状態を記憶するようにプログラム可能である。それぞれのメモリセル105は、状態0および状態1として示される2つの状態を記憶するようにプログラム可能であり得る。場合によっては、メモリセル105は、3つ以上のロジック状態(たとえば、3つ以上の値)を記憶するように構成されている。メモリセル105は、キャパシタを含み、プログラム可能な状態を表す電荷を蓄積することが可能である。たとえば、充電されたキャパシタおよび充電されていないキャパシタは、それぞれ、2つのロジック状態を表すことが可能である。DRAMアーキテクチャは、一般に、そのような設計を使用することが可能であり、用いられるキャパシタは、線形の電気的な分極特性を有する誘電材料を含むことが可能である。対照的に、強誘電体メモリセルは、誘電材料として強誘電体を有するキャパシタを含むことが可能である。強誘電体キャパシタの電荷の異なるレベルは、異なるロジック状態を表すことが可能である。場合によっては、強誘電体キャパシタは、誘電体に関連付けられる第1の電荷(または、電荷の第1の部分)、および、分極に関連付けられる第2の電荷(または、電荷の第2の部分)を蓄積することが可能である。強誘電体材料は、非線形の分極特性を有している。強誘電体メモリセル105のいくつかの詳細および利点が、下記に考察されている。
読み出しおよび書き込みなどのような動作は、適当なアクセスライン110およびディジットライン115を活性化または選択することによって、メモリセル105の上で実施され得る。また、アクセスライン110は、ワードライン110とも称され得、ディジットライン115は、ビットライン115とも称され得る。ワードライン110またはディジットライン115を活性化または選択することは、それぞれのラインに電圧を印加することを含むことが可能である。ワードライン110およびディジットライン115は、導電材料から作製されている。たとえば、ワードライン110およびディジットライン115は、金属(たとえば、銅、アルミニウム、金、タングステンなど)、金属合金、または他の導電材料などから作製され得る。図1の例によれば、メモリセル105のそれぞれの行は、単一のワードライン110に接続されており、メモリセル105のそれぞれの列は、単一のディジットライン115に接続されている。
1つのワードライン110および1つのディジットライン115を活性化させることによって(たとえば、ワードライン110またはディジットライン115に電圧を印加することによって)、単一のメモリセル105が、それらの交点においてアクセスされ得る。メモリセル150にアクセスすることは、メモリセル105を読み出すかまたは書き込むことを含むことが可能である。ワードライン110およびディジットライン115の交点は、メモリセルのアドレスと称され得る。いくつかの例では、読み出し動作は、強誘電体メモリからの複数のレベルをセンシングすることを含むことが可能である。これらの動作は、誘電体電荷がセンスアンプの中に受け入れられることによって、センスアンプを絶縁および活性化させることによって、ならびに、電荷をラッチの中に蓄積することによって、メモリセルからの誘電体電荷をセンシングすることを含むことが可能である。また、これらの動作は、分極電荷がセンスアンプの中に受け入れられることによって、および、センスアンプを活性化させることによって、メモリセルからの分極電荷をセンシングすることを含むことが可能である。いくつかの例では、メモリセルからの誘電体電荷および分極電荷の極性に少なくとも部分的に基づいて、読み出し動作は、強誘電体メモリからの複数のレベルをセンシングすることを含むことが可能である。いくつかの例では、メモリセルからの誘電体電荷および分極電荷の極性に少なくとも部分的に基づいて、読み出し動作が実施され得る。いくつかの例では、この読み出し動作は、セルにアクセスし、最初に、誘電体電荷の極性を決定し、決定された誘電体電荷極性を記憶し、セル(すなわち、同じセルまたは異なるセル)にアクセスし、メモリセルからの分極電荷を決定し、次いで、本開示のさまざまな態様において説明されているように、読み出しに基づいて、1つまたは複数の他のアクションを開始させることを含むことが可能である。場合によっては、異なる電荷関連の情報の読み出し動作は、同時に、重なり合うインターバルで、直列に、連続的なインターバルで、または並列に実施され得る。
いくつかのアーキテクチャでは、セルのロジック記憶デバイス、たとえば、キャパシタは、選択コンポーネントによってディジットラインから電気的に絶縁され得る。ワードライン110は、選択コンポーネントに接続され得、また、選択コンポーネントを制御することが可能である。たとえば、選択コンポーネントは、トランジスタであることが可能であり、ワードライン110は、トランジスタのゲートに接続され得る。ワードライン110を活性化させることは、メモリセル105のキャパシタとその対応するディジットライン115との間に、電気的な接続または閉じた回路を結果として生じさせる。ディジットラインは、次いで、メモリセル105を読み出すかまたは書き込むかのいずれかのためにアクセスされ得る。いくつかの例では、ワードライン110は、センシングを促進させるために複数回活性化され得る。場合によっては、ワードライン110は、第1の時間に、第1のタイプの第1の電荷(たとえば、誘電体電荷)のセンシングを促進させるために、および、第2の時間に、第2のタイプの第2の電荷(たとえば、分極電荷)のセンシングを促進させるために活性化され得る。場合によっては、第1の時間および第2の時間は、時間的に非連続的でありまたは分離され得る。
メモリセル105にアクセスすることは、行デコーダ120および列デコーダ130を通して制御され得る。いくつかの例では、行デコーダ120は、メモリコントローラ140から行アドレスを受け取り、受け取られた行アドレスに基づいて、適当なワードライン110を活性化させる。同様に、列デコーダ130は、メモリコントローラ140から列アドレスを受け取り、適当なディジットライン115を活性化させる。たとえば、メモリアレイ100は、複数のワードライン110(WL_1からWL_Mのラベルを付されている)、および、複数のディジットライン115(DL_1からDL_Nのラベルを付されている)を含むことが可能であり、ここで、MおよびNは、アレイサイズに依存している。したがって、ワードライン110およびディジットライン115(たとえば、WL_2およびDL_3)を活性化させることによって、それらの交点におけるメモリセル105がアクセスされ得る。
アクセスすると、メモリセル105が、センスコンポーネント125によって読み取られ(または、センシングされ)、メモリセル105の記憶された状態を決定することが可能である。たとえば、メモリセル105にアクセスした後、メモリセル105の強誘電体キャパシタは、第1の電荷(たとえば、誘電体電荷)をその対応するディジットライン115の上へ放電することが可能である。別の例として、メモリセル105にアクセスした後、メモリセル105の強誘電体キャパシタは、第2の電荷(たとえば、分極電荷)をその対応するディジットライン115の上へ放電することが可能である。強誘電体キャパシタを放電することは、強誘電体キャパシタにバイアシングする(biasing)(または、電圧を印加する)ことに基づくことが可能である。放電することは、ディジットライン115の電圧の変化を誘発させることが可能であり、センスコンポーネント125は、メモリセル105の記憶された状態を決定するために、それを基準電圧(図示せず)と比較することが可能である。たとえば、ディジットライン115が、基準電圧よりも高い電圧を有している場合には、センスコンポーネント125は、メモリセル105の中の記憶された状態が第1の事前定義されたロジック値に関連していることを決定することが可能である。場合によっては、この第1の値は、状態1を含むことが可能であり、または、別の値であることが可能であり、その別の値は、3つ以上の値(たとえば、1セル当たり3つの状態、または、1セル当たり1.5ビット)を記憶することを可能にするマルチレベルセンシングに関連付けられた他のロジック値を含む。いくつかの例では、事前定義されたエンコーディングロジック値は、本開示の態様を参照して説明されているように、メモリセルに書き込むために、および、メモリセルから読み出すために、メモリセル状態の中へマッピングされ得る。センスコンポーネント125は、さまざまなトランジスタまたは増幅器を含むことが可能であり、信号の差を検出および増幅するようになっており、それは、ラッチングと称され得る。次いで、メモリセル105の検出されたロジック状態は、列デコーダ130を通して、出力135として出力され得る。
いくつかの例では、信号の差を検出および増幅することは(すなわち、ラッチング)、第1の時間においてセンスコンポーネント125の中でセンシングされる第1の電荷をラッチングする(latching)ことを含むことが可能である。この第1の電荷の1つの例は、メモリセル105に関連付けられた誘電体電荷をラッチングすることを含むことが可能である。例として、センスコンポーネント125は、メモリセル105に関連付けられた誘電体電荷をセンシングすることが可能である。センシングされた誘電体電荷は、センスコンポーネント125の中のラッチの中にラッチングされ得るか、または、センスコンポーネント125と電子的に通信している別々のラッチの中にラッチングされ得る。いくつかの例では、信号の差を検出および増幅すること(すなわち、ラッチング)は、第2の時間においてセンスコンポーネント125の中でセンシングされる第2の電荷をラッチングすることを含むことが可能である。この第2の電荷の1つの例は、メモリセル105に関連付けられた分極電荷を含むことが可能である。例として、センスコンポーネント125は、メモリセル105に関連付けられた分極電荷をセンシングすることが可能である。センシングされた分極電荷は、センスコンポーネント125の中のラッチの中にラッチングされ得るか、または、センスコンポーネント125と電子的に通信している別々のラッチの中にラッチングされ得る。他の場合には、この第2の電荷は、ラッチングされるのではなく、書き換えられて、メモリセルに戻される。
メモリセル105は、関連のワードライン110およびディジットライン115を活性化させることによって、設定され得る(または、書き込まれ得る)。上記に考察されているように、ワードライン110を活性化させることは、メモリセル105の対応する行をそれらのそれぞれのディジットライン115に電気的に接続する。ワードライン110が活性化されている間に関連のディジットライン115を制御することによって、メモリセル105が書き込まれ得る。すなわち、状態が、メモリセル105の中に記憶され得る。列デコーダ130は、データ(たとえば、入力135)がメモリセル105に書き込まれることを承認することが可能である。強誘電体メモリセル105は、強誘電体キャパシタを横切って電圧を印加することによって書き込まれ得る。このプロセスは、より詳細に下記に考察されている。いくつかの例では、メモリセル105は、読み出し動作の後に、(たとえば、ライトバック動作に基づいて)複数の電荷を含むように書き込まれ得る。場合によっては、メモリセル105は、読み出し動作の後に、セルから(または、代替的に、場合によっては、他のセルから)読み出されたデータをライトバックするために書き込まれ得るか、または、データをリフレッシュするために書き込まれ得る。場合によっては、書き込み動作は、第1の電荷(たとえば、分極電荷)および第2の電荷(たとえば、誘電体電荷)をメモリセル105に書き込むことを含むことが可能である。場合によっては、1つの電荷をメモリセル105に書き込むことは、1つまたは複数の他のコンポーネント(たとえば、センス増幅器)の電圧に対するセルプレートの電圧に基づくことが可能である。場合によっては、第1の電荷(たとえば、分極電荷)をメモリセルに書き込むことは、第2の電荷(たとえば、誘電体電荷)をメモリセルに書き込むことの前に、重なり合うインターバルの間に、または、それと同時に、行われることが可能である。場合によっては、書き込み動作は、メモリセル105の分極状態、誘電体状態、もしくは、その両方を設定することに基づくことが可能であるか、または、セルもしくはコンポーネント選択を使用して1つまたは複数のディジットをフリップさせることによることが可能である。
いくつかのメモリアーキテクチャでは、メモリセル105にアクセスすることは、記憶されたロジック状態を劣化させるかまたは破壊することが可能であり、書き換え動作またはリフレッシュ動作は、オリジナルのロジック状態をメモリセル105に戻すように実施され得る。たとえば、DRAMでは、キャパシタは、センス動作の間に部分的にまたは完全に放電され得、記憶されたロジック状態を破損させる。したがって、ロジック状態は、センス動作の後に、書き換えられ得る。追加的に、単一のワードライン110を活性化させることは、行の中のすべてのメモリセルの放電を結果として生じさせる可能性がある。したがって、行の中のいくつかのまたはすべてのメモリセル105が、書き換えられる必要がある可能性がある。
いくつかのメモリアーキテクチャ(DRAMを含む)は、それらが外部電源によって定期的にリフレッシュされない場合には、時間の経過とともに、それらの記憶された状態を喪失する可能性がある。たとえば、充電されたキャパシタは、時間の経過とともに、漏洩電流を通して放電される可能性があり、記憶された情報の喪失を結果として生じさせる。これらのいわゆる揮発性のメモリデバイスのリフレッシュレートは、比較的に高いことが可能であり(たとえば、DRAMアレイに関して、1秒当たり数十のリフレッシュ動作)、それは、かなりの電力消費を結果として生じさせる可能性がある。ますます大きいメモリアレイが用いられるにつれて、増加した電力消費は、特に、電池などのような、有限の電源に依存するモバイルデバイスに関して、メモリアレイの配備または動作(たとえば、電力供給、熱発生、材料限界など)を阻止する可能性がある。下記に考察されているように、強誘電体メモリセル105は、他のメモリアーキテクチャに対して改善された性能を結果として生じさせ得る有益な特性を有することが可能である。
たとえば、強誘電体メモリセル105は、誘電体電荷および分極電荷などのような、複数の電荷のストレージを可能にすることが可能である。これらの異なる状態を記憶することは、関連のセンスウィンドウをセグメント化または分割する必要なしに、電荷に基づいて、マルチレベルアクセシング、センシング、および他の動作を可能にすることができる。たとえば、場合によっては、強誘電体メモリセル105は、誘電体関連の電荷および分極関連の電荷を蓄積することが可能であり、それらは、対応する極性をそれぞれ有しており、それは、「+」または「−」の符号によって指定され得る。さまざまな動作を実施することによって、極性およびそれぞれの電荷の値が、センシングおよび決定され得、マルチレベルストレージおよびセンシングを可能にする。場合によっては、このストレージおよびセンシングは、異なる極性または同じ極性を有する誘電体関連の電荷および分極関連の電荷に基づくことが可能である。
メモリコントローラ140は、行デコーダ120、列デコーダ130、およびセンスコンポーネント125などのような、さまざまなコンポーネントを通して、メモリセル105の動作(たとえば、読み出す、書き込む、書き換える、リフレッシュするなど)を制御することが可能である。メモリコントローラ140は、所望のワードライン110およびディジットライン115を活性化させるために、行アドレス信号および列アドレス信号を発生させることが可能である。また、メモリコントローラ140は、メモリアレイ100の動作の間に使用されるさまざまな電圧レベルを提供および制御することが可能である。一般的に、本明細書で考察されている印加される電圧の振幅、形状、または持続期間は、調節または変化させられ得、メモリアレイ100を動作させるためのさまざまな動作に関して異なっていることが可能である。そのうえ、メモリアレイ100の中の1つの、複数の、またはすべてのメモリセル105は、同時にアクセスされ得る。たとえば、メモリアレイ100の複数のまたはすべてのセルは、リセット動作の間に同時にアクセスされ得、リセット動作において、すべてのメモリセル105、または、メモリセル105のグループは、単一のロジック状態に設定される。
図2は、例示的な回路200を図示しており、回路200は、メモリセル105を含み、本開示のさまざまな例による強誘電体メモリのマルチレベルアクセシング、センシング、および他の動作をサポートする。回路200は、メモリセル105−a、ワードライン110−a、ディジットライン115−a、およびセンスコンポーネント125−aを含み、それらは、それぞれ、図1を参照して説明されているような、メモリセル105、ワードライン110、ディジットライン115、およびセンスコンポーネント125の例であることが可能である。メモリセル105−aは、ロジックストレージコンポーネント、たとえば、第1のプレート(セルプレート230)および第2のプレート(セルボトム215)を有するキャパシタ205などを含むことが可能である。セルプレート230およびセルボトム215は、それらの間に位置決めされている強誘電体材料を通して容量的に連結され得る。セルプレート230およびセルボトム215の配向は、メモリセル105−aの動作を変化させることなく反転され得る。また、回路200は、選択コンポーネント220および基準信号225を含む。図2の例では、セルプレート230は、プレートライン210を介してアクセスされ得、セルボトム215は、ディジットライン115−aを介してアクセスされ得る。上記に説明されているように、さまざまな状態が、キャパシタ205を充電または放電することによって記憶され得る。
キャパシタ205の記憶された状態は、回路200の中に表されているさまざまなエレメントを動作させることによって、読み出されまたはセンシングされ得る。キャパシタ205は、ディジットライン115−aと電子的に通信していることが可能である。たとえば、選択コンポーネント220が非活性化されているときに、キャパシタ205は、ディジットライン115−aから絶縁され得、また、選択コンポーネント220が活性化されているときに、キャパシタ205は、ディジットライン115−aに接続され得る。選択コンポーネント220を活性化させることは、メモリセル105−aを選択することと称され得る。
場合によっては、選択コンポーネント220は、トランジスタであり、その動作は、トランジスタゲートに電圧を印加することによって制御され、トランジスタゲートにおいて、電圧の大きさは、トランジスタの閾値の大きさよりも大きい。ワードライン110−aは、選択コンポーネント220を活性化させることが可能である。たとえば、ワードライン110−aに印加される電圧が、トランジスタゲートに印加され、キャパシタ205をディジットライン115−aと接続する。代替的な実施形態では、選択コンポーネント220およびキャパシタ205の位置が切り替えられ得、選択コンポーネント220がプレートライン210とセルプレート230との間に接続されるようになっており、かつ、キャパシタ205がディジットライン115−aと選択コンポーネント220の他の端子との間にあるようになっている。この実施形態では、選択コンポーネント220は、キャパシタ205を通してディジットライン115−aと電子的に通信しているままであることが可能である。この構成は、読み出し動作および書き込み動作に関して、代替的なタイミングおよびバイアシングに関連付けられ得る。
メモリセル105−aの動作時に、固定されたまたは一定の電圧が、プレートライン210を使用してセルプレート230に印加され得る。たとえば、固定された電圧は、センスコンポーネント125−aに供給される電圧の半分であることが可能である。すなわち、プレートライン210に印加される電圧は、固定された電圧にあるままであることが可能であり、上記に説明されているように変化させられなくてもよい。この動作は、「固定式のセルプレート」と称され得る。強誘電体メモリセル105−aを読み出すために、ディジットライン115−aは、事実上グランドされており、その後に、ワードライン110−aに電圧を印加する前に、事実上のグランドから絶縁され得る。上記のように、強誘電体メモリセル105−aを選択することは、キャパシタ205を横切る電圧差を結果として生じさせることが可能である。その理由は、プレートライン210が有限の電圧に保持されており、ディジットライン115−aが事実上グランドされていたからである。結果として、ディジットライン115−aの電圧は、変化することが可能であり、たとえば、なんらかの有限の値になることが可能である。場合によっては、この誘発された電圧は、センスコンポーネント125−aにおいて、基準電圧と比較され得る。
キャパシタ205のプレート間の強誘電体材料に起因して、および、より詳細に下記に考察されているように、キャパシタ205は、ディジットライン115−aに接続すると、放電しないことが可能である。1つの方式では、強誘電体キャパシタ205によって記憶されたロジック状態をセンシングするために、ワードライン110−aは、メモリセル105−aを選択するようにバイアシングされ得、電圧がプレートライン210に印加され得る。場合によっては、ディジットライン115−aは、事実上グランドされており、次いで、プレートライン210およびワードライン110−aにバイアシングする前に、事実上のグランドから絶縁される(すなわち、「フローティング」)。プレートライン210にバイアシングすることは、キャパシタ205を横切る電圧差(たとえば、プレートライン210電圧−マイナス−ディジットライン115−a電圧)を結果として生じさせることが可能である。電圧差は、キャパシタ205の上に蓄積された電荷の変化を生み出すことが可能であり、ここで、蓄積された電荷の変化の大きさは、キャパシタ205の初期状態に依存し得、たとえば、初期状態が事前定義されたロジック値を記憶したかどうか(たとえば、状態1、状態0、3つ以上の可能な値のうちの1つ、記憶された初期状態が誘電体電荷および/または分極電荷を含むかどうか)に依存し得る。これは、キャパシタ205の上に蓄積されている電荷に基づいて、ディジットライン115−aの電圧の変化を誘発させることが可能である。セルプレート230への電圧を変化させることによるメモリセル105−aの動作は、「移動式のセルプレート」と称され得る。
ディジットライン115−aの電圧の変化は、その固有のキャパシタンスに依存することが可能であり、電荷がディジットライン115−aを通って流れるときに、いくつかの有限の電荷が、ディジットライン115−aの中に蓄積され得、結果として生じる電圧は、固有のキャパシタンスに依存する。固有のキャパシタンスは、ディジットライン115−aの物理的な特質(寸法を含む)に依存することが可能である。ディジットライン115−aは、多くのメモリセル105を接続することが可能であり、したがって、ディジットライン115−aは、無視することができないキャパシタンス(たとえば、ピコファラド(pF)のオーダー)を結果として生じさせる長さを有する可能性がある。次いで、結果として生じるディジットライン115−aの電圧は、メモリセル105−aの中に記憶されたロジック状態を決定するために、センスコンポーネント125−aによって基準(たとえば、基準ラインの電圧)に対して比較され得る。
他のセンシングプロセスも使用され得る。たとえば、センシングは、メモリセル(たとえば、メモリセル105−a)に関連付けられる複数の電荷に基づくことが可能である。場合によっては、メモリセル105−aは、少なくとも、メモリセルの1つのパーツまたは態様に関連付けられる第1の電荷、および、メモリセルの第2のパーツまたは態様に関連付けられる第2の電荷を蓄積することが可能である。場合によっては、第1の電荷は、メモリセルの誘電体に関連付けられ得る。場合によっては、第2の電荷は、メモリセルの分極に関連付けられ得る。また、他の例および変形例も企図されている。
センシングは、1つまたは複数の回路コンポーネントを活性化させることに基づいており、第2の電荷が依然としてメモリセル105−aの中に蓄積されている間に、第1の電荷をメモリセル105−aから移送させることを開始することが可能である。場合によっては、ワードライン110−aは、第1の電荷(たとえば、誘電体電荷など)をメモリセルからセンスコンポーネント125−a(たとえば、センス増幅器)へ移送させるように活性化され得る。場合によっては、センスコンポーネント125−aは、メモリセルの誘電体に関連付けられる第1の電荷を受け取ることが可能であり、センス増幅器は、第1の時間において、第1の電荷をセンシングするように活性化され得る。センシングされた第1の電荷は、センスコンポーネント125−aの中に、または、センスコンポーネント125−aと電子的に通信しているコンポーネントの中に蓄積され得る。場合によっては、センシングされた誘電体電荷は、1つまたは複数のラッチの中に蓄積され得る。
また、センシングは、1つまたは複数の回路コンポーネントを活性化させることに基づいており、第1の電荷が1つまたは複数のコンポーネントの中に蓄積されている間に、第2の電荷をメモリセル105−aから移送させることを開始することが可能である。場合によっては、ワードライン110−aは、第2の電荷(たとえば、分極電荷など)をメモリセルからセンスコンポーネント125−a(たとえば、センス増幅器)へ移送させるように活性化され得る。場合によっては、センスコンポーネント125−aは、メモリセルの分極に関連付けられる第2の電荷を受け取ることが可能であり、センス増幅器は、第2の時間において、第2の電荷をセンシングするように活性化され得る。センシングされた第2の電荷は、センスコンポーネント125−aの中に、または、センスコンポーネント125−aに関連するコンポーネントの中に蓄積され得る。場合によっては、センシングされた第2の電荷は、1つまたは複数のラッチの中に蓄積され得る。他の場合には、センシングされた第2の電荷は、蓄積されなくてもよく、単に、センスコンポーネント125−aからメモリセルに再蓄積されるかまたは書き換えられてもよい(たとえば、クイックレスポンス出力に関連する)。
センスコンポーネント125−aは、さまざまなトランジスタまたは増幅器を含み、信号の差を検出および増幅することが可能であり、それは、ラッチングと称され得る。センスコンポーネント125−aは、センス増幅器を含むことが可能であり、センス増幅器は、ディジットライン115−aの電圧および基準信号225を受け取って比較し、基準信号225は、基準電圧であることが可能である。センス増幅器出力は、比較に基づいて、より高い(たとえば、プラス)またはより低い(たとえば、マイナスまたはグランド)供給電圧へと駆動され得る。たとえば、ディジットライン115−aが基準信号225よりも高い電圧を有する場合には、センス増幅器出力は、プラスの供給電圧へと駆動され得る。場合によっては、センス増幅器は、追加的に、ディジットライン115−aを供給電圧へ駆動することが可能である。次いで、センスコンポーネント125−aは、センス増幅器の出力、および/または、ディジットライン115−aの電圧をラッチすることが可能であり、それは、メモリセル105−aの中に記憶された状態、たとえば、状態1、3つの可能な値のうちの第1のものを決定するために使用され得る。代替的に、ディジットライン115−aが基準信号225よりも低い電圧を有する場合には、センス増幅器出力は、マイナスの電圧またはグランド電圧へと駆動され得る。センスコンポーネント125−aは、同様に、センス増幅器出力をラッチし、メモリセル105−aの中に記憶された状態、たとえば、状態0、3つの可能な値のうちの第2のものまたは第3のものを決定することが可能である。次いで、メモリセル105−aのラッチングされたロジック状態が、たとえば、図1を参照した出力135として、列デコーダ130を通して出力され得る。
固定式のセルプレート方式に関して、メモリセル105−aに書き込むことは、選択コンポーネント220を活性化させること、および、ディジットライン115−aを使用してセルボトム215をバイアシングすることを含むことが可能である。場合によっては、セルプレート230の固定された電圧の大きさは、センスコンポーネント125−aの供給電圧間の値であることが可能であり、センスコンポーネント125−aは、ディジットライン115−aの電圧を、高いまたは低い(たとえば、グランドのまたはマイナスの)供給電圧に等しい電圧へ駆動するために使用され得る。たとえば、分極値に関連する第1の事前定義されたロジック値(たとえば、状態0、または、3つ以上の可能な値のうちの第1の事前定義されたロジック値)を書き込むために、セルボトム215が低くされ得、すなわち、ディジットライン115−aの電圧は、低い供給電圧へと駆動され得る。そのうえ、分極値に関連する第2の事前定義されたロジック値(たとえば、状態1、または、3つ以上の可能な値のうちの第2の事前定義されたロジック値)を書き込むために、セルボトム215が高くされ得、たとえば、ディジットライン115−aの電圧は、高い供給電圧へと駆動され得る。
メモリセル105−aに書き込むために、電圧が、キャパシタ205を横切って印加され得る。さまざまな方法が使用され得る。1つの例では、選択コンポーネント220は、キャパシタ205をディジットライン115−aに電気的に接続するために、ワードライン110−aを通して活性化され得る。電圧は、(プレートライン210を通して)セルプレート230の電圧および(ディジットライン115−aを通して)セルボトム215の電圧を制御することによって、キャパシタ205を横切って印加され得る。状態0(または、3つ以上の可能な値のうちの第1の事前定義されたロジック値)を書き込むために、セルプレート230が高くされ得、すなわち、プラスの電圧がプレートライン210に印加され得、また、セルボトム215が低くされ得、たとえば、事実上グランドするか、または、マイナスの電圧をディジットライン115−aに印加する。反対のプロセスが、状態1(または、3つ以上の可能な値のうちの第1の事前定義されたロジック値)を書き込むために実施され、ここでは、セルプレート230が低くされ、セルボトム215が高くされている。
図3Aおよび図3Bは、本開示のさまざまな例による強誘電体メモリのためのマルチレベルアクセシング、センシング、および他の動作をサポートするメモリセルに関して、ヒステリシス曲線300−a(図3A)および300−b(図3B)によって、非線形の電気的な特性の例を図示している。ヒステリシス曲線300−aおよび300−bは、それぞれ、例示的な強誘電体メモリセルの書き込みプロセスおよび読み出しプロセスを図示している。ヒステリシス曲線300は、強誘電体キャパシタ(たとえば、図2のキャパシタ205)の上に蓄積された電荷Qを電圧差Vの関数として示している。
強誘電体材料は、同時の電気的な分極によって特徴付けられており、すなわち、それは、電界がないときに、非ゼロの電気的な分極を維持する。例示的な強誘電体材料は、チタン酸バリウム(BaTiO3)、チタン酸鉛(PbTiO3)、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)、およびストロンチウムビスマスタンタレート(SBT)を含む。本明細書で説明されている強誘電体キャパシタは、これらの強誘電体材料または他の強誘電体材料を含むことが可能である。強誘電体キャパシタの中の電気的な分極は、強誘電体材料の表面において正味の電荷を結果として生じさせ、キャパシタ端子を通して反対の電荷を引き付ける。したがって、電荷は、強誘電体材料のインターフェースおよびキャパシタ端子において蓄積される。電気的な分極は、比較的に長い時間にわたって、外部から印加される電界がないときに維持され得るので、いつまでも続く電荷漏洩は、たとえば、DRAMアレイの中に用いられるキャパシタと比較して、著しく減少され得る。これは、いくつかのDRAMアーキテクチャに関して上記に説明されているようなリフレッシュ動作を実施する必要性を低減させることが可能である。
ヒステリシス曲線300は、キャパシタの単一の端子の視点から理解され得る。例として、強誘電体材料がマイナスの分極を有する場合には、プラスの電荷が端子に蓄積する。同様に、強誘電体材料がプラスの分極を有する場合には、マイナスの電荷が端子に蓄積する。追加的に、ヒステリシス曲線300の中の電圧は、キャパシタを横切る電圧差を表しており、また、方向性があることが理解されるべきである。たとえば、プラスの電圧は、対象の端子(たとえば、セルプレート230)にプラスの電圧を印加することによって、および、第2の端子(たとえば、セルボトム215)をグランド(または、おおよそゼロボルト(0V))に維持することによって、実現され得る。マイナスの電圧は、対象の端子をグランドに維持することによって、および、プラスの電圧を第2の端子に印加することによって、印加され得る。すなわち、プラスの電圧は、対象の端子をマイナスに分極させるように印加され得る。同様に、2つのプラスの電圧、2つのマイナスの電圧、または、プラスの電圧およびマイナスの電圧の任意の組み合わせが、適当なキャパシタ端子に印加され、ヒステリシス曲線300に示されている電圧差を発生させることが可能である。
ヒステリシス曲線300−aに示されているように、強誘電体材料は、ゼロ電圧差によってプラスの分極またはマイナスの分極を維持することが可能であり、2つの可能な充電された状態、すなわち、電荷状態305および電荷状態310を結果として生じさせる。図3の例によれば、電荷状態305は、状態0を表すことが可能であり、電荷状態310は、状態1を表すことが可能である。いくつかの例では、それぞれの電荷状態のロジック値は、メモリセルを動作させるための他の方式を収容するために逆にされ得る。いくつかの例では、電荷状態305は、本開示のさまざまな態様に関して説明されているように、マルチレベル動作に基づいて、3つ以上の可能な値のうちの第1の事前定義されたロジック値を表している。いくつかの例では、電荷状態310は、本開示のさまざまな態様に関して説明されているように、マルチレベル動作に基づいて、3つ以上の可能な値のうちの第2の事前定義されたロジック値を表している。場合によっては、他のロジック値エンコーディングが、合計の利用可能なマルチレベル状態(たとえば、誘電体電荷関連の状態および分極電荷関連の状態)に基づいて可能である(たとえば、非バイナリ)。
ロジック0または1(または、3つ以上の可能な値のうちの第1の事前定義されたロジック値)は、電圧を印加することにより強誘電体材料の電気的な分極を制御することによって、したがって、キャパシタ端子の上の電荷を制御することによって、メモリセルに書き込まれ得る。たとえば、キャパシタを横切って正味のプラスの電圧315を印加することは、電荷状態305−aが到達されるまで、電荷蓄積を結果として生じさせる。電圧315を除去すると、電荷状態305−aは、それがゼロ電位において電荷状態305に到達するまで、経路320を辿る。同様に、電荷状態310は、正味のマイナスの電圧325を印加することによって書き込まれ、それは、電荷状態310−aを結果として生じさせる。マイナスの電圧325を除去した後に、電荷状態310−aは、それがゼロ電圧において電荷状態310に到達するまで、経路330を辿る。また、電荷状態305および310は、残留分極(Pr)値と称され得、それは、すなわち、外部バイアス(たとえば、電圧)を除去したときに残る分極(または、電荷)である。抗電圧(coercive voltage)は、電荷(または分極)がゼロになる電圧である。
場合によっては、強誘電体メモリセルは、メモリセルに関連付けられた分極に関連付けられた電荷を含むことが可能であり、また、メモリセルに関連付けられた誘電体に関連付けられた電荷を含むことが可能である。したがって、いくつかの例では、単一の強誘電体メモリセルは、2つの関連の電荷を有することが可能であり、1つは、誘電体に関連しており、1つは、分極に関連している。場合によっては、これらの電荷のそれぞれの極性は、同じであることが可能である。他の場合には、これらの電荷のそれぞれの極性(すなわち、プラスの符号または値、マイナスの符号または値)は、異なっていてもよい。
いくつかの例では、サイクルは、セルの中の複数の状態のうちの1つを有することによって始まることが可能である。それぞれの状態は、誘電体極性および分極極性に関係することが可能である。1つの例として、電荷状態305−cは、プラスの誘電体極性およびプラスの分極極性の例であることが可能である。別の例として、電荷状態305−b(または、305)は、プラスの誘電体極性およびプラスの分極極性の例であることが可能である。加えて、別の例として、電荷状態360は、マイナスの誘電体極性およびプラスの分極極性の例であることが可能である。別の例として、電荷状態310−b(または、310)は、プラスの誘電体極性およびマイナスの分極極性の例であることが可能である。1つまたは複数の極性を含む他の例が企図されており、それは、誘電体に関連付けられた第1の電荷の極性、および、分極に関連付けられた第2の電荷の極性が、同じ極性、異なる極性、非マイナスの極性、または他の組み合わせになっているものを含む。
強誘電体キャパシタの記憶された状態を読み出す(または、センシングする)ために、電圧が、キャパシタを横切って印加され得る。それに応答して、蓄積された電荷Qが変化し、変化の程度は、初期の電荷状態に依存する。すなわち、最終的な蓄積された電荷(Q)は、電荷状態305−bまたは電荷状態310−bのいずれが初期に記憶されているかに依存する。たとえば、ヒステリシス曲線300−bは、2つの可能な分極の記憶された電荷状態305−bおよび310−bを図示している。電圧335は、図2を参照して考察されているように、キャパシタを横切って印加され得る。他の場合には、固定された電圧が、セルプレートに印加され得る。プラスの電圧として示されているが、電圧335はマイナスであってもよい。電圧335に応答して、電荷状態305−bは、経路340を辿ることが可能である。同様に、電荷状態310−bが初期に記憶されていた場合には、それは経路345を辿る。電荷状態305−cおよび電荷状態310−cの最終的な位置は、特定のセンシング方式および回路を含む、複数の要因に依存する。
場合によっては、最終的な電荷は、メモリセルに接続されているディジットラインの固有のキャパシタンスに依存することが可能である。たとえば、キャパシタがディジットラインに電気的に接続されており、電圧335が印加される場合には、ディジットラインの電圧は、その固有のキャパシタンスに起因して上昇することが可能である。したがって、センスコンポーネントにおいて測定される電圧は、電圧335に等しくない可能性があり、その代わりに、ディジットラインの電圧に依存することが可能である。したがって、ヒステリシス曲線300−bの上の最終的な電荷状態305−cおよび310−cの位置は、ディジットラインのキャパシタンスに依存することが可能であり、ロードライン分析を通して決定され得る。すなわち、電荷状態305−cおよび310−cは、ディジットラインキャパシタンスに関して定義され得る。結果として、キャパシタの電圧、電圧350または電圧355は、異なっていてもよく、また、キャパシタの初期状態に依存することが可能である。
ディジットライン電圧を基準電圧と比較することによって、キャパシタの初期状態が決定され得る。ディジットライン電圧は、電圧335とキャパシタを横切る最終的な電圧(電圧350または電圧355)との間の差、すなわち、(電圧335−電圧350)または(電圧335−電圧355)であることが可能である。記憶されたロジック状態(すなわち、ディジットライン電圧が基準電圧よりも高いかまたは低いか)を決定するために、基準電圧は、その大きさが2つの可能なディジットライン電圧の2つの可能な電圧の間にあるように発生させられ得る。たとえば、基準電圧は、2つの量、すなわち、(電圧335−電圧350)および(電圧335−電圧355)の平均であることが可能である。センスコンポーネントによって比較すると、センシングされたディジットライン電圧は、基準電圧よりも高くなっているかまたは低くなっているかが決定され得、強誘電体メモリセルの記憶されたロジック値(すなわち、状態0、状態1、3つ以上の可能な値の事前定義されたロジック値)が決定され得る。
強誘電体キャパシタの記憶された状態を読み出す(または、センシングする)ために、電圧は、キャパシタを横切って印加され得、または、キャパシタと電子的に通信しているワードラインが、1つまたは複数の異なる時間において活性化され得る。それに応答して、1つまたは複数の蓄積された電荷(それは、キャパシタの異なるコンポーネントまたはエレメントに関連付けられ得る)は、センスコンポーネントへ移送され、センスコンポーネントによって受け取られ得る。たとえば、第1の電荷は、印加された電圧または活性化されたワードラインに基づいて、第1の時間において、読み出され得る(または、センシングされ得る)。第2の電荷は、印加された電圧または活性化されたワードラインに基づいて、第2の時間において、読み出され得る(または、センシングされ得る)。いくつかの例では、第2の時間は、第1の時間の前または後であることが可能である。他の場合には、第1の時間および第2の時間は、連続的であることが可能であり、または、少なくとも部分的に重なり合うことが可能である。
上記に考察されているように、強誘電体キャパシタを使用していないメモリセルを読み出すことは、記憶されたロジック状態を劣化させるかまたは破壊する可能性がある。しかし、強誘電体メモリセルは、読み出し動作の後に、初期のロジック状態を維持することが可能である。たとえば、電荷状態305−bが記憶されている場合には、電荷状態は、読み出し動作の間に、電荷状態305−cへ経路340を辿ることが可能であり、電圧335を除去した後に、電荷状態は、反対方向に経路340を辿ることによって、初期の電荷状態305−bに戻ることが可能である。場合によっては、この電荷が初期の電荷状態305−bに戻ることは、本開示の態様において説明されているような複数のセンシング動作に基づいて行われることが可能である。場合によっては、初期の電荷状態305−bは、その後のアクセスまたは他の動作が、初期の電荷状態305−bに基づいて、正しいデータムまたは基準を見出すことを確実にすることが可能である。追加的に、同様の動作および電荷戻りアクションが、1つまたは複数の他の充電された状態(たとえば、誘電体充電された状態、電荷状態305−c)に関して、実施または開始され得る。場合によっては、これらの電荷が初期状態に戻ること(たとえば、305−b、305−c)のうちの少なくともいくつかは、本開示の態様によって説明されているような1つまたは複数のリフレッシュ動作に基づいて行われることが可能である。
図4Aおよび図4Bは、本開示のさまざまな例による強誘電体メモリのためのマルチレベルアクセシング、センシング、および他の動作をサポートする、強誘電体メモリセルのセンシング技法のためのタイミングダイアグラム400−aを図示している。
図4Aに示されているように、タイミングダイアグラム400−aは、軸線405において電圧を示しており、軸線410において時間を示している。したがって、さまざまなコンポーネントの電圧が、時間の関数として、タイミングダイアグラム400−aの上に表され得る。たとえば、タイミングダイアグラム400−aは、ワードライン電圧415、等化電圧(equalization voltage)420−aおよび420−b、ならびに、絶縁電圧425を含む。また、タイミングダイアグラム400−aは、供給電圧445(VCC)、PSA_F電圧430−a、NSA電圧430−b、センス増幅器ノード電圧435−aおよび435−b、センス増幅器供給電圧450、中間電圧455、ならびに、センス増幅器ディジットライン電圧440−aおよび440−bを含むことが可能である。タイミングダイアグラム400−aは、なかでも、図5を参照して説明されているブロック図500に示されているコンポーネントの例示的な動作を示している。図4Aは、なかでも、図2、図5、および図6を含む他の図のコンポーネントを参照して、ここで説明されている。1つの例として、SA_Node_AおよびSA_Node_Bは、センスコンポーネント(たとえば、センス増幅器)の中に含有されているラインまたはエレメントであることが可能である。いくつかの例では、アイソレータ(たとえば、スイッチ)が、センスコンポーネント(たとえば、センス増幅器)とメモリセル(たとえば、強誘電体メモリセル)との間に位置決めされ得、ディジットラインからのセンスコンポーネントの絶縁を促進させることが可能である。別の例として、イコライザ(たとえば、等化デバイス、線形等化(LEQ)デバイス)が、センスコンポーネント(たとえば、センス増幅器)とメモリセル(たとえば、強誘電体メモリセル)との間に位置決めされ得、ディジットラインの電圧の等化を促進させ、1つまたは複数の動作の間に、メモリセルを横切る設計電圧差を促進させる。ゼロに接近する電圧は、表現を容易にするために、軸線410からオフセットされている可能性がある。場合によっては、これらの電圧は、ゼロに等しいか、または、おおよそゼロに等しい可能性がある。また、図4Aは、インターバル460、465、470、475、480、および485を含む。これらの例示的なインターバルは、タイミングダイアグラム400−aに示されている動作を論じるために提供されている。しかし、他の例では、これらのインターバルおよび関連の動作のタイミングは、異なる用途に基づいて、修正または変化され得る。
タイミングダイアグラム400−aを論じる際に、電圧および時間に関する説明は、別段の記述がない限り、概算である可能性がある。特定の電圧を有するコンポーネントを説明することは、正確である可能性があり、または、コンポーネントは、その値を近似する電圧を有している可能性がある。そのうえ、タイミングダイアグラム400−aは、図示および説明を容易にするために、概算の特定の値として電圧を示している。用途に基づく修正または変形が企図されていることを当業者は認識するべきである。
特定の動作が、タイミングダイアグラム400−aに示されているものの前に行われる可能性があり、このダイアグラムは、示されている動作および情報のみに限定されない。たとえば、上記に考察されているような固定式のセルプレート技法が使用され得、そこでは、セルプレートは、時間に関して、1つまたは複数の回路コンポーネントに関連する電圧を有している。1つの例として、セルプレート電圧は、第1の値(たとえば、VMSA/2)であることが可能である。場合によっては、セルプレート電圧は、おおよそ一定であることが可能であり、時間の経過に伴う軽微な変動を計算に入れる。他の場合には、セルプレート電圧は、時間の経過とともに変化することが可能である。いくつかの例では、セルプレート、ターゲットディジット、および基準ディジットのそれぞれは、第1の期間の間に同様の電圧をそれぞれ有することが可能である。場合によっては、この電圧は、第1の値(たとえば、VMSA/2)であることが可能である。
第1に、図4Aに示されている上部のタイミング動作(グループA)が考察される。インターバル460の間に、ワードライン電圧415は、初期の値(たとえば、VNWL)において始まることが可能であり、それは、場合によっては、グランド電圧であることが可能である。等化電圧420−aおよび420−bを有する1つまたは複数のイコライザまたは等化デバイスは、初期に、VCC電圧において始まることが可能であり、第1のイコライザに関する等化電圧(EQ_A)は、VCCからグランドへ移行し、それに続いて、第2のイコライザに関する等化電圧(EQ_B)が、VCCからグランドへ移行することが可能である。いくつかの例では、第1のイコライザは、ターゲットディジットラインに関する等化デバイスであることが可能であり、第2のイコライザは、基準ディジットラインに関する等化デバイスであることが可能である。絶縁電圧425(ISO_A/B)は、このインターバルの間に、VCCPにおいて一定に保持され得る。いくつかの例では、絶縁電圧425は、もう1つのアイソレータまたは絶縁デバイスの電圧に対応することが可能である。
インターバル465の間に、ワードラインが第1の時間に活性化されることに応答して、ワードライン電圧415は、第1の時間においてVCCPへ増加させられ得る。このワードライン活性化は、強誘電体メモリセルの誘電体に関連付けられる電荷の移送または出力を開始させることが可能である。このワードライン活性化は、強誘電体メモリセルの中に記憶されている情報の移送または出力を開始させることが可能である。場合によっては、このワードライン活性化は、センスアンプを活性化させることに関連することが可能であり、これらの動作のうちの少なくとも1つに基づいて、強誘電体メモリセルの中に記憶された情報が、移送または出力され得る。いくつかの例では、絶縁電圧425は、このインターバルの間に、VCCPから基準電圧またはグランド電圧へ減少することが可能である。これは、ゲートまたは他のコンポーネントを介してアイソレータを開始させることによって、センスコンポーネントを絶縁することに対応することが可能である。
インターバル470の間に、ワードラインが非活性化されることに応答して、ワードライン電圧415は、VCCPから基準電圧またはグランド電圧へ減少させられる。場合によっては、インターバル470の始まりにおいて、DL_AおよびDL_Bは、EQ_AおよびEQ_Bがグランド電圧からVCCへ移行するときに、グランド電圧へ移行することが可能である。場合によっては、このワードライン非活性化は、強誘電体メモリセルに関連付けられる電荷(たとえば、誘電体電荷)の移送を制限する。いくつかの例では、絶縁電圧425は、このインターバルの間に一定のままであることが可能である。いくつかの例では、等化電圧420−aおよび420−bのうちの少なくとも1つ(そうでない場合には、その両方)が、このインターバルの間にVCCへ増加することが可能である。インターバル470の始まりにおいて、場合によっては、これは、ターゲットディジットラインの事前充電を開始させるために電圧を増加させることに関連することが可能であり、ターゲットディジットラインが、グループCに関して下記に考察されているように、等化電圧420−aおよび420−bに基づいて、特定の電圧を有するようになっている。
インターバル475の間に、絶縁電圧425は、VCCPへ増加することが可能である。いくつかの例では、これは、ゲートまたは他のコンポーネントを介してアイソレータをデイニシエートさせる(deinitiate)ことによって、センスコンポーネントを絶縁解除する(deisolate)ことに対応することが可能である。ワードラインが第2の時間において活性化されることに応答して、ワードライン電圧415は、第2の時間においてVCCPへ増加され得る。このワードライン活性化は、強誘電体メモリセルの分極に関連付けられる電荷の移送を開始させることが可能である。いくつかの例では、等化電圧420−aおよび420−bに対応する1つまたは複数のイコライザまたは等化デバイスは、初期に、VCC電圧において始まることが可能であり、第1のイコライザに関する等化電圧(EQ_A)は、VCCからグランドへ移行し、それに続いて、第2のイコライザに関する等化電圧(EQ_B)が、VCCからグランドへ移行する。場合によっては、ワードライン電圧415、等化電圧420−aおよび420−b、ならびに、絶縁電圧425は、このインターバルの残りにわたって、一定のままであることが可能である。代替的に、他の例では、これらの電圧のうちの少なくともいくつかは、このインターバルの間に変化することが可能である。
インターバル480の間に、いくつかの例では、等化電圧420−aおよび420−bのうちの少なくとも1つが、このインターバルの間にVCCへ増加することが可能である。場合によっては、ワードライン電圧415および絶縁電圧425は、一定のままであることが可能である。
インターバル485の間に、ワードライン電圧415は、VCCPからVNWLまたはグランド電圧へ減少させられる。このワードライン非活性化は、強誘電体メモリセルに関連付けられる電荷の移送を制限する。いくつかの例では、絶縁電圧425ならびに等化電圧420−aおよび420−bは、このインターバルの間に一定のままであることが可能である。
第2に、図4Aに示されている中間のタイミング動作(グループB)が考察される。NSA信号は、高イネーブル信号を含むことが可能であり、高イネーブル信号は、グランド供給を提供し、異なるパラメータに基づいて、グランドへとセンスコンポーネント電圧を開始させる助けとなる。場合によっては、NSA信号は、グランド供給に対するディジット電圧デルタの増幅を開始させる。PSA_Fは、低イネーブル信号を含むことが可能であり、低イネーブル信号は、増加された値へとセンスコンポーネント電圧を開始させる助けとなる。
いくつかの例では、NSA電圧430−bおよびPSA_F電圧430−aは、関連していることが可能である。場合によっては、図4Aに示されているように、電圧430−aおよび430−bは、逆相関していることが可能である。たとえば、インターバル470の間に、NSA電圧430−bは、グランド電圧または基準電圧から高い電圧パワーレール値(たとえば、VMSA)へ増加することが可能である。示されているように、1つまたは複数のコンポーネントの動作に基づいて、NSA電圧430−bおよびPSA_F電圧430−aは、同様のレートで、および、同様の時間において、増加および減少することが可能である。場合によっては、これらの電圧のうちの1つは、他のものに基づいて、増加もしくは減少することが可能であり、または、その両方が、同様の時間において、同じ期間の間に、もしくは同時に、変化することが可能である。
第3に、図4Aに示されている下部のタイミング動作(グループC)が考察される。いくつかの例では、タイミング動作は、なかでも、1つまたは複数の電荷のうちの1つまたは複数の極性に基づくことが可能である。単なる1つの例として、タイミング動作が、図4AのグループCに示され得、それは、第1の極性(たとえば、マイナスの極性)を有する第1の電荷、および、異なる極性(たとえば、プラスの極性)を有する第2の電荷に基づくことが可能である。場合によっては、強誘電体メモリセルの誘電体に関連付けられる第1の電荷は、マイナスの極性を有することが可能であり、強誘電体メモリセルの分極に関連付けられる第2の電荷は、プラスの極性を有することが可能である。そのうえ、図4Aを参照して示されて説明されている対応するタイミング動作のうちの少なくともいくつかは、これらの電荷の極性に基づくことが可能である。
これらのタイミング動作は、センスコンポーネントノード(たとえば、内部ノード)のエレメント、および、センスコンポーネントの中に少なくとも部分的に位置付けされているディジットライン(たとえば、第1のターゲットディジットライン、第2の基準ディジットライン)に関連することが可能である。いくつかの例では、図4Aに示されているように、センスコンポーネントノードの第1のエレメントに関連する電圧(たとえば、435−a)は、SA_Node_Aに対応することが可能であり、センスコンポーネントノードの第2のエレメントに関連する電圧(たとえば、435−b)は、SA_Node_Bに対応することが可能である。いくつかの例では、図4Aに示されているように、センスコンポーネントノードの第1のディジットラインに関する電圧(たとえば、440−a)は、DL_Aに対応することが可能であり、センスコンポーネントノードの第2のディジットラインに関連する電圧(たとえば、440−b)は、DL_Bに対応することが可能である。
中間電圧455の1つの例は、VMSA450よりも小さいがグランドよりも大きい値を含むことが可能である。場合によっては、中間電圧455は、VMSA450に関連することが可能であり、たとえば、VMSA/2またはなんらかの他の値になっている。場合によっては、中間電圧455は、1つもしくは複数のセルプレートの電圧に関連付けられる電圧であるか、または、それに関連していることが可能である。
インターバル460の間に、1つまたは複数のイコライザまたは等化デバイスが非活性化され得(上記に説明されているように、たとえば、EQ_Aおよび/またはEQ_B)、それは、ディジットライン電圧440−aまたはディジットライン電圧440−bが、中間電圧455(たとえば、VMSA/2)において、または、おおよそ中間電圧455(たとえば、VMSA/2)において、活性化された電圧供給源なしに、(たとえば、フロートするために)おおよそ一定の電圧を有することを可能にすることができる。場合によっては、ディジットライン電圧440−aまたはディジットライン電圧440−bは、1つまたは複数の動作または条件に基づいて、このフローティング電圧から減少することが可能である。
インターバル465の間に、ディジットライン電圧440−aは、VIから減少することが可能であり、一定またはおおよそ一定のままである。場合によっては、ディジットライン電圧440−bは、WLの活性化、および、WLの増加した電圧(たとえば、ワードライン電圧415)に少なくとも部分的に基づいて減少することが可能である。場合によっては、DL_AおよびDL_Bは、中間電圧455(たとえば、VMSA/2)の下方に、活性化された電圧供給源なしに、(たとえば、フロートするために)おおよそ一定の電圧を有することが可能である。
インターバル470の間に、SA_Node_AおよびSA_Node_Bは、センスコンポーネントへ移送されてセンスコンポーネントによって受け取られた電荷をセンシングするように活性化され得る。いくつかの例では、これは、ワードラインが活性化された後、非活性化された後、または、その両方の後であることが可能である。いくつかの例では、ノード電圧435−aは、基準電圧またはグランド電圧へ減少することが可能である。いくつかの例では、ノード電圧435−bは、高い電圧パワーレール値(たとえば、VMSA)へ増加することが可能であり、それは、センスコンポーネント(たとえば、センス増幅器)の動作電圧であることが可能である。いくつかの例では、移送された電荷は、他の動作の間または後に出力され得る。たとえば、電荷(たとえば、誘電体電荷)は、初期に、センスコンポーネントにおいて受け取られ得、センシングされた初期の値(たとえば、状態1、状態0)は、他の動作(たとえば、強誘電体メモリセルの分極に関連付けられる電荷または条件をセンシングまたは決定することなど)が実施されている間に移送され得る。場合によっては、電荷(たとえば、誘電体電荷)は、それがセンシングされた後に、自動的にまたは即座に移送され得る。場合によっては、電荷(たとえば、誘電体電荷)は、場合によっては、強誘電体メモリセルの分極に関連付けられる第2の電荷が決定またはセンシングされる前に、その間に、またはその後に、移送され得る。これは、他の動作(たとえば、強誘電体メモリセルの分極に関連付けられる第2の電荷のセンシング)が実施されている間に、同時に行われるかまたは少なくとも重なり合う電荷(たとえば、誘電体電荷)の移送に基づいて、より高速に処理することを可能にすることができる。
いくつかの例では、電荷(たとえば、誘電体電荷)のセンシングに基づいて、ライトバック動作またはリフレッシュ動作が実施され得る。場合によっては、揮発性のメモリまたは揮発性のメモリエレメントが使用されているときに、リフレッシュすることは、揮発性のメモリセルの放電を回避するために実施されることが必要である可能性がある。インターバル470および475に示されているように、電荷がセンシングされた後に、この電荷は、書き換えられ(自動的に、ラッチもしくは他のデバイスの中に蓄積された後に、または、別の条件に基づいて)、センシングされた値または状態をメモリセルにライトバックするか、または、(たとえば、揮発性のメモリまたはメモリエレメントの使用に基づいて)記憶された値または状態をリフレッシュすることが可能である。場合によっては、図4Aの異なるインターバルに示されている動作の一部分だけが、本明細書で考察されている本開示の態様に基づいて、(なかでも)インターバル460〜475の動作を含む、ライトバック動作またはリフレッシュ動作の一部として実施され得る。
インターバル475の間に、ノード電圧435−b、ディジットライン電圧440−b、およびディジットライン電圧440−aのうちの少なくともいくつかが、基準電圧またはグランド電圧へ減少することが可能である。場合によっては、これは、絶縁電圧(たとえば、絶縁電圧425)が増加することに基づくことが可能であり、それは、ゲートまたは他のコンポーネントを介してアイソレータをデイニシエートさせることによって、センスコンポーネントを絶縁解除することに関連することが可能である。場合によっては、これは、センスアンプを活性化させることに基づくことが可能であり、それは、センス増幅器ノード電圧435−aおよび435−bに少なくとも部分的に対応することが可能である。
また、インターバル475の間に、ディジットライン電圧440−bおよびディジットライン電圧440−aは、時間の経過とともに増加することが可能である。場合によっては、この増加は、図4Aに示されているように、非一定のまたは階段状のものであることが可能である。場合によっては、この増加は、ワードラインの活性化、または、NSA信号およびPSA_F信号に関連する1つもしくは複数のコンポーネント(たとえば、PSA_F電圧430−a、NSA電圧430−b)の活性化および非活性化に基づくことが可能である。示されているように、インターバル475の間に、ディジットライン電圧440−bおよびディジットライン電圧440−aは、それぞれ、増加および減少する。場合によっては、これらの変化は、ディジットライン(たとえば、DL_A、DL_B)へ移送する強誘電体電荷に基づくことが可能である。場合によっては、ディジットライン電圧440−bは、高い電圧パワーレール値(たとえば、VMSA)へ増加することが可能であり、ディジットライン電圧440−aは、基準電圧(たとえば、グランド電圧)へ減少することが可能である。
いくつかの例では、メモリセルからの電荷(たとえば、誘電体電荷)および分極関連の電荷の極性に少なくとも部分的に基づいて、書き込み動作が実施され得る。いくつかの例では、この書き込み動作は、セルにアクセスし、(インターバル465および/または他のインターバルに関連して上記に説明されているように)第1の時間において誘電体電荷の極性を決定すること、決定された誘電体電荷極性を記憶すること、セルにアクセスし、(インターバル475および/または他のインターバルに関連して上記に説明されているように)メモリセルからの分極関連の電荷を決定すること、ならびに、決定された誘電体電荷極性および分極電荷をセルに書き込むことを含むことが可能である。場合によっては、決定された誘電体電荷極性および分極電荷を書き込むことは、これらの値がそれから決定された同じ第1のセルに関して行われることが可能であり、また、第1のセル、他のセル、またはなんらかの組み合わせと電子的に通信していることが可能である異なるセルに関して行われることが可能である。場合によっては、この書き込み動作は、第1の時間において、決定された誘電体電荷極性をメモリセルに書き込むこと、および、第2の時間において、決定された分極電荷をメモリセルに書き込むことを含むことが可能である。いくつかの例では、これらの第1および第2の時間は、他の動作に基づいて、同時に起こるか、重なり合っているか、連続的であるか、または、時間的に分離され得る。他の実施形態では、本開示の態様を参照して説明されているような、マルチレベルセンシングおよびアクセシングは、誘電体電荷および分極電荷、ならびに/または、任意の関連の1つもしくは複数の極性のなんらかの組み合わせに基づいて、少なくとも3つのロジック値のセンシングを可能にすることができ、また、マルチレベルのメモリ情報の少なくともいくつか(または、すべて)を同じセルにライトバックすることを可能にすることができる。代替的にまたは追加的に、場合によっては、誘電体電荷および分極電荷、ならびに/または、任意の関連の1つもしくは複数の極性のなんらかの組み合わせに基づいた、マルチレベルの書き込みは、マルチレベルのメモリ情報を初期に含有するメモリセルとは異なる第2の別個のメモリセルに、マルチレベルのメモリ情報を書き込むことを促進させることが可能である。
いくつかの例では、インターバル460、465、470、および、インターバル475の第1の部分の間に行われる動作は、強誘電体メモリセルの誘電体に関連付けられる第1の電荷をセンスコンポーネントにおいてセンシングすることに関連することが可能である。いくつかの例では、インターバル475の第2の部分の間に行われる動作は、強誘電体メモリセルの分極に関連付けられる第2の電荷をセンスコンポーネントにおいてセンシングすることに関連することが可能である。
インターバル480および485の間に、ディジットライン電圧440−aは、中間電圧455へ増加することが可能であり、ディジットライン電圧440−bは、中間電圧455へ減少することが可能である。いくつかの例では、これらの電圧変化は、上記に考察されているように、WLを非活性化させること、および、対応するワードライン電圧(たとえば、ワードライン電圧415)の減少に基づくことが可能である。いくつかの例では、インターバル480および485の間に行われる動作は、強誘電体メモリセルの誘電体に関連付けられる第1の電荷、および、強誘電体メモリセルの分極に関連付けられる第2の電荷のうちの少なくとも1つを再蓄積することに関連することが可能である。
図4Bに示されているように、タイミングダイアグラム400−bは、軸線405において電圧を示しており、軸線410において時間を示している。したがって、さまざまなコンポーネントの電圧が、時間の関数として、タイミングダイアグラム400−bの上に表され得る。たとえば、タイミングダイアグラム400−bは、ワードライン電圧415、等化電圧420−aおよび420−b、ならびに、絶縁電圧425を含む。また、タイミングダイアグラム400−aは、供給電圧445(VCC)、PSA_F電圧430−a、NSA電圧430−b、センス増幅器ノード電圧435−aおよび435−b、センス増幅器供給電圧450、中間電圧455、ならびに、センス増幅器ディジットライン電圧440−aおよび440−bを含むことが可能である。タイミングダイアグラム400−bは、なかでも、図5を参照して説明されているブロック図500に示されているコンポーネントの例示的な動作を示している。図4Bは、なかでも、図2、図5、および図6を含む他の図のコンポーネントを参照して、ここで説明されている。1つの例として、SA_Node_AおよびSA_Node_Bは、センスコンポーネント(たとえば、センス増幅器)の中に含有されているラインであることが可能である。いくつかの例では、アイソレータ(たとえば、スイッチ)が、センスコンポーネント(たとえば、センス増幅器)とメモリセル(たとえば、強誘電体メモリセル)との間に位置決めされ得、ディジットラインからのセンスコンポーネントの絶縁を促進させることが可能である。別の例として、イコライザ(たとえば、等化デバイス、線形等化(LEQ)デバイス)が、センスコンポーネント(たとえば、センス増幅器)とメモリセル(たとえば、強誘電体メモリセル)との間に位置決めされ得、ディジットラインの電圧の等化を促進させ、1つまたは複数の動作の間に、メモリセルを横切る設計電圧差を促進させる。ゼロに接近する電圧は、表現を容易にするために、軸線410からオフセットされている可能性がある。場合によっては、これらの電圧は、ゼロに等しいか、または、おおよそゼロに等しい可能性がある。また、図4Bは、インターバル460、465、470、475、480、および485を含む。これらの例示的なインターバルは、タイミングダイアグラム400−bに示されている動作を論じるために提供されている。しかし、他の例では、これらのインターバルおよび関連の動作のタイミングは、異なる用途に基づいて、修正または変化され得る。
タイミングダイアグラム400−bを論じる際に、電圧および時間に関する説明は、別段の記述がない限り、概算である可能性がある。特定の電圧を有するコンポーネントを説明することは、正確である可能性があり、または、コンポーネントは、その値を近似する電圧を有している可能性がある。そのうえ、タイミングダイアグラム400−bは、図示および説明を容易にするために、概算の特定の値として電圧を示している。用途に基づく修正または変形が企図されていることを当業者は認識するべきである。
特定の動作が、タイミングダイアグラム400−bに示されているものの前に行われる可能性があり、このダイアグラムは、示されている動作および情報のみに限定されない。図4Aを参照して上記に考察されているように、さまざまなセルプレート技法が使用され得る。
別段の記述がない限り、図4Aに関する説明および開示は、図4Bにも該当する。しかし、特定の用途では、図4Bに関連する説明または動作は、図4Aに関する説明および開示から逸脱することが可能であり、それは、具体的に企図されている。簡略にするために、図4BのグループAおよびグループBに関する考察は、ここでは繰り返されておらず、図4Aに関する考察と同様であることが可能である。同様の特徴、開示、および説明が、図4BのグループAおよびグループBに該当し得る。
ここで、図4Bに示されている下部のタイミング動作(グループC)が考察される。いくつかの例では、タイミング動作は、なかでも、1つまたは複数の電荷のうちの1つまたは複数の極性に基づくことが可能である。単なる1つの例として、タイミング動作が、図4BのグループCに示され得、それは、第1の極性(たとえば、プラスの極性)を有する第1の電荷、および、第2の極性(たとえば、プラスの極性、マイナスの極性)を有する第2の電荷に基づくことが可能である。場合によっては、センス増幅器における強誘電体メモリセルの誘電体に関連付けられる第1の電荷は、プラスの極性を有することが可能であり、センス増幅器における強誘電体メモリセルの分極に関連付けられる第2の電荷は、マイナスの極性を有することが可能である。場合によっては、センス増幅器における強誘電体メモリセルの誘電体に関連付けられる第1の電荷は、プラスの極性を有することが可能であり、センス増幅器における強誘電体メモリセルの分極に関連付けられる第2の電荷は、プラスの極性を有することが可能である。他の例では、他の極性値および組み合わせが使用され得る。そのうえ、図4Bを参照して示されて説明されている対応するタイミング動作は、これらの電荷の極性に基づくことが可能である。
これらのタイミング動作は、センスコンポーネントノード(たとえば、内部ノード)のエレメント、および、センスコンポーネントの中に少なくとも部分的に位置付けされているディジットライン(たとえば、第1のターゲットディジットライン、第2の基準ディジットライン)に関連することが可能である。より具体的には、いくつかの例では、図4Aに示されているように、センスコンポーネントノードの第1のエレメントに関連する電圧は、センスコンポーネント(たとえば、センス増幅器)の中に含有されているディジットラインに関連するSA_NODE_Aに対応することが可能であり、センスコンポーネントノードの第2のエレメントに関連する電圧は、センスコンポーネント(たとえば、センス増幅器)の中に含有されているディジットラインに関連するSA_NODE_Bに対応することが可能である。いくつかの例では、図4Aに示されているように、センスコンポーネントノードの第1のディジットラインに関する電圧は、DL_Aに対応することが可能であり、センスコンポーネントノードの第2のディジットラインに関連する電圧は、DL_Bに対応することが可能である。
インターバル460の間に、1つまたは複数のイコライザまたは等化デバイスが非活性化され得(上記に説明されているように、たとえば、EQ_Aおよび/またはEQ_B)、それは、ディジットライン電圧440−aおよびディジットライン電圧440−bが、中間電圧455(たとえば、VMSA/2)において、または、おおよそ中間電圧455(たとえば、VMSA/2)において、活性化された電圧供給源なしに、(たとえば、フロートするために)おおよそ一定の電圧を有することを可能にする。場合によっては、ディジットライン電圧440−aまたはディジットライン電圧440−bは、減少することが可能である。場合によっては、中間電圧455は、DL_AおよびDL_Bに関する事前充電電圧である。
インターバル465の間に、ディジットライン電圧440−bおよびディジットライン電圧440−aは、WLの活性化、および、WLの増加した電圧(たとえば、ワードライン電圧415)に少なくとも部分的に基づいて、おおよそ一定のままであることが可能である。DL_AおよびDL_Bは、それぞれ中間電圧455(たとえば、VMSA/2)に関連して、活性化された電圧供給源なしに、(たとえば、フロートするために)おおよそ一定の電圧を有することが可能である。
インターバル470の間に、SA_NODE_AおよびSA_NODE_Bは、センスコンポーネントへ移送されてセンスコンポーネントによって受け取られた電荷をセンシングするように活性化され得る。いくつかの例では、これは、ワードラインが活性化および/または非活性化された後であることが可能である。いくつかの例では、ノード電圧435−aは、基準電圧またはグランド電圧へ減少することが可能である。いくつかの例では、ノード電圧435−bは、高い電圧パワーレール値(たとえば、VMSA)へ増加することが可能であり、それは、センスコンポーネントの電圧に関連することが可能である。
インターバル475の間に、ノード電圧435−a、ディジットライン電圧440−b、およびディジットライン電圧440−aのうちの少なくともいくつかが、グランド電圧へ減少することが可能である。場合によっては、電荷(たとえば、分極電荷)移送は、第2の時間にワードラインを活性化させる前に、ディジットライン電圧440−bおよびディジットライン電圧440−aがグランド電圧へ減少することに基づいて、促進され得る。場合によっては、ディジットライン電圧の減少は、絶縁電圧(たとえば、絶縁電圧425)が増加することに基づくことが可能であり、それは、ゲートまたは他のコンポーネントを介してアイソレータをデイニシエートさせることによって、センスコンポーネントを絶縁解除することに対応することが可能である。また、インターバル475の間に、ディジットライン電圧440−bおよびディジットライン電圧440−aは、時間の経過とともに増加することが可能である。場合によっては、この増加は、図4Bに示されているように、非一定のまたは階段状のものであることが可能である。場合によっては、この増加は、ワードライン(たとえば、ワードライン電圧415)の活性化、または、NSAおよびPSA_Fに関連する1つもしくは複数のコンポーネント(たとえば、PSA_F電圧430−a、NSA電圧430−b)の活性化および非活性化に基づくことが可能である。示されているように、インターバル475の間に、ディジットライン電圧440−aおよびディジットライン電圧440−bは、それぞれ、増加および減少することが可能であり、ここで、ディジットライン電圧440−aは、高い電圧パワーレール値(たとえば、VMSA)へ増加することが可能であり、ディジットライン電圧440−bは、基準電圧(たとえば、グランド電圧)へ減少することが可能である。
いくつかの例では、インターバル460、465、470、および、インターバル475の第1の部分の間に行われる動作は、強誘電体メモリセルの誘電体に関連付けられる第1の電荷をセンスコンポーネントにおいてセンシングすることに関連することが可能である。いくつかの例では、インターバル475の第2の部分の間に行われる動作は、強誘電体メモリセルの分極に関連付けられる第2の電荷をセンスコンポーネントにおいてセンシングすることに関連することが可能である。いくつかの例では、インターバル470の間に行われる動作は、強誘電体メモリセルの誘電体に関連付けられる第1の電荷を再蓄積することに関連することが可能である。
インターバル480および485の間に、ディジットライン電圧440−aは、中間電圧455へ増加することが可能であり、ディジットライン電圧440−bは、中間電圧455へ減少することが可能である。いくつかの例では、これらの電圧変化は、上記に考察されているように、ワードラインを非活性化させること、および、対応するワードライン電圧(たとえば、ワードライン電圧415)の減少に基づくことが可能である。いくつかの例では、インターバル480および485の間に行われる動作は、強誘電体メモリセルの誘電体に関連付けられる第1の電荷を再蓄積することに関連することが可能である。
図5は、本開示のさまざまな例による強誘電体メモリのためのマルチレベルアクセシング、センシング、および他の動作をサポートする、メモリアレイ100−aのブロック図500を示している。メモリアレイ100−aは、電子メモリ装置と称され得、メモリコントローラ140−aおよびメモリセル105−bを含むことが可能であり、それは、図1および図2を参照して説明されているメモリコントローラ140およびメモリセル105の例であることが可能である。メモリコントローラ140−aは、バイアシングコンポーネント510およびタイミングコンポーネント515を含むことが可能であり、なかでも、図1〜図3および図6に説明されているように、メモリアレイ100−aを動作させることが可能である。メモリコントローラ140−aは、ワードライン110−b、ディジットライン115−b、センスコンポーネント125−b、プレートライン210−a、アイソレータ530、およびイコライザ535と電子的に通信していることが可能であり、それらは、なかでも、図1、図2、図4A、図4Bを参照して説明されている、ワードライン110、ディジットライン115、センスコンポーネント125、プレートライン210、絶縁電圧425を有するアイソレータまたは絶縁デバイス、等化電圧420−aおよび420−bを有するイコライザまたは等化デバイスの例であることが可能である。また、メモリアレイ100−aは、基準コンポーネント520およびラッチ525を含むことが可能である。メモリアレイ100−aのコンポーネントは、互いに電子的に通信していることが可能であり、なかでも、図1〜図3、図4A、および図4Bを参照して説明されている機能を果たすことが可能である。場合によっては、基準コンポーネント520、センスコンポーネント125−b、ラッチ525、および他のコンポーネントは、メモリコントローラ140−aのコンポーネントであることが可能である。
メモリコントローラ140−aは、ワードライン110−b、プレートライン210−a、またはディジットライン115−bを、それらのさまざまなノードに電圧を印加することによって活性化させるように構成され得る。たとえば、バイアシングコンポーネント510は、上記に説明されているように、電圧を印加し、メモリセル105−bを動作させ、メモリセル105−bを読み出すかまたは書き込むように構成され得る。場合によっては、メモリコントローラ140−aは、図1を参照して説明されているように、行デコーダ、列デコーダ、または、その両方を含むことが可能である。これは、メモリコントローラ140−aが1つまたは複数のメモリセル105にアクセスすることを可能にすることができる。また、バイアシングコンポーネント510は、センスコンポーネント125−bに関する基準信号を発生させるために、基準コンポーネント520に対する電位差を提供することが可能である。追加的に、バイアシングコンポーネント510は、センスコンポーネント125−bの動作に関する電位を提供することが可能である。
場合によっては、メモリコントローラ140−aは、タイミングコンポーネント515を使用してその動作を実施することが可能である。たとえば、タイミングコンポーネント515は、読み出しおよび書き込みなどのような、本明細書で考察されているメモリ機能を果たすために、スイッチングおよび電圧印加のためのタイミングを含む、さまざまなワードライン選択またはプレートバイアシングのタイミングを制御することが可能である。場合によっては、タイミングコンポーネント515は、バイアシングコンポーネント510の動作を制御することが可能である。
いくつかの例では、電子メモリ装置は、本開示の中の他の図および説明のなかでも、図5を参照して説明されている。いくつかの例では、この装置は、強誘電体メモリセルと、強誘電体メモリセルと電子的に通信しているワードラインと、ディジットラインを介して強誘電体メモリセルと電子的に通信しているセンス増幅器と、強誘電体メモリセル、ワードライン、およびセンス増幅器と電子的に通信しているコントローラとを含むことが可能である。いくつかの例では、コントローラは、ワードラインを活性化させ、誘電体電荷をセンス増幅器へ移送し、センス増幅器を絶縁させ、ワードラインを非活性化させ、第1の時間にセンス増幅器を活性化させ、ワードラインを活性化させて分極電荷をセンス増幅器へ移送し、第2の時間にセンス増幅器を活性化させるように動作可能であり得る。
いくつかの例では、コントローラは、また、追加的なまたはより少ない動作を実施するために動作可能であり得る。いくつかの例では、このコントローラは、センス増幅器と電子的に通信しているラッチの中の誘電体電荷のストレージを開始させるように動作可能であり得る。いくつかの例では、このコントローラは、誘電体電荷もしくは分極電荷またはその両方に少なくとも部分的に基づいて、強誘電体メモリセルへのライトバック動作を開始させるように動作可能であり得る。いくつかの例では、このコントローラは、電荷センス増幅器もしくはラッチまたはその両方の中に位置付けされている電荷に少なくとも部分的に基づいて、強誘電体メモリセルへのライトバック動作を開始させるように動作可能であり得る。
基準コンポーネント520は、センスコンポーネント125−bのための基準信号を発生させるために、さまざまなコンポーネントを含むことが可能である。基準コンポーネント520は、基準信号を作り出すように構成されている回路を含むことが可能である。場合によっては、基準コンポーネント520は、他の強誘電体メモリセル105であることが可能である。いくつかの例では、基準コンポーネント520は、図3を参照して説明されているように、2つのセンス電圧の間の値を有する電圧を出力するように構成され得る。または、基準コンポーネント520は、事実上のグランド電圧(すなわち、おおよそ0V)を出力するように設計され得る。
センスコンポーネント125−bは、(ディジットライン115−bを通した)メモリセル105−bからの信号と、基準コンポーネント520からの基準信号とを比較することが可能である。ロジック状態(たとえば、3つ以上の可能な値のうちの第1の事前定義されたロジック値)を決定するときに、センスコンポーネントは、次いで、ラッチ525の中に出力を記憶することが可能であり、ラッチ525において、それは、メモリアレイ100−aがその一部である電子デバイスの動作にしたがって使用され得る。
センスコンポーネント125−bは、1つまたは複数のノード(たとえば、内部ノード)、および、センスコンポーネントの中に少なくとも部分的に位置付けされている1つまたは複数のディジットライン(たとえば、第1のターゲットディジットライン、第2の基準ディジットライン)を含むことが可能である。いくつかの例では、上記に考察されているように、ならびに、図4Aおよび図4Bに示されてように、センスコンポーネントノードの第1のエレメントに関連する電圧は、SA_NODE_Aに対応することが可能であり、センスコンポーネントノードの第2のエレメントに関連する電圧は、SA_NODE_Bに対応することが可能である。いくつかの例では、上記に考察されているように、ならびに、図4Aおよび図4Bに示されてように、センスコンポーネントノードの第1のディジットラインに関連する電圧は、DL_Aに対応することが可能であり、センスコンポーネントノードの第2のディジットラインに関連する電圧は、DL_Bに対応することが可能である。いくつかの例では、簡単化されたセンスコンポーネントが使用され得、それは、より複雑な実装形態またはレイアウトを必要とせず、他の代替例(たとえば、オンピッチの多重化されたセンス増幅器)に関連付けられる追加的なコストおよび制約を回避する。場合によっては、この簡単化されたセンスコンポーネントは、DRAMメモリ用途の中で使用されているものと同様であることが可能である。
いくつかの例では、強誘電体メモリのためのマルチレベルアクセシング、センシング、および他の動作をサポートする、メモリアレイまたは他の装置は、バランスの取れたセンスコンポーネントレイアウトを含むことが可能である。場合によっては、このバランスの取れたセンスコンポーネントレイアウトは、アレイの端部に、1つまたは複数のアイソレータを位置決めし、対応するアイソレータの外側に、1つまたは複数のイコライザを位置決めすることを含むことが可能である。場合によっては、独特の特性を有する強誘電体キャパシタが、強誘電体メモリのためのマルチレベルアクセシング、センシング、および他の動作を促進させるために使用され得る。他の特性の中でも、このキャパシタは、1つまたは複数の電圧(たとえば、1.2V動作)において、低い誘電体漏洩、高い誘電体キャパシタンス、および/または、高い分極キャパシタンスを提供することが可能である。場合によっては、これらの特性のうちの1つまたは複数(たとえば、キャパシタンス)は、おおよそ5フェムトファラドから20フェムトファラドの間の値を有することが可能であるが、他の変形例も企図されている。
アイソレータ530は、メモリアレイ100−aの1つまたは複数のコンポーネントとの電子通信からセンスコンポーネント125−bを絶縁するために、1つまたは複数のコンポーネントを含むことが可能である。場合によっては、アイソレータ530は、電子がセンスコンポーネント125−bへ流れること、および、電子がセンスコンポーネント125−bから流れることを防止するスイッチもしくは別のコンポーネントであるか、または、それを含むことが可能である。場合によっては、アイソレータ530は、メモリコントローラ140−aからの1つまたは複数の信号によって活性化され、メモリアレイ100−aの1つまたは複数のコンポーネント、たとえば、ディジットライン115−b、イコライザ535、またはその他から、センスコンポーネント125−bを絶縁することが可能である。場合によっては、アイソレータ530は、センスコンポーネント125−bがメモリセル105−bから第1の電荷を受け取った後に、センスコンポーネント125−bを絶縁することが可能である。この絶縁は、センスコンポーネント125−bが強誘電体メモリセルの誘電体に関連付けられる第1の電荷を受け取ることに基づくことが可能であり、第1の電荷を絶縁し、それを保存し、図4Aおよび図4Bの中のタイミング機能に説明されているかまたはそれに基づく他の機能を開始させる。
イコライザ535は、メモリアレイ100−aの1つまたは複数のコンポーネントの電圧を等化する(equalize)ために、1つまたは複数のコンポーネントを含むことが可能である。場合によっては、イコライザ535は、等化デバイスもしくはLEQデバイスであるか、または、それを含むことが可能である。イコライザ535は、1つまたは複数のディジットラインの電圧に影響を与え、第1のレベルにし、1つまたは複数の動作の間に、強誘電体キャパシタを横切る設計電圧差を促進させることが可能である。1つの例では、制御信号(たとえば、線形等化信号)は、スイッチングコンポーネントに印加される線形等化電圧を増加または減少させることによって、イコライザ535を活性化または非活性化させるために使用され得る。場合によっては、イコライザ535は、所定の値においてディジットライン電圧を保持するために使用され得、または、ディジットラインが使用されていない間に、ディジットラインの電圧がフロートすることを防止することが可能である。
イコライザ535は、1つもしくは複数のスイッチもしくはトランジスタ(たとえば、電界効果トランジスタ(FET))であるか、または、それを含むことが可能である。図4Aおよび図4Bを参照して示されて説明されているように、イコライザ535は、センスコンポーネントディジットライン(たとえば、DL_A、DL_B)のうちの1つまたは複数の動作、および、メモリセルまたはメモリアレイの他のコンポーネントに影響を与えることが可能である。場合によっては、イコライザ535は、メモリコントローラ140−aからの1つまたは複数の信号によって活性化され、メモリアレイ100−aの1つまたは複数のコンポーネントを等化することが可能である。場合によっては、イコライザ535は、ターゲットディジットを第1の電圧値(たとえば、グランド)へ事前充電するために活性化され得、イコライザ535は、アイソレータ530とは独立して動作することが可能である。場合によっては、図4Aおよび図4Bに説明されているもの、または、図4Aおよび図4Bの中のタイミング動作に対応するものを含む、他の動作の中でも、センスコンポーネント(たとえば、センスコンポーネント125−b)が絶縁されている間に、イコライザ535は、ターゲットディジットを第1の電圧値へチャージすることが可能である。
いくつかの例では、1つまたは複数の動作は、強誘電体メモリのマルチレベルアクセシング、センシング、および他の動作のために実施され得る。以下のものは、例示的な方法および技法を説明しているが、これらの方法および技法は、並べ替えられ、修正され、もしくは、変化させられ得、または、組み合わせられるかもしくは省略されるいくつかの動作を有することが可能である。説明されているように、これらの動作は、実施され得、また、なかでも図2〜図6の中の考察、タイミング動作、および、コンポーネントに関連することが可能である。
いくつかの例では、メモリアレイ(たとえば、メモリアレイ100−a)のいくつかのコンポーネントは、VMSA/2の初期の電圧へバイアシングされ得る。これらのコンポーネントは、なかでも、セルプレート、ターゲットディジットライン、および基準ディジットラインを含むことが可能である。場合によっては、ターゲットディジットラインは、時間に関してフロートする(たとえば、電圧供給源または電圧ドライバが除去されるようにする)ことが可能であり、基準ディジットラインは、初期の値の下方の(たとえば、VMSA/2の下方の)基準電圧へ引き寄せられ得る。次いで、場合によっては、ワードライン(たとえば、ワードライン110−b)が活性化され得、それは、強誘電体メモリセル(たとえば、メモリセル105−b)の誘電体に関連付けられる第1の電荷が、メモリセルからターゲットディジットラインの上へ移送されること、および、センスコンポーネント(たとえば、センスコンポーネント125−b)によって受け取られることを少なくとも部分的に引き起こすことが可能である。
場合によっては、第1の電荷を受け取った後に、センスコンポーネントは、(たとえば、アイソレータ530などのようなアイソレータを使用して)絶縁され得る。場合によっては、この絶縁は、1つまたは複数の絶縁ゲートをターンオフすることに基づくことが可能である。次いで、場合によっては、センスコンポーネントは、センス増幅器ノードに関連するディジットラインを分離するために活性化され得る(たとえば、発火される)。結果として、第1の閾値を上回る誘電体電荷を有するディジットは、その電圧をVMSAへ増加させることとなり、第1の閾値を下回る誘電体電荷を有するディジットは、その電圧をグランドへ減少させることとなる。場合によっては、異なるディジットに関連する異なるセルまたは他のコンポーネントは、異なる極性を保持または記憶することが可能である。たとえば、場合によっては、VMSA電圧ディジットに関連するセルは、1つの分極タイプ(たとえば、プラスの)を保持することが可能である。場合によっては、グランド電圧ディジットに関連するセルは、1つまたは複数の分極タイプ(たとえば、プラスの、マイナスの)を保持することが可能である。場合によっては、第1の電荷は、1つまたは複数のラッチ(たとえば、525)の中に保持または蓄積され得、それは、センスコンポーネントの中に含有され得るか、または、センスコンポーネントと電子的に通信していることが可能である。
別の例として、および、本開示の態様を参照して考察されているように、メモリセルは、少なくとも1つの状態が揮発性であること(たとえば、誘電体情報に関連する)、および、少なくとも1つの状態が不揮発性であること(たとえば、分極に関連する)を可能にすることができる。場合によっては、メモリセルは、誘電体電荷に関連する2つの状態(たとえば、充電された状態、または、放電された状態)が揮発性であることを可能にすることができ、また、強誘電体コンポーネントの分極に関連する1つの状態が不揮発性であることを可能にすることができる。
上記に考察されているように、これは、揮発性のストレージに基づく動作を可能にすることができ、それは、分極関連の電荷などのような、他のマルチレベルのメモリ情報に関連する追加的な動作を潜在的に実施しながら、第1のセンシングされた電荷(たとえば、誘電体)に基づいて、即座に、自動的に、または、その他の方法で、情報の第1のビットを提供することを可能にする。いくつかの代替例では、分極関連の電荷および誘電体関連の電荷を使用することは、3つの状態のメモリセルを提供する。場合によっては、このタイプのセルを使用することは、2つの状態(たとえば、分極に関連するもの)が不揮発性であり、1つの状態(たとえば、誘電体に関連するもの)が揮発性であることを可能にする。
場合によっては、追加的な情報(たとえば、揮発性のメモリストレージおよび情報に関連する)が、別々のメモリアレイまたはメモリセルの1つまたは複数のコンポーネントから、メモリアレイ100−aの1つまたは複数のコンポーネントへ、アップロードまたは通信され得る。たとえば、場合によっては、異なるメモリセルが、2つの1つまたは複数の不揮発性のビット(たとえば、パワーダウンの間に)を記憶することが可能である。場合によっては、2つのセルのうちの少なくとも1つは、1つの揮発性のビットを記憶することが可能であり、1つの揮発性のビットは、メモリセルのうちの1つに基づくことが可能であり、または、別のメモリセルもしくは他のアレイコンポーネントから移送もしくは通信され得、異なるメモリセルの間で揮発性のメモリビットを共有することを可能にする。
マルチレベルアクセシング、センシング、読み出し、および/または書き込みに関連する技法の1つの例として、以下の表は、2つの異なるセルに関して、さまざまなエンコーディングシナリオを説明している。この例では、1つまたは複数のセルに関連した、第1の電荷(たとえば、誘電体)に関連する異なるセンシングされた値、ならびに、第2の電荷(たとえば分極電荷)に関連する異なるセンシングされた値および極性が示されている。1つのセル状態(たとえば、「c」)は、誘電体電荷の状態、または/および、センシングされた誘電体電荷が充電されるかもしくは放電されるかに関係することが可能である。別のセル状態(たとえば、「d」)は、分極電荷の状態、および、センシングされた分極電荷が充電されるかもしくは放電されるかに関係することが可能であり、ならびに、分極電荷に関連付けられる分極(たとえば、+または−)に関係することが可能である。いくつかの例では、少なくとも1つのビットが、不揮発性であることが可能であり、少なくとも1つのビットが、揮発性であることが可能である。本開示のさまざまな態様によるさまざまなエンコーディングシナリオは、以下を含むことが可能である。
いくつかの例では、本開示の態様によって説明されているように、セルにアクセスするときに、最も重要なビットは、任意の他の動作が実施される前に、1つまたは複数の動作(たとえば、ライトバック、リフレッシュ)に関して、即座にまたは瞬間的に利用可能であることが可能であり(たとえば、2つのセルのうちの1つが、誘電体充電された状態にあるときに)、また、最も重要なビットは、他の動作が実施されている間に、出力または移送され得る。場合によっては、センスコンポーネント(たとえば、センス増幅器)が活性化されるとすぐに、最も重要なビットが、即座に、容易に、または瞬間的に、利用可能であることが可能である。
場合によっては、ワードラインが非活性化され得、それは、センスコンポーネントが絶縁されている間に行われることが可能である。次いで、場合によっては、ターゲットディジットは、アイソレータから分離された(たとえば、アイソレータの外側にある)グランドへ事前充電され得る。場合によっては、この事前充電は、1つまたは複数のイコライザまたはLEQデバイス(たとえば、イコライザ535)によって実施され得る。アイソレータに対するイコライザのこの位置決めは、メモリセルの分極に関連付けられる電荷を移送するための活性化のために、動作がディジットラインを準備すると同時に、絶縁されたセンスコンポーネントを介して実施されるセンシング動作を可能にすることができる。
場合によっては、次いで、セルプレートは、第1の電圧(たとえば、VMSA/2)から、より高い第2の電圧(たとえば、VMSA)へ、活性化され得る(たとえば、発火される)。イコライザが1つまたは複数のディジットを基準電圧(たとえば、グランド)へ保持するかまたはバイアシングする間に、セルプレートを活性化させることが実施され得る。場合によっては、このようにセルプレートを活性化させることは、第2の電荷を増加させることが可能であり、第2の電荷は、強誘電体メモリセルから出力されることとなる。代替的に、場合によっては、セルプレート電圧は、第2の電荷に関連する動作の間にVMSA/2に維持され得、複数のセルプレートは、一緒に接続されるかまたは「結び付け」られ得、それは、なかでも、セルプレートノイズを低減させることが可能である。
場合によっては、センスコンポーネントは非活性化され得、センスコンポーネントは絶縁解除され得(たとえば、再び取り付けられる)、また、1つのイコライザ(たとえば、ターゲット関連のLEQ)も非活性化され得る。それに加えて、ワードラインは、第2の時間に活性化され得、基準電圧は、基準ディジット電圧へ駆動され得る。
代替的に、場合によっては、セルプレートがVMSA/2からVMSAへ駆動され、セルプレートがグランドを基準とされる場合には、セルプレートは、VMSAからVMSA/2へパルス状に戻され得、VMSA/2におけるまたはおおよそVMSA/2における基準が使用され得る。場合によっては、この代替的な動作は、電圧をグランドへ戻すように駆動する必要なしに、VMSA/2の基準電圧を使用することを可能にすることができ、それは、電力を節約し、他の利点を提供する。
場合によっては、第2の時間にディジットラインを活性化させることは、強誘電体メモリセル(たとえば、メモリセル105−b)の分極に関連付けられる第2の電荷が、メモリセルからターゲットディジットラインの上へ移送されること、および、センスコンポーネントによって受け取られることを少なくとも部分的に引き起こすことが可能である。次いで、場合によっては、センスコンポーネントは、第2の時間に活性化され(たとえば、発火され)、センス増幅器ノードに関連するディジットを分離することが可能である。結果として、第1の極性(たとえば、マイナスの)を備えた分極関連の電荷を有するディジットは、ディジットライン電圧を第1の値(たとえば、VMSA)へ駆動することとなり、第2の極性(たとえば、プラスの)を備えた分極関連の電荷を有するディジットは、ディジットライン電圧を第2の値(たとえば、グランド)へ駆動することとなる。
いくつかの例では、セルプレート電圧がVMSA/2においてまたはVMSA/2の近くに保持されていたとすれば(上記に説明されているように)、メモリセルからターゲットディジットラインの上へ移送されている分極電荷は、メモリセルの分極を再記憶していることとなる。しかし、セルプレートがVMSAへ駆動されたとすれば(上記に説明されているように)、いくつかのメモリロジック状態または値が、再記憶された可能性があり、他のものは、再記憶されなかった可能性がある。1つの例として、セルプレートがVMSAへ駆動されたとすれば、分極関連の電荷に関連する第1の記憶されたロジカル状態または値(たとえば、1)に対応する分極は、再記憶された可能性があるが、分極関連の電荷に関連する第2の記憶されたロジカル状態または値(たとえば、ロジック値0、3つ以上の可能な値のうちの第1の事前定義されたロジック値)に対応する分極は、再記憶されなかった可能性がある。および、場合によっては、第2の記憶されたロジカル状態または値に対応する分極を再記憶またはライトバックするために、第1の値から第2の値へ(たとえば、VMSAからグランドへ)、次いで、中間値(たとえば、VMSA/2)へ電圧を駆動するセルプレート電圧パルスは、第2の記憶されたロジカル状態または値の分極を再記憶またはライトバックすることが可能である。本開示の態様によれば、1つまたは複数の書き込み動作が、関連の期間の間に行われることが可能である。たとえば、場合によっては、第1の電荷(たとえば、誘電体電荷)に関連付けられる情報、および、第2の電荷(たとえば、分極関連の電荷)に関連付けられる情報は、オリジナルメモリセルへ(および/または、場合によっては、別のメモリセルへ)それぞれライトバックされ得る。これらの書き込み動作は、同時に、直列に、連続的に、並列に、重なり合う期間の間に、または、なんらかの他の関係に基づいて行われることが可能である。場合によっては、第1の電荷または第2の電荷のうちの少なくとも1つがメモリセルへライトバックされるかは、キャパシタの放電された状態に依存することが可能である。いくつかの例では、キャパシタが放電される場合には、電荷のライトバック動作が行われることが可能である。他の動作では、キャパシタが放電されない場合には、電荷のライトバック動作が行われないことが可能である。代替的にまたは追加的に、所定の期間が経過したが、キャパシタが放電されない場合には、電荷のライトバック動作が、キャパシタをリフレッシュするために行われることが可能である。
場合によっては、事前充電動作の前に、第1の電荷を保持または蓄積するラッチは、第1の電荷の極性に依存する電圧レベルへターゲットディジットを駆動するように活性化され得る。たとえば、第1の電荷を保持または蓄積するラッチは、第1の電荷の第1の極性(たとえば、プラスの)に基づいて、より高い第1の電圧レベル(たとえば、VMSA/2)へターゲットディジットを駆動するように活性化され得る。代替的に、第1の電荷を保持または蓄積するラッチは、第1の電荷の第1の極性(たとえば、マイナスの)に基づいて、より低い第2の電圧レベル(たとえば、グランド)へターゲットディジットを駆動するように活性化され得る。
次いで、第1の電荷および第2の電荷のそれぞれがメモリセルに再蓄積またはライトバックされた後に、ワードラインが非活性化され得、ディジットラインは、同様のまたは同じ電圧値またはレベル(たとえば、VMSA/2)へ持って行かれ得る。場合によっては、書き込み動作は、メモリセルの分極状態、誘電体状態、またはその両方を設定することに基づくことが可能であり、または、セルまたはコンポーネント選択を使用して1つまたは複数のディジットをフリップさせることによることが可能である。
いくつかの例では、電子メモリ装置は、本開示の中の他の図および説明のなかでも、図5を参照して説明されている。いくつかの例では、この装置は、誘電体電荷および分極電荷を蓄積するための強誘電体キャパシタと、ディジットラインを介して強誘電体キャパシタと電子的に通信しているセンス増幅器と、誘電体電荷を蓄積するためのラッチとを含むことが可能であり、ラッチは、センス増幅器と電子的に通信している。他の例では、この装置は、他のコンポーネントを含むことが可能であるか、または、これらのエレメントのうちのいくつかを省略することが可能である。場合によっては、装置は、ディジットラインとセンス増幅器との間の電子通信経路の中に位置決めされている少なくとも1つのイコライザを含むことが可能である。
場合によっては、装置は、ディジットラインとセンス増幅器との間の電子通信経路の中に位置決めされている少なくとも1つのアイソレータを含むことが可能である。場合によっては、少なくとも1つのイコライザおよび少なくとも1つのアイソレータは、互いに独立して動作するように構成されている。他の場合には、少なくとも1つのイコライザおよび少なくとも1つのアイソレータは、互いに依存して動作するように構成されている。
図6は、本開示のさまざまな例による強誘電体メモリのためのマルチレベルアクセシング、センシング、および他の動作をサポートするシステム600を図示している。システム600は、デバイス605を含み、デバイス605は、プリント回路基板であるかまたはプリント回路基板を含むことが可能であり、さまざまなコンポーネントを接続するかまたは物理的にサポートするようになっている。デバイス605は、メモリアレイ100−bを含み、メモリアレイ100−bは、図1および図5を参照して説明されているメモリアレイ100の例であることが可能である。さまざまな例では、デバイス605は、コンピュータ、ラップトップコンピュータ、ノートブックコンピュータ、タブレットコンピュータ、モバイルフォン、ウェアラブルデバイス(たとえば、スマートウォッチ、心拍数モニター)、または、別のタイプのポータブル電子デバイスなどであることが可能である。メモリアレイ100−bは、メモリコントローラ140−bおよび1つまたは複数のメモリセル105−cを含有することが可能であり、それらは、図1および図5を参照して説明されているメモリコントローラ140の例、ならびに、図1、図2、および図5を参照して説明されているメモリセル105の例であることが可能である。また、デバイス605は、プロセッサ610、BIOSコンポーネント615、1つまたは複数の周辺コンポーネント620、および入力/出力制御コンポーネント625を含むことが可能である。デバイス605のコンポーネントは、バス630を通して互いに電子的に通信していることが可能である。
プロセッサ610は、メモリコントローラ140−bを通してメモリアレイ100−bを動作させるように構成され得る。場合によっては、プロセッサ610は、図1および図5を参照して説明されているメモリコントローラ140または140−aの機能を果たすことが可能である。他の場合には、メモリコントローラ140−bは、プロセッサ610の中へ一体化され得る。プロセッサ610は、汎用プロセッサ、デジタル信号プロセッサ(DSP)、特定用途向け集積回路(ASIC)、フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)、もしくは、他のプログラマブルロジックデバイス、ディスクリートゲートもしくはトランジスタロジック、ディスクリートハードウェアコンポーネントであることが可能であり、または、それは、これらのタイプのコンポーネントの組み合わせであることが可能であり、プロセッサ610は、本明細書で説明されているさまざまな機能を果たすことが可能であり、それは、強誘電体メモリのためのマルチレベルアクセシング、センシング、および他の動作を開始させるかまたは促進させる、少なくともいくつかの動作を含む。プロセッサ610は、たとえば、メモリアレイ100−bの中に記憶されているコンピュータ可読のインストラクションを実行し、デバイス605にさまざまな機能またはタスクを果たさせるように構成され得る。
BIOSコンポーネント615は、ファームウェアとして動作させられるベーシック入力/出力システム(BIOS)を含むソフトウェアコンポーネントであることが可能であり、それは、システム600のさまざまなハードウェアコンポーネントを初期化および走らせることが可能である。また、BIOSコンポーネント615は、プロセッサ610とさまざまなコンポーネント、たとえば、周辺コンポーネント620、入力/出力制御コンポーネント625などとの間のデータフローを管理することが可能である。BIOSコンポーネント615は、読み出し専用メモリ(ROM)、フラッシュメモリ、または、任意の他の不揮発性のメモリの中に記憶されたプログラムまたはソフトウェアを含むことが可能である。
1つまたは複数の周辺コンポーネント620のそれぞれは、任意の入力もしくは出力デバイス、または、そのようなデバイスのためのインターフェース(それは、デバイス605の中へ一体化されている)であることが可能である。例は、ディスクコントローラ、サウンドコントローラ、グラフィックスコントローラ、イーサネットコントローラ、モデム、USBコントローラ、シリアルポートもしくはパラレルポート、または、周辺カードスロット、たとえば、ペリフェラルコンポーネントインターコネクト(PCI)もしくはアクセラレイテッドグラフィックスポート(AGP)スロットなどを含むことが可能である。
入力/出力制御コンポーネント625は、プロセッサ610と1つまたは複数の周辺コンポーネント620、入力デバイス635、または出力デバイス640との間のデータ通信を管理することが可能である。また、入力/出力制御コンポーネント625は、デバイス605の中へ一体化されていない周辺機器を管理することが可能である。場合によっては、入力/出力制御コンポーネント625は、外部周辺機器への物理的な接続またはポートを表すことが可能である。
入力635は、デバイス605の外部にあるデバイスまたは信号を表すことが可能であり、それは、デバイス605またはそのコンポーネントへの入力を提供する。これは、ユーザーインターフェース、または、他のデバイスとのインターフェース、もしくは、他のデバイス間のインターフェースを含むことが可能である。場合によっては、入力635は、1つもしくは複数の周辺コンポーネント620を介してデバイス605とインターフェース接続する周辺機器であることが可能であり、または、入力/出力制御コンポーネント625によって管理され得る。
出力640は、デバイス605または任意のそのコンポーネントから出力を受け取るように構成されている、デバイス605の外部にあるデバイスまたは信号を表すことが可能である。出力640の例は、ディスプレイ、オーディオスピーカ、プリンティングデバイス、別のプロセッサ、またはプリント回路基板などを含むことが可能である。場合によっては、出力640は、周辺コンポーネント620を介してデバイス605とインターフェース接続する周辺機器であることが可能であり、または、入力/出力制御コンポーネント625によって管理され得る。
メモリコントローラ140−b、デバイス605、およびメモリアレイ100−bのコンポーネントは、それらの機能を実行するように設計された回路から構成され得る。これは、さまざまな回路エレメント、たとえば、導電ライン、トランジスタ、キャパシタ、インダクター、抵抗器、増幅器、または、他のアクティブエレメントもしくはインアクティブエレメントを含むことが可能であり、それは、本明細書で説明されている機能を実施するように構成されている。
いくつかの例では、メモリアレイ100−bは、強誘電体メモリセルと電子的に通信しているワードラインを活性化させ、ディジットラインを介して強誘電体メモリセルと電子的に通信しているセンス増幅器に誘電体電荷を移送するための手段を含むことが可能である。いくつかの例では、メモリアレイ100−bは、センス増幅器を絶縁するための手段を含むことが可能である。いくつかの例では、メモリアレイ100−bは、ワードラインを非活性化させるための手段を含むことが可能である。いくつかの例では、メモリアレイ100−bは、第1の時間にセンス増幅器を活性化させるための手段を含むことが可能である。いくつかの例では、メモリアレイ100−bは、ワードラインを活性化させ、センス増幅器へ分極電荷を移送するための手段を含むことが可能である。いくつかの例では、メモリアレイ100−bは、第2の時間にセンス増幅器を活性化させるための手段を含むことが可能である。
いくつかの例では、メモリアレイ100−bは、ラッチの中の誘電体電荷のストレージを開始させるための手段を含むことが可能であり、ラッチは、センス増幅器と電子的に通信している。いくつかの例では、メモリアレイ100−bは、誘電体電荷もしくは分極電荷、またはその両方に少なくとも部分的に基づいて、強誘電体メモリセルへのライトバック動作を開始させるための手段を含むことが可能である。
いくつかの例では、メモリアレイ100−bは、センス増幅器もしくはラッチ、またはその両方の中に位置付けされている電荷に少なくとも部分的に基づいて、強誘電体メモリセルへのライトバック動作を開始させるための手段を含むことが可能である。いくつかの例では、メモリアレイ100−bは、第2の時間にセンス増幅器を活性化させる前に、強誘電体メモリセルに誘電体電荷を書き込むための手段を含むことが可能である。
いくつかの例では、メモリアレイ100−bは、第1の期間の間に第1の電荷の受け取りを開始させるための手段を含むことが可能である。いくつかの例では、メモリアレイ100−bは、第2の期間の間に第2の電荷の受け取りを開始させるための手段を含むことが可能であり、第1の期間は、第2の期間と重なり合っている。
図7は、本開示のさまざまな例による強誘電体メモリのためのマルチレベルアクセシング、センシング、および他の動作のための方法700を図示するフローチャートを示している。方法700の動作は、図1、図5、および図6を参照して説明されているような、メモリアレイ100によって実装され得る。たとえば、方法700の動作は、図1および図5を参照して説明されているようなメモリコントローラ140によって実施され得る。いくつかの例では、メモリコントローラ140は、1組のコードを実行し、メモリアレイ100の機能的エレメントを制御し、下記に説明されている機能を果たすことが可能である。追加的にまたは代替的に、メモリコントローラ140は、特殊用途のハードウェアを使用して、下記に説明されている機能を果たすことが可能である。
ブロック705において、方法は、図1〜図6を参照して説明されているように、センス増幅器において、強誘電体メモリセルの誘電体に関連付けられる第1の電荷を受け取ることを含むことが可能である。いくつかの例では、1つまたは複数の回路コンポーネントを開始させることは、メモリセルから第1の電荷(たとえば、キャパシタの誘電体コンポーネントに関連する電荷)を移送することが可能である。この移送は、第1の電荷の移送の後に、別個の第2の電荷がメモリセルの中に蓄積されている間に行われることが可能である。場合によっては、ワードラインは、単独で、または、他のコンポーネントと組み合わせて、メモリセルから第1の電荷を移送するように活性化され得、第1の電荷は、センスコンポーネント(たとえば、センス増幅器)において受け取られ得る。特定の例では、ブロック705の動作は、図1〜図2および図4〜図6を参照して説明されているように、センス増幅器、ワードライン、またはキャパシタによって、実施されるかまたは促進させられ得る。
ブロック710において、方法は、図1〜図6を参照して説明されているように、第1の時間においてセンス増幅器を活性化させることを含むことが可能である。場合によっては、センスコンポーネントは、メモリセルの誘電体に関連付けられる第1の電荷を受け取ることが可能であり、センス増幅器は、第1の時間において第1の電荷をセンシングするように活性化され得る。この第1の時間は、メモリセルの誘電体に関連付けられる電荷がセンシングコンポーネントによって受け取られた後に、起こることが可能である。いくつかの例では、第1の時間においてセンス増幅器を活性化させた後に、センシングされた第1の電荷は、センスコンポーネント自身の中に、または、センスコンポーネントと通信しているコンポーネントの中に蓄積され得る。場合によっては、センシングされた第1の電荷は、センスコンポーネントの中に含まれているか、または、センスコンポーネントと電子的に通信している、1つまたは複数のラッチの中に蓄積され得る。特定の例では、ブロック710の動作は、図1〜図2および図4〜図6を参照して説明されているように、センス増幅器、ワードライン、またはキャパシタによって、実施されるかまたは促進させられ得る。
ブロック715において、方法は、図1〜図6を参照して説明されているように、センス増幅器において、強誘電体メモリセルの分極に関連付けられる第2の電荷を受け取ることを含むことが可能である。また、センシングは、メモリセル105−aから第2の電荷を移送するために1つまたは複数の回路コンポーネントを開始させることに基づくことが可能である。場合によっては、メモリセルからの第2の電荷の移送、および、センスコンポーネントによる受け取りは、メモリセルからの第1の電荷の移送の後に行われることが可能である。場合によっては、メモリセルからの第2の電荷の移送、および、センスコンポーネントによる受け取りは、第1の電荷が1つまたは複数の回路コンポーネントの中に蓄積されている間に行われることが可能である。場合によっては、ワードラインは、メモリセルからセンスコンポーネント(たとえば、センス増幅器)へ第2の電荷を移送するように活性化され得る。特定の例では、ブロック715の動作は、図1〜図2および図4〜図6を参照して説明されているように、センス増幅器、ワードライン、またはキャパシタによって、実施されるかまたは促進させられ得る。
ブロック720において、方法は、図1〜図6を参照して説明されているように、第1の時間の後の第2の時間においてセンス増幅器を活性化させることを含むことが可能である。場合によっては、センスコンポーネントは、メモリセルの分極デバイスに関連付けられる第2の電荷を受け取ることが可能であり、センス増幅器は、第2の時間において第2の電荷をセンシングするように活性化され得る。いくつかの例では、第2の時間においてセンス増幅器を活性化させた後に、センシングされた第2の電荷は、センスコンポーネント自身の中に、または、センスコンポーネントと電子的に通信しているコンポーネントの中に蓄積され得る。
場合によっては、センシングされた第2の電荷は、センスコンポーネントの中に含まれているか、または、センスコンポーネントと電子的に通信している、1つまたは複数のラッチの中に蓄積され得る。代替的に、場合によっては、第2の電荷は、蓄積されなくてもよく、1つまたは複数のメモリセルに書き込まれるかまたは書き換えられ得る。たとえば、第1の電荷(たとえば、強誘電体メモリの誘電体に関連付けられる)は蓄積され得るが、第2の電荷は蓄積されなくてもよい。その代わりに、第2の電荷は、メモリセルに自動的に書き込まれ得、メモリセルは、第2の電荷がそこから移送されたメモリセルを含む。
場合によっては、第2の電荷がメモリセルに自動的に書き込まれるか(または書き込まれないか)は、1つまたは複数の他の電圧と比較されたセルプレートの電圧の値に基づくことが可能である。場合によっては、第2の電荷をメモリセルに書き込むことは、セルプレートパルス(たとえば、センスコンポーネント電圧から、グランドへの、および、センスコンポーネント電圧の半分などのような中間電圧への、パルス)に基づくことが可能である。場合によっては、第2の電荷が自動的に書き込まれた(たとえば、再蓄積された)かどうかは、メモリ値または状態に基づくことが可能である。
たとえば、セルプレート電圧に基づいて、1の値を有するメモリセルの分極は、自動的に再記憶されるかまたは書き換えられ得、一方、0の値を有するメモリセルの分極は、自動的に再記憶されなくてもまたは書き換えられなくてもよい。特定の例では、ブロック720の動作は、図1〜図2および図4〜図6を参照して説明されているように、センス増幅器、ワードライン、またはキャパシタによって、実施されるかまたは促進させられ得る。
場合によっては、方法および動作は、2つの別個のメモリセルに関連する動作に関連することが可能である。いくつかの例では、これらの動作は、同時に、重なり合う期間の間に、直列に、別々の時間において、他の関係に基づいて、または、いくつかの組み合わせで実施され得る。そのうえ、第1のメモリセルを参照して本開示において説明されている動作および態様は、また、2つ以上のメモリセルを参照する動作にも該当し、本開示の態様のこの拡張が企図されている。場合によっては、第1のメモリ装置は、第2の強誘電体メモリセルの誘電体および/または分極に関連付けられる1つまたは複数の電荷を受け取ることが可能である。場合によっては、誘電体および/または分極に関連付けられる1つまたは複数の電荷は、第1のコンポーネントによって受け取られ得る。このコンポーネントの例は、それに限定されないが、第2のセンス増幅器を含むことが可能である。誘電体および/または分極に関連付けられる1つまたは複数の電荷を受け取った後に、第2のセンス増幅器が活性化され得る。(たとえば、第2の強誘電体メモリセルの)第2のセンス増幅器を活性化させた後に、第2のメモリセルは、第2のセンス増幅器を活性化させることに少なくとも部分的に基づいて、第2の強誘電体メモリセルの中に記憶されている情報を出力することが可能である。この出力されたまたは移送された情報は、第1のメモリセルのコンポーネント(または、アレイ、装置、もしくはシステムの別のデバイスもしくはコンポーネント)によって受け取られ得、1つまたは複数の動作が実施され得る。
装置が説明されている。いくつかの例では、装置は、センス増幅器において、強誘電体メモリセルの誘電体に関連付けられる第1の電荷を受け取るための手段と、第1の時間においてセンス増幅器を活性化させるための手段と、センス増幅器において、強誘電体メモリセルの分極に関連付けられる第2の電荷を受け取るための手段と、第1の時間の後の第2の時間においてセンス増幅器を活性化させるための手段とを含むことが可能である。いくつかの例では、第1の電荷を受け取ることは、第1の期間の間に行われることが可能であり、第2の電荷を受け取ることは、第2の期間の間におこることが可能であり、第1の期間は、第2の期間と重なり合っている。いくつかの例では、第1の電荷は、第1の極性を有することが可能であり、第2の電荷は、第1の電荷の反対の第2の極性を有することが可能である。いくつかの例では、第1の電荷および第2の電荷は、同じ極性を有することが可能である。
いくつかの例では、装置は、第1の電荷を受け取った後に、センス増幅器を絶縁するための手段を含むことが可能である。いくつかの例では、装置は、ワードラインを活性化させ、センス増幅器において第1の電荷を受け取ることを少なくとも部分的に開始させるための手段を含むことが可能である。いくつかの例では、装置は、第1の時間においてセンス増幅器を活性化させることに基づいて、ラッチにおいて第1の電荷を蓄積するための手段を含むことが可能である。いくつかの例では、装置は、第2の時間にセンス増幅器を活性化した後に、第1の電荷を強誘電体メモリセルに書き込むための手段を含むことが可能である。いくつかの例では、装置は、第1の時間にセンス増幅器を活性化させることに基づいて、強誘電体メモリセルの中に記憶されている情報を出力するための手段を含むことが可能であり、情報を出力することは、第2の電荷を受け取ることと重なり合っている。
いくつかの例では、装置は、第2の時間にセンス増幅器を活性化させる前に、第1の電荷を強誘電体メモリセルに書き込むための手段を含むことが可能である。いくつかの例では、装置は、第2のセンス増幅器において、第2の強誘電体メモリセルの誘電体に関連付けられる電荷を受け取るための手段と、第2のセンス増幅器を活性化させるための手段と、第2のセンス増幅器を活性化させることに基づいて、第2の強誘電体メモリセルの中に記憶されている情報を出力するための手段とを含むことが可能である。
いくつかの例では、装置は、第1の時間においてセンス増幅器を活性化した後に、ワードラインを非活性化させるための手段と、少なくとも1つのイコライザを使用してターゲットディジットラインを事前充電するための手段とを含むことが可能である。いくつかの例では、装置は、センス増幅器を非活性化させるための手段と、ディジットラインからセンス増幅器を絶縁解除するための手段と、ワードラインを活性化させ、センス増幅器において第2の電荷を受け取ることを少なくとも部分的に開始させるための手段とを含むことが可能である。いくつかの例では、センス増幅器を絶縁した後に、センス増幅器を活性化させるための手段は、センス増幅器の中のディジットライン間の電圧差を増加させるための手段を含むことが可能である。
いくつかの例では、装置は、センス増幅器第2の時間において活性化されているときに、セルプレートの電圧がセンス増幅器の基準電圧以下であるかどうかを決定するための手段と、決定に基づいて、第2の時間の後に強誘電体メモリセルに第2の電荷を書き込むための手段とを含むことが可能である。いくつかの例では、装置は、第2の時間の後に強誘電体メモリセルに第1の電荷を書き込むための手段を含むことが可能である。いくつかの例では、装置は、第1の期間の間に第1の電荷を書き込むための手段と、第1の期間と重なり合う第2の期間の間に、第2の電荷を書き込むための手段とを含むことが可能である。
図8は、本開示のさまざまな例による強誘電体メモリのためのマルチレベルアクセシング、センシング、および他の動作のための方法800を図示するフローチャートを示している。方法800の動作は、図1、図5、および図6を参照して説明されているような、メモリアレイ100によって実装され得る。たとえば、方法800の動作は、図1および図5を参照して説明されているようなメモリコントローラ140によって実施され得る。いくつかの例では、メモリコントローラ140は、1組のコードを実行し、メモリアレイ100の機能的エレメントを制御し、下記に説明されている機能を果たすことが可能である。追加的にまたは代替的に、メモリコントローラ140は、特殊用途のハードウェアを使用して、下記に説明されている機能を果たすことが可能である。
ブロック805において、方法は、図1〜図6を参照して説明されているように、センス増幅器において、強誘電体メモリセルの誘電体に関連付けられる第1の電荷を受け取ることを含むことが可能である。特定の例では、ブロック805の動作は、図1〜図2および図4〜図6を参照して説明されているように、センス増幅器、ワードライン、またはキャパシタによって、実施されるかまたは促進させられ得る。場合によっては、強誘電体メモリセルから1つまたは複数の他のコンポーネント(たとえば、センスコンポーネント)へ第1の電荷を移送することに基づいて、キャパシタまたはストレージエレメントは、誘電的に充電され得、その電荷は、(たとえば、キャパシタがバイアシングされた後に1つまたは複数の方法を使用してキャパシタを絶縁することに基づいて)維持され得る。いくつかの例では、キャパシタが他のコンポーネントまたはエレメントから絶縁されているので、キャパシタは、(たとえば、DRAMタイプの挙動と同様に)電荷の漏洩のみに基づいて放電することが可能である。他の例では、強誘電体メモリセルから1つまたは複数の他のコンポーネント(たとえば、センスコンポーネント)へ第1の電荷を移送することに基づいて、キャパシタまたはストレージエレメントは、(書き込み(プログラミング)動作の一部として)誘電的に放電され得る。2つの可能な状態の間の差(誘電体充電された状態と誘電体放電された状態との間の差)は、キャパシタが放電されているか(たとえば、誘電体電荷を除去する)または放電されていないか(たとえば、誘電体電荷を残している)に基づくことが可能である。誘電体電荷が初期に放電されていない場合には(たとえば、意図的な動作に基づいて)、セルは、メモリの揮発性の性質に起因して、放電された状態へゆっくりとリークすることが可能である。場合によっては、および、本開示の態様に説明されているように、セルは、放電された状態に到達する前に、(たとえば、センシングの後に、所定の期間の後に、1つまたは複数の動作に基づいて、自動的にまたは即座に)リフレッシュされ得る。
ブロック810において、方法は、第1の電荷を受け取った後に、センス増幅器を絶縁することを含むことが可能である。場合によっては、センス増幅器は、なかでも図3および図6を参照して説明されているように、センスコンポーネントであるか、または、センスコンポーネントの一部として含まれ得る。場合によっては、センス増幅器を絶縁することは、絶縁コンポーネントがセンス増幅器への電子フローを防止することを可能にすることを含むことが可能である。場合によっては、センス増幅器を絶縁することは、スイッチまたは別のコンポーネントを介してオープン回路を生成させることを含むことが可能である。センス増幅器のこの絶縁は、第1の電荷の移送の後の時間に基づいて、センスコンポーネントにおいて第1の電荷を受け取った後の時間に基づいて、1つもしくは複数の他のコンポーネントからの信号、なんらかの組み合わせ、または、他の情報もしくは動作に基づいて、実施され得る。特定の例では、ブロック810の動作は、図1〜図2および図4〜図6を参照して説明されているように、センス増幅器、ワードライン、またはキャパシタによって、実施されるかまたは促進させられ得る。
ブロック815において、方法は、図1〜図6を参照して説明されているように、第1の時間においてセンス増幅器を活性化させることを含むことが可能である。特定の例では、ブロック815の動作は、図1〜図2および図4〜図6を参照して説明されているように、センス増幅器、ワードライン、またはキャパシタによって、実施されるかまたは促進させられ得る。
ブロック820において、方法は、センス増幅器を非活性化させることと、ディジットライン(それは、ワードラインを間接的に絶縁することが可能である)からセンス増幅器を絶縁解除することと、ワードラインを活性化させ、センス増幅器において第2の電荷を受け取ることを開始させることとを含むことが可能である。いくつかの例では、第1の電荷を受け取り、およびセンスコンポーネントを使用して第1の電荷をセンシングした後に、センスコンポーネント(たとえば、センス増幅器が非活性化され得る)が読み出しまたはセンシングを停止する。これは、センスコンポーネントまたは別のコンポーネントの中の第1の電荷に基づいて、第1の電荷または電荷を蓄積またはラッチングすることに基づくことが可能である。場合によっては、センス増幅器は、ワードラインから絶縁解除され得る。これは、場合によっては、センス増幅器を非活性化させることに基づいて、または、少なくともセンス増幅器が非活性化された後に、行われることが可能である。
代替的に、センス増幅器は絶縁解除され得、センス増幅器を非活性化させることは、絶縁解除に基づくことが可能である。場合によっては、センス増幅器を絶縁解除することは、電子がセンスアンプへ現在流れることができるように、電子フローを可能にすることを含むことが可能である。場合によっては、センス増幅器を絶縁解除する期間または別の条件に基づいて、ワードラインが活性化され、センス増幅器への第2の電荷の移送、および、センス増幅器における第2の電荷の受け取りを開始させる。ワードラインを活性化させることは、場合によっては、メモリセル自身または別の場所から電荷を移送するために、ワードラインを活性化させることを含むことが可能である。場合によっては、第2の電荷を受け取ることを開始させるために、ワードラインを活性化させることは、所与の読み出し動作、所与のサイクル、または他の期間の間の、ワードラインの第2の活性化であることが可能である。特定の例では、ブロック820の動作は、図1〜図2および図4〜図6を参照して説明されているように、センス増幅器、ワードライン、またはキャパシタによって、実施されるかまたは促進させられ得る。
ブロック825において、方法は、図1〜図6を参照して説明されているように、センス増幅器において、強誘電体メモリセルの分極に関連付けられる第2の電荷を受け取ることを含むことが可能である。特定の例では、ブロック825の動作は、図1〜図2および図4〜図6を参照して説明されているように、センス増幅器、ワードライン、またはキャパシタによって、実施されるかまたは促進させられ得る。
ブロック830において、方法は、図1〜図6を参照して説明されているように、第1の時間の後の第2の時間において、センス増幅器を活性化させることを含むことが可能である。特定の例では、ブロック830の動作は、図1〜図2および図4〜図6を参照して説明されているように、センス増幅器、ワードライン、またはキャパシタによって、実施されるかまたは促進させられ得る。
場合によっては、なかでも図7および図8に説明されているものに関連する追加的な動作が実施され得る。たとえば、方法は、センス増幅器において第1の電荷を受け取ることを少なくとも部分的に開始させるために、ワードラインを活性化させることを含むことが可能である。場合によっては、方法は、第1の時間においてセンス増幅器を活性化させることに少なくとも部分的に基づいて、ラッチにおいて第1の電荷を蓄積することを含むことが可能である。場合によっては、また、方法は、第2の時間においてセンス増幅器を活性化させた後に、強誘電体メモリセルに第1の電荷を書き込むことを含むことが可能である。場合によっては、強誘電体メモリセルに第1の電荷を書き込むことに基づいて、キャパシタまたはストレージエレメントは、(たとえば、キャパシタがバイアシングされた後に1つまたは複数の方法を使用してキャパシタを絶縁することに基づいて)誘電的に充電され得る。いくつかの例では、キャパシタが他のコンポーネントまたはエレメントから絶縁されているので、キャパシタは、電荷の漏洩のみに基づいて放電することが可能である。他の例では、強誘電体メモリセルに第1の電荷を書き込むことに基づいて、キャパシタまたはストレージエレメントは、(書き込み/プログラミング動作の一部として)誘電的に放電され得る。
場合によっては、第1の充電されたまたは放電された状態、(たとえば、誘電体に関連する)をセンシングすることによって、充電された状態または放電された状態に対応するロジック値(たとえば、値1、値0、他の値)が決定され得る。第1の充電されたまたは放電された状態に少なくとも部分的に基づいて、追加的なロジック値または追加的なビット情報が、状態の分極に基づいて決定され得る。1つの例として、放電された状態の場合には、追加的な(0.5ビット)情報が、放電された状態に関連する分極(+/−)を読み出すことに基づいて決定され得る。いくつかの例では、第1の充電されたまたは放電された状態(たとえば、値1、値0、他の値)に関連する、センシングされたまたは決定されたロジック値が、移送されるかまたは出力され得る。場合によっては、この移送または出力は、1つまたは複数のその後の動作の間に、たとえば、ここで説明されているような分極情報または状態をセンシングまたは決定する間などに、行われることが可能である。場合によっては、この移送または出力は、本開示の態様によって説明されているように、その後の動作の間に行われることが可能である。
他の場合には、方法は、第1の時間においてセンス増幅器を活性化させた後に、ワードラインを非活性化させること、および、少なくとも1つのイコライザを使用してターゲットディジットラインを事前充電することを含むことが可能である。いくつかの例では、センス増幅器を絶縁した後にセンス増幅器を活性化させることは、センス増幅器の中のディジットライン間の電圧差を増加させることを含むことが可能である。特定の例では、第1の電荷は、第1の極性を有しており、第2の電荷は、第1の電荷の反対の第2の極性を有している。他の例では、第1の電荷および第2の電荷は、同じ極性を有している。
場合によっては、方法は、センス増幅器が第2の時間において活性化されているときに、セルプレートの電圧がセンス増幅器の基準電圧以下であるかどうかを決定することと、決定に少なくとも部分的に基づいて、第2の時間の後に強誘電体メモリセルに第2の電荷を書き込むこととを含むことが可能である。場合によっては、方法は、第2の時間の後に強誘電体メモリセルに第1の電荷を書き込むことを含むことが可能である。他の場合には、方法は、決定および/または他の動作に少なくとも部分的に基づいて、第2の時間の後に強誘電体メモリセルに第1の電荷を書き込むことを含むことが可能である。いくつかの例では、第1の電荷は、さまざまな値(たとえば、プラスの、ヌルなど)を有することが可能である。この値は、実施される動作の文脈に依存することが可能であり、それは、本開示の態様による他の例の中でも、たとえば、破壊読み出しおよびマイナスの分極の再記憶、または、プラスの分極状態の中の放電された誘電体状態の文脈を含む。
図9は、本開示のさまざまな例による強誘電体メモリのためのマルチレベルアクセシング、センシング、および他の動作のための方法900を図示するフローチャートを示している。方法900の動作は、図1、図5、および図6を参照して説明されているような、メモリアレイ100によって実装され得る。たとえば、方法900の動作は、図1および図5を参照して説明されているようなメモリコントローラ140によって実施され得る。いくつかの例では、メモリコントローラ140は、1組のコードを実行し、メモリアレイ100の機能的エレメントを制御し、下記に説明されている機能を果たすことが可能である。追加的にまたは代替的に、メモリコントローラ140は、特殊用途のハードウェアを使用して、下記に説明されている機能を果たすことが可能である。
ブロック905において、方法は、図1〜図6を参照して説明されているように、第1の時間にワードラインを活性化させることを含むことが可能である。場合によっては、この活性化させることは、メモリセルの誘電体に関連付けられる第1の電荷をセンスコンポーネントへ移送することを開始させることが可能である。特定の例では、ブロック905の動作は、図1〜図2および図4〜図6を参照して説明されているように、センス増幅器、ワードライン、またはキャパシタによって、実施されるかまたは促進させられ得る。
ブロック910において、方法は、図1〜図6を参照して説明されているように、ワードラインを活性化させた後に、ワードラインに電子的に通信しているセンス増幅器を絶縁することを含むことが可能である。場合によっては、この絶縁することは、センスコンポーネントの中に受け取られた、メモリの誘電体に関連付けられる電荷を、劣化から保存または保護することが可能である。また、場合によっては、この絶縁することは、絶縁されている1つまたは複数のコンポーネントの外部にあるコンポーネントの上で、または、そのコンポーネントによって、他の動作を実施することを促進させることが可能である。特定の例では、ブロック910の動作は、図1〜図2および図4〜図6を参照して説明されているように、センス増幅器、ワードライン、またはキャパシタによって、実施されるかまたは促進させられ得る。
ブロック915において、方法は、図1〜図6を参照して説明されているように、センス増幅器を絶縁した後に、センス増幅器を活性化させることを含むことが可能である。場合によっては、この活性化させることは、第1の電荷のセンシングおよびその後の捕獲を促進させることが可能である。特定の例では、ブロック915の動作は、図1〜図2および図4〜図6を参照して説明されているように、センス増幅器、ワードライン、またはキャパシタによって、実施されるかまたは促進させられ得る。
ブロック920において、方法は、図1〜図6を参照して説明されているように、センス増幅器から誘電体電荷を捕獲することを含むことが可能である。場合によっては、この捕獲することは、センス増幅器を活性化させることに基づくことが可能であり、また、ラッチによって促進させられるかまたは実施され得、ラッチは、センス増幅器から分離された状態になっていることが可能であり、または、センス増幅器と電子的に通信していることが可能である。特定の例では、ブロック920の動作は、図1〜図2および図4〜図6を参照して説明されているように、センス増幅器、ワードライン、またはキャパシタによって、実施されるかまたは促進させられ得る。
ブロック925において、方法は、図1〜図6を参照して説明されているように、第2の時間にワードラインを活性化させることを含むことが可能である。場合によっては、この活性化させることは、メモリセルの分極に関連付けられる第2の電荷をセンスコンポーネントへ移送することを開始させることが可能である。場合によっては、第2の電荷は、第1の電荷と同じ極性または異なる極性を有することが可能である。特定の例では、ブロック925の動作は、図1〜図2および図4〜図6を参照して説明されているように、センス増幅器、ワードライン、またはキャパシタによって、実施されるかまたは促進させられ得る。
装置が説明されている。いくつかの例では、装置は、第1の時間にワードラインを活性化させるための手段と、ワードラインを活性化させた後に、ワードラインと電子的に通信しているセンス増幅器を絶縁するための手段と、センス増幅器を絶縁した後に、センス増幅器を活性化させるための手段と、センス増幅器から誘電体電荷を捕獲するための手段と、第2の時間にワードラインを活性化させるための手段とを含むことが可能である。
いくつかの例では、装置は、第2の時間にワードライン活性化させた後に、第2の時間にセンス増幅器を活性化させるための手段を含むことが可能である。いくつかの例では、装置は、センス増幅器が絶縁されている間に、第1の時間の後にワードラインを非活性化させるための手段を含むことが可能である。いくつかの例では、装置は、第2の時間にワードラインを活性化させた後に、分極電荷を決定するための手段を含むことが可能である。
図10は、本開示のさまざまな例による強誘電体メモリのためのマルチレベルアクセシング、センシング、および他の動作のための方法1000を図示するフローチャートを示している。方法1000の動作は、図1、図5、および図6を参照して説明されているような、メモリアレイ100によって実装され得る。たとえば、方法1000の動作は、図1および図5を参照して説明されているようなメモリコントローラ140によって実施され得る。いくつかの例では、メモリコントローラ140は、1組のコードを実行し、メモリアレイ100の機能的エレメントを制御し、下記に説明されている機能を果たすことが可能である。追加的にまたは代替的に、メモリコントローラ140は、特殊用途のハードウェアを使用して、下記に説明されている機能を果たすことが可能である。
ブロック1005において、方法は、図1〜図6を参照して説明されているように、第1の時間にワードラインを活性化させることを含むことが可能である。特定の例では、ブロック1005の動作は、図1〜図2および図4〜図6を参照して説明されているように、センス増幅器、ワードライン、またはキャパシタによって、実施されるかまたは促進させられ得る。
ブロック1010において、方法は、図1〜図6を参照して説明されているように、ワードラインを活性化させた後に、ワードラインに電子的に通信しているセンス増幅器を絶縁することを含むことが可能である。特定の例では、ブロック1010の動作は、図1〜図2および図4〜図6を参照して説明されているように、センス増幅器、ワードライン、またはキャパシタによって、実施されるかまたは促進させられ得る。
ブロック1015において、方法は、図1〜図6を参照して説明されているように、センス増幅器を絶縁した後にセンス増幅器を活性化させることと、センス増幅器が絶縁されている間に、第1の時間の後にワードラインを非活性化させることとを含むことが可能である。場合によっては、このワードラインを非活性化させることは、第1の電荷がセンス増幅器によって受け取られることに基づくことが可能であり、また、センス増幅器がワードラインから絶縁されていることに基づくことが可能である。この時間においてワードラインを非活性化させることは、他の動作が実施されることを可能にし、また、その後の時間にワードラインを活性化させることが他の動作を促進させることを可能にする。特定の例では、ブロック1015の動作は、図1〜図2および図4〜図6を参照して説明されているように、センス増幅器、ワードライン、またはキャパシタによって、実施されるかまたは促進させられ得る。
ブロック1020において、方法は、図1〜図6を参照して説明されているように、センス増幅器から誘電体電荷を捕獲することを含むことが可能である。場合によっては、誘電体電荷は、初期に、センスコンポーネントにおいて受け取られ得、また、場合によっては、それがセンシングされた後に、自動的にまたは即座に移送され得る。場合によっては、電荷(たとえば、誘電体電荷)は、場合によっては、強誘電体メモリセルの分極に関連付けられる第2の電荷が決定されるかもしくはセンシングされる前に、その間に、またはその後に、移送され得る。特定の例では、ブロック1020の動作は、図1〜図2および図4〜図6を参照して説明されているように、センス増幅器、ワードライン、またはキャパシタによって、実施されるかまたは促進させられ得る。
ブロック1025において、方法は、図1〜図6を参照して説明されているように、第2の時間にワードラインを活性化させることを含むことが可能である。特定の例では、ブロック1025の動作は、図1〜図2および図4〜図6を参照して説明されているように、センス増幅器、ワードライン、またはキャパシタによって、実施されるかまたは促進させられ得る。
ブロック1030において、方法は、図1〜図6を参照して説明されているように、第2の時間にワードラインを活性化させた後に、第2の時間にセンス増幅器を活性化させることと、第2の時間にワードラインを活性化させた後に、分極電荷を決定することとを含むことが可能である。場合によっては、第2の時間にワードラインを活性化させた後に、第2の時間にセンス増幅器を活性化させることは、メモリセルに関連付けられる分極電荷などのような、第2の電荷のセンシングを促進させることが可能であり、第2の電荷は、センスコンポーネントへ移送された。場合によっては、第2の時間にワードラインを活性化させた後に、分極電荷を決定することは、センスコンポーネントの中で分極電荷をセンシングすることに基づくことが可能である。場合によっては、分極電荷は、自動的に再蓄積され得るか、もしくは、メモリセルにライトバックされ得、または、代替的に、1つまたは複数の動作に基づいて、再蓄積されるかもしくはライトバックされ得る。特定の例では、ブロック1030の動作は、図1〜図2および図4〜図6を参照して説明されているように、センス増幅器、ワードライン、またはキャパシタによって、実施されるかまたは促進させられ得る。
したがって、方法700、800、900、および1000は、強誘電体メモリセルを動作させる方法であることが可能であり、また、強誘電体メモリのためのマルチレベルアクセシング、センシング、および他の動作を提供することが可能である。方法700、800、900、および1000は、可能な実装形態を説明しており、また、動作およびステップは、再配置され得るか、または、その他の方法で修正され得、他の実装形態が可能であるようになっていることが留意されるべきである。いくつかの例では、方法700、800、900、および1000のうちの2つ以上からの特徴は、組み合わせられ得、または、それらの方法からの特徴は、省略されるか、並べ替えられるか、もしくは、その他の方法で修正され得る。
本明細書における説明は、例を提供しており、特許請求の範囲に記述された範囲、適用可能性、または例の限定ではない。本開示の範囲から逸脱することなく、考察されているエレメントの機能および配置に関して変更が行われ得る。さまざまな例は、必要に応じて、さまざまな手順またはコンポーネントを省略するか、置換するか、または追加することが可能である。また、いくつかの例に関して説明されている特徴は、他の例の中に組み合わせられ得る。
本明細書において記述されている説明は、添付の図面とともに、例示的な構成を説明しており、実装され得るかまたは特許請求の範囲の中にあるすべての例を表しているわけではない。本明細書で使用されているように、「例」、「例示的な」、および「実施形態」という用語は、「例、実例、または図示としての役割を果たしている」ことを意味しており、「好適である」または「他の例よりも有利である」ことは意味していない。詳細な説明は、説明されている技法の理解を提供する目的のために、具体的な詳細を含む。しかし、これらの技法は、これらの具体的な詳細なしに実践され得る。いくつかの場合では、周知の構造体およびデバイスは、説明されている例の概念を曖昧にすることを回避するために、ブロック図の形態で示されている。
添付の図において、同様のコンポーネントまたは特徴は、同じ参照ラベルを有している可能性がある。さらに、同じタイプのさまざまなコンポーネントは、ダッシュによる参照ラベル、および、同様のコンポーネントの間を区別する第2のラベルを続けることによって、区別され得る。第1の参照ラベルが明細書において使用されているときに、説明は、第2の参照ラベルに関係なく、同じ第1の参照ラベルを有する同様のコンポーネントの任意のものに適用可能である。
本明細書で説明されている情報および信号は、さまざまな異なる技術および技法のいずれかを使用して表され得る。たとえば、上記の説明の全体を通して参照され得る、データ、インストラクション、コマンド、情報、信号、ビット、シンボル、およびチップは、電圧、電流、電磁波、磁場もしくは磁気粒子、光学場もしくは光学粒子、または、それらの任意の組み合わせによって表され得る。いくつかの図面は、単一の信号として信号を図示している可能性がある。しかし、信号は、信号のバスを表している可能性があり、ここで、バスは、さまざまなビット幅を有することが可能であることが当業者によって理解されることとなる。
本明細書で使用されているように、「事実上のグランド」という用語は、おおよそゼロボルト(0V)の電圧に保持されているが、グランドと直接的に接続されていない、電気回路のノードを表している。したがって、事実上のグランドの電圧は、一時的に変動し、定常状態においておおよそ0Vに戻ることが可能である。事実上のグランドは、演算増幅器および抵抗器から構成される電圧分圧器などのような、さまざまな電子的な回路エレメントを使用して実装され得る。また、他の実装形態も可能である。「事実上グランドしている」または「事実上グランドされている」は、おおよそ0Vに接続されていることを意味している。
「電子通信」という用語は、コンポーネント間の電子フローをサポートする、コンポーネント間の関係を表している。これは、コンポーネント間の直接的な接続を含むことが可能であり、または、中間コンポーネントを含むことが可能である。電子通信中のコンポーネントは、(たとえば、励起された回路の中で)電子もしくは信号をアクティブに交換することが可能であり、または、(たとえば、励起されていない回路の中で)電子または信号をアクティブに交換しないことも可能であるが、回路が励起されると、電子または信号を交換するように構成されて動作可能であり得る。例として、スイッチ(たとえば、トランジスタ)を介して物理的に接続されている2つのコンポーネントは、スイッチの状態(すなわち、開または閉)にかかわらず、電子的に通信している。
「絶縁されている」という用語は、電子がそれらの間を現在流れることができない、コンポーネント間の関係を表している。コンポーネント同士は、それらの間にオープン回路が存在する場合には、互いから絶縁されている。たとえば、スイッチによって物理的に接続されている2つのコンポーネントは、スイッチが開いているときに、互いから絶縁され得る。
本明細書で使用されているように、「短絡」という用語は、対象の2つのコンポーネントの間の単一の媒介コンポーネントの活性化を介して、導電性経路がコンポーネント間に確立される、コンポーネント間の関係を表している。たとえば、第2のコンポーネントに対して短絡された第1のコンポーネントは、2つのコンポーネントの間のスイッチが閉じられているときに、第2のコンポーネントと電子を交換することが可能である。したがって、短絡は、電子的に通信しているコンポーネント(または、ライン)間の電荷のフローを可能にする動的な動作であることが可能である。
メモリアレイ100を含む、本明細書で考察されているデバイスは、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム合金、ヒ化ガリウム、窒化ガリウムなどのような、半導体基板の上に形成され得る。場合によっては、基板は、半導体ウエハーである。他の場合には、基板は、シリコン・オン・インシュレータ(SOI)基板、たとえば、シリコン・オン・グラス(SOG)もしくはシリコン・オン・サファイヤ(SOS)など、または、別の基板の上の半導体材料のエピタキシャル層であることが可能である。基板または基板のサブ領域の導電性は、それに限定されないが、リン、ホウ素、またはヒ素を含む、さまざまな化学種を使用するドーピングを通して制御され得る。ドーピングは、イオン注入によって、または、任意の他のドーピング手段によって、基板の初期の形成または成長の間に実施され得る。
本明細書で考察されている1つまたは複数のトランジスタは、電界効果トランジスタ(FET)を表すことが可能であり、ソース、ドレイン、およびゲートを含む、3端子デバイスを含むことが可能である。端子は、たとえば金属などの導電材料を通して他の電子素子に接続され得る。ソースおよびドレインは、導電性であることが可能であり、高濃度にドープされた、たとえば、縮退した半導体領域を含むことが可能である。ソースおよびドレインは、低濃度にドープされた半導体領域またはチャネルによって分離され得る。チャネルがn−タイプである場合には(すなわち、大部分のキャリアが電子である)、FETは、n−タイプFETと称され得る。チャネルがp−タイプである場合には(すなわち、大部分のキャリアが正孔である)、FETは、p−タイプFETと称され得る。チャネルは、絶縁ゲート酸化膜によってキャップされ得る。チャネル導電性は、ゲートに電圧を印加することによって制御され得る。たとえば、プラスの電圧またはマイナスの電圧をそれぞれn−タイプFETまたはp−タイプFETに印加することは、チャネルが導電性になることを結果として生じさせることが可能である。トランジスタの閾値電圧以上の電圧がトランジスタゲートに印加されるときに、トランジスタは、「オン」になるかまたは「活性化され」得る。トランジスタの閾値電圧よりも小さい電圧がトランジスタゲートに印加されるときに、トランジスタは、「オフ」になるかまたは「非活性化され」得る。
本明細書における開示に関連して説明されているさまざまな例示目的のブロック、コンポーネント、およびモジュールは、汎用プロセッサ、DSP、ASIC、FPGA、または、他のプログラマブルロジックデバイス、ディスクリートゲートもしくはトランジスタロジック、ディスクリートハードウェアコンポーネント、または、本明細書で説明されている機能を果たすように設計されているそれらの任意の組み合わせによって、実装または実施され得る。汎用プロセッサは、マイクロプロセッサであることが可能であるが、代替例では、プロセッサは、任意の従来のプロセッサ、コントローラ、マイクロコントローラ、またはステートマシンであることが可能である。また、プロセッサは、コンピューティングデバイスの組み合わせ(たとえば、DSPおよびマイクロプロセッサの組み合わせ、複数のマイクロプロセッサ、DSPコアを併用する1つもしくは複数のマイクロプロセッサ、または、任意の他のそのような構成)として実装され得る。
本明細書で説明されている機能は、ハードウェア、プロセッサによって実行されるソフトウェア、ファームウェア、または、それらの任意の組み合わせの中で実装され得る。プロセッサによって実行されるソフトウェアの中で実装される場合には、機能は、1つまたは複数のインストラクションまたはコードとして、コンピュータ可読の媒体の上に記憶され得るか、または、コンピュータ可読の媒体を経由して送信され得る。他の例および実装形態が、本開示の範囲および添付の特許請求の範囲の中にある。たとえば、ソフトウェアの性質に起因して、上記に説明されている機能は、プロセッサによって実行されるソフトウェア、ハードウェア、ファームウェア、ハードワイヤリング、または、これらのいずれかの組み合わせを使用して実装され得る。また、機能を実装する特徴は、さまざまな位置において物理的に位置付けされ得、それは、機能の一部分が異なる物理的な場所で実装されるように分配されることを含む。また、本明細書で使用されているように(特許請求の範囲の中で使用されることを含む)、アイテムのリスト(たとえば、「の少なくとも1つ」または「のうちの1つまたは複数」などのような語句によって前置きされているアイテムのリスト)の中で使用されているような「または」は、包含的なリストを示しており、たとえば、A、B、またはCのうちの少なくとも1つのリストが、AまたはBまたはCまたはABまたはACまたはBCまたはABC(すなわち、AおよびBおよびC)を意味するようになっている。
コンピュータ可読の媒体は、非一時的なコンピュータストレージ媒体および通信媒体の両方を含み、通信媒体は、1つの場所から別の場所へのコンピュータプログラムの移送を促進させる任意の媒体を含む。非一時的なストレージ媒体は、汎用または専用コンピュータによってアクセスされ得る任意の利用可能な媒体であることが可能である。例として、限定ではないが、非一時的なコンピュータ可読の媒体は、RAM、ROM、電気的に消去可能なプログラマブル読み出し専用メモリ(EEPROM)、コンパクトディスク(CD)ROMもしくは他の光ディスクストレージ、磁気ディスクストレージもしくは他の磁気ストレージデバイス、または、任意の他の非一時的な媒体を含むことが可能であり、任意の他の非一時的な媒体は、インストラクションまたはデータ構造体の形態の所望のプログラムコード手段を担持または記憶するために使用され得、また、汎用もしくは特殊用途のコンピュータ、または、汎用もしくは特殊用途のプロセッサによってアクセスされ得る。
また、任意の接続は、コンピュータ可読の媒体と適正に呼ばれる。たとえば、ソフトウェアが、同軸ケーブル、光ファイバケーブル、ツイストペア、デジタルサブスクライバライン(DSL)、または、ワイヤレス技術、たとえば、赤外線、無線、およびマイクロ波などを使用して、ウェブサイト、サーバ、または他のリモートソースから送信される場合には、同軸ケーブル、光ファイバケーブル、ツイストペア、デジタルサブスクライバライン(DSL)、または、ワイヤレス技術、たとえば、赤外線、無線、およびマイクロ波などは、媒体の定義の中に含まれている。本明細書で使用されているように、ディスク(disk)およびディスク(disc)は、CD、レーザディスク、光学ディスク、デジタル多用途ディスク(DVD)、フロッピディスクおよびBlu−rayディスクを含み、ここで、ディスク(disk)は、通常、データを磁気的に再生し、一方、ディスク(disc)は、レーザによってデータを光学的に再生する。また、上記のものの組み合わせは、コンピュータ可読の媒体の範囲の中に含まれている。
本明細書における説明は、当業者が本開示を作製または使用することを可能にするために提供されている。本開示に対するさまざまな修正は、当業者に容易に明らかになることとなり、本明細書において定義されている基本的な原理は、本開示の範囲から逸脱することなく、他の変形例にも適用され得る。したがって、本開示は、本明細書で説明されている例および設計に限定されるべきではなく、本明細書で開示されている原理および新規な特徴と一貫する最も広い範囲に一致させられるべきである。