JP2021174905A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 54
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 37
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 31
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 claims description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 316
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 60
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 39
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 39
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 10
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 7
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 6
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31144—Etching the insulating layers by chemical or physical means using masks
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
- H01L21/0332—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their composition, e.g. multilayer masks, materials
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
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- H10B43/23—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels with source and drain on different levels, e.g. with sloping channels
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Abstract
【課題】基板の反りを抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】一の実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、基板上に被加工膜を形成することを含む。前記方法はさらに、前記被加工膜上に、金属元素を含む第１膜と、炭素およびボロンの少なくともいずれかを含む第２膜とを形成することを含む。前記方法はさらに、前記第１および第２膜上に絶縁膜を形成することを含む。前記方法はさらに、前記第１膜、前記第２膜、および前記絶縁膜をマスクとして用いて、前記被加工膜を加工することを含む【選択図】図５
Description
本発明の実施形態は、半導体装置の製造方法に関する。
基板上の被加工膜をマスク層を用いて加工する場合、例えば、ハードマスク層を用いてエッチングする場合には、マスク層が基板の反りを生じさせることが問題となる。
A. C. Ferrari and J. Robertson, "Interpretation of Raman spectra of disordered and amorphous carbon", Phys. Rev. B, Vol. 61, No. 20 (2000)
基板の反りを抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
一の実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、基板上に被加工膜を形成することを含む。前記方法はさらに、前記被加工膜上に、金属元素を含む第１膜と、炭素およびボロンの少なくともいずれかを含む第２膜とを形成することを含む。前記方法はさらに、前記第１および第２膜上に絶縁膜を形成することを含む。前記方法はさらに、前記第１膜、前記第２膜、および前記絶縁膜をマスクとして用いて、前記被加工膜を加工することを含む。
以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。図１から図１０において、同一の構成には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態の半導体装置の構造を示す断面図である。図１の半導体装置は、例えば３次元型のＮＡＮＤメモリである。
図１は、第１実施形態の半導体装置の構造を示す断面図である。図１の半導体装置は、例えば３次元型のＮＡＮＤメモリである。
図１の半導体装置は、コア絶縁膜１と、チャネル半導体層２と、トンネル絶縁膜３と、電荷蓄積層４と、ブロック絶縁膜５と、電極層６とを備えている。ブロック絶縁膜５は、絶縁膜５ａと、絶縁膜５ｂとを含んでいる。電極層６は、バリアメタル層６ａと、電極材層６ｂとを含んでいる。
図１では、基板上に複数の電極層と複数の絶縁層とが交互に積層されており、これらの電極層および絶縁層内にメモリホールＨ１が設けられている。図１は、これらの電極層のうちの１つの電極層６を示している。これらの電極層は例えば、ＮＡＮＤメモリのワード線として機能する。図１は、基板の表面に平行で互いに垂直なＸ方向およびＹ方向と、基板の表面に垂直なＺ方向とを示している。本明細書においては、＋Ｚ方向を上方向として取り扱い、−Ｚ方向を下方向として取り扱う。−Ｚ方向は、重力方向と一致していてもよいし、重力方向とは一致していなくてもよい。
コア絶縁膜１、チャネル半導体層２、トンネル絶縁膜３、電荷蓄積層４、および絶縁膜５ａは、メモリホールＨ１内に形成されており、ＮＡＮＤメモリのメモリセルを構成している。絶縁膜５ａは、メモリホールＨ１内の電極層および絶縁層の表面に形成され、電荷蓄積層４は、絶縁膜５ａの表面に形成されている。電荷蓄積層４は、外側の側面と内側の側面との間に電荷を蓄積することが可能である。トンネル絶縁膜３は、電荷蓄積層４の表面に形成され、チャネル半導体層２は、トンネル絶縁膜３の表面に形成されている。チャネル半導体層２は、メモリセルのチャネルとして機能する。コア絶縁膜１は、チャネル半導体層２内に形成されている。
絶縁膜５ａは、例えばＳｉＯ２膜（シリコン酸化膜）である。電荷蓄積層４は、例えばＳｉＮ膜（シリコン窒化膜）である。電荷蓄積層４は、ポリシリコン層でもよい。トンネル絶縁膜３は、例えばＳｉＯ２膜である。チャネル半導体層２は、例えばポリシリコン層である。コア絶縁膜１は、例えばＳｉＯ２膜である。
絶縁膜５ｂ、バリアメタル層６ａ、および電極材層６ｂは、互いに隣接する絶縁層間に形成されており、上側の絶縁層の下面と、下側の絶縁層の上面と、絶縁膜５ａの側面とに順に形成されている。絶縁膜５ｂは例えば、Ａｌ２Ｏ３膜（アルミニウム酸化膜）などの金属絶縁膜である。バリアメタル層６ａは、例えばＴｉＮ膜（チタン窒化膜）である。電極材層６ｂは、例えばＷ（タングステン）層である。
図２から図９は、第１実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図である。
まず、基板１１上に層間絶縁膜１２を形成し、層間絶縁膜１２上に複数の犠牲層１３と複数の絶縁層１４とを交互に形成する（図２）。その結果、層間絶縁膜１２上に、複数の犠牲層１３と複数の絶縁層１４とを交互に含む積層膜Ｓ１が形成される。次に、積層膜Ｓ１上に層間絶縁膜１５を形成する（図２）。層間絶縁膜１２、積層膜Ｓ１、および層間絶縁膜１５は、被加工膜の例である。
基板１１は例えば、シリコン基板などの半導体基板である。層間絶縁膜１２は、例えばＳｉＯ２膜である。層間絶縁膜１２は、基板１１上に直接形成されてもよいし、基板１１上に他の層を介して形成されてもよい。各犠牲層１３は、例えばＳｉＮ膜である。各絶縁層１４は、例えばＳｉＯ２膜である。層間絶縁膜１５は、例えばＳｉＯ２膜である。
次に、層間絶縁膜１５上にグルー層２１、ボディ層２２、グルー層２３、ボディ層２４、およびカバー層２５を順に形成する（図３）。本実施形態のグルー層２１、ボディ層２２、グルー層２３、ボディ層２４、およびカバー層２５は、後述するように、層間絶縁膜１２、積層膜Ｓ１、および層間絶縁膜１５をエッチングするためのハードマスク層として使用される。ボディ層２２は第１膜の例であり、ボディ層２４は第２膜の例である。また、グルー層２１は第３膜の例であり、グルー層２３は第４膜の例である。また、カバー層２５は絶縁膜の例である。
ここで、ボディ層２２の詳細を説明する。
ボディ層２２は例えば、金属元素を含んでおり、引張応力を有している。よって、ボディ層２２は、基板１１を下に凸な形状に反らせようとする作用を有している。ボディ層２２の引張応力は、例えば＋０．１〜＋２．０ＧＰａである。ボディ層２２の膜厚は、例えば１．０μｍ以下である。上記金属元素は、例えばタングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）、ルテニウム（Ｒｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、レニウム（Ｒｅ）、イリジウム（Ｉｒ）などである。
本実施形態のボディ層２２は、上記金属元素を含む金属膜であり、例えばＷＢＣ膜である（Ｂはボロン、Ｃは炭素を表す）。このＷＢＣ膜は例えば、６０ａｔｏｍ％より高い濃度のＷ原子と、５〜３０ａｔｏｍ％の濃度のＢ原子と、１０〜３５ａｔｏｍ％の濃度のＣ原子とを含むように形成される。
なお、ボディ層２２が金属元素を含むことには、例えば、ボディ層２２のエッチング耐性を向上させることができるという利点がある。また、ボディ層２２がボロンを含むことには、例えば、ボディ層２２をハードマスク層として使用した後にボディ層２２を容易に除去できるという利点がある。また、ボディ層２２が炭素を含むことには、例えば、ボディ層２２の結晶化を防止できるという利点がある。ボディ層２２がＷＢ膜である場合、Ｗ原子の濃度が６０ａｔｏｍ％より高いと、ＷＢ膜が結晶化する可能性がある。本実施形態によれば、ボディ層２２をＷＢＣ膜とし、ＷＢＣ膜内に十分な濃度のＣ原子を含ませることで、ＷＢＣ膜の結晶化を防止することが可能となる。
次に、グルー層２１の詳細を説明する。
グルー層２１は例えば、金属元素、ボロン、または炭素を含んでおり、ボディ層２２とは異なる組成および／または化学結合構造を有している。本実施形態のグルー層２１は、例えばＷＢＣ膜である。このＷＢＣ膜は例えば、４０ａｔｏｍ％より高い濃度のＷ原子と、５〜３０ａｔｏｍ％の濃度のＢ原子と、１０〜３５ａｔｏｍ％の濃度のＣ原子とを含むように形成される。グルー層２１とボディ層２２が共にＷＢＣ膜である場合、グルー層２１内のＷ原子の濃度（ａｔｏｍ％）は、ボディ層２２内のＷ原子の濃度（ａｔｏｍ％）より低く設定することが望ましい。また、本実施形態のグルー層２１は例えば、ＢＣ膜でもよい。グルー層２１の膜厚は、例えば約１０ｎｍである。
本実施形態のグルー層２１は、積層膜Ｓ１とボディ層２２との密着性を確保するために形成される。グルー層２１は、積層膜Ｓ１とボディ層２２との密着性を確保することが可能であれば、金属元素、ボロン、または炭素を含む膜以外の膜としてもよい。
次に、ボディ層２４の詳細を説明する。
ボディ層２４は例えば、炭素およびボロンの少なくともいずれかを含んでおり、圧縮応力を有している。よって、ボディ層２４は、基板１１を上に凸な形状に反らせようとする作用を有している。ボディ層２４の圧縮応力は、例えば−０．１〜−２．０ＧＰａである。ボディ層２４の膜厚は、例えば５．０μｍ以下である。本実施形態では、ボディ層２４の組成が、ボディ層２２の組成と異なっている。
本実施形態のボディ層２４は、炭素およびボロンの少なくともいずれかを含む非金属膜であり、例えばＣ膜、ＢＣ膜、ＢＮ膜、またはＢＣＮ膜である（Ｎは窒素を表す）。上部ボディ層２４はさらに、水素を含んでいてもよい。この場合、ボディ層２４は例えば、不純物原子としてＨ原子を含むＣ膜、ＢＣ膜、ＢＮ膜、またはＢＣＮ膜である（Ｈは水素を表す）。
上記Ｃ膜は例えば、７０ａｔｏｍ％より高い濃度のＣ原子と、３０ａｔｏｍ％より低い濃度のＨ原子とを含むように形成される。上記ＢＣ膜は例えば、３０〜８０ａｔｏｍ％の濃度のＢ原子と、１０〜３０ａｔｏｍ％の濃度のＣ原子と、５０ａｔｏｍ％より低い濃度のＨ原子とを含むように形成される。上記ＢＮ膜は例えば、３０〜８０ａｔｏｍ％の濃度のＢ原子と、１０〜４０ａｔｏｍ％の濃度のＮ原子と、５０ａｔｏｍ％より低い濃度のＨ原子とを含むように形成される。上記ＢＣＮ膜は例えば、３０〜８０ａｔｏｍ％の濃度のＢ原子と、１０〜３０ａｔｏｍ％の濃度のＣ原子と、１０〜４０ａｔｏｍ％の濃度のＮ原子と、５０ａｔｏｍ％より低い濃度のＨ原子とを含むように形成される。
ボディ層２４がＣ膜である場合には、ボディ層２４は、炭素のｓｐ３構造を含むことが望ましく、例えば、炭素のｓｐ２構造と炭素のｓｐ３構造の両方を含むことが望ましい。ｓｐ２構造は、グラファイト内のＣ原子の構造であり、ｓｐ３構造は、ダイヤモンド内のＣ原子の構造である。本実施形態のボディ層２４は、ハードマスク層として使用されるため、硬い層であることが望ましい。そのため、本実施形態のボディ層２４では、ｓｐ２構造およびｓｐ３構造のうちのｓｐ３構造の割合が、１０％以上であることが望ましく、さらには５０％より多いことが望ましい。これにより、ボディ層２４を、ダイヤモンドライクなＣ膜とすることが可能となり、硬いＣ膜とすることが可能となる。
ボディ層２４がＣ膜である場合において、ボディ層２４内のｓｐ３構造の割合は、ラマン分光を用いて測定することが可能である。具体的には、ボディ層２４内のｓｐ３構造の割合が多いほど、ボディ層２４のラマン分光におけるＩｄ／Ｉｇ比が小さくなる。Ｉｄ／Ｉｇ比は、Ｄバンドのピーク強度（Ｉｄ）とＧバンドのピーク強度（Ｉｇ）との比である。例えば、Ｉｄ／Ｉｇ比が１．０より小さく、かつ、G positionが１５７０ｃｍ−１より小さい場合には、ｓｐ３構造の割合が１０％より多くなる。本実施形態では、ボディ層２４のラマン分光におけるＩｄ／Ｉｇ比を、１．０より小さくすることが望ましい。
本実施形態のボディ層２４は、ハードマスク層として使用されるため、高い密度を有することが望ましい。そのため、本実施形態のボディ層２４の密度は、２．０ｇ／ｃｍ３より高いことが望ましく、例えば２．４ｇ／ｃｍ３より高いことが望ましい。ボディ層２４がＣ膜である場合、ボディ層２４の密度を２．０ｇ／ｃｍ３より高くすることで、ダイヤモンドライクなＣ膜を形成することが可能となる。
上述のように、ボディ層２４は、Ｃ膜とする代わりに、Ｂ原子を含む膜としてもよく、例えば、ＢＣ膜、ＢＮ膜、またはＢＣＮ膜としてもよい。ボディ層２４がＢ原子を含むことには、例えば、ボディ層２４のエッチング耐性を向上させることができるという利点がある。なお、ボディ層２４がＢ原子とＣ原子とを含む場合、ボディ層２４内のＢ原子の濃度（ａｔｏｍ％）は、ボディ層２４内のＣ原子の濃度（ａｔｏｍ％）より高く設定することが望ましい。
次に、グルー層２３の詳細を説明する。
グルー層２３は例えば、炭素およびボロンの少なくともいずれかを含んでおり、ボディ層２４とは異なる組成および／または化学結合構造を有している。本実施形態のグルー層２３は、例えばＣ膜、ＢＣ膜、ＢＮ膜、またはＢＣＮ膜である。上部ボディ層２３はさらに、水素を含んでいてもよい。この場合、グルー層２３は例えば、不純物原子としてＨ原子を含むＣ膜、ＢＣ膜、ＢＮ膜、またはＢＣＮ膜である。グルー層２３の膜厚は、例えば約１０ｎｍである。
本実施形態のグルー層２３は、ボディ層２２とボディ層２４との密着性を確保するために形成される。グルー層２３は、ボディ層２２とボディ層２４との密着性を確保することが可能であれば、炭素およびボロンの少なくともいずれかを含む膜以外の膜としてもよい。
グルー層２３がＣ膜である場合には、グルー層２３は、炭素のｓｐ２構造を含むことが望ましく、例えば、炭素のｓｐ２構造と炭素のｓｐ３構造の両方を含むことが望ましい。本実施形態のグルー層２３は、ボディ層２２とボディ層２４との密着性を確保するために形成されるため、ダイヤモンドライクなＣ膜とするよりも、グラファイトライクなＣ膜とする方が望ましい。そのため、本実施形態のグルー層２３では、ｓｐ２構造およびｓｐ３構造のうちのｓｐ３構造の割合が、ボディ層２４における当該割合よりも少ないことが望ましい。具体的には、本実施形態のグルー層２３では、ｓｐ２構造およびｓｐ３構造のうちのｓｐ３構造の割合が、５０％より少ないことが望ましく、例えば３０％より少ないことが望ましい。これにより、グルー層２３を、グラファイトライクなＣ膜とすることが可能となり、上述の密着性を確保するために適したＣ膜とすることが可能となる。
なお、本実施形態では、グルー層２３を形成せずに、ボディ層２２上にボディ層２４を直接形成してもよい。この場合、ボディ層２２の上面を、ＮＨ３を用いたプラズマ処理により処理してから、ボディ層２２上にボディ層２４を形成することが望ましい。これにより、グルー層２３を形成せずに、ボディ層２２とボディ層２４との密着性を確保することが可能となる。
この場合、ボディ層２２のプラズマ処理と、ボディ層２４の形成処理は、同じ装置内で連続的に行うことが望ましい。これにより、ボディ層２２のプラズマ処理とボディ層２４の形成処理との間に、基板１１を装置外に搬出することを不要とすることが可能となる。この装置は、例えばＰＥＣＶＤ（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）装置である。この場合、ボディ層２２は、ＰＥＣＶＤ装置内で生成されたプラズマにより処理され、ボディ層２４は、ＰＥＣＶＤにより形成される。
次に、カバー層２５の詳細を説明する。
カバー層２５は、シリコン（Ｓｉ）を含む膜であり、例えばＳｉＯ２膜、ＳｉＯＮ膜、またはＳｉＮ膜などの絶縁膜である。本実施形態のカバー層２５は、引張応力または圧縮応力を有していてもよい。カバー層２５の応力は、例えば＋１．０〜−１．０ＧＰａである。本実施形態のカバー層２５は、ＴＥＯＳ（Tetraethyl Orthosilicate）膜でもよい。カバー層２５の膜厚は、例えば１．０μｍ以下である。
以上のように、本実施形態のハードマスク層は、金属元素を含むボディ層２２を含んでいる。本実施形態によれば、ボディ層２２が金属元素を含むことで、ハードマスク層のエッチング耐性を向上させることが可能となる。しかしながら、ボディ層２２は、上述のように引張応力を有している。よって、ハードマスク層がボディ層２２を含んでいると、基板１１が下に凸な形状に反ってしまう可能性がある。基板１１の反りは例えば、基板１１の搬送エラーや、基板１１上に形成される構造物の不具合の原因となり得る。
そこで、本実施形態のハードマスク層は、金属元素を含むボディ層２２と、炭素およびボロンの少なくともいずれかを含むボディ層２４とを含んでいる。これにより、ハードマスク層の膜厚をボディ層２４の分だけ増大させることが可能となり、ハードマスク層のエッチングマスクとしての性能（マスク性能）をより向上させることが可能となる。さらに、ボディ層２４は、上述のように圧縮応力を有している。これにより、ボディ層２２から基板１１への引張応力の作用を、ボディ層２４から基板１１への圧縮応力の作用で打ち消すことが可能となる。よって、本実施形態によれば、ハードマスク層がボディ層２２とボディ層２４とを含むことで、ハードマスク層のマスク性能を向上させつつ、基板１１の反りを抑制することが可能となる。
なお、ボディ層２２の引張応力と、ボディ層２４の圧縮応力とに応力差がある場合には、この応力差を、カバー層２５の応力により打ち消してもよい。これにより、基板１１の反りをより抑制することが可能となる。
本実施形態のハードマスク層は、後述するように、層間絶縁膜１２、積層膜Ｓ１、および層間絶縁膜１５内にメモリホールＨ１を形成するために使用される。ＮＡＮＤメモリの集積度が向上し、積層膜Ｓ１の膜厚が増大すると、ハードマスク層のマスク性能をより向上させることが求められる。しかしながら、単にボディ層２２の膜厚を増大させて、ハードマスク層のマスク性能を向上させようとすると、ボディ層２２が基板１１の反りを生じさせることが問題となる。本実施形態によれば、ハードマスク層がボディ層２２とボディ層２４とを含むことで、積層膜Ｓ１の膜厚が増大しても、基板１１の反りを抑制しながらハードマスク層のマスク性能を向上させることが可能となる。本実施形態によれば、膜厚が薄くても高選択比を有するハードマスク層を提供することができるため、ハードマスク層の膜厚を薄くして、ハードマスク層の形成や処理に要する時間を短縮することも可能となる。
なお、本実施形態のグルー層２１、ボディ層２２、グルー層２３、ボディ層２４、およびカバー層２５は、例えばＰＥＣＶＤにより形成可能である。この場合には、これらの層を上述のＰＥＣＶＤ装置内で連続的に形成してもよい。
以下、図４から図９の説明を続ける。
次に、フォトリソグラフィおよびＲＩＥ（Reactive Ion Etching）により、カバー層２５、ボディ層２４、グルー層２３、ボディ層２２、およびグルー層２１を加工する（図４）。これにより、これらの層内に複数のホールＨ２が形成される。これらのホールＨ２は、カバー層２５、ボディ層２４、グルー層２３、ボディ層２２、およびグルー層２１を貫通し、層間絶縁膜１５に到達するように形成される。なお、カバー層２５は、図４の工程中に消滅してもよいし、図４の工程後に除去されてもよい。
ボディ層２４とグルー層２３がＣ膜である場合には、ボディ層２４とグルー層２３は例えば、ＣＯＳガスまたはＯ２ガスを用いて加工される（Ｏは酸素を表し、Ｓは硫黄を表す）。また、ボディ層２２とグルー層２１がＷＢＣ膜である場合には、ボディ層２２とグルー層２１は例えば、Ｃｌ２ガス、Ｏ２ガス、またはＳｉＣｌ４ガスを用いて加工される（Ｃｌは塩素を表す）。ボディ層２２とグルー層２１とをＳｉＣｌ４ガスを用いて加工する場合には、ホールＨ２に露出したボディ層２４およびグルー層２３（Ｃ膜）の側面をＳｉＣｌ４ガスにより保護することが可能となる。
次に、ＲＩＥにより、ホールＨ２から層間絶縁膜１５、積層膜Ｓ１、および層間絶縁膜１２を加工する（図５）。これにより、層間絶縁膜１５、積層膜Ｓ１、および層間絶縁膜１２にホールＨ２が転写され、層間絶縁膜１５、積層膜Ｓ１、および層間絶縁膜１２内に複数のメモリホールＨ１が形成される。すなわち、ボディ層２４、グルー層２３、ボディ層２２、およびグルー層２１をマスクとして用いて、層間絶縁膜１５、積層膜Ｓ１、および層間絶縁膜１２が加工される。なお、ボディ層２４、グルー層２３、ボディ層２２、およびグルー層２１の各々は、図５の工程中に消滅してもよいし、図５の工程後に除去されてもよい（図６を参照）。
次に、各メモリホールＨ１内に、絶縁膜５ａ、電荷蓄積層４、トンネル絶縁膜３、チャネル半導体層２、およびコア絶縁膜１を順に形成する（図７）。その結果、各メモリホールＨ１内の層間絶縁膜１５、積層膜Ｓ１、および層間絶縁膜１２の側面に、絶縁膜５ａ、電荷蓄積層４、トンネル絶縁膜３、チャネル半導体層２、およびコア絶縁膜１が順に形成される。
次に、層間絶縁膜１５、積層膜Ｓ１、および層間絶縁膜１２内にスリット（図示せず）を形成し、このスリットからリン酸などの薬液により犠牲層１３を除去する（図８）。その結果、絶縁層１４間に複数の空洞Ｈ３が形成される。
次に、これらの空洞Ｈ３内の絶縁層１４および絶縁膜５ａの表面に、絶縁膜５ｂ、バリアメタル層６ａ、および電極材層６ｂを順に形成する（図９）。その結果、絶縁膜５ａと絶縁膜５ｂとを含むブロック絶縁膜５が形成される。さらには、各空洞Ｈ３内に、バリアメタル層６ａと電極材層６ｂとを含む電極層６が形成される。こうして、層間絶縁膜１２上に、複数の電極層６と複数の絶縁層１４とを交互に含む積層膜Ｓ２が形成される。なお、犠牲層１３を除去して絶縁膜５ｂ、バリアメタル層６ａ、および電極材層６ｂを形成する処理は、リプレイス処理と呼ばれる。
その後、基板１１上に種々のプラグ層、配線層、層間絶縁膜などが形成される。このようにして、本実施形態の半導体装置が製造される（図１を参照）。
以上のように、本実施形態の層間絶縁膜１５、積層膜Ｓ１、および層間絶縁膜１２は、金属元素（例えばタングステン）を含むボディ層２２と、炭素およびボロンの少なくともいずれかを含むボディ層２４とを含むハードマスク層を用いて加工される。よって、本実施形態によれば、ハードマスク層に起因する基板１１の反りを抑制することが可能となる。
なお、本実施形態のハードマスク層は、メモリホールＨ１以外の開口部を形成するために使用してもよい。このような開口部の例は、メモリホールＨ１以外のホールや、基板１１の面内方向に延びるトレンチやスリットである。
また、本実施形態のハードマスク層は、積層膜Ｓ１以外の膜を加工するために使用してもよい。例えばリプレイス処理を行わない場合には、複数の電極層６と複数の絶縁層１４とを交互に含む積層膜Ｓ２を加工するために、本実施形態のハードマスク層を使用してもよい。
（第２実施形態）
図１０は、第２実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図である。本実施形態の半導体装置の製造方法は、第１実施形態の半導体装置の製造方法の変形例である。
図１０は、第２実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図である。本実施形態の半導体装置の製造方法は、第１実施形態の半導体装置の製造方法の変形例である。
まず、図２の工程を実施する。その結果、基板１１上に層間絶縁膜１２、積層膜Ｓ１、および層間絶縁膜１５が順に形成される。
次に、層間絶縁膜１５上にグルー層２３、ボディ層２４、グルー層２１、ボディ層２２、およびカバー層２５を順に形成する（図１０）。このように、本実施形態では、グルー層２３およびボディ層２４を先に形成し、グルー層２１およびボディ層２２を後に形成する。よって、グルー層２３およびボディ層２４が下に形成され、グルー層２１およびボディ層２２が上に形成される。これらの層の詳細については、図３の説明箇所を参照されたい。ボディ層２２は第１膜の例であり、ボディ層２４は第２膜の例である。また、グルー層２１は第３膜の例であり、グルー層２３は第４膜の例である。また、カバー層２５は絶縁膜の例である。
次に、図４から図９の工程を実施する。なお、図４から図９の工程を本実施形態に適用する際には、グルー層２３およびボディ層２４に関する処理と、グルー層２１およびボディ層２２に関する処理が逆に行われる。例えば、ホールＨ２は、ボディ層２２、グルー層２１、ボディ層２４、およびグルー層２３を順に貫通するように形成される。
その後、基板１１上に種々のプラグ層、配線層、層間絶縁膜などが形成される。このようにして、本実施形態の半導体装置が製造される。本実施形態によれば、第１実施形態と同様に、図１に示す構造を有する半導体装置が製造される。
以上のように、本実施形態の層間絶縁膜１５、積層膜Ｓ１、および層間絶縁膜１２は、炭素およびボロンの少なくともいずれかを含むボディ層２４と、金属元素（例えばタングステン）を含むボディ層２２とを含むハードマスク層を用いて加工される。よって、本実施形態によれば、第１実施形態と同様に、ハードマスク層に起因する基板１１の反りを抑制することが可能となる。
以上、いくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例としてのみ提示したものであり、発明の範囲を限定することを意図したものではない。本明細書で説明した新規な方法は、その他の様々な形態で実施することができる。また、本明細書で説明した方法の形態に対し、発明の要旨を逸脱しない範囲内で、種々の省略、置換、変更を行うことができる。添付の特許請求の範囲およびこれに均等な範囲は、発明の範囲や要旨に含まれるこのような形態や変形例を含むように意図されている。
１：コア絶縁膜、２：チャネル半導体層、３：トンネル絶縁膜、４：電荷蓄積層、
５：ブロック絶縁膜、５ａ：絶縁膜、５ｂ：絶縁膜、
６：電極層、６ａ：バリアメタル層、６ｂ：電極材層、
１１：基板、１２：層間絶縁膜、１３：犠牲層、１４：絶縁層、１５：層間絶縁膜、
２１：グルー層、２２：ボディ層、
２３：グルー層、２４：ボディ層、２５：カバー層
５：ブロック絶縁膜、５ａ：絶縁膜、５ｂ：絶縁膜、
６：電極層、６ａ：バリアメタル層、６ｂ：電極材層、
１１：基板、１２：層間絶縁膜、１３：犠牲層、１４：絶縁層、１５：層間絶縁膜、
２１：グルー層、２２：ボディ層、
２３：グルー層、２４：ボディ層、２５：カバー層
Claims (18)
- 基板上に被加工膜を形成し、
前記被加工膜上に、金属元素を含む第１膜と、炭素およびボロンの少なくともいずれかを含む第２膜とを形成し、
前記第１および第２膜上に絶縁膜を形成し、
前記第１膜、前記第２膜、および前記絶縁膜をマスクとして用いて、前記被加工膜を加工する、
ことを含む半導体装置の製造方法。 - 前記第２膜の組成は、前記第１膜の組成と異なる、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第１膜は、引張応力を有し、前記第２膜は、圧縮応力を有する、請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第２膜は、前記第１膜上に形成される、請求項１から３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第１膜は、前記第２膜上に形成される、請求項１から３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第１膜は、前記金属元素と、ボロンと、炭素とを含む、請求項１から５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第２膜は、炭素と、水素とを含む、請求項１から６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第２膜は、ボロンと、水素とを含む、請求項１から６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第２膜はさらに、炭素および窒素の少なくともいずれかを含む、請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第２膜の密度は、２．０ｇ／ｃｍ３より高い、請求項１から９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第２膜は、炭素のｓｐ２構造と、炭素のｓｐ３構造とを含み、
前記第２膜では、前記ｓｐ２構造および前記ｓｐ３構造のうちの前記ｓｐ３構造の割合が１０％以上である、請求項１から１０のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第２膜のラマン分光におけるＩｄ／Ｉｇ比は、１．０より小さい、請求項１から１１のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第１膜は、前記金属元素、ボロン、または炭素を含む第３膜上に形成され、
前記第２膜は、炭素およびボロンの少なくともいずれかを含む第４膜上に形成される、
請求項１から１２のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第３膜は、前記第１膜の組成と異なる組成を有する、請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第４膜は、炭素のｓｐ２構造と、炭素のｓｐ３構造とを含み、
前記第４膜では、前記ｓｐ２構造および前記ｓｐ３構造のうちの前記ｓｐ３構造の割合が前記第２膜よりも少ない、請求項１３または１４に記載の半導体装置の製造方法。 - 基板上に被加工膜を形成し、
前記被加工膜上に、引張応力を有する第１膜と、圧縮応力を有する第２膜とを形成し、
前記第１および第２膜上に絶縁膜を形成し、
前記第１膜、前記第２膜、および前記絶縁膜をマスクとして用いて、前記被加工膜を加工する、
ことを含む半導体装置の製造方法。 - 前記第１膜の前記引張応力は、＋０．１〜＋２．０ＧＰａであり、
前記第２膜の前記圧縮応力は、−０．１〜−２．０ＧＰａである、
請求項１６に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第１膜は、金属元素を含み、前記第２膜は、炭素およびボロンの少なくともいずれかを含む、請求項１６または１７に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020078531A JP2021174905A (ja) | 2020-04-27 | 2020-04-27 | 半導体装置の製造方法 |
| US17/184,828 US11935750B2 (en) | 2020-04-27 | 2021-02-25 | Method for producing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020078531A JP2021174905A (ja) | 2020-04-27 | 2020-04-27 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2021174905A true JP2021174905A (ja) | 2021-11-01 |
Family
ID=78222733
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020078531A Pending JP2021174905A (ja) | 2020-04-27 | 2020-04-27 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11935750B2 (ja) |
| JP (1) | JP2021174905A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117476452A (zh) * | 2022-07-20 | 2024-01-30 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体结构及其形成方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003023842A1 (fr) * | 2001-09-10 | 2003-03-20 | Kabushiki Kaisha Watanabe Shoko | Procede et dispositif de fabrication d'un film a permittivite faible et appareil electronique faisant intervenir ce film |
| US20090115060A1 (en) * | 2007-11-01 | 2009-05-07 | Infineon Technologies Ag | Integrated circuit device and method |
| JP5309619B2 (ja) * | 2008-03-07 | 2013-10-09 | ソニー株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| US9589799B2 (en) | 2013-09-30 | 2017-03-07 | Lam Research Corporation | High selectivity and low stress carbon hardmask by pulsed low frequency RF power |
| JP2016058456A (ja) * | 2014-09-05 | 2016-04-21 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| US10541250B2 (en) | 2015-12-29 | 2020-01-21 | Toshiba Memory Corporation | Method for manufacturing semiconductor device |
-
2020
- 2020-04-27 JP JP2020078531A patent/JP2021174905A/ja active Pending
-
2021
- 2021-02-25 US US17/184,828 patent/US11935750B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20210335610A1 (en) | 2021-10-28 |
| US11935750B2 (en) | 2024-03-19 |
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