JP2021161509A - 蒸着マスクの作製方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】蒸着マスクユニットの作製には、高精細なパターンを精度良く形成することに加え、欠陥パターンが生成しない技術が求められている。【解決手段】蒸着マスクユニットの作製方法は、第1支持基板の第1面の内側領域に第1の膜厚で第1レジストマスクを形成し、第1レジストマスクが形成された第1面上に第1の膜厚以下の厚さの第2の膜厚で剥離層を形成し、第1レジストマスクを除去し、剥離層上に、剥離層を覆い、かつ、端部が剥離層の外側に広がる感光性のレジストフィルムを配置し、感光性のレジストフィルムに密接して第2支持基板を設け、第1支持基板を剥離層から分離し、感光性のレジストフィルム及び剥離層を第2支持基板上に残存させ、剥離層からはみ出した感光性のレジストフィルムを除去し、感光性のレジストフィルムの端面を露光し、剥離層上に蒸着マスクパターンを形成することを含む。【選択図】図3
Description
本発明の一実施形態は、蒸着マスクの作製方法に関する。例えば、有機エレクトロルミネセンス素子の作製において、発光層等を形成するときに用いられる蒸着マスクの作製方法に関する。
真空蒸着法は、薄膜作製技術の一つとして知られている。真空蒸着法は、高真空下において材料を加熱することで材料を昇華、又は蒸発(以下、昇華と蒸発を総じて気化と呼ぶ)させて材料の蒸気を生成し、この蒸気を目的とする領域(以下、蒸着領域)で固化、堆積することで材料の薄膜を形成する技術である。真空蒸着法では、所望の領域に選択的に材料の薄膜を形成し、それ以外の領域に薄膜が形成されないようにするために金属製のマスクが用いられる(特許文献1、2参照)。
有機エレクトロルミネセンス素子(以下、「有機EL素子」ともいう)で画素が形成された表示装置(以下、「有機EL表示装置」ともいう)の製造工程では、有機EL素子を形成するために真空蒸着法が適用される。有機EL素子の発光層を画素ごとに形成するためには、画素サイズ及びピッチに応じた微細な開口パターンを有する真空蒸着用の蒸着マスクが用いられる。このとき、蒸着マスクの中に、例えば、本来開口されているべき部分が塞がれている等の欠陥があると、それがそのまま有機EL表示装置の画素の欠陥となってしまい問題となる。したがって、蒸着マスクの作製には、高精細なパターンを精度良く形成することに加え、欠陥パターンが生成しない技術が求められている。
本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの作製方法は、第1支持基板の第1面の内側領域に第1の膜厚で第1レジストマスクを形成し、第1レジストマスクが形成された第1面上に第1の膜厚以下の厚さの第2の膜厚で剥離層を形成し、第1レジストマスクを除去し、剥離層上に、剥離層を覆い、かつ、端部が剥離層の外側に広がる感光性のレジストフィルムを配置し、感光性のレジストフィルムに密接して第2支持基板を設け、第1支持基板を剥離層から分離し、感光性のレジストフィルム及び剥離層を第2支持基板上に残存させ、剥離層からはみ出した感光性のレジストフィルムを除去し、感光性のレジストフィルムの端面を露光し、剥離層上に蒸着マスクパターンを形成することを含む。
以下、本発明の実施の形態を、図面等を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号(又は数字の後にa、bなどを付した符号)を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。さらに各要素に対する「第1」、「第2」と付記された文字は、各要素を区別するために用いられる便宜的な標識であり、特段の説明がない限りそれ以上の意味を有しない。
本明細書において、ある部材又は領域が他の部材又は領域の「上に(又は下に)」あるとする場合、特段の限定がない限りこれは他の部材又は領域の直上(又は直下)にある場合のみでなく他の部材又は領域の上方(又は下方)にある場合を含み、すなわち、他の部材又は領域の上方(又は下方)において間に別の構成要素が含まれている場合も含む。
[第1実施形態]
1.蒸着マスクユニットの構造
本発明の一実施形態に係る方法で作製される蒸着マスクを用いた蒸着マスクユニット100の模式的な構成を図1及び図2に示す。図1は、蒸着マスクユニットの模式的な平面図を示し、図1において示すA1−A2線に沿った断面構造を図2に示す。
1.蒸着マスクユニットの構造
本発明の一実施形態に係る方法で作製される蒸着マスクを用いた蒸着マスクユニット100の模式的な構成を図1及び図2に示す。図1は、蒸着マスクユニットの模式的な平面図を示し、図1において示すA1−A2線に沿った断面構造を図2に示す。
図1に示すように、蒸着マスクユニット100は、少なくとも1つの蒸着マスク102と、少なくとも1つの蒸着マスク102を囲む支持フレーム108と、支持フレーム108と少なくとも1つの蒸着マスク102とを接続する接続部106を含む。図1は、少なくとも1つの蒸着マスク102が複数の蒸着マスク102から成り、複数の蒸着マスク102が、それぞれ接続部106を介して支持フレーム108に固定された態様を示す。
図1の挿入拡大図に示すように、蒸着マスク102は複数の開口103を有する。蒸着マスク102の中で、複数の開口103は、所定の領域内に配列されて1つのマスクパターン104を形成する。蒸着マスク102は、このようなマスクパターン104が複数含まれていてもよい。蒸着マスク102は、マスクパターン104が形成されない領域で接続部106と接続され、支持フレーム108に保持される。
図2に示すように、蒸着マスク102は金属の板状部材であり、複数の開口103は板状部材を貫通する貫通孔である。支持フレーム108は蒸着マスク102を平板状に支持するために設けられる。支持フレーム108は、複数の蒸着マスク102を保持するために、格子状の枠が設けられていてもよい。蒸着マスクユニット100は、支持フレーム108がマザーガラス基板のサイズに対応し、マスクパターン104はマザーガラス基板の中に作り込まれる個々の表示パネルに対応して配置され、複数の開口103は表示パネル内の画素の配列に対応して配置される。
接続部106は、蒸着マスク102と支持フレーム108を接続し、これらを互いに固定する機能を有する。したがって、支持フレーム108は蒸着マスク102と直接接触しないものの、接続部106は蒸着マスク102の非開口部(マスクパターン104が形成されない領域)において蒸着マスク102と接し、かつ、支持フレーム108の側面と接する。
なお、図1及び図2に示す一例は、支持フレーム108に複数の蒸着マスク102が保持される態様を示すが、本発明の一実施形態はこれに限定されず、例えば、支持フレーム108に一つの蒸着マスク102が接続部106を介して保持される構成を有していてもよい。
このような蒸着マスクユニット100は、表示パネルの製造工程の中で、有機EL素子を形成する工程で用いられる。具体的には、真空蒸着によって有機EL素子の発光層等を形成する工程で用いられる。真空蒸着の工程においては、マザーガラス基板側の蒸着領域と蒸着マスク102側のマスクパターン104が整合するように配置され、材料の蒸気が複数の開口103を通過し、蒸着領域に材料が堆積する。
蒸着マスク102、接続部106はニッケル(Ni)、銅(Cu)、チタン(Ti)、クロム(Cr)などの0価の金属を含む。蒸着マスク102と接続部106の材料の組成は互いに同一であってもよい。蒸着マスク102及び接続部106の製法は後述されるが、これらはめっき法(電解めっきで行われることから「電鋳」とも呼ばれる)で作製することができる。支持フレーム108も0価の金属を含み、その金属としてはニッケル(Ni)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、クロム(Cr)、マンガン(Mn)などから選択される。例えば、支持フレーム108は鉄(Fe)とクロム(Cr)とを含む合金、又は鉄(Fe)、ニッケル(Ni)、マンガン(Mn)の合金で形成することができ、その合金には炭素(C)が含まれていてもよい。
2.メタルマスクユニットの作製方法
次に、本発明の一実施形態に係る蒸着マスク、及び蒸着マスクユニットの作製方法の一例を、図面を参照して説明する。これらの図は蒸着マスク、及び蒸着マスクユニット100の模式的断面図であり、図2に対応するものである。
次に、本発明の一実施形態に係る蒸着マスク、及び蒸着マスクユニットの作製方法の一例を、図面を参照して説明する。これらの図は蒸着マスク、及び蒸着マスクユニット100の模式的断面図であり、図2に対応するものである。
図3(A)は、第1支持基板110の第1面に、第1レジストマスク114を形成する段階を示す。第1支持基板110は金属製であり、ガラス、石英、セラミクス、プラスチックなどの絶縁物、又は、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、鉄(Fe)、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)、マンガン(Mn)などの金属、若しくはこれらの合金で形成される。合金としては、例えば鉄(Fe)とクロム(Cr)を含む合金、鉄(Fe)、ニッケル(Ni)、およびマンガン(Mn)の合金でもよく、合金には炭素(C)が含まれていてもよい。例えば、第1支持基板110は、例えば、鉄(Fe)を主成分とし、クロム(Cr)、ニッケル(Ni)を含有するステンレス鋼で形成されていてもよい。
第1レジストマスク114は、感光性の樹脂材料を用い、フォトリソグラフィによって形成する。感光性の樹脂材料としては、塗布型のフォトレジスト、又はドライフィルムレジスト(DFR)を用いることができる。第1レジストマスク114は、図1において示す蒸着マスクユニット100において、複数の蒸着マスク102が配置されるとき、それら(複数の蒸着マスク102全部)を囲む枠状の形態を有する。
図3(B)は、剥離層116を形成する段階を示す。剥離層116は、第1レジストマスク114が形成された第1支持基板110の第1面において、枠状の第1レジストマスクから露出した領域に形成される。剥離層116は、例えば、蒸着マスク102を形成する金属材料と同じ金属材料で形成される。剥離層116は、例えば、ニッケル(Ni)、銅(Cu)、チタン(Ti)、クロム(Cr)などの0価の金属材料で形成される。このような金属材料で形成される剥離層116は、めっき法によって作製することができる。例えば、剥離層116は、第1支持基板110上にニッケルめっきによって作製される。めっき法によって剥離層116を形成する際には、第1支持基板110を洗浄し、第1面に離型剤が塗布されていてもよい。
図3(C)は、第1レジストマスク114を除去する段階を示す。第1レジストマスク114は、剥離液により除去される。第1レジストマスク114が除去された領域には開口部118が形成される。別言すれば、第1レジストマスク114が第1支持基板110上から除去されることにより、剥離層116は開口部118を挟んで内側領域120と外側領域122に分離される。剥離層116は、20μm以上200μm以下、例えば、40μm以上150μm以下の厚さで形成される。剥離層116は、第1支持基板110上に、めっき法、スパッタリング法、または化学気相堆積(CVD)法を利用して形成される。第1支持基板110上に形成される剥離層116は、膜厚の均一性が外周部において低下する場合がある。このような場合においても、第1レジストマスク114を第1支持基板110上に設けておくことで、剥離層116を内側の領域と、外側の領域に分離することができる。
この場合において、図4(A)に示すように、第1レジストマスク114の膜厚d1は、剥離層116の設計膜厚d2と同じか、それよりも厚く形成されていることが好ましい。剥離層116をめっき法で形成する場合、剥離層116は導電性を有する第1支持基板110上から膜厚を増す方向に成長する。剥離層116が所望の設計膜厚d2となるまで成長したとき、第1レジストマスク114の上面が剥離層116に接しない程度の膜厚とすることで、後の第1レジストマスクの剥離工程を良好に行うことができる。
仮に、図4(B)に示すように、剥離層116を第1レジストマスク114より厚く(d2>d1)形成すると、第1レジストマスク114の上面に被さるように剥離層116が成長してしまう。このような状態で第1レジストマスク114を除去すると剥離層116の一部が剥がれてしまうことが問題となる。すなわち、第1レジストマスク114を剥離液に浸漬すると膨潤し、それに伴って第1レジストマスク114の上面に被さった剥離層116の一部が押し上げられて剥がれてしまうことが問題となる。
このような不具合を解消するために、上述のように、第1レジストマスク114の膜厚を剥離層116の膜厚より厚くしておくことで、剥離層116の意図しない剥離を防止することができる。図4(A)に示すように、第1レジストマスク114は、剥離層116の上面から突出する形となるが、剥離層116を形成、次の工程に移る前に除去することで後工程への影響を無くすことができる。
図5(A)は、剥離層116の上に接着層124を設ける段階を示す。接着層124は、未露光の状態で所定の接着力又は粘着力を有するレジストフィルムを用いることが好ましい。このようなレジストフィルムとしては、例えば、ドライフィルムレジストを用いることができる。接着層124は、剥離層116の内側領域120の全面を覆い、端部が剥離層116の外側に広がる大きさを有していることが好ましい。接着層124の端部は、剥離層116の外側領域122まで広がっていてもよい。フィルム状の部材として供給される剥離層116がこのような大きさを有することで、剥離層116の内側領域を確実に覆うことができる。
図5(B)に示すように、接着層124の外周部を未露光とし、内側領域を露光する処理を行ってもよい。具体的には、接着層124において、剥離層116の端部と重なる領域を含む外周部132を未露光領域として、外周部132より内側の領域が露光領域となるように露光して、露光面を硬化させる処理を行ってもよい。外側領域122(露光処理される領域)は、少なくとも一部が剥離層116と重なっていることが好ましい。接着層124の選択的な露光は、フォトマスクを用いて行うことができる。接着層124として用いられる感光性のドライフィルムレジストがポジ型である場合、透光部130を囲むように遮光部129が形成された第1フォトマスク126が用いられる。このような露光処理により、接着層124には、外側領域122(未露光領域)と比べて硬化し、接着力が低下した領域(外側領域122の内側の領域)が形成される。
なお、ドライフィルムレジストは、前述の通り、露光処理によって表面の粘着力は失われるが、未露光の状態で既に他の表面と接している箇所は、光照射により硬化した後も、その接着力を維持する。
図6(A)は、第2支持基板112の第1面に接着層124を密接させて、剥離層116を第1支持基板110ごと張り合わせる段階を示す。このとき、接着層124の大部分は露光されており、その表面は粘着力を失っている。よって第2支持基板112は、接着層124の未露光の外周部132において固定される。一方、接着層124と剥離層116との界面は、露光前の時点で既に密着させており、露光によって粘着力は失われるものの、ある程度の密着力は保たれている。なお、第2支持基板112は、第1支持基板110と同様の材料で形成される。
また、未露光の外周部132と剥離層116との界面は、貼り合わせ後にベーク処理を行うことで、密着性を増すことができる。この場合のベーク処理の条件としては、60℃、1時間が一例として挙げられる。
図6(B)は、剥離層116を第1支持基板110から剥離する段階を示す。剥離層116は、第1支持基板110との界面に物理的な力を作用させることで、第1支持基板110から剥離することができる。例えば、鋭利な先端を有する治具を、第1支持基板110と剥離層116との界面に押し当てて剥離のきっかけとなる部分を形成し、その後、第1支持基板110を引き剥がすように外力を加えることで、剥離層116を第1支持基板110から剥離することができる。
この段階において、剥離層116の外側領域122に相当する部分は、第1支持基板110に残存したままであり、第2支持基板112に転載されない。このように、予め剥離層116を内側領域120と外側領域122に分離しておくことで、内側領域120だけを第2支持基板112に張り合わせることができる。なお、この段階では、接着層124の外周部132の一部分が、剥離層116からはみ出して残存した状態となっている。
図7(A)は、剥離層116からはみ出している接着層124の外周部132を除去する段階を示す。剥離層116からはみ出した接着層124の外周部132の一部は、薬液により除去される。具体的には、外周部132は未露光部分となっているので、フォトレジストの現像液で処理(現像)することで、はみ出した部分を除去することができる。また、薬液は現像液に限定されず、同様の作用を発現させるアルカリ性溶液を用いてもよい。
図8(A)は、第2支持基板112上で、剥離層116からはみ出した接着層124の外周部132の一部が除去された状態を示す。接着層124の外周部132の一部は未露光部分であるが、接着層124に覆われているため現像液に対する溶解性が高状態であっても残存する。接着層124の内側の領域は前工程で露光処理されており現像液に対する可溶性が低下しており、かつ剥離層116及び第2支持基板112に挟まれているので残存する。そのため、この現像液の処理によって、接着層124の外周部132の一部を選択的に除去することができる。その結果、接着層124において、接着力の強い外周部132(未露光部分)を剥離層116の外周に沿って残存させることができる。このような構造が形成されることにより、剥離層116を第2支持基板112上に安定して保持することができる。また、接着層124の外周部132のはみ出し部分を予め除去しておくことで、後工程において当該はみ出し部分が意図せずに剥離して発塵源となることを防止することができる。
図7(B)は、接着層124を端面から露光して第2支持基板112及び剥離層116に固着させる段階を示す。第2支持基板112及び剥離層116は金属で形成されているので、接着層124の端面に光が照射されるように露光処理が行われる。露光処理は接着層124の外周全体に亘って行われる。この露光処理により、接着層124の外周部に露光領域136が形成される。
図8(B)は、接着層124の端面が露光される態様を示す。接着層124の端面に光が照射されることにより、端面から所定の領域が硬化し第2支持基板112及び剥離層116に固着する。接着層124は、第2支持基板112と剥離層116に挟まれた状態にあり、露光処理によって端部が硬化された露光領域136が形成されるので、後工程において意図しない剥離を防止することができる。
このように、本実施形態によれば、第1レジストマスク114を剥離層116が形成された後に除去し、第2支持基板112に剥離層116を転載した後で接着層124の端部領域を現像してはみ出し領域を除去することで蒸着マスクユニットの製造工程における発塵、異物の発生を防止することができる。
図9(A)は、剥離層116が設けられた第2支持基板112上に、第2レジストマスク138を形成する段階を示す。第2レジストマスク138は所定のパターンで形成される。すなわち、複数の開口103、および後述するダミーパターン140を形成する領域に選択的に形成される。例えば、ネガ型のフォトレジストを剥離層116上に塗布し、複数の開口103とダミーパターン140を形成する領域が選択的に露光されるよう、フォトマスクを介して露光を行う。また、ポジ型のフォトレジストを剥離層116上に塗布し、非開口部が選択的に露光されるよう、フォトマスクを介して露光を行う。その後、現像を行うことで、パターニングされた第2レジストマスク138を得ることができる。なお、第2レジストマスク138は、剥離層116を蒸着マスクユニット100から容易に剥離することができるよう、剥離層116の外縁部にも形成することが好ましい。
図9(B)は、めっき法を利用し、第2レジストマスク138によって被覆されていない領域にめっきパターンを形成し、蒸着マスク102を形成する段階を示す。めっきパターンの形成は、一段階で行ってもよく、数段階に分けて行ってもよい。複数の段階で行う場合、異なる段階で異なる金属が形成されるよう、めっきを行ってもよい。また、めっきは、めっきパターンの上面が第2レジストマスク138の上面よりも低くなるように行ってもよく、高くなるように行ってもよい。後者の場合、表面を研磨することでめっきパターン上面の平坦化を行ってもよい。この後、図10(C)に示すように、第2レジストマスク138を剥離液によるエッチング、及び/又はアッシングによって除去することで、剥離層116上に複数の開口103によってマスクパターンが形成される蒸着マスク102を作製することができる。
なお、図9(B)及び図9(C)に示すように、蒸着マスク102を形成するとき、蒸着マスク102から離隔するダミーパターン140が形成される。ダミーパターン140は、平面視において複数の蒸着マスク102を囲むように構成される。ダミーパターン140と蒸着マスク102は同時に形成されるため、これらは互いに同一の組成と厚さを有することができる。
図10(A)は、蒸着マスク102のマスクパターン104を保護するための保護フィルム142の一態様を示す。保護フィルム142としては、ドライフィルムレジストを用いることができる。保護フィルム142は、例えば、光硬化性樹脂膜144が、剥離膜145と保護膜146とによって挟まれた構造を有する。光硬化性樹脂膜144には、ネガ型の光硬化性樹脂が含まれる。すなわち、光によって硬化する高分子またはオリゴマーが含まれる。光硬化性樹脂膜144の厚さは任意に選択することができ、例えば、20μm以上500μm以下、50μm以上200μm以下、又は50μm以上120μm以下の範囲から選択することができる。保護膜146は高分子材料を含む。高分子材料としては、例えばポリオレフィン、ポリイミド、ポリエステル、ポリスチレン、またはフッ素含有ポリオレフィンなどから選択することができる。
図10(B)は、保護フィルム142が蒸着マスク102の上に配置された状態を示す。保護フィルム142は、剥離膜145を剥離した後、光硬化性樹脂膜144が蒸着マスク102と保護膜146によって挟まれるように配置される。保護フィルム142は、少なくとも全てのマスクパターン104を覆うように設けられる。
次に、光硬化性樹脂膜144に対して露光を行う。具体的には、図11に示すように、遮光部129と透光部130を有する第2フォトマスク128を、透光部130がマスクパターン104と重なるように配置し、第2フォトマスク128を介して露光を行う。これにより、露光された部分の現像液に対する溶解性が低下する。
図12(A)は、光硬化性樹脂膜144に対して露光を行った後、保護膜146を剥離して現像を行い、マスクパターン104の上に第3レジストマスク148が形成された状態を示す。剥離層116の上に複数のマスクパターン104が形成される場合には、図示されるように、それぞれのマスクパターン104ごとに第3レジストマスク148が設けられる。なお、ダミーパターン140の上には後の工程で支持フレームが形成されるため、第3レジストマスク148は設けられていない。
図12(B)は、ダミーパターン140の上に支持フレーム108を配置する段階を示す。支持フレーム108は、複数のマスクパターン104が形成されるとき、それぞれのマスクパターンの間に配置される。支持フレーム108は、外郭のパターンが幅広であり、外郭のパターンの内側に形成されるパターン(マスクパターン104の間に形成されるパターン)が幅狭の形態を有していてもよい。
図13(A)は、めっき法を用い、接続部106を形成する段階を示す。接続部106は、蒸着マスク102の表面のうち支持フレーム108と第3レジストマスク148に覆われていない部分から主に成長する。その結果、図12(A)に示すように、蒸着マスク102の上面、および支持フレーム108の側面に接する接続部106が形成される。この接続部106により、蒸着マスク102と支持フレーム108が固定される。
接続部106は、その厚さが第3レジストマスク148の厚さと同じになるように形成してもよい。あるいは接続部106は、厚さが第3レジストマスク148の厚さよりも小さくなるように形成してもよく、図12(A)に示すように、大きくなるように形成してもよい。接続部106の厚さが第3レジストマスク148の厚さよりも大きい場合、蒸着マスク102と支持フレーム108間により強固な結合力を与えることができる。一方、第3レジストマスク148の厚さ以下の厚さを有するように接続部106を形成することで、第3レジストマスク148上に接続部106が形成されることが防止されるため、第3レジストマスク148の除去の際に接続部106が破壊されたり、これに起因してマスクパターン104が破損したりするなどの不具合を防止することができる。
第3レジストマスク148を、剥離液を用いて剥離することで、図12(B)に示すように、第2支持基板112上に蒸着マスクユニット100を形成することができる。その後、剥離層116を第2支持基板112から剥離し、さらに剥離層116を蒸着マスク102から剥離することで、図2に示す蒸着マスクユニット100を得ることができる。
本実施形態に係る蒸着マスクユニット100の製造工程において、剥離層116を第2支持基板112に転載した後に、光硬化性樹脂膜144を露光及び現像して第2レジストマスク138を形成する段階(図12(A)から図12(B))、及び第2レジストマスク138を剥離液で除去する段階(図13(A)から図13(B))において、薬液によるウエット処理が行われる。このようなウエット処理が行われる場合においても、剥離層116を固着する接着層124の不要な部分が予め(前工程の段階で)除去されているため、後工程において発塵、異物の発生を防止することができる。これにより、蒸着マスクユニット100の製造歩留まりを向上させることができる。例えば、マスクパターン104の中に、開口103を塞いでしまうような塵又は異物の付着を防止することができる。
[第2実施形態]
第1支持基板110の上に剥離層116を形成する際に、第1レジストマスク114を形成することに代えて、治具を用いてもよい。図14は、その一例を示し、第1支持基板110を枠型収納治具150に入れて、剥離層116を作製してもよい。
第1支持基板110の上に剥離層116を形成する際に、第1レジストマスク114を形成することに代えて、治具を用いてもよい。図14は、その一例を示し、第1支持基板110を枠型収納治具150に入れて、剥離層116を作製してもよい。
枠型収納治具150は、第1支持基板110を収納する収納部152と、第1支持基板110の外縁部を覆う枠型部154とに分割されていてもよい。枠型部154を収納部152から着脱自在とすることで、第1支持基板110の取り付け、取り外しが可能なる。このような枠型収納治具150を用いることで、枠型部154がマスクとなり、第1支持基板110の周辺部に剥離層116が形成されないようにすることができる。
剥離層116をめっき法で形成する場合、第1支持基板110が収納された枠型収納治具150をめっき浴に浸漬し、めっき処理を行う。それにより、第1支持基板110の第1面に剥離層116を形成することができる。
本実施形態によれば、第1レジストマスク114を形成する工程を省略することができ、蒸着マスクユニット100の製造工程を簡略化することができる。枠型収納治具150は、繰り返し利用することができるので、資源の節約、製造コストの削減を図ることができる。剥離層116を形成した以降の工程は第1実施形態と同様であり、本実施形態においても同様の作用効果を得ることができる。
100・・・蒸着マスクユニット、102・・・蒸着マスク、103・・・開口、104・・・マスクパターン、106・・・接続部、108・・・支持フレーム、110・・・第1支持基板、112・・・第2支持基板、114・・・第1レジストマスク、116・・・剥離層、118・・・開口部、120・・・内側領域、122・・・外側領域、124・・・接着層、126・・・第1フォトマスク、128・・・第2フォトマスク、129・・・遮光部、130・・・透光部、132・・・外周部、134・・・内側部、136・・・露光領域、138・・・第2レジストマスク、140・・・ダミーパターン、142・・・保護フィルム、144・・・光硬化性樹脂膜、145・・・剥離膜、146・・・保護膜、148・・・第3レジストマスク、150・・・枠型収納治具、152・・・収納部、154・・・枠型部
Claims (10)
- 第1支持基板の第1面の内側領域に第1の膜厚で第1レジストマスクを形成し、
前記第1レジストマスクが形成された前記第1面上に第1の膜厚以下の厚さの第2の膜厚で剥離層を形成し、
前記第1レジストマスクを除去し、
前記剥離層上に、前記剥離層を覆い、かつ、端部が前記剥離層の外側に広がる感光性のレジストフィルムを配置し、
前記感光性のレジストフィルムに密接して第2支持基板を設け、
前記第1支持基板を前記剥離層から分離し、前記感光性のレジストフィルム及び前記剥離層を前記第2支持基板上に残存させ、
前記剥離層からはみ出した前記感光性のレジストフィルムを除去し、
前記感光性のレジストフィルムの端面を露光し、
前記剥離層上に蒸着マスクパターンを形成する、
ことを含む蒸着マスクの作製方法。 - 前記感光性のレジストフィルムに密接して前記第2支持基板を設ける前に、前記感光性のレジストフィルムの前記剥離層の端部に沿った領域を未露光とし、前記端部に沿った領域の内側の領域を露光する、請求項1に記載の蒸着マスクの作製方法。
- 前記剥離層からはみ出した前記感光性のレジストフィルムの除去を、現像液で処理して除去する、請求項1に記載の蒸着マスクの作製方法。
- 前記第1レジストマスクは枠状のパターンを有する、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の蒸着マスクの作製方法。
- 前記剥離層を、前記第1レジストマスクの内側領域及び外側領域に形成し、
前記第1支持基板を前記剥離層から分離するときに、前記外側領域が前記第1支持基板側に残存させ、前記内側領域が前記第2支持基板側に残存させる、請求項4に記載の蒸着マスクの作製方法。 - 前記剥離層を金属膜で形成する、請求項1乃至5のいずれか一項に記載の蒸着マスクの作製方法。
- 前記剥離層をめっき法で形成する、請求項1乃至5のいずれか一項に記載の蒸着マスクの作製方法。
- 前記感光性のレジストフィルムがドライレジストフィルムである、請求項1乃至7のいずれか一項に記載の蒸着マスクの作製方法。
- 前記第1レジストマスクに代えて、前記第1支持基板に前記第1面の周縁部を覆う枠状部材を当接させ、前記剥離層を形成する、請求項1に記載の蒸着マスクの作製方法。
- 請求項1乃至9のいずれか一項に記載の方法により蒸着マスクを作製し、前記剥離層上に支持フレーム、及び前記蒸着マスクと前記支持フレームとを接続する接続部を形成し、前記剥離層を前記第2支持基板から分離することを含む、蒸着マスクユニットの作製方法。
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