JP2021161509A - 蒸着マスクの作製方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】蒸着マスクユニットの作製には、高精細なパターンを精度良く形成することに加え、欠陥パターンが生成しない技術が求められている。【解決手段】蒸着マスクユニットの作製方法は、第１支持基板の第１面の内側領域に第１の膜厚で第１レジストマスクを形成し、第１レジストマスクが形成された第１面上に第１の膜厚以下の厚さの第２の膜厚で剥離層を形成し、第１レジストマスクを除去し、剥離層上に、剥離層を覆い、かつ、端部が剥離層の外側に広がる感光性のレジストフィルムを配置し、感光性のレジストフィルムに密接して第２支持基板を設け、第１支持基板を剥離層から分離し、感光性のレジストフィルム及び剥離層を第２支持基板上に残存させ、剥離層からはみ出した感光性のレジストフィルムを除去し、感光性のレジストフィルムの端面を露光し、剥離層上に蒸着マスクパターンを形成することを含む。【選択図】図３
Description
本発明の一実施形態は、蒸着マスクの作製方法に関する。例えば、有機エレクトロルミネセンス素子の作製において、発光層等を形成するときに用いられる蒸着マスクの作製方法に関する。
真空蒸着法は、薄膜作製技術の一つとして知られている。真空蒸着法は、高真空下において材料を加熱することで材料を昇華、又は蒸発（以下、昇華と蒸発を総じて気化と呼ぶ）させて材料の蒸気を生成し、この蒸気を目的とする領域（以下、蒸着領域）で固化、堆積することで材料の薄膜を形成する技術である。真空蒸着法では、所望の領域に選択的に材料の薄膜を形成し、それ以外の領域に薄膜が形成されないようにするために金属製のマスクが用いられる（特許文献１、２参照）。
有機エレクトロルミネセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」ともいう）で画素が形成された表示装置（以下、「有機EL表示装置」ともいう）の製造工程では、有機ＥＬ素子を形成するために真空蒸着法が適用される。有機ＥＬ素子の発光層を画素ごとに形成するためには、画素サイズ及びピッチに応じた微細な開口パターンを有する真空蒸着用の蒸着マスクが用いられる。このとき、蒸着マスクの中に、例えば、本来開口されているべき部分が塞がれている等の欠陥があると、それがそのまま有機ＥＬ表示装置の画素の欠陥となってしまい問題となる。したがって、蒸着マスクの作製には、高精細なパターンを精度良く形成することに加え、欠陥パターンが生成しない技術が求められている。
本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの作製方法は、第１支持基板の第１面の内側領域に第１の膜厚で第１レジストマスクを形成し、第１レジストマスクが形成された第１面上に第１の膜厚以下の厚さの第２の膜厚で剥離層を形成し、第１レジストマスクを除去し、剥離層上に、剥離層を覆い、かつ、端部が剥離層の外側に広がる感光性のレジストフィルムを配置し、感光性のレジストフィルムに密接して第２支持基板を設け、第１支持基板を剥離層から分離し、感光性のレジストフィルム及び剥離層を第２支持基板上に残存させ、剥離層からはみ出した感光性のレジストフィルムを除去し、感光性のレジストフィルムの端面を露光し、剥離層上に蒸着マスクパターンを形成することを含む。
以下、本発明の実施の形態を、図面等を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号（又は数字の後にａ、ｂなどを付した符号）を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。さらに各要素に対する「第１」、「第２」と付記された文字は、各要素を区別するために用いられる便宜的な標識であり、特段の説明がない限りそれ以上の意味を有しない。
本明細書において、ある部材又は領域が他の部材又は領域の「上に（又は下に）」あるとする場合、特段の限定がない限りこれは他の部材又は領域の直上（又は直下）にある場合のみでなく他の部材又は領域の上方（又は下方）にある場合を含み、すなわち、他の部材又は領域の上方（又は下方）において間に別の構成要素が含まれている場合も含む。
［第１実施形態］
１．蒸着マスクユニットの構造
本発明の一実施形態に係る方法で作製される蒸着マスクを用いた蒸着マスクユニット１００の模式的な構成を図１及び図２に示す。図１は、蒸着マスクユニットの模式的な平面図を示し、図１において示すＡ１−Ａ２線に沿った断面構造を図２に示す。
１．蒸着マスクユニットの構造
本発明の一実施形態に係る方法で作製される蒸着マスクを用いた蒸着マスクユニット１００の模式的な構成を図１及び図２に示す。図１は、蒸着マスクユニットの模式的な平面図を示し、図１において示すＡ１−Ａ２線に沿った断面構造を図２に示す。
図１に示すように、蒸着マスクユニット１００は、少なくとも１つの蒸着マスク１０２と、少なくとも１つの蒸着マスク１０２を囲む支持フレーム１０８と、支持フレーム１０８と少なくとも１つの蒸着マスク１０２とを接続する接続部１０６を含む。図１は、少なくとも１つの蒸着マスク１０２が複数の蒸着マスク１０２から成り、複数の蒸着マスク１０２が、それぞれ接続部１０６を介して支持フレーム１０８に固定された態様を示す。
図１の挿入拡大図に示すように、蒸着マスク１０２は複数の開口１０３を有する。蒸着マスク１０２の中で、複数の開口１０３は、所定の領域内に配列されて１つのマスクパターン１０４を形成する。蒸着マスク１０２は、このようなマスクパターン１０４が複数含まれていてもよい。蒸着マスク１０２は、マスクパターン１０４が形成されない領域で接続部１０６と接続され、支持フレーム１０８に保持される。
図２に示すように、蒸着マスク１０２は金属の板状部材であり、複数の開口１０３は板状部材を貫通する貫通孔である。支持フレーム１０８は蒸着マスク１０２を平板状に支持するために設けられる。支持フレーム１０８は、複数の蒸着マスク１０２を保持するために、格子状の枠が設けられていてもよい。蒸着マスクユニット１００は、支持フレーム１０８がマザーガラス基板のサイズに対応し、マスクパターン１０４はマザーガラス基板の中に作り込まれる個々の表示パネルに対応して配置され、複数の開口１０３は表示パネル内の画素の配列に対応して配置される。
接続部１０６は、蒸着マスク１０２と支持フレーム１０８を接続し、これらを互いに固定する機能を有する。したがって、支持フレーム１０８は蒸着マスク１０２と直接接触しないものの、接続部１０６は蒸着マスク１０２の非開口部（マスクパターン１０４が形成されない領域）において蒸着マスク１０２と接し、かつ、支持フレーム１０８の側面と接する。
なお、図１及び図２に示す一例は、支持フレーム１０８に複数の蒸着マスク１０２が保持される態様を示すが、本発明の一実施形態はこれに限定されず、例えば、支持フレーム１０８に一つの蒸着マスク１０２が接続部１０６を介して保持される構成を有していてもよい。
このような蒸着マスクユニット１００は、表示パネルの製造工程の中で、有機ＥＬ素子を形成する工程で用いられる。具体的には、真空蒸着によって有機ＥＬ素子の発光層等を形成する工程で用いられる。真空蒸着の工程においては、マザーガラス基板側の蒸着領域と蒸着マスク１０２側のマスクパターン１０４が整合するように配置され、材料の蒸気が複数の開口１０３を通過し、蒸着領域に材料が堆積する。
蒸着マスク１０２、接続部１０６はニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）などの０価の金属を含む。蒸着マスク１０２と接続部１０６の材料の組成は互いに同一であってもよい。蒸着マスク１０２及び接続部１０６の製法は後述されるが、これらはめっき法（電解めっきで行われることから「電鋳」とも呼ばれる）で作製することができる。支持フレーム１０８も０価の金属を含み、その金属としてはニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）などから選択される。例えば、支持フレーム１０８は鉄（Ｆｅ）とクロム（Ｃｒ）とを含む合金、又は鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、マンガン（Ｍｎ）の合金で形成することができ、その合金には炭素（Ｃ）が含まれていてもよい。
２．メタルマスクユニットの作製方法
次に、本発明の一実施形態に係る蒸着マスク、及び蒸着マスクユニットの作製方法の一例を、図面を参照して説明する。これらの図は蒸着マスク、及び蒸着マスクユニット１００の模式的断面図であり、図２に対応するものである。
次に、本発明の一実施形態に係る蒸着マスク、及び蒸着マスクユニットの作製方法の一例を、図面を参照して説明する。これらの図は蒸着マスク、及び蒸着マスクユニット１００の模式的断面図であり、図２に対応するものである。
図３（Ａ）は、第１支持基板１１０の第１面に、第１レジストマスク１１４を形成する段階を示す。第１支持基板１１０は金属製であり、ガラス、石英、セラミクス、プラスチックなどの絶縁物、又は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、マンガン（Ｍｎ）などの金属、若しくはこれらの合金で形成される。合金としては、例えば鉄（Ｆｅ）とクロム（Ｃｒ）を含む合金、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、およびマンガン（Ｍｎ）の合金でもよく、合金には炭素（Ｃ）が含まれていてもよい。例えば、第１支持基板１１０は、例えば、鉄（Ｆｅ）を主成分とし、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）を含有するステンレス鋼で形成されていてもよい。
第１レジストマスク１１４は、感光性の樹脂材料を用い、フォトリソグラフィによって形成する。感光性の樹脂材料としては、塗布型のフォトレジスト、又はドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）を用いることができる。第１レジストマスク１１４は、図１において示す蒸着マスクユニット１００において、複数の蒸着マスク１０２が配置されるとき、それら（複数の蒸着マスク１０２全部）を囲む枠状の形態を有する。
図３（Ｂ）は、剥離層１１６を形成する段階を示す。剥離層１１６は、第１レジストマスク１１４が形成された第１支持基板１１０の第１面において、枠状の第１レジストマスクから露出した領域に形成される。剥離層１１６は、例えば、蒸着マスク１０２を形成する金属材料と同じ金属材料で形成される。剥離層１１６は、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）などの０価の金属材料で形成される。このような金属材料で形成される剥離層１１６は、めっき法によって作製することができる。例えば、剥離層１１６は、第１支持基板１１０上にニッケルめっきによって作製される。めっき法によって剥離層１１６を形成する際には、第１支持基板１１０を洗浄し、第１面に離型剤が塗布されていてもよい。
図３（Ｃ）は、第１レジストマスク１１４を除去する段階を示す。第１レジストマスク１１４は、剥離液により除去される。第１レジストマスク１１４が除去された領域には開口部１１８が形成される。別言すれば、第１レジストマスク１１４が第１支持基板１１０上から除去されることにより、剥離層１１６は開口部１１８を挟んで内側領域１２０と外側領域１２２に分離される。剥離層１１６は、２０μｍ以上２００μｍ以下、例えば、４０μｍ以上１５０μｍ以下の厚さで形成される。剥離層１１６は、第１支持基板１１０上に、めっき法、スパッタリング法、または化学気相堆積（ＣＶＤ）法を利用して形成される。第１支持基板１１０上に形成される剥離層１１６は、膜厚の均一性が外周部において低下する場合がある。このような場合においても、第１レジストマスク１１４を第１支持基板１１０上に設けておくことで、剥離層１１６を内側の領域と、外側の領域に分離することができる。
この場合において、図４（Ａ）に示すように、第１レジストマスク１１４の膜厚ｄ１は、剥離層１１６の設計膜厚ｄ２と同じか、それよりも厚く形成されていることが好ましい。剥離層１１６をめっき法で形成する場合、剥離層１１６は導電性を有する第１支持基板１１０上から膜厚を増す方向に成長する。剥離層１１６が所望の設計膜厚ｄ２となるまで成長したとき、第１レジストマスク１１４の上面が剥離層１１６に接しない程度の膜厚とすることで、後の第１レジストマスクの剥離工程を良好に行うことができる。
仮に、図４（Ｂ）に示すように、剥離層１１６を第１レジストマスク１１４より厚く（ｄ２＞ｄ１）形成すると、第１レジストマスク１１４の上面に被さるように剥離層１１６が成長してしまう。このような状態で第１レジストマスク１１４を除去すると剥離層１１６の一部が剥がれてしまうことが問題となる。すなわち、第１レジストマスク１１４を剥離液に浸漬すると膨潤し、それに伴って第１レジストマスク１１４の上面に被さった剥離層１１６の一部が押し上げられて剥がれてしまうことが問題となる。
このような不具合を解消するために、上述のように、第１レジストマスク１１４の膜厚を剥離層１１６の膜厚より厚くしておくことで、剥離層１１６の意図しない剥離を防止することができる。図４（Ａ）に示すように、第１レジストマスク１１４は、剥離層１１６の上面から突出する形となるが、剥離層１１６を形成、次の工程に移る前に除去することで後工程への影響を無くすことができる。
図５（Ａ）は、剥離層１１６の上に接着層１２４を設ける段階を示す。接着層１２４は、未露光の状態で所定の接着力又は粘着力を有するレジストフィルムを用いることが好ましい。このようなレジストフィルムとしては、例えば、ドライフィルムレジストを用いることができる。接着層１２４は、剥離層１１６の内側領域１２０の全面を覆い、端部が剥離層１１６の外側に広がる大きさを有していることが好ましい。接着層１２４の端部は、剥離層１１６の外側領域１２２まで広がっていてもよい。フィルム状の部材として供給される剥離層１１６がこのような大きさを有することで、剥離層１１６の内側領域を確実に覆うことができる。
図５（Ｂ）に示すように、接着層１２４の外周部を未露光とし、内側領域を露光する処理を行ってもよい。具体的には、接着層１２４において、剥離層１１６の端部と重なる領域を含む外周部１３２を未露光領域として、外周部１３２より内側の領域が露光領域となるように露光して、露光面を硬化させる処理を行ってもよい。外側領域１２２（露光処理される領域）は、少なくとも一部が剥離層１１６と重なっていることが好ましい。接着層１２４の選択的な露光は、フォトマスクを用いて行うことができる。接着層１２４として用いられる感光性のドライフィルムレジストがポジ型である場合、透光部１３０を囲むように遮光部１２９が形成された第１フォトマスク１２６が用いられる。このような露光処理により、接着層１２４には、外側領域１２２（未露光領域）と比べて硬化し、接着力が低下した領域（外側領域１２２の内側の領域）が形成される。
なお、ドライフィルムレジストは、前述の通り、露光処理によって表面の粘着力は失われるが、未露光の状態で既に他の表面と接している箇所は、光照射により硬化した後も、その接着力を維持する。
図６（Ａ）は、第２支持基板１１２の第１面に接着層１２４を密接させて、剥離層１１６を第１支持基板１１０ごと張り合わせる段階を示す。このとき、接着層１２４の大部分は露光されており、その表面は粘着力を失っている。よって第２支持基板１１２は、接着層１２４の未露光の外周部１３２において固定される。一方、接着層１２４と剥離層１１６との界面は、露光前の時点で既に密着させており、露光によって粘着力は失われるものの、ある程度の密着力は保たれている。なお、第２支持基板１１２は、第１支持基板１１０と同様の材料で形成される。
また、未露光の外周部１３２と剥離層１１６との界面は、貼り合わせ後にベーク処理を行うことで、密着性を増すことができる。この場合のベーク処理の条件としては、６０℃、１時間が一例として挙げられる。
図６（Ｂ）は、剥離層１１６を第１支持基板１１０から剥離する段階を示す。剥離層１１６は、第１支持基板１１０との界面に物理的な力を作用させることで、第１支持基板１１０から剥離することができる。例えば、鋭利な先端を有する治具を、第１支持基板１１０と剥離層１１６との界面に押し当てて剥離のきっかけとなる部分を形成し、その後、第１支持基板１１０を引き剥がすように外力を加えることで、剥離層１１６を第１支持基板１１０から剥離することができる。
この段階において、剥離層１１６の外側領域１２２に相当する部分は、第１支持基板１１０に残存したままであり、第２支持基板１１２に転載されない。このように、予め剥離層１１６を内側領域１２０と外側領域１２２に分離しておくことで、内側領域１２０だけを第２支持基板１１２に張り合わせることができる。なお、この段階では、接着層１２４の外周部１３２の一部分が、剥離層１１６からはみ出して残存した状態となっている。
図７（Ａ）は、剥離層１１６からはみ出している接着層１２４の外周部１３２を除去する段階を示す。剥離層１１６からはみ出した接着層１２４の外周部１３２の一部は、薬液により除去される。具体的には、外周部１３２は未露光部分となっているので、フォトレジストの現像液で処理（現像）することで、はみ出した部分を除去することができる。また、薬液は現像液に限定されず、同様の作用を発現させるアルカリ性溶液を用いてもよい。
図８（Ａ）は、第２支持基板１１２上で、剥離層１１６からはみ出した接着層１２４の外周部１３２の一部が除去された状態を示す。接着層１２４の外周部１３２の一部は未露光部分であるが、接着層１２４に覆われているため現像液に対する溶解性が高状態であっても残存する。接着層１２４の内側の領域は前工程で露光処理されており現像液に対する可溶性が低下しており、かつ剥離層１１６及び第２支持基板１１２に挟まれているので残存する。そのため、この現像液の処理によって、接着層１２４の外周部１３２の一部を選択的に除去することができる。その結果、接着層１２４において、接着力の強い外周部１３２（未露光部分）を剥離層１１６の外周に沿って残存させることができる。このような構造が形成されることにより、剥離層１１６を第２支持基板１１２上に安定して保持することができる。また、接着層１２４の外周部１３２のはみ出し部分を予め除去しておくことで、後工程において当該はみ出し部分が意図せずに剥離して発塵源となることを防止することができる。
図７（Ｂ）は、接着層１２４を端面から露光して第２支持基板１１２及び剥離層１１６に固着させる段階を示す。第２支持基板１１２及び剥離層１１６は金属で形成されているので、接着層１２４の端面に光が照射されるように露光処理が行われる。露光処理は接着層１２４の外周全体に亘って行われる。この露光処理により、接着層１２４の外周部に露光領域１３６が形成される。
図８（Ｂ）は、接着層１２４の端面が露光される態様を示す。接着層１２４の端面に光が照射されることにより、端面から所定の領域が硬化し第２支持基板１１２及び剥離層１１６に固着する。接着層１２４は、第２支持基板１１２と剥離層１１６に挟まれた状態にあり、露光処理によって端部が硬化された露光領域１３６が形成されるので、後工程において意図しない剥離を防止することができる。
このように、本実施形態によれば、第１レジストマスク１１４を剥離層１１６が形成された後に除去し、第２支持基板１１２に剥離層１１６を転載した後で接着層１２４の端部領域を現像してはみ出し領域を除去することで蒸着マスクユニットの製造工程における発塵、異物の発生を防止することができる。
図９（Ａ）は、剥離層１１６が設けられた第２支持基板１１２上に、第２レジストマスク１３８を形成する段階を示す。第２レジストマスク１３８は所定のパターンで形成される。すなわち、複数の開口１０３、および後述するダミーパターン１４０を形成する領域に選択的に形成される。例えば、ネガ型のフォトレジストを剥離層１１６上に塗布し、複数の開口１０３とダミーパターン１４０を形成する領域が選択的に露光されるよう、フォトマスクを介して露光を行う。また、ポジ型のフォトレジストを剥離層１１６上に塗布し、非開口部が選択的に露光されるよう、フォトマスクを介して露光を行う。その後、現像を行うことで、パターニングされた第２レジストマスク１３８を得ることができる。なお、第２レジストマスク１３８は、剥離層１１６を蒸着マスクユニット１００から容易に剥離することができるよう、剥離層１１６の外縁部にも形成することが好ましい。
図９（Ｂ）は、めっき法を利用し、第２レジストマスク１３８によって被覆されていない領域にめっきパターンを形成し、蒸着マスク１０２を形成する段階を示す。めっきパターンの形成は、一段階で行ってもよく、数段階に分けて行ってもよい。複数の段階で行う場合、異なる段階で異なる金属が形成されるよう、めっきを行ってもよい。また、めっきは、めっきパターンの上面が第２レジストマスク１３８の上面よりも低くなるように行ってもよく、高くなるように行ってもよい。後者の場合、表面を研磨することでめっきパターン上面の平坦化を行ってもよい。この後、図１０（Ｃ）に示すように、第２レジストマスク１３８を剥離液によるエッチング、及び／又はアッシングによって除去することで、剥離層１１６上に複数の開口１０３によってマスクパターンが形成される蒸着マスク１０２を作製することができる。
なお、図９（Ｂ）及び図９（Ｃ）に示すように、蒸着マスク１０２を形成するとき、蒸着マスク１０２から離隔するダミーパターン１４０が形成される。ダミーパターン１４０は、平面視において複数の蒸着マスク１０２を囲むように構成される。ダミーパターン１４０と蒸着マスク１０２は同時に形成されるため、これらは互いに同一の組成と厚さを有することができる。
図１０（Ａ）は、蒸着マスク１０２のマスクパターン１０４を保護するための保護フィルム１４２の一態様を示す。保護フィルム１４２としては、ドライフィルムレジストを用いることができる。保護フィルム１４２は、例えば、光硬化性樹脂膜１４４が、剥離膜１４５と保護膜１４６とによって挟まれた構造を有する。光硬化性樹脂膜１４４には、ネガ型の光硬化性樹脂が含まれる。すなわち、光によって硬化する高分子またはオリゴマーが含まれる。光硬化性樹脂膜１４４の厚さは任意に選択することができ、例えば、２０μｍ以上５００μｍ以下、５０μｍ以上２００μｍ以下、又は５０μｍ以上１２０μｍ以下の範囲から選択することができる。保護膜１４６は高分子材料を含む。高分子材料としては、例えばポリオレフィン、ポリイミド、ポリエステル、ポリスチレン、またはフッ素含有ポリオレフィンなどから選択することができる。
図１０（Ｂ）は、保護フィルム１４２が蒸着マスク１０２の上に配置された状態を示す。保護フィルム１４２は、剥離膜１４５を剥離した後、光硬化性樹脂膜１４４が蒸着マスク１０２と保護膜１４６によって挟まれるように配置される。保護フィルム１４２は、少なくとも全てのマスクパターン１０４を覆うように設けられる。
次に、光硬化性樹脂膜１４４に対して露光を行う。具体的には、図１１に示すように、遮光部１２９と透光部１３０を有する第２フォトマスク１２８を、透光部１３０がマスクパターン１０４と重なるように配置し、第２フォトマスク１２８を介して露光を行う。これにより、露光された部分の現像液に対する溶解性が低下する。
図１２（Ａ）は、光硬化性樹脂膜１４４に対して露光を行った後、保護膜１４６を剥離して現像を行い、マスクパターン１０４の上に第３レジストマスク１４８が形成された状態を示す。剥離層１１６の上に複数のマスクパターン１０４が形成される場合には、図示されるように、それぞれのマスクパターン１０４ごとに第３レジストマスク１４８が設けられる。なお、ダミーパターン１４０の上には後の工程で支持フレームが形成されるため、第３レジストマスク１４８は設けられていない。
図１２（Ｂ）は、ダミーパターン１４０の上に支持フレーム１０８を配置する段階を示す。支持フレーム１０８は、複数のマスクパターン１０４が形成されるとき、それぞれのマスクパターンの間に配置される。支持フレーム１０８は、外郭のパターンが幅広であり、外郭のパターンの内側に形成されるパターン（マスクパターン１０４の間に形成されるパターン）が幅狭の形態を有していてもよい。
図１３（Ａ）は、めっき法を用い、接続部１０６を形成する段階を示す。接続部１０６は、蒸着マスク１０２の表面のうち支持フレーム１０８と第３レジストマスク１４８に覆われていない部分から主に成長する。その結果、図１２（Ａ）に示すように、蒸着マスク１０２の上面、および支持フレーム１０８の側面に接する接続部１０６が形成される。この接続部１０６により、蒸着マスク１０２と支持フレーム１０８が固定される。
接続部１０６は、その厚さが第３レジストマスク１４８の厚さと同じになるように形成してもよい。あるいは接続部１０６は、厚さが第３レジストマスク１４８の厚さよりも小さくなるように形成してもよく、図１２（Ａ）に示すように、大きくなるように形成してもよい。接続部１０６の厚さが第３レジストマスク１４８の厚さよりも大きい場合、蒸着マスク１０２と支持フレーム１０８間により強固な結合力を与えることができる。一方、第３レジストマスク１４８の厚さ以下の厚さを有するように接続部１０６を形成することで、第３レジストマスク１４８上に接続部１０６が形成されることが防止されるため、第３レジストマスク１４８の除去の際に接続部１０６が破壊されたり、これに起因してマスクパターン１０４が破損したりするなどの不具合を防止することができる。
第３レジストマスク１４８を、剥離液を用いて剥離することで、図１２（Ｂ）に示すように、第２支持基板１１２上に蒸着マスクユニット１００を形成することができる。その後、剥離層１１６を第２支持基板１１２から剥離し、さらに剥離層１１６を蒸着マスク１０２から剥離することで、図２に示す蒸着マスクユニット１００を得ることができる。
本実施形態に係る蒸着マスクユニット１００の製造工程において、剥離層１１６を第２支持基板１１２に転載した後に、光硬化性樹脂膜１４４を露光及び現像して第２レジストマスク１３８を形成する段階（図１２（Ａ）から図１２（Ｂ））、及び第２レジストマスク１３８を剥離液で除去する段階（図１３（Ａ）から図１３（Ｂ））において、薬液によるウエット処理が行われる。このようなウエット処理が行われる場合においても、剥離層１１６を固着する接着層１２４の不要な部分が予め（前工程の段階で）除去されているため、後工程において発塵、異物の発生を防止することができる。これにより、蒸着マスクユニット１００の製造歩留まりを向上させることができる。例えば、マスクパターン１０４の中に、開口１０３を塞いでしまうような塵又は異物の付着を防止することができる。
［第２実施形態］
第１支持基板１１０の上に剥離層１１６を形成する際に、第１レジストマスク１１４を形成することに代えて、治具を用いてもよい。図１４は、その一例を示し、第１支持基板１１０を枠型収納治具１５０に入れて、剥離層１１６を作製してもよい。
第１支持基板１１０の上に剥離層１１６を形成する際に、第１レジストマスク１１４を形成することに代えて、治具を用いてもよい。図１４は、その一例を示し、第１支持基板１１０を枠型収納治具１５０に入れて、剥離層１１６を作製してもよい。
枠型収納治具１５０は、第１支持基板１１０を収納する収納部１５２と、第１支持基板１１０の外縁部を覆う枠型部１５４とに分割されていてもよい。枠型部１５４を収納部１５２から着脱自在とすることで、第１支持基板１１０の取り付け、取り外しが可能なる。このような枠型収納治具１５０を用いることで、枠型部１５４がマスクとなり、第１支持基板１１０の周辺部に剥離層１１６が形成されないようにすることができる。
剥離層１１６をめっき法で形成する場合、第１支持基板１１０が収納された枠型収納治具１５０をめっき浴に浸漬し、めっき処理を行う。それにより、第１支持基板１１０の第１面に剥離層１１６を形成することができる。
本実施形態によれば、第１レジストマスク１１４を形成する工程を省略することができ、蒸着マスクユニット１００の製造工程を簡略化することができる。枠型収納治具１５０は、繰り返し利用することができるので、資源の節約、製造コストの削減を図ることができる。剥離層１１６を形成した以降の工程は第１実施形態と同様であり、本実施形態においても同様の作用効果を得ることができる。
１００・・・蒸着マスクユニット、１０２・・・蒸着マスク、１０３・・・開口、１０４・・・マスクパターン、１０６・・・接続部、１０８・・・支持フレーム、１１０・・・第１支持基板、１１２・・・第２支持基板、１１４・・・第１レジストマスク、１１６・・・剥離層、１１８・・・開口部、１２０・・・内側領域、１２２・・・外側領域、１２４・・・接着層、１２６・・・第１フォトマスク、１２８・・・第２フォトマスク、１２９・・・遮光部、１３０・・・透光部、１３２・・・外周部、１３４・・・内側部、１３６・・・露光領域、１３８・・・第２レジストマスク、１４０・・・ダミーパターン、１４２・・・保護フィルム、１４４・・・光硬化性樹脂膜、１４５・・・剥離膜、１４６・・・保護膜、１４８・・・第３レジストマスク、１５０・・・枠型収納治具、１５２・・・収納部、１５４・・・枠型部
Claims (10)
- 第１支持基板の第１面の内側領域に第１の膜厚で第１レジストマスクを形成し、
前記第１レジストマスクが形成された前記第１面上に第１の膜厚以下の厚さの第２の膜厚で剥離層を形成し、
前記第１レジストマスクを除去し、
前記剥離層上に、前記剥離層を覆い、かつ、端部が前記剥離層の外側に広がる感光性のレジストフィルムを配置し、
前記感光性のレジストフィルムに密接して第２支持基板を設け、
前記第１支持基板を前記剥離層から分離し、前記感光性のレジストフィルム及び前記剥離層を前記第２支持基板上に残存させ、
前記剥離層からはみ出した前記感光性のレジストフィルムを除去し、
前記感光性のレジストフィルムの端面を露光し、
前記剥離層上に蒸着マスクパターンを形成する、
ことを含む蒸着マスクの作製方法。 - 前記感光性のレジストフィルムに密接して前記第２支持基板を設ける前に、前記感光性のレジストフィルムの前記剥離層の端部に沿った領域を未露光とし、前記端部に沿った領域の内側の領域を露光する、請求項１に記載の蒸着マスクの作製方法。
- 前記剥離層からはみ出した前記感光性のレジストフィルムの除去を、現像液で処理して除去する、請求項１に記載の蒸着マスクの作製方法。
- 前記第１レジストマスクは枠状のパターンを有する、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の蒸着マスクの作製方法。
- 前記剥離層を、前記第１レジストマスクの内側領域及び外側領域に形成し、
前記第１支持基板を前記剥離層から分離するときに、前記外側領域が前記第１支持基板側に残存させ、前記内側領域が前記第２支持基板側に残存させる、請求項４に記載の蒸着マスクの作製方法。 - 前記剥離層を金属膜で形成する、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の蒸着マスクの作製方法。
- 前記剥離層をめっき法で形成する、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の蒸着マスクの作製方法。
- 前記感光性のレジストフィルムがドライレジストフィルムである、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の蒸着マスクの作製方法。
- 前記第１レジストマスクに代えて、前記第１支持基板に前記第１面の周縁部を覆う枠状部材を当接させ、前記剥離層を形成する、請求項１に記載の蒸着マスクの作製方法。
- 請求項１乃至９のいずれか一項に記載の方法により蒸着マスクを作製し、前記剥離層上に支持フレーム、及び前記蒸着マスクと前記支持フレームとを接続する接続部を形成し、前記剥離層を前記第２支持基板から分離することを含む、蒸着マスクユニットの作製方法。
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