JP2021158317A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】実装信頼性を高くできる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置Ａ１において、半導体素子３と、半導体素子３を覆い、ｚ方向視矩形状である封止樹脂５と、各々の一部が封止樹脂５から露出する複数のリード１とを備えた。封止樹脂５は、ｚ方向において互いに反対側を向く樹脂主面５１および樹脂裏面５２と、樹脂主面５１および樹脂裏面５２に各々がつながる４個の樹脂側面５３とを備えている。複数のリード１は、互いにつながる２個の樹脂側面５３である樹脂側面５３１および樹脂側面５３２の両方に最も近い位置に配置され、かつ、樹脂裏面５２から露出する裏面１１２を有する第１コーナーリード１１を含んでいる。裏面１１２は、本体部１１２ａと、本体部１１２ａから樹脂側面５３１まで延び、かつ、樹脂側面５３２から離間する側面側延伸部１１２ｂと、本体部１１２ａから樹脂裏面５２の中央側に延びる中央側延伸部１１２ｃとを備えている。【選択図】図６

Description

本開示は、半導体装置に関する。

複数のリードと半導体素子とが、いわゆるフリップチップの形態で接合された半導体装置が提案されている。特許文献１には、複数の電極が配置された主面を有する半導体素子と、複数のリードと、封止樹脂とを備える半導体装置が開示されている。当該半導体装置において、半導体素子は主面を複数のリードに向けて配置されており、各電極は複数のリードのいずれかに接合されている。つまり、半導体素子は、いわゆるフリップチップ接合によって、複数のリードに搭載されている。封止樹脂は、半導体素子と、各リードの一部とを覆っている。このような半導体装置は、各電極と各リードとをワイヤで導通させる半導体装置と比較して、導通経路の抵抗を抑制でき、また、低背化が可能である。さらに、平面視において、封止樹脂の外形の大きさが同じ場合、より大きい半導体素子を搭載することができ、同じ半導体素子を搭載する場合、封止樹脂の外形を小さくすることが可能である。

しかしながら、フリップチップ接合による半導体装置は、配線基板に実装された場合、各リードと配線基板とを接合するはんだへの応力が大きい。したがって、実装信頼性が低いことが問題になる場合がある。フリップチップ接合による半導体装置は、平面視において、封止樹脂の側面の近くまで半導体素子が位置する。したがって、封止樹脂の側面付近の実装部近傍部分において、半導体素子の材料であるＳｉの占有率が高い。よって、当該部分における線膨張係数は、ワイヤボンディングによる半導体装置と比較して小さい。これにより、配線基板と半導体装置との線膨張係数の違いにより生じるはんだへの応力が大きくなる。当該応力の問題は、実装面積が小さく、角に位置するリードにおいて、特に顕著である。なお、この問題は、フリップチップ接合による半導体装置に限るものではない。ワイヤボンディングによる半導体装置においても、実装面積が小さく、角に位置するリードにおいて、はんだへの応力によって、実装信頼性が低くなることが問題になる場合がある。

特開２０１３−１３８２６１号公報

本開示は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、実装信頼性を高くできる半導体装置を提供することをその課題とする。

本開示によって提供される半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子を覆い、厚さ方向視矩形状である封止樹脂と、各々の一部が前記封止樹脂から露出する複数のリードとを備え、前記封止樹脂は、前記厚さ方向において互いに反対側を向く樹脂主面および樹脂裏面と、前記樹脂主面および前記樹脂裏面に各々がつながる４個の樹脂側面と、を備え、前記複数のリードは、互いにつながる２個の前記樹脂側面である第１樹脂側面および第２樹脂側面の両方に最も近い位置に配置され、かつ、前記樹脂裏面から露出する第１裏面を有する第１コーナーリードを含み、前記第１裏面は、本体部と、前記本体部から前記第１樹脂側面まで延び、かつ、前記第２樹脂側面から離間する第１側面側延伸部と、前記本体部から前記樹脂裏面の中央側に延びる中央側延伸部とを備えている。

本開示によれば、第１コーナーリードの第１裏面は、本体部から樹脂裏面の中央側に延びる中央側延伸部を備えている。中央側延伸部を備えていない場合と比較して、第１コーナーリードの接合面の面積は広くなる。したがって、第１コーナーリードの接合強度が向上されて、実装信頼性が高くなる。また、中央側延伸部は、第１側面側延伸部とは異なる方向に延びているので、はんだへの応力が分散される。これにより、応力によるはんだの歪みが減少して、実装信頼性が高くなる。

本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。

本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す斜視図である。 図１の半導体装置を示す平面図であり、封止樹脂を透過した図である。 図１の半導体装置を示す平面図であり、さらに半導体素子を透過した図である。 図１の半導体装置を示す底面図である。 図２のＶ−Ｖ線に沿う断面図である。 図２のＶＩ−ＶＩ線に沿う断面図である。 本開示の第２実施形態に係る半導体装置を示す底面図である。 本開示の第３実施形態に係る半導体装置を示す底面図である。 本開示の第４実施形態に係る半導体装置を示す底面図である。 本開示の第５実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。 図１０の半導体装置を示す断面図である。 本開示の第６実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。 図１２の半導体装置を示す断面図である。 本開示の第７実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。 図１４のＸＶ−ＸＶ線に沿う断面図である。 本開示の第８実施形態に係る半導体装置を示す底面図である。

以下、本開示の好ましい実施の形態を、添付図面を参照して具体的に説明する。

本開示において、「ある物Ａがある物Ｂに形成されている」および「ある物Ａがある物Ｂ上に形成されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接形成されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに形成されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂに配置されている」および「ある物Ａがある物Ｂ上に配置されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接配置されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに配置されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂ上に位置している」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに接して、ある物Ａがある物Ｂ上に位置していること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物が介在しつつ、ある物Ａがある物Ｂ上に位置していること」を含む。また、「ある物Ａがある物Ｂにある方向に見て重なる」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂのすべてに重なること」、および、「ある物Ａがある物Ｂの一部に重なること」を含む。

＜第１実施形態＞
図１〜図６は、本開示に係る半導体装置の一例を示している。本実施形態の半導体装置Ａ１は、複数のリード１、半導体素子３、および封止樹脂５を備えている。半導体装置Ａ１は、いわゆるＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded package）タイプのパッケージである。

図１は、半導体装置Ａ１を示す斜視図である。図２は、半導体装置Ａ１を示す平面図であり、封止樹脂５を透過した図である。図３は、半導体装置Ａ１を示す平面図であり、さらに半導体素子３を透過した図である。図４は、半導体装置Ａ１を示す底面図である。図５は、図２のＶ−Ｖ線に沿う断面図である。図６は、図２のＶＩ−ＶＩ線に沿う断面図である。図２および図３においては、理解の便宜上、封止樹脂５を透過して、封止樹脂５の外形を想像線（二点鎖線）で示している。また、図３においては、理解の便宜上、半導体素子３を透過して、半導体素子３の外形を想像線（二点鎖線）で示している。

半導体装置Ａ１は、板状であり、厚さ方向視(平面視)の形状が矩形状である。説明の便宜上、半導体装置Ａ１の厚さ方向（平面視方向）をｚ方向とし、ｚ方向に直交する半導体装置Ａ１の一方の辺に沿う方向（図２〜図６における左右方向）をｘ方向、ｚ方向およびｘ方向に直交する方向（図２〜図４における上下方向）をｙ方向とする。ｚ方向が本開示の「厚さ方向」に相当する。半導体装置Ａ１の大きさは特に限定されない。本実施形態においては、たとえば、ｘ方向寸法およびｙ方向寸法が３．５ｍｍ程度、ｚ方向寸法が１ｍｍ程度である。

封止樹脂５は、半導体素子３の全体と、複数のリード１の各々の一部とを覆っている。封止樹脂５は、たとえば黒色のエポキシ樹脂を含む材料からなる。なお、封止樹脂５の材料は限定されない。封止樹脂５は、ｚ方向視矩形状であり、樹脂主面５１、樹脂裏面５２、および４個の樹脂側面５３を備えている。樹脂主面５１および樹脂裏面５２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。樹脂主面５１は、図５および図６の上方を向く面である。樹脂裏面５２は、図５および図６の下方を向く面である。

各樹脂側面５３は、各々が樹脂主面５１および樹脂裏面５２につながる面である。各樹脂側面５３は、それぞれｘ方向またはｙ方向を向いている。本実施形態では、ｘ方向の一方側（図２〜図６における左側）を向く樹脂側面５３を樹脂側面５３１とし、ｘ方向の他方側（図２〜図６における右側）を向く樹脂側面５３を樹脂側面５３４とする。また、ｙ方向の一方側（図２および図３における上側）を向く樹脂側面５３を樹脂側面５３２とし、ｙ方向の他方側（図２および図３における下側）を向く樹脂側面５３を樹脂側面５３３とする。

複数のリード１は、金属からなり、好ましくはＣｕおよびＮｉのいずれか、またはこれらの合金や４２アロイなどからなる。本実施形態においては、複数のリード１が、Ｃｕからなる場合を例に説明する。各リード１の厚さは、たとえば０．０８〜０．５ｍｍであり、本実施形態においては０．１２５ｍｍ〜０．２ｍｍ程度である。各リード１は、たとえば、金属板にエッチング加工を施すことで形成されている。なお、各リード１は、金属板に打ち抜き加工や折り曲げ加工等を施すことにより形成されてもよい。各リード１は、互いに離間して配置されている。本実施形態では、複数のリード１は、各々が半導体素子３を支持しており、半導体素子３のいずれかの電極に導通している。複数のリード１は、第１コーナーリード１１、第２コーナーリード１２、リード１５、２個のリード１６、および複数のリード１７を含んでいる。

リード１５は、図３に示すように、ｚ方向視において、半導体装置Ａ１のｘ方向の他方側（図３においては右側）端部に配置され、半導体装置Ａ１のｙ方向の両端部まで広がっている。リード１５は、主面１５１、裏面１５２、および複数の端面１５３を備えている。主面１５１および裏面１５２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。

主面１５１は、図５および図６の上方を向く面である。主面１５１には、半導体素子３が載置される。また、主面１５１には、主面１５１からｚ方向に凹む凹部１５１ａが複数配置されている。理解の便宜上、図２および図３においては、凹部１５１ａにハッチングを付している。凹部１５１ａは、たとえば主面１５１側からのハーフエッチング処理によって形成され、エッチングされた部分からなる。一方、エッチングされなかった部分が、主面１５１になる。凹部１５１ａは、半導体素子３のｚ方向視における位置決めに利用される。図５および図６に示された凹部１５１ａは、正方形を含む矩形であってもよく、線分状または曲線状に延びる溝であってもよい。凹部１５１ａは、半導体素子３のｚ方向視における位置決め（ｘｙ平面における位置決め）に利用される。加えて、凹部１５１ａの内側面と封止樹脂５とが密着することによって、複数のリード１と封止樹脂５との密着性が向上する。主面１５１に形成された凹部１５１ａに関する上述した説明は、後述する他の主面（１６１，１１１，１２１，１７１）における凹部（１６１ａ，１１１ａ，１２１ａ，１７１ａ）についても同様である。

裏面１５２は、図５および図６の下方を向く面である。図４に示すように、裏面１５２は、封止樹脂５の樹脂裏面５２から露出して、裏面端子になる。本実施形態では、裏面１５２は、樹脂裏面５２と面一である。本実施形態では、裏面１５２が主面１５１より狭くなっている。リード１５のうちｚ方向視において主面１５１が裏面１５２に重ならない部分は、たとえば裏面１５２側からのハーフエッチング処理によって形成され、封止樹脂５の内部（図５および図６における樹脂裏面５２から上側の部分）においてｘｙ平面に沿って突出する。この突出する部分は、リード１５が封止樹脂５の樹脂裏面５２から抜け落ちることを投錨効果（anchoring effect）によって防止する。

複数の端面１５３は、各々が、主面１５１および裏面１５２につながる面であり、主面１５１および裏面１５２に直交している。各端面１５３は、封止樹脂５から露出して、半導体装置Ａ１を配線基板に実装するための端子になる。本実施形態では、６個の端面１５３が、ｘ方向外側を向いており、樹脂側面５３４に、ｙ方向に等間隔で並んで配置されている。これら６個の端面１５３は、樹脂側面５３４と面一である。また、２個の端面１５３が、ｙ方向の一方側（図３においては上側）を向いており、樹脂側面５３２に、ｘ方向に並んで配置されている。これら２個の端面１５３は、樹脂側面５３２と面一である。また、２個の端面１５３が、ｙ方向の他方側（図３においては下側）を向いており、樹脂側面５３３に、ｘ方向に並んで配置されている。これら２個の端面１５３は、樹脂側面５３３と面一である。

２個のリード１６は、図３に示すように、ｚ方向視において、半導体装置Ａ１のｘ方向の中央付近に、ｘ方向に並んで配置され、各々が半導体装置Ａ１のｙ方向の両端部まで広がっている。各リード１６は、主面１６１、裏面１６２、および複数の端面１６３を備えている。主面１６１および裏面１６２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。

主面１６１は、図５および図６の上方を向く面である。主面１６１には、半導体素子３が載置される。また、主面１６１には、主面１６１からｚ方向に凹む凹部１６１ａが複数配置されている。理解の便宜上、図２および図３においては、凹部１６１ａにハッチングを付している。凹部１６１ａは、たとえば主面１６１側からのハーフエッチング処理によって形成され、エッチングされた部分からなる。一方、エッチングされなかった部分が、主面１６１になる。凹部１６１ａは、半導体素子３のｚ方向視における位置決めに利用される。

裏面１６２は、図５および図６の下方を向く面である。図４に示すように、裏面１６２は、封止樹脂５の樹脂裏面５２から露出して、裏面端子になる。本実施形態では、裏面１６２は、樹脂裏面５２と面一である。本実施形態では、裏面１６２が主面１６１より狭くなっている。リード１６のうちｚ方向視において主面１６１が裏面１６２に重ならない部分は、たとえば裏面１６２側からのハーフエッチング処理によって形成され、リード１６が封止樹脂５の樹脂裏面５２から抜け落ちることを投錨効果によって防止する。

複数の端面１６３は、各々が、主面１６１および裏面１６２につながる面であり、主面１６１および裏面１６２に直交している。各端面１６３は、封止樹脂５から露出して、半導体装置Ａ１を配線基板に実装するための端子になる。本実施形態では、各リード１６においてそれぞれ１個（半導体装置Ａ１全体としては２個）の端面１６３が、ｙ方向の一方側（図３においては上側）を向いており、樹脂側面５３２に配置されている。当該端面１６３は、樹脂側面５３２と面一である。また、各リード１６においてそれぞれ１個（半導体装置Ａ１全体としては２個）の端面１６３が、ｙ方向の他方側（図３においては下側）を向いており、樹脂側面５３３に配置されている。当該端面１６３は、樹脂側面５３３と面一である。

第１コーナーリード１１は、図３に示すように、ｚ方向視において、半導体装置Ａ１のｘ方向の一方側（図３においては左側）端部で、かつ、ｙ方向の一方側（図３においては上側）端部である角部に配置されている。つまり、第１コーナーリード１１は、樹脂側面５３１および樹脂側面５３２の両方に最も近い位置に配置されている。第１コーナーリード１１は、主面１１１、裏面１１２、および複数の端面１１３を備えている。主面１１１および裏面１１２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。

主面１１１は、図５および図６の上方を向く面である。主面１１１には、半導体素子３が載置される。また、主面１１１には、主面１１１からｚ方向に凹む凹部１１１ａが複数配置されている。理解の便宜上、図２および図３においては、凹部１１１ａにハッチングを付している。凹部１１１ａは、たとえば主面１１１側からのハーフエッチング処理によって形成され、エッチングされた部分からなる。一方、エッチングされなかった部分が、主面１１１になる。凹部１１１ａは、半導体素子３のｚ方向視における位置決めに利用される。

裏面１１２は、図５および図６の下方を向く面である。図４に示すように、裏面１１２は、封止樹脂５の樹脂裏面５２から露出して、裏面端子になる。本実施形態では、裏面１１２は、樹脂裏面５２と面一である。本実施形態では、裏面１１２が主面１１１より狭くなっている。第１コーナーリード１１のうちｚ方向視において主面１１１が裏面１１２に重ならない部分は、たとえば裏面１１２側からのハーフエッチング処理によって形成され、第１コーナーリード１１が封止樹脂５の樹脂裏面５２から抜け落ちることを投錨効果によって防止する。

裏面１１２は、図４に示すように、本体部１１２ａ、２個の側面側延伸部１１２ｂ、および中央側延伸部１１２ｃを備えている。本体部１１２ａは、裏面１１２の略中央に位置する部分である。２個の側面側延伸部１１２ｂは、各々が、本体部１１２ａから樹脂側面５３まで延び、端面１１３につながる部分である。一方の側面側延伸部１１２ｂは、本体部１１２ａから樹脂側面５３１まで延び、樹脂側面５３２から離間している。他方の側面側延伸部１１２ｂは、本体部１１２ａから樹脂側面５３２まで延び、樹脂側面５３１から離間している。中央側延伸部１１２ｃは、本体部１１２ａから樹脂裏面５２の中央側に延びている。つまり、裏面１１２は、本体部１１２ａから３方向に広がっている。

複数の端面１１３は、各々が、主面１１１および裏面１１２につながる面であり、主面１１１および裏面１１２に直交している。各端面１１３は、封止樹脂５から露出して、半導体装置Ａ１を配線基板に実装するための端子になる。本実施形態では、１個の端面１１３が、ｘ方向外側を向いており、樹脂側面５３１に配置されている。当該端面１１３は、樹脂側面５３１と面一である。また、１個の端面１１３が、ｙ方向外側を向いており、樹脂側面５３２に配置されている。当該端面１１３は、樹脂側面５３２と面一である。

第２コーナーリード１２は、図３に示すように、ｚ方向視において、半導体装置Ａ１のｘ方向の一方側（図３においては左側）端部で、かつ、ｙ方向の他方側（図３においては下側）端部である角部に配置されている。つまり、第２コーナーリード１２は、樹脂側面５３１および樹脂側面５３３の両方に最も近い位置に配置されている。第２コーナーリード１２は、主面１２１、裏面１２２、および複数の端面１２３を備えている。主面１２１および裏面１２２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。

主面１２１は、図５および図６の上方を向く面である。主面１２１には、半導体素子３が載置される。また、主面１２１には、主面１２１からｚ方向に凹む凹部１２１ａが複数配置されている。理解の便宜上、図２および図３においては、凹部１２１ａにハッチングを付している。凹部１２１ａは、たとえば主面１２１側からのハーフエッチング処理によって形成され、エッチングされた部分からなる。一方、エッチングされなかった部分が、主面１２１になる。凹部１２１ａは、半導体素子３のｚ方向視における位置決めに利用される。

裏面１２２は、図５および図６の下方を向く面である。図４に示すように、裏面１２２は、封止樹脂５の樹脂裏面５２から露出して、裏面端子になる。本実施形態では、裏面１２２は、樹脂裏面５２と面一である。本実施形態では、裏面１２２が主面１２１より狭くなっている。第２コーナーリード１２のうちｚ方向視において主面１２１が裏面１２２に重ならない部分は、たとえば裏面１２２側からのハーフエッチング処理によって形成され、第２コーナーリード１２が封止樹脂５の樹脂裏面５２から抜け落ちることを投錨効果によって防止する。

裏面１２２は、図４に示すように、本体部１２２ａ、２個の側面側延伸部１２２ｂ、および中央側延伸部１２２ｃを備えている。本体部１２２ａは、裏面１２２の略中央に位置する部分である。２個の側面側延伸部１２２ｂは、各々が、本体部１２２ａから樹脂側面５３まで延び、端面１２３につながる部分である。一方の側面側延伸部１２２ｂは、本体部１２２ａから樹脂側面５３１まで延び、樹脂側面５３３から離間している。他方の側面側延伸部１２２ｂは、本体部１２２ａから樹脂側面５３３まで延び、樹脂側面５３１から離間している。中央側延伸部１２２ｃは、本体部１２２ａから樹脂裏面５２の中央側に延びている。つまり、裏面１２２は、本体部１２２ａから３方向に広がっている。

複数の端面１２３は、各々が、主面１２１および裏面１２２につながる面であり、主面１２１および裏面１２２に直交している。各端面１２３は、封止樹脂５から露出して、半導体装置Ａ１を配線基板に実装するための端子になる。本実施形態では、１個の端面１２３が、ｘ方向外側を向いており、樹脂側面５３１に配置されている。当該端面１２３は、樹脂側面５３１と面一である。また、１個の端面１２３が、ｙ方向外側を向いており、樹脂側面５３３に配置されている。当該端面１２３は、樹脂側面５３３と面一である。

複数のリード１７は、図３に示すように、ｚ方向視において、半導体装置Ａ１のｘ方向の一方側（図３においては左側）端部に配置されている。本実施形態では、４個のリード１７が、第１コーナーリード１１と第２コーナーリード１２との間に、ｙ方向に並んで配置されている。また、第１コーナーリード１１とリード１６との間、および、第２コーナーリード１２とリード１６との間に、それぞれリード１７が１個ずつ配置されている。各リード１７は、主面１７１、裏面１７２、および端面１７３を備えている。主面１７１および裏面１７２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。

主面１７１は、図５および図６の上方を向く面である。主面１７１には、半導体素子３が載置される。また、主面１７１には、主面１７１からｚ方向に凹む凹部１７１ａが配置されている。理解の便宜上、図２および図３においては、凹部１７１ａにハッチングを付している。凹部１７１ａは、たとえば主面１７１側からのハーフエッチング処理によって形成され、エッチングされた部分からなる。一方、エッチングされなかった部分が、主面１７１になる。凹部１７１ａは、半導体素子３のｚ方向視における位置決めに利用される。

裏面１７２は、図５および図６の下方を向く面である。図４に示すように、裏面１７２は、封止樹脂５の樹脂裏面５２から露出して、裏面端子になる。本実施形態では、裏面１７２は、樹脂裏面５２と面一である。本実施形態では、裏面１７２が主面１７１より狭くなっている。リード１７のうちｚ方向視において主面１７１が裏面１７２に重ならない部分は、たとえば裏面１７２側からのハーフエッチング処理によって形成され、リード１７が封止樹脂５の樹脂裏面５２から抜け落ちることを投錨効果によって防止する。

端面１７３は、主面１７１および裏面１７２につながる面であり、主面１７１および裏面１７２に直交している。端面１７３は、封止樹脂５から露出して、半導体装置Ａ１を配線基板に実装するための端子になる。第１コーナーリード１１と第２コーナーリード１２との間に配置された各リード１７の端面１７３は、ｘ方向外側を向いており、樹脂側面５３１に、ｙ方向に等間隔で並んで配置されている。これらの端面１７３は、樹脂側面５３１と面一である。第１コーナーリード１１とリード１６との間に配置されたリード１７の端面１７３は、ｙ方向の一方側（図３においては上側）を向いており、樹脂側面５３２に配置されている。当該端面１７３は、樹脂側面５３２と面一である。第２コーナーリード１２とリード１６との間に配置されたリード１７の端面１７３は、ｙ方向の他方側（図３においては下側）を向いており、樹脂側面５３３に配置されている。当該端面１７３は、樹脂側面５３３と面一である。

なお、各リード１は、凹部１５１ａ（１６１ａ，１７１ａ，１１１ａ，１２１ａ）が形成されなくてもよい。また、各リード１５〜１７の数、形状、および配置は限定されない。

半導体素子３は、半導体装置Ａ１の電気的機能を発揮する要素である。半導体素子３の種類は特に限定さないが、各種の集積回路素子や能動機能素子、受動機能素子等が適宜選択される。本実施形態においては、半導体素子３は、図２に示すようにｚ方向視矩形状であり、図５および図６に示すように板状である。半導体素子３は、素子主面３１、素子裏面３２、および複数の主面電極３３を備えている。素子主面３１および素子裏面３２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。素子主面３１は、図５および図６の下方を向く面である。素子裏面３２は、図５および図６の上方を向く面である。複数の主面電極３３は、素子主面３１に配置されている。なお、各主面電極３３の数、形状、および配置は限定されない。

半導体素子３は、いわゆるフリップチップ接合によって、複数のリード１に搭載されている。すなわち、半導体素子３は、素子主面３１を複数のリード１に向けて配置されている。各主面電極３３は、接合部材４によって、複数のリード１のいずれかに接合されている。接合部材４は、導電性を有する一般的な接合部材からなる。これにより、各主面電極３３は、複数のリード１のいずれかに導通している。理解の便宜上、図３においては、接合部材４に点描を付している。なお、接合部材４の材料、および配置位置は限定されない。

図５において、右から順に示されている１個のリード１５の主面１５１および２個のリード１６の各主面１６１には、半導体素子３の主面電極３３と接合部材４とが描かれていない。図５においては、右から順に示されている１個の主面１５１および２個の主面１６１付近における図の手前側に、それぞれ、主面電極３３と接合部材４とが存在する。このことは、図２に示されたＶ−Ｖ線と、図３と、図５とを対比することによって理解される。図６における右から２番目のリード１６の主面１６１付近においても、図の手前側および向こう側に主面電極３３と接合部材４とが存在する。このことは、図２に示されたＶＩ−ＶＩ線と、図３と、図６とを対比することによって理解される。同様に、図１１および図１３におけるリード１５の主面１５１および２個のリード１６の各主面１６１付近においても、図の手前側に主面電極３３と接合部材４とが存在する。

図２に示すように、半導体素子３は、ｚ方向視において、半導体装置Ａ１の中央に配置されている。ｚ方向視において、半導体素子３の大きさは大きく、半導体素子３は、半導体装置Ａ１の大部分に重なっている。つまり、半導体装置Ａ１の各端縁付近まで、半導体素子３が存在する。本実施形態では、半導体素子３は、ｚ方向視において、第１コーナーリード１１の裏面１１２の本体部１１２ａおよび中央側延伸部１１２ｃ、ならびに、第２コーナーリード１２の裏面１２２の本体部１２２ａおよび中央側延伸部１２２ｃに重なっている。なお、半導体素子３は、ｚ方向視において、さらに側面側延伸部１１２ｂおよび側面側延伸部１２２ｂにも重なってもよい。また、半導体素子３は、ｚ方向視において、第１コーナーリード１１の裏面１１２においては中央側延伸部１１２ｃのみに重なり、第２コーナーリード１２の裏面１２２においては中央側延伸部１１２ｃのみに重なってもよい。

半導体装置Ａ１は、配線基板に実装される。配線基板は、たとえばガラスエポキシ樹脂からなる基材に、たとえばＣｕからなる配線パターンを形成した基板である。なお、基材および配線パターンの材料は限定されない。半導体装置Ａ１は配線基板に実装され、各リード１の封止樹脂５から露出した面が端子として、配線基板に形成された配線パターンに、はんだによって接合される。

次に、半導体装置Ａ１の作用効果について説明する。

本実施形態によると、半導体装置Ａ１の角部に配置された第１コーナーリード１１は、樹脂裏面５２から露出する裏面１１２を備えている。当該裏面１１２は、本体部１１２ａから樹脂側面５３まで延びる２個の側面側延伸部１１２ｂに加えて、本体部１１２ａから樹脂裏面５２の中央側に延びる中央側延伸部１１２ｃを備えている。したがって、中央側延伸部１１２ｃを備えていない場合と比較して、第１コーナーリード１１の接合面の面積は広くなる。これにより、第１コーナーリード１１の接合強度が向上されて、半導体装置Ａ１の実装信頼性が高くなる。また、中央側延伸部１１２ｃは、２個の側面側延伸部１１２ｂがそれぞれ延びる方向とは異なる方向に延びている。したがって、第１コーナーリード１１を接合するはんだへの応力が分散される。これにより、応力によるはんだの歪みが減少して、半導体装置Ａ１の実装信頼性が高くなる。第２コーナーリード１２についても同様である。

また、本実施形態によると、第１コーナーリード１１の裏面１１２は、本体部１１２ａから樹脂側面５３１まで延び、かつ、樹脂側面５３２から離間する側面側延伸部１１２ｂと、本体部１１２ａから樹脂側面５３２まで延び、かつ、樹脂側面５３１から離間する側面側延伸部１１２ｂとを備えている。したがって、側面側延伸部１１２ｂを１個だけ備える場合と比較して、第１コーナーリード１１の接合面の面積は広くなる。これにより、第１コーナーリード１１の接合強度が向上されて、半導体装置Ａ１の実装信頼性が高くなる。また、一方の側面側延伸部１１２ｂは、他方の側面側延伸部１１２ｂが延びる方向とは異なる方向に延びている。したがって、第１コーナーリード１１を接合するはんだへの応力が分散される。これにより、応力によるはんだの歪みが減少して、半導体装置Ａ１の実装信頼性が高くなる。第２コーナーリード１２についても同様である。

また、本実施形態によると、半導体素子３は、いわゆるフリップチップ接合によって、複数のリード１に搭載されている。したがって、各主面電極３３と各リード１とをワイヤで導通させる半導体装置と比較して、導通経路の抵抗を抑制でき、また、低背化が可能である。さらに、平面視において、封止樹脂５の外形の大きさが同じ場合、より大きい半導体素子３を搭載することができ、同じ半導体素子３を搭載する場合、封止樹脂５の外形を小さくすることが可能である。

また、本実施形態によると、半導体装置Ａ１は、はんだを使用する接合によって、配線基板が有する配線パターンに実装される。各端面１５３、１１３、１２３、１６３、１７３にははんだが形成される。各はんだは、各端面１５３、１１３、１２３、１６３、１７３の全面に形成され、それらの端面に直交する方向に沿って各配線パターンの表面に向かって裾を引く形状を有する。裾を引く形状を有するはんだの部分をはんだフィレットと呼ぶ。はんだフィレットによって、半導体装置Ａ１の各端面１５３、１１３、１２３、１６３、１７３は複数の配線パターンにそれぞれ強固に接続される。このことによって、半導体装置Ａ１の実装信頼性が高くなる。以上の説明は、後述する各実施形態においても共通する。

図７〜図１６は、本開示の他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。

＜第２実施形態＞
図７は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置Ａ２を説明するための図である。図７は、半導体装置Ａ２を示す底面図であり、図４に対応する図である。本実施形態の半導体装置Ａ２は、第１コーナーリード１１の裏面１１２および第２コーナーリード１２の裏面１２２の形状が、第１実施形態と異なっている。

半導体装置Ａ２の第１コーナーリード１１の裏面１１２は、２個の再延伸部１１２ｄをさらに備えている。２個の再延伸部１１２ｄは、中央側延伸部１１２ｃの先端から、中央側延伸部１１２ｃが延びる方向とは異なる方向（本実施形態では直交する方向）で、互いに反対側に延びている。また、半導体装置Ａ２の第２コーナーリード１２の裏面１２２は、２個の再延伸部１２２ｄをさらに備えている。２個の再延伸部１２２ｄは、中央側延伸部１２２ｃの先端から、中央側延伸部１２２ｃが延びる方向とは異なる方向（本実施形態では直交する方向）で、互いに反対側に延びている。

本実施形態によると、第１コーナーリード１１の裏面１１２は、中央側延伸部１１２ｃにさらに加えて、２個の再延伸部１１２ｄを備えている。したがって、第１コーナーリード１１の接合面の面積はさらに広くなる。これにより、第１コーナーリード１１の接合強度がさらに向上されて、半導体装置Ａ１の実装信頼性がさらに高くなる。また、２個の再延伸部１１２ｄは、中央側延伸部１１２ｃの先端から、中央側延伸部１１２ｃに直交する方向で、互いに反対側に延びている。したがって、第１コーナーリード１１を接合するはんだへの応力がさらに分散される。これにより、応力によるはんだの歪みがさらに減少して、半導体装置Ａ１の実装信頼性がさらに高くなる。第２コーナーリード１２についても同様である。

なお、本実施形態では、第１コーナーリード１１の裏面１１２が２個の再延伸部１１２ｄを備えている場合について説明したが、これに限られない。再延伸部１１２ｄは、１個であってもよいし、３個以上であってもよい。また、本実施形態では、再延伸部１１２ｄが中央側延伸部１１２ｃの先端から延びる場合について説明したが、これに限られない。再延伸部１１２ｄは、中央側延伸部１１２ｃの途中から延びてもよい。また、再延伸部１１２ｄが延びる方向は、中央側延伸部１１２ｃが延びる方向に直交する方向に限られない。第２コーナーリード１２についても同様である。

＜第３実施形態＞
図８は、本開示の第３実施形態に係る半導体装置Ａ３を説明するための図である。図８は、半導体装置Ａ３を示す底面図であり、図４に対応する図である。本実施形態の半導体装置Ａ３は、第２コーナーリード１２を備えていない点で、第１実施形態と異なっている。

半導体装置Ａ３は、リード１８を備えている。リード１８は、ｚ方向視において、半導体装置Ａ３のｘ方向の一方側（図８においては左側）端部で、かつ、ｙ方向の他方側（図８においては上側）端部である角部に配置されている。リード１８は、樹脂側面５３１および樹脂側面５３３の両方に最も近い位置に、半導体装置Ａ１に係る第２コーナーリード１２およびこれに隣接する２個のリード１７に代えて、配置されている。リード１８は、主面１８１、裏面１８２、および複数の端面１８３を備えている。

主面１８１および裏面１８２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。裏面１８２は、封止樹脂５の樹脂裏面５２から露出して、裏面端子になる。本実施形態では、裏面１８２は、樹脂裏面５２と面一である。本実施形態では、裏面１８２が主面１８１より狭くなっている。リード１８のうちｚ方向視において主面１８１が裏面１８２に重ならない部分は、たとえば裏面１８２側からのハーフエッチング処理によって形成され、リード１８が封止樹脂５の樹脂裏面５２から抜け落ちることを投錨効果によって防止する。

複数の端面１８３は、各々が、主面１８１および裏面１８２につながる面であり、主面１８１および裏面１８２に直交している。各端面１８３は、封止樹脂５から露出して、半導体装置Ａ３を配線基板に実装するための端子になる。本実施形態では、２個の端面１８３が、ｘ方向外側を向いており、樹脂側面５３１にｙ方向に並んで配置されている。これら２個の端面１８３は、樹脂側面５３１と面一である。また、２個の端面１８３が、ｙ方向の外側を向いており、樹脂側面５３３に、ｘ方向に並んで配置されている。これら２個の端面１８３は、樹脂側面５３３と面一である。

本実施形態においても、第１コーナーリード１１は第１実施形態に係る半導体装置Ａ１の第１コーナーリード１１と同様の形状なので、第１コーナーリード１１の接合強度が向上されて、半導体装置Ａ３の実装信頼性が高くなる。また、第１コーナーリード１１を接合するはんだへの応力が分散されるので、応力によるはんだの歪みが減少して、半導体装置Ａ３の実装信頼性が高くなる。

また、本実施形態によると、リード１８の裏面１８２は、第１実施形態に係る半導体装置Ａ１の第２コーナーリード１２の裏面１２２よりも、広い接合面を有する。これにより、リード１８の接合強度が向上されて、半導体装置Ａ３の実装信頼性が高くなる。また、リード１８の裏面１８２における樹脂裏面５２の中央寄りに位置する部分（図８では右側および下側の端部）は、半導体装置Ａ１の第２コーナーリード１２の場合よりも樹脂裏面５２の内側に入り込んでいる。これにより、応力によるはんだの歪みが減少して、半導体装置Ａ３の実装信頼性が高くなる。

＜第４実施形態＞
図９は、本開示の第４実施形態に係る半導体装置Ａ４を説明するための図である。図９は、半導体装置Ａ４を示す底面図であり、図４に対応する図である。本実施形態の半導体装置Ａ４は、第３コーナーリード１３および第４コーナーリード１４をさらに備える点で、第１実施形態と異なっている。

半導体装置Ａ４は、リード１５に代えて、第３コーナーリード１３、第４コーナーリード１４、および６個のリード１７を備えている。第３コーナーリード１３は、ｚ方向視において、半導体装置Ａ４のｘ方向の他方側（図９においては右側）端部で、かつ、ｙ方向の一方側（図９においては下側）端部である角部に配置されている。つまり、第３コーナーリード１３は、樹脂側面５３２および樹脂側面５３４の両方に最も近い位置に配置されている。第３コーナーリード１３は、主面１３１、裏面１３２、および複数の端面１３３を備えている。主面１３１および裏面１３２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。

裏面１３２は、封止樹脂５の樹脂裏面５２から露出して、裏面端子になる。本実施形態では、裏面１３２は、樹脂裏面５２と面一である。本実施形態では、裏面１３２が主面１３１より狭くなっている。第３コーナーリード１３のうちｚ方向視において主面１３１が裏面１３２に重ならない部分は、たとえば裏面１３２側からのハーフエッチング処理によって形成され、第３コーナーリード１３が封止樹脂５の樹脂裏面５２から抜け落ちることを投錨効果によって防止する。

裏面１３２は、本体部１３２ａ、２個の側面側延伸部１３２ｂ、および中央側延伸部１３２ｃを備えている。本体部１３２ａは、裏面１３２の略中央に位置する部分である。２個の側面側延伸部１３２ｂは、各々が、本体部１３２ａから樹脂側面５３まで延び、端面１３３につながる部分である。一方の側面側延伸部１３２ｂは、本体部１３２ａから樹脂側面５３４まで延び、樹脂側面５３２から離間している。他方の側面側延伸部１３２ｂは、本体部１３２ａから樹脂側面５３２まで延び、樹脂側面５３４から離間している。中央側延伸部１３２ｃは、本体部１３２ａから樹脂裏面５２の中央側に延びている。つまり、裏面１３２は、本体部１３２ａから３方向に広がっている。

複数の端面１３３は、各々が、主面１３１および裏面１３２につながる面であり、主面１３１および裏面１３２に直交している。各端面１３３は、封止樹脂５から露出して、半導体装置Ａ４を配線基板に実装するための端子になる。本実施形態では、１個の端面１３３が、ｘ方向外側を向いており、樹脂側面５３４に配置されている。当該端面１３３は、樹脂側面５３４と面一である。また、１個の端面１３３が、ｙ方向外側を向いており、樹脂側面５３２に配置されている。当該端面１３３は、樹脂側面５３２と面一である。

第４コーナーリード１４は、ｚ方向視において、半導体装置Ａ４のｘ方向の他方側（図９においては右側）端部で、かつ、ｙ方向の他方側（図９においては上側）端部である角部に配置されている。つまり、第４コーナーリード１４は、樹脂側面５３３および樹脂側面５３４の両方に最も近い位置に配置されている。第４コーナーリード１４は、主面１４１、裏面１４２、および複数の端面１４３を備えている。主面１４１および裏面１４２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。

裏面１４２は、封止樹脂５の樹脂裏面５２から露出して、裏面端子になる。本実施形態では、裏面１４２は、樹脂裏面５２と面一である。本実施形態では、裏面１４２が主面１４１より狭くなっている。第４コーナーリード１４のうちｚ方向視において主面１４１が裏面１４２に重ならない部分は、たとえば裏面１４２側からのハーフエッチング処理によって形成され、第４コーナーリード１４が封止樹脂５の樹脂裏面５２から抜け落ちることを投錨効果によって防止する。

裏面１４２は、本体部１４２ａ、２個の側面側延伸部１４２ｂ、および中央側延伸部１４２ｃを備えている。本体部１４２ａは、裏面１４２の略中央に位置する部分である。２個の側面側延伸部１４２ｂは、各々が、本体部１４２ａから樹脂側面５３まで延び、端面１４３につながる部分である。一方の側面側延伸部１４２ｂは、本体部１４２ａから樹脂側面５３４まで延び、樹脂側面５３３から離間している。他方の側面側延伸部１４２ｂは、本体部１４２ａから樹脂側面５３３まで延び、樹脂側面５３４から離間している。中央側延伸部１４２ｃは、本体部１４２ａから樹脂裏面５２の中央側に延びている。つまり、裏面１４２は、本体部１４２ａから３方向に広がっている。

複数の端面１４３は、各々が、主面１４１および裏面１４２につながる面であり、主面１４１および裏面１４２に直交している。各端面１４３は、封止樹脂５から露出して、半導体装置Ａ４を配線基板に実装するための端子になる。本実施形態では、１個の端面１４３が、ｘ方向外側を向いており、樹脂側面５３４に配置されている。当該端面１４３は、樹脂側面５３４と面一である。また、１個の端面１４３が、ｙ方向外側を向いており、樹脂側面５３３に配置されている。当該端面１４３は、樹脂側面５３３と面一である。

本実施形態においても、第１コーナーリード１１および第２コーナーリード１２は第１実施形態に係る半導体装置Ａ１の第１コーナーリード１１および第２コーナーリード１２と同様の形状なので、第１実施形態と同様の効果を奏することができる。さらに、本実施形態によると、半導体装置Ａ４の角部に配置された第３コーナーリード１３は、樹脂裏面５２から露出する裏面１３２を備えている。当該裏面１３２は、本体部１３２ａから樹脂側面５３まで延びる２個の側面側延伸部１３２ｂに加えて、本体部１３２ａから樹脂裏面５２の中央側に延びる中央側延伸部１３２ｃを備えている。したがって、中央側延伸部１３２ｃを備えていない場合と比較して、第３コーナーリード１３の接合面の面積は広くなる。これにより、第３コーナーリード１３の接合強度が向上されて、半導体装置Ａ４の実装信頼性が高くなる。また、中央側延伸部１３２ｃは、２個の側面側延伸部１３２ｂがそれぞれ延びる方向とは異なる方向に延びている。したがって、第３コーナーリード１３を接合するはんだへの応力が分散される。これにより、応力によるはんだの歪みが減少して、半導体装置Ａ４の実装信頼性が高くなる。第４コーナーリード１４についても同様である。

なお、本実施形態においては、半導体装置Ａ４が第３コーナーリード１３および第４コーナーリード１４を備えている場合について説明したが、これに限られない。半導体装置Ａ４は、第３コーナーリード１３および第４コーナーリード１４のいずれか一方のみを備えていてもよい。

＜第５実施形態＞
図１０および図１１は、本開示の第５実施形態に係る半導体装置Ａ５を説明するための図である。図１０は、半導体装置Ａ５を示す平面図であり、図３に対応する図である。図１１は、半導体装置Ａ５を示す断面図であり、図５に対応する図である。本実施形態の半導体装置Ａ５は、第１コーナーリード１１および第２コーナーリード１２が半導体素子３に接合されていない点で、第１実施形態と異なっている。

半導体装置Ａ５の半導体素子３の素子主面３１における、第１コーナーリード１１および第２コーナーリード１２に対向する位置には、主面電極３３が配置されていない。第１コーナーリード１１および第２コーナーリード１２は、接合部材４が配置されておらず、半導体素子３の主面電極３３に接合されていない。第１コーナーリード１１および第２コーナーリード１２は、半導体素子３に導通しておらず、半導体素子３とは絶縁されている。すなわち、第１コーナーリード１１および第２コーナーリード１２は、いわゆるダミーリードである。

本実施形態においても、第１コーナーリード１１および第２コーナーリード１２は第１実施形態に係る半導体装置Ａ１の第１コーナーリード１１および第２コーナーリード１２と同様の形状なので、第１実施形態と同様の効果を奏することができる。

＜第６実施形態＞
図１２および図１３は、本開示の第６実施形態に係る半導体装置Ａ６を説明するための図である。図１２は、半導体装置Ａ６を示す平面図であり、図３に対応する図である。図１３は、半導体装置Ａ６を示す断面図であり、図５に対応する図である。本実施形態の半導体装置Ａ６は、第１コーナーリード１１および第２コーナーリード１２が、ｚ方向視において、半導体素子３に重ならない点で、第１実施形態と異なっている。

半導体装置Ａ６の第１コーナーリード１１および第２コーナーリード１２は、ｚ方向視において、半導体素子３に重なっていない。また、第１コーナーリード１１および第２コーナーリード１２は、半導体素子３に導通しておらず、半導体素子３とは絶縁されている。すなわち、第１コーナーリード１１および第２コーナーリード１２は、いわゆるダミーリードである。

本実施形態においても、第１コーナーリード１１および第２コーナーリード１２は第１実施形態に係る半導体装置Ａ１の第１コーナーリード１１および第２コーナーリード１２と同様の形状なので、第１実施形態と同様の効果を奏することができる。

＜第７実施形態＞
図１４および図１５は、本開示の第７実施形態に係る半導体装置Ａ７を説明するための図である。図１４は、半導体装置Ａ７を示す平面図であり、図２に対応する図である。図１５は、半導体装置Ａ７を示す断面図であり、図１４のＸＶ−ＸＶ線に沿う断面図である。本実施形態の半導体装置Ａ７は、半導体素子３のリード１への搭載方法が、第１実施形態と異なっている。

半導体装置Ａ７は、リード１６を備えておらず、リード１５が半導体装置Ａ７のｘ方向に広がっている。リード１５は、ｚ方向視において、半導体装置Ａ７の半分以上を占めている。半導体素子３は、リード１５の主面１５１の中央に搭載されている。具体的には、半導体素子３は、素子裏面３２をリード１５に向けて配置され、素子裏面３２が、接合部材４によって、リード１５の主面１５１に接合されている。接合部材４は、絶縁性の接合部材であってもよいし、導電性の接合部材であってもよい。素子裏面３２をリード１５から絶縁させる場合、接合部材４には、絶縁性の接合部材が用いられる。一方、素子裏面３２に裏面電極が配置されており、当該裏面電極とリード１５とを導通させる場合、接合部材４には、導電性の接合部材が用いられる。半導体素子３は、ｚ方向視において、リード１５のみに重なり、第１コーナーリード１１、第２コーナーリード１２、および複数のリード１７には重なっていない。

半導体素子３の素子主面３１に配置された複数の主面電極３３は、ボンディングワイヤ４１によって、第１コーナーリード１１、第２コーナーリード１２、リード１５、および複数のリード１７のいずれかに接続されている。ボンディングワイヤ４１の材料は特に限定されず、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ等が挙げられる。

本実施形態においても、第１コーナーリード１１および第２コーナーリード１２は第１実施形態に係る半導体装置Ａ１の第１コーナーリード１１および第２コーナーリード１２と同様の形状なので、第１実施形態と同様の効果を奏することができる。

＜第８実施形態＞
図１６は、本開示の第８実施形態に係る半導体装置Ａ８を説明するための図である。図１６は、半導体装置Ａ８を示す底面図であり、図４に対応する図である。本実施形態の半導体装置Ａ８は、第１コーナーリード１１の裏面１１２および第２コーナーリード１２の裏面１２２の形状が、第１実施形態と異なっている。

半導体装置Ａ８の第１コーナーリード１１の裏面１１２は、側面側延伸部１１２ｂを１個のみ備えている。すなわち、裏面１１２は、本体部１１２ａから樹脂側面５３２まで延びる側面側延伸部１１２ｂを備えておらず、本体部１１２ａから樹脂側面５３１まで延び、樹脂側面５３２から離間する側面側延伸部１１２ｂのみを備えている。また、半導体装置Ａ８の第２コーナーリード１２の裏面１２２は、側面側延伸部１２２ｂを１個のみ備えている。すなわち、裏面１２２は、本体部１２２ａから樹脂側面５３３まで延びる側面側延伸部１２２ｂを備えておらず、本体部１２２ａから樹脂側面５３１まで延び、樹脂側面５３３から離間する側面側延伸部１２２ｂのみを備えている。

本実施形態においても、第１コーナーリード１１の裏面１１２は、側面側延伸部１１２ｂおよび中央側延伸部１１２ｃを備えている。したがって、中央側延伸部１１２ｃを備えていない場合と比較して、第１コーナーリード１１の接合面の面積は広くなる。これにより、第１コーナーリード１１の接合強度が向上されて、半導体装置Ａ８の実装信頼性が高くなる。また、中央側延伸部１１２ｃは、側面側延伸部１１２ｂが延びる方向とは異なる方向に延びている。したがって、第１コーナーリード１１を接合するはんだへの応力が分散される。これにより、応力によるはんだの歪みが減少して、半導体装置Ａ８の実装信頼性が高くなる。第２コーナーリード１２についても同様である。

なお、半導体装置Ａ８の第１コーナーリード１１の裏面１１２は、本体部１１２ａから樹脂側面５３１まで延びる側面側延伸部１１２ｂを備えておらず、本体部１１２ａから樹脂側面５３２まで延び、樹脂側面５３１から離間する側面側延伸部１１２ｂのみを備えていてもよい。また、半導体装置Ａ８の第２コーナーリード１２の裏面１２２は、本体部１２２ａから樹脂側面５３１まで延びる側面側延伸部１２２ｂを備えておらず、本体部１２２ａから樹脂側面５３３まで延び、樹脂側面５３１から離間する側面側延伸部１２２ｂのみを備えていてもよい。また、第１コーナーリード１１および第２コーナーリード１２のいずれか一方は、第１実施形態の場合と同様に、２個の側面側延伸部を備えていてもよい。

本実施形態においては、第１コーナーリード１１または第２コーナーリード１２の少なくとも一方が１つの側面側延伸部を有する構成を説明した。同様に、上述した各実施形態に含まれるコーナーリードにも、１つの側面側延伸部を有する構成を採用してもよい。

本開示に係る半導体装置は、先述した実施形態に限定されるものではない。本開示に係る半導体装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。

〔付記１〕
半導体素子と、
前記半導体素子を覆い、厚さ方向視矩形状である封止樹脂と、
各々の一部が前記封止樹脂から露出する複数のリードと、
を備え、
前記封止樹脂は、前記厚さ方向において互いに反対側を向く樹脂主面および樹脂裏面と、前記樹脂主面および前記樹脂裏面に各々がつながる４個の樹脂側面と、を備え、
前記複数のリードは、互いにつながる２個の前記樹脂側面である第１樹脂側面および第２樹脂側面の両方に最も近い位置に配置され、かつ、前記樹脂裏面から露出する第１裏面を有する第１コーナーリードを含み、
前記第１裏面は、本体部と、前記本体部から前記第１樹脂側面まで延び、かつ、前記第２樹脂側面から離間する第１側面側延伸部と、前記本体部から前記樹脂裏面の中央側に延びる中央側延伸部と、を備えている、
半導体装置。
〔付記２〕
前記第１裏面は、前記本体部から前記第２樹脂側面まで延び、かつ、前記第１樹脂側面から離間する第２側面側延伸部をさらに備えている、
付記１に記載の半導体装置。
〔付記３〕
前記第１裏面は、前記中央側延伸部から、前記中央側延伸部が延びる方向とは異なる方向に延びる再延伸部をさらに備えている、
付記１または２に記載の半導体装置。
〔付記４〕
前記第１コーナーリードは、前記半導体素子に導通している、
付記１ないし３のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記５〕
前記第１コーナーリードは、前記半導体素子とは絶縁されている、
付記１ないし３のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記６〕
前記半導体素子は、前記厚さ方向において互いに反対側を向く素子主面および素子裏面と、前記素子主面に配置された主面電極とを備えている、
付記１ないし５のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記７〕
前記半導体素子は、前記素子主面を前記複数のリードに向けて配置され、
前記主面電極は、前記複数のリードのいずれかに接合されている、
付記６に記載の半導体装置。
〔付記８〕
前記半導体素子は、前記素子裏面を前記複数のリードに向けて配置され、
前記素子裏面は、前記複数のリードのいずれかに接合されている、
付記６に記載の半導体装置。
〔付記９〕
前記本体部および前記中央側延伸部は、前記厚さ方向視において、前記半導体素子に重なっている、
付記１ないし８のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１０〕
前記第１コーナーリードは、前記厚さ方向視において、前記半導体素子に重なっていない、
付記１ないし８のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１１〕
前記複数のリードは、前記第２樹脂側面とは反対側を向く前記樹脂側面である第３樹脂側面、および前記第１樹脂側面の両方に最も近い位置に配置され、かつ、前記樹脂裏面から露出する第２裏面を有する第２コーナーリードをさらに含み、
前記第２裏面は、第２の本体部と、前記第２の本体部から前記第１樹脂側面まで延び、かつ、前記第３樹脂側面から離間する第２の第１側面側延伸部と、前記第２の本体部から前記樹脂裏面の中央側に延びる第２の中央側延伸部と、を備えている、
付記１ないし１０のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１２〕
前記第２裏面は、前記第２の本体部から前記第３樹脂側面まで延び、かつ、前記第１樹脂側面から離間する第３側面側延伸部をさらに備えている、
付記１１に記載の半導体装置。
〔付記１３〕
前記複数のリードは、前記第１樹脂側面とは反対側を向く前記樹脂側面である第４樹脂側面、および前記第２樹脂側面の両方に最も近い位置に配置され、かつ、前記樹脂裏面から露出する第３裏面を有する第３コーナーリードをさらに含み、
前記第３裏面は、第３の本体部と、前記第３の本体部から前記第４樹脂側面まで延び、かつ、前記第２樹脂側面から離間する第４側面側延伸部と、前記第３の本体部から前記樹脂裏面の中央側に延びる第３の中央側延伸部と、を備えている、
付記１１または１２に記載の半導体装置。
〔付記１４〕
前記第３裏面は、前記第３の本体部から前記第２樹脂側面まで延び、かつ、前記第４樹脂側面から離間する第２の第２側面側延伸部をさらに備えている、
付記１３に記載の半導体装置。
〔付記１５〕
前記複数のリードは、前記第４樹脂側面および前記第３樹脂側面の両方に最も近い位置に配置され、かつ、前記樹脂裏面から露出する第４裏面を有する第４コーナーリードをさらに含み、
前記第４裏面は、第４の本体部と、前記第４の本体部から前記第４樹脂側面まで延び、かつ、前記第３樹脂側面から離間する第２の第４側面側延伸部と、前記第４の本体部から前記樹脂裏面の中央側に延びる第４の中央側延伸部と、を備えている、
付記１３または１４に記載の半導体装置。
〔付記１６〕
前記第４裏面は、前記第４の本体部から前記第３樹脂側面まで延び、かつ、前記第４樹脂側面から離間する第２の第３側面側延伸部をさらに備えている、
付記１５に記載の半導体装置。

Ａ１〜Ａ７：半導体装置
１ ：リード
１１ ：第１コーナーリード
１１１ ：主面
１１１ａ ：凹部
１１２ ：裏面
１１２ａ ：本体部
１１２ｂ ：側面側延伸部
１１２ｃ ：中央側延伸部
１１２ｄ ：再延伸部
１１３ ：端面
１２ ：第２コーナーリード
１２１ ：主面
１２１ａ ：凹部
１２２ ：裏面
１２２ａ ：本体部
１２２ｂ ：側面側延伸部
１２２ｃ ：中央側延伸部
１２２ｄ ：再延伸部
１２３ ：端面
１３ ：第３コーナーリード
１３１ ：主面
１３２ ：裏面
１３２ａ ：本体部
１３２ｂ ：側面側延伸部
１３２ｃ ：中央側延伸部
１３３ ：端面
１４ ：第４コーナーリード
１４１ ：主面
１４２ ：裏面
１４２ａ ：本体部
１４２ｂ ：側面側延伸部
１４２ｃ ：中央側延伸部
１４３ ：端面
１５ ：リード
１５１ ：主面
１５１ａ ：凹部
１５２ ：裏面
１５３ ：端面
１６ ：リード
１６１ ：主面
１６１ａ ：凹部
１６２ ：裏面
１６３ ：端面
１７ ：リード
１７１ ：主面
１７１ａ ：凹部
１７２ ：裏面
１７３ ：端面
１８ ：リード
１８１ ：主面
１８２ ：裏面
１８３ ：端面
３ ：半導体素子
３１ ：素子主面
３２ ：素子裏面
３３ ：主面電極
４ ：接合部材
４１ ：ボンディングワイヤ
５ ：封止樹脂
５１ ：樹脂主面
５２ ：樹脂裏面
５３，５３１〜５３４：樹脂側面

Claims (16)

1. 半導体素子と、
   前記半導体素子を覆い、厚さ方向視矩形状である封止樹脂と、
   各々の一部が前記封止樹脂から露出する複数のリードと、
   を備え、
   前記封止樹脂は、前記厚さ方向において互いに反対側を向く樹脂主面および樹脂裏面と、前記樹脂主面および前記樹脂裏面に各々がつながる４個の樹脂側面と、を備え、
   前記複数のリードは、互いにつながる２個の前記樹脂側面である第１樹脂側面および第２樹脂側面の両方に最も近い位置に配置され、かつ、前記樹脂裏面から露出する第１裏面を有する第１コーナーリードを含み、
   前記第１裏面は、本体部と、前記本体部から前記第１樹脂側面まで延び、かつ、前記第２樹脂側面から離間する第１側面側延伸部と、前記本体部から前記樹脂裏面の中央側に延びる中央側延伸部と、を備えている、
   半導体装置。
2. 前記第１裏面は、前記本体部から前記第２樹脂側面まで延び、かつ、前記第１樹脂側面から離間する第２側面側延伸部をさらに備えている、
   請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記第１裏面は、前記中央側延伸部から、前記中央側延伸部が延びる方向とは異なる方向に延びる再延伸部をさらに備えている、
   請求項１または２に記載の半導体装置。
4. 前記第１コーナーリードは、前記半導体素子に導通している、
   請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体装置。
5. 前記第１コーナーリードは、前記半導体素子とは絶縁されている、
   請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体装置。
6. 前記半導体素子は、前記厚さ方向において互いに反対側を向く素子主面および素子裏面と、前記素子主面に配置された主面電極とを備えている、
   請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体装置。
7. 前記半導体素子は、前記素子主面を前記複数のリードに向けて配置され、
   前記主面電極は、前記複数のリードのいずれかに接合されている、
   請求項６に記載の半導体装置。
8. 前記半導体素子は、前記素子裏面を前記複数のリードに向けて配置され、
   前記素子裏面は、前記複数のリードのいずれかに接合されている、
   請求項６に記載の半導体装置。
9. 前記本体部および前記中央側延伸部は、前記厚さ方向視において、前記半導体素子に重なっている、
   請求項１ないし８のいずれかに記載の半導体装置。
10. 前記第１コーナーリードは、前記厚さ方向視において、前記半導体素子に重なっていない、
    請求項１ないし８のいずれかに記載の半導体装置。
11. 前記複数のリードは、前記第２樹脂側面とは反対側を向く前記樹脂側面である第３樹脂側面、および前記第１樹脂側面の両方に最も近い位置に配置され、かつ、前記樹脂裏面から露出する第２裏面を有する第２コーナーリードをさらに含み、
    前記第２裏面は、第２の本体部と、前記第２の本体部から前記第１樹脂側面まで延び、かつ、前記第３樹脂側面から離間する第２の第１側面側延伸部と、前記第２の本体部から前記樹脂裏面の中央側に延びる第２の中央側延伸部と、を備えている、
    請求項１ないし１０のいずれかに記載の半導体装置。
12. 前記第２裏面は、前記第２の本体部から前記第３樹脂側面まで延び、かつ、前記第１樹脂側面から離間する第３側面側延伸部をさらに備えている、
    請求項１１に記載の半導体装置。
13. 前記複数のリードは、前記第１樹脂側面とは反対側を向く前記樹脂側面である第４樹脂側面、および前記第２樹脂側面の両方に最も近い位置に配置され、かつ、前記樹脂裏面から露出する第３裏面を有する第３コーナーリードをさらに含み、
    前記第３裏面は、第３の本体部と、前記第３の本体部から前記第４樹脂側面まで延び、かつ、前記第２樹脂側面から離間する第４側面側延伸部と、前記第３の本体部から前記樹脂裏面の中央側に延びる第３の中央側延伸部と、を備えている、
    請求項１１または１２に記載の半導体装置。
14. 前記第３裏面は、前記第３の本体部から前記第２樹脂側面まで延び、かつ、前記第４樹脂側面から離間する第２の第２側面側延伸部をさらに備えている、
    請求項１３に記載の半導体装置。
15. 前記複数のリードは、前記第４樹脂側面および前記第３樹脂側面の両方に最も近い位置に配置され、かつ、前記樹脂裏面から露出する第４裏面を有する第４コーナーリードをさらに含み、
    前記第４裏面は、第４の本体部と、前記第４の本体部から前記第４樹脂側面まで延び、かつ、前記第３樹脂側面から離間する第２の第４側面側延伸部と、前記第４の本体部から前記樹脂裏面の中央側に延びる第４の中央側延伸部と、を備えている、
    請求項１３または１４に記載の半導体装置。
16. 前記第４裏面は、前記第４の本体部から前記第３樹脂側面まで延び、かつ、前記第４樹脂側面から離間する第２の第３側面側延伸部をさらに備えている、
    請求項１５に記載の半導体装置。

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