JP2004328015A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004328015A JP2004328015A JP2004240416A JP2004240416A JP2004328015A JP 2004328015 A JP2004328015 A JP 2004328015A JP 2004240416 A JP2004240416 A JP 2004240416A JP 2004240416 A JP2004240416 A JP 2004240416A JP 2004328015 A JP2004328015 A JP 2004328015A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- lead
- sealing resin
- semiconductor chip
- lead frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
【解決手段】 吊りリード10により支持されるダイパッド11と、ダイパッド11上に搭載された半導体チップ12と、リード13と、電極パッドとリード13とを電気的に接続する金属細線14と、吊りリード10,ダイパッド11,半導体チップ12,リード13及び金属細線14を封止する封止樹脂15とが設けられている。リード13の下部が外部電極16として機能する。各外部電極16の配列ピッチが辺の中央部で小さく、コーナー部で大きくなっていることで、応力の大きいコーナー部におけるリードの剥がれ等を防止し、信頼性の高めながら、中央部における外部電極数を増大させて、半導体素子の高密度化を図る。
【選択図】 図2
Description
図1,図2及び図3は、それぞれ本発明の第1の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の構造を説明する断面図,上面図及び裏面図である。ただし、図2の平面図では、内部構造を理解しやすくするため、封止樹脂を透視した状態を示している。また、図1は、図2に示すI-I線における断面図である。
次に、第2の実施形態について説明する。図5は本実施形態における半導体装置の裏面図である。本実施形態においても、半導体装置の断面構造は上記第1の実施形態における図1に示す構造と同じであるので、断面図の図示は省略する。また、本実施形態の半導体装置の上面構造は図5に示す裏面図から容易に理解できるので、上面図の図示は省略する。
次に、第3の実施形態について説明する。図6は本実施形態における半導体装置の裏面図である。本実施形態においても、半導体装置の断面構造は上記第1の実施形態における図1に示す構造と同じであるので、断面図の図示は省略する。また、本実施形態の半導体装置の上面構造は図6に示す裏面図から容易に理解できるので、上面図の図示は省略する。
次に、上記各実施形態に共通に適用できる他の実施形態について説明する。
12 半導体チップ
13 リード
14 金属細線(接続部材)
15 封止樹脂
16 外部電極
17 段差部
18 幅広部
19 溝
20 外枠
Claims (21)
- 主面上に電極パッドを有する半導体チップと、
上記半導体チップを含む周囲の領域を封止する多角形で板状の封止樹脂と、
上記封止樹脂内の上記半導体チップに近接した位置から封止樹脂の側端まで延び、少なくとも下面の一部が上記封止樹脂から露出している複数のリードと、
上記半導体チップの電極パッドと上記リードとを電気的に接続する接続部材とを備え、
上記リードの下部が外部電極として機能するとともに、
上記半導体装置の裏面における上記外部電極の配列ピッチが、上記封止樹脂のコーナー部におけるよりも辺の中央部において小さいことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
上記リードの長さが上記封止樹脂のコーナー部におけるよりも辺の中央部で大きいことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1又は2記載の半導体装置において、
上記半導体装置の裏面における上記外部電極の下面の幅が上記封止樹脂の辺の中央部よりもコーナー部で広いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜3のうちいずれか1つに記載の半導体装置において、
上記半導体装置の裏面における上記外部電極の下面の面積が上記封止樹脂の辺の中央部におけるよりもコーナー部において大きいことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 請求項1〜4のうちいずれか1つに記載の半導体装置において、
上記リードのうち封止樹脂の内方側の一部に広幅部が設けられていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜5のうちいずれか1つに記載の半導体装置において、
上記リードの少なくとも一部における下部の幅は上部の幅よりも狭くなっていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜6のうちいずれか1つに記載の半導体装置において、
上記リードの一部に溝部が形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜7のうちいずれか1つに記載の半導体装置において、
上記リードのうち少なくとも上記封止樹脂から露出している部分にパラジウムメッキが施されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜8のうちいずれか1つに記載の半導体装置において、
上記封止樹脂の各辺のうち1つの辺における少なくとも1つの外部電極形状が、半導体装置の基準位置の識別マークとなるように形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 主面上に電極パッドを有する半導体チップと、
上記半導体チップを含む周囲の領域を封止する多角形で板状の封止樹脂と、
上記封止樹脂内の上記半導体チップに近接した位置から封止樹脂の側端まで延び、少なくとも下面の一部が上記封止樹脂から露出している複数のリードと、
上記半導体チップの電極パッドと上記リードとを電気的に接続する接続部材とを備え、
上記リードの下部が外部電極として機能するとともに、
上記半導体装置の裏面における上記外部電極の下面の面積が、上記封止樹脂の辺の中央部におけるよりもコーナー部において大きいことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 主面上に電極パッドを有する半導体チップと、
上記半導体チップを含む周囲の領域を封止する多角形で板状の封止樹脂と、
上記封止樹脂内の上記半導体チップに近接した位置から封止樹脂の側端まで延び、少なくとも下面の一部が上記封止樹脂から露出している複数のリードと、
上記半導体チップの電極パッドと上記リードとを電気的に接続する接続部材とを備え、
上記リードの下部が外部電極として機能するとともに、
上記封止樹脂の各辺のうち1つの辺における少なくとも1つの外部電極の形状が、半導体装置の基準位置の識別マークとなるように形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 主面上に電極パッドを有する半導体チップを搭載するためのリードフレームであって、
多角形の外枠と、
上記半導体チップの搭載領域に近接した位置から外方に延びて上記外枠に接続され、かつ配列ピッチが上記外枠のコーナー部におけるよりも辺の中央部で小さいように配列された複数のリードと
を備えていることを特徴とするリードフレーム。 - 請求項12記載のリードフレームにおいて、
上記リードの長さが上記外枠のコーナー部におけるよりも辺の中央部で大きいことを特徴とするリードフレーム。 - 請求項12又は13記載のリードフレームにおいて、
上記リードの下面の幅が上記外枠の辺の中央部よりもコーナー部で広いことを特徴とするリードフレーム。 - 請求項12〜14のうちいずれか1つに記載のリードフレームにおいて、
上記リードの下面の面積が、上記外枠の辺の中央部におけるよりもコーナー部において大きいことを特徴とする樹脂封止型リードフレーム。 - 請求項12〜15のうちいずれか1つに記載のリードフレームにおいて、
上記リードのうち上記半導体チップ搭載位置に近接する側の一部に広幅部が設けられていることを特徴とするリードフレーム。 - 請求項12〜16のうちいずれか1つに記載のリードフレームにおいて、
上記リードの少なくとも一部における下部の幅は上部の幅よりも狭くなっていることを特徴とするリードフレーム。 - 請求項12〜17のうちいずれか1つに記載のリードフレームにおいて、
上記リードの一部に溝部が形成されていることを特徴とするリードフレーム。 - 請求項12〜18のうちいずれか1つに記載のリードフレームにおいて、
少なくとも上記リードにパラジウムメッキが施されていることを特徴とするリードフレーム。 - 主面上に電極パッドを有する半導体チップを搭載するためのリードフレームであって、
多角形の外枠と、
上記半導体チップに近接した位置から外方に延びて上記外枠に接続され、かつ下面の面積が上記外枠の辺の中央部におけるよりもコーナー部で大きいように形成された複数のリードと
を備えていることを特徴とするリードフレーム。 - 請求項12〜20のうちいずれか1つに記載のリードフレームにおいて、
上記半導体チップを搭載するためのダイパッドと、
上記ダイパッドと上記外枠とを接続するための吊りリードと
をさらに備えていることを特徴とするリードフレーム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004240416A JP3639302B2 (ja) | 2004-08-20 | 2004-08-20 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004240416A JP3639302B2 (ja) | 2004-08-20 | 2004-08-20 | 樹脂封止型半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1649898A Division JPH11214606A (ja) | 1998-01-29 | 1998-01-29 | 樹脂封止型半導体装置及びリードフレーム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004328015A true JP2004328015A (ja) | 2004-11-18 |
JP3639302B2 JP3639302B2 (ja) | 2005-04-20 |
Family
ID=33509492
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004240416A Expired - Lifetime JP3639302B2 (ja) | 2004-08-20 | 2004-08-20 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3639302B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010283246A (ja) * | 2009-06-08 | 2010-12-16 | Mitsui High Tec Inc | リードフレーム及び半導体装置 |
US8436451B2 (en) | 2010-02-26 | 2013-05-07 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device |
JP2016012673A (ja) * | 2014-06-30 | 2016-01-21 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
CN111602240A (zh) * | 2018-03-02 | 2020-08-28 | 新电元工业株式会社 | 树脂封装型半导体装置 |
CN116613132A (zh) * | 2023-07-19 | 2023-08-18 | 青岛泰睿思微电子有限公司 | 射频类的芯片封装结构及方法 |
-
2004
- 2004-08-20 JP JP2004240416A patent/JP3639302B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010283246A (ja) * | 2009-06-08 | 2010-12-16 | Mitsui High Tec Inc | リードフレーム及び半導体装置 |
US8436451B2 (en) | 2010-02-26 | 2013-05-07 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device |
US8853842B2 (en) | 2010-02-26 | 2014-10-07 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device sealed with a resin molding |
JP2016012673A (ja) * | 2014-06-30 | 2016-01-21 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
US10553525B2 (en) | 2014-06-30 | 2020-02-04 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device |
CN111602240A (zh) * | 2018-03-02 | 2020-08-28 | 新电元工业株式会社 | 树脂封装型半导体装置 |
CN111602240B (zh) * | 2018-03-02 | 2023-08-01 | 新电元工业株式会社 | 树脂封装型半导体装置 |
CN116613132A (zh) * | 2023-07-19 | 2023-08-18 | 青岛泰睿思微电子有限公司 | 射频类的芯片封装结构及方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3639302B2 (ja) | 2005-04-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4308608B2 (ja) | 半導体装置 | |
US7687893B2 (en) | Semiconductor package having leadframe with exposed anchor pads | |
TWI409926B (zh) | 導線架 | |
US8853842B2 (en) | Semiconductor device sealed with a resin molding | |
JPH1056129A (ja) | 積層型ボトムリード半導体パッケージ | |
JP2009532912A (ja) | 一体型スルーホール熱放散ピンを有するモールドされた半導体パッケージ | |
JP2006210807A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4819335B2 (ja) | 半導体チップパッケージ | |
JPH11214606A (ja) | 樹脂封止型半導体装置及びリードフレーム | |
JP2915282B2 (ja) | プラスチックモールドした集積回路パッケージ | |
JP2010506399A (ja) | 電子デバイスおよびリードフレーム | |
JPH1070227A (ja) | ボトムリード形半導体パッケージ | |
JP2002009217A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JP2004328015A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
TWI792588B (zh) | 半導體封裝 | |
JPH09232499A (ja) | 半導体装置 | |
KR100281298B1 (ko) | 볼그리드어레이용리드프레임과,그것을이용한반도체장치및그제조방법 | |
JP2003086751A (ja) | リードフレーム、樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
JPH0917910A (ja) | 半導体装置及びその製造方法、検査方法、実装基板 | |
JPH09116045A (ja) | リードフレームを用いたbgaタイプの樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
JPH11176849A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2002359336A (ja) | 半導体装置 | |
JPH0547836A (ja) | 半導体装置の実装構造 | |
JP2652222B2 (ja) | 電子部品搭載用基板 | |
JP3061728B2 (ja) | 半導体パッケージ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040826 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040826 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20040826 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20040922 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041005 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041206 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050105 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050113 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080121 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090121 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090121 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100121 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110121 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110121 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120121 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130121 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130121 Year of fee payment: 8 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |