JP2021145024A5 - - Google Patents
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Description
第３～第６条件ＣＣ３～ＣＣ６は、図１に例示した構成を有する。第３半導体領域１３の厚さｔ１３は、第３半導体領域１３の第１導電形の不純物のピークの半値全幅とする。第３条件ＣＣ３においては、第３半導体領域１３における第１導電形の不純物濃度のピークは、６×１０１６／ｃｍ３であり、厚さｔ１３は、０．１μｍである。第４条件ＣＣ４においては、第３半導体領域１３における第１導電形の不純物濃度のピークは、１．２×１０１６／ｃｍ３であり、厚さｔ１３は、０．１μｍである。第５条件ＣＣ５においては、第３半導体領域１３における第１導電形の不純物濃度のピークは、１．２×１０１７／ｃｍ３であり、厚さｔ１３は、０．１５μｍである。第６条件ＣＣ６においては、第３半導体領域１３における第１導電形の不純物濃度のピークは、１．２×１０１７／ｃｍ３であり、厚さｔ１３は、０．２μｍである。
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