JP2021141174A - 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法 - Google Patents

半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】半導体発光素子からの光が局所的に強く光って見えることを抑制すること。【解決手段】半導体発光装置１Ａは、基板１０と、基板主面１０ｓ上に実装された半導体発光素子３０と、ｚ方向において、半導体発光素子３０よりも上方に離れて配置されており、上方から視て素子主面３０ｓの全体を覆う遮光部５１と、遮光部５１を支持した状態で半導体発光素子３０を封止する透光性の封止樹脂４０と、を備えている。【選択図】図６

Description

本開示は、半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法に関する。
上記半導体発光装置の一例として、基板に実装された半導体発光素子と、基板上に形成されており、半導体発光素子を封止する透光性の封止樹脂と、を備えたチップ型の半導体発光装置が知られている（たとえば特許文献１参照）。このような半導体発光装置では、半導体発光素子は、光を出射する発光主面を有しており、たとえば発光主面から基板の厚さ方向のうち発光主面から離れる方向である上方に向けて光が出射される構成である。
特開２００５−３５３９１４号公報
ところで、近年の半導体発光素子からの光の強さ（たとえば光度、照度、または輝度）の向上や素子主面から上方に出射する光が強くなっていることから、半導体発光素子の素子主面から上方に向けて出射される光の強さと、半導体発光素子の周囲の光の強さとの差が大きくなり、半導体発光素子が局所的に強く光って見えてしまう。つまり、半導体発光素子からの上方に出射される光の範囲が狭く見えてしまい、たとえば半導体発光装置を上方から見たときに半導体発光素子が点で光って見えてしまう。
本開示の目的は、局所的に強く光って見えることを抑制できる半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法を提供することにある。
上記課題を解決する半導体発光装置は、厚さ方向において互いに反対側を向く主面および裏面を有する基板と、前記主面に実装されており、光を出射する発光主面を有する半導体発光素子と、前記半導体発光素子に対して、前記発光主面から離れる前記厚さ方向である上方に離れて配置されており、上方から見て前記発光主面のうち少なくとも一部を覆う遮光部と、前記遮光部を支持した状態で前記半導体発光素子を封止している透光性の封止樹脂と、を備えている。
この構成によれば、上方から視て半導体発光素子の発光主面のうち少なくとも一部を覆う遮光部が発光主面から出射される光を遮光するため、発光主面から上方に出射される光の強さが弱くなる。したがって、発光主面から上方に出射される光の強さと、半導体発光素子の周囲の光の強さとの差が小さくなるため、半導体発光装置を上方から視て、局所的に光って見えることを抑制できる。
上記課題を解決する半導体発光装置の製造方法は、厚さ方向において互いに反対側を向く主面および裏面を有する基板を用意する工程と、光を出射する発光主面を有する半導体発光素子を前記主面上に実装する工程と、前記半導体発光素子に対して、前記発光主面から離れる前記厚さ方向である上方に離れて配置され、かつ上方から視て前記発光主面のうち少なくとも一部を覆うように遮光部を配置する工程と、前記半導体発光素子を封止する透光性の樹脂層を形成する工程と、を備える。
この構成によれば、上方から視て半導体発光素子の発光主面のうち少なくとも一部を覆う遮光部が発光主面から出射される光を遮光するため、発光主面から上方に出射される光の強さが弱くなる。したがって、発光主面から上方に出射される光の強さと、半導体発光素子の周囲の光の強さとの差が小さくなるため、半導体発光装置を上方から視て、局所的に光って見えることを抑制できる。
上記課題を解決する半導体発光装置の製造方法は、厚さ方向において互いに反対側を向く主面および裏面を有する基板を用意する工程と、光を出射する発光主面を有する半導体発光素子を前記主面上に実装する工程と、前記半導体発光素子を封止する第１樹脂層を形成する工程と、前記第１樹脂層上に、前記発光主面のうち少なくとも一部を覆う遮光部を設ける工程と、前記遮光部を封止する第２樹脂層を形成する工程と、を備える。
この構成によれば、上方から視て半導体発光素子の発光主面のうち少なくとも一部を覆う遮光部が発光主面から出射される光を遮光するため、発光主面から上方に出射される光の強さが弱くなる。したがって、発光主面から上方に出射される光の強さと、半導体発光素子の周囲の光の強さとの差が小さくなるため、半導体発光装置を上方から視て、局所的に光って見えることを抑制できる。
上記半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法によれば、局所的に強く光って見えることを抑制できる。
第１実施形態の半導体発光装置の斜視図。 図１の半導体発光装置の側面図。 図１の半導体発光装置の平面図。 図１の半導体発光装置の裏面図。 図３の半導体発光装置から封止樹脂および遮光ユニットを除いた状態における半導体発光素子およびその周辺の拡大図。 図３の６−６線の断面図。 図３の７−７線の断面図。 第１実施形態の半導体発光装置の製造方法について、製造工程の一例を示す説明図。 半導体発光装置の製造方法について、製造工程の一例を示す説明図。 半導体発光装置の製造方法について、製造工程の一例を示す説明図。 半導体発光装置の製造方法について、製造工程の一例を示す説明図。 半導体発光装置の製造方法について、製造工程の一例を示す説明図。 半導体発光装置の製造方法について、製造工程の一例を示す説明図。 半導体発光装置の製造方法について、遮光ユニット保持体の平面図。 半導体発光装置の製造方法について、製造工程の一例を示す説明図。 図１５の１６−１６線の断面図。 半導体発光装置の製造方法について、製造工程の一例を示す説明図。 半導体発光装置の製造方法について、製造工程の一例を示す説明図。 図２の半導体発光装置の一部の拡大図。 図１の半導体発光装置を図２とは異なる方向から視た側面構造における半導体発光装置の一部の拡大図。 第２実施形態の半導体発光装置の側面図。 図２１の半導体発光装置の平面図。 図２１の半導体発光装置の断面構造における半導体発光素子およびその周辺の拡大図。 第２実施形態の半導体発光装置の製造方法について、製造工程の一例を示す説明図。 半導体発光装置の製造方法について、製造工程の一例を示す説明図。 半導体発光装置の製造方法について、製造工程の一例を示す説明図。 半導体発光装置の製造方法について、製造工程の一例を示す説明図。 半導体発光装置の製造方法について、製造工程の一例を示す説明図。 半導体発光装置の製造方法について、製造工程の一例を示す説明図。 半導体発光装置の製造方法について、製造工程の一例を示す説明図。 第３実施形態の半導体発光装置の平面図。 図３１の半導体発光装置の裏面図。 図３１の半導体発光装置の一部の拡大図。 図３１の３４−３４線の断面図。 図３１の３５−３５線の断面図。 図３１の３６−３６線の断面図。 第３実施形態の半導体発光装置の製造方法について、製造工程の一例を示す説明図。 半導体発光装置の製造方法について、製造工程の一例を示す説明図。 半導体発光装置の製造方法について、製造工程の一例を示す説明図。 半導体発光装置の製造方法について、製造工程の一例を示す説明図。 半導体発光装置の製造方法について、製造工程の一例を示す説明図。 半導体発光装置の製造方法について、製造工程の一例を示す説明図。 半導体発光装置の製造方法について、製造工程の一例を示す説明図。 半導体発光装置の製造方法について、製造工程の一例を示す説明図。 半導体発光装置の製造方法について、製造工程の一例を示す説明図。 変更例の半導体発光装置について、半導体発光素子およびその周辺を拡大した側面図。 変更例の半導体発光装置について、半導体発光素子およびその周辺を拡大した側面図。 変更例の半導体発光装置について、半導体発光素子およびその周辺を拡大した側面図。 変更例の半導体発光装置について、半導体発光素子およびその周辺を拡大した平面図。 変更例の半導体発光装置について、半導体発光素子およびその周辺を拡大した側面図。 変更例の半導体発光装置について、半導体発光素子およびその周辺を拡大した側面図。 変更例の半導体発光装置について、半導体発光素子およびその周辺を拡大した側面図。 変更例の半導体発光装置について、半導体発光素子およびその周辺を拡大した側面図。 変更例の半導体発光装置について、半導体発光素子およびその周辺を拡大した側面図。 変更例の半導体発光装置について、半導体発光素子およびその周辺を拡大した側面図。 変更例の半導体発光装置について、半導体発光素子およびその周辺を拡大した側面図。 図５６の半導体発光装置について、半導体発光素子およびその周辺を拡大した平面図。 変更例の半導体発光装置について、半導体発光素子およびその周辺を拡大した断面図。 変更例の半導体発光装置について、半導体発光素子およびその周辺を拡大した側面図。 変更例の半導体発光装置について、半導体発光素子およびその周辺を拡大した側面図。 変更例の半導体発光装置について、半導体発光素子およびその周辺を拡大した側面図。 変更例の半導体発光装置について、半導体発光素子およびその周辺を拡大した側面図。 変更例の半導体発光装置の平面図。 図６３の６４−６４線の断面図。 図６３の６５−６５線の断面図。 変更例の半導体発光装置について、半導体発光素子およびその周辺を拡大した側面図。 変更例の半導体発光装置について、半導体発光素子およびその周辺を拡大した側面図。 変更例の半導体発光装置について、半導体発光素子およびその周辺を拡大した側面図。 変更例の半導体発光装置について、半導体発光素子およびその周辺を拡大した側面図。 変更例の半導体発光装置について、半導体発光素子およびその周辺を拡大した側面図。 変更例の半導体発光装置について、半導体発光素子およびその周辺を拡大した側面図。 変更例の半導体発光装置について、半導体発光素子およびその周辺を拡大した側面図。 変更例の半導体発光装置について、半導体発光素子およびその周辺を拡大した側面図。 変更例の半導体発光装置の斜視図。 図７４の半導体発光装置の側面図。 図７４の半導体発光装置について、図７５とは異なる方向から視た側面図。 変更例の半導体発光装置の製造方法について、製造工程の一例を示す説明図。 図７７の７８−７８線の断面図。 変更例の半導体発光装置の製造方法について、製造工程の一例を示す説明図。 変更例の半導体発光装置の斜視図。 変更例の半導体発光装置の製造方法について、製造工程の一例を示す説明図。 変更例の半導体発光装置の側面図。 図８１の半導体発光装置について、図８２とは異なる方向から視た側面図。 変更例の半導体発光装置の製造方法について、製造工程の一例を示す説明図。 変更例の半導体発光装置の製造方法について、製造工程の一例を示す説明図。 図８５の８６−８６線の断面図。 変更例の半導体発光装置の製造方法について、製造工程の一例を示す説明図。 変更例の半導体発光装置の製造方法について、製造工程の一例を示す説明図。 変更例の半導体発光装置について、半導体発光素子およびその周辺を拡大した平面図。 変更例の半導体発光装置について、半導体発光素子およびその周辺を拡大した側面図。 図９０の半導体発光装置について、半導体発光素子およびその周辺を拡大した平面図。 変更例の半導体発光素子の平面図。 図９２の９３−９３線の素子断面図。
以下、半導体発光装置の実施形態について図面を参照して説明する。
以下に示す実施形態は、技術的思想を具体化するための構成や方法を例示するものであって、各構成部品の材質、形状、構造、配置、寸法等を下記のものに限定するものではない。以下の実施形態は、種々の変更を加えることができる。
本明細書において、「部材Ａが部材Ｂと接続された状態」とは、部材Ａと部材Ｂとが物理的に直接的に接続される場合、ならびに、部材Ａおよび部材Ｂが、電気的な接続状態に影響を及ぼさない他の部材を介して間接的に接続される場合を含む。
［第１実施形態］
（半導体発光装置の構成）
図１〜図７を参照して、第１実施形態の半導体発光装置１Ａの構成について説明する。図１および図２に示すように、半導体発光装置１Ａは、基板１０、主面電極２０ｓ、裏面電極２０ｒ、接続電極２４、主面絶縁層２３ｓ、裏面絶縁層２３ｒ、半導体発光素子３０および封止樹脂４０を備えている。
なお、図３および図４において、主面電極２０ｓおよび裏面電極２０ｒと主面絶縁層２３ｓおよび裏面絶縁層２３ｒとの区別を分かりやすくするため、主面絶縁層２３ｓおよび裏面絶縁層２３ｒのそれぞれにドットを付す場合がある。また、図５では、便宜上、封止樹脂４０を省略し、後述する遮光ユニット５０を二点鎖線で示している。また、以降の説明において、基板１０の厚さ方向をｚ方向とし、ｚ方向に直交する方向のうち互いに直交する２方向をそれぞれｘ方向およびｙ方向とする。ここで、ｘ方向は第１方向に対応し、ｙ方向は第２方向に対応する。また、ｚ方向のうち基板１０から封止樹脂４０に向かう方向を上方といい、封止樹脂４０から基板１０に向かう方向を下方という場合がある。
図１〜図４に示すように、基板１０は、半導体発光素子３０を支持する部材であって、半導体発光装置１Ａが配線基板（図示略）に実装される場合に配線基板に接続される部材である。基板１０は、たとえば電気絶縁性を有する材料から構成されている。基板１０の材料として、たとえばガラスエポキシ樹脂が用いられている。なお、基板１０の材料として、熱伝導性に優れたセラミックスを用いてもよい。このようなセラミックスとして、たとえばＡｌＮ（窒化アルミニウム）が挙げられる。
図１および図２に示すように、基板１０は薄板状に形成されている。図３および図４に示すように、上方から視た基板１０の形状は、ｘ方向が長辺方向となり、ｙ方向が短辺方向となる矩形状である。
図１および図２に示すように、基板１０は、ｚ方向において互いに反対側を向く基板主面１０ｓおよび基板裏面１０ｒと、基板主面１０ｓと基板裏面１０ｒのｚ方向の間に設けられた４つの基板側面１１〜１４と、を有している。図３および図４に示すように、基板側面１１および基板側面１２は、ｘ方向において互いに反対側を向く面である。基板側面１１，１２はそれぞれ、ｙ方向に沿って延びている。基板側面１３，１４は、ｙ方向において互いに反対側を向く面である。基板側面１３，１４はそれぞれ、ｘ方向に沿って延びている。
図１〜図３に示すように、基板１０は、上方から視て封止樹脂４０と重なる部分である基板中央部１５Ｃと、ｘ方向において封止樹脂４０の両側を突出した基板突出部１５ＥＡ，１５ＥＢと、を有している。図２に示すとおり、基板突出部１５ＥＡは、封止樹脂４０からｘ方向の一方側に突出した部分であり、封止樹脂４０と基板側面１１との間の部分として規定される。基板突出部１５ＥＢは、封止樹脂４０からｘ方向の他方側に突出した部分であり、封止樹脂４０と基板側面１２との間の部分として規定される。
図３および図４に示すように、基板１０は、第１貫通溝１６および第２貫通溝１７を有している。各貫通溝１６，１７は、基板１０をｚ方向に貫通している。本実施形態では、上方から視た各貫通溝１６，１７の形状は、略半円形状である。
第１貫通溝１６は、基板突出部１５ＥＡにおいて基板側面１１からｘ方向に窪むように設けられている。上方から視て、第１貫通溝１６は、ｙ方向において基板側面１１の中央に設けられている。
第２貫通溝１７は、基板突出部１５ＥＢにおいて基板側面１２からｘ方向に窪むように設けられている。上方から視て、第２貫通溝１７は、ｙ方向において基板側面１２の中央に設けられている。
なお、各貫通溝１６，１７の形成位置および個数は任意に変更可能である。たとえば、第１貫通溝１６は、基板側面１１と基板側面１３とからなる角部と、基板側面１１と基板側面１４とからなる角部とのそれぞれに設けられてもよい。この場合、上方から視た第１貫通溝１６の形状は、四分円状となる。またたとえば、第２貫通溝１７は、基板側面１２と基板側面１３とからなる角部と、基板側面１２と基板側面１４とからなる角部とのそれぞれに設けられてもよい。この場合、上方から視た第２貫通溝１７の形状は、四分円状となる。
各貫通溝１６，１７には、接続電極２４が配置されている。より詳細には、接続電極２４は、第１接続電極２４Ａおよび第２接続電極２４Ｂを有している。各第１貫通溝１６には、第１接続電極２４Ａが配置されている。第１接続電極２４Ａは、第１貫通溝１６の内壁に沿って配置されている。各第２貫通溝１７には、第２接続電極２４Ｂが配置されている。第２接続電極２４Ｂは、第２貫通溝１７の内壁に沿って配置されている。
図２に示すように、基板１０の基板主面１０ｓ上には、半導体発光素子３０が実装されている。半導体発光素子３０は、たとえば発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）素子である。なお、半導体発光素子３０は、半導体レーザ（ＬＤ：Laser Diode）等の発光素子が用いられてもよい。図１、図５および図６に示すように、半導体発光素子３０は、略直方体形状である。図６に示すように、半導体発光素子３０は、ｚ方向において互いに反対側を向く素子主面３０ｓおよび素子裏面３０ｒを有している。本実施形態では、半導体発光素子３０は、素子主面３０ｓが基板主面１０ｓと同じ側を向き、素子裏面３０ｒが基板裏面１０ｒと同じ側を向くように、基板主面１０ｓ上に配置されている。素子主面３０ｓは、半導体発光素子３０のうち光を出射する発光主面である。つまり、半導体発光素子３０は、上方に向けて光を出射するものである。本実施形態では、半導体発光素子３０は、素子主面３０ｓに形成された第１電極３１と、素子裏面３０ｒに形成された第２電極３２と、を有している。本実施形態では、第１電極３１はアノード電極であり、第２電極３２はカソード電極である。
図５に示すように、上方から視た半導体発光素子３０の素子主面３０ｓの形状は、ｘ方向に延びる一対の第１辺３０ａと、ｙ方向に延びる一対の第２辺３０ｂと、を有する矩形状である。本実施形態では、上方から視た素子主面３０ｓの形状は、正方形である。また、上方から視た半導体発光素子３０の形状は、正方形である。
なお、上方から視た素子主面３０ｓ（半導体発光素子３０）の形状は、任意に変更可能である。一例では、上方から視た素子主面３０ｓ（半導体発光素子３０）の形状は、ｘ方向およびｙ方向の一方が長辺方向となり、ｘ方向およびｙ方向の他方が短辺方向となる矩形状であってもよい。
図２および図３に示すように、主面電極２０ｓは、基板１０の基板主面１０ｓに配置されている。主面電極２０ｓは、半導体発光装置１Ａが配線基板に実装された場合に半導体発光素子３０と配線基板とを電気的に接続するための導電部材である。主面電極２０ｓはたとえばＣｕ（銅）箔からなる。主面電極２０ｓは、第１主面電極２１ｓと第２主面電極２２ｓとを有している。第１主面電極２１ｓおよび第２主面電極２２ｓは、ｘ方向において互いに離間して配列されている。
第１主面電極２１ｓは、半導体発光素子３０が搭載されており、第１接続電極２４Ａ（図３参照）と接続する電極である。つまり、第１主面電極２１ｓは、半導体発光素子３０の第２電極３２（図６参照）と第１接続電極２４Ａとを電気的に接続する電極である。
図３に示すように、第１主面電極２１ｓは、ダイパッド２１ａ、第１基部２１ｂおよび接続部２１ｃを有している。本実施形態では、第１主面電極２１ｓは、ダイパッド２１ａ、第１基部２１ｂおよび接続部２１ｃを一体に形成した単一部品である。
ダイパッド２１ａは、半導体発光素子３０が搭載されている部分である。図５および図６に示すように、本実施形態では、半導体発光素子３０は、共晶接合によってダイパッド２１ａに搭載されている。すなわち、ｚ方向において半導体発光素子３０とダイパッド２１ａとの間には、共晶接合層ＢＭが形成されている。共晶接合層ＢＭは、たとえばＡｕＳｎ（金錫）共晶を含む。すなわち、ＡｕＳｎ共晶によって、半導体発光素子３０の素子裏面３０ｒと第１主面電極２１ｓ（ダイパッド２１ａ）とが接続されている。本実施形態では、半導体発光素子３０の素子裏面３０ｒにＡｕめっき層およびＳｎめっき層が施されている。なお、半導体発光素子３０の素子裏面３０ｒにＡｕめっき層が施されており、ダイパッド２１ａにＳｎめっき層が施されてもよい。また、本実施形態では、半導体発光素子３０の素子裏面３０ｒとダイパッド２１ａとを接触させた状態で加熱、およびｚ方向に加圧することによって半導体発光素子３０とダイパッド２１ａとを接合している。なお、半導体発光素子３０とダイパッド２１ａとは、はんだやＡｇペースト等からなる導電性接合材によって接合されてもよい。半導体発光素子３０の第２電極３２は、共晶接合層ＢＭを介してダイパッド２１ａと電気的に接続されている。つまり、半導体発光素子３０の第２電極３２は、第１主面電極２１ｓと電気的に接続されている。
図３および図５に示すように、本実施形態では、ダイパッド２１ａは、基板中央部１５Ｃのｘ方向の中央かつｙ方向の中央に配置されている。換言すると、ダイパッド２１ａは、封止樹脂４０の内部に設けられている。本実施形態では、上方から視たダイパッド２１ａの形状は、ｙ方向が長辺方向となり、ｘ方向が短辺方向となる矩形状である。ダイパッド２１ａは、接続部２１ｃを介して第１基部２１ｂに接続されている。なお、上方から視たダイパッド２１ａの形状は任意に変更可能である。一例では、上方から視たダイパッド２１ａの形状は、正方形であってもよいし、ｘ方向が長辺方向となり、ｙ方向が短辺方向となる矩形状であってもよい。
図３に示すように、接続部２１ｃの一部および第１基部２１ｂは、封止樹脂４０の外部に配置されている。つまり、接続部２１ｃの一部および第１基部２１ｂは、基板突出部１５ＥＡに設けられている。第１基部２１ｂは、ｙ方向において基板１０の基板側面１３から基板側面１４までにわたり形成されている。第１基部２１ｂは、基板突出部１５ＥＡのｘ方向の両端部のうち基板側面１１に近い方の端部に設けられている。上方から視て、第１基部２１ｂは、第１貫通溝１６を取り囲むように形成されている。第１基部２１ｂには、第１接続電極２４Ａが接続されている。
図３に示すように、第２主面電極２２ｓは、第２接続電極２４Ｂと接続する電極である。第２主面電極２２ｓは、ワイヤパッド２２ａ、第２基部２２ｂおよび接続部２２ｃを有している。本実施形態では、第２主面電極２２ｓは、ワイヤパッド２２ａ、第２基部２２ｂおよび接続部２２ｃを一体に形成した部品である。
ワイヤパッド２２ａは、半導体発光素子３０に接続されたワイヤＷが接続される部分である。ここで、ワイヤＷは、半導体発光素子３０の第１電極３１（図６参照）に接続されている。ワイヤＷは、導電性の金属材料からなり、たとえばＡｕ、Ａｌ、またはＣｕからなる。このため、第２主面電極２２ｓは、半導体発光素子３０の第１電極３１と第２接続電極２４Ｂとを電気的に接続する電極である。図３および図５に示すように、ワイヤパッド２２ａは、ｘ方向においてダイパッド２１ａと隣り合うように配置されている。上方から視たワイヤパッド２２ａの形状は、四角形状である。図３に示すように、ワイヤパッド２２ａは、接続部２２ｃを介して第２基部２２ｂに接続されている。
接続部２２ｃの一部および第２基部２２ｂは、封止樹脂４０の外部に配置されている。つまり、接続部２２ｃの一部および第２基部２２ｂは、基板突出部１５ＥＢに設けられている。第２基部２２ｂは、ｙ方向において基板１０の基板側面１３から基板側面１４までにわたり形成されている。第２基部２２ｂは、基板突出部１５ＥＢのｘ方向の両端部のうち基板側面１２に近い方の端部に設けられている。上方から視て、第２基部２２ｂは、第２貫通溝１７を取り囲むように形成されている。第２基部２２ｂには、第２接続電極２４Ｂが接続されている。
図２および図４に示すように、裏面電極２０ｒは、基板１０の基板裏面１０ｒに配置されている。裏面電極２０ｒは、半導体発光装置１Ａが配線基板にはんだやＡｇ（銀）ペースト等の導電性接合材によって実装される場合に、導電性接合材が塗布される電極である。裏面電極２０ｒは、第１裏面電極２１ｒおよび第２裏面電極２２ｒを有している。第１裏面電極２１ｒおよび第２裏面電極２２ｒは、ｘ方向において互いに離間して配列されている。
第１裏面電極２１ｒは、基板突出部１５ＥＡに設けられている。図２に示すように、第１裏面電極２１ｒは、下方から視て、第１主面電極２１ｓと重なるように配置されており、第１接続電極２４Ａによって第１主面電極２１ｓと接続されている。つまり、第１裏面電極２１ｒは、半導体発光素子３０の第２電極３２（図６参照）と電気的に接続されている。図４に示すように、第１裏面電極２１ｒは、基板突出部１５ＥＡの基板裏面１０ｒの全面にわたり設けられている。本実施形態では、図２に示すように、第１裏面電極２１ｒのｘ方向の両端部のうち基板１０のｘ方向の中央の近くの端部は、下方から視て、封止樹脂４０と重なる位置に配置されている。
図２および図４に示すように、第２裏面電極２２ｒは、基板突出部１５ＥＢに設けられている。図２に示すように、第２裏面電極２２ｒは、下方から視て、第２主面電極２２ｓと重なるように配置されており、第２接続電極２４Ｂによって第２主面電極２２ｓと接続されている。つまり、第２裏面電極２２ｒは、半導体発光素子３０の第１電極３１（図６参照）と電気的に接続されている。図４に示すように、第２裏面電極２２ｒは、基板突出部１５ＥＢの基板裏面１０ｒの全面にわたり設けられている。図２に示すように、第２裏面電極２２ｒのｘ方向の両端部のうち基板１０のｘ方向の中央の近くの端部は、下方から視て、封止樹脂４０と重なる位置に配置されている。
なお、第１裏面電極２１ｒおよび第２裏面電極２２ｒのそれぞれのサイズは任意に変更可能である。一例では、第１裏面電極２１ｒのｘ方向の両端部のうち基板１０のｘ方向の中央の近くの端部は、封止樹脂４０よりも基板側面１１の近くに位置してもよい。また、第２裏面電極２２ｒのｘ方向の両端部のうち基板１０のｘ方向の中央の近くの端部は、封止樹脂４０よりも基板側面１２の近くに位置してもよい。
図２および図３に示すように、主面絶縁層２３ｓは、基板１０の基板主面１０ｓにおいて主面電極２０ｓを覆う部材である。主面絶縁層２３ｓは、主面電極２０ｓのうち封止樹脂４０の外部に配置されている部分を主に覆っている。本実施形態では、主面絶縁層２３ｓの一部は、ｘ方向において封止樹脂４０の内部に入り込んでいる。主面絶縁層２３ｓは、電気絶縁性を有する樹脂材料からなる。主面絶縁層２３ｓは、レジスト層であり、ソルダーレジスト層と称される。
主面絶縁層２３ｓは、第１主面電極２１ｓの一部を覆う第１主面絶縁層２３ｓａと、第２主面電極２２ｓの一部を覆う第２主面絶縁層２３ｓｂと、を有している。
図３に示すように、第１主面絶縁層２３ｓａは、第１主面電極２１ｓのうち接続部２１ｃの一部と第１基部２１ｂとを覆っている。一方、第１主面絶縁層２３ｓａは、第１接続電極２４Ａを覆っていない。本実施形態では、第１主面絶縁層２３ｓａのｘ方向の両端部のうち基板１０のｘ方向の中央に近い方の端部は、封止樹脂４０の内部に入り込んでいる。なお、第１主面絶縁層２３ｓａのｘ方向の両端部のうち基板１０のｘ方向の中央に近い方の端部は、封止樹脂４０の外部に配置されていてもよい。また、第１主面絶縁層２３ｓａは、第１接続電極２４Ａを覆っていてもよい。
第２主面絶縁層２３ｓｂは、第２主面電極２２ｓのうち接続部２２ｃの一部と第２基部２２ｂとを覆っている。一方、第２主面絶縁層２３ｓｂは、第２接続電極２４Ｂを覆っていない。本実施形態では、第２主面絶縁層２３ｓｂのｘ方向の両端部のうち基板１０のｘ方向の中央に近い方の端部は、封止樹脂４０の内部に入り込んでいる。なお、第２主面絶縁層２３ｓｂのｘ方向の両端部のうち基板１０のｘ方向の中央に近い方の端部は、封止樹脂４０の外部に配置されていてもよい。また、第２主面絶縁層２３ｓｂは、第２接続電極２４Ｂを覆っていてもよい。
図２および図４に示すように、裏面絶縁層２３ｒは、基板１０の基板裏面１０ｒのうちｘ方向の中央に配置されており、半導体発光装置１Ａの接続方向を判断する目印として機能する。下方から視て、裏面絶縁層２３ｒは、第１裏面電極２１ｒに向けてｘ方向に突出する凸状をなしている。裏面絶縁層２３ｒは、レジスト層である。
図１〜図３に示すように、封止樹脂４０は、基板１０の基板主面１０ｓのうちｘ方向の中央に設けられており、半導体発光素子３０、主面電極２０ｓの一部およびワイヤＷを覆っている。封止樹脂４０は、透光性を有する樹脂材料からなる。このような樹脂材料として、透明あるいは半透明の、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニル系樹脂等が用いられている。
図１および図３に示すように、封止樹脂４０は、ｚ方向において基板主面１０ｓと同じ側を向き樹脂主面４０ｓと、基板主面１０ｓと樹脂主面４０ｓとのｚ方向の間に形成された４つの樹脂側面４１〜４４と、を有している。
樹脂側面４１，４２は、ｘ方向において互いに反対側を向く面である。樹脂側面４１は基板側面１１と同じ側を向く面であり、樹脂側面４２は基板側面１２と同じ側を向く面である。図２および図６に示すように、樹脂側面４１，４２は、ｚ方向において基板主面１０ｓから離れるにつれて封止樹脂４０のｘ方向の中心位置ＣＢに向けて傾斜する傾斜面である。図３に示すように、樹脂側面４３，４４は、ｙ方向において互いに反対側を向く面である。樹脂側面４３は基板側面１３と同じ側を向く面であり、樹脂側面４４は基板側面１４と同じ側を向く面である。樹脂側面４３，４４は、ｙ方向およびｚ方向に沿って延びている。樹脂側面４３は基板側面１３と面一であり、樹脂側面４４は基板側面１４と面一である。
図１〜図３、図６および図７に示すように、半導体発光装置１Ａは、半導体発光素子３０から上方に向けて出射する光を遮る遮光ユニット５０を備えている。
遮光ユニット５０は、可視光や赤外光を遮るものであり、遮光性を有する材料からなる。遮光性を有する材料としては、たとえば液晶ポリマー、ナイロン、シリコン等の遮光性の樹脂材料、または金属材料が挙げられる。本実施形態では、遮光ユニット５０は、白色の液晶ポリマーからなる。なお、遮光ユニット５０は、白色に限られず、他の色（たとえば黒色）であってもよい。
図２、図６および図７に示すように、遮光ユニット５０は、ｚ方向において、半導体発光素子３０よりも樹脂主面４０ｓの近くに配置されている。つまり、遮光ユニット５０は、半導体発光素子３０よりも上方に配置されている。本実施形態では、遮光ユニット５０は、ワイヤＷよりも上方に配置されている。より詳細には、遮光ユニット５０は、ｚ方向において、ワイヤＷのうちｚ方向において樹脂主面４０ｓに最も近い部分よりも樹脂主面４０ｓの近くに配置されている。本実施形態では、遮光ユニット５０は、封止樹脂４０内に埋め込まれている。つまり、遮光ユニット５０は、封止樹脂４０の内部に配置されている。
図１および図３に示すように、遮光ユニット５０は、遮光部５１と、一対の支持部５２とを有している。本実施形態では、遮光ユニット５０は、遮光部５１と一対の支持部５２とが一体に形成された単一部品である。すなわち、遮光部５１および一対の支持部５２はそれぞれ、遮光性の樹脂材料からなる。
図６に示すように、遮光部５１は、半導体発光素子３０に対して素子主面３０ｓから離れるｚ方向である上方に離れて配置されている。本実施形態では、遮光部５１は、ワイヤＷよりも上方に配置されている。より詳細には、遮光部５１は、ワイヤＷのうちｚ方向において樹脂主面４０ｓに最も近い部分よりも樹脂主面４０ｓの近くに配置されている。遮光部５１は、ワイヤＷのうちｚ方向において樹脂主面４０ｓに最も近い部分とｚ方向に離間して配置されている。遮光部５１は、封止樹脂４０内に埋め込まれている。このように、封止樹脂４０は、遮光部５１を支持した状態で半導体発光素子３０を封止している。
図３および図５に示すように、遮光部５１は、上方から視て、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓの全面を覆うように配置されている。本実施形態では、上方から視て、遮光部５１の面積は、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓの面積よりも大きい。上方から視た遮光部５１の形状は、矩形状であり、上方から視た半導体発光素子３０の素子主面３０ｓの形状と相似形状である。つまり、本実施形態では、上方から視た遮光部５１の形状は、正方形である。
図５に示すように、遮光部５１は、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓに対してｘ方向のうち基板側面１１（図３参照）に向けてはみ出すはみ出し領域Ｒ１と、素子主面３０ｓに対してｘ方向のうち基板側面１２（図３参照）に向けてはみ出すはみ出し領域Ｒ２と、素子主面３０ｓに対してｙ方向のうち基板側面１３（図３参照）に向けてはみ出すはみ出し領域Ｒ３と、素子主面３０ｓに対してｙ方向のうち基板側面１４（図３参照）に向けてはみ出すはみ出し領域Ｒ４と、を有している。
はみ出し領域Ｒ１は、半導体発光素子３０の第２辺３０ｂからｘ方向にはみ出した領域のうち素子主面３０ｓよりも封止樹脂４０の樹脂側面４１（図３参照）の近くの部分である。はみ出し領域Ｒ２は、半導体発光素子３０の第２辺３０ｂからｘ方向にはみ出した領域のうち素子主面３０ｓよりも封止樹脂４０の樹脂側面４２（図３参照）の近くの部分である。はみ出し領域Ｒ３は、半導体発光素子３０の第１辺３０ａからｙ方向にはみ出した領域のうち素子主面３０ｓよりも封止樹脂４０の樹脂側面４３（図３参照）の近くの部分である。はみ出し領域Ｒ４は、半導体発光素子３０の第１辺３０ａからｙ方向にはみ出した領域のうち素子主面３０ｓよりも封止樹脂４０の樹脂側面４４（図３参照）の近くの部分である。これらはみ出し領域Ｒ１〜Ｒ４からなるはみ出し領域は、上方から視て、素子主面３０ｓをｘ方向およびｙ方向から囲む枠状に形成されている。
このようなはみ出し領域Ｒ１〜Ｒ４によれば、上方から視て、遮光部５１の四隅の角部では、はみ出し領域が互いに重なっている。つまり、遮光部５１のうち基板側面１１（図３参照）および基板側面１３の近くの角部は、はみ出し領域Ｒ１とはみ出し領域Ｒ３とが重なっている。遮光部５１のうち基板側面１１および基板側面１４の近くの角部は、はみ出し領域Ｒ１とはみ出し領域Ｒ４とが重なっている。遮光部５１のうち基板側面１２（図３参照）および基板側面１３の近くの角部は、はみ出し領域Ｒ２とはみ出し領域Ｒ３とが重なっている。遮光部５１のうち基板側面１２および基板側面１４の近くの角部は、はみ出し領域Ｒ２とはみ出し領域Ｒ４とが重なっている。
図５に示すとおり、本実施形態では、上方から視て、遮光部５１の中心位置ＣＸは、半導体発光素子３０の中心位置ＣＡと同じである。これにより、上方から視て、はみ出し領域Ｒ１の面積と、はみ出し領域Ｒ２の面積と、はみ出し領域Ｒ３の面積と、はみ出し領域Ｒ４の面積とはそれぞれ互いに等しい。つまり、各はみ出し領域Ｒ１〜Ｒ４の面積は同一である。ここで、遮光部５１の中心位置ＣＸは、上方から視て、遮光部５１のｘ方向およびｙ方向の中心位置である。半導体発光素子３０の中心位置ＣＡは、上方から視て、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓのｘ方向およびｙ方向の中心位置である。
ここで、上方から視て、遮光部５１の中心位置ＣＸと半導体発光素子３０の中心位置ＣＡとのずれ量がたとえば遮光部５１のｘ方向の長さまたはｙ方向の長さの５％以内であれば、遮光部５１の中心位置ＣＸが半導体発光素子３０の中心位置ＣＡと同じであるといえる。また、はみ出し領域Ｒ１の面積と、はみ出し領域Ｒ２の面積と、はみ出し領域Ｒ３の面積と、はみ出し領域Ｒ４の面積との差がたとえばはみ出し領域Ｒ１の１０％以内であれば、はみ出し領域Ｒ１の面積と、はみ出し領域Ｒ２の面積と、はみ出し領域Ｒ３の面積と、はみ出し領域Ｒ４の面積とはそれぞれ互いに等しいといえる。
図６に示すように、本実施形態では、上方から視て、半導体発光素子３０の中心位置ＣＡは、封止樹脂４０の中心位置ＣＢと同じである。換言すると、本実施形態では、上方から視て、遮光部５１の中心位置ＣＸは、封止樹脂４０の中心位置ＣＢと同じである。
ここで、上方から視て、半導体発光素子３０の中心位置ＣＡと封止樹脂４０の中心位置ＣＢとのずれ量がたとえば封止樹脂４０のｘ方向の長さまたはｙ方向の長さの５％以内であれば、半導体発光素子３０の中心位置ＣＡが封止樹脂４０の中心位置ＣＢと同じであるといえる。また、上方から視て、遮光部５１の中心位置ＣＸと封止樹脂４０の中心位置ＣＢとのずれ量がたとえば封止樹脂４０のｘ方向の長さまたはｙ方向の長さの５％以内であれば、遮光部５１の中心位置ＣＸが封止樹脂４０の中心位置ＣＢと同じであるといえる。
このように、本実施形態では、上方から視て、ｘ方向における半導体発光素子３０と封止樹脂４０の樹脂側面４１との間の距離と、ｘ方向における半導体発光素子３０と封止樹脂４０の樹脂側面４２との間の距離とが互いに等しい。また上方から視て、ｙ方向における半導体発光素子３０と封止樹脂４０の樹脂側面４３との間の距離と、ｙ方向における半導体発光素子３０と封止樹脂４０の樹脂側面４４との間の距離とが互いに等しい。
上方から視て、ｘ方向における遮光部５１と樹脂側面４１との間の距離と、ｘ方向における遮光部５１と樹脂側面４２との間の距離とが互いに等しい。また上方から視て、ｙ方向における遮光部５１と樹脂側面４３との間の距離と、ｙ方向における遮光部５１と樹脂側面４４との間の距離とが等しい。
図６に示すように、遮光部５１は、半導体発光素子３０に向けて突出する凸部５１ａを有している。凸部５１ａは、半導体発光素子３０に向けて突出する湾曲面を有している。本実施形態では、凸部５１ａは、半導体発光素子３０に向けて突出する球面を有している。図６に示すとおり、凸部５１ａの球面は、遮光部５１の中心位置ＣＸにおいて半導体発光素子３０に最も近づくように形成されている。
本実施形態では、遮光部５１のうちｚ方向において凸部５１ａとは反対側の面、すなわち遮光部５１のうち樹脂主面４０ｓと同じ側を向く面である上面５１ｂは、ｚ方向に直交する平坦面からなる。
図３に示すように、一対の支持部５２は、遮光部５１のｙ方向の両端部からｙ方向に沿って延びている。一対の支持部５２は、平板状に形成されている。一対の支持部５２の板厚は、遮光部５１の厚さ（遮光部５１の上面５１ｂから凸部５１ａの先端面までのｚ方向の長さ）よりも薄い。上方から視た各支持部５２の形状は、ｙ方向に延びる帯状である。一対の支持部５２は、基板側面１３に向けて延びる支持部５２Ａと、基板側面１４に向けて延びる支持部５２Ｂと、を有している。ｙ方向における支持部５２Ａの先端面は樹脂側面４３から露出しており、ｙ方向における支持部５２Ｂの先端面は樹脂側面４４から露出している。
図７に示すように、一対の支持部５２のうちｚ方向において基板１０とは反対側を向く面である上面５２ａは、遮光部５１の上面５１ｂと面一である。なお、遮光部５１に対する一対の支持部５２のｚ方向の位置は任意に変更可能である。一例では、ｚ方向において、一対の支持部５２の上面５２ａが遮光部５１の上面５１ｂよりも下方に位置してもよいし、上方に位置してもよい。
（半導体発光装置の製造方法）
図８〜図１８を参照して、本実施形態の半導体発光装置１Ａの製造方法について説明する。本実施形態では、図１３、図１５、図１６および図１８に示すように、複数の半導体発光装置１Ａを同時に製造する。
図８に示すように、半導体発光装置１Ａの製造方法は、基材８００を用意する工程を備えている。基材８００は、図２に示す基板１０をなす部材である。基材８００は、たとえば電気絶縁性を有する材料から構成されている。基材８００の材料として、たとえばガラスエポキシ樹脂が用いられている。基材８００は、ｚ方向において互いに反対側を向く基材主面８０１および基材裏面８０２を有している。この工程において、図示していないが、基材８００には複数の貫通孔８０３（図１３参照）が設けられている。これら貫通孔８０３は、図３に示す基板１０の第１貫通溝１６および第２貫通溝１７をなす。
図９に示すように、半導体発光装置１Ａの製造方法は、主面電極８２０ｓ、裏面電極８２０ｒおよび接続電極８２４を形成する工程を備えている。主面電極８２０ｓは、図３に示す主面電極２０ｓをなす部材であり、裏面電極８２０ｒは、図４に示す裏面電極２０ｒをなす部材である。接続電極８２４は、図３に示す接続電極２４をなす部材である。
主面電極８２０ｓ、裏面電極８２０ｒおよび接続電極８２４はそれぞれ、図示していないが、金属層および導電層を有している。本実施形態では、主面電極８２０ｓ、裏面電極８２０ｒおよび接続電極８２４はそれぞれ、金属層と導電層との積層体からなる。主面電極８２０ｓ、裏面電極８２０ｒおよび接続電極８２４はそれぞれ、金属層を形成する工程と、金属層に対してフォトリソグラフィによってマスクを形成する工程と、金属層に接する導電層を形成する工程とを経て形成される。
まず、たとえばスパッタリング法によって金属層を形成する。金属層は、たとえばＴｉ層およびＣｕ層を含む。金属層の形成方法としては、基材８００の基材主面８０１、基材裏面８０２および貫通孔８０３の内壁面にそれぞれＴｉ層を形成し、それらＴｉ層に接するＣｕ層を形成する。次に、たとえば感光性を有するレジスト層（図示略）によって金属層を覆い、そのレジスト層を露光・現像し、開口を有するマスクを形成する。次に、たとえば金属層を導電経路とした電解めっき法によってマスクから露出した金属層の表面にめっき金属を析出させて導電層を形成する。次に、マスクを除去し、たとえばエッチングによって金属層のうち導電層が積層された部分以外の部分を除去する。このような工程によって、主面電極８２０ｓ、裏面電極８２０ｒおよび接続電極８２４が形成される。
図１０に示すように、半導体発光装置１Ａの製造方法は、半導体発光素子３０を実装する工程を備えている。本実施形態では、主面電極８２０ｓ上に半導体発光素子３０を実装する。
より詳細には、主面電極８２０ｓのうち半導体発光素子３０が載せられる部分には、共晶接合層ＢＭが形成される。そして共晶接合層ＢＭ上に半導体発光素子３０が載せられる。そして、半導体発光素子３０の素子裏面３０ｒと主面電極８２０ｓを接触させた状態で加熱、およびｚ方向に加圧することによって半導体発光素子３０と主面電極８２０ｓとを接合している。
図１１に示すように、半導体発光装置１Ａの製造方法は、ワイヤＷを形成する工程を備えている。ワイヤＷは、ワイヤボンディング装置によるワイヤボンディングによって形成される。ワイヤＷは、たとえばＡｕ、ＣｕまたはＡｌからなる。
図１２に示すように、半導体発光装置１Ａの製造方法は、主面絶縁層８２３ｓおよび裏面絶縁層８２３ｒを形成する工程を備えている。主面絶縁層８２３ｓは、図３に示す主面絶縁層２３ｓをなす部材であり、裏面絶縁層８２３ｒは、図４に示す裏面絶縁層２３ｒをなす部材である。
主面絶縁層８２３ｓは、レジスト層であり、ソルダーレジスト層と称される。主面絶縁層８２３ｓの形成方法としては、たとえばフィルム状のレジストを、主面電極８２０ｓを覆うように基材主面８０１に圧着して貼り付けた後、硬化させる。
裏面絶縁層８２３ｒは、レジスト層である。裏面絶縁層８２３ｒの形成方法としては、たとえばフィルム状のレジストを、基材裏面８０２に圧着して貼り付けた後、硬化させる。なお、主面絶縁層８２３ｓおよび裏面絶縁層８２３ｒはそれぞれ、液体レジストを用いて形成してもよい。
図１３〜図１６に示すように、半導体発光装置１Ａの製造方法は、遮光ユニット５０を配置する工程を備えている。ここで、図１３では、ｘ方向に２個の半導体発光装置１Ａ、ｙ方向に３個の半導体発光装置１Ａが形成されるように、主面電極８２０ｓ、主面絶縁層８２３ｓ、接続電極８２４および貫通孔８０３が形成されており、半導体発光素子３０が実装されている。
図１５に示すように、遮光ユニット保持体８６０を基材８００の基材主面８０１に配置する。図１４に示すように、遮光ユニット保持体８６０は、ｙ方向において複数（本実施形態では３個）の遮光ユニット５０が連結された２個の遮光ユニット連結体８５０と、複数の遮光ユニット連結体８５０を保持する一対の保持部８６１と、を有している。２個の遮光ユニット連結体８５０は、ｘ方向において互いに離間して配列されている。
図１５に示すように、上方から視て、各遮光ユニット５０の遮光部５１が半導体発光素子３０の素子主面３０ｓの全体を覆うように、遮光ユニット保持体８６０が基材主面８０１に配置されている。
図１６に示すように、遮光ユニット連結体８５０は、各半導体発光素子３０よりも上方に離れて配置されている。遮光ユニット連結体８５０は、各半導体発光素子３０に接続されたワイヤＷよりも上方に離れて配置されている。
図１７に示すように、半導体発光装置１Ａの製造方法は、樹脂層８４０を形成する工程を備えている。樹脂層８４０は、図２の封止樹脂４０をなす部材である。樹脂層８４０は、透光性を有する樹脂材料からなる。本実施形態では、樹脂層８４０は、透明あるいは半透明の、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニル系樹脂等が用いられている。図１８に示すように、樹脂層８４０は、ｙ方向において配列された複数（本実施形態では３個）の半導体発光素子３０および遮光ユニット連結体８５０を封止している。つまり、遮光ユニット連結体８５０は、樹脂層８４０内に埋め込まれている。
図１８に示すように、半導体発光装置１Ａの製造方法は、基材８００および樹脂層８４０を切断する工程を備えている。たとえば、図１８における一点鎖線の太線で示す切断線ＣＬに沿ってダイシングブレードによって樹脂層８４０および基材８００を切断する。これにより、個片化されて封止樹脂４０、遮光ユニット５０および基板１０が形成される。以上の工程を経て、半導体発光装置１Ａが製造される。
（作用）
図１９および図２０を参照して、本実施形態の半導体発光装置１Ａの作用について説明する。なお、図１９および図２０は、理解の便宜上、ワイヤＷを省略して示している。また図２０は、理解の便宜上、第２主面電極２２ｓ、主面絶縁層２３ｓ、第２接続電極２４Ｂを省略して示している。
図１９および図２０に示すように、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓから上方に向けて出射された光が遮光部５１の凸部５１ａのうち遮光部５１の中心位置ＣＸ付近に当たると、その光は凸部５１ａにおいて基板１０に向けて反射する。これにより、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓから上方に向かう光が遮光される。
また、図１９および図２０に示すように、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓから上方に向けて出射された光が凸部５１ａのうち遮光部５１の中心位置ＣＸ付近よりも上方部分に当たると、その光は凸部５１ａにおいて樹脂側面４１〜４４に向けて反射する。
また、図２０に示すように、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓから上方に向けて出射された光が遮光部５１の凸部５１ａのうちさらに上方部分に当たると、その上方部分で反射し、一対の支持部５２に当たらなければ、樹脂側面４３，４４のうち樹脂主面４０ｓの近くの部分から出射する。このため、上方から半導体発光装置１Ａを視た場合に樹脂主面４０ｓの外周部分の光が強くなる。
このように、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓから上方に向けて光が出射されると、上方から視て遮光部５１によって素子主面３０ｓが覆われた部分では光の透過が抑制されるため、上方から半導体発光装置１Ａを視た場合に半導体発光素子３０の素子主面３０ｓから上方に向かう光の強さが弱くなる。ここで、光の強さとは、輝度、光度または照度である。このため、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓから上方に向かう光の強さと、半導体発光装置１Ａの周囲、たとえば封止樹脂４０の樹脂側面４１〜４４から出射する光の強さとの差が小さくなる。
また、遮光部５１の凸部５１ａが球面状に形成されているため、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓから上方に向けて出射された光は、凸部５１ａで反射して樹脂側面４１〜４４のそれぞれから出射する。つまり、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓからの光は、凸部５１ａによって樹脂側面４１〜４４に導かれる。したがって、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓから上方に向かう光の強さと、封止樹脂４０の樹脂側面４１〜４４から出射する光の強さとの差が一層小さくなる。
（効果）
本実施形態の半導体発光装置１Ａによれば、以下の効果が得られる。
（１−１）半導体発光装置１Ａは、上方から視て半導体発光素子３０の素子主面３０ｓの全体を覆う遮光部５１と、遮光部５１を支持した状態で半導体発光素子３０を封止する透光性の封止樹脂４０と、を備えている。この構成によれば、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓから上方に向かう光が遮光部５１によって遮られるため、素子主面３０ｓから上方に向けて出射される光の強さが弱くなる。したがって、素子主面３０ｓから上方に向けて出射される光の強さと半導体発光装置１Ａの周囲の光の強さとの差が小さくなるため、上方から半導体発光装置１Ａを視た場合に半導体発光素子３０の素子主面３０ｓが局所的に強く光って見えることを抑制できる。加えて、封止樹脂４０を用いて、遮光部５１を半導体発光素子３０よりも上方に離れた状態で支持された状態を維持することができる。
（１−２）遮光部５１は、封止樹脂４０内に埋め込まれている。この構成によれば、遮光部５１が封止樹脂４０の樹脂主面４０ｓ上に配置される構成と比較して、遮光部５１と半導体発光素子３０の素子主面３０ｓとのｚ方向の間の距離を短くすることができる。したがって、遮光部５１が半導体発光素子３０の素子主面３０ｓからの光をより多く遮ることができる。したがって、素子主面３０ｓから上方に向けて出射される光の強さと半導体発光装置１Ａの周囲の光の強さとの差をより小さくすることができ、上方から半導体発光装置１Ａを視た場合に半導体発光素子３０の素子主面３０ｓが局所的に強く光って見えることを一層抑制できる。
（１−３）遮光部５１は、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓに形成された第１電極３１に接続されたワイヤＷよりも上方に配置されている。この構成によれば、たとえば半導体発光装置１Ａの製造時においてｘ方向およびｙ方向における遮光ユニット５０の配置のずれに起因して遮光部５１とワイヤＷとが干渉することを抑制できる。
（１−４）上方から視て、遮光部５１の面積は、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓの面積よりも大きい。この構成によれば、遮光部５１が半導体発光素子３０の素子主面３０ｓからの光をより多く遮ることができる。したがって、素子主面３０ｓから上方に向けて出射される光の強さと半導体発光装置１Ａの周囲の光の強さとの差をより小さくすることができ、上方から半導体発光装置１Ａを視た場合に半導体発光素子３０の素子主面３０ｓが局所的に強く光って見えることを一層抑制できる。
（１−５）遮光部５１は、半導体発光素子３０に向けて突出する凸部５１ａを有している。凸部５１ａは、半導体発光素子３０に向かうにつれて互いに接近するように湾曲する湾曲面を有している。この構成によれば、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓから上方に向かう光が凸部５１ａに反射して封止樹脂４０の樹脂側面４１〜４４のいずれかから出射する。したがって、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓから上方に向かう光の強さを弱めつつ、封止樹脂４０の樹脂側面４１〜４４のいずれかから出射する光の強さを強くすることができる。したがって、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓから上方に向かう光の強さと、封止樹脂４０の樹脂側面４１〜４４のいずれかから出射する光の強さとの差が一層小さくなる。
（１−６）凸部５１ａは、球面からなる。この構成によれば、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓからの光が凸部５１ａに反射して封止樹脂４０の樹脂側面４１〜４４から出射する。したがって、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓから上方に向かう光の強さを弱めつつ、封止樹脂４０の樹脂側面４１〜４４から出射する光の強さを強くすることができる。したがって、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓから上方に向かう光の強さと、封止樹脂４０の樹脂側面４１〜４４から出射する光の強さとの差が一層小さくなる。
（１−７）上方から視て半導体発光素子３０の素子主面３０ｓに対する遮光部５１のはみ出し領域Ｒ１〜Ｒ４の面積はそれぞれ互いに等しい。この構成によれば、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓから上方に向かう光が凸部５１ａに反射して封止樹脂４０の樹脂側面４１〜４４からそれぞれ出射する光の強さのばらつきを抑制できる。
（１−８）遮光ユニット５０は、一対の支持部５２を有している。一対の支持部５２は、遮光性の材料からなる。この構成によれば、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓからの光が一対の支持部５２によっても遮られるため、素子主面３０ｓから上方に向けて出射される光の強さを一層弱めることができる。
（１−９）一対の支持部５２は、封止樹脂４０の樹脂側面４３，４４からそれぞれ露出している。この構成によれば、半導体発光装置１Ａの製造時において複数の半導体発光素子３０に対して複数の遮光部５１を連結した遮光ユニット連結体８５０によって複数の半導体発光素子３０に対して複数の遮光部５１が個別に配置される。そして樹脂層８４０を切断して封止樹脂４０を形成する工程において複数の遮光部５１を連結している部分も併せて切断されることによって一対の支持部５２が形成される。このとき、一対の支持部５２が樹脂側面４３，４４から露出するようになる。このように、複数の半導体発光装置１Ａを同時に製造する場合に、複数の半導体発光素子３０に対して複数の遮光部５１を容易に個別に配置することができる。
（１−１０）遮光ユニット５０は、金属材料から構成されてもよい。この構成によれば、遮光ユニット５０が樹脂材料からなる場合と比較して、所定の遮光性を有する遮光部５１の厚さ（遮光部５１のｚ方向の大きさ）を薄くすることができる。したがって、半導体発光装置１Ａの低背化を図ることができる。
［第２実施形態］
図２１〜図３０を参照して、第２実施形態の半導体発光装置１Ｂについて説明する。本実施形態の半導体発光装置１Ｂは、第１実施形態の半導体発光装置１Ａと比較して、封止樹脂４０の構成および遮光ユニット５０の構成がそれぞれ異なる。以下の説明において、第１実施形態の半導体発光装置１Ａと共通の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する場合がある。
（半導体発光装置の構成）
図２１〜図２３を参照して、本実施形態の半導体発光装置１Ｂの構成について説明する。図２１および図２３に示すように、封止樹脂４０は、第１樹脂層４０Ａおよび第２樹脂層４０Ｂを有しており、第１樹脂層４０Ａ上に第２樹脂層４０Ｂが積層された構成である。第１樹脂層４０Ａおよび第２樹脂層４０Ｂは、互いに同じ材料からなる。本実施形態では、各樹脂層４０Ａ，４０Ｂは透光性を有する樹脂材料からなる。このような樹脂材料として、透明あるいは半透明の、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニル系樹脂等が用いられている。本実施形態では、各樹脂層４０Ａ，４０Ｂは、透明のエポキシ樹脂からなる。
第１樹脂層４０Ａは、基板１０に接する樹脂層であり、主面電極２０ｓの一部、主面絶縁層２３ｓの一部、半導体発光素子３０およびワイヤＷを封止している。第１樹脂層４０Ａは、ｚ方向において基板１０の基板主面１０ｓと同じ側を向く第１樹脂主面４０Ａｓを有している。ｚ方向において、第１樹脂主面４０Ａｓは、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓおよびワイヤＷよりも上方に配置されている。第１樹脂主面４０Ａｓは、ｚ方向において素子主面３０ｓおよびワイヤＷよりも上方に離間して形成されている。本実施形態では、第１樹脂主面４０Ａｓは、ｚ方向に直交する平坦面からなる。
第２樹脂層４０Ｂは、第１樹脂層４０Ａの第１樹脂主面４０Ａｓに接する樹脂層であり、遮光ユニット５０を封止している。このように、第１樹脂主面４０Ａｓは、第１樹脂層４０Ａと第２樹脂層４０Ｂとの界面を構成している。第２樹脂層４０Ｂは、樹脂主面４０ｓを有している。
遮光ユニット５０は、第１樹脂層４０Ａ上に配置されており、第２樹脂層４０Ｂによって覆われている。つまり、遮光ユニット５０は、封止樹脂４０内に埋め込まれている。遮光ユニット５０は、遮光性の材料からなり、本実施形態では、白色のナイロンまたはシリコーン樹脂からなる。
遮光ユニット５０は、遮光部５１からなる。つまり、本実施形態の遮光ユニット５０は、第１実施形態の遮光ユニット５０とは異なり、一対の支持部５２（図１参照）を有していない。このため、本実施形態の遮光ユニット５０は、封止樹脂４０の樹脂側面４３，４４から露出する部分を有していない。
遮光部５１は、第１樹脂主面４０Ａｓ上に配置されている。図２２および図２３に示すように、本実施形態では、遮光部５１は、上方から視た形状が円形となる薄板状に形成されている。つまり、本実施形態の遮光部５１は、第１実施形態のような凸部５１ａ（図６参照）を有していない。
なお、上方から視た遮光部５１の形状は任意に変更可能である。一例では、上方から視た遮光部５１の形状は、上方から視た半導体発光素子３０の素子主面３０ｓの形状と相似形状であってもよい。
図２２に示すように、上方から視て、遮光部５１は、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓの全体を覆うように設けられている。本実施形態では、上方から視た遮光部５１の面積は、上方から視た素子主面３０ｓの面積よりも大きい。
図２１に示すとおり、本実施形態では、遮光部５１の中心位置ＣＸは、半導体発光素子３０の中心位置ＣＡと同じである。ここで、遮光部５１の中心位置ＣＸと半導体発光素子３０の中心位置ＣＡとのずれ量がたとえば遮光部５１のｘ方向の長さまたはｙ方向の長さの５％以内であれば、遮光部５１の中心位置ＣＸが半導体発光素子３０の中心位置ＣＡと同じであるといえる。
図２２から分かるとおり、上方から視て、遮光部５１は、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓに対してｘ方向のうち封止樹脂４０の樹脂側面４１に向けてはみ出すはみ出し領域と、素子主面３０ｓに対してｘ方向のうち封止樹脂４０の樹脂側面４２に向けてはみ出すはみ出し領域と、素子主面３０ｓに対してｙ方向のうち封止樹脂４０の樹脂側面４３に向けてはみ出すはみ出し領域と、素子主面３０ｓに対してｙ方向のうち封止樹脂４０の樹脂側面４４に向けてはみ出すはみ出し領域と、を有している。上方から視て、これらはみ出し領域の形状はそれぞれ、弓形である。またこれらはみ出し領域の面積はそれぞれ互いに等しい。
（半導体発光装置の製造方法）
図２４〜図３０を参照して、本実施形態の半導体発光装置１Ｂの製造方法について説明する。本実施形態の半導体発光装置１Ｂの製造方法は、第１実施形態の半導体発光装置１Ａの製造方法と比較して、樹脂層を形成する工程および遮光ユニット５０を形成する工程が主に異なる。以下の説明においては、樹脂層を形成する工程および遮光ユニット５０を形成する工程について詳細に説明する。
まず、半導体発光装置１Ｂの製造方法は、基材８００を用意する工程と、主面電極８２０ｓ、裏面電極８２０ｒおよび接続電極８２４を形成する工程と、半導体発光素子３０を実装する工程と、ワイヤＷを形成する工程と、主面絶縁層８２３ｓおよび裏面絶縁層８２３ｒを形成する工程と、を備えている。これら工程は、図８〜図１２に示す第１実施形態の半導体発光装置１Ａの製造方法と同様である。
次に、図２４および図２５に示すように、半導体発光装置１Ｂの製造方法は、第１樹脂層８４０Ａを形成する工程を備えている。この工程は、ワイヤＷを形成する工程の後に実施される。第１樹脂層８４０Ａは、半導体発光素子３０およびワイヤＷを封止する樹脂層４０Ａをなす部材である。第１樹脂層８４０Ａは、透光性を有する樹脂材料からなり、本実施形態では、透明のエポキシ樹脂からなる。図２４に示すように、第１樹脂層８４０Ａは、ｙ方向から視た形状が略台形状となるように形成されている。図２５に示すように、第１樹脂層８４０Ａは、ｙ方向に配列された複数（本実施形態では３個）の半導体発光素子３０およびこれら半導体発光素子３０に個別に接続されたワイヤＷを封止するように形成されている。本実施形態では、ｘ方向において間隔をあけて２個の第１樹脂層８４０Ａが形成されている。この工程では、たとえばトランスファ成型によって第１樹脂層８４０Ａを形成する。
図２６および図２７に示すように、半導体発光装置１Ｂの製造方法は、遮光ユニット５０を形成する工程を備えている。図２６に示すように、遮光ユニット５０は、第１樹脂層８４０Ａの第１樹脂主面８４０Ａｓ上に形成されている。遮光ユニット５０は、たとえば遮光性のナイロンをディスペンサ装置によって第１樹脂主面８４０Ａｓにポッティングすることによって形成される。図２７に示すように、第１樹脂主面８４０Ａｓ上に複数の遮光ユニット５０が形成されている。より詳細には、複数の遮光ユニット５０は、各半導体発光素子３０の素子主面３０ｓの全体を覆うように個別に形成されている。
図２８および図２９に示すように、半導体発光装置１Ｂの製造方法は、第２樹脂層８４０Ｂを形成する工程を備えている。第２樹脂層８４０Ｂは、遮光ユニット５０を覆う樹脂層４０Ｂをなす部材である。第２樹脂層８４０Ｂは、透光性を有する樹脂材料からなり、本実施形態では、透明のエポキシ樹脂からなる。つまり、本実施形態では、第２樹脂層８４０Ｂは、第１樹脂層８４０Ａと同じ材料からなる。図２８に示すように、第２樹脂層８４０Ｂは、ｙ方向から視た形状が略台形状となるように形成されている。図２９に示すように、第２樹脂層８４０Ｂは、ｙ方向に配列された複数の遮光ユニット５０を封止するように形成されている。この工程では、たとえばトランスファ成型によって第２樹脂層８４０Ｂを形成する。
図３０に示すように、半導体発光装置１Ｂの製造方法は、第１樹脂層８４０Ａ、第２樹脂層８４０Ｂおよび基材８００を切断する工程を備えている。たとえば、図３０における一点鎖線の太線で示す切断線ＣＬに沿ってダイシングブレードによって第２樹脂層８４０Ｂ、第１樹脂層８４０Ａおよび基材８００を切断する。これにより、個片化されて封止樹脂４０および基板１０が形成される。以上の工程を経て、半導体発光装置１Ｂが製造される。
（効果）
本実施形態の半導体発光装置１Ｂによれば、第１実施形態の半導体発光装置１Ａの（１−１）〜（１−４）に準じた効果に加え、以下の効果が得られる。
（２−１）遮光部５１は、半導体発光素子３０およびワイヤＷを封止した第１樹脂層４０Ａの第１樹脂主面４０Ａｓ上に形成されている。この構成によれば、第１樹脂主面４０Ａｓは、半導体発光素子３０およびワイヤＷよりも上方に位置しているため、遮光部５１が半導体発光素子３０およびワイヤＷを接触することを確実に抑制できる。
（２−２）遮光ユニット５０は、遮光部５１が第１樹脂主面４０Ａｓ上に形成されているため、一対の支持部５２を有していない。このため、遮光部５１の形状を簡素化できるため、遮光部５１は、ポッティング等によって容易に形成できる。
（２−３）遮光部５１は凸部５１ａを有していない。遮光部５１は、薄板状に形成されている。この構成によれば、封止樹脂４０のｚ方向の大きさを小さくすることができるため、半導体発光装置１Ａの低背化を図ることができる。
［第３実施形態］
図３１〜図４５を参照して、第３実施形態の半導体発光装置１Ｃについて説明する。本実施形態の半導体発光装置１Ｃは、第１実施形態の半導体発光装置１Ａと比較して、半導体発光素子３０の数、基板１０の構成および封止樹脂４０の構成が主に異なる。以下の説明において、第１実施形態の半導体発光装置１Ａと共通の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する場合がある。
（半導体発光装置の構成）
図３１〜図３６を参照して、本実施形態の半導体発光装置１Ｃの構成について説明する。図３１に示すように、半導体発光装置１Ｃは、複数の半導体発光素子３０として第１半導体発光素子３０Ｒ、第２半導体発光素子３０Ｇおよび第３半導体発光素子３０Ｂと、第２半導体発光素子３０Ｇに過大な逆電圧が印加されることを回避するためのツェナーダイオード３３Ｇと、第３半導体発光素子３０Ｂに過大な逆電圧が印加されることを回避するためのツェナーダイオード３３Ｂと、を備えている。
本実施形態では、第１半導体発光素子３０Ｒは赤色の光を発する発光ダイオードであり、第２半導体発光素子３０Ｇは緑色の光を発する発光ダイオードであり、第３半導体発光素子３０Ｂは青色の光を発する発光ダイオードである。半導体発光装置１Ｃは、各半導体発光素子３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂの単体の出射光と、各半導体発光素子３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂのうち２つの半導体発光素子の出射光を混合した色の光と、各半導体発光素子３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂの出射光を混合した白色の光とを出射する。
図３３に示すように、第１半導体発光素子３０Ｒは、たとえばＧａＡｓ基板とＡｌＧａＩｎＰ半導体層とを有する１ワイヤタイプのＬＥＤチップとして構成されている。第１半導体発光素子３０Ｒの第１素子裏面３０Ｒｒには裏面電極となる第１電極３１（アノード電極）が形成されており、第１半導体発光素子３０Ｒの素子主面３０Ｒｓには主面電極となる第２電極３２（カソード電極）が形成されている。なお、第１半導体発光素子３０Ｒとして、たとえばＧｅ（ゲルマニウム）やＳｉ（シリコン）などの導電性基板とＡｌＧａＩｎＰ半導体層とを金属層（反射層）で接合した高輝度タイプの発光ダイオードを用いてもよい。上方から視た第１半導体発光素子３０Ｒの素子主面３０Ｒｓの形状は、ｘ方向に延びる一対の第１辺３０ａと、ｙ方向に延びる一対の第２辺３０ｂと、を有する矩形状である。本実施形態では、上方から視た素子主面３０Ｒｓの形状は、正方形である。また本実施形態では、第１半導体発光素子３０Ｒの素子主面３０Ｒｓは、第１半導体発光素子３０Ｒのうち光を出射する発光主面である。つまり、第１半導体発光素子３０Ｒは、上方に向けて光を出射するものである。
第２半導体発光素子３０Ｇは、たとえばサファイヤ基板やＳｉＣ基板とＧａＮ系半導体層とを有する２ワイヤタイプのＬＥＤチップとして構成されている。第２半導体発光素子３０Ｇの素子主面３０Ｇｓには、２つの主面電極として第１電極３１（アノード電極）および第２電極３２（カソード電極）が形成されている。なお、第２半導体発光素子３０Ｇとして、たとえばＧｅやＳｉなどの導電性基板とＧａＮ系半導体層とを金属層（反射層）で接合した高輝度タイプの発光ダイオードを用いてもよい。上方から視た第２半導体発光素子３０Ｇの素子主面３０Ｇｓの形状は、ｘ方向に延びる一対の第１辺３０ａと、ｙ方向に延びる一対の第２辺３０ｂと、を有する矩形状である。本実施形態では、上方から視た素子主面３０Ｇｓの形状は、正方形である。また本実施形態では、第２半導体発光素子３０Ｇの素子主面３０Ｇｓは、第２半導体発光素子３０Ｇのうち光を出射する発光主面である。つまり、第２半導体発光素子３０Ｇは、上方に向けて光を出射するものである。
第３半導体発光素子３０Ｂは、たとえばサファイヤ基板やＳｉＣ基板とＧａＮ系半導体層とを有する２ワイヤタイプのＬＥＤチップとして構成されている。第３半導体発光素子３０Ｂの素子主面３０Ｂｓには、２つの主面電極として第１電極３１（アノード電極）および第２電極３２（カソード電極）が形成されている。なお、第３半導体発光素子３０Ｂとして、たとえばゲルマニウムやシリコンなどの導電性基板とＧａＮ系半導体層とを金属層（反射層）で接合した高輝度タイプの発光ダイオードを用いてもよい。上方から視た第３半導体発光素子３０Ｂの素子主面３０Ｂｓの形状は、ｘ方向に延びる一対の第１辺３０ａと、ｙ方向に延びる一対の第２辺３０ｂと、を有する矩形状である。本実施形態では、上方から視た素子主面３０Ｂｓの形状は、正方形である。また本実施形態では、第３半導体発光素子３０Ｂの素子主面３０Ｂｓは、第３半導体発光素子３０Ｂのうち光を出射する発光主面である。つまり、第３半導体発光素子３０Ｂは、上方に向けて光を出射するものである。
図３１に示すように、ツェナーダイオード３３Ｇは、第２半導体発光素子３０Ｇと電気的に接続されている。本実施形態では、ツェナーダイオード３３Ｇは、第２半導体発光素子３０Ｇと逆並列に接続されている。より詳細には、ツェナーダイオード３３Ｇは、主面電極（アノード電極）および裏面電極（カソード電極）を有している。ツェナーダイオード３３Ｇの主面電極は第２半導体発光素子３０Ｇの第２電極３２（カソード電極）と電気的に接続されており、ツェナーダイオード３３Ｇの裏面電極は第２半導体発光素子３０Ｇの第１電極３１（アノード電極）と電気的に接続されている。
ツェナーダイオード３３Ｂは、第３半導体発光素子３０Ｂと電気的に接続されている。本実施形態では、ツェナーダイオード３３Ｂは、第３半導体発光素子３０Ｂと逆並列に接続されている。より詳細には、ツェナーダイオード３３Ｂは、主面電極（アノード電極）および裏面電極（カソード電極）を有している。ツェナーダイオード３３Ｂの主面電極は第３半導体発光素子３０Ｂの第２電極３２（カソード電極）と電気的に接続されており、ツェナーダイオード３３Ｂの裏面電極は第３半導体発光素子３０Ｂの第１電極３１（アノード電極）と電気的に接続されている。
半導体発光装置１Ｃは、各半導体発光素子３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂおよび各ツェナーダイオード３３Ｇ，３３Ｂを支持するリード６０と、リード６０を保持する保持部材７０（図３２参照）と、各半導体発光素子３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂおよび各ツェナーダイオード３３Ｇ，３３Ｂを封止する透光性の封止樹脂８０と、を備えている。本実施形態では、リード６０および保持部材７０から基板を構成している。以降の説明において、ｚ方向のうち保持部材７０（リード６０）から封止樹脂８０に向かう方向を上方といい、封止樹脂８０から保持部材７０（リード６０）に向かう方向を下方という場合がある。
図３１および図３２に示すように、保持部材７０は、電気絶縁性を有する材料からなり、本実施形態ではたとえば黒色のエポキシ樹脂からなる。保持部材７０は、平板状に形成されている。上方から視た保持部材７０の形状は、矩形状である。保持部材７０は、ｚ方向において互いに反対側を向く主面７０ｓおよび裏面７０ｒ（図３４参照）と、ｚ方向において主面７０ｓと裏面７０ｒとの間に設けられた４つの側面７１〜７４と、を有している。
側面７１および側面７２は、ｘ方向において互いに反対側を向く面である。上方から視て、側面７１および側面７２はそれぞれ、ｙ方向に沿って延びている。側面７３および側面７４は、ｙ方向において互いに反対側を向く面である。上方から視て、側面７３および側面７４はそれぞれ、ｘ方向に沿って延びている。
リード６０は、半導体発光装置１Ｃの端子を構成している。リード６０は、たとえばＣｕ、Ｎｉ、またはこれらの合金によって形成されている。リード６０は、各半導体発光素子３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂのアノード端子を構成するアノード用リード６０Ａと、各半導体発光素子３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂのカソード端子を構成するカソード用リード６０Ｋと、を有している。
アノード用リード６０Ａは、ｘ方向において保持部材７０の側面７２寄りに配置されている。より詳細には、アノード用リード６０Ａは、保持部材７０のｘ方向の中央よりも側面７２の近くに配置されている。アノード用リード６０Ａは、第１半導体発光素子３０Ｒの第１電極３１（アノード電極）に接続される第１アノード用リード６０ＡＲと、第２半導体発光素子３０Ｇの第１電極３１（アノード電極）に接続される第２アノード用リード６０ＡＧと、第３半導体発光素子３０Ｂの第１電極３１（アノード電極）に接続される第３アノード用リード６０ＡＢと、を有している。第１アノード用リード６０ＡＲ、第２アノード用リード６０ＡＧおよび第３アノード用リード６０ＡＢは、ｘ方向において互いに揃った状態でｙ方向において互いに離間して配列されている。第１アノード用リード６０ＡＲは、ｙ方向において保持部材７０の中央に配置されている。第２アノード用リード６０ＡＧは、ｙ方向において第１アノード用リード６０ＡＲよりも側面７４の近くに配置されている。第３アノード用リード６０ＡＢは、ｙ方向において第１アノード用リード６０ＡＲよりも側面７３の近くに配置されている。各アノード用リード６０ＡＲ，６０ＡＧ，６０ＡＢは、保持部材７０によって互いに電気的に絶縁されている。
第１アノード用リード６０ＡＲは、ｘ方向に向けて延びている。第１アノード用リード６０ＡＲは、第１アノード端子部６１ＡＲと第１アノード支持部６２ＡＲとを有している。本実施形態では、第１アノード用リード６０ＡＲは、第１アノード端子部６１ＡＲと第１アノード支持部６２ＡＲとが一体に形成された単一部品である。ｘ方向において、第１アノード端子部６１ＡＲは保持部材７０の側面７２寄りに位置しており、第１アノード支持部６２ＡＲは保持部材７０のｘ方向の中央寄りに位置している。第１アノード端子部６１ＡＲの先端部は、保持部材７０の側面７２からｘ方向に突出している。図３２に示すように、下方から視て、第１アノード端子部６１ＡＲの全体は、保持部材７０の裏面７０ｒから露出している。
図３１に示すように、第１アノード支持部６２ＡＲは、第１アノード用リード６０ＡＲにおいてドットが付された部分である。本実施形態では、第１アノード支持部６２ＡＲの幅の大きさ（第１アノード支持部６２ＡＲのｙ方向の大きさ）は、第１アノード端子部６１ＡＲの幅の大きさ（第１アノード端子部６１ＡＲのｙ方向の大きさ）よりも大きい。図３４に示すように、第１アノード支持部６２ＡＲの厚さ（第１アノード支持部６２ＡＲのｚ方向の大きさ）は、第１アノード端子部６１ＡＲの厚さ（第１アノード端子部６１ＡＲのｚ方向の大きさ）よりも薄い。第１アノード支持部６２ＡＲのうち保持部材７０の主面７０ｓと同じ側を向く面と、第１アノード支持部６２ＡＲのうち保持部材７０の主面７０ｓと同じ側を向く面とは面一となる。第１アノード支持部６２ＡＲのうち保持部材７０の裏面７０ｒと同じ側を向く面は、保持部材７０によって覆われている。このため、図３２に示すように、下方から視て、第１アノード支持部６２ＡＲは、保持部材７０の裏面７０ｒから露出していない。
図３１および図３３に示すように、第１アノード支持部６２ＡＲは、第１半導体発光素子３０Ｒを支持している。より詳細には、第１アノード支持部６２ＡＲには、たとえばはんだやＡｇペースト等の導電性接合材ＢＪを介して第１半導体発光素子３０Ｒが実装されている。本実施形態では、第１半導体発光素子３０Ｒは、第１アノード支持部６２ＡＲのｘ方向の先端部寄りに配置されている。
第２アノード用リード６０ＡＧは、ｘ方向に向けて延びている。第２アノード用リード６０ＡＧは、第２アノード端子部６１ＡＧと第２アノード支持部６２ＡＧとを有している。本実施形態では、第２アノード用リード６０ＡＧは、第２アノード端子部６１ＡＧと第２アノード支持部６２ＡＧとが一体に形成された単一部品である。ｘ方向において、第２アノード端子部６１ＡＧは保持部材７０の側面７２寄りに位置しており、第２アノード支持部６２ＡＧは保持部材７０のｘ方向の中央寄りに位置している。第２アノード端子部６１ＡＧの先端部は、保持部材７０の側面７２からｘ方向に突出している。図３２に示すように、下方から視て、第２アノード端子部６１ＡＧの全体は、保持部材７０の裏面７０ｒから露出している。
図３１に示すように、第２アノード支持部６２ＡＧは、第２アノード用リード６０ＡＧにおいてドットが付された部分である。本実施形態では、第２アノード支持部６２ＡＧの幅の大きさ（第２アノード支持部６２ＡＧのｙ方向の大きさ）は、第２アノード端子部６１ＡＧの幅の大きさ（第２アノード端子部６１ＡＧのｙ方向の大きさ）よりも大きい。図示していないが、第１アノード用リード６０ＡＲと同様に、第２アノード支持部６２ＡＧの厚さ（第２アノード支持部６２ＡＧのｚ方向の大きさ）は、第２アノード端子部６１ＡＧの厚さ（第２アノード端子部６１ＡＧのｚ方向の大きさ）よりも薄い。第２アノード支持部６２ＡＧのうち保持部材７０の主面７０ｓと同じ側を向く面と、第２アノード端子部６１ＡＧのうち保持部材７０の主面７０ｓと同じ側を向く面とは面一となる。第２アノード支持部６２ＡＧのうち保持部材７０の裏面７０ｒと同じ側を向く面は、保持部材７０によって覆われている。このため、図３２に示すように、下方から視て、第２アノード支持部６２ＡＧは、保持部材７０の裏面７０ｒから露出していない。
図３１に示すように、第２アノード支持部６２ＡＧは、ツェナーダイオード３３Ｇを支持している。より詳細には、第２アノード支持部６２ＡＧには、たとえば導電性接合材ＢＪを介してツェナーダイオード３３Ｇが実装されている。つまり、ツェナーダイオード３３Ｇの裏面電極（アノード電極）が導電性接合材ＢＪを介して第２アノード支持部６２ＡＧに接続されている。これにより、ツェナーダイオード３３Ｇの裏面電極（アノード電極）と第２アノード用リード６０ＡＧとが電気的に接続されている。本実施形態では、ツェナーダイオード３３Ｇは、ｙ方向において第１半導体発光素子３０Ｒよりも保持部材７０の側面７４の近くに配置されており、ｘ方向において第１半導体発光素子３０Ｒよりも保持部材７０の側面７２寄りに配置されている。
図３１に示すように、第３アノード用リード６０ＡＢは、ｘ方向に向けて延びている。第３アノード用リード６０ＡＢは、第３アノード端子部６１ＡＢと第３アノード支持部６２ＡＢとを有している。本実施形態では、第３アノード用リード６０ＡＢは、第３アノード端子部６１ＡＢと第３アノード支持部６２ＡＢとが一体に形成された単一部品である。ｘ方向において、第３アノード端子部６１ＡＢは保持部材７０の側面７２寄りに位置しており、第３アノード支持部６２ＡＢは保持部材７０のｘ方向の中央寄りに位置している。第３アノード端子部６１ＡＢの先端部は、保持部材７０の側面７２からｘ方向に突出している。図３２に示すように、下方から視て、第３アノード端子部６１ＡＢの全体は、保持部材７０の裏面７０ｒから露出している。
図３１に示すように、第３アノード支持部６２ＡＢは、第３アノード用リード６０ＡＢにおいてドットが付された部分である。本実施形態では、第３アノード支持部６２ＡＢの幅の大きさ（第３アノード支持部６２ＡＢのｙ方向の大きさ）は、第３アノード端子部６１ＡＢの幅の大きさ（第３アノード端子部６１ＡＢのｙ方向の大きさ）よりも大きい。図示していないが、第１アノード用リード６０ＡＲと同様に、第３アノード支持部６２ＡＢの厚さ（第３アノード支持部６２ＡＢのｚ方向の大きさ）は、第３アノード端子部６１ＡＢの厚さ（第３アノード端子部６１ＡＢのｚ方向の大きさ）よりも薄い。第３アノード支持部６２ＡＢのうち保持部材７０の主面７０ｓと同じ側を向く面と、第３アノード端子部６１ＡＢのうち保持部材７０の主面７０ｓと同じ側を向く面とは面一となる。第３アノード支持部６２ＡＢのうち保持部材７０の裏面７０ｒと同じ側を向く面は、保持部材７０によって覆われている。このため、図３２に示すように、下方から視て、第３アノード支持部６２ＡＢは、保持部材７０の裏面７０ｒから露出していない。
図３１に示すように、第３アノード支持部６２ＡＢは、ツェナーダイオード３３Ｂを支持している。より詳細には、第３アノード支持部６２ＡＢには、たとえば導電性接合材ＢＪを介してツェナーダイオード３３Ｂが実装されている。つまり、ツェナーダイオード３３Ｂの裏面電極（アノード電極）が導電性接合材ＢＪを介して第３アノード支持部６２ＡＢに接続されている。これにより、ツェナーダイオード３３Ｂの裏面電極（アノード電極）と第３アノード用リード６０ＡＢとが電気的に接続されている。本実施形態では、ツェナーダイオード３３Ｂは、ｙ方向において第１半導体発光素子３０Ｒよりも保持部材７０の側面７３の近くに配置されており、ｘ方向において第１半導体発光素子３０Ｒよりも保持部材７０の側面７２寄りに配置されている。またツェナーダイオード３３Ｂは、ｘ方向においてツェナーダイオード３３Ｇと揃っている。
カソード用リード６０Ｋは、ｘ方向において保持部材７０の側面７１寄りに配置されている。より詳細には、カソード用リード６０Ｋは、保持部材７０のｘ方向の中央よりも側面７１の近くに配置されている。カソード用リード６０Ｋは、第１半導体発光素子３０Ｒの第２電極３２（カソード電極）に接続される第１カソード用リード６０ＫＲと、第２半導体発光素子３０Ｇの第２電極３２（カソード電極）に接続される第２カソード用リード６０ＫＧと、第３半導体発光素子３０Ｂの第２電極３２（カソード電極）に接続される第３カソード用リード６０ＫＢと、を有している。第１カソード用リード６０ＫＲ、第２カソード用リード６０ＫＧおよび第３カソード用リード６０ＫＢは、ｙ方向において互いに離間して配列されている。第１カソード用リード６０ＫＲは、ｙ方向において保持部材７０の中央に配置されている。第２カソード用リード６０ＫＧは、ｙ方向において第１カソード用リード６０ＫＲよりも側面７４の近くに配置されている。第３カソード用リード６０ＫＢは、ｙ方向において第１カソード用リード６０ＫＲよりも側面７３の近くに配置されている。各カソード用リード６０ＫＲ，６０ＫＧ，６０ＫＢは、保持部材７０によって互いに電気的に絶縁されている。
第１カソード用リード６０ＫＲは、ｘ方向に向けて延びている。上方から視た第１カソード用リード６０ＫＲの形状は、Ｔ字状である。第１カソード用リード６０ＫＲは、第１カソード端子部６１ＫＲと第１カソード支持部６２ＫＲとを有している。本実施形態では、第１カソード用リード６０ＫＲは、第１カソード端子部６１ＫＲと第１カソード支持部６２ＫＲとが一体に形成された単一部品である。ｘ方向において、第１カソード端子部６１ＫＲは保持部材７０の側面７１寄りに位置しており、第１カソード支持部６２ＫＲは保持部材７０のｘ方向の中央寄りに位置している。第１カソード端子部６１ＫＲの先端部は、保持部材７０の側面７１からｘ方向に突出している。図３２に示すように、下方から視て、第１カソード端子部６１ＫＲの全体は、保持部材７０の裏面７０ｒから露出している。ｙ方向において、第１カソード端子部６１ＫＲは、第１アノード用リード６０ＡＲの第１アノード端子部６１ＡＲと揃っている。
図３１に示すように、第１カソード支持部６２ＫＲは、第１カソード用リード６０ＫＲのうちドットが付された部分である。本実施形態では、第１カソード支持部６２ＫＲの幅の大きさ（第１カソード支持部６２ＫＲのｙ方向の大きさ）は、第１カソード端子部６１ＫＲの幅の大きさ（第１カソード端子部６１ＫＲのｙ方向の大きさ）よりも大きい。図３４に示すように、第１カソード支持部６２ＫＲの厚さ（第１カソード支持部６２ＫＲのｚ方向の大きさ）は、第１カソード端子部６１ＫＲの厚さ（第１カソード端子部６１ＫＲのｚ方向の大きさ）よりも薄い。第１カソード支持部６２ＫＲのうち保持部材７０の主面７０ｓと同じ側を向く面と、第１カソード支持部６２ＫＲのうち保持部材７０の主面７０ｓと同じ側を向く面とは面一となる。第１カソード支持部６２ＫＲのうち保持部材７０の裏面７０ｒと同じ側を向く面は、保持部材７０によって覆われている。このため、図３２に示すように、下方から視て、第１カソード支持部６２ＫＲは、保持部材７０の裏面７０ｒから露出していない。
図３１に示すように、第１カソード用リード６０ＫＲと、第１半導体発光素子３０Ｒの第２電極３２とは、導電性のワイヤＷ１によって接続されている。これにより、第１カソード用リード６０ＫＲと第１半導体発光素子３０Ｒの第２電極３２とが電気的に接続されている。
図３１に示すように、上方から視た第２カソード用リード６０ＫＧの形状は、Ｌ字状である。第２カソード用リード６０ＫＧは、ｙ方向において保持部材７０の側面７４側およびｘ方向において保持部材７０の側面７２側から第１カソード用リード６０ＫＲを取り囲むように形成されている。第２カソード用リード６０ＫＧは、第２カソード端子部６１ＫＧと第２カソード支持部６２ＫＧとを有している。本実施形態では、第２カソード用リード６０ＫＧは、第２カソード端子部６１ＫＧと第２カソード支持部６２ＫＧとが一体に形成された単一部品である。ｘ方向において、第２カソード端子部６１ＫＧは保持部材７０の側面７１寄りに位置しており、第２カソード支持部６２ＫＧは保持部材７０のｘ方向の中央寄りに位置している。第２カソード端子部６１ＫＧの先端部は、保持部材７０の側面７１からｘ方向に突出している。図３２に示すように、第１カソード用リード６０ＫＲと同様に、下方から視て、第２カソード端子部６１ＫＧの全体は、保持部材７０の裏面７０ｒから露出している。ｙ方向において、第２カソード端子部６１ＫＧは、第２アノード用リード６０ＡＧの第２アノード端子部６１ＡＧと揃っている。
図３１に示すように、上方から視た第２カソード支持部６２ＫＧの形状は、Ｌ字状である。つまり、第２カソード支持部６２ＫＧは、ｙ方向から視て第１カソード用リード６０ＫＲの第１カソード支持部６２ＫＲと重なる第１部分と、ｘ方向から視て第１カソード支持部６２ＫＲと重なる第２部分と、を有している。この第２部分は、ｘ方向において第１カソード用リード６０ＫＲと第１アノード用リード６０ＡＲとの間に位置している。本実施形態では、第２カソード支持部６２ＫＧの幅の大きさ（第２カソード支持部６２ＫＧのｙ方向の大きさ）は、第２カソード端子部６１ＫＧの幅の大きさ（第２カソード端子部６１ＫＧのｙ方向の大きさ）よりも大きい。図示していないが、第１カソード用リード６０ＫＲと同様に、第２カソード支持部６２ＫＧの厚さ（第２カソード支持部６２ＫＧのｚ方向の大きさ）は、第２カソード端子部６１ＫＧの厚さ（第２カソード端子部６１ＫＧのｚ方向の大きさ）よりも薄い。第２カソード支持部６２ＫＧのうち保持部材７０の主面７０ｓと同じ側を向く面と、第２カソード支持部６２ＫＧのうち保持部材７０の主面７０ｓと同じ側を向く面とは面一となる。第２カソード支持部６２ＫＧのうち保持部材７０の裏面７０ｒと同じ側を向く面は、保持部材７０によって覆われている。このため、図３２に示すように、下方から視て、第２カソード支持部６２ＫＧは、保持部材７０の裏面７０ｒから露出していない。
図３１に示すように、第２カソード支持部６２ＫＧは、第２半導体発光素子３０Ｇを支持している。より詳細には、第２カソード支持部６２ＫＧには、導電性接合材ＢＪを介して第２半導体発光素子３０Ｇが実装されている。第２半導体発光素子３０Ｇは、ｙ方向において、第２カソード端子部６１ＫＧよりも保持部材７０のｙ方向の中央寄りに配置されている。第２半導体発光素子３０Ｇは、ｘ方向において、第１カソード用リード６０ＫＲと第１アノード用リード６０ＡＲとの間に配置されている。
第２半導体発光素子３０Ｇの第１電極３１（アノード電極）と第２アノード用リード６０ＡＧとは導電性のワイヤＷ２によって接続されている。より詳細には、第２半導体発光素子３０Ｇの第１電極３１に接続されたワイヤＷ２は、第２アノード用リード６０ＡＧの第２アノード支持部６２ＡＧのうちツェナーダイオード３３Ｇよりも第２カソード用リード６０ＫＧ寄りの部分に接続されている。これにより、第２半導体発光素子３０Ｇの第１電極３１と第２アノード用リード６０ＡＧとは電気的に接続されている。
第２半導体発光素子３０Ｇの第２電極３２（カソード電極）と第２カソード用リード６０ＫＧとはワイヤＷ３によって接続されている。より詳細には、第２半導体発光素子３０Ｇの第２電極３２に接続されたワイヤＷ３は、第２カソード用リード６０ＫＧの第２カソード支持部６２ＫＧと第２カソード端子部６１ＫＧとの境界部分に接続されている。これにより、第２半導体発光素子３０Ｇの第２電極３２と第２カソード用リード６０ＫＧとは電気的に接続されている。
図３１に示すように、上方から視た第３カソード用リード６０ＫＢの形状は、Ｌ字状である。第３カソード用リード６０ＫＢは、ｙ方向において保持部材７０の側面７３側およびｘ方向において保持部材７０の側面７２側から第１カソード用リード６０ＫＲを取り囲むように形成されている。第３カソード用リード６０ＫＢは、第３カソード端子部６１ＫＢと第３カソード支持部６２ＫＢとを有している。本実施形態では、第３カソード用リード６０ＫＢは、第３カソード端子部６１ＫＢと第３カソード支持部６２ＫＢとが一体に形成された単一部品である。ｘ方向において、第３カソード端子部６１ＫＢは保持部材７０の側面７１寄りに位置しており、第３カソード支持部６２ＫＢは保持部材７０のｘ方向の中央寄りに位置している。第３カソード端子部６１ＫＢの先端部は、保持部材７０の側面７１からｘ方向に突出している。図３２に示すように、第１カソード用リード６０ＫＲと同様に、下方から視て、第３カソード端子部６１ＫＢの全体は、保持部材７０の裏面７０ｒから露出している。ｙ方向において、第３カソード端子部６１ＫＢは、第３アノード用リード６０ＡＢの第３アノード端子部６１ＡＢと揃っている。
図３１に示すように、上方から視た第３カソード支持部６２ＫＢの形状は、Ｌ字状である。つまり、第３カソード支持部６２ＫＢは、ｙ方向から視て第１カソード用リード６０ＫＲの第１カソード支持部６２ＫＲと重なる第１部分と、ｘ方向から視て第１カソード支持部６２ＫＲと重なる第２部分と、を有している。この第２部分は、ｘ方向において第１カソード用リード６０ＫＲと第１アノード用リード６０ＡＲとの間に位置している。本実施形態では、第３カソード支持部６２ＫＢの幅の大きさ（第３カソード支持部６２ＫＢのｙ方向の大きさ）は、第３カソード端子部６１ＫＢの幅の大きさ（第３カソード端子部６１ＫＢのｙ方向の大きさ）よりも大きい。図示していないが、第１カソード用リード６０ＫＲと同様に、第３カソード支持部６２ＫＢの厚さ（第３カソード支持部６２ＫＢのｚ方向の大きさ）は、第３カソード端子部６１ＫＢの厚さ（第３カソード端子部６１ＫＢのｚ方向の大きさ）よりも薄い。第３カソード支持部６２ＫＢのうち保持部材７０の主面７０ｓと同じ側を向く面と、第３カソード支持部６２ＫＢのうち保持部材７０の主面７０ｓと同じ側を向く面とは面一となる。第３カソード支持部６２ＫＢのうち保持部材７０の裏面７０ｒと同じ側を向く面は、保持部材７０によって覆われている。このため、図３２に示すように、下方から視て、第３カソード支持部６２ＫＢは、保持部材７０の裏面７０ｒから露出していない。
図３１に示すように、第３カソード支持部６２ＫＢは、第３半導体発光素子３０Ｂを支持している。より詳細には、第３カソード支持部６２ＫＢには、導電性接合材ＢＪを介して第３半導体発光素子３０Ｂが実装されている。第３半導体発光素子３０Ｂは、ｙ方向において、第３カソード端子部６１ＫＢよりも保持部材７０のｙ方向の中央寄りに配置されている。第３半導体発光素子３０Ｂは、ｘ方向において、第１カソード用リード６０ＫＲと第１アノード用リード６０ＡＲとの間に配置されている。
第３半導体発光素子３０Ｂの第１電極３１（アノード電極）と第３アノード用リード６０ＡＢとはワイヤＷ４によって接続されている。より詳細には、第３半導体発光素子３０Ｂの第１電極３１に接続されたワイヤＷ４は、第３アノード用リード６０ＡＢの第３アノード支持部６２ＡＢのうちツェナーダイオード３３Ｂよりも第３カソード用リード６０ＫＢ寄りの部分に接続されている。これにより、第３半導体発光素子３０Ｂの第１電極３１と第３アノード用リード６０ＡＢとは電気的に接続されている。
第３半導体発光素子３０Ｂの第２電極３２（カソード電極）と第３カソード用リード６０ＫＢとはワイヤＷ５によって接続されている。より詳細には、第３半導体発光素子３０Ｂの第２電極３２に接続されたワイヤＷ５は、第３カソード用リード６０ＫＢの第３カソード支持部６２ＫＢと第３カソード端子部６１ＫＢとの境界部分に接続されている。これにより、第３半導体発光素子３０Ｂの第２電極３２と第３カソード用リード６０ＫＢとは電気的に接続されている。
ツェナーダイオード３３Ｇの表面電極（カソード電極）と第２カソード用リード６０ＫＧとはワイヤＷ６によって接続されている。より詳細には、ツェナーダイオード３３Ｇの表面電極に接続されたワイヤＷ６は、第２カソード用リード６０ＫＧの第２カソード支持部６２ＫＧに接続されている。これにより、ツェナーダイオード３３Ｇの表面電極（カソード電極）と第２カソード用リード６０ＫＧとは電気的に接続されている。
ツェナーダイオード３３Ｂの表面電極（カソード電極）と第３カソード用リード６０ＫＢとはワイヤＷ７によって接続されている。より詳細には、ツェナーダイオード３３Ｂの表面電極に接続されたワイヤＷ７は、第３カソード用リード６０ＫＢの第３カソード支持部６２ＫＢに接続されている。これにより、ツェナーダイオード３３Ｂの表面電極（カソード電極）と第３カソード用リード６０ＫＢとは電気的に接続されている。
上述のワイヤＷ１〜Ｗ７はそれぞれ、導電性の金属材料からなり、たとえばＡｕ、Ａｌ、またはＣｕからなる。ワイヤＷ１〜Ｗ７はそれぞれ、ワイヤボンディングによって形成されている。
封止樹脂８０は、透明または半透明の材料からなり、本実施形態では、透明のエポキシ樹脂からなる。図３４〜図３６に示すように、封止樹脂８０は、リード６０および保持部材７０の主面７０ｓ上に配置されている。封止樹脂８０は、直方体状に形成されている。
封止樹脂８０は、保持部材７０の主面７０ｓとｚ方向において同じ側を向く樹脂主面８０ｓと、樹脂側面８１〜８４（図３１参照）と、を有している。図３１に示すように、樹脂側面８１および樹脂側面８２は、ｘ方向において互いに反対側を向いている。樹脂側面８１は保持部材７０の側面７１と同じ側を向いており、樹脂側面８２は保持部材７０の側面７２と同じ側を向いている。上方から視て、樹脂側面８１および樹脂側面８２はそれぞれ、ｙ方向に沿って延びている。本実施形態では、樹脂側面８１は保持部材７０の側面７１と面一となり、樹脂側面８２は保持部材７０の側面７２と面一となる。樹脂側面８３および樹脂側面８４は、ｙ方向において互いに反対側を向いている。樹脂側面８３は保持部材７０の側面７３と同じ側を向いており、樹脂側面８４は保持部材７０の側面７４と同じ側を向いている。上方から視て、樹脂側面８３および樹脂側面８４はそれぞれ、ｘ方向に沿って延びている。本実施形態では、樹脂側面８３は保持部材７０の側面７３と面一となり、樹脂側面８４は保持部材７０の側面７４と面一となる。
図３１に示すように、半導体発光装置１Ｃは、複数の遮光ユニット５０を備えている。本実施形態では、半導体発光装置１Ｃは、複数の遮光ユニット５０として、第１半導体発光素子３０Ｒから上方に向けて出射する光を遮光する第１遮光ユニット５０Ｒと、第２半導体発光素子３０Ｇから上方に向けて出射する光を遮光する第２遮光ユニット５０Ｇと、第３半導体発光素子３０Ｂから上方に向けて出射する光を遮光する第３遮光ユニット５０Ｂと、を有している。これら遮光ユニット５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂは、可視光や赤外光を遮光するものであり、たとえば液晶ポリマー、ナイロン、シリコン、金属材料等からなる。本実施形態では、各遮光ユニット５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂは、白色の液晶ポリマーからなる。なお、各遮光ユニット５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂは、白色に限られず、他の色（たとえば黒色）であってもよい。
図３４に示すように、第１遮光ユニット５０Ｒは、第１半導体発光素子３０Ｒよりも上方に離れて配置されている。本実施形態では、第１遮光ユニット５０Ｒは、ｚ方向において、ワイヤＷ１のうちｚ方向において樹脂主面８０ｓに最も近い部分よりも樹脂主面８０ｓの近くに配置されている。つまり、第１遮光ユニット５０Ｒは、ワイヤＷ１よりも上方に離れて配置されている。本実施形態では、第１遮光ユニット５０Ｒは、封止樹脂８０内に埋め込まれている。つまり、第１遮光ユニット５０Ｒは、封止樹脂８０の内部に配置されている。
第１遮光ユニット５０Ｒは、遮光部５１Ｒと、一対の支持部５２Ｒとを有している。本実施形態では、第１遮光ユニット５０Ｒは、遮光部５１Ｒと一対の支持部５２Ｒとが一体に形成された単一部品である。
図３３に示すように、遮光部５１Ｒは、第１半導体発光素子３０Ｒに対して、素子主面３０Ｒｓから離れるｚ方向である上方に離れて配置されている。遮光部５１Ｒは、ワイヤＷ１よりも上方に配置されている。より詳細には、遮光部５１Ｒは、ワイヤＷ１のうちｚ方向において樹脂主面８０ｓに最も近い部分よりも樹脂主面８０ｓの近くに配置されている。遮光部５１Ｒは、ワイヤＷ１のうちｚ方向において樹脂主面８０ｓに最も近い部分とｚ方向に離間して配置されている。遮光部５１Ｒは、封止樹脂８０内に埋め込まれている。つまり、遮光部５１Ｒは、封止樹脂８０の内部に配置されている。
図３１に示すように、遮光部５１Ｒは、ｙ方向において保持部材７０の中央に配置されている。遮光部５１Ｒは、ｘ方向において封止樹脂８０の中央よりも樹脂側面８２の近くに配置されている。図３３に示すように、遮光部５１Ｒは、上方から視て、第１半導体発光素子３０Ｒの素子主面３０Ｒｓの全面を覆うように配置されている。本実施形態では、上方から視て、遮光部５１Ｒの面積は、第１半導体発光素子３０Ｒの素子主面３０Ｒｓの面積よりも大きい。上方から視た遮光部５１Ｒの形状は、矩形状であり、上方から視た第１半導体発光素子３０Ｒの素子主面３０Ｒｓの形状と相似形状である。つまり、本実施形態では、上方から視た遮光部５１Ｒの形状は、正方形である。
遮光部５１Ｒは、第１半導体発光素子３０Ｒの素子主面３０Ｒｓに対してｘ方向のうち封止樹脂８０の樹脂側面８１（図３１参照）に向けてはみ出すはみ出し領域Ｒｒ１と、素子主面３０Ｒｓに対してｘ方向のうち封止樹脂８０の樹脂側面８２（図３１参照）に向けてはみ出すはみ出し領域Ｒｒ２と、素子主面３０Ｒｓに対してｙ方向のうち封止樹脂８０の樹脂側面８３（図３１参照）に向けてはみ出すはみ出し領域Ｒｒ３と、素子主面３０Ｒｓに対してｙ方向のうち封止樹脂８０の樹脂側面８４（図３１参照）に向けてはみ出すはみ出し領域Ｒｒ４と、を有している。
はみ出し領域Ｒｒ１は、第１半導体発光素子３０Ｒの素子主面３０Ｒｓの第２辺３０ｂからｘ方向にはみ出した領域のうち素子主面３０Ｒｓよりも封止樹脂８０の樹脂側面８１の近くの部分である。はみ出し領域Ｒｒ２は、第１半導体発光素子３０Ｒの素子主面３０Ｒｓの第２辺３０ｂからｘ方向にはみ出した領域のうち素子主面３０Ｒｓよりも封止樹脂８０の樹脂側面８２の近くの部分である。はみ出し領域Ｒｒ３は、第１半導体発光素子３０Ｒの素子主面３０Ｒｓの第１辺３０ａからｙ方向にはみ出した領域のうち素子主面３０Ｒｓよりも封止樹脂８０の樹脂側面８３の近くの部分である。はみ出し領域Ｒｒ４は、第１半導体発光素子３０Ｒの素子主面３０Ｒｓの第１辺３０ａからｙ方向にはみ出した領域のうち素子主面３０Ｒｓよりも封止樹脂８０の樹脂側面８４の近くの部分である。
このようなはみ出し領域Ｒｒ１〜Ｒｒ４によれば、上方から視て、遮光部５１Ｒの四隅の角部では、はみ出し領域が互いに重なっている。つまり、遮光部５１Ｒのうち封止樹脂８０の樹脂側面８１および樹脂側面８３の近くの角部は、はみ出し領域Ｒｒ１とはみ出し領域Ｒｒ３とが重なっている。遮光部５１Ｒのうち封止樹脂８０の樹脂側面８１および樹脂側面８４の近くの角部は、はみ出し領域Ｒｒ１とはみ出し領域Ｒｒ４とが重なっている。遮光部５１Ｒのうち封止樹脂８０の樹脂側面８２および樹脂側面８３の近くの角部は、はみ出し領域Ｒｒ２とはみ出し領域Ｒｒ３とが重なっている。遮光部５１Ｒのうち封止樹脂８０の樹脂側面８２および樹脂側面８４の近くの角部は、はみ出し領域Ｒｒ２とはみ出し領域Ｒｒ４とが重なっている。
図３３に示すとおり、本実施形態では、遮光部５１Ｒの中心位置ＣＸｒは、第１半導体発光素子３０Ｒの中心位置ＣＡｒと同じである。これにより、上方から視て、はみ出し領域Ｒｒ１の面積と、はみ出し領域Ｒｒ２の面積と、はみ出し領域Ｒｒ３の面積と、はみ出し領域Ｒｒ４の面積とはそれぞれ互いに等しい。つまり、各はみ出し領域Ｒｒ１〜Ｒｒ４の面積は同一である。
ここで、第１半導体発光素子３０Ｒの中心位置ＣＡｒは、上方から視て、第１半導体発光素子３０Ｒの素子主面３０Ｒｓのｘ方向およびｙ方向の中心位置である。また、遮光部５１Ｒの中心位置ＣＸｒと第１半導体発光素子３０Ｒの中心位置ＣＡｒとのずれ量がたとえば遮光部５１Ｒのｘ方向の長さまたはｙ方向の長さの５％以内であれば、遮光部５１Ｒの中心位置ＣＸｒが第１半導体発光素子３０Ｒの中心位置ＣＡｒと同じであるといえる。また、はみ出し領域Ｒｒ１の面積と、はみ出し領域Ｒｒ２の面積と、はみ出し領域Ｒｒ３の面積と、はみ出し領域Ｒｒ４の面積との差がたとえばはみ出し領域Ｒｒ１の１０％以内であれば、はみ出し領域Ｒｒ１の面積と、はみ出し領域Ｒｒ２の面積と、はみ出し領域Ｒｒ３の面積と、はみ出し領域Ｒｒ４の面積とはそれぞれ互いに等しいといえる。
図３４に示すように、遮光部５１Ｒは、第１半導体発光素子３０Ｒに向けて突出する凸部５１Ｒａを有している。凸部５１Ｒａは、第１半導体発光素子３０Ｒに向けて突出する湾曲面を有している。本実施形態では、凸部５１Ｒａは、第１半導体発光素子３０Ｒに向けて突出する球面を有している。図３４に示すとおり、凸部５１Ｒａの球面は、遮光部５１Ｒの中心位置ＣＸｒにおいて第１半導体発光素子３０Ｒに最も近づくように形成されている。
本実施形態では、遮光部５１Ｒのうちｚ方向において凸部５１Ｒａとは反対側の面、すなわち遮光部５１Ｒのうち樹脂主面８０ｓと同じ側を向く上面５１Ｒｂは、ｚ方向に直交する平坦面からなる。
図３１に示すように、一対の支持部５２Ｒは、ｙ方向において保持部材７０の中央に配置されている。一対の支持部５２Ｒは、遮光部５１Ｒのｘ方向の両端部からｘ方向に沿って延びている。一対の支持部５２Ｒは、平板状に形成されている。一対の支持部５２Ｒの板厚は、遮光部５１Ｒの厚さ（遮光部５１Ｒの上面５１Ｒｂから凸部５１Ｒａの先端面までのｚ方向の長さ）よりも薄い。上方から視た各支持部５２Ｒの形状は、ｘ方向に延びる帯状である。一対の支持部５２Ｒは、封止樹脂８０の樹脂側面８１に向けて延びる支持部５２ＲＡと、封止樹脂８０の樹脂側面８２に向けて延びる支持部５２ＲＢと、を有している。ｘ方向における支持部５２ＲＡの先端面は封止樹脂８０の樹脂側面８１から露出しており、ｘ方向における支持部５２ＲＢの先端面は封止樹脂８０の樹脂側面８２から露出している。本実施形態では、支持部５２ＲＡのｘ方向の長さは、支持部５２ＲＢのｘ方向の長さよりも長い。
図３４に示すように、一対の支持部５２Ｒのうちｚ方向において保持部材７０とは反対側を向く上面５２Ｒａは、遮光部５１Ｒの上面５１Ｒｂと面一である。なお、遮光部５１Ｒに対する一対の支持部５２Ｒのｚ方向の位置は任意に変更可能である。一例では、ｚ方向において、一対の支持部５２Ｒの上面５２Ｒａが遮光部５１Ｒの上面５１Ｒｂよりも下方に位置してもよいし、上方に位置してもよい。
図３５に示すように、第２遮光ユニット５０Ｇは、第２半導体発光素子３０Ｇよりも上方に離れて配置されている。本実施形態では、第２遮光ユニット５０Ｇは、ｚ方向において、ワイヤＷ２（図３１参照），Ｗ３のうちｚ方向において樹脂主面８０ｓに最も近い部分よりも樹脂主面８０ｓの近くに配置されている。つまり、第２遮光ユニット５０Ｇは、ワイヤＷ２，Ｗ３よりも上方に離れて配置されている。本実施形態では、第２遮光ユニット５０Ｇは、封止樹脂８０内に埋め込まれている。つまり、第２遮光ユニット５０Ｇは、封止樹脂８０の内部に配置されている。
第２遮光ユニット５０Ｇは、遮光部５１Ｇと、一対の支持部５２Ｇとを有している。本実施形態では、第２遮光ユニット５０Ｇは、遮光部５１Ｇと一対の支持部５２Ｇとが一体に形成された単一部品である。
図３４に示すように、遮光部５１Ｇは、第２半導体発光素子３０Ｇに対して、素子主面３０Ｇｓから離れるｚ方向である上方に離れて配置されている。遮光部５１Ｇは、ワイヤＷ２，Ｗ３よりも上方に配置されている。より詳細には、遮光部５１Ｇは、ワイヤＷ２，Ｗ３（図３１参照）のうちｚ方向において樹脂主面８０ｓに最も近い部分よりも樹脂主面８０ｓの近くに配置されている。遮光部５１Ｇは、ワイヤＷ２，Ｗ３のうちｚ方向において樹脂主面８０ｓに最も近い部分とｚ方向に離間して配置されている。遮光部５１Ｇは、封止樹脂８０内に埋め込まれている。つまり、遮光部５１Ｇは、封止樹脂８０の内部に配置されている。
図３１に示すように、遮光部５１Ｇは、ｘ方向において、第１遮光ユニット５０Ｒの遮光部５１Ｒよりも封止樹脂８０の樹脂側面８１の近くに配置されている。遮光部５１Ｇは、ｙ方向において、遮光部５１Ｒよりも封止樹脂８０の樹脂側面８４寄りに配置されている。ｘ方向から視て、遮光部５１Ｇは、そのｙ方向の両端部のうち封止樹脂８０の樹脂側面８３に近い方の端部は、遮光部５１Ｒのｙ方向の両端部のうち封止樹脂８０の樹脂側面８４に近い方の端部と重なるように配置されている。遮光部５１Ｇは、上方から視て、第２半導体発光素子３０Ｇの素子主面３０Ｇｓの全面を覆うように配置されている。
本実施形態では、上方から視て、遮光部５１Ｇの面積は、第２半導体発光素子３０Ｇの素子主面３０Ｇｓの面積よりも大きい。上方から視た遮光部５１Ｇの形状は、矩形状であり、上方から視た第２半導体発光素子３０Ｇの素子主面３０Ｇｓの形状と相似形状である。つまり、本実施形態では、上方から視た遮光部５１Ｇの形状は、正方形である。本実施形態では、上方から視た遮光部５１Ｇの面積は、上方から視た第１遮光ユニット５０Ｒの遮光部５１Ｒの面積よりも小さい。なお、上方から視た遮光部５１Ｇの面積の大きさは任意に変更可能である。一例では、上方から視た遮光部５１Ｇの面積は、上方から視た遮光部５１Ｒの面積と等しくてもよい。
図３３に示すように、遮光部５１Ｇは、第２半導体発光素子３０Ｇの素子主面３０Ｇｓに対してｘ方向のうち封止樹脂８０の樹脂側面８１（図３１参照）に向けてはみ出すはみ出し領域Ｒｇ１と、素子主面３０Ｇｓに対してｘ方向のうち封止樹脂８０の樹脂側面８２（図３１参照）に向けてはみ出すはみ出し領域Ｒｇ２と、素子主面３０Ｇｓに対してｙ方向のうち封止樹脂８０の樹脂側面８３（図３１参照）に向けてはみ出すはみ出し領域Ｒｇ３と、素子主面３０Ｇｓに対してｙ方向のうち封止樹脂８０の樹脂側面８４（図３１参照）に向けてはみ出すはみ出し領域Ｒｇ４と、を有している。
はみ出し領域Ｒｇ１は、第２半導体発光素子３０Ｇの素子主面３０Ｇｓの第２辺３０ｂからｘ方向にはみ出した領域のうち素子主面３０Ｇｓよりも封止樹脂８０の樹脂側面８１の近くの部分である。はみ出し領域Ｒｇ２は、第２半導体発光素子３０Ｇの素子主面３０Ｇｓの第２辺３０ｂからｘ方向にはみ出した領域のうち素子主面３０Ｇｓよりも封止樹脂８０の樹脂側面８２の近くの部分である。はみ出し領域Ｒｇ３は、第２半導体発光素子３０Ｇの素子主面３０Ｇｓの第１辺３０ａからｙ方向にはみ出した領域のうち素子主面３０Ｇｓよりも封止樹脂８０の樹脂側面８３の近くの部分である。はみ出し領域Ｒｇ４は、第２半導体発光素子３０Ｇの素子主面３０Ｇｓの第１辺３０ａからｙ方向にはみ出した領域のうち素子主面３０Ｇｓよりも封止樹脂８０の樹脂側面８４の近くの部分である。
このようなはみ出し領域Ｒｇ１〜Ｒｇ４によれば、上方から視て、遮光部５１Ｇの四隅の角部では、はみ出し領域が互いに重なっている。つまり、遮光部５１Ｇのうち封止樹脂８０の樹脂側面８１および樹脂側面８３の近くの角部は、はみ出し領域Ｒｇ１とはみ出し領域Ｒｇ３とが重なっている。遮光部５１Ｇのうち封止樹脂８０の樹脂側面８１および樹脂側面８４の近くの角部は、はみ出し領域Ｒｇ１とはみ出し領域Ｒｇ４とが重なっている。遮光部５１Ｇのうち封止樹脂８０の樹脂側面８２および樹脂側面８３の近くの角部は、はみ出し領域Ｒｇ２とはみ出し領域Ｒｇ３とが重なっている。遮光部５１Ｇのうち封止樹脂８０の樹脂側面８２および樹脂側面８４の近くの角部は、はみ出し領域Ｒｇ２とはみ出し領域Ｒｇ４とが重なっている。
図３３に示すとおり、本実施形態では、遮光部５１Ｇの中心位置ＣＸｇは、第２半導体発光素子３０Ｇの中心位置ＣＡｇと同じである。これにより、上方から視て、はみ出し領域Ｒｇ１の面積と、はみ出し領域Ｒｇ２の面積と、はみ出し領域Ｒｇ３の面積と、はみ出し領域Ｒｇ４の面積とはそれぞれ互いに等しい。つまり、各はみ出し領域Ｒｇ１〜Ｒｇ４の面積は同一である。
ここで、第２半導体発光素子３０Ｇの中心位置ＣＡｇは、上方から視て、第２半導体発光素子３０Ｇの素子主面３０Ｇｓのｘ方向およびｙ方向の中心位置である。また、遮光部５１Ｇの中心位置ＣＸｇと第２半導体発光素子３０Ｇの中心位置ＣＡｇとのずれ量がたとえば遮光部５１Ｇのｘ方向の長さまたはｙ方向の長さの５％以内であれば、遮光部５１Ｇの中心位置ＣＸｇが第２半導体発光素子３０Ｇの中心位置ＣＡｇと同じであるといえる。また、はみ出し領域Ｒｇ１の面積と、はみ出し領域Ｒｇ２の面積と、はみ出し領域Ｒｇ３の面積と、はみ出し領域Ｒｇ４の面積との差がたとえばはみ出し領域Ｒｇ１の１０％以内であれば、はみ出し領域Ｒｇ１の面積と、はみ出し領域Ｒｇ２の面積と、はみ出し領域Ｒｇ３の面積と、はみ出し領域Ｒｇ４の面積とはそれぞれ互いに等しいといえる。
図３５に示すように、遮光部５１Ｇは、第２半導体発光素子３０Ｇに向けて突出する凸部５１Ｇａを有している。凸部５１Ｇａは、第２半導体発光素子３０Ｇに向けて突出する湾曲面を有している。本実施形態では、凸部５１Ｇａは、第２半導体発光素子３０Ｇに向けて突出する球面を有している。図３４に示すとおり、凸部５１Ｇａの球面は、遮光部５１Ｇの中心位置ＣＸｇにおいて第２半導体発光素子３０Ｇに最も近づくように形成されている。
本実施形態では、遮光部５１Ｇのうちｚ方向において凸部５１Ｇａとは反対側の面、すなわち遮光部５１Ｇのうち樹脂主面８０ｓと同じ側を向く上面５１Ｇｂは、ｚ方向に直交する平坦面からなる。
図３１に示すように、一対の支持部５２Ｇは、ｙ方向において第１遮光ユニット５０Ｒよりも封止樹脂８０の樹脂側面８４の近くに配置されている。一対の支持部５２Ｇは、遮光部５１Ｇのｘ方向の両端部からｘ方向に沿って延びている。一対の支持部５２Ｇは、平板状に形成されている。図３５に示すように、一対の支持部５２Ｇの板厚は、遮光部５１Ｇの厚さ（遮光部５１Ｇの上面５１Ｇｂから凸部５１Ｇａの先端面までのｚ方向の長さ）よりも薄い。図３１に示すように、上方から視た各支持部５２Ｇの形状は、ｘ方向に延びる帯状である。一対の支持部５２Ｇは、封止樹脂８０の樹脂側面８１に向けて延びる支持部５２ＧＡと、封止樹脂８０の樹脂側面８２に向けて延びる支持部５２ＧＢと、を有している。支持部５２ＧＡの先端面は封止樹脂８０の樹脂側面８１から露出しており、支持部５２ＧＢの先端面は封止樹脂８０の樹脂側面８２から露出している。本実施形態では、支持部５２ＧＢのｘ方向の長さは、支持部５２ＧＡのｘ方向の長さよりも短い。
図３５に示すように、一対の支持部５２Ｇのうちｚ方向において保持部材７０とは反対側を向く上面５２Ｇａは、遮光部５１Ｇの上面５１Ｇｂと面一である。なお、遮光部５１Ｇに対する一対の支持部５２Ｇのｚ方向の位置は任意に変更可能である。一例では、ｚ方向において、一対の支持部５２Ｇの上面５２Ｇａが遮光部５１Ｇの上面５１Ｇｂよりも下方に位置してもよいし、上方に位置してもよい。
図３６に示すように、第３遮光ユニット５０Ｂは、第３半導体発光素子３０Ｂよりも上方に配置されている。本実施形態では、第３遮光ユニット５０Ｂは、ｚ方向において、ワイヤＷ４，Ｗ５（図３１参照）のうちｚ方向において樹脂主面８０ｓに最も近い部分よりも樹脂主面８０ｓの近くに配置されている。つまり、第３遮光ユニット５０Ｂは、ワイヤＷ４，Ｗ５よりも上方に離れて配置されている。本実施形態では、第３遮光ユニット５０Ｂは、封止樹脂８０内に埋め込まれている。つまり、第３遮光ユニット５０Ｂは、封止樹脂８０の内部に配置されている。
第３遮光ユニット５０Ｂは、遮光部５１Ｂと、一対の支持部５２Ｂとを有している。本実施形態では、第３遮光ユニット５０Ｂは、遮光部５１Ｂと一対の支持部５２Ｂとが一体に形成された単一部品である。
図３６に示すように、遮光部５１Ｂは、第３半導体発光素子３０Ｂに対して、素子主面３０Ｂｓから離れるｚ方向である上方に離れて配置されている。遮光部５１Ｂは、ワイヤＷ４，Ｗ５よりも上方に配置されている。より詳細には、遮光部５１Ｂは、ワイヤＷ４（図３１参照），Ｗ５のうちｚ方向において樹脂主面８０ｓに最も近い部分よりも樹脂主面８０ｓの近くに配置されている。遮光部５１Ｂは、ワイヤＷ４，Ｗ５のうちｚ方向において樹脂主面８０ｓに最も近い部分とｚ方向に離間して配置されている。遮光部５１Ｂは、封止樹脂８０に埋め込まれている。
図３３に示すように、遮光部５１Ｂは、上方から視て、第３半導体発光素子３０Ｂの素子主面３０Ｂｓの全面を覆うように配置されている。図３１に示すように、遮光部５１Ｂは、ｘ方向において、第１遮光ユニット５０Ｒの遮光部５１Ｒよりも封止樹脂８０の樹脂側面８１の近くに配置されている。遮光部５１Ｂは、ｙ方向において遮光部５１Ｒよりも封止樹脂８０の樹脂側面８３寄りに配置されている。より詳細には、ｘ方向から視て、遮光部５１Ｂは、そのｙ方向の両端部のうち封止樹脂８０の樹脂側面８４に近い方の端部は、遮光部５１Ｒのｙ方向の両端部のうち封止樹脂８０の樹脂側面８３に近い方の端部と重なるように配置されている。
本実施形態では、上方から視て、遮光部５１Ｂの面積は、第３半導体発光素子３０Ｂの素子主面３０Ｂｓの面積よりも大きい。上方から視た遮光部５１Ｂの形状は、矩形状であり、上方から視た第３半導体発光素子３０Ｂの素子主面３０Ｂｓの形状と相似形状である。つまり、本実施形態では、上方から視た遮光部５１Ｂの形状は、正方形である。本実施形態では、上方から視た遮光部５１Ｂの面積は、上方から視た第１遮光ユニット５０Ｒの遮光部５１Ｒの面積よりも小さい。また上方から視た遮光部５１Ｂの面積は、上方から視た第２遮光ユニット５０Ｇの遮光部５１Ｇの面積と等しい。ここで、上方から視た遮光部５１Ｂの面積と上方から視た遮光部５１Ｇの面積との差がたとえば上方から視た遮光部５１Ｇの面積の５％以内であれば、上方から視た遮光部５１Ｂの面積が上方から視た第２遮光ユニット５０Ｇの遮光部５１Ｇの面積と等しいといえる。なお、上方から視た遮光部５１Ｂの面積の大きさは任意に変更可能である。一例では、上方から視た遮光部５１Ｂの面積は、上方から視た遮光部５１Ｒの面積と等しくてもよい。上方から視た遮光部５１Ｂの面積は、上方から視た遮光部５１Ｇの面積よりも大きくてもよいし、小さくてもよい。
図３３に示すように、遮光部５１Ｂは、第３半導体発光素子３０Ｂの素子主面３０Ｂｓに対してｘ方向のうち封止樹脂８０の樹脂側面８１（図３１参照）に向けてはみ出すはみ出し領域Ｒｂ１と、素子主面３０Ｂｓに対してｘ方向のうち封止樹脂８０の樹脂側面８２（図３１参照）に向けてはみ出すはみ出し領域Ｒｂ２と、素子主面３０Ｂｓに対してｙ方向のうち封止樹脂８０の樹脂側面８３（図３１参照）に向けてはみ出すはみ出し領域Ｒｂ３と、素子主面３０Ｂｓに対してｙ方向のうち封止樹脂８０の樹脂側面８４（図３１参照）に向けてはみ出すはみ出し領域Ｒｂ４と、を有している。
はみ出し領域Ｒｂ１は、第３半導体発光素子３０Ｂの素子主面３０Ｂｓの第２辺３０ｂからｘ方向にはみ出した領域のうち素子主面３０Ｂｓよりも封止樹脂８０の樹脂側面８１の近くの部分である。はみ出し領域Ｒｂ２は、第３半導体発光素子３０Ｂの素子主面３０Ｂｓの第２辺３０ｂからｘ方向にはみ出した領域のうち素子主面３０Ｂｓよりも封止樹脂８０の樹脂側面８２の近くの部分である。はみ出し領域Ｒｂ３は、第３半導体発光素子３０Ｂの素子主面３０Ｂｓの第１辺３０ａからｙ方向にはみ出した領域のうち素子主面３０Ｂｓよりも封止樹脂８０の樹脂側面８３の近くの部分である。はみ出し領域Ｒｂ４は、第３半導体発光素子３０Ｂの素子主面３０Ｂｓの第１辺３０ａからｙ方向にはみ出した領域のうち素子主面３０Ｂｓよりも封止樹脂８０の樹脂側面８４の近くの部分である。
このようなはみ出し領域Ｒｂ１〜Ｒｂ４によれば、上方から視て、遮光部５１Ｂの四隅の角部では、はみ出し領域が互いに重なっている。つまり、遮光部５１Ｂのうち封止樹脂８０の樹脂側面８１および樹脂側面８３の近くの角部は、はみ出し領域Ｒｂ１とはみ出し領域Ｒｂ３とが重なっている。遮光部５１Ｂのうち封止樹脂８０の樹脂側面８１および樹脂側面８４の近くの角部は、はみ出し領域Ｒｂ１とはみ出し領域Ｒｂ４とが重なっている。遮光部５１Ｂのうち封止樹脂８０の樹脂側面８２および樹脂側面８３の近くの角部は、はみ出し領域Ｒｂ２とはみ出し領域Ｒｂ３とが重なっている。遮光部５１Ｂのうち封止樹脂８０の樹脂側面８２および樹脂側面８４の近くの角部は、はみ出し領域Ｒｂ２とはみ出し領域Ｒｂ４とが重なっている。
図３３に示すとおり、本実施形態では、遮光部５１Ｂの中心位置ＣＸｂは、第３半導体発光素子３０Ｂの中心位置ＣＡｂと同じである。これにより、上方から視て、はみ出し領域Ｒｂ１の面積と、はみ出し領域Ｒｂ２の面積と、はみ出し領域Ｒｂ３の面積と、はみ出し領域Ｒｂ４の面積とはそれぞれ互いに等しい。つまり、各はみ出し領域Ｒｂ１〜Ｒｂ４の面積は同一である。
ここで、第３半導体発光素子３０Ｂの中心位置ＣＡｂは、上方から視て、第３半導体発光素子３０Ｂの素子主面３０Ｂｓのｘ方向およびｙ方向の中心位置である。また、遮光部５１Ｂの中心位置ＣＸｂと第３半導体発光素子３０Ｂの中心位置ＣＡｂとのずれ量がたとえば遮光部５１Ｂのｘ方向の長さまたはｙ方向の長さの５％以内であれば、遮光部５１Ｂの中心位置ＣＸｂが第３半導体発光素子３０Ｂの中心位置ＣＡｂと同じであるといえる。また、はみ出し領域Ｒｂ１の面積と、はみ出し領域Ｒｂ２の面積と、はみ出し領域Ｒｂ３の面積と、はみ出し領域Ｒｂ４の面積との差がたとえばはみ出し領域Ｒｂ１の１０％以内であれば、はみ出し領域Ｒｂ１の面積と、はみ出し領域Ｒｂ２の面積と、はみ出し領域Ｒｂ３の面積と、はみ出し領域Ｒｂ４の面積とはそれぞれ互いに等しいといえる。
図３６に示すように、遮光部５１Ｂは、第３半導体発光素子３０Ｂに向けて突出する凸部５１Ｂａを有している。凸部５１Ｂａは、第３半導体発光素子３０Ｂに向けて突出する湾曲面を有している。本実施形態では、凸部５１Ｂａは、第３半導体発光素子３０Ｂに向けて突出する球面を有している。図３６に示すとおり、凸部５１Ｂａの球面は、遮光部５１Ｂの中心位置ＣＸｂにおいて第３半導体発光素子３０Ｂに最も近づくように形成されている。
本実施形態では、遮光部５１Ｂのうちｚ方向において凸部５１Ｂａとは反対側の面、すなわち遮光部５１Ｂのうち樹脂主面８０ｓと同じ側を向く上面５１Ｂｂは、ｚ方向に直交する平坦面からなる。
図３１に示すように、一対の支持部５２Ｂは、ｙ方向において第１遮光ユニット５０Ｒよりも封止樹脂８０の樹脂側面８３の近くに配置されている。一対の支持部５２Ｂは、遮光部５１Ｂのｘ方向の両端部からｘ方向に沿って延びている。一対の支持部５２Ｂは、平板状に形成されている。図３６に示すように、一対の支持部５２Ｂの板厚は、遮光部５１Ｂの厚さ（遮光部５１Ｂの上面５１Ｂｂから凸部５１Ｂａの先端面までのｚ方向の長さ）よりも薄い。図３１に示すように、上方から視た各支持部５２Ｂの形状は、ｘ方向に延びる帯状である。一対の支持部５２Ｂは、封止樹脂８０の樹脂側面８１に向けて延びる支持部５２ＢＡと、封止樹脂８０の樹脂側面８２に向けて延びる支持部５２ＢＢと、を有している。支持部５２ＢＡの先端面は封止樹脂８０の樹脂側面８１から露出しており、支持部５２ＢＢの先端面は封止樹脂８０の樹脂側面８２から露出している。本実施形態では、支持部５２ＢＢのｘ方向の長さは、支持部５２ＢＡのｘ方向の長さよりも短い。
図３６に示すように、一対の支持部５２Ｂのうちｚ方向において保持部材７０とは反対側を向く上面５２Ｂａは、遮光部５１Ｂの上面５１Ｂｂと面一である。なお、遮光部５１Ｂに対する一対の支持部５２Ｂのｚ方向の位置は任意に変更可能である。一例では、ｚ方向において、一対の支持部５２Ｂの上面５２Ｂａが遮光部５１Ｂの上面５１Ｂｂよりも下方に位置してもよいし、上方に位置してもよい。
（半導体発光装置の製造方法）
図３７〜図４５を参照して、本実施形態の半導体発光装置１Ｃの製造方法について説明する。
図３７〜図３９に示すように、半導体発光装置１Ｃの製造方法は、リード９６０を形成する工程を備えている。この工程では、たとえば金属板９００をプレス加工することによって、リード９６０としてアノード用リード９６０Ａおよびカソード用リード９６０Ｋが形成される。
より詳細には、図３７に示すように、金属板９００がプレス加工機の下型（図示略）にセットされる。金属板９００は、アノード用リード９６０Ａおよびカソード用リード９６０Ｋの材料となるものであり、Ｃｕ、Ｎｉ、またはこれらの合金から形成されている。金属板９００には、金属板９００を板厚方向（ｚ方向）に貫通する開口部９０１と、アノード用リード９６０Ａを構成する３つのアノード用突出部９０２と、カソード用リード９６０Ｋを構成する１つのカソード用突出部９０３とが形成されている。３つのアノード用突出部９０２および１つのカソード用突出部９０３はそれぞれ、開口部９０１内においてｘ方向に延びている。３つのアノード用突出部９０２は、アノード用リード９６０Ａとして、各アノード用リード６０ＡＲ，６０ＡＧ，６０ＡＢの各支持部６２ＡＲ，６２ＡＧ，６２ＡＢ（ともに図３１参照）を形成するための部分である。カソード用突出部９０３は、カソード用リード９６０Ｋとして、各カソード用リード６０ＫＲ，６０ＫＧ，６０ＫＢの各支持部６２ＫＲ，６２ＫＧ，６２ＫＢ（ともに図３１参照）を形成するための部分である。
次に、図３８に示すように、プレス加工機によって３つのアノード用突出部９０２および１つのカソード用突出部９０３を加圧する。これにより、各アノード用突出部９０２およびカソード用突出部９０３がｘ方向およびｙ方向に延伸される。その結果、各アノード用突出部９０２およびカソード用突出部９０３の板厚が薄くなる。なお、図３８以降では、各アノード用突出部９０２およびカソード用突出部９０３のうち板厚が薄くなる領域にドットを付している。
次に、プレス加工機によって３つのアノード用突出部９０２および１つのカソード用突出部９０３と、金属板９００において３つのアノード用突出部９０２および１つのカソード用突出部９０３よりも外側の部分を打ち抜く。これにより、図３９に示すように、アノード用リード６０Ａおよびカソード用リード６０Ｋがそれぞれ形成される。なお、各アノード用リード６０ＡＲ，６０ＡＧ，６０ＡＢの各アノード端子部６１ＡＲ，６１ＡＧ，６１ＡＢの先端部、および、各カソード用リード６０ＫＲ，６０ＫＧ，６０ＫＢの各カソード端子部６１ＫＲ，６１ＫＧ，６１ＫＢの先端部はそれぞれ、金属板９００に接続されている。
図４０に示すように、半導体発光装置１Ｃの製造方法は、保持部材７０を形成する工程を備えている。保持部材７０は、電気絶縁性を有する材料からなり、アノード用リード６０Ａおよびカソード用リード６０Ｋにモールドすることによって形成される。本実施形態では、保持部材７０は、黒色のエポキシ樹脂からなる。保持部材７０は、開口部９０１における各アノード用リード６０ＡＲ，６０ＡＧ，６０ＡＢおよび各カソード用リード６０ＫＲ，６０ＫＧ，６０ＫＢの間の貫通孔を埋めるように形成される。また保持部材７０は、各アノード用リード６０ＡＲ，６０ＡＧ，６０ＡＢの各アノード支持部６２ＡＲ，６２ＡＧ，６２ＡＢのうちｚ方向の一方側を覆い、各カソード用リード６０ＫＲ，６０ＫＧ，６０ＫＢの各カソード支持部６２ＫＲ，６２ＫＧ，６２ＫＢのうちｚ方向の一方側を覆う。これにより、ｚ方向の一方側から視て、各アノード用リード６０ＡＲ，６０ＡＧ，６０ＡＢの各アノード端子部６１ＡＲ，６１ＡＧ，６１ＡＢは保持部材７０から露出する一方、各アノード支持部６２ＡＲ、６２ＡＧ，６２ＡＢは保持部材７０から露出していない。またｚ方向の一方側から視て、各カソード用リード６０ＫＲ，６０ＫＧ，６０ＫＢの各カソード端子部６１ＫＲ，６１ＫＧ，６１ＫＢは保持部材７０から露出する一方、各カソード支持部６２ＫＲ，６２ＫＧ，６２ＫＢは保持部材７０から露出していない。
図４１に示すように、半導体発光装置１Ｃの製造方法は、各半導体発光素子３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂおよびツェナーダイオード３３Ｇ，３３Ｂを搭載する工程を備えている。
この工程では、第１アノード用リード６０ＡＲに第１半導体発光素子３０Ｒを実装し、第２カソード用リード６０ＫＧに第２半導体発光素子３０Ｇを実装し、第３カソード用リード６０ＫＢに第３半導体発光素子３０Ｂを実装する。また、第２アノード用リード６０ＡＧにツェナーダイオード３３Ｇを実装し、第３アノード用リード６０ＡＢにツェナーダイオード３３Ｂを実装する。
より詳細には、各アノード用リード６０ＡＲ，６０ＡＧ，６０ＡＢの各アノード支持部６２ＡＲ，６２ＡＧ，６２ＡＢ、各カソード用リード６０ＫＧ，６０ＫＢの各カソード支持部６２ＫＧ，６２ＫＢにはそれぞれ、導電性接合材ＢＪが塗布される。そして第１アノード支持部６２ＡＲの導電性接合材ＢＪ上に第１半導体発光素子３０Ｒが載せられ、第２アノード支持部６２ＡＧの導電性接合材ＢＪ上にツェナーダイオード３３Ｇが載せられ、第３アノード支持部６２ＡＢの導電性接合材ＢＪ上にツェナーダイオード３３Ｂが載せられ、第２カソード支持部６２ＫＧの導電性接合材ＢＪ上に第２半導体発光素子３０Ｇが載せられ、第３カソード支持部６２ＫＢの導電性接合材ＢＪ上に第３半導体発光素子３０Ｂが載せられる。そして、リフロー処理によって各導電性接合材ＢＪを液相状態にした後、冷却することによって各導電性接合材ＢＪを固化させる。これにより、各導電性接合材ＢＪと各半導体発光素子３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂおよびツェナーダイオード３３Ｇ，３３Ｂとが接合される。
図４２に示すように、半導体発光装置１Ｃの製造方法は、ワイヤＷ１〜Ｗ７を形成する工程を備えている。ワイヤＷ１〜Ｗ７は、ワイヤボンディング装置によるワイヤボンディングによって形成される。ワイヤＷ１〜Ｗ７はそれぞれ、たとえばＡｕ、ＣｕまたはＡｌからなる。
図４３に示すように、半導体発光装置１Ｃの製造方法は、遮光ユニット保持体９５０を配置する工程を備えている。遮光ユニット保持体９５０は、金属板９００に配置されている。遮光ユニット保持体９５０は、第１遮光ユニット９５０Ｒ、第２遮光ユニット９５０Ｇ、第３遮光ユニット９５０Ｂおよび一対のユニット保持部９５３を有している。上方から視て、第１遮光ユニット９５０Ｒ、第２遮光ユニット９５０Ｇおよび第３遮光ユニット９５０Ｂは、ｘ方向において互いに揃った状態でｙ方向において互いに離間して配列されている。一対のユニット保持部９５３は、第１遮光ユニット９５０Ｒ、第２遮光ユニット９５０Ｇおよび第３遮光ユニット９５０Ｂをｘ方向から挟み込むように配置されており、第１遮光ユニット９５０Ｒ、第２遮光ユニット９５０Ｇおよび第３遮光ユニット９５０Ｂのそれぞれを保持している。
遮光ユニット保持体９５０は、第１遮光ユニット９５０Ｒの遮光部９５１Ｒが第１半導体発光素子３０Ｒの素子主面３０Ｒｓの全体を覆い、第２遮光ユニット９５０Ｇの遮光部９５１Ｇが第２半導体発光素子３０Ｇの素子主面３０Ｇｓの全体を覆い、第３遮光ユニット９５０Ｂの遮光部９５１Ｂが第３半導体発光素子３０Ｂの素子主面３０Ｂｓの全体を覆うように配置されている。
第１遮光ユニット９５０Ｒは、一対の支持部９５２Ｒを有している。一対の支持部９５２Ｒは、遮光部９５１Ｒと一対のユニット保持部９５３とを接続している。これにより、遮光部９５１Ｒは、一対のユニット保持部９５３によって保持されている。
第２遮光ユニット９５０Ｇは、一対の支持部９５２Ｇを有している。一対の支持部９５２Ｇは、遮光部９５１Ｇと一対のユニット保持部９５３とを接続している。これにより、遮光部９５１Ｇは、一対のユニット保持部９５３によって保持されている。
第３遮光ユニット９５０Ｂは、一対の支持部９５２Ｂを有している。一対の支持部９５２Ｂは、遮光部９５１Ｂと一対のユニット保持部９５３とを接続している。これにより、遮光部９５１Ｂは、一対のユニット保持部９５３によって保持されている。
図４４に示すように、半導体発光装置１Ｃの製造方法は、樹脂層９８０を形成する工程を備えている。樹脂層９８０は、図３４に示す封止樹脂８０となる部材である。樹脂層９８０は、たとえばエポキシ樹脂からなる。この工程では、たとえばトランスファ成型によって樹脂層９８０を形成する。樹脂層９８０は、たとえば遮光ユニット保持体９５０の一対のユニット保持部９５３の間に設けられている。
図４５に示すように、半導体発光装置１Ｃの製造方法は、リード９６０、保持部材７０および樹脂層９８０を切断する工程を備えている。たとえば、図４５の一点鎖線で示す切断線ＣＬ１に沿ってダイシングブレードによって樹脂層９８０および保持部材７０を切断する。また図４５の一点鎖線で示す切断線ＣＬ２に沿ってダイシングブレードによって遮光ユニット保持体９５０を切断する。これにより、遮光ユニット保持体９５０の各遮光ユニット９５０Ｒ，９５０Ｇ，９５０Ｂと一対のユニット保持部９５３とが分離する。そして、図４５の一点鎖線で示す切断線ＣＬ３に沿ってダイシングブレードによってアノード用リード６０Ａおよびカソード用リード６０Ｋを切断する。以上の工程を経て、半導体発光装置１Ｃが製造される。
（効果）
本実施形態の半導体発光装置１Ｃによれば、第１実施形態の半導体発光装置１Ａの（１−１）〜（１−９）に準じた効果に加え、以下の効果が得られる。
（３−１）複数の遮光部５１Ｒ，５１Ｇ，５１Ｂは、半導体発光素子３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂの素子主面３０Ｒｓ，３０Ｇｓ，３０Ｂｓに対して個別に配置されている。この構成によれば、半導体発光素子３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂの素子主面３０Ｒｓ，３０Ｇｓ，３０Ｂｓに対して適した形状の遮光部５１Ｒ，５１Ｇ，５１Ｂを形成できる。また、遮光部５１Ｒ，５１Ｇ，５１Ｂを半導体発光素子３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂの素子主面３０Ｒｓ，３０Ｇｓ，３０Ｂｓに対して適した位置に配置できる。
［変更例］
上記各実施形態は本開示に関する半導体発光装置が取り得る形態の例示であり、その形態を制限することを意図していない。本開示に関する半導体発光装置は、上記各実施形態に例示された形態とは異なる形態を取り得る。その一例は、上記各実施形態の構成の一部を置換、変更、もしくは、省略した形態、または上記各実施形態に新たな構成を付加した形態である。また、以下の各変更例は、技術的に矛盾しない限り、互いに組み合わせることができる。以下の各変更例において、上記各実施形態と共通する部分については、上記各実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。
・第１実施形態において、遮光ユニット５０の遮光部５１の形状は任意に変更可能である。一例では、遮光部５１の形状は、次の（Ａ１）〜（Ａ５）のように変更できる。
（Ａ１）遮光部５１は、平板状に形成されてもよい。図４６に示すように、凸部５１ａのｙ方向から視た形状は、ｘ方向が長辺方向となり、ｚ方向が短辺方向となる矩形状である。凸部５１ａの厚さ（凸部５１ａのｚ方向の大きさ）は、支持部５２の厚さ（支持部５２のｚ方向の大きさ）よりも厚い。
（Ａ２）遮光部５１は、ｚ方向において半導体発光素子３０に向かうにつれて小さくなる四角錐台状に形成されてもよい。図４７に示すように、遮光部５１の凸部５１ａのｙ方向から視た形状は、台形である。ｙ方向から視て、凸部５１ａは、ｚ方向において半導体発光素子３０に向かうにつれて互いに接近するように傾斜する側面であるテーパ面５１ｃを有している。なお、本変更例では、図示していないが、ｘ方向から視て、凸部５１ａは、ｚ方向において半導体発光素子３０に向かうにつれて互いに接近するように傾斜する側面であるテーパ面を有している。
また一例では、ｙ方向から視て、遮光部５１の凸部５１ａがｘ方向の凸部５１ａの中央部に向かうにつれて互いに接近するように傾斜する側面であるテーパ面５１ｃを有しており、ｘ方向から視て、凸部５１ａが矩形平板状からなるように、凸部５１ａが設けられてもよい。
また一例では、ｘ方向から視て、遮光部５１の凸部５１ａがｙ方向の凸部５１ａの中央部に向かうにつれて互いに接近するように傾斜する側面であるテーパ面５１ｃを有しており、ｙ方向から視て、凸部５１ａが矩形平板状からなるように、凸部５１ａが設けられてもよい。
（Ａ３）遮光部５１の凸部５１ａは、球面以外の湾曲面から構成されてもよい。一例では、図４８に示すように、ｙ方向から視て、凸部５１ａは、第１曲率半径からなる第１湾曲面５１ｄと、第１曲率半径よりも大きい第２曲率半径からなる第２湾曲面５１ｅと、を有する湾曲面からなる。第１湾曲面５１ｄは、ｚ方向において凸部５１ａの上面５１ｂから基板１０に向けて延びる湾曲面である。第２湾曲面５１ｅは、第１湾曲面５１ｄに接続される湾曲面である。第２湾曲面５１ｅは、凸部５１ａの先端部を少なくとも形成している。
また一例では、ｙ方向から視て、遮光部５１の凸部５１ａがｘ方向の凸部５１ａの中央に向かうにつれて半導体発光素子３０に向けて湾曲する湾曲面からなり、ｘ方向から視て、凸部５１ａが矩形平板状からなるように、凸部５１ａが設けられてもよい。
また一例では、ｘ方向から視て、遮光部５１の凸部５１ａがｙ方向の凸部５１ａの中央に向かうにつれて半導体発光素子３０に向けて湾曲する湾曲面からなり、ｙ方向から視て、凸部５１ａが矩形平板状からなるように、凸部５１ａが設けられてもよい。
（Ａ４）上方から視た遮光部５１の形状は、矩形状に限られず、たとえば図４９に示すように、円形であってもよい。この場合、凸部５１ａの形状は、任意であるが、球面であることが好ましい。なお、上方から視た遮光部５１の形状は、円形や矩形状に代えて、長円、楕円形またはｎ（ｎ≧５）角形であってもよい。
（Ａ５）第１実施形態では、遮光部５１の凸部５１ａの全体が球面から構成されていたが、これに限られない。たとえば、凸部５１ａの先端部のみが球面に形成される等の凸部５１ａの先端部を含む一部分が球面に形成されてもよい。
またたとえば図４６に示す（Ａ１）の変更例および図４７に示す（Ａ２）の変更例では、凸部５１ａの下面５１ｘは、ｚ方向に直交する平面であったが、これに限られない。凸部５１ａの下面５１ｘは、湾曲面または球面であってもよい。また、凸部５１ａの下面５１ｘは、下方に向かうにつれて樹脂側面４１〜４４のいずれかに向けて傾斜する傾斜面であってもよい。
上記（Ａ１）〜（Ａ５）の変更例において、上方から視て、凸部５１ａは、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓの全体を覆っている。なお、上方から視て、凸部５１ａは、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓの一部を覆っている構成であってもよい。要するに、上方から視て、凸部５１ａは、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓのうち少なくとも一部を覆っていればよい。
なお、第３実施形態の各遮光ユニット５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂの遮光部５１Ｒ，５１Ｇ，５１Ｂのうちの少なくとも１つについても、上記（Ａ１）〜（Ａ５）の遮光部５１のように変更してもよい。
・第１および第２実施形態において、遮光ユニット５０の遮光部５１のｘ方向およびｙ方向のそれぞれの大きさは任意に変更可能である。
第１実施形態における変更例の一例では、図５０に示すように、遮光部５１は、封止樹脂４０のうちｚ方向において遮光部５１と同じ位置となる部分の全体にわたり形成されている。つまり、遮光部５１は、樹脂側面４１〜４４のそれぞれと接している。なお、図示していないが、上方から視た遮光部５１の形状は、矩形状である。この場合、遮光ユニット５０から一対の支持部５２が省略されている。
また第２実施形態における変更例の一例では、図５１に示すように、遮光部５１は、第１樹脂層４０Ａの第１樹脂主面４０Ａｓの全面にわたり形成されている。つまり、遮光部５１は、樹脂側面４１〜４４のそれぞれに対して露出している。この場合、第１樹脂層４０Ａと第２樹脂層４０Ｂとは、遮光部５１によって分離されている。
・第２実施形態において遮光ユニット５０の遮光部５１のｙ方向から視た形状は任意に変更可能である。一例では、遮光部５１のｙ方向から視た形状は、次の（Ｂ１）〜（Ｂ３）のように変更できる。
（Ｂ１）図５２に示すように、遮光部５１は、第１実施形態の凸部５１ａのように、球面からなる凸部５１ａを有している。この場合、第１樹脂層４０Ａには、第１樹脂主面４０Ａｓのｘ方向およびｙ方向の中央から半導体発光素子３０に向けて凹む球面状の凹部４５Ａが設けられている。遮光部５１は、凹部４５Ａに埋め込まれるように形成されている。つまり、遮光部５１のうちｚ方向において樹脂主面４０ｓと同じ側を向く上面５１ｂと、第１樹脂主面４０Ａｓとが面一となる。第２樹脂層４０Ｂは、遮光部５１の上面５１ｂおよび第１樹脂主面４０Ａｓと接するように形成されている。また、凸部５１ａの球面と凹部４５Ａの内面となる湾曲内面とは接している。つまり、凹部４５Ａの湾曲内面は、球面からなる。
（Ｂ２）図５３に示すように、遮光部５１は、半導体発光素子３０に向かうにつれて小さくなる四角錐台状からなる凸部５１ａを有している。この場合、第１樹脂層４０Ａには、第１樹脂主面４０Ａｓのｘ方向およびｙ方向の中央から半導体発光素子３０に向けて凹む四角錐台状の凹部４５Ｂが設けられている。遮光部５１は、凹部４５Ｂに埋め込まれるように形成されている。つまり、遮光部５１のうちｚ方向において樹脂主面４０ｓと同じ側を向く上面５１ｂと、第１樹脂主面４０Ａｓとが面一となる。第２樹脂層４０Ｂは、遮光部５１の上面５１ｂおよび第１樹脂主面４０Ａｓと接するように形成されている。また、凸部５１ａの表面と凹部４５Ｂの内面となるテーパ内面とは接している。つまり、凹部４５Ｂのテーパ内面は、四角錐台状からなる。
（Ｂ３）図５４に示すように、遮光部５１は、平板状の凸部５１ａを有している。この場合、第１樹脂層４０Ａには、第１樹脂主面４０Ａｓのｘ方向およびｙ方向の中央から半導体発光素子３０に向けて凹む直方体状の凹部４５Ｃが設けられている。遮光部５１は、凹部４５Ｃに埋め込まれるように形成されている。つまり、遮光部５１のうちｚ方向において樹脂主面４０ｓと同じ側を向く上面５１ｂと、第１樹脂主面４０Ａｓとが面一となる。第２樹脂層４０Ｂは、遮光部５１の上面５１ｂおよび第１樹脂主面４０Ａｓと接するように形成されている。また、凸部５１ａの表面と凹部４５Ｃの内面とは接している。つまり、凹部４５Ｃの内面は、平板状からなる。
・上記（Ｂ１）〜（Ｂ３）の変更例において、遮光部５１の上面５１ｂのｚ方向の位置は任意に変更可能である。遮光部５１の上面５１ｂは、第１樹脂主面４０Ａｓよりも半導体発光素子３０の近くに形成されてもよい。この場合、第２樹脂層４０Ｂの一部が第１樹脂層４０Ａの凹部４５Ａ，４５Ｂ，４５Ｃに入り込む。要するに、遮光部５１は、凹部４５Ａ，４５Ｂ，４５Ｃのそれぞれの少なくとも一部に入り込んでいればよい。
また、遮光部５１の上面５１ｂは、第１樹脂主面４０Ａｓよりも樹脂主面４０ｓの近くに形成されてもよい。換言すると、遮光部５１の一部は、凹部４５Ａ，４５Ｂ，４５Ｃからｚ方向に突出していてもよい。この場合、ｚ方向から視て、遮光部５１の一部は、凹部４５Ａ，４５Ｂ，４５Ｃからｘ方向およびｙ方向の少なくとも一方からはみ出してもよい。遮光部５１のうち凹部４５Ａ，４５Ｂ，４５Ｃからはみ出した部分は、第１樹脂主面４０Ａｓ上に配置されている。
・上記（Ｂ１）〜（Ｂ３）の変更例において、凹部４５Ａ，４５Ｂ，４５Ｃの形状は任意に変更可能である。たとえば、遮光部５１が上記（Ａ２）の遮光部５１の形状となるように凹部４５Ｂの形状を変更してもよい。また遮光部５１が上記（Ａ３）の遮光部５１の形状となるように凹部４５Ｃの形状を変更してもよい。
また、凹部４５Ａは、底部が球面から形成されており、底部よりも第１樹脂主面４０Ａｓに近い部分がテーパ面から形成されてもよい。要するに、凹部４５Ａは、少なくとも底部が球面から形成されていていればよい。この場合、遮光部５１は、球面に対応する部分のみに設けられてもよい。
上記（Ｂ１）〜（Ｂ３）の変更例において、上方から視て、凸部５１ａは、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓの全体を覆っている。なお、上方から視て、凸部５１ａは、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓの一部を覆っている構成であってもよい。要するに、上方から視て、凸部５１ａは、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓのうち少なくとも一部を覆っていればよい。
・第２実施形態において遮光ユニット５０の遮光部５１の材料を金属材料等の半導体発光素子３０からの光を反射する反射部材を用いてもよい。一例では、図５５に示すように、反射部材９０は、湾曲状に形成されている。図示された例においては、反射部材９０の外表面は、球面状に形成されている。この場合、第１樹脂層４０Ａには、第１樹脂主面４０Ａｓのｘ方向およびｙ方向の中央から半導体発光素子３０に向けて凹む球面状の凹部４５Ａが設けられている。反射部材９０は、凹部４５Ａの内面に取り付けられている。第２樹脂層４０Ｂの一部は、凹部４５Ａに入り込んでいる。
この構成によれば、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓからの光が反射部材９０に当たる場合、反射部材９０に当たった光の全てが反射部材９０において反射して封止樹脂４０の樹脂側面４１〜４４から出射する。したがって、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓからの光が樹脂側面４１〜４４に出射しやすくなる。
・第１および第３実施形態において、遮光ユニット５０の遮光部５１の凸部５１ａの表面に、半導体発光素子３０からの光を反射する反射部材を取り付けてもよい。
・各実施形態において、遮光ユニット５０の遮光部５１のうち少なくとも半導体発光素子３０とｚ方向に対向する面には、半導体発光素子３０からの光を反射する反射部材を取り付けてもよい。
・第１実施形態では、半導体発光素子３０からの光がｘ方向の両側およびｙ方向の両側に略均等に出射するように半導体発光素子３０に対して遮光部５１が設けられていたが、これに限られない。たとえば、半導体発光素子３０からの光を特定方向に偏って出射するように遮光部５１が設けられてもよい。この構成としては、たとえば次の（Ｃ１）〜（Ｃ４）が挙げられる。なお、第２および第３実施形態についても同様に変更してもよい。
（Ｃ１）図５６に示すように、半導体発光素子３０の中心位置ＣＡと、遮光部５１の中心位置ＣＸとが互いに異なってもよい。図示された例においては、ｘ方向において、遮光部５１の中心位置ＣＸが半導体発光素子３０の中心位置ＣＡよりも樹脂側面４２寄りにずれている。このため、図５７に示すように、ｘ方向において半導体発光素子３０に対する遮光部５１のはみ出し領域Ｒ２の面積は、はみ出し領域Ｒ１の面積よりも大きくなる。換言すると、はみ出し領域Ｒ１の面積は、はみ出し領域Ｒ２の面積よりも小さくなる。より詳細には、はみ出し領域Ｒ２のｘ方向の長さがはみ出し領域Ｒ１のｘ方向の長さよりも長くなる。換言すると、はみ出し領域Ｒ１のｘ方向の長さがはみ出し領域Ｒ２のｘ方向の長さよりも短くなる。また、はみ出し領域Ｒ２の面積は、ｙ方向において半導体発光素子３０に対する遮光部５１のはみ出し領域Ｒ３，Ｒ４よりも大きくなる。また、はみ出し領域Ｒ１の面積は、はみ出し領域Ｒ３，Ｒ４の面積よりも小さくなる。より詳細には、はみ出し領域Ｒ２のｘ方向の長さがはみ出し領域Ｒ３，Ｒ４のｙ方向の長さよりも長くなる。換言すると、はみ出し領域Ｒ１のｘ方向の長さがはみ出し領域Ｒ３，Ｒ４のｙ方向の長さよりも短くなる。このように、ｘ方向において半導体発光素子３０の素子主面３０ｓからはみ出すはみ出し領域Ｒ１およびはみ出し領域Ｒ２の面積が互いに異なっていてもよい。またはみ出し領域Ｒ１，Ｒ２の面積が、ｙ方向において半導体発光素子３０の素子主面３０ｓからはみ出すはみ出し領域Ｒ３，Ｒ４の面積と異なっていてもよい。
この構成によれば、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓからの光が遮光部５１に当たったときに樹脂側面４１，４３，４４よりも樹脂側面４２からより出射しやすくなる。つまり、樹脂側面４２から出射する光の強さが樹脂側面４１，４３，４４から出射する光の強さよりも強くなる。一方、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓからの光が遮光部５１に当たったときに樹脂側面４２〜４４よりも樹脂側面４１から出射しにくくなる。つまり、樹脂側面４１から出射する光の強さが樹脂側面４２〜４４から出射する光の強さよりも弱くなる。このように、ｘ方向において出射する光の強さを変更することができる。
なお、ｘ方向において、遮光部５１の中心位置ＣＸが半導体発光素子３０の中心位置ＣＡよりも樹脂側面４１寄りにずれていてもよい。この構成によれば、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓからの光が遮光部５１に当たったときに樹脂側面４２〜４４よりも樹脂側面４１からより出射しやすくなる。つまり、樹脂側面４１から出射する光の強さが樹脂側面４２〜４４から出射する光の強さよりも強くなる。一方、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓからの光が遮光部５１に当たったときに樹脂側面４１，４３，４４よりも樹脂側面４２から出射しにくくなる。つまり、樹脂側面４２から出射する光の強さが樹脂側面４１，４３，４４から出射する光の強さよりも弱くなる。このように、ｘ方向において出射する光の強さを変更することができる。
また、ｙ方向において、遮光部５１の中心位置ＣＸと半導体発光素子３０の中心位置ＣＡと互いにずれていてもよい。この構成によれば、ｘ方向において、遮光部５１の中心位置ＣＸと半導体発光素子３０の中心位置ＣＡと互いにずれている場合と同様に、ｙ方向において出射する光の強さを変更することができる。
また、ｘ方向およびｙ方向の両方向において、遮光部５１の中心位置ＣＸが半導体発光素子３０の中心位置ＣＡと互いにずれていてもよい。この構成によれば、ｘ方向およびｙ方向において出射する光の強さを変更することができる。
（Ｃ２）遮光部５１の凸部５１ａの形状がｘ方向において非対称形状であってもよい。つまり、凸部５１ａは、半導体発光素子３０に向かうにつれて互いに接近するように傾斜する第１傾斜部および第２傾斜部を有している。上方から視て、第１傾斜部のうち半導体発光素子３０と重なる部分および第２傾斜部のうち半導体発光素子３０と重なる部分のうち一方の長さは、第１傾斜部のうち半導体発光素子３０と重なる部分および第２傾斜部のうち半導体発光素子３０と重なる部分のうち他方の長さよりも長くなる。この一例として、図５８に示すように、ｚ方向において凸部５１ａのうち最も半導体発光素子３０に近い端部が遮光部５１の中心位置ＣＸよりも樹脂側面４２の近くに位置するように、遮光部５１が設けられている。より詳細には、凸部５１ａの表面は、第１曲率半径を有する第１湾曲面５１ｆと、第１曲率半径よりも小さい第２曲率半径を有する第２湾曲面５１ｇと、を有している。第１湾曲面５１ｆは、遮光部５１のｘ方向の両端部のうち樹脂側面４１に近い方向の端部から遮光部５１の中心位置ＣＸよりも樹脂側面４２の近くまでにわたり形成されている。ここで、第１湾曲面５１ｆがたとえば第１傾斜部に相当し、第２湾曲面５１ｇがたとえば第２傾斜部に相当する。
図５８から分かるとおり、上方から視て、第１湾曲面５１ｆのうち半導体発光素子３０と重なる部分の長さは、第２湾曲面５１ｇのうち半導体発光素子３０と重なる部分の長さよりも長くなる。
この構成によれば、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓからの光は第１湾曲面５１ｆに当たりやすくなる。このため、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓからの光が第１湾曲面５１ｆによって樹脂側面４１から出射しやすくなる。一方、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓからの光は第２湾曲面５１ｇに当たりにくくなる。このため、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓからの光が第２湾曲面５１ｇによって樹脂側面４２から出射しにくくなる。このように、樹脂側面４１から出射する光の強さが樹脂側面４２から出射する光の強さよりも強くなる。このように、ｘ方向において出射する光の強さを変更することができる。
なお、ｘ方向において凸部５１ａのうち最も半導体発光素子３０に近い端部が遮光部５１の中心位置ＣＸよりも樹脂側面４１の近くに位置するように、遮光部５１が設けられてもよい。より詳細には、凸部５１ａの表面は、第１曲率半径を有する第１湾曲面５１ｆと、第１曲率半径よりも大きい第２曲率半径を有する第２湾曲面５１ｇと、を有している。第２湾曲面５１ｇは、遮光部５１のｘ方向の両端部のうち樹脂側面４２に近い方向の端部から遮光部５１の中心位置ＣＸよりも樹脂側面４１の近くまでにわたり形成されている。
この構成によれば、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓからの光は第２湾曲面５１ｇに当たりやすくなる。このため、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓからの光が第２湾曲面５１ｇによって樹脂側面４２から出射しやすくなる。一方、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓからの光は第１湾曲面５１ｆに当たりにくくなる。このため、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓからの光が第１湾曲面５１ｆによって樹脂側面４１から出射しにくくなる。このように、樹脂側面４２から出射する光の強さが樹脂側面４１から出射する光の強さよりも強くなる。したがって、ｘ方向において出射する光の強さを変更することができる。
また、ｙ方向において、遮光部５１の凸部５１ａの形状が非対称形状としてもよい。この構成によれば、遮光部５１の凸部５１ａの形状がｘ方向において非対称形状となる場合と同様に、ｙ方向において出射する光の強さを変更することができる。
（Ｃ３）図５９に示すように、ｘ方向において、半導体発光素子３０に対する遮光部５１のはみ出し領域Ｒ１，Ｒ２の大きさが異なるように遮光部５１を形成してもよい。図示された例においては、はみ出し領域Ｒ１のｘ方向の大きさがはみ出し領域Ｒ２のｘ方向の大きさよりも大きくなる。この構成によれば、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓからの光は、はみ出し領域Ｒ２〜Ｒ４よりもはみ出し領域Ｒ１により当たりやすくなる。このため、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓからの光がはみ出し領域Ｒ１によって樹脂側面４１から出射しやすくなる。このように、樹脂側面４１から出射する光の強さが樹脂側面４２〜４４から出射する光の強さよりも強くなる。したがって、ｘ方向において出射する光の強さを変更することができる。
なお、はみ出し領域Ｒ１のｘ方向の大きさがはみ出し領域Ｒ２のｘ方向の大きさよりも小さくてもよい。換言すると、はみ出し領域Ｒ２のｘ方向の大きさは、はみ出し領域Ｒ１のｘ方向の大きさよりも大きくなる。この構成によれば、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓからの光は、はみ出し領域Ｒ１，Ｒ３，Ｒ４よりもはみ出し領域Ｒ２により当たりやすくなる。このため、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓからの光がはみ出し領域Ｒ２によって樹脂側面４２から出射しやすくなる。このように、樹脂側面４２から出射する光の強さが樹脂側面４１，４３，４４から出射する光の強さよりも強くなる。したがって、ｘ方向において出射する光の強さを変更することができる。
また、ｙ方向において、半導体発光素子３０に対する遮光部５１のはみ出し領域Ｒ３，Ｒ４の大きさが異なるように遮光部５１を形成してもよい。この構成によれば、ｘ方向におけるはみ出し領域Ｒ１，Ｒ２の大きさが異なる場合と同様に、ｙ方向において出射する光の強さを変更することができる。
また、ｘ方向およびｙ方向において、半導体発光素子３０に対する遮光部５１のはみ出し領域Ｒ１〜Ｒ４の大きさが異なるように遮光部５１を形成してもよい。この構成によれば、ｘ方向およびｙ方向において出射する光の強さを変更することができる。
（Ｃ４）上方から視た遮光部５１の形状が上方から視た半導体発光素子３０の形状と相似形状でなくてもよく、ｘ方向における半導体発光素子３０に対する遮光部５１のはみ出し領域Ｒ１，Ｒ２の面積と、ｙ方向における半導体発光素子３０に対する遮光部５１のはみ出し領域Ｒ３，Ｒ４の面積とが互いに異なるようにしてもよい。一例では、上方から視た遮光部５１の形状は、ｘ方向が長辺方向となり、ｙ方向が短辺方向となる矩形状とする。遮光部５１の中心位置ＣＸと半導体発光素子３０の中心位置ＣＡとが一致している。この場合、はみ出し領域Ｒ１の面積とはみ出し領域Ｒ２の面積とは互いに等しく、はみ出し領域Ｒ３の面積とはみ出し領域Ｒ４の面積とは互いに等しく、はみ出し領域Ｒ１，Ｒ２の面積ははみ出し領域Ｒ３，Ｒ４の面積よりも大きくなる。別例では、上方から視た遮光部５１の形状は、ｙ方向が長辺方向となり、ｘ方向が短辺方向となる矩形状とする。遮光部５１の中心位置ＣＸと半導体発光素子３０の中心位置ＣＡとが一致している。この場合、はみ出し領域Ｒ１の面積とはみ出し領域Ｒ２の面積とは互いに等しく、はみ出し領域Ｒ３の面積とはみ出し領域Ｒ４の面積とは互いに等しく、はみ出し領域Ｒ３，Ｒ４の面積ははみ出し領域Ｒ１，Ｒ２の面積よりも大きくなる。
・第１実施形態において遮光ユニット５０のｚ方向の配置位置は任意に変更可能である。一例では、図６０に示すように、遮光部５１は、樹脂主面４０ｓ上に配置されてもよい。図示された例においては、遮光部５１は、樹脂主面４０ｓの全面にわたり形成されている。遮光部５１は、平板状に形成されている。この場合、遮光ユニット５０は、一対の支持部５２を有していない。
また別例では、ｘ方向またはｙ方向から視て、遮光部５１は、その一部がワイヤＷと重なるように配置されてもよい。この場合、遮光部５１はワイヤＷと干渉しないように配置する。
なお、第３実施形態の各遮光ユニット５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂの遮光部５１Ｒ，５１Ｇ，５１Ｂの少なくとも１つについても、遮光部５１や遮光部５１の一部がワイヤＷとｘ方向およびｙ方向から視て重なるような配置に変更してもよい。
・図６０の変更例において、遮光部５１の形状は任意に変更可能である。一例では、図６１に示すように、遮光部５１は、凸部５１ａを有してもよい。図示された例においては、凸部５１ａは、半導体発光素子３０に向かうにつれて小さくなる四角錐台状からなる。上方から視て、凸部５１ａは、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓの全体を覆うように形成されている。なお、凸部５１ａの形状は任意に変更可能である。一例では、凸部５１ａは、球面形状であってもよいし、平板状であってもよい。
・第１および第２実施形態において、封止樹脂４０の形状は任意に変更可能である。一例では、図６２に示すように、ｙ方向から視た封止樹脂４０の形状が半円状であってもよい。
・第３実施形態において、図６３に示すように、半導体発光装置１Ｃは、各半導体発光素子３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂおよびツェナーダイオード３３Ｇ，３３Ｂをｘ方向およびｙ方向から取り囲むケース１００を備えていてもよい。ケース１００は、電気絶縁性を有する樹脂材料からなり、図示された例においては白色のエポキシ樹脂からなる。上方から視たケース１００の形状は、底部を有する四角枠体状である。
図６４および図６５に示すように、ケース１００は、第３実施形態の保持部材７０（図３４参照）と一体に形成されている。つまり、変更例の半導体発光装置１Ｃは、保持部材７０の代わりにケース１００を備えている。このため、ケース１００は、保持部材７０と同様にリード６０を保持するように構成されている。この場合、リード６０およびケース１００によって基板を構成する。
図６３に示すように、ケース１００には、遮光ユニット５０が設けられている。より詳細には、ケース１００には、第１遮光ユニット５０Ｒ、第２遮光ユニット５０Ｇおよび第３遮光ユニット５０Ｂがそれぞれ設けられている。ケース１００と、第１遮光ユニット５０Ｒ、第２遮光ユニット５０Ｇおよび第３遮光ユニット５０Ｂとは一体化されている。この場合、各遮光ユニット５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂとケース１００とを一体に形成してもよいし、各遮光ユニット５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂとケース１００とを個別に形成した後に各遮光ユニット５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂとケース１００とを互いに接合してもよい。
ケース１００は、周壁部１０１を有している。周壁部１０１は、ｚ方向においてリード６０から立ち上がるように設けられている。周壁部１０１の内壁面１０２は、ｚ方向においてリード６０に向かうにつれて内方に向けて傾斜する傾斜面である。
図６４および図６５に示すように、周壁部１０１の開口部１０３内には、封止樹脂８０が充填されている。各遮光ユニット５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂは、封止樹脂８０内に埋め込まれている。封止樹脂８０は、樹脂主面８０ｓを有している。図示された例においては、樹脂主面８０ｓは、周壁部１０１の上面と面一となっている。
図６４に示すように、第３実施形態と同様に、第１遮光ユニット５０Ｒの遮光部５１Ｒは、ｚ方向において第１半導体発光素子３０Ｒよりも樹脂主面８０ｓの近くに配置されており、上方から視て第１半導体発光素子３０Ｒの素子主面３０Ｒｓの全体を覆っている。また、遮光部５１Ｒは、第３実施形態と同様に、素子主面３０Ｒｓに接続されたワイヤＷ１よりも樹脂主面８０ｓの近くに配置されている。
図６５に示すように、第３実施形態と同様に、第２遮光ユニット５０Ｇの遮光部５１Ｇは、ｚ方向において第２半導体発光素子３０Ｇよりも樹脂主面８０ｓの近くに配置されており、上方から視て第２半導体発光素子３０Ｇの素子主面３０Ｇｓの全体を覆っている。また、遮光部５１Ｇは、第３実施形態と同様に、素子主面３０Ｇｓに接続されたワイヤＷ２，Ｗ３（ともに図６３参照）よりも樹脂主面８０ｓの近くに配置されている。
第３遮光ユニット５０Ｂの遮光部５１Ｂは、ｚ方向において第３半導体発光素子３０Ｂよりも樹脂主面８０ｓの近くに配置されており、上方から視て第３半導体発光素子３０Ｂの素子主面３０Ｂｓの全体を覆っている。また、遮光部５１Ｂは、第３実施形態と同様に、素子主面３０Ｂｓに接続されたワイヤＷ４，Ｗ５（ともに図６３参照）よりも樹脂主面８０ｓの近くに配置されている。
・第１実施形態において、遮光ユニット５０の遮光部５１に、下方に向けて開口する凹部５１ｈを設けてもよい。一例では、遮光部５１の凹部５１ｈの形状は、次の（Ｄ１）〜（Ｄ７）のように変更できる。なお、第３実施形態の各遮光ユニット５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂの遮光部５１Ｒ，５１Ｇ，５１Ｂの少なくとも１つについても同様に凹部５１ｈを設けてもよい。
（Ｄ１）遮光部５１の凹部５１ｈは、遮光部５１の最下部から上方に向かうにつれて小さくなる四角錐台状に形成されてもよい。図６６に示すように、遮光部５１の凹部５１ｈのｙ方向から視た形状は、台形である。ｙ方向から視て、凹部５１ｈは、遮光部５１の最下部から上方に向かうにつれて互いに接近するように傾斜する側面であるテーパ面５１ｊを有している。なお、本変更例では、図示していないが、ｘ方向から視て、凹部５１ｈは、遮光部５１の最下部から上方に向かうにつれて互いに接近するように傾斜する側面であるテーパ面を有している。
また一例では、ｙ方向から視て、遮光部５１の凹部５１ｈがｘ方向の凹部５１ｈの中央部に向かうにつれて互いに接近するように傾斜する側面であるテーパ面５１ｊを有しており、ｘ方向から視て、凹部５１ｈがｚ方向に沿って延びる側面を有する矩形凹状からなるように、凹部５１ｈが設けられてもよい。
また一例では、ｘ方向から視て、遮光部５１の凹部５１ｈがｙ方向の凹部５１ｈの中央部に向かうにつれて互いに接近するように傾斜する側面であるテーパ面５１ｊを有しており、ｙ方向から視て、凹部５１ｈがｚ方向に沿って延びる側面を有する矩形凹状からなるように、凹部５１ｈが設けられてもよい。
（Ｄ２）遮光部５１の凹部５１ｈは、図６７に示すように、単一の曲率半径からなる湾曲面から構成されてもよい。図６７においては、凹部５１ｈの内面は、球面から構成されている。
（Ｄ３）遮光部５１の凹部５１ｈは、複数の曲率半径からなる湾曲面から構成されてもよい。一例では、図６８に示すように、ｙ方向から視て、凹部５１ｈは、第１曲率半径からなる第１湾曲面５１ｋと、第１曲率半径よりも大きい第２曲率半径からなる第２湾曲面５１ｌと、を有する湾曲面からなる。第１湾曲面５１ｋは、ｚ方向において凹部５１ｈの下面から上方に向けて延びる湾曲面である。第２湾曲面５１ｌは、第１湾曲面５１ｋに接続される湾曲面である。第２湾曲面５１ｌは、凹部５１ｈの底面部を少なくとも形成している。
また一例では、ｙ方向から視て、遮光部５１の凹部５１ｈがｘ方向の凹部５１ｈの中央に向かうにつれて上方に向けて湾曲する湾曲面からなり、ｘ方向から視て、凹部５１ｈがｚ方向に沿う側面を有する矩形凹状からなるように、凹部５１ｈが設けられてもよい。
また一例では、ｘ方向から視て、遮光部５１の凹部５１ｈがｙ方向の凹部５１ｈの中央に向かうにつれて上方に向けて湾曲する湾曲面からなり、ｙ方向から視て、凹部５１ｈがｚ方向に沿う側面を有する矩形凹状からなるように、凹部５１ｈが設けられてもよい。
（Ｄ４）図６９に示すように、遮光部５１の凹部５１ｈは、遮光部５１の最下部から上方に向かうにつれて小さくなる三角錐状に形成されてもよい。
また一例では、ｙ方向から視て、遮光部５１の凹部５１ｈがｘ方向の凹部５１ｈの中央に向かうにつれて上方に向けて傾斜する三角形となる内側面からなり、ｘ方向から視て、凹部５１ｈがｚ方向に沿う側面を有する矩形凹状からなるように、凹部５１ｈが設けられてもよい。
また一例では、ｘ方向から視て、遮光部５１の凹部５１ｈがｙ方向の凹部５１ｈの中央に向かうにつれて上方に向けて傾斜する三角形となる内側面からなり、ｙ方向から視て、凹部５１ｈがｚ方向に沿う側面を有する矩形凹状からなるように、凹部５１ｈが設けられてもよい。
（Ｄ６）上記（Ｄ１）〜（Ｄ５）では、ｘ方向またはｙ方向から視た遮光部５１の形状が矩形平板状であったが、これに限られない。たとえば、図７０に示すように、遮光部５１は、ｚ方向において半導体発光素子３０に向かうにつれて小さくなる四角錐台状に形成されてもよい。遮光部５１の凸部５１ａのｙ方向から視た形状は、台形である。ｙ方向から視て、凸部５１ａは、ｚ方向において半導体発光素子３０に向かうにつれて互いに接近するように傾斜する側面であるテーパ面５１ｃを有している。なお、本変更例では、図示していないが、ｘ方向から視て、凸部５１ａは、ｚ方向において半導体発光素子３０に向かうにつれて互いに接近するように傾斜する側面であるテーパ面を有している。凸部５１ａの下面５１ｘには、凹部５１ｈが設けられている。凹部５１ｈの形状は、たとえば（Ｄ１）と同様に四角錐台状である。
（Ｄ７）上記（Ｄ１）〜（Ｄ６）では、上方から視た遮光部５１の形状は、矩形状であったが、これに限られない。たとえば上方から視た遮光部５１の形状は、たとえば図４９に示すような円形であってもよい。この場合、凹部５１ｈの形状は、任意であるが、球面凹状であることが好ましい。なお、上方から視た遮光部５１の形状は、円形や矩形状に代えて、長円、楕円形またはｎ（ｎ≧５）角形であってもよい。
（Ｄ８）図６７に示す上記（Ｄ２）の変更例では、遮光部５１の凹部５１ｈの全体が球面から構成されていたが、これに限られない。たとえば、凹部５１ｈの底面部のみが球面に形成される等の凹部５１ｈの底面部を含む一部分が球面に形成されてもよい。要するに、凹部５１ｈの少なくとも底面部が球面で形成されていればよい。
上記（Ｄ１）〜（Ｄ７）の変更例において、上方から視て、凹部５１ｈは、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓの全体を覆っている。なお、上方から視て、凹部５１ｈは、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓの一部を覆っている構成であってもよい。
上記（Ｄ８）の変更例において、上方から視て、凹部５１ｈは、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓの一部を覆っている。なお、上方から視て、凹部５１ｈは、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓの全体を覆っている構成であってもよい。要するに、上方から視て、凹部５１ｈは、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓのうち少なくとも一部を覆っていればよい。
・第２実施形態において遮光ユニット５０の遮光部５１のｙ方向から視た形状は上方に向けて凹む凹形状であってもよい。一例では、遮光部５１のｙ方向から視た形状は、次の（Ｅ１）〜（Ｅ３）のように変更できる。
（Ｅ１）図７１に示すように、遮光部５１は、球面からなる凹部５１ｈを有している。この場合、第１樹脂層４０Ａには、第１樹脂主面４０Ａｓのｘ方向およびｙ方向の中央から上方に向けて突出する球面状の凸部４５Ｄが設けられている。遮光部５１は、凸部４５Ｄの表面を覆うように形成されている。第２樹脂層４０Ｂは、遮光部５１の上面５１ｂおよび第１樹脂主面４０Ａｓと接するように形成されている。また、凹部５１ｈの球面と凸部４５Ｄの表面とは接している。つまり、凸部４５Ｄの表面は、球面からなる。
（Ｅ２）図７２に示すように、遮光部５１は、上方に向かうにつれて小さくなる四角錐台状からなる凹部５１ｈを有している。この場合、第１樹脂層４０Ａには、第１樹脂主面４０Ａｓのｘ方向およびｙ方向の中央から上方に向けて突出する四角錐台状の凸部４５Ｅが設けられている。遮光部５１は、凸部４５Ｅの表面を覆うように形成されている。第２樹脂層４０Ｂは、遮光部５１の上面５１ｂおよび第１樹脂主面４０Ａｓと接するように形成されている。また、凹部５１ｈの内面と凸部４５Ｅの表面となるテーパ面とは接している。つまり、凸部４５Ｅは、四角錐台状からなる。
（Ｅ３）図７３に示すように、遮光部５１は、平板状の凹部５１ｈを有している。この場合、第１樹脂層４０Ａには、第１樹脂主面４０Ａｓのｘ方向およびｙ方向の中央から上方に向けて突出する直方体状の凸部４５Ｆが設けられている。遮光部５１は、凸部４５Ｆの表面を覆うように形成されている。第２樹脂層４０Ｂは、遮光部５１の上面５１ｂおよび第１樹脂主面４０Ａｓと接するように形成されている。また、凹部５１ｈの内面と凸部４５Ｆの表面とは接している。つまり、凸部４５Ｆは、平板状からなる。
また、上記（Ｅ１）の変更例において、凸部４５Ｄは、先端部が球面から形成されており、先端部よりも第１樹脂主面４０Ａｓに近い部分がテーパ面から形成されてもよい。要するに、凸部４５Ｆは、少なくとも先端部が球面から形成されていていればよい。この場合、遮光部５１は、球面に対応する部分のみに設けられてもよい。
上記（Ｅ１）〜（Ｅ３）の変更例において、上方から視て、凹部５１ｈは、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓの全体を覆っている。なお、上方から視て、凹部５１ｈは、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓの一部を覆っている構成であってもよい。要するに、上方から視て、凹部５１ｈは、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓのうち少なくとも一部を覆っていればよい。
・第１および第２実施形態において、ディスクリートタイプの半導体発光装置１Ａ，１Ｂの構成は任意に変更可能である。一例では、図７４〜図８１に示す第１実施形態の半導体発光装置１Ａの変更例と、図８２〜図８８に示す第２実施形態の半導体発光装置１Ｂの変更例と、が挙げられる。
図７４〜図７９を参照して、第１実施形態の半導体発光装置１Ａの変更例について説明する。
図７４に示すように、半導体発光装置１Ａの封止樹脂４０は、基板１０の基板主面１０ｓの全体を覆うように直方体状に形成されている。この場合、半導体発光装置１Ａから主面絶縁層２３ｓ（図１参照）を省略してもよい。図７４および図７５に示すように、樹脂側面４１は基板１０の基板側面１１と面一となり、樹脂側面４２は基板１０の基板側面１２と面一となり、樹脂側面４３は基板１０の基板側面１３と面一となり、樹脂側面４４は基板１０の基板側面１４と面一となっている。
図示された例においては、基板１０から第１貫通溝１６および第２貫通溝１７（図３参照）が省略されている。基板１０には、図示されていないが、第１貫通孔および第２貫通孔が設けられている。第１貫通孔は、基板１０のｘ方向の両端部のうち基板側面１１に近い方の端部に設けられている。第１貫通孔の内壁面には、第１接続電極（図示略）が設けられている。この第１接続電極は、第１主面電極２１ｓと第１裏面電極２１ｒとを電気的に接続している。第２貫通孔は、基板１０のｘ方向の両端部のうち基板側面１２に近い方の端部に設けられている。第２貫通孔の内壁面には、第２接続電極（図示略）が設けられている。この第２接続電極は、第２主面電極２２ｓと第２裏面電極２２ｒとを電気的に接続している。
遮光ユニット５０は、平板状の遮光部５１を有している。図示された例においては、遮光ユニット５０は、一対の支持部５２を有していない。図７５および図７６に示すように、遮光ユニット５０は、第１実施形態と同様に、ｚ方向において半導体発光素子３０よりも樹脂主面４０ｓの近くに配置されている。遮光ユニット５０は、ｚ方向において半導体発光素子３０に接続されたワイヤＷよりも樹脂主面４０ｓの近くに配置されている。
図７６に示すように、遮光部５１は、樹脂側面４３から樹脂側面４４までにわたり形成されている。上方から視た遮光部５１の形状は、ｙ方向が長辺方向となり、ｘ方向が短辺方向となる矩形状である。遮光部５１は、第１実施形態と同様に、上方から視て、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓの全体を覆うように配置されている。
次に、図７７〜図７９を参照して、図７４〜図７６に示す変更例の半導体発光装置１Ａの製造方法について説明する。
変更例の半導体発光装置１Ａの製造方法は、第１実施形態と同様に、基材８００を用意する工程と、主面電極８２０ｓ、裏面電極８２０ｒ（図７８参照）および接続電極（図示略）を形成する工程と、半導体発光素子３０を実装する工程と、ワイヤＷを形成する工程と、裏面絶縁層８２３ｒ（図７８参照）を形成する工程と、を備えている。なお、変更例の半導体発光装置１Ａの製造方法は、第１実施形態とは異なり、主面絶縁層８２３ｓを形成する工程を備えていない。
変更例の半導体発光装置１Ａの製造方法は、遮光ユニット保持体８６０を基材８００に配置する工程を備えている。一例では、図７７に示すように、遮光ユニット保持体８６０は、基材８００の基材主面８０１に配置されている。遮光ユニット保持体８６０は、複数の半導体発光素子３０を取り囲む枠体８７０と、枠体８７０の開口部８７１に設けられた複数（図示された例においては４個）の遮光部連結体８８０と、を有している。
各遮光部連結体８８０は、枠体８７０の開口部８７１をｙ方向に通過するように延びており、枠体８７０と一体化されている。この場合、複数の遮光部連結体８８０と枠体８７０とを一体に形成してもよいし、複数の遮光部連結体８８０と枠体８７０とを個別に形成した後に各遮光部連結体８８０と枠体８７０とを互いに接合してもよい。複数の遮光部連結体８８０は、ｘ方向において互いに離間して配列されている。
遮光ユニット保持体８６０は、各遮光部連結体８８０が上方から視て、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓの全体を覆うように基材８００の基材主面８０１に配置されている。つまり、各遮光部連結体８８０は、図７４に示す遮光部５１をなす部材である。図７８に示すように、複数の遮光部連結体８８０は、ｚ方向において、各半導体発光素子３０よりも上方に離間して配置されている。また複数の遮光部連結体８８０は、ｚ方向において、各ワイヤＷ１よりも上方に離間して配置されている。
変更例の半導体発光装置１Ａの製造方法は、樹脂層８４０を形成する工程を備える。樹脂層８４０は、図７４に示す封止樹脂４０となる部材である。樹脂層８４０は、透光性の樹脂材料からなる。図示された例においては、樹脂層８４０は、たとえば透明または半透明のエポキシ樹脂からなる。この工程では、たとえばトランスファ成型によって樹脂層８４０を形成する。
図７９に示すように、変更例の半導体発光装置１Ａの製造方法は、樹脂層８４０および基材８００を切断する工程を備えている。たとえば、図７９における一点鎖線の太線で示す切断線ＣＬに沿ってダイシングブレードによって樹脂層８４０および基材８００を切断する。これにより、個片化されて封止樹脂４０、遮光ユニット５０および基板１０が形成される。以上の工程を経て、図７４に示す変更例の半導体発光装置１Ａが製造される。
なお、図７４に示す変更例の半導体発光装置１では、遮光ユニット５０が封止樹脂４０のｙ方向の全体にわたり延びており、ｘ方向において封止樹脂４０の一部に設けられた構成であったが、これに限られない。たとえば、図８０に示すように、遮光ユニット５０が封止樹脂４０のｘ方向の全体にわたり延びており、ｙ方向において封止樹脂４０の一部に設けられた構成であってもよい。
この場合、変更例の半導体発光装置１の製造方法において、遮光ユニット保持体８６０は、図８１に示すように、複数の半導体発光素子３０を取り囲む枠体８７０と、枠体８７０の開口部８７１に設けられた複数（図示された例においては３個）の遮光部連結体８８０と、を有している。遮光ユニット保持体８６０は、各遮光部連結体８８０が上方から視て、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓの全体を覆うように基材８００の基材主面８０１に配置されている。つまり、各遮光部連結体８８０は、図７４に示す遮光部５１をなす部材である。図示していないが、複数の遮光部連結体８８０は、ｚ方向において、各半導体発光素子３０よりも上方に離間して配置されている。また複数の遮光部連結体８８０は、ｚ方向において、各ワイヤＷ１よりも上方に離間して配置されている。
図８２〜図８８を参照して、第２実施形態の半導体発光装置１Ｂの変更例について説明する。
図８２に示すように、半導体発光装置１Ｂの封止樹脂４０は、基板１０の基板主面１０ｓの全体を覆うように直方体状に形成されている。この場合、半導体発光装置１Ａから主面絶縁層２３ｓを省略してもよい。図８２に示すように、樹脂側面４１は基板１０の基板側面１１と面一となり、樹脂側面４２は基板１０の基板側面１２と面一となる。また図８３に示すように、樹脂側面４３は基板１０の基板側面１３と面一となり、樹脂側面４４は基板１０の基板側面１４と面一となっている。
図８２および図８３に示すように、封止樹脂４０は、半導体発光素子３０およびワイヤＷを覆う第１樹脂層４０Ａと、第１樹脂層４０Ａの第１樹脂主面４０Ａｓ上に形成される第２樹脂層４０Ｂと、を有している。図示された例においては、第１樹脂層４０Ａおよび第２樹脂層４０Ｂは、互いに同じ材料からなる。第１樹脂層４０Ａおよび第２樹脂層４０Ｂはそれぞれ、透光性の樹脂材料からなる。図示された例においては、第１樹脂層４０Ａおよび第２樹脂層４０Ｂはそれぞれ、たとえば透明または半透明のエポキシ樹脂からなる。
図８２および図８３に示すように、遮光ユニット５０は、平板状の遮光部５１を有している。図示された例においては、遮光ユニット５０は、一対の支持部５２を有していない。遮光ユニット５０は、第１実施形態と同様に、ｚ方向において半導体発光素子３０よりも樹脂主面４０ｓの近くに配置されている。遮光ユニット５０は、ｚ方向において半導体発光素子３０に接続されたワイヤＷよりも樹脂主面４０ｓの近くに配置されている。
上方から視た遮光部５１の形状は、ｙ方向が長辺方向となり、ｘ方向が短辺方向となる矩形状である。遮光部５１は、第１実施形態と同様に、上方から視て、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓの全体を覆うように配置されている。
基板１０、主面電極２０ｓ、裏面電極２０ｒおよび裏面絶縁層２３ｒの構成は、図７４〜図７６に示す半導体発光装置１Ａの基板１０、主面電極２０ｓ、裏面電極２０ｒおよび裏面絶縁層２３ｒの構成と同じである。
次に、図８４〜図８８を参照して、図８２および図８３に示す変更例の半導体発光装置１Ｂの製造方法について説明する。
変更例の半導体発光装置１Ｂの製造方法は、第１および第２実施形態と同様に、基材８００を用意する工程と、主面電極８２０ｓ、裏面電極８２０ｒおよび接続電極８２４を形成する工程と、半導体発光素子３０を実装する工程と、ワイヤＷを形成する工程と、裏面絶縁層８２３ｒを形成する工程と、を備えている。なお、変更例の半導体発光装置１Ａの製造方法は、第１実施形態とは異なり、主面絶縁層８２３ｓを形成する工程を備えていない。
変更例の半導体発光装置１Ｂの製造方法は、枠体８９０を基材８００に配置する工程を備えている。一例では、図８４に示すように、枠体８９０は、基材８００の基材主面８０１に配置されている。枠体８９０は、複数の半導体発光素子３０を取り囲んでいる。
変更例の半導体発光装置１Ｂの製造方法は、第１樹脂層８４０Ａを形成する工程を備える。第１樹脂層８４０Ａは、図８２に示す第１樹脂層４０Ａとなる部材である。第１樹脂層８４０Ａは、たとえば透明または半透明のエポキシ樹脂からなる。この工程では、たとえばトランスファ成型によって枠体８９０の開口部８９１内に第１樹脂層８４０Ａを形成する。
変更例の半導体発光装置１Ｂの製造方法は、図８５に示すように、遮光ユニット５０を第１樹脂層８４０Ａに形成する工程を備えている。一例では、図８６に示すように、遮光ユニット５０は、第１樹脂層８４０Ａの第１樹脂主面８４０Ａｓ上に形成されている。遮光ユニット５０は、たとえば遮光性のナイロンをディスペンサ装置によって第１樹脂主面８４０Ａｓにポッティングすることによって形成される。このように、第１樹脂主面８４０Ａｓ上には、複数の遮光ユニット５０が形成されている。より詳細には、図８５に示すように、複数の遮光ユニット５０は、各半導体発光素子３０の素子主面３０ｓの全体を覆うように個別に形成されている。
図８７に示すように、変更例の半導体発光装置１Ｂの製造方法は、第２樹脂層８４０Ｂを形成する工程を備えている。第２樹脂層８４０Ｂは、遮光ユニット５０を覆う樹脂層４０Ｂをなす部材である。本実施形態では、第２樹脂層４０Ｂは、透明または半透明のエポキシ樹脂からなる。この工程では、たとえばトランスファ成型によって枠体８９０の開口部８９１内に第２樹脂層８４０Ｂを形成する。
図８８に示すように、変更例の半導体発光装置１Ｂの製造方法は、樹脂層８４０および基材８００を切断する工程を備えている。たとえば、図８８における一点鎖線の太線で示す切断線ＣＬに沿ってダイシングブレードによって樹脂層８４０および基材８００を切断する。これにより、個片化されて封止樹脂４０、遮光ユニット５０および基板１０が形成される。以上の工程を経て、変更例の半導体発光装置１Ｂが製造される。
・第１および第３実施形態において、遮光ユニット５０，５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂにおける一対の支持部５２，５２Ｒ，５２Ｇ，５２Ｂが延びる方向は任意に変更可能である。一例では、一対の支持部５２は、遮光部５１からｘ方向に延びてもよい。一対の支持部５２は、遮光部５１からｚ方向と直交する方向のうちｘ方向およびｙ方向とは異なる方向に延びてもよい。一対の支持部５２Ｒ，５２Ｇ，５２Ｂはそれぞれ、ｙ方向に沿って延びてもよい。この場合、各遮光ユニット５０Ｇ，５０Ｂが一体に形成される。
また、支持部５２，５２Ｒ，５２Ｇ，５２Ｂのそれぞれの数は２つに限られず、任意に変更可能である。たとえば支持部５２，５２Ｒ，５２Ｇ，５２Ｂはそれぞれ、遮光部５１，５１Ｒ，５１Ｇ，５１Ｂから３つ以上の支持部５２，５２Ｒ，５２Ｇ，５２Ｂが延びていてもよい。
要するに、支持部５２，５２Ｒ，５２Ｇ，５２Ｂはそれぞれ、半導体発光装置１Ａ〜１Ｃの製造工程において、樹脂層形成時に遮光ユニット連結体８５０および遮光ユニット保持体９５０における遮光ユニット５０が樹脂層によって半導体発光素子３０，３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂに向けて移動することが抑制できるような構成であればよい。
・第１および第３実施形態において、一対の支持部５２，５２Ｒ，５２Ｇ，５２Ｂの材料は、遮光部５１，５１Ｒ，５１Ｇ，５１Ｂの材料と異なってもよい。一例では、一対の支持部５２，５２Ｒ，５２Ｇ，５２Ｂは、透光性を有する材料、たとえば透明または半透明のエポキシ樹脂から構成されてもよい。このように、一対の支持部５２，５２Ｒ，５２Ｇ，５２Ｂの材料は、遮光部５１，５１Ｒ，５１Ｇ，５１Ｂの材料と異なる場合、たとえば２色成型によって遮光部５１，５１Ｒ，５１Ｇ，５１Ｂと一対の支持部５２，５２Ｒ，５２Ｇ，５２Ｂとを一体に形成してもよい。
・第１および第３実施形態において、上方から視た一対の支持部５２，５２Ｒ，５２Ｇ，５２Ｂの形状は任意に変更可能である。一例では、図８９に示すように、半導体発光装置１Ａにおいて、上方から視て一対の支持部５２のうち支持部５２Ａが封止樹脂４０の樹脂側面４３から遮光部５１に向かうにつれてｘ方向の大きさが大きくなるテーパ状に形成されてもよい。また上方から視て一対の支持部５２のうち支持部５２Ｂが封止樹脂４０の樹脂側面４４から遮光部５１に向かうにつれてｘ方向の大きさが大きくなるテーパ状に形成されてもよい。
この構成によれば、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓからの光が一対の支持部５２に当たりやすくなるため、素子主面３０ｓから上方に向けて出射された光の強さを弱めることができる。したがって、素子主面３０ｓから上方に向けて出射される光の強さと半導体発光装置１Ａの周囲の光の強さとの差が小さくなるため、上方から半導体発光装置１Ａを視た場合に半導体発光素子３０の素子主面３０ｓが局所的に強く光って見えることを抑制できる。
・第１および第３実施形態において、遮光部５１に対する凸部５１ａの大きさは任意に変更可能である。一例では、図９０および図９１に示すように、上方から視た凸部５１ａの面積は、上方から視た遮光部５１の面積よりも小さくてもよい。図示された例においては、凸部５１ａは、球面状からなる。なお、凸部５１ａの形状は任意に変更可能である。
図９１に示すように、上方から視て、凸部５１ａの面積は、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓの面積よりも大きい。すなわち、上方から視て、凸部５１ａは、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓの全体を覆っている。なお、上方から視た凸部５１ａの面積は任意に変更可能である。一例では、上方から視た凸部５１ａの面積は、半導体発光素子３０の素子主面３０ｓの面積と等しい、または素子主面３０ｓの面積よりも小さくてもよい。
・図９０および図９１の変更例において、ｚ方向から視て、遮光部５１に対する凸部５１ａの位置は任意に変更可能である。一例では、ｚ方向から視て、凸部５１ａの中心位置が遮光部５１の中心位置ＣＸに対してｘ方向およびｙ方向の少なくとも一方において異なるように、遮光部５１に対して凸部５１ａを形成してもよい。
・各実施形態において、上方から視た遮光部５１の面積は、上方から視た半導体発光素子３０の素子主面３０ｓの面積と等しくてもよい。
・各実施形態において、半導体発光素子３０、３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂと遮光部５１，５１Ｒ，５１Ｇ，５１Ｂとのｚ方向の間に、光を拡散させる拡散板または拡散材を設けてもよい。
・第１および第２実施形態において、半導体発光素子３０は、たとえばフリップチップ実装が可能な構成に変更してもよい。この場合、ワイヤＷは省略される。一例では、半導体発光素子３０は、第１電極３１および第２電極３２がｚ方向において基板１０に向けて露出するようにパッケージ化される。
（半導体発光素子の構成）
・各実施形態において、半導体発光素子３０，３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂの構成は任意に変更可能である。一例では、半導体発光素子３０，３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂがｚ方向と直交する方向に光を出射するような構成としてもよい。
図９２は半導体発光素子３０の平面構造を示し、図９３は図９２の９３−９３線で切った半導体発光素子３０の素子断面構造の一例を模式的に示している。
図９３に示すように、半導体発光素子３０は、基板３００と、金属層３１０と、透光導電層３２０と、化合物半導体層３３０と、アノード電極層３４０と、カソード電極層３５０と、を有している。半導体発光素子３０は、基板３００、金属層３１０、透光導電層３２０、化合物半導体層３３０、アノード電極層３４０およびカソード電極層３５０がｚ方向に積層された構成である。
基板３００は、ｚ方向において互いに反対側を向く基板主面３００ｓおよび基板裏面３００ｒを有している。基板３００は、金属材料からなる導体基板を有してもよい。導体基板は、Ａｌ、Ｃｕ、ＡｕまたはＡｇのうち少なくとも１種を金属材料として含んでいてもよい。基板３００は、導体基板に代えてまたはこれに加えて、半導体材料からなる半導体基板を有していてもよい。半導体基板は、Ｓｉ、ＳｉＣ、Ｇｅ、化合物半導体または窒化物半導体のうち少なくとも１種を半導体材料として含んでいてもよい。以下では、基板３００がＳｉの半導体基板からなる例について説明する。
図示された例においては、上方から視た基板３００の形状は、略正方形である。なお、上方から視た基板３００の形状は任意に変更可能である。一例では、上方から視た基板３００の形状は、ｘ方向およびｙ方向の一方が長辺方向となり、ｘ方向およびｙ方向の他方が短辺方向となる矩形状であってもよい。基板３００の厚さ（基板３００のｚ方向の大きさ）は、たとえば５０μｍ以上３００μｍ以下である。
基板３００の基板裏面３００ｒ上には、アノード電極層３４０が形成されている。図示された例においては、アノード電極層３４０は、基板裏面３００ｒの全体を覆うように形成されている。アノード電極層３４０は、たとえばＡｕまたはＡｕを含む合金によって構成されている。より詳細には、アノード電極層３４０は、基板裏面３００ｒに接するＴｉ層と、Ｔｉ層に接するＡｕ層と、を有している。つまり、アノード電極層３４０は、Ｔｉ層とＡｕ層との積層構造からなる。
基板３００の基板主面３００ｓ上には、金属層３１０が形成されている。図示された例においては、金属層３１０は、基板主面３００ｓの全体を覆うように形成されている。金属層３１０の厚さ（金属層３１０のｚ方向の大きさ）は、たとえば０．１μｍ以上３．０μｍ以下である。
金属層３１０は、たとえばＡｕまたはＡｕを含む合金によって構成されている。金属層３１０は、Ａｕ層およびＡｕ合金層（たとえば、ＡｕＢｅＮｉ等）のそれぞれの単層であってもよいし、これらの層および他の金属層が複数積層された層であってもよい。金属層３１０は、複数の積層構造である場合、少なくとも透光導電層３２０との接触面がＡｕ層またはＡｕ合金層によって構成されていることが好ましい。一例では、基板主面３００ｓにＴｉ層が形成されて、Ｔｉ層に接するようにＡｕ層が形成されたＡｕ／Ｔｉ積層構造であってもよい。この場合、Ａｕ層が透光導電層３２０に接する層となる。
透光導電層３２０は、金属層３１０上に形成されている。透光導電層３２０は、金属層３１０の表面の全体を覆うように形成されている。透光導電層３２０の厚さ（透光導電層３２０のｚ方向の大きさ）は、たとえば０．０５μｍ以上０．５μｍ以下である。
透光導電層３２０は、後述する発光層３３１の発光波長に対して透過性を有する材料からなる。この材料の一例としては、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）またはＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）が挙げられる。
化合物半導体層３３０は、透光導電層３２０上に形成されている。化合物半導体層３３０は、たとえばエピタキシャル成長によって形成されたエピタキシャル層からなる。化合物半導体層３３０は、ｚ方向において互いに反対側を向く主面３３０ｓおよび裏面３３０ｒを有している。化合物半導体層３３０の裏面３３０ｒは、透光導電層３２０に接している。
化合物半導体層３３０は、発光層３３１と、ｐ型半導体層３３２と、ｎ型半導体層３３３と、を有している。ｚ方向においてｐ型半導体層３３２は発光層３３１よりも基板３００の近くに配置されており、ｎ型半導体層３３３は発光層３３１よりも基板３００とは反対側に配置されている。図９３から分かるとおり、ｐ型半導体層３３２は発光層３３１と接しており、ｎ型半導体層３３３はｚ方向において発光層３３１と接した状態で配置されている。このように、発光層３３１がｐ型半導体層３３２とｎ型半導体層３３３とによってｚ方向に挟まれる構造からダブルヘテロ接合が形成されている。発光層３３１には、ｎ型半導体層３３３から電子が注入され、ｐ型半導体層３３２から正孔が注入される。これらが発光層３３１において再結合することによって、光が発生する。
ｐ型半導体層３３２は、基板３００側から順に、ｐ型コンタクト層３３２ａ、ｐ型ウィンドウ層３３２ｂおよびｐ型クラッド層３３２ｃが積層された構成である。ｎ型半導体層３３３は、基板３００側から順に、ｎ型クラッド層３３３ａ、ｎ型ウィンドウ層３３３ｂおよびｎ型コンタクト層３３３ｃが積層された構成である。
ｐ型コンタクト層３３２ａおよびｎ型コンタクト層３３３ｃはそれぞれ、透光導電層３２０およびカソード電極層３５０とのオーミックコンタクトをとるための低抵抗層である。ｐ型コンタクト層３３２ａは、上方から視て、透光導電層３２０の全面を覆うように形成されている。ｐ型コンタクト層３３２ａは、ＧａＰ（リン化ガリウム）にたとえばｐ型ドーパントとしてのＣ（カーボン）を高濃度にドープすることによってｐ型半導体となる。ｐ型コンタクト層３３２ａの厚さ（ｐ型コンタクト層３３２ａのｚ方向の大きさ）は、たとえば０．１μｍ以上２．５μｍ以下である。ｎ型コンタクト層３３３ｃは、上方から視てｎ型クラッド層３３３ａの全面を覆うように形成されている。ｎ型コンタクト層３３３ｃは、ＧａＡｓ（ヒ化ガリウム）にたとえばｎ型ドーパントとしてのＳｉを高濃度にドープすることによってｎ型半導体となる。ｎ型コンタクト層３３３ｃの厚さ（ｎ型コンタクト層３３３ｃのｚ方向の大きさ）は、たとえば０．１μｍ以上２．５μｍ以下である。
ｐ型ウィンドウ層３３２ｂは、ＧａＰにたとえばｐ型ドーパントとしてのＭｇ（マグネシウム）をドープすることによってｐ型半導体となる。ｐ型ウィンドウ層３３２ｂの厚さ（ｐ型ウィンドウ層３３２ｂのｚ方向の大きさ）は、０．１μｍ以上２．５μｍ以下である。ｎ型ウィンドウ層３３３ｂは、ＡｌＩｎＧａＰにたとえばｎ型ドーパントとしてのＳｉをドープすることによってｎ型半導体となる。ｎ型ウィンドウ層３３３ｂの厚さ（ｎ型ウィンドウ層３３３ｂのｚ方向の大きさ）は、たとえば２．０μｍ以上５．０μｍ以下である。
ｐ型クラッド層３３２ｃは、ＧａＰにたとえばｐ型ドーパントとしてＭｇをドープすることによってｐ型半導体とされてもよい。ｐ型クラッド層３３２ｃの厚さ（ｐ型クラッド層３３２ｃのｚ方向の大きさ）は、たとえば０．１μｍ以上２．５μｍ以下である。ｎ型クラッド層３３３ａは、ＧａＡｓにたとえばｎ型ドーパントとしてのＳｉをドープすることによってｎ型半導体となる。ｎ型クラッド層３３３ａの厚さ（ｎ型クラッド層３３３ａのｚ方向の大きさ）は、たとえば０．１μｍ以上２．５μｍ以下である。
発光層３３１は、たとえばＩｎＧａＰを含むＭＱＷ（Multiple-Quantum Well）構造（多重量子井戸構造）を有しており、電子が正孔と再結合することによって光が発生し、その光を増幅させるための層である。
発光層３３１は、ＩｎＧａＰ層からなる量子井戸層とＡｌＩｎＧａＰ層からなる障壁層とを交互に複数周期繰り返し積層して構成された多重量子井戸構造を有している。この場合、Ｉｎの組成比を５％以上とすることによって、量子井戸層はバンドギャップが比較的小さくなり、障壁層はバンドギャップが比較的に大きくなる。たとえば量子井戸層と障壁層とは交互に１０〜４０周期繰り返し積層されることによって、多重量子井戸構造の発光層３３１が構成されている。量子井戸層の厚さ（量子井戸層のｚ方向の大きさ）はたとえば５ｎｍであり、障壁層の厚さ（障壁層のｚ方向の大きさ）はたとえば４ｎｍである。
発光層３３１の発光波長は、量子井戸層のバンドギャップに対応しており、バンドギャップの調整はＩｎの組成比を調整することによって行われる。Ｉｎの組成比を大きくするにつれてバンドギャップが小さくなり、発光波長が大きくなる。一例では、量子井戸層におけるＩｎの組成を調整することによって、発光波長を６１０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下（たとえば６２５ｎｍ）としている。
図９３に示すとおり、化合物半導体層３３０は、その一部が除去されることによってメサ部３３４を形成している。より詳細には、エッチングによって、化合物半導体層３３０の主面３３０ｓからｎ型半導体層３３３、発光層３３１およびｐ型半導体層３３２の一部が化合物半導体層３３０のｘ方向およびｙ方向における全周にわたり除去されている。これにより、ｘ方向またはｙ方向から視て四角形状のメサ部３３４が形成されている。なお、ｘ方向またはｙ方向から視たメサ部３３４の形状は任意に変更可能である。一例では、ｘ方向またはｙ方向から視たメサ部３３４の形状は台形状である。
図９２および図９３に示すように、半導体発光素子３０は、メサ部３３４をｘ方向およびｙ方向から取り囲むように透光層３６０が形成されている。図９２に示すように、上方から視た透光層３６０の形状は、四角枠状である。なお、図９２では、透光層３６０を他の層と区別しやすいように、透光層３６０にドットを付している。透光層３６０は、電気絶縁性を有する材料からなり、たとえばＳｉＯ２（二酸化ケイ素）からなる。図９３に示すように、透光層３６０の表面は、ｎ型コンタクト層３３３ｃの表面と面一となる。ここで、表面とは、ｚ方向において基板主面３００ｓと同じ側を向く面である。
図９３に示すように、カソード電極層３５０は、主面電極を構成するものであり、たとえばＡｕまたはＡｕを含む合金によって構成されている。一例では、カソード電極層３５０は、化合物半導体層３３０および透光層３６０に接するＡｕ層と、このＡｕ層に接するＡｕＧｅＮｉ層とからなる。カソード電極層３５０には、図示しないワイヤが接続される。図９２に示すように、カソード電極層３５０は、化合物半導体層３３０のｎ型コンタクト層３３３ｃの表面の全体と透光層３６０の表面の全体とを覆うように形成されている。
このような構成の半導体発光素子３０によれば、発光層３３１において発生した光は、カソード電極層３５０に向けて射出されるが、カソード電極層３５０によって反射されて透光層３６０に向けて射出される。つまり、半導体発光素子３０は、ｚ方向と直交する方向である側方に向けて光を射出する。このように、カソード電極層３５０は、発光層３３１からの光を遮光する遮光部を構成している。なお、このような構成の半導体発光素子３０を用いた半導体発光装置では、遮光ユニット５０，５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂを省略してもよい。
なお、半導体発光素子３０として主面電極となるカソード電極層３５０および裏面電極となるアノード電極層３４０を有する構成について説明したが、半導体発光素子３０の構成はこれに限られない。たとえば、半導体発光素子３０は、アノード電極層３４０がｚ方向において基板３００の基板主面３００ｓとカソード電極層３５０との間に位置するような構成であってもよい。
［付記］
上記各実施形態および上記各変更例から把握できる技術的思想について以下に記載する。
（付記１）基板と、前記基板上に形成された金属層と、前記金属層上に形成されており、発光層、前記発光層に対して前記基板の近くに配置された第１導電型層、前記発光層に対して前記基板とは反対側に配置された第２導電型層を含む半導体層と、前記第２導電型層上に形成された電極層と、前記金属層と前記半導体層との積層方向と直交する方向において前記発光層および前記第２導電型層を取り囲むように形成された透光層と、を備えており、前記電極層は、前記積層方向から視て、前記第２導電型層の表面の全体を覆うように形成されている、半導体発光素子。
この構成によれば、発光層からの光は、電極層から反射して透光層から出射する。このため、発光層からの光が電極層によって遮られるため、発光層から積層方向に向けて出射される光の強さが弱くなる。一方、電極層から反射した光が透光層から出射するため、発光層から積層方向と直交する方向に向けて出射される光の強さが強くなる。したがって、発光層から積層方向に向けて出射される光の強さと半導体発光素子の周囲の光の強さとの差が小さくなるため、積層方向から半導体発光素子を視た場合に半導体発光素子の中央が局所的に強く光って見えることを抑制できる。
（付記２）前記半導体発光素子は、前記積層方向から視て、前記半導体層のうち前記発光層および前記第２導電型層が全周にわたり前記第１導電型層および前記金属層よりも小さくなるメサ部を有しており、前記透光層は、前記積層方向から視て、前記メサ部を全周にわたり取り囲むように形成されている、付記１に記載の半導体発光素子。
この構成によれば、透光層に起因して積層方向と直交する方向において半導体発光素子が大型化することを抑制できる。
（付記３）前記電極層は、前記積層方向から視て、前記透光層の表面を全体にわたり覆うように形成されている、付記１または２に記載の半導体発光素子。
この構成によれば、発光層からの光が透光層から積層方向に出射することが抑制されるとともに電極層によって透光層において積層方向と直交する方向に出射しやすくなる。したがって、発光層から積層方向に向けて出射される光の強さと半導体発光素子の周囲の光の強さとの差がより小さくなるため、積層方向から半導体発光素子を視た場合に半導体発光素子の中央が局所的に強く光って見えることを一層抑制できる。
１Ａ，１Ｂ，１Ｃ…半導体発光装置
１０…基板
１０ｓ…基板主面（主面）
１０ｒ…基板裏面（裏面）
３０…半導体発光素子
３０ａ…第１辺
３０ｂ…第２辺
３０ｓ…素子主面（発光主面）
３０ｒ…素子裏面
３０Ｒ…第１半導体発光素子
３０Ｒｓ…素子主面（発光主面）
３０Ｇ…第２半導体発光素子
３０Ｇｓ…素子主面（発光主面）
３０Ｂ…第３半導体発光素子
３０Ｂｓ…素子主面（発光主面）
４０…封止樹脂
４０Ａ…第１樹脂層
４０Ａｓ…第１樹脂主面
４０Ｂ…第２樹脂層
４１〜４４…樹脂側面（封止樹脂の側面）
４５，４５Ａ，４５Ｂ，４５Ｃ…凹部
５１，５１Ｒ，５１Ｇ，５１Ｂ…遮光部
５１ａ，５１Ｒａ，５１Ｇａ，５１Ｂａ…凸部
５１ｃ…テーパ面
５１ｈ…凹部
５２，５２Ｒ，５２Ｇ，５２Ｂ…保持部
８０…封止樹脂
９０…反射部材
８４０…樹脂層
８４０Ａ…第１樹脂層
８４０Ａｓ…第１樹脂主面
８４０Ｂ…第２樹脂層
９５１Ｒ，９５１Ｇ，９５１Ｂ…遮光部
９８０…樹脂層
Ｗ，Ｗ１〜Ｗ５…ワイヤ
Ｒ１，Ｒｒ１，Ｒｇ１，Ｒｂ１…はみ出し領域（はみ出す領域）
Ｒ２，Ｒｒ２，Ｒｇ２，Ｒｂ２…はみ出し領域（はみ出す領域）
Ｒ３，Ｒｒ３，Ｒｇ３，Ｒｂ３…はみ出し領域（はみ出す領域）
Ｒ４，Ｒｒ４，Ｒｇ４，Ｒｂ４…はみ出し領域（はみ出す領域）

Claims (38)

  1. 厚さ方向において互いに反対側を向く主面および裏面を有する基板と、
    前記主面に実装されており、光を出射する発光主面を有する半導体発光素子と、
    前記半導体発光素子に対して、前記発光主面から離れる前記厚さ方向である上方に離れて配置されており、上方から見て前記発光主面のうち少なくとも一部を覆う遮光部と、
    前記遮光部を支持した状態で前記半導体発光素子を封止している透光性の封止樹脂と、
    を備えている
    半導体発光装置。
  2. 前記遮光部は、前記封止樹脂内に埋め込まれている
    請求項１に記載の半導体発光装置。
  3. 上方から視て、前記遮光部の面積は、前記発光主面の面積よりも大きい
    請求項１または２に記載の半導体発光装置。
  4. 上方から視て、前記遮光部は、前記発光主面の全体を覆っている
    請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
  5. 前記遮光部は、前記半導体発光素子に向けて突出する凸部を有しており、
    前記凸部は、前記厚さ方向と直交する方向における前記凸部の幅が前記半導体発光素子に向かうにつれて狭くなるように傾斜する側面を有している
    請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
  6. 前記遮光部は、前記半導体発光素子に向けて突出する凸部を有しており、
    前記凸部は、前記半導体発光素子に向かうにつれて互いに接近するように湾曲する湾曲面を有している
    請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
  7. 前記遮光部は、前記半導体発光素子に向けて突出する凸部を有しており、
    前記凸部の少なくとも先端部は、球面からなる
    請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
  8. 上方から視て、前記凸部は、前記発光主面のうち少なくとも一部を覆っている
    請求項５〜７のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
  9. 上方から視て、前記凸部は、前記発光主面の全体を覆っている
    請求項８に記載の半導体発光装置。
  10. 前記遮光部は、前記上方に向けて凹む凹部を有しており、
    前記凹部は、前記厚さ方向と直交する方向における前記凹部の幅が前記半導体発光素子に向かうにつれて狭くなるように傾斜する側面を有している
    請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
  11. 前記遮光部は、前記上方に向けて凹む凹部を有しており、
    前記凹部は、前記上方に向かうにつれて互いに接近するように湾曲する湾曲面を有している
    請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
  12. 前記遮光部は、前記上方に向けて凹む凹部を有しており、
    前記凹部の少なくとも底面部は、球面からなる
    請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
  13. 上方から視て、前記凹部は、前記発光主面のうち少なくとも一部を覆っている
    請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
  14. 上方から視て、前記凹部は、前記発光主面の全体を覆っている
    請求項１３に記載の半導体発光装置。
  15. 前記厚さ方向と直交する方向のうち、互いに直交する２方向をそれぞれ第１方向および第２方向とすると、
    上方から視た前記発光主面の形状は、前記第１方向に延びる一対の第１辺と、前記第２方向に延びる一対の第２辺と、を有する矩形状であり、
    上方から視て、前記遮光部のうち前記一対の第１辺から前記第２方向に向けてそれぞれはみ出す２つの領域の面積が互いに等しく、前記一対の第２辺から前記第１方向に向けてそれぞれはみ出す２つの領域の面積が互いに等しい
    請求項４〜１４のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
  16. 上方から視て、前記遮光部のうち前記一対の第１辺から前記第２方向に向けてそれぞれはみ出す２つの領域の面積と、前記一対の第２辺から前記第１方向に向けてそれぞれはみ出す２つの領域の面積とが互いに等しい
    請求項１５に記載の半導体発光装置。
  17. 上方から視て、前記遮光部は、前記半導体発光素子に対して偏って配置されている
    請求項１〜１４のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
  18. 前記厚さ方向と直交する方向のうち、互いに直交する２方向をそれぞれ第１方向および第２方向とすると、
    上方から視た前記発光主面の形状は、前記第１方向に延びる一対の第１辺と、前記第２方向に延びる一対の第２辺と、を有する矩形状であり、
    上方から視て、前記遮光部のうち前記一対の第１辺から前記第２方向に向けてそれぞれはみ出す２つの領域の面積が互いに異なる
    請求項４〜１４のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
  19. 上方から視て、前記遮光部のうち前記一対の第２辺から前記第１方向に向けてそれぞれはみ出す２つの領域の面積が互いに異なる
    請求項１８に記載の半導体発光装置。
  20. 前記遮光部は、前記半導体発光素子に向けて突出する凸部を有しており、
    前記厚さ方向に沿った平面で前記遮光部を切った断面視において、前記凸部は、前記半導体発光素子に向かうにつれて互いに接近するように傾斜する第１傾斜部および第２傾斜部を有しており、
    上方から視て、前記第１傾斜部のうち前記半導体発光素子と重なる部分および前記第２傾斜部のうち前記半導体発光素子と重なる部分のうち一方の長さは、前記第１傾斜部のうち前記半導体発光素子と重なる部分および前記第２傾斜部のうち前記半導体発光素子と重なる部分のうち他方の長さよりも長い
    請求項４〜９のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
  21. 前記半導体発光装置は、前記厚さ方向と直交する方向において前記遮光部から延びる保持部を有している
    請求項１〜２０のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
  22. 前記保持部は、前記厚さ方向と直交する方向において前記封止樹脂の側面から露出している
    請求項２１に記載の半導体発光装置。
  23. 上方から視て、前記遮光部は、前記封止樹脂のうち前記厚さ方向において前記遮光部と同じ位置となる部分の全体を覆っている
    請求項１〜２２のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
  24. 前記半導体発光装置は、前記発光主面と前記基板とを接続するワイヤを備えており、
    前記遮光部は、前記ワイヤよりも上方に配置されている
    請求項１〜２３のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
  25. 前記封止樹脂は、
    前記半導体発光素子を覆う第１樹脂層と、
    前記第１樹脂層の上方に配置されている第２樹脂層と、
    を有しており、
    前記遮光部は、前記第１樹脂層上に配置されており、前記第２樹脂層によって覆われている
    請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
  26. 前記第１樹脂層は、前記主面と同じ側を向く第１樹脂主面を有しており、
    前記遮光部は、前記第１樹脂主面の全体を覆っている
    請求項２５に記載の半導体発光装置。
  27. 前記第１樹脂層は、前記半導体発光素子に向けて凹む凹部を有しており、
    前記遮光部のうち少なくとも一部は、前記凹部に収容されている
    請求項２５または２６に記載の半導体発光装置。
  28. 前記凹部は、前記半導体発光素子に向かうにつれて互いに接近するように傾斜するテーパ内面を有しており、
    前記遮光部は、前記テーパ内面に沿って形成されている
    請求項２７に記載の半導体発光装置。
  29. 前記凹部は、前記半導体発光素子に向かうにつれて互いに接近するように湾曲する湾曲内面を有しており、
    前記遮光部は、前記湾曲内面に沿って形成されている
    請求項２７に記載の半導体発光装置。
  30. 前記凹部の少なくとも底部は、球面からなり、
    前記遮光部は、前記球面に沿って形成されている
    請求項２７に記載の半導体発光装置。
  31. 前記遮光部は、前記半導体発光素子からの光を反射する反射部材を含む
    請求項１〜３０のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
  32. 前記半導体発光装置は、複数の前記半導体発光素子と、複数の前記遮光部と、を備えており、
    前記複数の遮光部は、前記複数の半導体発光素子に対して個別に配置されている
    請求項１〜３１のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
  33. 前記遮光部は、遮光性の樹脂材料からなる
    請求項１〜３２のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
  34. 前記遮光部は、金属材料からなる
    請求項１〜３２のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
  35. 前記保持部は、遮光性の樹脂材料からなる
    請求項２１または２２に記載の半導体発光装置。
  36. 厚さ方向において互いに反対側を向く主面および裏面を有する基板を用意する工程と、
    光を出射する発光主面を有する半導体発光素子を前記主面上に実装する工程と、
    前記半導体発光素子に対して、前記発光主面から離れる前記厚さ方向である上方に離れて配置され、かつ上方から視て前記発光主面のうち少なくとも一部を覆うように遮光部を配置する工程と、
    前記半導体発光素子を封止する透光性の樹脂層を形成する工程と、
    を備えている
    半導体発光装置の製造方法。
  37. 厚さ方向において互いに反対側を向く主面および裏面を有する基板を用意する工程と、
    光を出射する発光主面を有する半導体発光素子を前記主面上に実装する工程と、
    前記半導体発光素子を封止する第１樹脂層を形成する工程と、
    前記第１樹脂層上に、前記発光主面のうち少なくとも一部を覆う遮光部を設ける工程と、
    前記遮光部を封止する第２樹脂層を形成する工程と、
    を備えている
    半導体発光装置の製造方法。
  38. 前記遮光部は、ポッティングによって前記第１樹脂層上に形成されている
    請求項３７に記載の半導体発光装置の製造方法。
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Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6324858U (ja) * 1986-08-01 1988-02-18
JP2001189494A (ja) * 1999-12-28 2001-07-10 Iwasaki Electric Co Ltd 発光ダイオード
JP2001257381A (ja) * 2000-03-13 2001-09-21 Sharp Corp 発光ダイオードおよびその製造方法並びに照明装置
JP2006066657A (ja) * 2004-08-27 2006-03-09 Kyocera Corp 発光装置および照明装置
JP2006352086A (ja) * 2005-06-16 2006-12-28 Nanoforce Technologies Corp 照射面積を拡張する発光ダイオード（ｌｅｄ）
KR20100082460A (ko) * 2009-01-09 2010-07-19 주식회사 이츠웰 발광 다이오드 제조 방법 및 이를 이용한 발광 다이오드
WO2012099145A1 (ja) * 2011-01-20 2012-07-26 シャープ株式会社 発光装置、照明装置、表示装置及び発光装置の製造方法
JP2013005385A (ja) * 2011-06-21 2013-01-07 Rohm Co Ltd 光源装置および画像読取装置
JP2013115280A (ja) * 2011-11-30 2013-06-10 Citizen Electronics Co Ltd 側面発光型発光装置
US20140354145A1 (en) * 2013-05-29 2014-12-04 Venntis Technologies LLC Volumetric light emitting device

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6324858U (ja) * 1986-08-01 1988-02-18
JP2001189494A (ja) * 1999-12-28 2001-07-10 Iwasaki Electric Co Ltd 発光ダイオード
JP2001257381A (ja) * 2000-03-13 2001-09-21 Sharp Corp 発光ダイオードおよびその製造方法並びに照明装置
JP2006066657A (ja) * 2004-08-27 2006-03-09 Kyocera Corp 発光装置および照明装置
JP2006352086A (ja) * 2005-06-16 2006-12-28 Nanoforce Technologies Corp 照射面積を拡張する発光ダイオード（ｌｅｄ）
KR20100082460A (ko) * 2009-01-09 2010-07-19 주식회사 이츠웰 발광 다이오드 제조 방법 및 이를 이용한 발광 다이오드
WO2012099145A1 (ja) * 2011-01-20 2012-07-26 シャープ株式会社 発光装置、照明装置、表示装置及び発光装置の製造方法
JP2013005385A (ja) * 2011-06-21 2013-01-07 Rohm Co Ltd 光源装置および画像読取装置
JP2013115280A (ja) * 2011-11-30 2013-06-10 Citizen Electronics Co Ltd 側面発光型発光装置
US20140354145A1 (en) * 2013-05-29 2014-12-04 Venntis Technologies LLC Volumetric light emitting device

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