JP2021111672A - 載置台およびプラズマ処理装置 - Google Patents

載置台およびプラズマ処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2021111672A
JP2021111672A JP2020001714A JP2020001714A JP2021111672A JP 2021111672 A JP2021111672 A JP 2021111672A JP 2020001714 A JP2020001714 A JP 2020001714A JP 2020001714 A JP2020001714 A JP 2020001714A JP 2021111672 A JP2021111672 A JP 2021111672A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mounting portion
adhesive layer
mounting
base
seal member
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2020001714A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7308767B2 (ja
Inventor
直樹 須川
Naoki Sugawa
直樹 須川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2020001714A priority Critical patent/JP7308767B2/ja
Priority to TW109146218A priority patent/TW202137823A/zh
Priority to CN202011578696.8A priority patent/CN113097044A/zh
Priority to KR1020200187558A priority patent/KR20210089579A/ko
Priority to US17/143,399 priority patent/US20210210369A1/en
Publication of JP2021111672A publication Critical patent/JP2021111672A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7308767B2 publication Critical patent/JP7308767B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32642—Focus rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/20—Means for supporting or positioning the objects or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32513—Sealing means, e.g. sealing between different parts of the vessel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/332—Coating
    • H01J2237/3321—CVD [Chemical Vapor Deposition]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching
    • H01J2237/3341—Reactive etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

【課題】高さの異なる複数の接着層を１つのシール部材で保護できる載置台およびプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】載置台は、第１の載置部と、第２の載置部と、第１の接着層と、第２の接着層と、シール部材とを有する。第１の載置部は、基板を載置する。第２の載置部は、第１の載置部より低く、基板の周縁を囲むエッジリングを載置する。第１の接着層は、基台と第１の載置部とを接着する。第２の接着層は、基台と第２の載置部とを接着する。シール部材は、第１の接着層および第２の接着層より上側で、第１の載置部および第２の載置部とそれぞれ接触し、第１の載置部と第２の載置部との間を変形によって塞ぐ。【選択図】図５

Description

本開示は、載置台およびプラズマ処理装置に関する。
プラズマ処理装置は、例えば、処理対象の基板を載置する載置部と、載置部の下部で載置部を支持する基台とを有する載置台を備える。この様な載置台では、例えば、載置部がセラミックスで構成され、基台がアルミニウム等の金属で構成され、載置部が基台に接着剤で接着されている。プラズマ処理装置では、例えば、保護シール等を設けることで、プラズマによりダメージを受ける接着剤を保護している。
特表２０１５−５１５７６０号公報
本開示は、高さの異なる複数の接着層を１つのシール部材で保護できる載置台およびプラズマ処理装置を提供する。
本開示の一態様による載置台は、第１の載置部と、第２の載置部と、第１の接着層と、第２の接着層と、シール部材とを有する。第１の載置部は、基板を載置する。第２の載置部は、第１の載置部より低く、基板の周縁を囲むエッジリングを載置する。第１の接着層は、基台と第１の載置部とを接着する。第２の接着層は、基台と第２の載置部とを接着する。シール部材は、第１の接着層および第２の接着層より上側で、第１の載置部および第２の載置部とそれぞれ接触し、第１の載置部と第２の載置部との間を変形によって塞ぐ。
本開示によれば、高さの異なる複数の接着層を１つのシール部材で保護できる。
図１は、本開示の一実施形態におけるプラズマ処理装置の一例を示す図である。 図２は、本実施形態におけるエッジリング近傍の部分拡大図である。 図３は、本実施形態における保護対象部分の部分拡大図である。 図４は、本実施形態におけるシール部材の一例を示す断面図である。 図５は、保護対象部分に本実施形態のシール部材を装着した状態の一例を示す図である。 図６は、変形例におけるシール部材の一例を示す断面図である。 図７は、保護対象部分に変形例のシール部材を装着した状態の一例を示す図である。
以下に、開示する載置台およびプラズマ処理装置の実施形態について、図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の実施形態により開示技術が限定されるものではない。
載置台の載置部には、処理対象の他にも基板の周縁を囲むエッジリングも載置される。エッジリングは基板と比較すると厚みがあるため、載置部のエッジリングを載置する部分は、基板を載置する部分よりも一段低い構造となっている。この様な構造は、例えば、載置台の基台および載置部について、基板を載置する部分と、エッジリングを載置する部分とで分割可能な構造とすることで実現できる。しかしながら、基台および載置部の分割部分において段差と隙間があるため、基板およびエッジリングを載置する部分のそれぞれで、載置部と基台の接着剤の層（以下、接着層ともいう。）が、高さが異なる状態で露出する場合がある。この場合、高さ方向上側の基板を載置する部分の接着層に対しては、円柱を外側から内側に締め付ける方向に保護部材を配置する必要があり、Ｏリング等を用いて保護することができる。一方、高さ方向下側のエッジリングを載置する部分の接着層に対しては、円筒を内側から外側に向けて広げる方向に保護部材を配置する必要があり、Ｏリングでは保護することが困難である。そこで、高さの異なる複数の接着層を１つのシール部材で保護することが期待されている。
［プラズマ処理装置１の構成］
図１は、本開示の一実施形態におけるプラズマ処理装置の一例を示す図である。図１に示すプラズマ処理装置１は、例えば、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）型のプラズマ処理装置である。
図１に示すように、プラズマ処理装置１は、金属製、例えば、アルミニウムまたはステンレス鋼製の円筒型の処理容器１０を有する。処理容器１０の内部は、プラズマエッチングやプラズマＣＶＤ等のプラズマ処理が行われる処理室となっている。処理容器１０は、被処理体の一例である基板Ｗ（例えば、半導体ウエハ。）を処理するための処理空間を規定する。処理容器１０は、接地されている。
処理容器１０の内部には、円板状の載置台１１が配置されている。載置台１１は、基板Ｗおよびエッジリング３３を載置する。載置台１１は、静電チャック２５を有する。載置台１１は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）から形成された筒状保持部材１２を介して処理容器１０の底から垂直上方に延びる筒状支持部１３に支持されている。
静電チャック２５は、基板Ｗおよびエッジリング３３を載置する載置部２７と、アルミニウムから形成された基台２８とを有する。載置部２７は、セラミックス等の誘電体で形成され、基板Ｗを載置する第１の載置部２７ａと、基板Ｗの周縁を囲むエッジリング３３を載置する第２の載置部２７ｂとを有する。第１の載置部２７ａには、導電膜である吸着電極２６が埋設されている。直流電源２９は、スイッチ３０を介して吸着電極２６に接続されている。静電チャック２５は、直流電源２９から吸着電極２６に印加された直流電圧によりクーロン力等の静電力を発生させ、該静電力により基板Ｗを吸着保持する。エッジリング３３は、ＳｉまたはＳｉＣから形成されている。なお、第２の載置部２７ｂにも吸着電極を設けてエッジリング３３を静電吸着するようにしてもよい。静電チャック２５およびエッジリング３３の外周は、インシュレータリング３５により覆われている。
載置台１１には、第１高周波電源２１が整合器２１ａを介して接続されている。第１高周波電源２１は、プラズマ生成およびＲＩＥ用の第１の周波数（例えば、１３ＭＨｚの周波数）の高周波電力を載置台１１に印加する。また、載置台１１には、第２高周波電源２２が整合器２２ａを介して接続されている。第２高周波電源２２は、第１の周波数よりも低いバイアス印加用の第２の周波数（例えば、３ＭＨｚの周波数）の高周波電力を載置台１１に印加する。これにより、載置台１１は下部電極としても機能する。
可変直流電源３１はスイッチ３２を介して給電ライン２１ｂに接続されている。可変直流電源３１と給電ライン２１ｂとの接続ポイントと第１高周波電源２１の間にはブロッキングコンデンサ２３が設けられている。ブロッキングコンデンサ２３は、可変直流電源３１からの直流電圧を遮断し、直流電圧が第１高周波電源２１へ流れないようにする。可変直流電源３１から印加された直流電圧によりエッジリング３３に電圧が印加される。
基台２８の内部には、例えば、周方向に延在する環状の冷媒室３４が設けられている。冷媒室３４には、チラーユニットから配管３６，３７を介して所定温度の冷媒、例えば、冷却水が循環供給され、静電チャック２５および基板Ｗを冷却する。
また、静電チャック２５には、ガス供給ライン３９を介して伝熱ガス供給部３８が接続されている。伝熱ガス供給部３８は、ガス供給ライン３９を介して伝熱ガスを静電チャック２５の上面と基板Ｗの裏面の間の空間に供給する。伝熱ガスとしては、熱伝導性を有するガス、例えば、Ｈｅガス等が好適に用いられる。
処理容器１０の側壁と筒状支持部１３との間には排気路１４が形成されている。排気路１４の入口には環状のバッフル板１５が配設されると共に、底部に排気口１６が設けられている。排気口１６には、排気管１７を介して排気装置１８が接続されている。排気装置１８は、真空ポンプを有し、処理容器１０内の処理空間を所定の真空度まで減圧する。また、排気管１７は可変式バタフライバルブである自動圧力制御弁（Automatic Pressure Control valve）（以下、「ＡＰＣ」という。）を有し、ＡＰＣは自動的に処理容器１０内の圧力制御を行う。さらに、処理容器１０の側壁には、基板Ｗの搬入出口１９を開閉するゲートバルブ２０が取り付けられている。
処理容器１０の天井部にはガスシャワーヘッド２４が配置されている。ガスシャワーヘッド２４は、電極板４０と、該電極板４０を着脱可能に支持する電極支持体４１とを有する。電極板４０は、多数のガス通気孔４０ａを有する。電極支持体４１の内部にはバッファ室４２が設けられ、このバッファ室４２のガス導入口４１ａには、ガス供給配管４４を介して処理ガス供給部４３が接続されている。また、処理容器１０の周囲には、環状または同心状に延びる磁石４５が配置されている。
プラズマ処理装置１の各構成要素は、制御部４６に接続されている。制御部４６は、プラズマ処理装置１の各構成要素を制御する。各構成要素としては、例えば、排気装置１８、整合器２１ａ，２２ａ、第１高周波電源２１、第２高周波電源２２、スイッチ３０，３２、直流電源２９，３１、伝熱ガス供給部３８および処理ガス供給部４３等が挙げられる。
制御部４６は、ＣＰＵ４６ａおよびメモリ４６ｂを備え、メモリ４６ｂに記憶されたプラズマ処理装置１の制御プログラムおよび処理レシピを読み出して実行することで、プラズマ処理装置１にエッチング等の所定の処理を実行させる。
プラズマ処理装置１では、例えばエッチング処理の際、先ずゲートバルブ２０を開き、基板Ｗを処理容器１０内に搬入し、静電チャック２５上に載置する。直流電源２９からの直流電圧を吸着電極２６に印加し、基板Ｗを静電チャック２５に吸着させる。また、可変直流電源３１からの直流電圧を基台２８に印加する。これにより、エッジリング３３に電圧が印加される。また、伝熱ガスを静電チャック２５と基板Ｗの間に供給する。そして、処理ガス供給部４３からの処理ガスを処理容器１０内に導入し、排気装置１８等により処理容器１０内を減圧する。さらに、第１高周波電源２１および第２高周波電源２２から第１高周波電力および第２高周波電力を載置台１１に供給する。
プラズマ処理装置１の処理容器１０内では、磁石４５によって一方向に向かう水平磁界が形成され、載置台１１に印加された高周波電力によって垂直方向のＲＦ電界が形成される。これにより、ガスシャワーヘッド２４から吐出した処理ガスがプラズマ化し、プラズマ中のラジカルやイオンによって基板Ｗに所定のプラズマ処理が行われる。
［載置台１１の周縁部の構成］
次に、図２および図３を用いて、載置台１１の周縁部の構成について説明する。図２は、本実施形態におけるエッジリング近傍の部分拡大図である。図２に示すように、エッジリング３３が載置される第２の載置部２７ｂは、基板Ｗを載置する第１の載置部２７ａよりも一段低い構成である。基台２８は、第１の載置部２７ａが第１の接着層５０によって接着される基台２８ａと、第２の載置部２７ｂが第２の接着層５１によって接着される基台２８ｂと、基台２８ｂとエッジリング３３とを導通させる基台２８ｃとに分割可能な構成である。基台２８ｂと基台２８ｃとの間、および、基台２８ｃとエッジリング３３との間は、それぞれ、導電性部材４７，４８を介して導通される。導電性部材４７，４８は、コンダクタンスバンドやスパイラルとも呼ばれ、導電性の弾性部材である。基台２８ｂ，２８ｃおよびエッジリング３３の外周側は、インシュレータリング３５で覆われている。
第１の接着層５０は、第１の載置部２７ａおよび基台２８ａの側面において露出している。また、第２の接着層５１は、基台２８ａと基台２８ｂとの間に隙間があるため、第２の載置部２７ｂおよび基台２８ｂの側面において露出している。つまり、第１の接着層５０と第２の接着層５１とは、高さが異なる状態で露出している。第１の接着層５０および第２の接着層５１は、例えば、エポキシ系やシリコーン系の接着剤であり、例えばシリコンといったフィラーを含む。この様な、第１の接着層５０および第２の接着層５１を保護するために、本実施形態では保護対象部分である領域６０にシール部材を配置する。
図３は、本実施形態における保護対象部分の部分拡大図である。図３に示すように、領域６０では、プラズマ処理時にイオンやラジカルが経路６１で示すように侵入してくる。この場合に、第１の載置部２７ａの面６２と、第２の載置部２７ｂの面６３とに当接するシール部材であれば、第１の接着層５０および第２の接着層５１を保護可能であることがわかる。なお、図３では、第１の載置部２７ａとエッジリング３３との間等の各部の隙間について、経路６１の説明のため大きく描いている。
領域６０では、第１の載置部２７ａ、第２の載置部２７ｂおよび基台２８ａ，２８ｂは、部品の公差により、それぞれの間隔が載置台１１ごとに異なる。また、取り付け時のガタツキおよび熱膨張によって、それぞれの間隔が変化する場合がある。このため、領域６０に配置するシール部材は、間隔が変化した場合であっても、内周側の面６２と、外周側の面６３とに常に当接することが求められる。
［シール部材７０の構成］
図４は、本実施形態におけるシール部材の一例を示す断面図である。図４に示すシール部材７０は、保護対象部分である領域６０に装着されるシール部材であり、下部７１が状態７１ａに示すように弾性変形する。シール部材７０は、例えば、耐ラジカル性を持つＦＦＫＭ（パーフルオロエラストマー）材を用いることができる。また、シール部材７０は、例えば、伸縮性を持ち、基台２８ａの外周よりも若干直径が小さいリング状である。なお、シール部材７０の直径は、シール可能であれば基台２８ａの外周と同じでもよいし、若干大きくてもよい。
下部７１は、面７２が第２の載置部２７ｂの面６３と当接する。シール部材７０の上部には、第１の載置部２７ａの面６２と当接する凸状部７３が形成される。また、支点７４は、基台２８ａに当接し、シール部材７０が弾性変形した場合、面７２および凸状部７３を作用点としたときの支点となる。さらに、シール部材７０は、断面における縦方向の寸法が横方向の寸法より大きい。シール部材７０は、縦方向の寸法を横方向の寸法より大きくすることで、保護対象部分に装着しやすくなる。
図５は、保護対象部分に本実施形態のシール部材を装着した状態の一例を示す図である。図５に示すように、シール部材７０は、領域６０に装着すると、下部７１が状態７１ａに弾性変形し、面７２が面６３に当接する。また、シール部材７０は、凸状部７３が面６２に当接し、支点７４が基台２８ａに当接して支点となるよう弾性変形する。このとき、シール部材７０は、載置台１１の各部の間隔が変化しても、弾性変形した部分が元に戻ろうとする復元力により、凸状部７３が内周側の面６２と接触し続け、面７２が外周側の面６３と接触し続ける。すなわち、シール部材７０は、凸状部７３が第１の載置部２７ａ側のズレに追従し、締め付け力によってシールする。また、シール部材７０は、面７２が第２の載置部２７ｂ側のズレに追従し、弾性変形の復元力によってシールする。これにより、載置台１１では、高さの異なる複数の接着層である第１の接着層５０および第２の接着層５１を１つのシール部材７０で保護できる。
［変形例］
続いて、領域６０における他の形状のシール部材について説明する。図６は、変形例におけるシール部材の一例を示す断面図である。図６に示すシール部材８０は、シール部材７０と同様に、保護対象部分である領域６０に装着されるシール部材であり、下部８１が状態８１ａに示すように弾性変形する。シール部材８０は、シール部材７０と同様に、例えば、耐ラジカル性を持つＦＦＫＭ材を用いることができる。また、シール部材８０は、例えば、伸縮性を持ち、基台２８ａの外周よりも若干直径が小さいリング状である。なお、シール部材８０の直径は、シール可能であれば基台２８ａの外周と同じでもよいし、若干大きくてもよい。
下部８１は、面８２が第２の載置部２７ｂの面６３と当接する。シール部材８０の上部には、第１の載置部２７ａの面６２と当接する凸状部８３が形成される。また、支点８４は、基台２８ａに当接し、シール部材８０が弾性変形した場合、面８２および凸状部８３を作用点としたときの支点となる。さらに、シール部材８０は、断面における縦方向の寸法が横方向の寸法より大きい。シール部材８０は、縦方向の寸法を横方向の寸法より大きくすることで、保護対象部分に装着しやすくなる。
図７は、保護対象部分に変形例のシール部材を装着した状態の一例を示す図である。図７に示すように、シール部材８０は、領域６０に装着する際に下部８１を状態８１ａとなるように弾性変形させて装着すると、面８２が面６３に当接する。また、シール部材８０は、凸状部８３が面６２に当接し、支点８４が基台２８ａに当接して支点となるよう弾性変形する。このとき、シール部材８０は、載置台１１の各部の間隔が変化しても、弾性変形した部分が元に戻ろうとする復元力により、凸状部８３が内周側の面６２と接触し続け、面８２が外周側の面６３と接触し続ける。すなわち、シール部材８０は、凸状部８３が第１の載置部２７ａ側のズレに追従し、締め付け力によってシールする。また、シール部材８０は、面８２が第２の載置部２７ｂ側のズレに追従し、弾性変形の復元力によってシールする。これにより、載置台１１では、高さの異なる複数の接着層である第１の接着層５０および第２の接着層５１を１つのシール部材８０で保護できる。また、シール部材７０，８０は、Ｏリングのように溝に押し込まないため、着脱が容易である。
なお、上記した実施形態では、シール部材７０，８０はリング状の部材としたが、これに限定されない。例えば、周方向に分割された複数の円弧状の部材であってもよい。
以上、本実施形態によれば、載置台１１は、第１の載置部２７ａと、第２の載置部２７ｂと、第１の接着層５０と、第２の接着層５１と、シール部材７０とを有する。第１の載置部２７ａは、基板Ｗを載置する。第２の載置部２７ｂは、第１の載置部２７ａより低く、基板Ｗの周縁を囲むエッジリング３３を載置する。第１の接着層５０は、基台２８ａと第１の載置部２７ａとを接着する。第２の接着層５１は、基台２８ｂと第２の載置部２７ｂとを接着する。シール部材７０は、第１の接着層５０および第２の接着層５１より上側で、第１の載置部２７ａおよび第２の載置部２７ｂとそれぞれ接触し、第１の載置部２７ａと第２の載置部２７ｂとの間を変形によって塞ぐ。その結果、高さの異なる複数の接着層（第１の接着層５０および第２の接着層５１）を１つのシール部材７０で保護できる。また、シール部材７０は、載置台１１に容易に着脱することができる。
また、本実施形態によれば、シール部材７０は、第２の載置部２７ｂと接触する下部７１が変形する。その結果、載置台１１の各部の間隔が変化しても、密着し続けることができる。
また、本実施形態によれば、シール部材７０は、第１の載置部２７ａと接触する上部（凸状部７３）が、第１の載置部２７ａ側に凸状である。その結果、第１の接着層５０の上部である第１の載置部２７ａと密着し続けることができる。
また、本実施形態によれば、シール部材７０は、断面における縦方向の寸法が横方向の寸法より大きい。その結果、載置台１１に容易に着脱することができる。
今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲およびその主旨を逸脱することなく、様々な形体で省略、置換、変更されてもよい。
また、上記した実施形態では、プラズマ源として容量結合型プラズマを用いて基板Ｗに対してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置１を例に説明したが、開示の技術はこれに限られない。プラズマを用いて基板Ｗに対して処理を行う装置であれば、プラズマ源は容量結合プラズマに限られず、例えば、誘導結合プラズマ、マイクロ波プラズマ、マグネトロンプラズマ等、任意のプラズマ源を用いることができる。
１ プラズマ処理装置
１０ 処理容器
１１ 載置台
２７ａ 第１の載置部
２７ｂ 第２の載置部
２８，２８ａ，２８ｂ 基台
３３ エッジリング
５０ 第１の接着層
５１ 第２の接着層
７０，８０ シール部材
７１，８１ 下部
７２，８２ 面
７３，８３ 凸状部
７４，８４ 支点
Ｗ 基板

Claims (5)

  1. 基板を載置する第１の載置部と、
    前記第１の載置部より低く、前記基板の周縁を囲むエッジリングを載置する第２の載置部と、
    基台と前記第１の載置部とを接着する第１の接着層と、
    前記基台と前記第２の載置部とを接着する第２の接着層と、
    前記第１の接着層および前記第２の接着層より上側で、前記第１の載置部および前記第２の載置部とそれぞれ接触し、前記第１の載置部と前記第２の載置部との間を変形によって塞ぐシール部材と、
    を有する載置台。
  2. 前記シール部材は、前記第２の載置部と接触する下部が変形する、
    請求項１に記載の載置台。
  3. 前記シール部材は、前記第１の載置部と接触する上部が、前記第１の載置部側に凸状である、
    請求項１または２に記載の載置台。
  4. 前記シール部材は、断面における縦方向の寸法が横方向の寸法より大きい、
    請求項１〜３のいずれか１つに記載の載置台。
  5. 請求項１〜４のいずれか１つに記載の載置台を有するプラズマ処理装置。
JP2020001714A 2020-01-08 2020-01-08 載置台およびプラズマ処理装置 Active JP7308767B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020001714A JP7308767B2 (ja) 2020-01-08 2020-01-08 載置台およびプラズマ処理装置
TW109146218A TW202137823A (zh) 2020-01-08 2020-12-25 載置台及電漿處理裝置
CN202011578696.8A CN113097044A (zh) 2020-01-08 2020-12-28 载置台和等离子体处理装置
KR1020200187558A KR20210089579A (ko) 2020-01-08 2020-12-30 적재대 및 플라스마 처리 장치
US17/143,399 US20210210369A1 (en) 2020-01-08 2021-01-07 Stage and plasma processing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020001714A JP7308767B2 (ja) 2020-01-08 2020-01-08 載置台およびプラズマ処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021111672A true JP2021111672A (ja) 2021-08-02
JP7308767B2 JP7308767B2 (ja) 2023-07-14

Family

ID=76654105

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020001714A Active JP7308767B2 (ja) 2020-01-08 2020-01-08 載置台およびプラズマ処理装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20210210369A1 (ja)
JP (1) JP7308767B2 (ja)
KR (1) KR20210089579A (ja)
CN (1) CN113097044A (ja)
TW (1) TW202137823A (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115621109A (zh) * 2021-07-16 2023-01-17 长鑫存储技术有限公司 等离子体处理装置
CN116525394A (zh) * 2022-01-24 2023-08-01 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种下电极组件、等离子体处理装置及其组装方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050042881A1 (en) * 2003-05-12 2005-02-24 Tokyo Electron Limited Processing apparatus
JP2011511475A (ja) * 2008-02-08 2011-04-07 ラム リサーチ コーポレーション プラズマ処理チャンバのパーツのための保護被覆およびその使用方法
JP2019016704A (ja) * 2017-07-07 2019-01-31 東京エレクトロン株式会社 静電チャックの製造方法及び静電チャック

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5636098A (en) * 1994-01-06 1997-06-03 Applied Materials, Inc. Barrier seal for electrostatic chuck
US6771482B2 (en) * 2001-07-30 2004-08-03 Unaxis Usa Inc. Perimeter seal for backside cooling of substrates
US6944006B2 (en) * 2003-04-03 2005-09-13 Applied Materials, Inc. Guard for electrostatic chuck
KR100849179B1 (ko) * 2007-01-10 2008-07-30 삼성전자주식회사 갭 발생방지구조 및 이를 갖는 플라즈마 처리설비
US8449679B2 (en) * 2008-08-15 2013-05-28 Lam Research Corporation Temperature controlled hot edge ring assembly
US9859142B2 (en) * 2011-10-20 2018-01-02 Lam Research Corporation Edge seal for lower electrode assembly
US9869392B2 (en) * 2011-10-20 2018-01-16 Lam Research Corporation Edge seal for lower electrode assembly
KR20190124348A (ko) 2012-04-26 2019-11-04 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Ｅｓｃ 본딩 접착제 부식을 방지하기 위한 방법들 및 장치
JP6140457B2 (ja) * 2013-01-21 2017-05-31 東京エレクトロン株式会社 接着方法、載置台及び基板処理装置
JP6689020B2 (ja) * 2013-08-21 2020-04-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
TWI613753B (zh) * 2015-02-16 2018-02-01 靜電吸附承盤側壁之改良密封件
US9922857B1 (en) * 2016-11-03 2018-03-20 Lam Research Corporation Electrostatically clamped edge ring
JP6681522B1 (ja) * 2018-09-13 2020-04-15 日本碍子株式会社 ウエハ載置装置
JP7145042B2 (ja) * 2018-11-08 2022-09-30 東京エレクトロン株式会社 基板支持器及びプラズマ処理装置
US10784089B2 (en) * 2019-02-01 2020-09-22 Applied Materials, Inc. Temperature and bias control of edge ring
JP7340938B2 (ja) * 2019-02-25 2023-09-08 東京エレクトロン株式会社 載置台及び基板処理装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050042881A1 (en) * 2003-05-12 2005-02-24 Tokyo Electron Limited Processing apparatus
JP2011511475A (ja) * 2008-02-08 2011-04-07 ラム リサーチ コーポレーション プラズマ処理チャンバのパーツのための保護被覆およびその使用方法
JP2019016704A (ja) * 2017-07-07 2019-01-31 東京エレクトロン株式会社 静電チャックの製造方法及び静電チャック

Also Published As

Publication number Publication date
TW202137823A (zh) 2021-10-01
JP7308767B2 (ja) 2023-07-14
US20210210369A1 (en) 2021-07-08
KR20210089579A (ko) 2021-07-16
CN113097044A (zh) 2021-07-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5395633B2 (ja) 基板処理装置の基板載置台
TWI820239B (zh) 載置台、邊環之定位方法及基板處理裝置
US20230326724A1 (en) Plasma processing apparatus
JP3225492U (ja) プラズマエッチングチャンバ内の汚染を低減する装置
JP2021111672A (ja) 載置台およびプラズマ処理装置
CN111613510A (zh) 载置台及基板处理装置
TWI809007B (zh) 半導體製造裝置用之對焦環及半導體製造裝置
TW202224064A (zh) 邊緣環及基板處理裝置
TW202209400A (zh) 具有改進的選擇性和流導性的金屬氧化物預清潔腔室
US11201039B2 (en) Mounting apparatus for object to be processed and processing apparatus
TW202032715A (zh) 載置台及基板處理裝置
JP7361588B2 (ja) エッジリング及び基板処理装置
US20210305077A1 (en) Device for supporting substrate having thermal expansion coefficient
TW202129827A (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
JP2021013011A (ja) 基板処理装置
CN114342038A (zh) 用于工艺腔室的高导通内部屏蔽物
JP7365912B2 (ja) エッジリング及び基板処理装置
JP7316863B2 (ja) 第一導電性部材と第二導電性部材の接合構造と接合方法、及び基板処理装置
JP2021068782A (ja) 載置台アセンブリ、基板処理装置、及びシール部材

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20221003

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230606

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230704

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7308767

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150