JP2021109962A - フォトレジスト下層用のコーティング組成物 - Google Patents

Abstract

【課題】オーバーコートされたＥＵＶフォトレジストに向上した感度を付与するための高いドライエッチ速度を有する下層コーティング組成物に使用するための、ヨウ素に富むモノマー及び対応するポリマーを提供する。【解決手段】イソシアヌレート基及び架橋性基を含む架橋性ポリエステルポリマーと；架橋剤と；酸触媒とを含むコーティング組成物であって、架橋性ポリエステルポリマー及び架橋剤の少なくとも１つがヨウ素含有ポリマーを含むコーティング組成物。【選択図】なし

Description

極端紫外線リソグラフィ（「ＥＵＶＬ」）は、２０ｎｍ未満の形体サイズでの大量半導体製造のための光リソグラフィに取って代わる先端技術オプションの１つである。極端に短い波長（１３．４ｎｍ）が、多様な技術世代において必要とされる高い解像度のための重要な実現要因である。更に、全体システムコンセプト−走査露光、投影光学、マスクフォーマット、及びレジスト技術−は、現行の光技術のために用いられるものによく似ている。以前のリソグラフィ世代のように、ＥＵＶＬは、レジスト技術、露光ツール技術、及びマスク技術からなる。重要な課題は、ＥＵＶ光源電力及び処理量である。ＥＵＶ光源電力のあらゆる改善が、現在厳しいレジスト感度仕様に直接影響を及ぼすであろう。実に、ＥＵＶＬイメージングにおける主な問題は、レジスト感度であり、感度が低ければ低いほど、必要とされる光源電力がより大きくなるか又はレジストを完全に露光するために必要とされる露光時間がより長くなる。電力レベルが低くければ低いほど、印刷されたラインのラインエッジ粗さ（「ＬＥＲ」）に、ノイズがより多く影響を及ぼす。

ＥＵＶＬ感度の向上は、重要な実現要因である。ＥＵＶ光吸収断面積及び二次電子発生収率がＥＵＶ感度にとって決定的に重要な要因であることが示されている。ＥＵＶＬフォトレジスト感度を上げるための一方法は、既知の原子吸収を用いて理論的に計算することができる材料の原子特性である、１３．５ｎｍにおけるその吸収断面積を増やすことによる。炭素、酸素、水素、及び窒素などの、レジスト材料を構成する典型的な原子は、１３．５ｎｍにおいて非常に弱い吸収を有する。フッ素原子は、わずかにより高い吸収を有し、高いＥＵＶ吸収フォトレジストの探求において使用されてきた。

ヨウ素は、際立って高いＥＵＶ光吸収断面積を有する。ヨウ素含有モノマー及び対応するポリマーは、リソグラフィック処理のために有用であることができる。これらの材料は、ハロゲン原子を含有するノボラック樹脂を有する下層コーティング組成物を記載している、（特許文献１）を除いて、主にレジストコーティング組成物用に、下層コーティング組成物にではなく適用されてきた。オーバーコートされたＥＵＶフォトレジストに向上した感度を付与するための高いドライエッチ速度を有する下層コーティング組成物に使用するためのヨウ素に富むモノマー及び対応するポリマーが依然として必要とされている。

米国特許第９，００５，８７３ Ｂ２号明細書 米国特許出願公開第２０１２／００４０２９ Ａ１号明細書 米国特許第６，２６１，７４３号明細書 米国特許出願公開第２００６／０２２６１２２号明細書

Ｚｅｎｏ Ｗ．Ｗｉｃｋｓ，Ｊｒ，Ｆｒａｎｋ Ｎ．Ｊｏｎｅｓ，Ｓ．Ｐｅｔｅｒ Ｐａｐｐａｓ，「Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｏａｔｉｎｇｓ，Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」，ｐｐ ２４６−２５７（Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ＆ Ｓｏｎｓ，１９９９、第２版） Ｈｏｕｂｅｎ−Ｗｅｙｌ，「Ｍｅｔｈｏｄｅｎ ｄｅｒ Ｏｒｇａｎｉｓｃｈｅｎ Ｃｈｅｍｉｅ，Ｂａｎｄ Ｅ２０，Ｍａｋｒｏｍｏｌｅｋｕｌａｒｅ Ｓｏｆｆｅ，Ｐｏｌｙｅｓｔｅｒ」，ｐｐ １４０５−１４２９．（Ｇｅｏｒｇ Ｔｈｉｅｍｅ Ｖｅｒｌａｇ，Ｓｔｕｔｔｇａｒｔ １９８７） ＭｃＣｕｔｃｈｅｏｎ’ｓ Ｅｍｕｌｓｉｆｉｅｒｓ ａｎｄ Ｄｅｔｅｒｇｅｎｔｓ，Ｎｏｒｔｈ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｅｄｉｔｉｏｎ ｆｏｒ ｔｈｅ Ｙｅａｒ ２０００

イソシアヌレート基及び架橋性基を含む架橋性ポリエステルポリマーと；架橋剤と；酸触媒とを含むコーティング組成物であって、架橋性ポリエステルポリマー及び架橋剤の少なくとも１つがヨウ素含有ポリマーを含むコーティング組成物が提供される。

別の態様は、基材上に配置されたコーティング組成物の層と；コーティング組成物の層上に配置されたフォトレジスト層とを含むコートされた基材を提供する。

更に別の態様は、電子デバイスの形成方法であって、コーティング組成物の層を基材上に塗布する工程と；コーティング組成物を硬化させて下層膜を形成する工程と；フォトレジストコーティング組成物の層を下層膜上に塗布してフォトレジスト層を形成する工程と；フォトレジスト層を放射線にパターン様露光する工程と；露光されたフォトレジスト層を現像してレジストレリーフ画像を提供する工程とを含む方法を提供する。

その例が本説明において例示される、例示的な態様がこれから詳細に言及される。これに関連して、本例示的な態様は、異なる形態を有し得、本明細書に明記される説明に限定されると解釈されるべきではない。したがって、例示的な態様は、本説明の態様を説明するために以下で記載されるにすぎない。本明細書で用いられる専門用語は、特定の態様を記載するという目的のためであるにすぎず、限定的であることを意図しない。

本明細書で用いるところでは、用語「ａ」、「ａｎ」、及び「ｔｈｅ」は、量の制限を意味せず、本明細書で特に示さない又は文脈によって明らかに矛盾しない限り、単数形及び複数形の両方を包含すると解釈されるべきである。「又は」は、特に明記しない限り、「及び／又は」を意味する。量に関連して用いられる修飾語句「約」は、表示値を含み、前後関係（例えば、特定の量の測定と関連した誤差の程度を含む）によって決定される意味を有する。本明細書で開示される全ての範囲は、終点を含み、終点は、独立して、互いに合体できる。接尾辞「（ｓ）」は、それが修飾する用語の単数形及び複数形の両方を含み、それによってその用語の少なくとも１つを含むことを意図する。「任意選択の」又は「任意選択的に」は、その後記載される事象又は状況が、起こることができるか又は起こることができないこと、並びに事象が起こる場合及び事象が起こらない場合をその記載が含むことを意味する。用語「第１の」、「第２の」等は、本明細書では、順番、量、又は重要性を意味せず、むしろ、１つの要素を別の要素から区別するために用いられる。要素が別の要素「上」にあると言われる場合、それが他の要素と直接に接触し得るか又は介在要素がそれらの間に存在し得る。対照的に、要素が別の要素の「直接上に」あると言われる場合、介在要素は存在しない。態様の記載される成分、要素、制限、及び／又は特徴は、様々な態様において任意の好適な方法で組み合わせられ得ることが理解されるべきである。

本明細書で用いるところでは、用語「炭化水素基」は、示される場合に１つ以上の置換基で任意選択的に置換された、少なくとも１個の炭素原子及び少なくとも１個の水素原子を有する有機化合物を意味し；「アルキル基」は、明記された数の炭素原子を有する、及び１の価数を有する直鎖若しくは分岐鎖の飽和炭化水素を意味し；「アルキレン基」は、２の価数を有するアルキル基を意味し；「ヒドロキシアルキル基」は、少なくとも１個のヒドロキシル基（−ＯＨ）で置換されたアルキル基を意味し；「アルコキシ基」は、「アルキル−Ｏ−」を意味し；「カルボン酸基」は、式「−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＨ」を有する基を意味し；「シクロアルキル基」は、全ての環員が炭素である１つ以上の飽和環を有する一価基を意味し；「シクロアルキレン基」は、２の価数を有するシクロアルキル基を意味し；「アルケニル基」は、少なくとも１個の炭素−炭素二重結合を有する直鎖若しくは分岐鎖の、一価炭化水素基を意味し；「アルケノキシ基」は、「アルケニル−Ｏ−」を意味し；「アルケニレン基」は、２の価数を有するアルケニル基を意味し；「シクロアルケニル基」は、少なくとも１個の炭素−炭素二重結合を持った、少なくとも３個の炭素原子を有する非芳香族環状の二価炭化水素基を意味し；「アルキニル基」は、少なくとも１個の炭素−炭素三重結合を有する一価炭化水素基を意味し；「アリール基」は、一価の芳香族単環式若しくは多環式環システムを意味し、少なくとも１つのシクロアルキル又はヘテロシクロアルキル環に縮合した芳香環を持った基を含み得；「アリーレン基」は、２の価数を有するアリール基を意味し；「アルキルアリール基」は、アルキル基で置換されているアリール基を意味し；「アリールアルキル基」は、アリール基で置換されているアルキル基を意味し；「アリールオキシ基」は、「アリール−Ｏ−」を意味し：「アリールチオ基」は、「アリール−Ｓ−」を意味する。

接頭辞「ヘテロ」は、化合物又は基が、炭素原子の代わりにヘテロ原子である少なくとも１つのメンバー（例えば、１、２、３、又は４つ以上のヘテロ原子）を含むことを意味し、ここで、ヘテロ原子は、それぞれ独立して、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｓｉ、又はＰであり；「ヘテロアルキル基」は、炭素の代わりに１〜３つのヘテロ原子を有するアルキル基を意味し；「ヘテロシクロアルキル基」は、炭素の代わりに環員として１〜３つのヘテロ原子を有するシクロアルキル基を意味し；「ヘテロシクロアルキレン基」は、２の価数を有するヘテロシクロアルキル基を意味し；「ヘテロアリール基」は、炭素の代わりに環員として１〜４つのヘテロ原子を有する芳香族基を意味する。

用語「ハロゲン」は、フッ素（フルオロ）、塩素（クロロ）、臭素（ブロモ）、又はヨウ素（ヨード）である一価置換基を意味する。接頭辞「ハロ」は、水素原子の代わりにフルオロ、クロロ、ブロモ、又はヨード置換基のもう１つを含む基を意味する。ハロ基の組み合わせ（例えば、ブロモ及びフルオロ）、又はフルオロ基のみが存在し得る。

「置換された」は、指定された原子の通常の価数を超えないという条件で、基上の少なくとも１個の水素原子が別の基で置き換えられていることを意味する。置換基がオキソ（即ち、＝Ｏ）の場合、炭素原子上の２個の水素が置き換えられている。置換基又は変数の組み合わせが許容される。「置換」位置に存在し得る例示的な基としては、ニトロ（−ＮＯ_２）、シアノ（−ＣＮ）、ヒドロキシル（−ＯＨ）、オキソ（＝Ｏ）、アミノ（−ＮＨ_２）、モノ−若しくはジ−（Ｃ_１〜６）アルキルアミノ、アルカノイル（アシルなどのＣ_２〜６アルカノイル基など）、ホルミル（−Ｃ（＝Ｏ）Ｈ）、カルボン酸若しくはそのアルカリ金属若しくはアンモニウム塩、Ｃ_２〜６アルキルエステル（−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−アルキル若しくはＯＣ（＝Ｏ）−アルキル）、Ｃ_７〜１３アリールエステル（−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−アリール若しくはＯＣ（＝Ｏ）−アリール）、アミド（−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ_２（式中、Ｒは水素若しくはＣ_１〜６アルキルである）、カルボキサミド（−ＣＨ_２Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ_２（式中、Ｒは水素若しくはＣ_１〜６アルキルである）、ハロゲン、チオール（−ＳＨ）、Ｃ_１〜６アルキルチオ（−Ｓ−アルキル）、チオシアノ（−ＳＣＮ）、Ｃ_１〜６アルキル、Ｃ_２〜６アルケニル、Ｃ_２〜６アルキニル、Ｃ_１〜６ハロアルキル、Ｃ_１〜９アルコキシ、Ｃ_１〜６ハロアルコキシ、Ｃ_３〜１２シクロアルキル、Ｃ_５〜１８シクロアルケニル、少なくとも１つの芳香環（例えば、フェニル、ビフェニル、ナフチル若しくは同様のもの、それぞれの環は置換か非置換かのどちらかの芳香族）を有するＣ_６〜１２アリール、１〜３の分離（ｓｅｐａｒａｔｅ）環若しくは縮合環と６〜１８個の環炭素原子を有するＣ_７〜１９アリールアルキル、１〜３の分離環若しくは縮合環と６〜１８個の環炭素原子を有するアリールアルコキシ、Ｃ_７〜１２アルキルアリール、Ｃ_４〜１２ヘテロシクロアルキル、Ｃ_３〜１２ヘテロアリール、Ｃ_１〜６アルキルスルホニル（−Ｓ（＝Ｏ）_２−アルキル）、Ｃ_６〜１２アリールスルホニル（−Ｓ（＝Ｏ）_２−アリール）、又はトシル（ＣＨ_３Ｃ_６Ｈ_４ＳＯ_２−）が挙げられるが、それらに限定されない。基が置換されている場合、示されている炭素原子の数は、任意の置換基の炭素原子を除いた、基における炭素原子の総数である。例えば、基−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＮは、シアノ基で置換されたＣ_２アルキル基である。

用語「（メタ）アクリレート」は、メタクリレート及びアクリレートの両方を含み、用語「（メタ）アリル」は、メタリル及びアリルの両方を含み、用語「（メタ）アクリルアミド」は、メタクリルアミド及びアクリルアミドの両方を含む。

本発明者らは、現在開示されるヨウ素含有ポリエステル及び／又は（メタ）アクリレートポリマーに由来するレジスト下層膜が、ＥＵＶリソグラフィ中にレジスト感度を向上させることができることを発見した。現在開示されるレジスト下層膜はまた、（特許文献２）において開示されているなどの、比較可能なハロゲン含有ノボラック樹脂よりも高いドライエッチ速度を達成することができる。例えば、本発明のコーティング組成物は、比較可能なハロゲン含有ノボラック樹脂のドライエッチ速度の少なくとも約２倍の速度を達成することができる。

したがって、ある態様は、架橋性ポリエステルポリマーと；架橋剤と；酸触媒とを含むコーティング組成物を提供する。架橋性ポリエステルポリマーは、イソシアヌレート基及び架橋性基を含む。架橋性ポリエステルポリマー及び架橋剤の少なくとも１つは、ヨウ素含有ポリマーを含む。

コーティング組成物の架橋性ポリエステルポリマーは、コーティング組成物がコーティング組成物中の成分の架橋前に基材に塗布され得るように、架橋していない（すなわち、非架橋である）。架橋性ポリエステルポリマーは、特に文脈によって明らかに示さない限り、ホモポリマー、コポリマー、又はオリゴマーであってもよい。例えば、架橋性ポリエステルポリマーは、同じ繰り返し構造単位を有するホモポリマーであってもよい。或いはまた、架橋性ポリエステルポリマーは、２つ以上の異なる繰り返し構造単位を有するコポリマーであってもよいし、例えば、ランダムコポリマー又はブロックコポリマーであってもよい。

ある態様において、架橋性ポリエステルポリマーは、式（１）：

の化合物に由来するヨウ素含有ポリエステルポリマーである。

式（１）において、Ｄは、単結合、又は非置換若しくは置換Ｃ_１〜４アルキレン基である。式（１）における「Ｉ」がヨウ素原子であることは理解されるべきである。式（１）において、ｍは、０〜４の整数、典型的には０又は１であり；ｎは、１〜３の整数であり；ｍとｎとの合計は６未満、典型的には１〜４、又は１〜３、又は２〜３の整数である。ヨウ素含有ポリエステルポリマー（１）の少なくとも１個の水素原子は、ヒドロキシル、カルボキシル、チオール、アミノ、エポキシ、アルコキシ、アミド、ビニル、及びそれらの組み合わせから独立して選択される官能基で置換されている。これらのうちで、ヒドロキシル、カルボキシル、又はアルコキシが好ましい。

式（１）において、Ｙは、−Ｈ、−ＯＨ、−Ｃ（Ｏ）ＯＨ、−Ｃ（Ｏ）ＯＲ^ｂ、又はエポキシであり、ここで、Ｒ^ｂは、水素、非置換若しくは置換Ｃ_１〜１０アルキル基、非置換若しくは置換Ｃ_３〜３０シクロアルキル基、非置換若しくは置換Ｃ_１〜３０ヘテロシクロアルキル基、非置換若しくは置換Ｃ_６〜３０アリール基、非置換若しくは置換Ｃ_７〜３０アリールアルキル基、非置換若しくは置換Ｃ_１〜３０ヘテロアリール基、又は非置換若しくは置換Ｃ_３〜３０ヘテロアリールアルキル基である。

式（１）において、各Ｘは、独立して、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、アミド基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、カルボン酸基若しくはそれの塩、スルホン酸基若しくはそれの塩、リン酸基若しくはそれの塩、非置換若しくは置換Ｃ_１〜３０アルキル基、非置換若しくは置換Ｃ_２〜３０アルケニル基、非置換若しくは置換Ｃ_２〜３０アルキニル基、非置換若しくは置換Ｃ_１〜３０アルコキシ基、非置換若しくは置換Ｃ_３〜３０シクロアルキル基、非置換若しくは置換Ｃ_１〜３０ヘテロシクロアルキル基、非置換若しくは置換Ｃ_３〜３０シクロアルケニル基、非置換若しくは置換Ｃ_１〜３０ヘテロシクロアルケニル基、非置換若しくは置換Ｃ_６〜３０アリール基、非置換若しくは置換Ｃ_６〜３０アリールオキシ基、非置換若しくは置換Ｃ_６〜３０アリールチオ基、非置換若しくは置換Ｃ_７〜３０アリールアルキル基、非置換若しくは置換Ｃ_１〜３０ヘテロアリール基、非置換若しくは置換Ｃ_２〜３０ヘテロアリールオキシ基、非置換若しくは置換Ｃ_２〜３０ヘテロアリールチオ基、又は非置換若しくは置換Ｃ_３〜３０ヘテロアリールアルキル基である。

ある態様において、式（１）の化合物は、式（１ａ）：

の化合物であってもよい。

式（１ａ）において、Ｉ、Ｘ、ｍ、及びｎは、式（１）におけるのと同じものである。式（１ａ）において、Ｒ^ｂは、非置換若しくは置換Ｃ_１〜１０アルキル基、非置換若しくは置換Ｃ_３〜３０シクロアルキル基、非置換若しくは置換Ｃ_１〜３０ヘテロシクロアルキル基、非置換若しくは置換Ｃ_６〜３０アリール基、非置換若しくは置換Ｃ_７〜３０アリールアルキル基、非置換若しくは置換Ｃ_１〜３０ヘテロアリール基、又は非置換若しくは置換Ｃ_３〜３０ヘテロアリールアルキル基である。ヨウ素含有ポリエステルポリマー（１ａ）の少なくとも１個の水素原子は、ヒドロキシル、カルボキシル、チオール、アミノ、エポキシ、アルコキシ、アミド、ビニル、及びそれらの組み合わせから独立して選択される官能基で置換されている。これらのうちで、ヒドロキシル、カルボキシル、又はアルコキシが好ましい。

式（１）の好適な化合物としては、例えば、下記が挙げられる：

ある態様において、架橋性ポリエステルポリマーは、式（２）：

のモノマーに由来する繰り返し単位を含む。

式（２）において、Ｋ、Ｌ、及びＭは、それぞれ独立して、そのそれぞれがカルボン酸基で任意選択的に置換されている、線状若しくは分岐状Ｃ_１〜１０炭化水素基、Ｃ_１〜１０アルコキシカルボニル基、Ｃ_１〜１０アルカノイルオキシ基、又はＣ_１〜５アルコキシカルボニル基若しくはＣ_１〜５アルコキシ基で任意選択的に置換された線状若しくは分岐状Ｃ_１〜１０ヒドロキシアルキル基である。

式（２）において、Ｋ、Ｌ、及びＭについて、Ｃ_１〜１０炭化水素基、Ｃ_１〜１０アルコキシカルボニル基、Ｃ_１〜１０アルカノイルオキシ基、及びＣ_１〜１０ヒドロキシアルキル基のそれぞれは、ハロゲン、アミノ基、チオール基、エポキシ基、アミド基、Ｃ_１〜５アルキル基、Ｃ_３〜８シクロアルキル基、Ｃ_３〜２０ヘテロシクロアルキル基、Ｃ_２〜５アルケニル基、Ｃ_１〜５アルコキシ基、Ｃ_２〜５アルケノキシ基、Ｃ_６〜１０アリール基、Ｃ_６〜１０アリールオキシ基、Ｃ_７〜１０アルキルアリール基、又はＣ_７〜１０アルキルアリールオキシ基の少なくとも１つで任意選択的に置換されている。Ｃ_３〜８シクロアルキル基及びＣ_３〜２０ヘテロシクロアルキル基は、オキソ基（＝Ｏ）で少なくとも１個の環炭素原子上で任意選択的に置換されていることができる。ポリエステルポリマー（２）の少なくとも１個の水素原子は、ヒドロキシル、カルボキシル、チオール、アミノ、エポキシ、アルコキシ、アミド、ビニル、及びそれらの組み合わせから独立して選択される官能基で置換されている。これらのうちで、ヒドロキシル、カルボキシル、又はアルコキシが好ましい。

架橋性ポリエステルポリマー及び架橋性ヨウ素含有ポリエステルポリマーは、例えば（非特許文献１）及びその中の参考文献に又は（非特許文献２）及びその中の参考文献に記載されるなどの従来の重縮合技術によって形成され得る。一態様において、ジオール又はポリオール及びジカルボン酸又はポリカルボン酸が通常の重合容器へ装入され、数時間約１５０〜２８０℃で反応させられる。任意選択的に、エステル化触媒が、反応時間を減らすために使用され得る。ポリカルボン酸のジメチルエステル又は無水物などの、ポリカルボン酸のエステル化可能な誘導体をポリエステルが調製するために使用できることもまた理解される。例示的なポリオール及びポリカルボン酸としては、イソシアヌレートポリオール及びイソシアヌレートポリカルボン酸が挙げられる。ポリエステルポリマーは、線状若しくは分岐状であることができる。

好適なジオール及びポリオールとしては、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール及び高次ポリエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール及び高次ポリプロピレングリコール、１，３−プロパンジオール、１，４−ブタンジオール及び他のブタンジオール、１，５−ペンタンジオール及び他のペンタンジオール、ヘキサンジオール、デカンジオール、及びドデカンジオール、グリセロール、トリメチロールプロパン、トリメチロールエタン、ネオペンチルグリコール、ペンタエリスリトール、シクロヘキサンジメタノール、ジペンタエリスリトール、１，２−ジメチル−１，３−プロパンジオール、１，４−ベンゼンジメタノール、２，４−ジメチル−２−エチルヘキサン−１，３−ジオール、イソプロピリデンビス（ｐ−フェニレン−オキシプロパノール−２）、４，４’−ジヒドロキシ−２，２’−ジフェニルプロパン、１，３−シクロヘキサンジメタノール、１，４−シクロヘキサンジメタノール（又はシス若しくはトランスであってもよい、１，３−及び１，４−シクロヘキサンジメタノールの混合物）、ソルビトール、若しくは同様のもの、又はそれらの組み合わせが挙げられるが、それらに限定されない。

ある態様において、ヨウ素含有ポリエステルポリマーは、任意の好適な方法を用いて式（２）から誘導されるポリエステルポリマーと式（１）の化合物とから調製され得る。反応条件及び成分は、ポリエステルポリマー及び式（１）の化合物のそれぞれ上の反応性官能基に順応するように選択することができる。別の態様において、ヨウ素含有ポリエステルポリマーは、ヨウ素含有ポリエステルポリマーを提供するための有効な条件下で、式（１）の化合物を、トリス（ヒドロキシエチル）イソシアヌレート、トリス（カルボキシエチル）イソシアヌレートなどの、イソシアヌレート前駆体、１，２−プロパンジオール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、又は同様のものと反応させることから調製することができる。

好ましくは、本発明の架橋性ポリマーは、１分子当たり１，０００〜１０，０００，０００グラム（ｇ／モル）、より典型的には２，０００〜１０，０００ｇ／モルの重量平均分子量（Ｍｗ）、及び５００〜１，０００，０００ｇ／モルの数平均分子量（Ｍｎ）を有するであろう。分子量（ＭｗかそれともＭｎ）は、ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって好適に測定される。

コーティング組成物は、架橋剤を更に含む。本発明の架橋剤は、小分子架橋剤又はヨウ素含有ポリ（メタ）アクリレートポリマーなどの高分子架橋剤であってもよい。架橋性ポリマー及び架橋剤の少なくとも１つは、ヨウ素含有ポリマーを含む。本明細書で用いるところでは、「ヨウ素含有ポリマー」は、ヨウ素含有ポリエステルポリマー又はヨウ素含有ポリ（メタ）アクリレートポリマーを意味する。

ある態様において、架橋剤は、式（３）：

のモノマーに由来するヨウ素含有ポリ（メタ）アクリレートポリマーを含む。

式（３）において、Ｒ^ａは、水素、フッ素、シアノ基、Ｃ_１〜１０アルキル基、又はＣ_１〜１０フルオロアルキル基であり、水素が典型的である。

式（３）における「Ｉ」はヨウ素原子であることが理解されるべきである。式（３）において、ｍは、０〜４の整数、典型的には０又は１であり；ｎは、１〜３の整数であり；ｍとｎとの合計は６未満、典型的には１〜４、又は１〜３、又は２〜３の整数である。

式（３）において、Ｌは、−Ｏ−、−Ｏ（Ｃ＝Ｏ）−、−（Ｃ＝Ｏ）Ｏ−、−Ｏ（ＳＯ_２）−、−（ＳＯ_２）Ｏ−、−ＮＨ（ＳＯ_２）−、−（ＳＯ_２）ＮＨ−、−ＮＨ（ＣＯ）−、−（ＣＯ）ＮＨ−、−ＳＯ_２−、又は−ＳＯ−である。好ましくは、Ｌは、−Ｏ−、−Ｏ（Ｃ＝Ｏ）−、又は−（Ｃ＝Ｏ）Ｏ−である。

式（３）において、Ａは、非置換若しくは置換Ｃ_１〜３０アルキレン基、非置換若しくは置換Ｃ_３〜３０シクロアルキレン基、非置換若しくは置換Ｃ_１〜３０ヘテロシクロアルキレン基、非置換若しくは置換Ｃ_６〜３０アリーレン基、非置換若しくは置換の二価Ｃ_７〜３０アリールアルキル基、非置換若しくは置換Ｃ_１〜３０ヘテロアリーレン基、又は非置換若しくは置換の二価Ｃ_３〜３０ヘテロアリールアルキル基である。好ましくは、Ａは、非置換若しくは置換Ｃ_１〜３０アルキレン基、例えばヒドロキシル基で置換されたＣ_１〜１０アルキレン基である。

式（３）において、各Ｘは、独立して、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、アミド基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、カルボン酸基若しくはそれの塩、スルホン酸基若しくはそれの塩、リン酸基若しくはそれの塩、非置換若しくは置換Ｃ_１〜３０アルキル基、非置換若しくは置換Ｃ_２〜３０アルケニル基、非置換若しくは置換Ｃ_２〜３０アルキニル基、非置換若しくは置換Ｃ_１〜３０アルコキシ基、非置換若しくは置換Ｃ_３〜３０シクロアルキル基、非置換若しくは置換Ｃ_１〜３０ヘテロシクロアルキル基、非置換若しくは置換Ｃ_３〜３０シクロアルケニル基、非置換若しくは置換Ｃ_１〜３０ヘテロシクロアルケニル基、非置換若しくは置換Ｃ_６〜３０アリール基、非置換若しくは置換Ｃ_６〜３０アリールオキシ基、非置換若しくは置換Ｃ_６〜３０アリールチオ基、非置換若しくは置換Ｃ_７〜３０アリールアルキル基、非置換若しくは置換Ｃ_１〜３０ヘテロアリール基、非置換若しくは置換Ｃ_２〜３０ヘテロアリールオキシ基、非置換若しくは置換Ｃ_２〜３０ヘテロアリールチオ基、又は非置換若しくは置換Ｃ_３〜３０ヘテロアリールアルキル基である。これらのうちで、ヒドロキシル基が好ましい。

式（３）のモノマーのための好適な構造としては、例えば、下記が挙げられる：

ヨウ素含有ポリ（メタ）アクリレートポリマーは、式（３）のモノマーに由来する単位を有するホモポリマーであることができ、式（３）の異なるモノマーに由来する異なる単位を有するコポリマーであることができ、又は式（３）のモノマーに由来するもの以外の追加の単位を有するコポリマーであることができる。

いくつかの態様において、ヨウ素含有ポリ（メタ）アクリレートポリマーは、ヒドロキシル基などの、架橋性基を更に含むヨウ素含有モノマーに由来することができる。別の態様において、ヨウ素含有ポリ（メタ）アクリレートポリマーは、ヨウ素を含有しないコモノマーである、架橋性モノマーに由来する構造単位（すなわち、「架橋性単位」）を更に含み得る。好適な架橋性モノマー又は架橋性単位は、ポリエステルポリマー及びヨウ素含有ポリエステルポリマーの架橋性基とよく反応する置換基を有するものであり、ペンダントのヒドロキシル基、チオール基、エポキシ基、又は同様のものを有する単位を含み得る。架橋性単位と言われる、架橋官能性を提供する例示的な構造単位には、下記が挙げられる：

好ましくは、架橋性モノマーは、エポキシ基を含む。エポキシ架橋性単位を含む例示的なヨウ素含有ポリ（メタ）アクリレートポリマーは、下記である：

ある態様において、ヨウ素含有ポリ（メタ）アクリレートポリマーは、ヨウ素含有ポリ（メタ）アクリレートポリマーを基準として、１０〜９９モル％、又は３０〜９９モル％、又は８０〜９８モル％の式（３）に由来する繰り返し単位及び１〜９０モル％、又は１〜７０モル％、又は２〜２０モル％の架橋性単位を含み得る。別の態様において、ヨウ素含有ポリ（メタ）アクリレートポリマーは、ヨウ素含有ポリ（メタ）アクリレートポリマーを基準として、１０〜９０モル％、好ましくは２０〜６０モル％の式（３）に由来する繰り返し単位及び１０〜９０モル％、好ましくは４０〜８０モル％の架橋性単位を含み得る。

ヨウ素含有ポリ（メタ）アクリレートポリマーは、式（３）のモノマーとは異なる他の繰り返し構造単位及び架橋性単位を含み得る。他の繰り返し構造単位としては、例えば、エッチ速度及び溶解性などの、コーティング組成物の特性を調整するという目的のための１つ以上の追加の単位が挙げられ得る。例示的な追加の単位としては、好ましくは側鎖上に架橋性基なしで；溶解性のための１つ以上の（メタ）アクリレート；より速いエッチ速度のためのビニルエーテル、ビニルケトン、及びビニルエステルが挙げられ得る。１つ以上の追加の単位は、アミン含有ポリマー中に存在する場合、アミン含有ポリマーを基準として、６９モル％以下、好ましくは５〜５０モル％の量で使用され得る。

ヨウ素含有ポリ（メタ）アクリレートポリマーなどの、高分子架橋剤は、当技術分野における任意の方法を用いて調製され得る。例えば、本明細書で記載される構造単位に対応する及び重合性基を含む１種以上のモノマーが、モノマーコーティング組成物として組み合わせられ、モノマーがその後重合してアミン含有ポリマーを形成し得る。例示的な重合性基としては、（メタ）アクリレート、グリシジルエーテル、Ｎ−ビニル、ビニルエーテル、ビニルエステル、ビニルアミド、スチレン、（メタ）アクリルアミド、シアノアクリレート、１，３−ジエン、ビニルカーボネート、ビニルカルバメート、マレイミド、アルファ−オレフィン、イタコン酸、ビニルシラン、アルコキシシラン、ハロシラン、アルキニル等が挙げられるが、それらに限定されない。ヨウ素含有ポリ（メタ）アクリレートポリマーは、任意の好適な条件下での、例えば有効な温度での加熱、有効な波長の化学線での照射、又はそれらの組み合わせによるモノマーコーティング組成物の重合によって得られ得る。モノマーコーティング組成物は、溶媒、重合開始剤、硬化触媒等などの、添加物を更に含み得る。

そのような溶媒の例としては：アルカン、フッ素化炭化水素、及び芳香族炭化水素などの、炭化水素、エーテル、ケトン、エステル、アルコール、並びにそれらの混合物が挙げられるが、それらに限定されない。特に好適な溶媒としては、ドデカン、メシチレン、キシレン、ジフェニルエーテル、ガンマ−ブチロラクトン、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、カプロラクトン、２−ヘプタノン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、デカノール、及びｔ−ブタノールが挙げられる。

ヨウ素含有ポリ（メタ）アクリレートポリマーは、１モル当たり１，０００〜１００，０００グラム（ｇ／モル）、好ましくは２，０００〜５０，０００ｇ／モル、より好ましくは２，５００〜２５，０００ｇ／モル、更に一層好ましくは３，０００〜２０，０００ｇ／モルの重量平均分子量（Ｍ_ｗ）を有し得る。分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって測定され得る。好ましい分子量は、合成中のより高い収率と、より低い膨潤／コーティング組成物が使用中に接触する溶媒、例えば、間隙充填、下層コーティング、底部反射防止コーティング（ＢＡＲＣ）、フォトレジスト、及び現像液材料に使用された溶媒に対するより高いストリッピング抵抗とを可能にするであろう。より高い膨潤／より低いストリッピング抵抗は、オーバーコートされたフォトレジストのパターン化中にパターン崩壊をもたらし得る。

ヨウ素含有ポリ（メタ）アクリレートポリマーの多分散指数（ＰＤＩ）は、特に限定されない。ある態様において、ＰＤＩは、１．０５以上、好ましくは１．０５〜２．０、より好ましくは１．２〜２．０である。

ヨウ素を含有しない他の架橋剤は、架橋性ポリマーとの酸触媒架橋を受ける任意のものである。本発明において有用な架橋剤としては、例えば：トリビニルベンゼン、ジビニルトルエン；ジビニルピリジン、ジビニルナフタレン及びジビニルキシレン；エチレングリコールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジエチレングリコールジビニルエーテル、トリビニルシクロヘキサン、アリルメタクリレート（「ＡＬＭＡ」）、エチレングリコールジメタクリレート（「ＥＧＤＭＡ」）、ジエチレングリコールジメタクリレート（「ＤＥＧＤＭＡ」）、プロピレングリコールジメタクリレート、プロピレングリコールジアクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート（「ＴＭＰＴＭＡ」）、ジビニルベンゼン（「ＤＶＢ」）、グリシジルメタクリレート、２，２−ジメチルプロパン １，３−ジアクリレート、１，３−ブチレングリコールジアクリレート、１，３−ブチレングリコールジメタクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、ポリエチレングリコールジメタクリレート、エトキシル化ビスフェノールＡジアクリレート、エトキシル化ビスフェノールＡジメタクリレート、ポリエチレングリコールジメタクリレート、ポリ（ブタンジオール）ジアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、トリメチロールプロパントリエトキシトリアクリレート、グリセリルプロポキシトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジビニルシラン、トリビニルシラン、ジメチルジビニルシラン、ジビニルメチルシラン、メチルトリビニルシラン、ジフェニルジビニルシラン、ジビニルフェニルシラン、トリビニルフェニルシラン、ジビニルメチルフェニルシラン、テトラビニルシラン、ジメチルビニルジシロキサン、ポリ（メチルビニルシロキサン）、ポリ（ビニルヒドロシロキサン）、ポリ（フェニルビニルシロキサン）、テトラメトキシグリコールウリル及びテトラブトキシグリコールウリルなどのテトラ（Ｃ_１〜Ｃ_８）アルコキシグリコールウリル、並びにそれらの組み合わせが挙げられる。

本発明に有用な酸触媒としては、遊離酸及び酸発生剤が挙げられる。本発明のコーティング組成物と相溶性があり、且つ、架橋性ポリマー及び架橋剤の架橋を触媒する任意の遊離酸が、本発明での使用のために好適である。遊離酸の例としては、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロピルスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、及びトリフルオロメタンスルホン酸などのスルホン酸が挙げられるが、それらに限定されない。コーティング組成物は、１種の触媒を含み得るか又は２種以上の異なる酸触媒を含み得る。

酸触媒は、加熱されたときに酸性部分を発生させることができる化合物である、熱酸発生剤（ＴＡＧ）であってもよい。熱酸発生剤は、非イオン性又はイオン性であることができる。好適な非イオン性熱酸発生剤としては、例えば、ｐ−トルエンスルホン酸シクロヘキシル、ｐ−トルエンスルホン酸メチル、２，４，６−トリイソプロピルベンゼンスルホン酸シクロヘキシル、ニトロベンジルエステル、ベンゾイントシレート、２−ニトロベンジルトシレート、トリス（２，３−ジブロモプロピル）−１，３，５−トリアジン−２，４，６−トリオン、有機スルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、シュウ酸、フタル酸、リン酸、カンファースルホン酸、２，４，６−トリメチルベンゼンスルホン酸、トリイソプロピルナフタレンスルホン酸、５−ニトロ−ｏ−トルエンスルホン酸、５−スルホサリチル酸、２，５−ジメチルベンゼンスルホン酸、２−ニトロベンゼンスルホン酸、３−クロロベンゼンスルホン酸、３−ブロモベンゼンスルホン酸、２−フルオロカプリルナフタレンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、１−ナフトール−５−スルホン酸、２−メトキシ−４−ヒドロキシ−５−ベンゾイル−ベンゼンスルホン酸のアルキルエステル、及びそれらの塩、並びにそれらの組み合わせが挙げられる。好適なイオン性熱酸発生剤としては、例えば、ドデシルベンゼンスルホン酸トリエチルアミン塩、ドデシルベンゼンジスルホン酸トリエチルアミン塩、ｐ−トルエンスルホン酸−アンモニウム塩、炭素環式アリール（例えばフェニル、ナフチル、アントラセニル等）及びヘテロアリール（例えばチエニル）スルホネート塩、脂肪族スルホネート塩及びベンゼンスルホネート塩などの、スルホネート塩が挙げられる。活性化時にスルホン酸を発生させる化合物が一般に好適である。好ましい熱酸発生剤としては、ｐ−トルエンスルホン酸アンモニウム塩及びそれのフッ素化誘導体が挙げられる。ある実施形態において、酸触媒は、Ｎ−ベンジル−Ｎ，Ｎ−ジメチルアンモニウムトリフルオロメタンスルホネートを含む。

酸触媒は、活性化化学線に曝されたときに酸性部分を発生させることができる化合物である、光熱酸発生剤（ＰＡＧ）であってもよい。好適な光酸発生剤としては、例えば、スルフィド及びオニウム型化合物が挙げられる。光酸発生剤としては、ジフェニルヨージドヘキサフルオロホスフェート、ジフェニルヨージドヘキサフルオロアルセネート、ジフェニルヨージドヘキサフルオロアンチモネート、ジフェニルｐ−メトキシフェニルトリフレート、ジフェニルｐ−トルエニルトリフレート、ジフェニルｐ−イソブチルフェニルトリフレート、ジフェニルｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルトリフレート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウムトリフレート、（４−ｔ−ブチルフェニル）テトラメチレンスルホニウム（３−ヒドロキシアダマンタニルエステル）−テトラフルオロブタンスルホネート）、（４−ｔ−ブチルフェニル）テトラメチレンスルホニウム（アダマンタニルエステル）−テトラフルオロブタンスルホネート）及びジブチルナフチルスルホニウムトリフレートが挙げられるが、それらに限定されない。好ましいＰＡＧとしては、テトラメチレンスルホニウム化合物が挙げられる。

コーティング組成物での使用のための好適な光酸発生剤としては、オーバーコートされるフォトレジストコーティング組成物のための本明細書で開示される光酸発生剤が挙げられる。下層コーティング組成物での光酸発生剤のそのような使用の議論については（特許文献３）を参照されたい。例えば、光酸発生剤は、式（４）：
Ｇ^＋Ｚ⁻ （４）
の小分子化合物であってもよく、
式中、Ｇは、式（５）：

のものである。

式（５）において、Ｘは、Ｓ又はＩであってもよい。各Ｒ^５は、Ｘに結合しており、独立して、Ｃ_１〜３０アルキル基；多環式若しくは単環式Ｃ_３〜３０シクロアルキル基；多環式若しくは単環式Ｃ_６〜３０アリール基；又は前述の少なくとも１つを含む組み合わせであってもよい。ｒ５は、ＸがＩである場合という条件で、２又は３であってもよいし、ｒ５は２であり、ＸがＳである場合、ｒ５は、２又は３である。式（４）において、Ｚは、スルホン酸、スルホンイミド、又はスルホンアミドのアニオンを含み得る。

例えば、カチオンＧ^＋は、式（６）、（７）、又は（８）：

（式中、Ｘは、Ｉ又はＳであり、Ｒ^ｈ、Ｒ^ｉ、Ｒ^ｊ、及びＲ^ｋは、非置換であるか若しくは置換されており、それぞれ独立して、ヒドロキシ、ニトリル、ハロゲン、Ｃ_１〜３０アルキル、Ｃ_１〜３０フルオロアルキル、Ｃ_３〜３０シクロアルキル、Ｃ_１〜３０フルオロシクロアルキル、Ｃ_１〜３０アルコキシ、Ｃ_３〜３０アルコキシカルボニルアルキル、Ｃ_３〜３０アルコキシカルボニルアルコキシ、Ｃ_３〜３０シクロアルコキシ、Ｃ_５〜３０シクロアルコキシカルボニルアルキル、Ｃ_５〜３０シクロアルコキシカルボニルアルコキシ、Ｃ_１〜３０フルオロアルコキシ、Ｃ_３〜３０フルオロアルコキシカルボニルアルキル、Ｃ_３〜３０フルオロアルコキシカルボニルアルコキシ、Ｃ_３〜３０フルオロシクロアルコキシ、Ｃ_５〜３０フルオロシクロアルコキシカルボニルアルキル、Ｃ_５〜３０フルオロシクロアルコキシカルボニルアルコキシ、Ｃ_６〜３０アリール、Ｃ_６〜３０フルオロアリール、Ｃ_６〜３０アリールオキシ、又はＣ_６〜３０フルオロアリールオキシであり、それらのそれぞれは、非置換であるか若しくは置換されており；Ａｒ^１及びＡｒ^２は、独立して、Ｃ_{１０〜３０}の縮合した若しくは単結合の多環式アリール基であり；Ｒ^ｌは、ＸがＩである場合には孤立電子対であるか、又はＸがＳである場合にはＣ_６〜２０アリール基であり；ｐは、２又は３の整数であり、ここで、ＸがＩである場合、ｐは２であり、ＸがＳである場合、ｐは３であり、ｑ及びｒは、それぞれ独立して、０〜５の整数であり、ｓ及びｔは、それぞれ独立して、０〜４の整数である）
のものであってもよい。

式（６）、（７）、及び（８）において、Ｒ^ｈ、Ｒ^ｉ、Ｒ^ｊ、及びＲ^ｋの少なくとも１つは、酸開裂性基であってもよい。ある態様において、酸開裂性基は、（ｉ）第三級Ｃ_１〜３０アルコキシ（例えば、ｔｅｒｔ−ブトキシ基）、第三級Ｃ_３〜３０シクロアルコキシ基、第三級Ｃ_１〜３０フルオロアルコキシ基、（ｉｉ）第三級Ｃ_３〜３０アルコキシカルボニルアルキル基、第三級Ｃ_５〜３０シクロアルコキシカルボニルアルキル基、第三級Ｃ_３〜３０フルオロアルコキシカルボニルアルキル基、（ｉｉｉ）第三級Ｃ_３〜３０アルコキシカルボニルアルコキシ基、第三級Ｃ_５〜３０シクロアルコキシカルボニルアルコキシ基、第三級Ｃ_３〜３０フルオロアルコキシカルボニルアルコキシ基、又は（ｉｖ）部分−Ｏ−Ｃ（Ｒ^１１Ｒ^１２）−Ｏ−（式中、Ｒ^１１Ｒ^１２は、それぞれ独立して、水素又はＣ_１〜３０アルキル基である）を含むＣ_２〜３０アセタール基であってもよい。

コーティング組成物は、任意の好適な溶媒又は溶媒の混合物を更に含み得る。好適な溶媒としては、例えば、１種以上のオキシイソ酪酸エステル、特に２−ヒドロキシイソ酪酸メチル、２−ヒドロキシイソ酪酸、乳酸エチル又は２−メトキシエチルエーテル（ダイグライム）、エチレングリコールモノメチルエーテル、及びプロピレングリコールモノメチルエーテルなどのグリコールエーテルの１種以上；メトキシブタノール、エトキシブタノール、メトキシプロパノール、及びエトキシプロパノールなどのエーテル及びヒドロキシ部分の両方を有する溶媒；メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエステル並びに二塩基酸エステル、プロピレンカーボネート及びガンマ−ブチロラクトンなどの他の溶媒が挙げられる。

溶媒中の乾燥成分の濃度は、塗布の方法などの幾つかの因子に依存するであろう。一般に、コーティング組成物の全固形分は、コーティング組成物の総重量の０．１〜２０重量％であってもよいし、好ましくは、コーティング組成物の全固形分は、コーティング組成物の総重量の０．１〜５重量％であってもよい。

コーティング組成物中の架橋性ポリマーの量は、コーティング組成物の全固形分を基準として、５５〜９８．９重量％、例えば、６０〜９０重量％であってもよい。

コーティング組成物中の架橋剤の量は、コーティング組成物の全固形分を基準として、１〜４０重量％、例えば、３〜２０重量％であってもよい。

コーティング組成物中の酸触媒の量は、コーティング組成物の全固形分を基準として、０．１〜５重量％、好ましくは０．１〜３重量％、例えば、０．４〜３重量％又は０．２〜２重量％であってもよい。

例えば、コーティング組成物は、それぞれコーティング組成物の全固形分を基準として、５５〜９８．９重量％の架橋性ポリマーと、１〜４０重量％の架橋剤と、０．１〜５重量％の酸触媒とを含み得る。

好ましい実施形態において、コーティング組成物は、それぞれコーティング組成物の全固形分を基準として、５５〜９５重量％のヨウ素含有ポリエステルポリマーと；ヨウ素含有ポリ（メタ）アクリレートポリマーを基準として、１０〜９０モル％、好ましくは２０〜６０モル％の式（３）に由来する繰り返し単位、及び１０〜９０モル％、好ましくは４０〜８０モル％の架橋性単位を含む４〜２５重量％のヨウ素含有ポリ（メタ）アクリレートポリマーと；０．１〜２０重量％、好ましくは０．３〜１５重量％の酸触媒とを含む。

任意選択的に、コーティング組成物は、例えば、界面活性剤及び酸化防止剤などの１種以上の添加剤を含み得る。そのような任意選択の添加剤は、使用される場合、それぞれ典型的には、コーティング組成物の全固形分を基準として、０．０１〜１０重量％などの少量でコーティング組成物中に存在する。

典型的な界面活性剤としては、それらが同時に親水性及び疎水性の両方であってもよいことを意味する、両親媒性性質を示すものが挙げられる。両親媒性界面活性剤は、水に対して強い親和性を有する、親水性の頭部基と、親有機性で水をはじく、長い疎水性の尾部とを有する。好適な界面活性剤は、イオン性（すなわち、アニオン性、カチオン性）又は非イオン性であってもよい。界面活性剤の更なる例としては、シリコーン界面活性剤、ポリ（アルキレンオキシド）界面活性剤、及びフルオロケミカル界面活性剤が挙げられる。好適な非イオン界面活性剤としては、ＴＲＩＴＯＮ Ｘ−１１４、Ｘ−１００、Ｘ−４５、Ｘ−１５などのオクチル及びノニルフェノールエトキシレート並びにＴＥＲＧＩＴＯＬ ＴＭＮ−６（Ｔｈｅ Ｄｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｐａｎｙ，Ｍｉｄｌａｎｄ，Ｍｉｃｈ．ＵＳＡ）などの分岐状第二級アルコールエトキシレートが挙げられるが、それらに限定されない。もっと更なる例示的な界面活性剤としては、アルコール（第一級及び第二級）エトキシレート、アミンエトキシレート、グルコシド、グルカミン、ポリエチレングリコール、ポリ（エチレングリコール−ｃｏ−プロピレングリコール）、又はＧｌｅｎ Ｒｏｃｋ，Ｎ．Ｊ．のＭａｎｕｆａｃｔｕｒｅｒｓ Ｃｏｎｆｅｃｔｉｏｎｅｒｓ Ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ Ｃｏ．によって出版された（非特許文献３）に開示されている他の界面活性剤が挙げられる。アセチレンジオール誘導体である非イオン界面活性剤もまた好適であり得る。そのような界面活性剤は、Ａｌｌｅｎｔｏｗｎ，Ｐａ．のＡｉｒ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ ａｎｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ，Ｉｎｃ．から商業的に入手可能であり、ＳＵＲＦＹＮＯＬ^ＴＭ及びＤＹＮＯＬ^ＴＭの商品名で販売されている。追加の好適な界面活性剤としては、トリブロックＥＯ−ＰＯ−ＥＯコポリマー ＰＬＵＲＯＮＩＣ^ＴＭ ２５Ｒ２、Ｌ１２１、Ｌ１２３、Ｌ３１、Ｌ８１、Ｌ１０１及びＰ１２３（ＢＡＳＦ，Ｉｎｃ．）などの他の高分子化合物が挙げられる。

酸化防止剤を、コーティング組成物中の有機材料の酸化を防ぐ又は最小限にするために添加することができる。好適な酸化防止剤としては、例えば、フェノール系酸化防止剤、有機酸誘導体からなる酸化防止剤、硫黄含有酸化防止剤、リン系酸化防止剤、アミン系酸化防止剤、アミン−アルデヒド縮合物からなる酸化防止剤及びアミン−ケトン縮合物からなる酸化防止剤が挙げられる。フェノール系酸化防止剤の例としては、１−オキシ−３−メチル−４−イソプロピルベンゼン、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−エチルフェノール、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノール、４−ヒドロキシメチル−２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、ブチルヒドロキシアニソール、２−（１−メチルシクロヘキシル）−４，６−ジメチルフェノール、２，４−ジメチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、２−メチル−４，６−ジノニルフェノール、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−α−ジメチルアミノ−ｐ−クレゾール、６−（４−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルアニリノ）２，４−ビスオクチル−チオ−１，３，５−トリアジン、ｎ−オクタデシル−３−（４’−ヒドロキシ−３’、５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）プロピオネート、オクチル化フェノール、アラルキル置換フェノール、アルキル化ｐ−クレゾール、及びヒンダードフェノールなどの置換フェノール；４，４’−ジヒドロキシジフェニル、メチレンビス（ジメチル−４，６−フェノール）、２，２’−メチレン−ビス−（４−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、２，２’−メチレン−ビス−（４−メチル−６−シクロヘキシルフェノール）、２，２’−メチレン−ビス−（４−エチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、４，４’−メチレン−ビス−（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、２，２’−メチレン−ビス−（６−α−メチル−ベンジル−ｐ−クレゾール）、メチレン架橋多価アルキルフェノール、４，４’−ブチリデンビス−（３−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、１，１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−シクロヘキサン、２，２’−ジヒドロキシ−３，３’−ジ−（α−メチルシクロヘキシル）−５，５’−ジメチルジフェニルメタン、アルキル化ビスフェノール、ヒンダードビスフェノール、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、トリス−（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ブタン、及びテトラキス−［メチレン−３−（３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］メタンなどのビス−、トリス−、及びポリ−フェノールが挙げられる。好適な酸化防止剤は、商業的に入手可能であり、例えばＩｒｇａｎｏｘ^ＴＭ酸化防止剤（Ｃｉｂａ Ｓｐｅｃｉａｌｔｙ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ Ｃｏｒｐ．）である。

コーティング組成物は、基材上に配置される前に精製工程を受けてもよい。精製には、例えば、遠心分離、濾過、蒸留、デカンテーション、蒸発、イオン交換ビーズでの処理等が含まれ得る。

コーティング組成物は、スピンコーティング、ディッピング、ローラーコーティング又は他の従来のコーティング技術などの任意の好適な方法によって基材に層として塗布され得る。好ましくは、コーティング組成物は、スピンコーティングによって塗布される。スピンコーティングについて、コーティング組成物の固形分は、利用される具体的なコーティング装置、溶液の粘度、コーティングツールの速度及び回転に許容される時間量に基づいて所望の膜厚をもたらすように調整され得る。コーティング組成物は、一般に、０．０２〜０．５マイクロメートル（μｍ）の乾燥層厚さ、好ましくは０．０４〜０．２０μｍの乾燥層厚さで基材上に塗布される。

基材は、任意の寸法及び形状であってもよく、好ましくは、シリコン、二酸化ケイ素、シリコン−オン−インシュレーター（ＳＯＩ）、歪みシリコン、ガリウムヒ素、及びコートされた基材などの、フォトリソグラフィに有用なものである。基材は、１つ以上の層を含み得る。基材に含有される層は、アルミニウム、モリブデン、マンガン、鉄、ニッケル、銅、亜鉛、パラジウム、銀、カドミウム、タンタル、チタン、タングステン、白金、水銀、若しくはそれらの合金の１つ以上の導電性層；窒化物又はケイ化物；ドープ非晶質シリコン若しくはドープポリシリコン；酸化ケイ素、窒化ケイ素、オキシ窒化ケイ素、若しくは金属酸化物の層などの誘電体層；単結晶シリコンなどの半導体層；ガラス層；石英層；又はそれらの組み合わせ若しくは混合物であってもよいが、それらに限定されない。好ましくは、基材の最上層、又は基材の最外層は、マンガン、鉄、ニッケル、銅、亜鉛、パラジウム、銀、カドミウム、タンタル、タングステン、白金、水銀、又はそれらの合金などの軟質金属を含む（例えば、軟質金属でコートされている）。各層は、様々な技術、例えば、プラズマ強化ＣＶＤ、低圧ＣＶＤ若しくはエピタキシャル成長などの化学蒸着（ＣＶＤ）、スパッタリング若しくは蒸発などの物理蒸着（ＰＶＤ）、電気めっき、又はスピンコーティングなどの液体コーティング技術によって形成され得る。

ある態様において、基材の最上層は、充填されるべき間隙を画定するレジストレリーフ像を含む。充填されるべき間隙は、底基材材料それ自体中に又は底基材材料一面に形成された層中に存在し得るし、様々な形態を取り得る。間隙は、例えば、溝又は穴の形態を取り得るし、好ましくは、幅が狭く、高いアスペクト比を有し得る。したがって、いくつかの態様において、コーティング組成物は、間隙充填コーティング組成物である。

レジストレリーフ像は、典型的には、リソグラフィプロセス、例えば、フォトリソグラフィプロセス又は指向性アセンブリ（ＤＳＡ）などのアセンブリプロセスによって形成される。異方性ドライエッチなどのエッチングプロセスが、典型的には、レジストレリーフ像及び間隙が形成される下層へのパターン転写のために用いられる。間隙は、例えば、穴、溝若しくはライン間の空間又は他の表面特徴の形態を取り得る。例えば、間隙は、レジストレリーフ像が形成される材料層中に完全に広がり、下層基材を露出させ得る。間隙が材料層中に部分的にのみ広がることが好ましい場合がある。フォトリソグラフィプロセスの場合には、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、若しくはＥＵＶ波長（例えば、１３．４若しくは１３．５ｎｍ）などの、３００ｎｍ未満の露光放射線、又は電子ビーム露光を使用することが好ましい。間隙は、例えば、高さｈ及び幅ｗを有する溝又は穴の形態を取り得るし、比較的狭い幅及び大きい高さのものであり得る。本開示に従ったプロセス及びコーティング組成物は、比較的高いアスペクト比を有する間隙の充填での使用に好適である。本明細書で用いるところでは、アスペクト比（ＡＲ）は、ＡＲ＝ｈ／ｗ（ここで、ｈは、間隙高さであり、ｗは、間隙幅である）として定義される。典型的には、間隙幅は、１ｎｍ〜２００ｎｍ、例えば、１ｎｍ〜１００ｎｍ、１ｎｍ〜５０ｎｍ、１ｎｍ〜２５ｎｍ又は１ｎｍ〜１０ｎｍであり、好ましくは５０ｎｍ未満、例えば、２０ｎｍ未満、１５ｎｍ未満、１０ｎｍ未満、又は５ｎｍ未満である。アスペクト比は、典型的には、１〜２０、例えば、２〜２０又は５〜２０である。

基材上に塗布された後、コーティング組成物は、任意選択的に、あらゆる溶媒及び他の比較的揮発性の成分をコーティング組成物層から除去するために比較的低い温度でソフトベークされる。典型的には、基材は、１５０℃以下、好ましくは６０〜１２５℃、より好ましくは９０〜１１５℃の温度でベークされる。ベーキング時間は、典型的には、１０秒〜１０分、好ましくは３０秒〜５分、より好ましくは６〜９０秒である。基材がウェハーである場合、そのようなベーキング工程は、ウェハーをホットプレート上で加熱することによって行われ得る。

塗布されたコーティング組成物は、任意選択的に、別のコーティング組成物又は層でオーバーコートする前に熱処理され得る。そのような熱処理は、コーティング組成物の架橋を含む硬化を引き起こし得る。そのような架橋は、硬化及び／又は１種以上のコーティング組成物成分間の共有結合形成反応を含み得るし、コーティング組成物層の水接触角を調節し得る。例えば、塗布されたコーティング組成物層は、基材上に配置された後に硬化させられ得る。硬化条件は、コーティング組成物の成分によって変わるであろう。硬化条件は、コーティング組成物層を、次の層を塗布するために使用される溶媒並びにアルカリ性の水性現像液に実質的に溶けない状態にし得る。

例えば、コーティング組成物層は、その層が下層上に直接配置されるフォトレジスト又は他の有機層などの、その後塗布される層と混ざらないように十分に硬化させられ得る。コーティング組成物層は、空気などの、酸素含有雰囲気中で、又は窒素などの、不活性雰囲気中で、及び硬化したコーティング層をもたらすのに十分な、加熱などの、条件下で硬化させられ得る。例示的な硬化は、コーティング組成物層を１５０℃以上、好ましくは１５０〜４５０℃の硬化温度で加熱することによる。硬化温度は、１８０℃以上、更により好ましくは２００℃以上、更に一層好ましくは２００〜４００℃であることがより好ましい。熱酸発生剤が使用される場合、硬化温度は、熱酸発生剤が酸を遊離してコーティング組成物の硬化に役立つのに十分なものであるべきである。硬化時間は、１０秒〜１０分、好ましくは３０秒〜５分、より好ましくは４５秒〜５分、更により好ましくは４５〜９０秒であってもよい。硬化温度は、硬化したコーティング組成物層を達成するための所望の硬化速度に基づいて選択され得る。

溶媒の急速な放出及び副生成物の硬化が膜品質を損なうことがないように硬化工程が行われる場合、初期ベーキング工程は必要でない場合がある。例えば、比較的低い温度で始まり、その後２００〜３２５℃の範囲に徐々に上昇する傾斜ベークが、許容できる結果を与え得る。第１段階が２００℃未満のより低いベーク温度であり、第２段階が好ましくは２００〜４００℃のより高いベーク温度である、２段階硬化プロセスを有することが、いくつかの場合には好ましくあり得る。２段階硬化プロセスは、既存の基材表面トポグラフィの一様な充填及び平坦化、例えば溝及びビアの充填を容易にする。

コーティング組成物層の硬化後に、フォトレジスト層、シリコン含有層、ハードマスク層、ＢＡＲＣ層等などの、１つ以上の処理層が、硬化した下層上に配置され得る。本明細書で用いるところでは、「有機層」は、有機ＢＡＲＣ層を意味する。例えば、フォトレジストは、硬化した下層の表面上に直接、例えばスピンコーティングによって、配置され得る。或いはまた、硬化したコーティング層は、多層レジストプロセスの底層として使用され得るし、ここで、１つ以上の追加の層が、硬化したコーティング層とフォトレジスト層との間に配置され得る。そのようなプロセスにおいて、下層コーティング組成物の層は、基材上に配置され、上記のように硬化させられてコーティング層（すなわち、硬化した下層）を形成する。次に、１つ以上の追加の層が、コーティング層上に配置される。例えば、シリコン含有層又はハードマスク層が、コーティング層上に直接配置される。例示的なシリコン含有層としては、下層上にスピンコートされ、これに硬化が続き得る、シリコン−ＢＡＲＣ、又は化学蒸着（ＣＶＤ）によってコーティング組成物層上に蒸着され得る、ＳｉＯＮ若しくはＳｉＯ_２などの無機シリコン層が挙げられる。任意の好適なハードマスクが使用され得、任意の好適な技術によってコーティング層上に堆積させられ、必要に応じて硬化させられ得る。任意選択的に、有機ＢＡＲＣ層が、シリコン含有層又はハードマスク層上に直接配置され、適切に硬化させられ得る。

フォトレジストは、硬化した下層上に直接、シリコン含有層上に直接（３層プロセスにおいて）、又は有機ＢＡＲＣ層上に直接（４層プロセスにおいて）配置される。フォトレジスト層は、次いで、パターン化された化学線を用いて画像形成され（露光され）、露光されたフォトレジスト層は、次いで、適切な現像液を使用して現像されてパターン化されたフォトレジスト層をもたらす。パターンは、次に、例えばプラズマエッチングによってなどの、当技術分野において公知の適切なエッチング技術によって、フォトレジスト層からその直下の層に転写され、３層プロセスにおいてはパターン化されたシリコン含有層をもたらし、４層プロセスにおいてはパターン化された有機ＢＡＲＣ層をもたらす。４層プロセスが用いられる場合、パターンは、次に、プラズマエッチングなどの、適切なパターン転写法を用いて有機ＢＡＲＣ層からシリコン含有層又はハードマスク層に転写される。シリコン含有層又はハードマスク層がパターン化された後、コーティング層は、次いで、Ｏ_２プラズマなどの、適切なエッチング技術を用いてパターン化される。あらゆる残存するパターン化されたフォトレジスト及び有機ＢＡＲＣ層は、コーティング層のエッチング中に除去される。次に、パターンは、あらゆる残存するシリコン含有層又はハードマスク層をまた除去する、例えば適切なエッチング技術によって、次いで基材に転写され、これに、あらゆる残存するパターン化されたコーティング層の除去が続いてパターン化された基材をもたらす。

フォトレジストコーティング組成物は、対応する下層上のフォトレジスト層として形成される。例えば、フォトレジストコーティング組成物は、コーティング組成物層に直接塗布され得るか、又はコーティング組成物層とフォトレジスト層との間に挟まれた１つ以上の中間層があってもよい。フォトレジストコーティング組成物は、マトリックスポリマー、光酸発生剤、及び溶媒を含み得る。

マトリックスポリマーは、酸開裂可能な保護基を有する少なくとも１つの単位を含み得る。酸開裂可能な保護基は、例えば、マトリックスポリマーのエステルのカルボキシ酸素に共有結合した第三級非環状アルキル炭素（例えば、ｔ−ブチル）又は第三級脂環式炭素（例えば、メチルアダマンチル）を含有するアセタール又はエステル基であってもよい。マトリックスポリマーに含まれ得る好適な単位は、例えば、（アルキル）アクリレート由来の単位、例えば、酸開裂可能な（アルキル）アクリレート由来の単位であってもよい。それらの特定の例としては、ｔ−ブチルアクリレート、ｔ−ブチルメタクリレート、メチルアダマンチルアクリレート、メチルアダマンチルメタクリレート、エチルフェンキルアクリレート、エチルフェンキルメタクリレート等に由来する単位が挙げられる。マトリックスポリマーに含まれ得る好適な単位の別の例は、任意選択的に置換されたノルボルネンなどの非芳香族環状オレフィン（環内二重結合）に由来する単位であってもよい。マトリックスポリマーに含まれ得る好適な単位の更に別の例は、酸無水物、例えば、無水マレイン酸、無水イタコン酸等に由来する単位であってもよい。また、マトリックスポリマーは、酸素及び硫黄などのヘテロ原子を含有する単位も含有してもよく、例えば、ヘテロ環単位が、マトリックスポリマーの主鎖に縮合していてもよい。マトリックスポリマーは、２種以上のブレンドとして使用されてもよい。マトリックスポリマーは、商業的に入手可能であっても当業者によって調製されてもよい。フォトレジストコーティング組成物のマトリックスポリマーは、フォトレジストの露光されたコーティング層を好適な溶液で現像可能にするのに十分な量で、例えば、フォトレジストコーティング組成物の全固形分を基準として、５０〜９５重量％の量で使用される。マトリックスポリマーの重量平均分子量（Ｍ_ｗ）は、１００，０００ｇ／モル未満、例えば５，０００〜１００，０００ｇ／モル、例えば、５，０００〜１５，０００ｇ／モルであってもよい。

フォトレジストコーティング組成物は、活性化放射線に曝されるとコーティング組成物のコーティング層に潜像を生成するのに十分な量で用いられる光活性材料を更に含み得るし、光酸発生剤を含み得る。光酸発生剤の例としては、上に記載されたようなものが挙げられる。

フォトレジストコーティング組成物は、溶媒、例えば、２−メトキシエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル及びプロピレングリコールモノメチルエーテルなどのグリコールエーテル；プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート；乳酸エチル及び乳酸メチルなどの乳酸エステル；プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのプロピオン酸エステル及び２−ヒドロキシイソ酪酸メチル；メチルセロソルブアセテート；トルエン及びキシレンなどの芳香族炭化水素；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン及び２−ヘプタノンなどのケトンを含み得る。そのような溶媒は、単独で又は２つ以上の溶媒の組み合わせで使用され得る。

フォトレジストコーティング組成物は、スピンコーティング、ディッピング、ローラーコーティング又は他の従来のコーティング技術によって下層上に塗布され得る。例えば、スピンコーティングが用いられ得る。スピンコーティングについて、コーティング溶液の固形分は、利用される具体的なコーティング装置、溶液の粘度、コーティングツールの速度及び回転に許容される時間量に基づいて所望の厚をもたらすように調整され得る。フォトレジストコーティング組成物層の厚さは、例えば、５０〜３００ｎｍであってもよい。

フォトレジストコーティング組成物層は、層中の溶媒含有量を最小限するためにソフトベークされてもよく、それによって不粘着性コーティングを形成し、基材への層の接着性を改善する。ソフトベークは、ホットプレート上で又はオーブン中で行われ得る。ソフトベーク温度及び時間は、フォトレジストの特定の材料及び厚さに依存するであろう。例えば、典型的なソフトベークは、３０秒〜９０秒間９０℃〜１５０℃の温度で行われる。

更に、オーバーコーティング層が、フォトレジストコーティング組成物層上に形成され得る。オーバーコーティング層は、一様なレジストパターン、レジストの露光プロセス中の反射の低減、焦点深度及び露光寛容度の改善、並びに欠陥の低減のために形成され得る。オーバーコーティング層は、オーバーコーティング組成物を使用してスピンコーティング技術によって形成され得る。コーティング溶液の固形分は、利用される具体的なコーティング装置、溶液の粘度、コーティングツールの速度及び回転に許容される時間量に基づいて所望の膜厚をもたらすように調整され得る。オーバーコーティング層の厚さは、例えば、２００〜１，０００オングストローム（Å）であり得る。オーバーコーティング層は、層中の溶媒含有量を最小限にするためにソフトベークされてもよい。ソフトベークは、ホットプレート上で又はオーブン中で行われ得る。典型的なソフトベークは、３０秒〜９０秒間８０℃〜１２０℃の温度で行われる。

フォトレジストコーティング組成物層は、次いで、露光領域と非露光領域との間で溶解度の差を生じさせるためにフォトマスクを介して活性化放射線に露光される。フォトマスクは、光学的に透明な領域及び光学的に不透明な領域を有する。露光波長は、例えば、４００ｎｍ以下、３００ｎｍ以下、又は２００ｎｍ以下、例えば、２４８ｎｍ（例えば、ＫｒＦエキシマレーザー光）、１９３ｎｍ（例えば、ＡｒＦエキシマレーザー光）、又はＥＵＶ（１３．５ｎｍ）であり得る。露光エネルギーは、露光装置及び感光性コーティング組成物の成分に応じて、典型的には、１平方センチメートル当たり１０〜８０ミリジュール（ｍＪ／ｃｍ^２）である。

フォトレジストコーティング組成物層の露光工程後に、露光後ベーク（ＰＥＢ）が行われる。ＰＥＢは、ホットプレート上で又はオーブン中で行われ得る。ＰＥＢ条件は、フォトレジストコーティング組成物層の成分及び厚さで変わり得る。例えば、典型的なＰＥＢは、３０秒〜９０秒間８０℃〜１５０℃の温度で行われる。このようにして、露光領域と非露光領域との間の溶解度の差のために、潜像がフォトレジストコーティング組成物層中に生成する。

オーバーコーティング層及び露光されたフォトレジストコーティング組成物層は、次いで、非露光領域を除去し、こうしてジストパターンを形成するために現像される。現像液は、典型的には、有機現像液、例えば、ケトン、エステル、エーテル、アミド、炭化水素、及びそれらの混合物から選択される溶媒である。好適なケトンの例としては、アセトン、２−ヘキサノン、５−メチル−２−ヘキサノン、２−ヘプタノン、４−ヘプタノン、１−オクタノン、２−オクタノン、１−ノナノン、２−ノナノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン、メチルエチルケトン及びメチルイソブチルケトンが挙げられる。好適なエステルの例としては、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、３−エトキシプロピオン酸エチル、３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸ブチル、ギ酸プロピル、乳酸エチル、乳酸ブチル及び乳酸プロピルが挙げられる。好適なエーテルの例としては、ジオキサン、テトラヒドロフラン及びグリコールエーテル（例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル及びメトキシメチルブタノール）が挙げられる。好適なアミドの例としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド及びＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドが挙げられる。好適な炭化水素の例としては、芳香族炭化水素溶媒（例えば、トルエン及びキシレン）が挙げられる。

現像液は、フォトレジストコーティング組成物に使用され得る溶媒、例えば、２−ヘプタノン、酢酸ブチル（例えば、酢酸ｎ−ブチル）を含有し得る。現像液は、これらの溶媒の混合物、又は上記のもの以外の溶媒と混合された若しくは水と混合されたリストアップされた溶媒の１つ以上を含有し得る。例えば、現像液は、第１有機溶媒と第２有機溶媒との混合物を含有し得る。第１有機溶媒の特定の例は、Ｃ_４〜Ｃ_９ケトン、例えば２−ヘプタノン又は５−メチル−２−ヘキサノン；２−ヒドロキシイソ酪酸メチル、乳酸エチルなどのヒドロキシアルキルエステル；及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどの線状若しくは分岐状Ｃ_５〜Ｃ_６アルコキシアルキルアセテートである。第２有機溶媒の例は、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｎ−ペンチル、プロピオン酸ｎ−ブチル、酢酸ｎ−ヘキシル、酪酸ｎ−ブチル及び酪酸イソブチルなどの線状若しくは分岐状Ｃ_６〜Ｃ_８アルキルエステル；並びに４−オクタノン、２，５−ジメチル−４−ヘキサノン、２，６−ジメチル−４−ヘプタノンなどの線状若しくは分岐状Ｃ_８〜Ｃ_９ケトン；例えば、酢酸ｎ−ブチル、プロピオン酸ｎ−ブチル又は２，６−ジメチル−４−ヘプタノンである。第１及び第２有機溶媒の組み合わせの例としては、２−ヘプタノン／プロピオン酸ｎ−ブチル、シクロヘキサノン／プロピオン酸ｎ−ブチル、ＰＧＭＥＡ／プロピオン酸ｎ−ブチル、５−メチル−２−ヘキサノン／プロピオン酸ｎ−ブチル、２−ヘプタノン／２，６−ジメチル−４−ヘプタノン、２−ヘプタノン／酢酸ｎ−ブチルが挙げられる。これらの組み合わせのうちで、２−ヘプタノン／酢酸ｎ−ブチル又は２−ヘプタノン／プロピオン酸ｎ−ブチルが好ましい場合がある。溶媒は、９０〜１００重量％、例えば９５重量％超、９８重量％超、９９重量％超又は１００重量％の量で現像液中に存在し得る。

現像液はまた、任意選択の添加剤、例えば、界面活性剤等を含み得る。そのような任意選択の添加剤は、典型的には、例えば、０．０１〜５重量％の少ない濃度で存在するであろう。

現像液は、公知の技術、例えば、スピンコーティング又はパドルコーティングによって、フォトレジストコーティング組成物層上へ塗布され得る。現像時間は、フォトレジストの未露光領域を除去するのに有効な時間である。例えば、現像は、室温で５〜３０秒間行われる。現像されたフォトレジストコーティング組成物層は、数分間１００℃〜１５０℃の温度で追加のベーキングを行うことによって更に硬化させられ得る。

現像された基材は、フォトレジストが除去されている基材領域を有し得るし、この基材領域は、選択的なやり方で処理され得る。例えば、フォトレジストが除去されている基材領域は、関連技術分野において周知の方法を用いて、化学的にエッチされ得るか又はめっきされ得る。フッ化水素酸エッチング溶液、及び酸素プラズマエッチング剤などのプラズマガスエッチング剤が、エッチング剤として使用され得る。例えば、コーティング組成物層は除去され得るし、基材は、プラズマガスエッチング剤を使用してエッチングされ得る。

ウェットエッチプロセスが好適に用いられ得る。ウェットエッチングは、エッチされるべき表面（例えば金属窒化物、又は１つ以上の有機層及び／若しくは無機層でコートされた金属窒化物）を、表面（例えば金属窒化物表面及び／又はその上のコーティング層）をエッチするのに有効な時間及び温度でウェットエッチコーティング組成物に曝すことによって好適に実施され得る。例示的なウェットエッチングコーティング組成物は、水酸化アンモニウムと過酸化水素などの過酸化物との水性混合物、又は硫酸などの酸と過酸化水素などの過酸化物との混合物を含む。例示的なコーティング組成物については（特許文献４）を参照されたい。以下に続く実施例は、また、例示的なウェットエッチプロセス条件を提供する。本明細書で言及されるところでは、「ウェットエッチプロセス」は、隣接フォトレジスト（フォトレジスト画像の現像後の）によって画定される基材エリアを、過酸化物試剤と組み合わせて、しかしいずれにしてもプラズマドライエッチとは区別される、典型的には酸性かアルカリ性かのどちらかの流体コーティング組成物で処理することを意味する。

或いはまた、ドライエッチプロセスが用いられ得る。好適なドライエッチング化学としては、例えば、Ｏ_２、ＣＨＦ_３、ＣＦ_４、Ａｒ、ＳＦ_６、及びそれらの組み合わせでのプラズマ処理が挙げられる。これらのうちで、酸素及びフッ素化プラズマエッチングが典型的である。任意選択的に、エッチングは、より細かいパターンを作るためにガイドパターンの幅を更に減らすためのトリムエッチを含むことができる。ガイドパターンは、典型的には、例えば、１〜３０ｎｍの幅及び５〜５００ｎｍの中心間ピッチを有する。これは、例えば、固定マット層にとって典型的である。塗布が中性マット層についてである場合、ガイドパターンは、典型的には、例えば、５〜３００ｎｍの幅及び１２〜５００ｎｍの中心間ピッチを有する。

コーティング組成物が間隙充填コーティング組成物として使用される場合、メモリ（例えば、ＤＲＡＭ）又は論理デバイスを含み得る、最終デバイスを形成するために基材の更なる処理が行われる。更なる処理としては、例えば、基材一面への層の形成、研磨、化学機械平坦化（ＣＭＰ）、イオン注入、アニーリング、ＣＶＤ、ＰＶＤ、エピタキシャル成長、電気めっき、並びにＤＳＡ及びフォトリソグラフィなどのリソグラフィ技術の１つ以上が挙げられ得る。好ましくは、架橋した間隙充填コーティング組成物一面への直接の、例えば、スピンコーティングによる、溶媒を含有する液体層のコーティングは、下層の架橋した材料との混合なしに行われ得る。

上記の方法及び構造物は、ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）、同期型ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＳＤＲＡＭ）又は例えばハード・ドライブにおけるなどのデータ保存のための密集形体（ｄｅｎｓｅ ｆｅａｔｕｒｅｓ）などの濃密ライン／空間パターンを必要とするメモリデバイスを含む半導体デバイスなどの、電子デバイスの製造に使用され得る。そのようなデバイスは、例示的であることを意味し、それらに限定されると解釈されるべきではないことは十分理解されるであろう。

以下の非限定的な実施例は、本発明を例示するものである。

ポリマーの合成
ポリマー１（架橋性基を持ったヨウ素含有ポリエステル）
丸底フラスコ（ＲＢＦ）に、トリス（ヒドロキシエチル）イソシアヌレート（ＴＨＥＩＣ、１２．９７ｇ）、トリス（カルボキシエチル）イソシアヌレート（ＴＣＥＩＣ、１７．１５ｇ）、４−ヨード安息香酸（ＩＢＡ、１２．３２ｇ）、１，２−プロパンジオール（ＰＤ、７．５６ｇ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ、１０．０ｇ）、アニソール（５０．０ｇ）、ｐ−トルエンスルホン酸（ｐＴＳＡ０．４７ｇ）を装入した。フラスコを、ディーン−スタークトラップを備えた冷却器と、重合の全体にわたって溶液温度を測定し、制御するための温度計とに連結した。フラスコを、磁気攪拌機を備えたシリコンオイル浴に入れた。反応器温度を１５０℃にセットし、３時間維持した。そのような時間後に、反応器を攪拌しながら室温まで放冷した。ポリマー溶液を１０倍過剰のイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）に注いで沈澱させ、ポリマーを濾過及び４０℃にて２４時間の真空乾燥によって回収した。乾燥粉末をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ、２５％）で再溶解させ、次いで１０倍過剰のＩＰＡに注いで沈澱させた。結果として生じた白色ポリマー生成物を濾過によって集め、真空オーブン中で４０℃にて２４時間乾燥させた。

ポリマー２（架橋性基を持ったヨウ素含有ポリエステル）
２−（４−ヨードフェニル）酢酸（ＩＰＡＡ）をＩＢＡの代わりに使用したことを除いて、ポリマー１を調製するために用いた同じ手順によってポリマー２を調製した。

ポリマー３（架橋性基を持ったヨウ素含有ポリエステル）
ジヨードサリチル酸（ＤＩＳ）をＩＢＡの代わりに使用したことを除いて、ポリマー１を調製するために用いた同じ手順によってポリマー３を調製した。

ポリマー４（架橋性基を持ったヨウ素含有ポリエステル）
トリヨード安息香酸（ＴＩＢ）をＩＢＡの代わりに使用したことを除いて、ポリマー１を調製するために用いた同じ手順によってポリマー４を調製した。

ポリマー５（架橋性基を持ったポリエステル）
熱電対及びディーン−スターク冷却器を備えたＲＢＦに、ＴＨＥＩＣ（３０．４ｇ）、ＴＣＥＩＣ（２０．１ｇ）、ｎ−ブタノール（２０．０ｇ）、ｐ−トルエンスルホン酸（０．５ｇ）、及び３４ｇのアニソールを装入した。ＲＢＦを、３時間撹拌しながら１５０℃にてオイル浴中で加熱し、室温まで放冷し、次いでＨＢＭ（１６０ｇ）で希釈した。結果として生じた溶液（４０ｇ）を、ｐ−トルエンスルホン酸（０．０７ｇ）及び１，３，４，６−テトラキス（メトキシメチル）テトラヒドロイミダゾ［４，５−ｄ］イミダゾール−２，５（１Ｈ，３Ｈ）−ジオン（３．６ｇ）と組み合わせ、４時間撹拌しながら５０℃にて加熱した。溶液をトリエチルアミン（０．４ｍＬ）でクエンチし、室温まで放冷した。生成物をＩＰＡ及びヘプタンで沈澱させ、濾過によって集め、真空オーブン中で４０℃にて２４時間乾燥させた。

ポリマー６（架橋性基を持ったヨウ素含有アクリルポリマー）
熱電対及び冷却器を備えた第１ＲＢＦに、ジメチルアセトアミド（３０．５６ｇ）、グリシジルメタクリレート（３．００ｇ）、４−ヨードフェノール（４．６４ｇ）、及び臭化テトラブチルアンモニウム（０．０８ｇ）を装入した。混合物を撹拌しながら１８時間オイル浴中で８０℃にて加熱し、その後室温まで放冷した。生成物、２−ヒドロキシ−３−（４−ヨードフェノキシ）プロピルメタクリレート（ＨＩＰＰＭ）を、酢酸エチルと水との組み合わせを使用して抽出し、溶媒を蒸発によって除去し、生成物を真空オーブン中で４０℃にて２４時間乾燥させた。

熱電対及び冷却器を備えた第２ＲＢＦに、６０ｇのＰＧＭＥＡを装入し、オイル浴中で８０℃にて加熱した。グリシジルメタクリレート（ＧＭＡ、２５．１３ｇ）、ＨＩＰＰＭ（９．８７ｇ）、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオン酸）ジメチル（Ｖ６０１、３．１９６ｇ）、及び４５ｇのＰＧＭＥＡを、次いで、４時間の継続時間にわたってＲＢＦに導入した。結果として生じた混合物を追加の１時間撹拌し、次いで室温まで放冷した。生成物を２−メトキシ−２−メチルプロパン（ＭＴＢＥ、２，０００ｇ）で沈澱させ、濾過によって集め、真空オーブン中で４０℃にて２４時間乾燥させた。

ポリマー７（架橋性基を持ったヨウ素含有アクリルポリマー）
２−ヒドロキシ−３−（２，３，５−トリヨードフェノキシ）プロピルメタクリレート（ＨＴＩＢＭ、ＣＡＳ登録番号１７３９７９−８１−２）をＨＩＰＰＭの代わりに使用したことを除いて、ポリマー６を調製するために用いた同じ手順によってポリマー７を調製した。

ポリマー８（架橋性基を持ったアクリルポリマー）
ＲＢＦに、グリシジルメタクリレート（２５．０ｇ）、アゾ開始剤（Ｖ−５９、３．１ｇ）、及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（８５．０ｇ）を装入し、４時間９５℃にて加熱した。そのような時間後に、反応器を攪拌しながら室温まで放冷した。生成物を、１０倍過剰のＭＴＢＥを使用する沈澱によって単離し、濾過によって集め、真空オーブン中で４０℃にて２４時間乾燥させた。

ＥＵＶ下層コーティング組成物
ＥＵＶ下層コーティング組成物を、表１に示す量で成分を組み合わせることによって調製した。溶液を、使用前に０．４５マイクロメートル細孔径を有するポリテトラフルオロエチレンフィルターを通して濾過した。

以下の略語を表１において用いる：ＴＭＥＧは、テトラメトキシメチルグリコールウリルであり；ＰＧＭＥＡは、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートであり；ＧＢＬは、ガンマ−ブチロラクトンであり；ＨＢＭは、２−ヒドロキシイソ酪酸メチルであり；Ｔ１は、Ｎ−ベンジル−Ｎ，Ｎ−ジメチルアンモニウムトリフルオロメタンスルホネート塩であり；ＭＮ ４６０３Ｓは、３，０００ｇ／モルのＭ_ｗ及び２．０のＰＤＩを有するクレゾールノボラック（Ｍｉｗｏｎ Ｃｏｍｍｅｒｃｉａｌ Ｃｏｒｐ．からＭＩＰＨＯＴＯ ＮＯＶＯＬ ４６０３Ｓとして入手可能な）である。

ＥＵＶ吸収係数
実施例１〜９並びに比較例１及び２の下層コーティング組成物についてのＥＵＶ吸収係数（１３．５ｎｍ）を、Ｌａｗｒｅｎｃｅ Ｂｅｒｋｅｌｅｙ Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｌａｂ．におけるＴｈｅ Ｃｅｎｔｅｒ ｆｏｒ Ｘ−ｒａｙ Ｏｐｔｉｃｓによって運営される公開プログラムによって原子組成及び膜密度に基づいて計算した。これらの結果を表２に示す。

膜ストリップ評価
下層コーティング組成物を、スピナーを用いて１５００ｒｐｍでシリコンウェハー上に別々にスピンコートし、ウェハーを、ホットプレートを用いて６０秒間２０５℃にて加熱して薄膜（２０ｎｍの膜厚）を形成した。薄膜を、３０ｍＬのＰＧＭＥＡ：ＨＢＭ（７：３）混合物に９０秒間曝し、ホットプレート上で６０秒間１１０℃にてポストベークした。当初のコートした膜並びに曝した及びポストベークした膜の厚さを測定し、膜厚の変化（Δストリップ）（曝した及びポストベークした膜の厚さ−当初のコートした膜の厚さ）を計算した。結果を表３に示す。

レジストパターン形成評価
下層コーティング組成物を、スピナーを用いて１５００ｒｐｍでシリコンウェハー上に別々にスピンコートし、ウェハーをホットプレート上で６０分間２０５℃にて加熱してＥ−ビームリソグラフィ用の薄膜（５ｎｍの膜厚）を形成した。レジスト溶液（メタクリレートベースのポジ型の化学的に増幅されたＥ−ビームレジスト）を、１２００ｒｐｍでスピナーを使って薄膜上に塗布し、次いでホットプレート上で６０秒間１１０℃にて加熱してレジスト膜（４０ｎｍの膜厚）を形成した。下層実施例に関する３０、７０ｎｍの１対１ Ｌ／Ｓパターン化レジストについての運転の照射線量を、Ｅ−ビームリソグラフィツール（ＪＥＯＬ製のＪＢＸ ９３００ＦＳ １００ ｋｅＶ）を用いる直接Ｅ−ビーム書き込みによって評価してより高いＥＵＶ吸収下層コーティング組成物の影響を検証した。実施例４〜６の下層コーティング組成物は、比較例１と比べて感度の有意な向上を示した。結果を表４に示す。

ドライエッチ速度評価
実施例１〜９の下層コーティング組成物についてのエッチ速度を、以下の条件を用いるＣＣＰ型エッチャーを使ってＣＦ_４ガスで測定した。２０秒間ＣＦ_４１００ｓｃｃｍ、７ Ｍｔ ＲＦ出力、温度：２０℃。２つのウェハーを、１５００ｒｐｍでスピンされる、下層コーティング組成物でコートし、２０５℃にてベークした。膜厚を測定した。コートされたウェハーを次いで２０秒間エッチした。各ウェハーの膜厚を再び測定した。ドライエッチ速度を、エッチプロセス後の膜厚の減少に基づいて測定した。実施例１〜９の下層コーティング組成物は、比較例２のノボラックベースの下層コーティング組成物よりも速いドライエッチ速度を示し、パターン転写プロセスのためのＥＵＶフォトレジストでのエッチ選択性における利点を実証した。結果を表５に示す。

本開示は、実用的で例示的な態様であると現在考えられているものと併せて記載されてきたが、本発明は、開示された態様に限定されず、それどころか、添付の特許請求の範囲の趣旨及び範囲内に含まれる様々な修正及び等価の構成を包含することを意図することが理解されるべきである。

Claims (10)

1. イソシアヌレート基及び架橋性基を含む架橋性ポリエステルポリマーと；
   架橋剤と；
   酸触媒と
   を含むコーティング組成物であって、
   前記架橋性ポリエステルポリマー及び前記架橋剤の少なくとも一つがヨウ素含有ポリマーを含む、コーティング組成物。
2. 前記架橋性ポリエステルポリマーが、式（１）；
   

   

   ［ここで、式（Ｉ）において、
   Ｄは、単結合、又は非置換若しくは置換Ｃ_１〜４アルキレン基であり；
   Ｙは、−Ｈ、−ＯＨ、−Ｃ（Ｏ）ＯＨ、−Ｃ（Ｏ）ＯＲ^ｂ、又はエポキシであり；
   Ｒ^ｂは、水素、非置換若しくは置換Ｃ_１〜１０アルキル基、非置換若しくは置換Ｃ_３〜３０シクロアルキル基、非置換若しくは置換Ｃ_１〜３０ヘテロシクロアルキル基、非置換若しくは置換Ｃ_６〜３０アリール基、非置換若しくは置換Ｃ_７〜３０アリールアルキル基、非置換若しくは置換Ｃ_１〜３０ヘテロアリール基、又は非置換若しくは置換Ｃ_３〜３０ヘテロアリールアルキル基であり；
   Ｉはヨウ素原子であり；
   各Ｘは、独立して、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、アミド基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、カルボン酸基若しくはそれの塩、スルホン酸基若しくはそれの塩、リン酸基若しくはそれの塩、非置換若しくは置換Ｃ_１〜３０アルキル基、非置換若しくは置換Ｃ_２〜３０アルケニル基、非置換若しくは置換Ｃ_２〜３０アルキニル基、非置換若しくは置換Ｃ_１〜３０アルコキシ基、非置換若しくは置換Ｃ_３〜３０シクロアルキル基、非置換若しくは置換Ｃ_１〜３０ヘテロシクロアルキル基、非置換若しくは置換Ｃ_３〜３０シクロアルケニル基、非置換若しくは置換Ｃ_１〜３０ヘテロシクロアルケニル基、非置換若しくは置換Ｃ_６〜３０アリール基、非置換若しくは置換Ｃ_６〜３０アリールオキシ基、非置換若しくは置換Ｃ_６〜３０アリールチオ基、非置換若しくは置換Ｃ_７〜３０アリールアルキル基、非置換若しくは置換Ｃ_１〜３０ヘテロアリール基、非置換若しくは置換Ｃ_２〜３０ヘテロアリールオキシ基、非置換若しくは置換Ｃ_２〜３０ヘテロアリールチオ基、又は非置換若しくは置換Ｃ_３〜３０ヘテロアリールアルキル基であり；
   ｍは、０〜４の整数であり；ｎは、１〜３の整数であり；ｍとｎとの合計は６未満である］
   の化合物に由来するヨウ素含有ポリエステルポリマーを含む、請求項１に記載のコーティング組成物。
3. 式（１）において、Ｄが単結合であり、Ｙが、−ＯＨ、−Ｃ（Ｏ）ＯＨ、若しくはエポキシであるか；又は
   式（１）の前記化合物が、式（１ａ）：
   

   

   ［ここで、式（１ａ）において、
   Ｒ^ｂは、非置換若しくは置換Ｃ_１〜１０アルキル基、非置換若しくは置換Ｃ_３〜３０シクロアルキル基、非置換若しくは置換Ｃ_１〜３０ヘテロシクロアルキル基、非置換若しくは置換Ｃ_６〜３０アリール基、非置換若しくは置換Ｃ_７〜３０アリールアルキル基、非置換若しくは置換Ｃ_１〜３０ヘテロアリール基、又は非置換若しくは置換Ｃ_３〜３０ヘテロアリールアルキル基であり；
   Ｉ、Ｘ、ｍ、及びｎは、請求項２におけるのと同じものである］
   の構造を有する、請求項２に記載のコーティング組成物。
4. 前記架橋性ポリエステルポリマーが、式（２）：
   

   

   ［ここで、式（２）において、
   Ｋ、Ｌ、及びＭは、それぞれ独立して、それらのそれぞれがカルボン酸基で任意選択的に置換されている、線状若しくは分岐状Ｃ_１〜１０炭化水素基、Ｃ_１〜１０アルコキシカルボニル基、Ｃ_１〜１０アルカノイルオキシ基、又はＣ_１〜５アルコキシカルボニル基若しくはＣ_１〜５アルコキシ基で任意選択的に置換された線状若しくは分岐状Ｃ_１〜１０ヒドロキシアルキル基であり、
   ここで、前記Ｃ_１〜１０炭化水素基、前記Ｃ_１〜１０アルコキシカルボニル基、前記Ｃ_１〜１０アルカノイルオキシ基、及び前記Ｃ_１〜１０ヒドロキシアルキル基のそれぞれは、ハロゲン、アミノ基、チオール基、エポキシ基、アミド基、Ｃ_１〜５アルキル基、Ｃ_３〜８シクロアルキル基、Ｃ_３〜２０ヘテロシクロアルキル基、Ｃ_２〜５アルケニル基、Ｃ_１〜５アルコキシ基、Ｃ_２〜５アルケノキシ基、Ｃ_６〜１０アリール基、Ｃ_６〜１０アリールオキシ基、Ｃ_７〜１０アルキルアリール基、又はＣ_７〜１０アルキルアリールオキシ基の少なくとも１つで任意選択的に置換されており；並びに
   ここで、前記ポリエステルポリマーの少なくとも１個の水素原子は、ヒドロキシル、カルボキシル、チオール、アミノ、エポキシ、アルコキシ、アミド、ビニル、及びそれらの組み合わせから独立して選択される官能基で置換されている］
   のモノマーに由来するイソシアヌレート繰り返し単位を含む、請求項２又は３に記載のコーティング組成物。
5. 前記架橋剤が、式（３）：
   

   

   ［ここで、式（３）において、
   Ｒ^ａは、水素、フッ素、シアノ、Ｃ_１〜１０アルキル基、又はＣ_１〜１０フルオロアルキル基であり；
   Ａは、非置換若しくは置換Ｃ_１〜３０アルキレン基、非置換若しくは置換Ｃ_３〜３０シクロアルキレン基、非置換若しくは置換Ｃ_１〜３０ヘテロシクロアルキレン基、非置換若しくは置換Ｃ_６〜３０アリーレン基、非置換若しくは置換の二価Ｃ_７〜３０アリールアルキル基、非置換若しくは置換Ｃ_１〜３０ヘテロアリーレン基、又は非置換若しくは置換の二価Ｃ_３〜３０ヘテロアリールアルキル基であり；
   Ｌは、−Ｏ−、−Ｏ（Ｃ＝Ｏ）−、−（Ｃ＝Ｏ）Ｏ−、−Ｏ（ＳＯ_２）−、−（ＳＯ_２）Ｏ−、−ＮＨ（ＳＯ_２）−、−（ＳＯ_２）ＮＨ−、−ＮＨ（ＣＯ）−、−（ＣＯ）ＮＨ−、−ＳＯ_２−、又は−ＳＯ−であり；
   Ｉはヨウ素原子であり；
   各Ｘは、独立して、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、アミド基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、カルボン酸基若しくはそれの塩、スルホン酸基若しくはそれの塩、リン酸基若しくはそれの塩、非置換若しくは置換Ｃ_１〜３０アルキル基、非置換若しくは置換Ｃ_２〜３０アルケニル基、非置換若しくは置換Ｃ_２〜３０アルキニル基、非置換若しくは置換Ｃ_１〜３０アルコキシ基、非置換若しくは置換Ｃ_３〜３０シクロアルキル基、非置換若しくは置換Ｃ_１〜３０ヘテロシクロアルキル基、非置換若しくは置換Ｃ_３〜３０シクロアルケニル基、非置換若しくは置換Ｃ_１〜３０ヘテロシクロアルケニル基、非置換若しくは置換Ｃ_６〜３０アリール基、非置換若しくは置換Ｃ_６〜３０アリールオキシ基、非置換若しくは置換Ｃ_６〜３０アリールチオ基、非置換若しくは置換Ｃ_７〜３０アリールアルキル基、非置換若しくは置換Ｃ_１〜３０ヘテロアリール基、非置換若しくは置換Ｃ_２〜３０ヘテロアリールオキシ基、非置換若しくは置換Ｃ_２〜３０ヘテロアリールチオ基、又は非置換若しくは置換Ｃ_３〜３０ヘテロアリールアルキル基であり；
   ｍは、０〜４の整数であり；ｎは、１〜３の整数であり；ｍとｎとの合計は６未満である］
   のモノマーに由来するヨウ素含有ポリ（メタ）アクリレートポリマーを含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載のコーティング組成物。
6. 前記ヨウ素含有ポリ（メタ）アクリレートポリマーが、ヒドロキシル、カルボキシル、チオール、アミノ、エポキシ、アルコキシ、アミド、ビニル、又はそれらの組み合わせから選択される官能基を含む、請求項５に記載のコーティング組成物。
7. 前記架橋性ポリエステルポリマーの前記架橋性基が、ヒドロキシル、カルボキシル、チオール、アミノ、エポキシ、アルコキシ、アミド、ビニル、又はそれらの組み合わせから選択される官能基を含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載のコーティング組成物。
8. 溶媒を更に含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載のコーティング組成物。
9. 基材上に配置された請求項８に記載のコーティング組成物の層と；
   前記コーティング組成物の前記層上に配置されたフォトレジスト層と
   を含むコートされた基材。
10. 電子デバイスの形成方法であって、
    請求項８に記載のコーティング組成物の層を基材上に塗布する工程と；
    前記コーティング組成物を硬化させて下層膜を形成する工程と；
    フォトレジストコーティング組成物の層を前記下層膜上に塗布してフォトレジスト層を形成する工程と；
    前記フォトレジスト層を放射線にパターン様露光する工程と；
    前記露光されたフォトレジスト層を現像してレジストレリーフ画像を提供する工程と
    を含む方法。