JP2021090039A5 - - Google Patents
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Priority Applications (13)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020154668A JP7604145B2 (ja) | 2019-11-25 | 2020-09-15 | 基板処理方法及びプラズマ処理装置 |
| US17/092,380 US11361976B2 (en) | 2019-11-25 | 2020-11-09 | Substrate processing method and plasma processing apparatus |
| US17/092,376 US11342194B2 (en) | 2019-11-25 | 2020-11-09 | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
| TW109140159A TWI878384B (zh) | 2019-11-25 | 2020-11-17 | 基板處理方法及電漿處理裝置 |
| CN202511189923.0A CN121034951A (zh) | 2019-11-25 | 2020-11-17 | 基板处理方法及等离子体处理装置 |
| TW114107272A TW202533297A (zh) | 2019-11-25 | 2020-11-17 | 基板處理方法及電漿處理裝置 |
| KR1020200153776A KR20210064066A (ko) | 2019-11-25 | 2020-11-17 | 기판 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치 |
| CN202011285147.1A CN112838002B (zh) | 2019-11-25 | 2020-11-17 | 基板处理方法及等离子体处理装置 |
| SG10202011423RA SG10202011423RA (en) | 2019-11-25 | 2020-11-17 | Substrate processing method and plasma processing apparatus |
| US17/244,957 US20210343539A1 (en) | 2020-04-30 | 2021-04-30 | Substrate processing method and plasma processing apparatus |
| US17/720,292 US20220246443A1 (en) | 2019-11-25 | 2022-04-14 | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
| US17/752,877 US20220285169A1 (en) | 2019-11-25 | 2022-05-25 | Substrate processing method and plasma processing apparatus |
| JP2024176957A JP7763312B2 (ja) | 2019-11-25 | 2024-10-09 | 基板処理方法及びプラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019212425 | 2019-11-25 | ||
| JP2019212425 | 2019-11-25 | ||
| JP2020154668A JP7604145B2 (ja) | 2019-11-25 | 2020-09-15 | 基板処理方法及びプラズマ処理装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2024176957A Division JP7763312B2 (ja) | 2019-11-25 | 2024-10-09 | 基板処理方法及びプラズマ処理装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2021090039A JP2021090039A (ja) | 2021-06-10 |
| JP2021090039A5 true JP2021090039A5 (enExample) | 2023-07-20 |
| JP7604145B2 JP7604145B2 (ja) | 2024-12-23 |
Family
ID=75923065
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020154668A Active JP7604145B2 (ja) | 2019-11-25 | 2020-09-15 | 基板処理方法及びプラズマ処理装置 |
| JP2024176957A Active JP7763312B2 (ja) | 2019-11-25 | 2024-10-09 | 基板処理方法及びプラズマ処理装置 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2024176957A Active JP7763312B2 (ja) | 2019-11-25 | 2024-10-09 | 基板処理方法及びプラズマ処理装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (2) | JP7604145B2 (enExample) |
| KR (1) | KR20210064066A (enExample) |
| CN (2) | CN121034951A (enExample) |
| SG (1) | SG10202011423RA (enExample) |
| TW (2) | TW202533297A (enExample) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022230118A1 (ja) * | 2021-04-28 | 2022-11-03 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
| JP7099675B1 (ja) | 2021-07-27 | 2022-07-12 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法、半導体装置の製造方法、プログラムおよびプラズマ処理装置 |
| JP7763251B2 (ja) * | 2021-07-27 | 2025-10-31 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法、半導体装置の製造方法、エッチングプログラムおよびプラズマ処理装置 |
| KR102646804B1 (ko) * | 2021-08-25 | 2024-03-12 | 주식회사 테스 | 실리콘 질화물층을 포함하는 기판을 처리하는 방법 |
| JP7667060B2 (ja) | 2021-10-22 | 2025-04-22 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理システム |
| JP7674223B2 (ja) | 2021-11-01 | 2025-05-09 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理システム |
| JP7348672B2 (ja) * | 2021-12-03 | 2023-09-21 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理システム |
| WO2024043166A1 (ja) * | 2022-08-22 | 2024-02-29 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及び基板処理システム |
| WO2025126937A1 (ja) * | 2023-12-14 | 2025-06-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 被膜形成方法、プラズマ処理方法、及び、プラズマ処理装置 |
| KR20250124941A (ko) * | 2024-02-14 | 2025-08-21 | 피에스케이 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06168914A (ja) * | 1992-05-13 | 1994-06-14 | Tokyo Electron Ltd | エッチング処理方法 |
| JPH07147273A (ja) * | 1993-11-24 | 1995-06-06 | Tokyo Electron Ltd | エッチング処理方法 |
| KR100518606B1 (ko) * | 2003-12-19 | 2005-10-04 | 삼성전자주식회사 | 실리콘 기판과 식각 선택비가 큰 마스크층을 이용한리세스 채널 어레이 트랜지스터의 제조 방법 |
| US8058179B1 (en) * | 2008-12-23 | 2011-11-15 | Novellus Systems, Inc. | Atomic layer removal process with higher etch amount |
| KR101200139B1 (ko) * | 2009-09-02 | 2012-11-13 | 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 | 실리콘 함유막의 에칭 방법 |
| JP6180824B2 (ja) * | 2013-07-02 | 2017-08-16 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 |
| US9824865B2 (en) * | 2014-03-05 | 2017-11-21 | Lam Research Corporation | Waferless clean in dielectric etch process |
| JP6423643B2 (ja) | 2014-08-08 | 2018-11-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 多層膜をエッチングする方法 |
| JP6393574B2 (ja) | 2014-10-09 | 2018-09-19 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
| JP2016225567A (ja) | 2015-06-03 | 2016-12-28 | 東京エレクトロン株式会社 | クリーニング方法 |
| US9922840B2 (en) * | 2015-07-07 | 2018-03-20 | Applied Materials, Inc. | Adjustable remote dissociation |
| CN108292601A (zh) * | 2016-01-13 | 2018-07-17 | 应用材料公司 | 用于蚀刻硬件的基于氢等离子体的清洗工艺 |
| JP6689159B2 (ja) | 2016-08-22 | 2020-04-28 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法およびdramキャパシタの製造方法 |
| US10607850B2 (en) * | 2016-12-30 | 2020-03-31 | American Air Liquide, Inc. | Iodine-containing compounds for etching semiconductor structures |
| US20180286707A1 (en) * | 2017-03-30 | 2018-10-04 | Lam Research Corporation | Gas additives for sidewall passivation during high aspect ratio cryogenic etch |
| JP7109165B2 (ja) | 2017-05-30 | 2022-07-29 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
| JP6952542B2 (ja) | 2017-06-21 | 2021-10-20 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
| JP6948181B2 (ja) | 2017-08-01 | 2021-10-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 多層膜をエッチングする方法 |
| US11075084B2 (en) * | 2017-08-31 | 2021-07-27 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Chemistries for etching multi-stacked layers |
| JP7158252B2 (ja) | 2018-02-15 | 2022-10-21 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 |
| US10811275B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-10-20 | Tokyo Electron Limited | Plasma etching method and plasma etching apparatus |
| JP6952866B2 (ja) | 2018-03-02 | 2021-10-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 3次元半導体記憶装置の製造方法 |
| JP7366918B2 (ja) | 2018-03-16 | 2023-10-23 | ラム リサーチ コーポレーション | 誘電体における高アスペクト比フィーチャのプラズマエッチング化学物質 |
-
2020
- 2020-09-15 JP JP2020154668A patent/JP7604145B2/ja active Active
- 2020-11-17 TW TW114107272A patent/TW202533297A/zh unknown
- 2020-11-17 TW TW109140159A patent/TWI878384B/zh active
- 2020-11-17 KR KR1020200153776A patent/KR20210064066A/ko active Pending
- 2020-11-17 CN CN202511189923.0A patent/CN121034951A/zh active Pending
- 2020-11-17 SG SG10202011423RA patent/SG10202011423RA/en unknown
- 2020-11-17 CN CN202011285147.1A patent/CN112838002B/zh active Active
-
2024
- 2024-10-09 JP JP2024176957A patent/JP7763312B2/ja active Active
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