JP2021086968A5 - - Google Patents

Description

本開示の一態様によるクリーニング方法は、プラズマ処理装置におけるクリーニング方法である。プラズマ処理装置は、処理容器と、処理容器内に設けられる基板載置台と、基板を支持するリフタピンを備える基板昇降機構と、を備える。本開示の一態様によるクリーニング方法は、工程（ａ）と、工程（ｂ）と、工程（ｃ）と、工程（ｄ）とを有する。工程（ａ）は、処理容器内で基板に対してプラズマ処理した後、処理容器内に基板およびダミー基板が収容されていない状態で処理容器内にプラズマを生成して処理容器に堆積した堆積物を除去する。工程（ｂ）は、基板昇降機構を制御して、リフタピンの先端を第１の位置に位置させ、処理容器内に搬入されたダミー基板を第１の位置で受け取る。工程（ｃ）は、基板昇降機構を制御して、リフタピンの先端を基板載置台の上方であって第１の位置よりも低い第２の位置に位置させる。工程（ｄ）は、処理容器内にプラズマを生成して、基板載置台の外周部に堆積した堆積物を除去する。

Claims (28)

1. プラズマ処理装置におけるクリーニング方法であって、
   前記プラズマ処理装置は、
   処理容器と、
   前記処理容器内に設けられる基板載置台と、
   基板を支持するリフタピンを備える基板昇降機構と、を備え、
   前記クリーニング方法は、
   （ａ）前記処理容器内で基板に対してプラズマ処理した後、前記処理容器内に前記基板およびダミー基板が収容されていない状態で前記処理容器内にプラズマを生成して前記処理容器に堆積した堆積物を除去する工程と、
   （ｂ）前記基板昇降機構を制御して、前記リフタピンの先端を第１の位置に位置させ、前記処理容器内に搬入されたダミー基板を前記第１の位置で受け取る工程と、
   （ｃ）前記基板昇降機構を制御して、前記リフタピンの先端を前記基板載置台の上方であって前記第１の位置よりも低い第２の位置に位置させる工程と、
   （ｄ）前記処理容器内にプラズマを生成して、前記基板載置台の外周部に堆積した堆積物を除去する工程と、
   を有する、クリーニング方法。
2. （ｅ）前記工程（ｂ）の後であって前記工程（ｃ）の前に、前記基板載置台の載置面に前記ダミー基板を載置した状態で、前記処理容器内にプラズマを生成して前記処理容器をクリーニングする工程、を有する、請求項１に記載のクリーニング方法。
3. 前記工程（ｄ）において、前記基板載置台の外周部周辺にリング状プラズマが生成される、請求項１または２に記載のクリーニング方法。
4. 前記基板載置台の載置面と前記ダミー基板の前記載置面に対向する面との離隔距離は、前記工程（ｄ）において生成されるプラズマのシースの厚さよりも小さい、請求項１～３のいずれか一つに記載のクリーニング方法。
5. 前記基板載置台の載置面と前記ダミー基板の前記載置面に対向する面との離隔距離は、２．３ｍｍ以上５ｍｍ以下である、請求項４に記載のクリーニング方法。
6. 前記基板載置台の載置面と前記ダミー基板の前記載置面に対向する面との離隔距離は、２．３ｍｍ以上３．５ｍｍ以下である、請求項４に記載のクリーニング方法。
7. 前記基板載置台の載置面と前記ダミー基板の前記載置面に対向する面との離隔距離は、２．３ｍｍ以上３ｍｍ以下である、請求項４に記載のクリーニング方法。
8. 前記工程（ｄ）において生成されるプラズマの密度は、前記ダミー基板の中心部よりも前記基板の外周部周辺の方が高い、請求項１～７のいずれか一つに記載のクリーニング方法。
9. 前記プラズマ処理装置は、前記基板載置台の載置面の外周を囲むリング部材を備え、
   前記工程（ｄ）において生成されるプラズマの密度は、前記リング部材の外周部よりも前記リング部材の内周部の方が高い、請求項８に記載のクリーニング方法。
10. 前記工程（ｄ）において、酸素含有ガスのプラズマを生成する、請求項１～９のいずれか一つに記載のクリーニング方法。
11. 前記工程（ｄ）において、プラズマを生成するための高周波電力を前記基板載置台に供給する、請求項１～１０のいずれか一つに記載のクリーニング方法。
12. 前記工程（ｄ）において、前記基板載置台にバイアス電力を供給する、請求項１～１１のいずれか一つに記載のクリーニング方法。
13. プラズマ処理装置におけるクリーニング方法であって、
    前記プラズマ処理装置は、
    処理容器と、
    前記処理容器内に設けられる基板載置台と、
    基板昇降機構と、を備え、
    前記クリーニング方法は、
    基板に対するプラズマ処理の後、前記処理容器内に前記基板およびダミー基板が収容されていない状態で、前記処理容器内にプラズマを生成して、前記処理容器内をクリーニングする第１工程と、
    前記基板載置台に前記ダミー基板を載置した状態で、前記処理容器内にプラズマを生成して、前記処理容器内をクリーニングする第２工程と、
    前記基板昇降機構によりダミー基板を前記基板載置台の上方に位置させ、前記処理容器内にプラズマを生成して、前記処理容器内をクリーニングする第３工程と、
    を有する、クリーニング方法。
14. 前記第１工程、前記第２工程、および前記第３工程をこの順に行う、請求項１３に記載のクリーニング方法。
15. 前記第１工程、前記第２工程、および前記第３工程において、プラズマを生成するための高周波電力を前記基板載置台に供給する、請求項１３または１４に記載のクリーニング方法。
16. 前記第３工程において、前記基板載置台にバイアス電力を供給する、請求項１３～１５のいずれか一つに記載のクリーニング方法。
17. 処理容器と、
    前記処理容器内に設けられる基板載置台と、
    基板を支持するリフタピンを備える基板昇降機構と、
    制御部と、
    を備え、
    前記制御部は、
    （ａ）前記処理容器内で基板に対してプラズマ処理した後、前記処理容器内に前記基板およびダミー基板が収容されていない状態で前記処理容器内にプラズマを生成して前記処理容器に堆積した堆積物を除去する処理と、
    （ｂ）前記基板昇降機構を制御して、前記リフタピンの先端を第１の位置に位置させ、前記処理容器内に搬入された前記ダミー基板を前記第１の位置で受け取る処理と、
    （ｃ）前記基板昇降機構を制御して、前記リフタピンの先端を前記基板載置台の上方であって前記第１の位置よりも低い第２の位置に位置させる処理と、
    （ｄ）前記処理容器内にプラズマを生成して、前記基板載置台の外周部に堆積した堆積物を除去する処理と、
    を実行する、プラズマ処理装置。
18. 前記制御部は、
    （ｅ）前記処理（ｂ）の後であって前記処理（ｃ）の前に、前記基板載置台の載置面に前記ダミー基板を載置した状態で、前記処理容器内にプラズマを生成して前記処理容器をクリーニングする処理、を実行する、請求項１７に記載のプラズマ処理装置。
19. 前記処理（ｄ）において、前記基板載置台の外周部周辺にリング状プラズマが生成される、請求項１７または１８に記載のプラズマ処理装置。
20. 前記基板載置台の載置面と前記ダミー基板の前記載置面に対向する面との離隔距離は、２．３ｍｍ以上５ｍｍ以下である、請求項１９に記載のプラズマ処理装置。
21. 前記処理（ｄ）において生成されるプラズマの密度は、前記ダミー基板の中心部よりも前記基板の外周部周辺の方が高い、請求項１７～２０のいずれか一つに記載のプラズマ処理装置。
22. 前記基板載置台の載置面の外周を囲むリング部材を備え、
    前記処理（ｄ）において生成されるプラズマの密度は、前記リング部材の外周部よりも前記リング部材の内周部の方が高い、請求項２１に記載のプラズマ処理装置。
23. 前記制御部は、
    前記処理（ｄ）において、酸素含有ガスのプラズマを生成する、請求項１７～２２のいずれか一つに記載のプラズマ処理装置。
24. 前記制御部は、
    前記工程（ｄ）において、前記基板載置台にバイアス電力を供給する、請求項１７～２３のいずれか一つに記載のプラズマ処理装置。
25. 処理容器と、
    前記処理容器内に設けられる基板載置台と、
    基板昇降機構と、
    制御部と、
    を備え、
    前記制御部は、
    基板に対するプラズマ処理の後、前記処理容器内に前記基板およびダミー基板が収容されていない状態で、前記処理容器内にプラズマを生成して、前記処理容器内をクリーニングする第１処理と、
    前記基板載置台に前記ダミー基板を載置した状態で、前記処理容器内にプラズマを生成して、前記処理容器内をクリーニングする第２処理と、
    前記基板昇降機構によりダミー基板を前記基板載置台の上方に位置させ、前記処理容器内にプラズマを生成して、前記処理容器内をクリーニングする第３処理と、
    を実行する、プラズマ処理装置。
26. 前記制御部は、
    前記第１処理、前記第２処理、および前記第３処理をこの順で実行する、請求項２５に記載のプラズマ処理装置。
27. 前記制御部は、
    前記第１処理、前記第２処理、および前記第３処理において、プラズマを生成するための高周波電力を前記基板載置台に供給する、請求項２５または２６に記載のプラズマ処理装置。
28. 前記制御部は、
    前記第３処理において、前記基板載置台にバイアス電力を供給する、請求項２５～２７のいずれか一つに記載のプラズマ処理装置。