JP2021077796A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
円周方向に回転可能であり、平面視においてリング状の凹部を有するスタンプ台であって、前記円周方向と直交する断面において前記凹部の底面がV字状であるスタンプ台を準備する工程と、
上面を備える基板を準備する工程と、
前記凹部内に接着剤を供給し、前記接着剤に、スタンプピンの先端面を浸漬させて前記接着剤を前記スタンプピンの先端に付着させる工程と、
前記基板の上面に、前記スタンプピンの先端面に付着された前記接着剤を配置する工程と、
前記基板上の前記接着剤上に、半導体素子を載置する工程と、
を備える半導体装置の製造方法。
スタンプ台を準備する。図1Aは、スタンプ台1の一例である。スタンプ台1は、液状又はペースト状の接着剤等の樹脂材料を入れておくための容器であり、例えば、ダイボンド装置等に組み込むことが可能な部品である。スタンプ台1は、上面視形状が円形である。スタンプ台1は、円の中心に備え付けられた回転軸2を中心軸として円周方向に回転可能である。スタンプ台1は、回転軸2の上側又は下側に取り付けることができる。また、スタンプ台1と回転軸2とは別体であってもよく、一体であってもよい。
基板を準備する。図4A及び図4Bは、基板51の一例である。基板51は発光素子などの半導体素子が載置可能な上面51uを備えており、半導体装置の一部を構成する。基板51は、ダイボンド装置等の装置内において、後述のスタンプピン3の稼働範囲内に配置される。例えば、基板51は、ダイボンド装置内において、スタンプ台1の近傍に配置される試料台の上等に、基板51の上面を上側にして配置される。図4A、図4Bに例示する基板51は、金属板を所望の形状にパターニングしたリードフレーム51aと、リードフレーム51aと一体成型された樹脂成形体51bとを備える。基板51は複数の素子載置凹部51cを備えている。素子載置凹部51cは、その底面に一対の電極となるリードフレーム51aの一部が露出されている。素子載置凹部51cの側面は樹脂成形体51bで構成されている。尚、基板51は、このような、リードフレームと樹脂成形体とを備えた樹脂パッケージ基板のほか、セラミック基板やガラス基板、公知の基板を用いることができる。さらに、基板は、凹部を備えない平板状の基板や、フレキシブル基板等を用いることもできる。素子載置凹部51cを備える場合は、素子載置凹部51cの底面が、基板51の上面51uに相当する。
次に、スタンプ台1の凹部10内に接着剤4を供給する。例えば、スタンプ台1を回転数5ppm〜15ppm程度で回転させながら、粘度2Pa・s〜30Pa・s程度のエポキシ或はシリコーン樹脂を主成分とする接着剤4を供給する。スキージで高さをそろえながら、凹部10内に接着剤4を行き渡らせる。
次に、基板51上に接着剤4を配置(塗布)する。詳細には、図6Aに示すように、先端面を含む先端部に接着剤4を保持したスタンプピン3を、基板51の上方に位置するように移動させる。図6Aに示す例では、素子載置凹部51cの中央部の上方にスタンプピン3を移動させる例を示している。その後、下方向(図6Aに示す矢印の方向)にスタンプピン3移動させ、図6Bに示すように、基板51の上面51uに接着剤4を当接させる。その後、スタンプピン3を上方向(図6Bに示す矢印の方向)に移動(上昇)させることで、接着剤4を基板51の上面51u上に配置することができる。
次いで、基板51上に配置された接着剤4上に発光素子等の半導体素子52を載置する。詳細には、まず図7Aに示すように、コレット等の吸着部材6で吸着保持した半導体素子52を、基板51の上面51uに配置された接着剤4の上方に移動する。次に、吸着部材6を下方(図7Aに示す矢印の方向)に移動する。図7Bに示すように、半導体素子52を接着剤4に当接させた後、吸着部材6の吸着を解除(真空を解除)して吸着部材6から半導体素子52を外し、吸着部材6を上方(図7Bに示す矢印の方向)に移動する。これにより、接着剤4上に半導体素子52を載置することができる。尚、この工程は、基板51の上面51uに配置された接着剤4が完全に硬化する前に行う必要がある。半導体素子52を接着剤4上に載置した後、加熱、光照射などの工程を行うことで接着剤4を硬化させる。
本開示において、上記の工程のほかの工程を備えてもよい。例えば、図8Aに示すように、基板51上に接着された半導体素子52に、通電のためにワイヤ53を接続する工程を備えてもよい。更に、図8Bに示すように、半導体素子52やワイヤ53等を保護するための透光性樹脂などの封止部材54を形成する工程を備えてもよい。半導体素子を、導電性接合部材を用いてフリップチップ実装する場合は、ワイヤ接続工程は不要である。封止部材を形成する工程は、ポッティング(滴下)法、圧縮成型法、印刷法、トランスファモールド法、ジェットディスペンス法などを用いることができる。次に、図8Cに示すように個片化することで、半導体装置50を得ることができる。
10…凹部
11…凹部の底面
111…第1底面
111a…第1底面上端部
112…第2底面
112a…第2底面上端部
113…最下端部
113a…最下端部の平面部
12…凹部の開口部(凹部の上端)
13…凹部の側面
2…回転軸
3…スタンプピン
31…スタンプピンの先端面
4…接着剤
5…半導体装置
51…基板
51a…リードフレーム
51b…樹脂成形体
51c…素子載置凹部
51u…基板の上面
52…半導体素子
53…ワイヤ
54…封止部材
6…吸着部材
Claims (4)
- 円周方向に回転可能であり、平面視においてリング状の凹部を有するスタンプ台であって、前記円周方向と直交する断面において前記凹部の底面がV字状であるスタンプ台を準備する工程と、
上面を備える基板を準備する工程と、
前記凹部内に接着剤を供給し、前記接着剤に、スタンプピンの先端面を浸漬させて前記接着剤を前記スタンプピンの先端に付着させる工程と、
前記基板の上面に、前記スタンプピンの先端面に付着された前記接着剤を配置する工程と、
前記基板上の前記接着剤上に、半導体素子を載置する工程と、
を備える半導体装置の製造方法。 - 前記凹部の底面は、円周方向と直交する断面において、中心軸側の第1底面と、外周側の第2底面と、を備えるV字状であり、前記第1底面と前記第2底面の傾斜角度は、水平面に対して、それぞれ1度〜10度程度である、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記凹部は、前記第1底面と前記第2底面の間に、平面部を備える、請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記平面部の幅は、前記先端面の先端面の幅と同程度の幅か、それよりも大きい幅である、請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
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JP2019096991A (ja) * | 2017-11-21 | 2019-06-20 | キヤノン株式会社 | イメージセンサー、センサーチップの製造方法 |
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2019
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