JP2021072550A - 電圧コンパレータ - Google Patents

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Abstract

【課題】消費電力の増加を抑えつつ、オフセット電圧をキャンセル可能なコンパレータを提供する。【解決手段】第1インバータINV1および第1スイッチSW1は第1キャパシタC1の両端間に、直列に接続される。第2インバータINV2は、第1インバータINV1と並列に接続される。第2スイッチSW2は、第1インバータINV1の入出力間に設けられる。第3スイッチSW3は、第2インバータINV2の入出力間に設けられる。第2キャパシタC2は、第1インバータINV1の出力と第2インバータINV2の入力の間に設けられる。第3キャパシタC3は、第2インバータINV2の出力と第1インバータINV1の出力の間に設けられる。第4スイッチSW4は、第1キャパシタC1の上側電極と電源ライン302の間、第1キャパシタC1の下側電極と接地ライン304の間の一方に設けられる。【選択図】図2

Description

本発明は、電圧コンパレータに関する。
電子回路の重要な基本要素として、電圧コンパレータがある。コンパレータは大きく、連続型と同期型に分類される。同期型のコンパレータは、クロックドコンパレータとも称され、クロックと同期した特定のタイミングにおいて電圧比較を行うものであり、センスアンプやラッチ回路などの組み合わせにより、クロックエッジ供給時のみ動作させるダイナミックコンパレータとして使用することで、高速動作が可能であること、定常電流が流れないため低消費電力化が可能であること、回路面積を小さくできるといった利点を有する。
半導体集積回路に集積化される回路素子は、製造ばらつきの影響を受ける。コンパレータも例外ではなく、製造ばらつきによって、オフセット誤差が生ずる。オフセット誤差は、微小な電位差の判定に誤差をもたらす。そのため、さまざまなオフセットキャンセル方式が提案されている。
図1は、オフセット補償機能を備えるコンパレータ1の回路図であり、チョッパーインバータ型コンパレータと呼ばれる。この回路では、電圧比較手段および増幅手段としてインバータ2が直列に多段接続される。インバータ2のしきい値電圧のばらつきは、すなわちコンパレータのオフセット電圧に相当する。
インバータ2aの入出力間には、スイッチ3aが設けられ、インバータ2bの入出力間には、スイッチ3bが設けられる。
コンパレータ1の動作を説明する。
はじめに、スイッチ3aをオンし、インバータ2aの入出力間をショートすることで、インバータ2aの入力電圧Vaiおよび出力電圧Vaoは、自身のしきい値電圧Vth1に安定化される(セルフバイアス)。2段目のインバータ2bも同様であり、スイッチ3bをオンすることにより、その入出力電圧Vbi,Vboは、自身のしきい値電圧Vth2に安定化される。この状態で、スイッチ5pをオンすることで、初段のキャパシタ4aには、電圧ΔV=(Vth1−Vp)が印加される。二段目のキャパシタ4bには、ΔV’=(Vth2−Vth1)が印加される。続いて、スイッチ5p,3a,3bがオフとなる(サンプリング)。
続いて、スイッチ5nがオンとなる。キャパシタ4aの電荷が保持されるから、キャパシタ4aの両端間電圧は不変であり、インバータ2aの入力電圧Vaiは、Vai=Vn+ΔV=Vn+Vth1−Vpとなる。したがって、Vn−Vp>0のときに、インバータ2aの出力Vaoは低下し、Vn−Vp<0のときに、インバータ2aの出力Vaoは上昇する。
インバータ2aの電圧利得をGaとするとき、インバータ2aの出力電圧Vaoは、
Vao=Ga×(Vai−Vth1)+Vth1
=Ga×(Vn−Vp)+Vth1
となる。キャパシタ4bの電荷が保持されるから、キャパシタ4bの両端間電圧は不変であり、インバータ2bの入力電圧Vbiは、
Vbi=Vao+ΔV’
=Ga×(Vn−Vp)+Vth1+(Vth2−Vth1)
=Ga×(Vn−Vp)+Vth2
となる。インバータ2bの電圧利得をGbとするとき、インバータ2bの出力電圧Vboは、以下の式で表される。
Vbo=Gb×(Vbi−Vth2)+Vth2
=Ga×Gb×(Vn−Vp)+Vth2
インバータ2bの出力電圧Vboは、三段目のインバータ2のしきい値電圧Vth3と比較され、2値化される。したがって以下の不等式が成り立つとき、インバータのしきい値電圧Vth1〜Vth3に依存しない電圧比較が可能となる。
Ga×Gb×|Vn−Vp|≫|Vth2−Vth3|
特許第4066211号
G. Van der Plas ; S. Decoutere ; S. Donnay, "A 0.16pJ/Conversion-Step 2.5mW 1.25GS/s 4b ADC in a 90nm Digital CMOS Process", 2006 IEEE International Solid State Circuits Conference - Digest of Technical Papers, San Francisco, CA, 2006, pp. 2310-. I. Mehr and L. Singer, "A 55-mW, 10-bit, 40-Msample/s Nyquist-rate CMOS ADC", IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol. 35, no. 3, pp. 318-325, March 2000. J. Craninckx and G. van der Plas, "A 65fJ/Conversion-Step 0-to-50MS/s 0-to-0.7mW 9b Charge-Sharing SAR ADC in 90nm Digital CMOS", 2007 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers, San Francisco, CA, 2007, pp. 246-600. I. Mehr and D. Dalton, "A 500-Msample/s, 6-bit Nyquist-rate ADC for disk-drive read-channel applications", IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol. 34, no. 7, pp. 912-920, July 1999. H. Jeon and Y. Kim, "A CMOS low-power low-offset and high-speed fully dynamic latched comparator", 23rd IEEE International SOC Conference, Las Vegas, NV, 2010, pp. 285-288. D. Schinkel, E. Mensink, E. Klumperink, E. van Tuijl and B. Nauta, "A Double-Tail Latch-Type Voltage Sense Amplifier with 18ps Setup+Hold Time", 2007 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers, San Francisco, CA, 2007, pp. 314-605. Masaya Miyahara, Yusuke Asada, Daehwa Paik and Akira Matsuzawa, "A Low-Noise Self-Calibrating Dynamic Comparator for High-Speed ADCs", 2008 IEEE Asian Solid-State Circuits Conference, Fukuoka, 2008, pp. 269-272. M. Miyahara and A. Matsuzawa, "A low-offset latched comparator using zero-static power dynamic offset cancellation technique", 2009 IEEE Asian Solid-State Circuits Conference, Taipei, 2009, pp. 233-236. N. Verma and A. P. Chandrakasan, "An Ultra Low Energy 12-bit Rate-Resolution Scalable SAR ADC for Wireless Sensor Nodes", IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol. 42, no. 6, pp. 1196-1205, June 2007.
本発明者は、図1のコンパレータ1について検討した結果、以下の課題を認識するに至った。
図1のコンパレータ1では、スイッチ3がオンの状態で、インバータ2に貫通電流ITHROUGHが流れるため、定常的な電流を必要とし、消費電力が大きくなるため、低消費電力化が要求される集積回路での採用は難しい。
インバータの1段当たりの電圧利得Ga、Gbは小さいため、比較対象の電位差(Vn−Vp)が極めて微小である場合、上の不等式を満たすことが難しくなる。この場合、スイッチ3およびキャパシタ4の段数を増やして、電圧利得を稼ぐ必要がある。その場合、電圧判定レベル(判定可能な電圧差)もしくは比較動作速度と、消費電力の間にトレードオフが発生し、問題となる。
本発明は係る課題に鑑みてなされたものであり、そのある態様の例示的な目的のひとつは、上述のトレードオフの問題を解決したコンパレータの提供にある。
本発明のある態様は、同期型の電圧コンパレータに関する。電圧コンパレータは、第1キャパシタと、第1キャパシタの両端間に、直列に接続される第1インバータおよび第1スイッチと、第1インバータと並列に接続される第2インバータと、第1インバータの入出力間に設けられる第2スイッチと、第2インバータの入出力間に設けられる第3スイッチと、第1インバータの出力と第2インバータの入力の間に設けられる第2キャパシタと、第2インバータの出力と第1インバータの入力の間に設けられる第3キャパシタと、第1キャパシタの上側電極と電源ラインの間、第1キャパシタの下側電極と接地ラインの間の一方に設けられる第4スイッチと、を備える。
なお、以上の構成要素の任意の組み合わせや、本発明の構成要素や表現を、方法、装置、システムなどの間で相互に置換したものもまた、本発明の態様として有効である。
本発明のある態様によれば、消費電力の増加を抑えつつ、オフセット電圧をキャンセルできる。
オフセット補償機能を備えるコンパレータの回路図である。 実施の形態に係る同期型のコンパレータの回路図である。 図2のコンパレータの動作シーケンスの一例を示すタイムチャートである。 図2のコンパレータの動作シーケンスの別の一例を示すタイムチャートである。 一実施例に係るコンパレータの回路図である。 一実施例に係るコンパレータの回路図である。 一実施例に係るコンパレータの回路図である。 一実施例に係るコンパレータの回路図である。 図9(a)〜(d)は、入力ステージの変形例を示す回路図である。 一実施例に係るコンパレータの回路図である。 図10のコンパレータの動作波形図である。
以下、本発明を好適な実施の形態をもとに図面を参照しながら説明する。各図面に示される同一または同等の構成要素、部材、処理には、同一の符号を付するものとし、適宜重複した説明は省略する。また、実施の形態は、発明を限定するものではなく例示であって、実施の形態に記述されるすべての特徴やその組み合わせは、必ずしも発明の本質的なものであるとは限らない。
本明細書において、「部材Aが、部材Bと接続された状態」とは、部材Aと部材Bが物理的に直接的に接続される場合のほか、部材Aと部材Bが、それらの電気的な接続状態に実質的な影響を及ぼさない、あるいはそれらの結合により奏される機能や効果を損なわせない、その他の部材を介して間接的に接続される場合も含む。
同様に、「部材Cが、部材Aと部材Bの間に設けられた状態」とは、部材Aと部材C、あるいは部材Bと部材Cが直接的に接続される場合のほか、それらの電気的な接続状態に実質的な影響を及ぼさない、あるいはそれらの結合により奏される機能や効果を損なわせない、その他の部材を介して間接的に接続される場合も含む。
図2は、実施の形態に係る同期型のコンパレータ300の回路図である。コンパレータ300は、2つの入力端子INP,INNに入力される電圧Vinp,Vinnを比較し、比較結果を示すハイ/ロー2値の出力信号OUTを生成する。
コンパレータ300は、入力ステージ310と、比較ステージ320を含む。入力ステージ310は、サンプルホールド回路である。入力ステージ310の構成はたとえば第1入力スイッチSWinp、第2入力スイッチSWinn、第3入力スイッチSWcを含む。なお入力ステージ310の構成は特に限定されず、比較動作前にサンプル動作を行える形態であれば、入力信号の形態や特性に合わせた任意の構成をとることができる。
比較ステージ320は、入力キャパシタCinp,Cinn、第1キャパシタC1〜第3キャパシタC3、第1インバータINV1、第2インバータINV2、第1スイッチSW1〜第4スイッチSW4を備える。
第1インバータINV1の電源、グランドおよび第1スイッチSW1は、第1キャパシタC1の両端間に直列に接続される。第2インバータINV2は、第1インバータINV1と並列に設けられる。第1スイッチSW1は、第1インバータINV1、第2インバータINV2を不活性とするためのスイッチであり、後述するようにインバータの低電位側に設けてもよいし、インバータINV1,INV2それぞれに内蔵してもよい。
第2スイッチSW2は、第1インバータINV1の入出力間の間に設けられる。第3スイッチSW3は、第2インバータINV2の入出力間の間に設けられる。第2キャパシタC2は、第1インバータINV1の出力と第2インバータINV2の入力の間に設けられる。第3キャパシタC3は、第2インバータINV2の出力と第1インバータINV1の出力の間に設けられる。
第4スイッチSW4は、第1キャパシタC1の上側電極と電源ライン302の間、第1キャパシタC1の下側電極と接地ライン304の間の一方(この実施例では、電源ライン302側)に設けられる。あるいは後述するように(図6)、両方に設けてもよい。
なお入力キャパシタCinp,Cinnを比較ステージ320の入力に設け、AC結合とすることで、ラッチ動作が容易になること、入力コモンモード電圧依存性を除去できるという効果がえられる。
以上がコンパレータ300の構成である。続いてその動作を説明する。図3は、図2のコンパレータ300の動作を説明するタイムチャートである。
1.充電フェーズφ
はじめに、第4スイッチSW4をオンとして、第1キャパシタC1を充電する。このとき、第1スイッチSW1はオフである。ローはスイッチのオフ状態、ハイはスイッチのオン状態を示す。
2.オフセットキャンセルフェーズφ
続いて、第4スイッチSW4をオフし、第1キャパシタC1を電源ライン302から切り離すとともに、第1スイッチSW1〜第3スイッチSW3をオンする。
第1スイッチSW1がオンとなると、第1キャパシタC1に蓄えられた電荷によって、第1インバータINV1、第2インバータINV2が動作可能となる。そして第2スイッチSW2がオンすることで第1インバータINV1の入出力間がショートされ、入力電圧Vが、第1インバータINV1のしきい値電圧Vth1に安定化される。同様に第3スイッチSW3がオンすることで第2インバータINV2の入出力間がショートされ、その入力電圧Vが、第2インバータINV2のしきい値電圧Vth2に安定化される。
3. サンプリングフェーズφ
スイッチSWinpをオンし、キャパシタCinpを用いて一方の入力電圧Vinpをサンプリングする。同様にスイッチSWinnをオンし、キャパシタCinnを用いて他方の入力電圧Vinnをサンプリングする。キャパシタCinp,Cinnの両端間電圧はそれぞれ、Vinp−Vth1、Vinn−Vth2となる。
4. 比較フェーズφ
スイッチSWinp,SWinnがオフされると、入力電圧Vinp,Vinnがホールドされる。そして、第2スイッチSW2、第3スイッチSW3がオフされる。そしてスイッチSWcをオンすると、比較動作が行われる。より詳しくは、スイッチSWcがオンすると、入力キャパシタCinpとCinnの一端の電位が等しくなり、2つのキャパシタCinp,Cinn間で電荷の移動が発生し、第1インバータINV1、第2インバータINV2それぞれの入力電圧V,Vには、電圧Vinp,Vinnの差分ΔVに応じた電圧変化が逆極性で誘起される。
以上がコンパレータ300の動作シーケンスである。第1インバータINV1、第2インバータINV2は、キャパシタC2,C3を介して交流的にクロスカップリングされたラッチ回路と把握することができ、ダイナミックラッチコンパレータと同様に動作する。2つの入力電圧Vinp,Vinnの微小な電位差は、ラッチ回路の正帰還によって増幅され、HとLの2点に信号安定点があるラッチ回路は、Vinp、Vinnの大小関係に応じた状態に高速に遷移する。
コンパレータ300は、大きく2つの要因によってオフセットを有する。第1の要因は、入力キャパシタCinp,Cinnの容量ミスマッチ、キャパシタC2,C3の容量ミスマッチ、配線寄生容量の容量ミスマッチである。第1の要因については、半導体製造プロセスの特徴上、1%以下に抑えることが容易であり、影響は小さい。
コンパレータ300のオフセットの第2の要因は、第1インバータINV1、第2インバータINV2のしきい値電圧Vth1,Vth2のミスマッチであり、この影響は容量ミスマッチに比べて大きいが、本実施の形態によれば、第1インバータINV1、第2インバータINV2のしきい値電圧Vth1,Vth2のばらつきや変動の影響を受けない高精度な電圧比較が可能となる。すなわち、コンパレータ300のオフセット電圧を好適にキャンセルすることができる。
また、第2スイッチSW2、第3スイッチSW3をオンして、オフセットをキャンセルするフェーズφ2において、スイッチSW4はオフであり、したがって図1のような貫通電流ITHROUGHは流れず、消費電力を低減することができる。
2つのインバータINV1,INV2は、キャパシタC2,C3によってAC結合される。したがってDCオフセットの影響を排除することができる。
さらに入力ステージ310においても、2個のキャパシタCinp,CinnによってAC結合の形式を採用することにより、入力側のDCオフセットの影響も排除できる。そして、完全対称な差動回路として機能し、かつ2つのインバータINV1,INV2の電源とグランドに相当するVTailHやVTailLは共通となるため、外部信号線からのクロストークや電源・接地ラインからのコモンモードノイズにも強い耐性を持つ。
図2のコンパレータ300はラッチ回路の正帰還によるハイ、ロー2つの安定点に推移する性質を利用して、入力電圧Vinp,Vinnの電位差を増幅する。したがって、図1のように、インバータを多段に接続する必要はなく、回路面積を小さくできるという利点もある。すなわち図1のコンパレータ1では、複数のインバータを多段に接続することによりゲインをかせいで、後段インバータが十分判定可能な信号振幅まで電位差を増幅するところ、インバータ2の段数を4段、あるいはそれ以上にする必要があり、速度、消費電力、面積の点で不利である。一方、図2のコンパレータ300によれば、インバータを2個に減らすことができ、微小な電位差を判定する上で、速度、消費電力、面積の点で有利となる。
図2のコンパレータ300の動作シーケンスは、図3に限定されず、修正、変更することができる。図4は、図2のコンパレータ300の動作シーケンスの変形例のタイムチャートである。
1.充電フェーズφ
はじめに、第4スイッチSW4をオンとして、第1キャパシタC1を充電する。このとき、第1スイッチSW1はオフである。
2.オフセットキャンセルフェーズφ
続いて、第4スイッチSW4をオフし、第1キャパシタC1を電源ライン302から切り離す。また第1スイッチSW1〜第3スイッチSW3をオンする。第1スイッチSW1がオンとなると、第1キャパシタC1に蓄えられた電荷によって、第1インバータINV1、第2インバータINV2が動作可能となる。
そして第2スイッチSW2がオンすることで第1インバータINV1の入出力間がショートされ、入力電圧Vが、第1インバータINV1のしきい値電圧Vth1に初期化される。
A(INIT)=Vth1
同様に第3スイッチSW3がオンすることで第2インバータINV2の入出力間がショートされ、その入力電圧Vが、第2インバータINV2のしきい値電圧Vth2に初期化される。
B(INIT)=Vth2
この変形例では、このフェーズφにおいて、スイッチSWcがオンとなり、スイッチSWinpとキャパシタCinpを結ぶ配線(あるいはノード)xと、スイッチSWinnとキャパシタCinnを結ぶ配線(あるいはノード)yがショートされる。これにより、配線x、yそれぞれにチャージされている電荷をディスチャージし、電荷の差分を除去できる。P入力とN入力の差分を除去できればよいため、スイッチSWcに代えて、ノードx,yに同じ電圧を印加する回路を追加してもよい。またこのスイッチSWcは、充電フェーズφにおいてオンさせてもよい。
3. サンプリングフェーズφ
スイッチSWinpがオンする。これにより、キャパシタCinp、Cinnを用いて一方の入力電圧Vinpがサンプリングされる。キャパシタCinpの両端間の電圧は、Vinp−VA(INIT)=Vinp−Vth1となり、キャパシタCinnの両端間の電圧ΔVcinnは、ΔVcinn=Vinp−VB(INIT)=Vinp−Vth2となる。
4. 比較フェーズφ
第2スイッチSW2および第3スイッチSW3がオフとなり、スイッチSWinnがオンとなる。キャパシタCinnの電荷(両端間電圧ΔVcinn)が保存されるから、第2インバータINV2の入力電圧Vは、初期電圧VB(INIT)からV’に変化する。
’=Vinn−ΔVcinn
=Vinn−(Vinp−Vth2)
=(Vinn−Vinp)+Vth2
したがって、第2インバータINV2の出力は、(Vinn−Vinp)>0のとき、ロー、(Vinn−Vinp)<0のとき、ハイとなり、比較ステージ320は、入力電圧VinpとVinnの大小関係に応じた状態でラッチされる。
本発明は、図2のブロック図や回路図として把握され、あるいは上述の説明から導かれるさまざまな装置、方法に及ぶものであり、特定の構成に限定されるものではない。以下、本発明の範囲を狭めるためではなく、発明の本質や動作の理解を助け、またそれらを明確化するために、より具体的な構成例や実施例を説明する。
図5は、一実施例に係るコンパレータ300Aの回路図である。この例では、図2の第1スイッチSW1が、第1インバータINV1、第2インバータINV2それぞれの内部に設けられている。この例では第1スイッチSW1は、各インバータの出力とハイサイドトランジスタ(PMOSトランジスタ)のドレインの間に設けられる。なお第1スイッチSW1の配置はこれに限定されず、PMOSトランジスタのソースと第4スイッチSW4の間に設けてもよい。あるいは、NMOSトランジスタ側に設けてもよい。要するに第1スイッチSW1は、第1インバータINV1、第2インバータINV2を介して第1キャパシタC1の電荷の放電を阻止できる箇所に設ければよい。
図6は、一実施例に係るコンパレータ300Bの回路図である。この例では、電源ライン302側の第4スイッチSW4に加えて、接地ライン304側にも第4スイッチSW4が設けられている。さらに、第1スイッチSW1,SW1が、電源ライン302側と接地ライン304側の両方に設けられる。
図7は、一実施例に係るコンパレータ300Cの回路図である。この実施例では図6の第1スイッチSW1,SW1が、インバータINV1,INV2それぞれに組み込まれている。
図8は、一実施例に係るコンパレータ300Eの回路図である。この例では、接地ライン304側にのみ、第1スイッチSW1および第4スイッチSW4が設けられている。図7に習って、第1スイッチSW1をインバータINV1,INV2に組み込んでもよい。
続いて、入力ステージ310の変形例を説明する。
図9(a)〜(c)は、シングルエンド入力の入力ステージ310の変形例を示す回路図である。図9(a)の入力ステージ310は、図2等のそれと同様である。
図9(b)の入力ステージ310は、図9(a)の第3入力スイッチSWcに代えて、2個の入力スイッチSWcp,SWcnを含む。これにより比較動作の際に、キャパシタCinp,Cinnの一端x、yに、所定の電圧Vbを印加できるため、ノイズ等による電荷量のシフトを防止できる。電圧Vbは、接地電圧であってもよいし、電源電圧であってもよいし、中間電圧であってもよい。
図9(c)の入力ステージ310は、図9(a)と(b)の組み合わせと把握できる。入力電圧の一方は、基準電圧Vrefであり、その基準電圧Vrefが所定電圧Vbとして、スイッチSWcp、SWcnを介して、ノードx、yに印加される。
図9(d)の入力ステージ310は、図1のコンパレータ1と同じ使い方で制御される。この形式は、入力ステージ310の前段に接続される回路(たとえばバッファ)の出力インピーダンスが十分に低い場合に有用である。
これまでの説明では、シングルエンドのコンパレータを説明したが、本発明は差動形式のコンパレータにも適用できる。
図10は、一実施例に係るコンパレータ300Dの回路図である。このコンパレータ300Dは完全差動型である。コンパレータ300には、2つの差動信号Vain(p/n),Vbin(p/n)が入力され、コンパレータ300は、一方の差動信号Vain(p/n)の差動成分と、他方の差動信号Vbin(p/n)の差動成分を比較する。
ここでは、コンパレータ300Dの比較ステージ320として、図2のそれと同じものを示すが、その他の比較ステージを採用してもよい。
入力ステージ310Dは、キャパシタCinp,Cinn、第3入力スイッチSWcに加えて、複数の入力スイッチSWap,SWan,SWbp,SWbnを含む。
続いて図10のコンパレータ300Dの動作を説明する。図11は、図10のコンパレータ300Dの動作波形図である。
1.充電フェーズφ
はじめに、第4スイッチSW4をオンとして、第1キャパシタC1を充電する。このとき第1スイッチSW1はオフである。
2.オフセットキャンセルフェーズφ
続いて、第4スイッチSW4をオフし、第1キャパシタC1を電源ライン302から切り離すとともに、第1スイッチSW1〜第3スイッチSW3をオンする。このときスイッチSWcもオンされる。第1スイッチSW1がオンとなると、第1キャパシタC1に蓄えられた電荷によって、第1インバータINV1、第2インバータINV2が動作可能となる。
そして第2スイッチSW2がオンすることで第1インバータINV1の入出力間がショートされ、入力電圧Vが、第1インバータINV1のしきい値電圧Vth1に初期化される。
A(INIT)=Vth1
同様に第3スイッチSW3がオンすることで第2インバータINV2の入出力間がショートされ、その入力電圧Vが、第2インバータINV2のしきい値電圧Vth2に初期化される。
B(INIT)=Vth2
オフセットキャンセルフェーズφにおいて、スイッチSWcがオンされ、配線(ノード)x、yの電荷の差分が除去される。
3. サンプリングフェーズφ
スイッチSWcおよび第2スイッチSW2,SW3がオフ、スイッチSWainp,SWainnがオンとなる。キャパシタCinpは、以下の電圧ΔVpで充電される。
ΔVp=(Vainp−VA(INIT))=Vainp−Vth1
同様に、キャパシタCinnは、以下の電圧ΔVnで充電される。
ΔVn=(Vainn−VB(INIT))=Vainn−Vth2
4. 比較フェーズφ
スイッチSWainp,SWainnがオフとなり、代わりにスイッチSWbinp,SWbinnがオンとなる。キャパシタCinpの電荷が保存されるから、第1インバータINV1の入力電圧Vは、以下の電圧V’に遷移する。
’=Vbinp−ΔVp
=Vbinp−(Vainp−Vth1)
=(Vbinp−Vainp)+Vth1
第1インバータINV1は、自身の入力ノードの電圧V’と自身のしきい値電圧Vth1の大小関係に応じた状態に遷移する。すなわちVbinp−Vainp>0であれば、その出力はローとなり、Vbinp−Vainp<0であれば、その出力はハイとなる。
同様に、キャパシタCinnの電荷が保存されるから、第2インバータINV2の入力電圧Vは、以下の電圧V’に遷移する。
’=Vbinn−ΔVn
=Vbinn−(Vainn−Vth2)
=(Vbinn−Vainn)+Vth2
第2インバータINV2は、自身の入力ノードの電圧V’と自身のしきい値電圧Vth2の大小関係に応じた状態に遷移する。すなわちVbinn−Vainn>0であれば、その出力はローとなり、Vbinn−Vainn<0であれば、その出力はハイとなる。
上述のように2つのインバータINV1,INV2はラッチ回路を形成しており、その正帰還によって、高速に、電圧の比較結果を得ることができる。
なお、図10のコンパレータ300Dにおいて、Vbinp,VbinnおよびVainnをショートし、シングルエンドのコンパレータとして動作させることも可能であり、これは、図9(c)の構成と等価である。
図10のコンパレータ300Dにおいて、その前段に接続される回路(たとえばバッファ)の出力インピーダンスが十分に低い場合には、第3入力スイッチSWcを省略してもよい。
コンパレータ300は、高精度かつ低消費電力が要求されるさまざまなアプリケーションに有用である。
実施の形態にもとづき、具体的な用語を用いて本発明を説明したが、実施の形態は、本発明の原理、応用を示しているにすぎず、実施の形態には、請求の範囲に規定された本発明の思想を逸脱しない範囲において、多くの変形例や配置の変更が認められる。
300 コンパレータ
C1 第1キャパシタ
C2 第2キャパシタ
C3 第3キャパシタ
Cinp,Cinn 入力キャパシタ
302 電源ライン
304 接地ライン
310 入力ステージ
320 比較ステージ
INV1 第1インバータ
INV2 第2インバータ
SW1 第1スイッチ
SW2 第2スイッチ
SW3 第3スイッチ
SW4 第4スイッチ
SWinp 第1入力スイッチ
SWinn 第2入力スイッチ
SWc 第3入力スイッチ

Claims (4)

  1. 第1キャパシタと、
    前記第1キャパシタの両端間に、直列に接続される第1インバータおよび第1スイッチと、
    前記第1インバータと並列に接続される第2インバータと、
    前記第1インバータの入出力間に設けられる第2スイッチと、
    前記第2インバータの入出力間に設けられる第3スイッチと、
    前記第1インバータの出力と前記第2インバータの入力の間に設けられる第2キャパシタと、
    前記第2インバータの出力と前記第1インバータの入力の間に設けられる第3キャパシタと、
    前記第1キャパシタの上側電極と電源ラインの間、前記第1キャパシタの下側電極と接地ラインの間の一方に設けられる第4スイッチと、
    を備えることを特徴とする電圧コンパレータ。
  2. 前記第1スイッチは、前記第1インバータおよび前記第1インバータの内部に設けられることを特徴とする請求項1に記載の電圧コンパレータ。
  3. 前記第1キャパシタの上側電極と電源ラインの間、前記第1キャパシタの下側電極と接地ラインの間の他方に設けられる別の第4スイッチをさらに備えることを特徴とする請求項1または2に記載の電圧コンパレータ。
  4. 前記第1スイッチは、前記インバータの上側、下側の両方に設けられることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の電圧コンパレータ。
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