JP2021048212A - 電子デバイス、電荷輸送性膜、及び、アミン化合物 - Google Patents

Abstract

【課題】耐熱性に優れる電子デバイスを提供すること。【解決手段】有機化合物層が、式（１−１）で表されるアミン化合物を少なくとも硬化してなる硬化物を含む電子デバイス。【選択図】図１

Description

本発明は、電子デバイス、電荷輸送性膜、及び、アミン化合物に関する。

有機電界発光素子をはじめとして、有機トランジスタ、有機太陽電池などの電子デバイスが備える、電荷輸送性能を有する膜に関する研究が盛んに進められている。

また、従来の有機エレクトロニクス用材料としては、特許文献１乃至特許文献３に記載されたものが知られている。
特許文献１には、分子内に、１つ以上の重合可能な置換基と２つ以上のカルバゾール基とを有する化合物を含有する有機エレクトロニクス用材料が開示されている。
特許文献２には、ａ）１つ以上のカチオン重合性置換基を有する電荷輸送性化合物と、ｂ）カチオン重合開始剤と、ｃ）ラジカル重合開始剤と、を含有することを特徴とする有機エレクトロニクス用材料が開示されている。
特許文献３には、下記化学式（１）又は化学式（２）で表されるカルバゾール誘導体が開示されている。

特開２００８−２４４４７１号公報 特開２０１２−１９０９８８号公報 特開２０１３−０６０３６８号公報

本発明が解決しようとする課題は、後述する比較化合物２−１のような従来のアミン化合物を用いる場合に比べ、耐熱性に優れる電子デバイスを提供することである。

前記課題を解決するための具体的手段には、下記の態様が含まれる。
＜１＞ 有機化合物層を有し、前記有機化合物層が、下記式（１−１）で表されるアミン化合物を少なくとも硬化してなる硬化物を含む電子デバイス。

式（１−１）〜式（１−４）中、
Ｘは、前記式（１−２）乃至式（１−４）のいずれかで表される基を表し、
Ａｒは、置換基を有してもよい、三価の単環の芳香環基又は三価の複素芳香環基を表し、
Ｚ^１〜Ｚ^２８及びＺ^３１〜Ｚ^４０はそれぞれ独立に、Ｃ−Ｒ^Ａ、Ｃ−Ｒ^Ｄ又はＮを表し、
Ｚ^２９及びＺ^３０はそれぞれ独立に、Ｃ−Ｒ^Ｂ又はＣ−Ｒ^Ｄを表し、
Ｒ^Ａはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、又は、アラルキル基を表し、
Ｒ^Ｂはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アラルキル基、又は、２つのＲ^Ｂが結合して５員若しくは６員の脂環構造を形成する基を表し、
Ｒ^Ｄはそれぞれ独立に、下記式（Ｄ）で表される基を表し、
また、式（１−１）で表されるアミン化合物は、Ｒ^Ｄを１つ以上有する。

式（Ｄ）中、
Ｌ^１は、アルキレン基、−Ｃ＝Ｃ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒ）−、−Ｏ−、−Ｓ−、アルカン若しくはアルケンから３つの水素原子を除いた三価の基、又は、これらの基を２以上組み合わせてなる基であり、かつ、４つ以上の原子から構成される長さの（ｎ＋１）価の連結基を表し、
Ｒはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、又は、アラルキル基を表し、
Ｒ^ｓＤはそれぞれ独立に、アルキル基、アリール基、又は、アラルキル基を表し、
ｎは、１又は２を表し、
ｎＤは０〜４の整数を表し、
波線部分は、他の構造との結合位置を表す。

＜２＞ Ａｒが、置換基を有してもよい、ベンゼン、フラン、チオフェン、ピリジン及びトリアジンよりなる群から選ばれた化合物から水素原子を３つ除いた三価の基である＜１＞に記載の電子デバイス。
＜３＞ Ｚ^１〜Ｚ^８を含む環構造を有するＡｒに結合する基、Ｚ^９〜Ｚ^１６を含む環構造を有するＡｒに結合する基、及び、前記式（１−２）で表される基がそれぞれ独立に、下記式（Ｃａ−１）〜式（Ｃａ−６）のいずれかで表される基である＜１＞又は＜２＞に記載の電子デバイス。

式（Ｃａ−１）〜式（Ｃａ−６）中、Ｒ^ｓはそれぞれ独立に、水素原子又はＲ^Ｄを表し、Ｒ^Ｄはそれぞれ独立に、前記式（Ｄ）で表される基を表し、波線部分はＡｒとの結合位置を表す。

＜４＞ 前記式（１−３）で表される基が、下記式（Ｉｎ−１）〜式（Ｉｎ−６）のいずれかで表される基である＜１＞乃至＜３＞のいずれか１つに記載の電子デバイス。

式（Ｉｎ−１）〜式（Ｉｎ−６）中、Ｒ^ｓはそれぞれ独立に、水素原子又はＲ^Ｄを表し、Ｒ^Ｄはそれぞれ独立に、前記式（Ｄ）で表される基を表し、波線部分はＡｒとの結合位置を表す。

＜５＞ 前記式（１−４）で表される基が、下記式（Ｄｉ−１）〜式（Ｄｉ−６）のいずれかで表される基である＜１＞乃至＜４＞のいずれか１つに記載の電子デバイス。

式（Ｄｉ−１）〜式（Ｄｉ−６）中、Ｒ^ｓはそれぞれ独立に、水素原子又はＲ^Ｄを表し、Ｒ^Ｄはそれぞれ独立に、前記式（Ｄ）で表される基を表し、波線部分はＡｒとの結合位置を表す。

＜６＞ Ｌ^１が、アルキレン基、−Ｃ＝Ｃ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｏ−、アルカン若しくはアルケンから３つの水素原子を除いた三価の基、又は、これらの基を２以上組み合わせてなる基であり、かつ、４つ以上の原子から構成される長さの（ｎ＋１）価の連結基である＜１＞乃至＜５＞のいずれか１つに記載の電子デバイス。
＜７＞ 前記式（１−１）で表されるアミン化合物におけるビニルフェニル基の数の合計が、２以上６以下である＜１＞乃至＜６＞のいずれか１つに記載の電子デバイス。
＜８＞ Ｘが、前記式（１−２）又は式（１−３）で表される基である＜１＞乃至＜７＞のいずれか１つに記載の電子デバイス。
＜９＞ Ｘが、前記式（１−２）で表される基である＜８＞に記載の電子デバイス。
＜１０＞ 一方が透明である一対の電極を更に有し、前記有機化合物層が前記一対の電極間に設けられている有機電界発光素子である＜１＞乃至＜９＞のいずれか１つに記載の電子デバイス。
＜１１＞ 前記有機化合物層を有する電子写真感光体である＜１＞乃至＜１０＞のいずれか１つに記載の電子デバイス。
＜１２＞ 式（１−１）で表されるアミン化合物を少なくとも硬化してなる硬化物を含む電荷輸送性膜。

式（１−１）〜式（１−４）中、
Ｘは、前記式（１−２）乃至式（１−４）のいずれかで表される基を表し、
Ａｒは、置換基を有してもよい、三価の単環の芳香環基又は三価の複素芳香環基を表し、
Ｚ^１〜Ｚ^２８及びＺ^３１〜Ｚ^４０はそれぞれ独立に、Ｃ−Ｒ^Ａ、Ｃ−Ｒ^Ｄ又はＮを表し、
Ｚ^２９及びＺ^３０はそれぞれ独立に、Ｃ−Ｒ^Ｂ又はＣ−Ｒ^Ｄを表し、
Ｒ^Ａはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、又は、アラルキル基を表し、
Ｒ^Ｂはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アラルキル基、又は、２つのＲ^Ｂが結合して５員若しくは６員の脂環構造を形成する基を表し、
Ｒ^Ｄはそれぞれ独立に、下記式（Ｄ）で表される基を表し、
また、式（１−１）で表されるアミン化合物は、Ｒ^Ｄを１つ以上有する。

式（Ｄ）中、
Ｌ^１は、アルキレン基、−Ｃ＝Ｃ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒ）−、−Ｏ−、−Ｓ−、アルカン若しくはアルケンから３つの水素原子を除いた三価の基、又は、これらの基を２以上組み合わせてなる基であり、かつ、４つ以上の原子から構成される長さの（ｎ＋１）価の連結基を表し、
Ｒはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、又は、アラルキル基を表し、
Ｒ^ｓＤはそれぞれ独立に、アルキル基、アリール基、又は、アラルキル基を表し、
ｎは、１又は２を表し、
ｎＤは０〜４の整数を表し、
波線部分は、他の構造との結合位置を表す。

＜１３＞ 下記式（１−１）で表されるアミン化合物。

式（１−１）〜式（１−４）中、
Ｘは、前記式（１−２）乃至式（１−４）のいずれかで表される基を表し、
Ａｒは、置換基を有してもよい、三価の単環の芳香環基又は三価の複素芳香環基を表し、
Ｚ^１〜Ｚ^２８及びＺ^３１〜Ｚ^４０はそれぞれ独立に、Ｃ−Ｒ^Ａ、Ｃ−Ｒ^Ｄ又はＮを表し、
Ｚ^２９及びＺ^３０はそれぞれ独立に、Ｃ−Ｒ^Ｂ又はＣ−Ｒ^Ｄを表し、
Ｒ^Ａはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、又は、アラルキル基を表し、
Ｒ^Ｂはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アラルキル基、又は、２つのＲ^Ｂが結合して５員若しくは６員の脂環構造を形成する基を表し、
Ｒ^Ｄはそれぞれ独立に、下記式（Ｄ）で表される基を表し、
また、式（１−１）で表されるアミン化合物は、Ｒ^Ｄを１つ以上有する。

式（Ｄ）中、
Ｌ^１は、アルキレン基、−Ｃ＝Ｃ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒ）−、−Ｏ−、−Ｓ−、アルカン若しくはアルケンから３つの水素原子を除いた三価の基、又は、これらの基を２以上組み合わせてなる基であり、かつ、４つ以上の原子から構成される長さの（ｎ＋１）価の連結基を表し、
Ｒはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、又は、アラルキル基を表し、
Ｒ^ｓＤはそれぞれ独立に、アルキル基、アリール基、又は、アラルキル基を表し、
ｎは、１又は２を表し、
ｎＤは０〜４の整数を表し、
波線部分は、他の構造との結合位置を表す。

＜１４＞ Ａｒが、置換基を有してもよい、ベンゼン、フラン、チオフェン、ピリジン及びトリアジンよりなる群から選ばれた化合物から水素原子を３つ除いた三価の基である＜１３＞に記載のアミン化合物。
＜１５＞ Ｚ^１〜Ｚ^８を含む環構造を有するＡｒに結合する基、Ｚ^９〜Ｚ^１６を含む環構造を有するＡｒに結合する基、及び、前記式（１−２）で表される基がそれぞれ独立に、下記式（Ｃａ−１）〜式（Ｃａ−６）のいずれかで表される基である＜１３＞又は＜１４＞に記載のアミン化合物。

式（Ｃａ−１）〜式（Ｃａ−６）中、Ｒ^ｓはそれぞれ独立に、水素原子又はＲ^Ｄを表し、Ｒ^Ｄはそれぞれ独立に、前記式（Ｄ）で表される基を表し、波線部分はＡｒとの結合位置を表す。

＜１６＞ 前記式（１−３）で表される基が、下記式（Ｉｎ−１）〜式（Ｉｎ−６）のいずれかで表される基である＜１３＞乃至＜１５＞のいずれか１つに記載のアミン化合物。

式（Ｉｎ−１）〜式（Ｉｎ−６）中、Ｒ^ｓはそれぞれ独立に、水素原子又はＲ^Ｄを表し、Ｒ^Ｄはそれぞれ独立に、前記式（Ｄ）で表される基を表し、波線部分はＡｒとの結合位置を表す。

＜１７＞ 前記式（１−４）で表される基が、下記式（Ｄｉ−１）〜式（Ｄｉ−６）のいずれかで表される基である＜１３＞乃至＜１６＞のいずれか１つに記載のアミン化合物。

式（Ｄｉ−１）〜式（Ｄｉ−６）中、Ｒ^ｓはそれぞれ独立に、水素原子又はＲ^Ｄを表し、Ｒ^Ｄはそれぞれ独立に、前記式（Ｄ）で表される基を表し、波線部分はＡｒとの結合位置を表す。

＜１８＞ Ｌ^１が、アルキレン基、−Ｃ＝Ｃ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｏ−、アルカン若しくはアルケンから３つの水素原子を除いた三価の基、又は、これらの基を２以上組み合わせてなる基であり、かつ、４つ以上の原子から構成される長さの（ｎ＋１）価の連結基である＜１３＞乃至＜１７＞のいずれか１つに記載のアミン化合物。
＜１９＞ 前記式（１−１）で表されるアミン化合物におけるビニルフェニル基の数の合計が、２以上６以下である＜１３＞乃至＜１８＞のいずれか１つに記載のアミン化合物。
＜２０＞ Ｘが、前記式（１−２）又は式（１−３）で表される基である＜１３＞乃至＜１９＞のいずれか１つに記載の電子デバイス。
＜２１＞ Ｘが、前記式（１−２）で表される基である＜２０＞に記載のアミン化合物。

前記＜１＞、＜３＞、＜４＞、＜５＞、＜１０＞又は＜１１＞に係る発明によれば、後述する比較化合物２−１のような従来のアミン化合物を用いる場合に比べ、耐熱性に優れる電子デバイスが提供される。
前記＜２＞に係る発明によれば、前記式（１−１）におけるＡｒが三価の脂肪族炭化水素基である場合に比べ、耐熱性により優れる電子デバイスが提供される。
前記＜６＞に係る発明によれば、前記式（Ｄ）におけるＬ^１が−Ｎ（Ｒ）−又は−Ｓ−を有する基である場合に比べ、耐熱性により優れる電子デバイスが提供される。
前記＜７＞に係る発明によれば、前記式（１−１）で表されるアミン化合物におけるビニルフェニル基の数の合計が、１又は７以上である場合に比べ、耐熱性により優れる電子デバイスが提供される。
前記＜８＞に係る発明によれば、前記式（１−１）におけるＸが、前記式（１−４）で表される基である場合に比べ、耐熱性により優れる電子デバイスが提供される。
前記＜９＞に係る発明によれば、前記式（１−１）におけるＸが、前記式（１−３）又は式（１−４）で表される基である場合に比べ、耐熱性により優れる電子デバイスが提供される。

前記＜１２＞に係る発明によれば、後述する比較化合物２−１のような従来のアミン化合物を用いる場合に比べ、耐熱性に優れる電荷輸送性膜が提供される。

前記＜１３＞、＜１５＞、＜１６＞又は＜１７＞に係る発明によれば、後述する比較化合物２−１のような従来のアミン化合物を用いる場合に比べ、得られる硬化物の耐熱性に優れる新規なアミン化合物が提供される。
前記＜１４＞に係る発明によれば、前記式（１−１）におけるＡｒが三価の脂肪族炭化水素基である場合に比べ、得られる硬化物の耐熱性により優れるアミン化合物が提供される。
前記＜１８＞に係る発明によれば、前記式（Ｄ）におけるＬ^１が−Ｎ（Ｒ）−又は−Ｓ−を有する基である場合に比べ、得られる硬化物の耐熱性により優れるアミン化合物が提供される。
前記＜１９＞に係る発明によれば、前記式（１−１）で表されるアミン化合物におけるビニルフェニル基の数の合計が、１又は７以上である場合に比べ、得られる硬化物の耐熱性により優れるアミン化合物が提供される。
前記＜２０＞に係る発明によれば、前記式（１−１）におけるＸが、前記式（１−４）で表される基である場合に比べ、得られる硬化物の耐熱性により優れるアミン化合物が提供される。
前記＜２１＞に係る発明によれば、前記式（１−１）におけるＸが、前記式（１−３）又は式（１−４）で表される基である場合に比べ、得られる硬化物の耐熱性により優れるアミン化合物が提供される。

本実施形態に係る有機電界発光素子の一例の模式的断面図である。 本実施形態に係る有機電界発光素子の一例の模式的断面図である。 本実施形態に係る有機電界発光素子の一例の模式的断面図である。 本実施形態に係る有機電界発光素子の一例の模式的断面図である。 化合物１−１の^１Ｈ−ＮＭＲチャートである。

本明細書において組成物中の各成分の量について言及する場合、組成物中に各成分に該当する物質が複数種存在する場合には、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の物質の合計量を意味する。

以下、本発明の一例である実施形態について説明する。

＜電子デバイス＞
本実施形態に係る電子デバイスは、有機化合物層を有し、前記有機化合物層が、下記式（１−１）で表されるアミン化合物を少なくとも硬化してなる硬化物を含む。

式（１−１）〜式（１−４）中、
Ｘは、前記式（１−２）乃至式（１−４）のいずれかで表される基を表し、
Ａｒは、置換基を有してもよい、三価の単環の芳香環基又は三価の複素芳香環基を表し、
Ｚ^１〜Ｚ^２８及びＺ^３１〜Ｚ^４０はそれぞれ独立に、Ｃ−Ｒ^Ａ、Ｃ−Ｒ^Ｄ又はＮを表し、
Ｚ^２９及びＺ^３０はそれぞれ独立に、Ｃ−Ｒ^Ｂ又はＣ−Ｒ^Ｄを表し、
Ｒ^Ａはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、又は、アラルキル基を表し、
Ｒ^Ｂはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アラルキル基、又は、２つのＲ^Ｂが結合して５員若しくは６員の脂環構造を形成する基を表し、
Ｒ^Ｄはそれぞれ独立に、下記式（Ｄ）で表される基を表し、
また、式（１−１）で表されるアミン化合物は、Ｒ^Ｄを１つ以上有する。

式（Ｄ）中、
Ｌ^１は、アルキレン基、−Ｃ＝Ｃ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒ）−、−Ｏ−、−Ｓ−、アルカン若しくはアルケンから３つの水素原子を除いた三価の基、又は、これらの基を２以上組み合わせてなる基であり、かつ、４つ以上の原子から構成される長さの（ｎ＋１）価の連結基を表し、
Ｒはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、又は、アラルキル基を表し、
Ｒ^ｓＤはそれぞれ独立に、アルキル基、アリール基、又は、アラルキル基を表し、
ｎは、１又は２を表し、
ｎＤは０〜４の整数を表し、
波線部分は、他の構造との結合位置を表す。

従来、有機電界発光素子において、架橋基を有する化合物の硬化物を含む有機化合物層を備える技術が知られている。しかしながら、従来の有機電界発光素子では、良好な耐熱性が得られていない。
本実施形態に係る電子デバイスは、上記構成により、耐熱性に優れる。この理由は定かではないが、以下に示す理由によるものと推測される。
前記式（１−１）で表されるアミン化合物を少なくとも硬化してなる硬化物を含むことにより、前記アミン化合物において、ベンゼン環を中心に３つの窒素原子を有する構造が導入されることでねじれ構造となり、また、架橋構造を形成する特定構造である前記式（Ｄ）で表される基を有するため、その硬化物が高い三重項エネルギーを有し、かつ、熱に対する安定性が向上し、耐熱性に優れる。

また、本実施形態に係る電子デバイスは、ベンゼン環を中心に３つの窒素原子を有する構造が導入されることでねじれ構造になるため、その硬化物が高い三重項エネルギーを有し、輝度にも優れ、また、前述したように硬化物が高い三重項エネルギーを有するため、熱及び光などに対する安定性が向上し、長期輝度安定性にも優れる。

以下、本実施形態に係る電子デバイスについて詳細に説明する。

（有機化合物層）
本実施形態に係る電子デバイスは、有機化合物層を有し、前記有機化合物層が、下記式（１−１）で表されるアミン化合物を少なくとも硬化してなる硬化物を含む。
前記有機化合物層は、外部量子効率の向上や電荷注入量の向上などの観点から、後述する他の添加剤を含んでもよい。
前記有機化合物層は、例えば、有機電界発光素子に使用する場合は、発光層であることが好ましく、また、電子写真感光体又は有機太陽電池に使用する場合は、電荷輸送層（電荷輸送性膜）であることが好ましい。
また、前記有機化合物層は、単層であっても、２以上の有機化合物層が積層した層であってもよく、積層した層である場合は、少なくとも１層が前記有機化合物層であればよいが、発光層として設けられた全ての有機化合物層が、前記有機化合物層であることが好ましい。
各有機化合物層の厚さは、電子デバイスの用途等にもよるが、０．００１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、０．００１μｍ以上５μｍ以下であることがより好ましい。

〔式（１−１）で表されるアミン化合物〕
式（１−１）におけるＸは、発光特性の観点からは、前記式（１−２）又は式（１−３）で表される基であることが好ましく、前記式（１−２）で表される基であることがより好ましい。
また、式（１−１）におけるＸは、合成上、及び、耐熱性の観点からは、前記式（１−４）で表される基であることが好ましい。
式（１−１）におけるＡｒは、輝度、長期輝度安定性、及び、耐熱性の観点から、置換基を有してもよい、ベンゼン、フラン、チオフェン、ピリジン及びトリアジンよりなる群から選ばれた化合物から水素原子を３つ除いた三価の基であることが好ましく、ベンゼン、ピリジン及びトリアジンよりなる群から選ばれた化合物から水素原子を３つ除いた三価の基であることがより好ましく、ベンゼンから水素原子を３つ除いた三価の基であることが更に好ましく、１，３，５−ベンゼントリイル基であることが特に好ましい。
Ａｒが有していてもよい置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、ハロゲン原子等が挙げられる。また、これらの置換基は、これら置換基により更に置換されていてもよい。前記置換基として具体的には、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基、無置換のフェニル基、炭素数１以上４以下のアルキル基若しくはアルコキシ基で置換されたフェニル基、炭素数７以上１０以下のアラルキル基、及び、ハロゲン原子等が好ましく挙げられる。

式（１−１）におけるＺ^１〜Ｚ^２８及びＺ^３１〜Ｚ^４０はそれぞれ独立に、輝度、長期輝度安定性、及び、耐熱性の観点から、Ｃ−Ｈ、Ｃ−Ｒ^Ｄ又はＮであることが好ましく、Ｃ−Ｈ又はＣ−Ｒ^Ｄであることがより好ましい。
式（１−１）におけるＺ^２９及びＺ^３０はそれぞれ独立に、輝度、長期輝度安定性、及び、耐熱性の観点から、Ｃ−Ｒ^Ｂであることが好ましい。
式（１−１）におけるＲ^Ａはそれぞれ独立に、輝度、長期輝度安定性、及び、耐熱性の観点から、水素原子、又は、アルキル基であることが好ましく、水素原子、又は、炭素数１〜４のアルキル基であることがより好ましく、水素原子、メチル基、又は、エチル基であることが更に好ましく、水素原子であることが特に好ましい。
式（１−１）におけるＲ^Ｂはそれぞれ独立に、輝度、長期輝度安定性、及び、耐熱性の観点から、水素原子、アルキル基、又は、２つのＲ^Ｂが結合して５員若しくは６員の脂環構造を形成する基であることが好ましく、水素原子、メチル基、２つのＲ^Ｂが結合して５員若しくは６員の脂環構造を形成する基であることがより好ましく、水素原子、又は、メチル基であることが更に好ましく、水素原子であることが特に好ましい。

式（１−１）で表されるアミン化合物は、長期輝度安定性、及び、耐熱性の観点から、Ｒ^Ｄを２つ以上有することが好ましく、２つ以上６つ以下有することが好ましく、２つ以上４つ以下有することがより好ましく、２つ有することが特に好ましい。
また、式（１−１）で表されるアミン化合物におけるビニルフェニル基の数の合計は、長期輝度安定性、及び、耐熱性の観点から、２以上１２以下であることが好ましく、２以上６以下であることがより好ましく、４以上６以下であることが更に好ましく、４であることが特に好ましい。
更に、式（１−１）において、長期輝度安定性、及び、耐熱性の観点から、Ｚ^３、Ｚ^６、Ｚ^１１、Ｚ^１４、Ｚ^３３及びＺ^３８のうちの少なくとも１つがＣ−Ｒ^Ｄであることが好ましく、Ｚ^３、Ｚ^６、Ｚ^１１、Ｚ^１４、Ｚ^３３及びＺ^３８のうちの少なくとも２つがＣ−Ｒ^Ｄであることがより好ましく、Ｚ^３、Ｚ^１４、Ｚ^３３及びＺ^３８のうちの少なくとも２つがＣ−Ｒ^Ｄであることが特に好ましい。

式（Ｄ）におけるＬ^１は、輝度、長期輝度安定性、及び、耐熱性の観点から、アルキレン基、−Ｃ＝Ｃ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｏ−、アルカン若しくはアルケンから３つの水素原子を除いた三価の基、又は、これらの基を２以上組み合わせてなる基であり、かつ、４つ以上の原子から構成される長さの（ｎ＋１）価の連結基であることが好ましく、１以上のアルキレン基と、１以上の−Ｏ−と、１以上のアルカンから３つの水素原子を除いた三価の基とを組み合わせてなる基であることが特に好ましい。
また、式（Ｄ）におけるＬ^１は、４つ以上の原子から構成される長さの（ｎ＋１）価の連結基である。本実施形態において、Ｌ^１の「４つ以上の原子から構成される長さ」とは、ｎ個のビニルフェニル構造と、Ｚ^１〜Ｚ^４０とを連結するために必要なＬ^１における連結鎖の最小の原子数が４つ以上であることを表す。例えば、前記連結鎖にメチレン基が含まれるのであれば、炭素原子のみを数え、２つの水素原子は数えない。例えば、Ｌ^１が、−ＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_２−Ｏ−ＣＨ_２−）_２であれば、前記長さは、８原子である。
式（Ｄ）におけるＲは、アルキル基、アリール基、又は、アラルキル基であることが好ましく、アルキル基であることがより好ましい。
式（Ｄ）におけるｎは、長期輝度安定性、及び、耐熱性の観点からは、２であることが好ましく、また、合成上の観点からは、１であることが好ましい。
式（Ｄ）におけるＲ^ｓＤはそれぞれ独立に、アルキル基であることが好ましい。
式（Ｄ）におけるｎＤは、０〜２の整数であることが好ましく、０又は１であることがより好ましく、０であることが特に好ましい。

式（１−１）におけるＺ^１〜Ｚ^８を含む環構造を有するＡｒに結合する基、Ｚ^９〜Ｚ^１６を含む環構造を有するＡｒに結合する基、及び、前記式（１−２）で表される基は、それぞれ独立に、輝度、長期輝度安定性、及び、耐熱性の観点から、下記式（Ｃａ−１）〜式（Ｃａ−６）のいずれかで表される基であることが好ましく、下記式（Ｃａ−１）〜式（Ｃａ−５）のいずれかで表される基であることがより好ましく、下記式（Ｃａ−１）で表される基であることが特に好ましい。

式（Ｃａ−１）〜式（Ｃａ−６）中、Ｒ^ｓはそれぞれ独立に、水素原子又はＲ^Ｄを表し、Ｒ^Ｄはそれぞれ独立に、前記式（Ｄ）で表される基を表し、波線部分はＡｒとの結合位置を表す。

式（１−１）における前記式（１−３）で表される基は、輝度、長期輝度安定性、及び、耐熱性の観点から、下記式（Ｉｎ−１）〜式（Ｉｎ−６）のいずれかで表される基であることが好ましく、下記式（Ｉｎ−１）〜式（Ｉｎ−４）のいずれかで表される基であることがより好ましく、下記式（Ｉｎ−１）で表される基であることが特に好ましい。

式（Ｉｎ−１）〜式（Ｉｎ−６）中、Ｒ^ｓはそれぞれ独立に、水素原子又はＲ^Ｄを表し、Ｒ^Ｄはそれぞれ独立に、前記式（Ｄ）で表される基を表し、波線部分はＡｒとの結合位置を表す。

前記式（１−１）における前記式（１−４）で表される基は、輝度、長期輝度安定性、及び、耐熱性の観点から、下記式（Ｄｉ−１）〜式（Ｄｉ−６）のいずれかで表される基であることが好ましく、下記式（Ｄｉ−１）〜式（Ｄｉ−５）のいずれかで表される基であることがより好ましく、下記式（Ｄｉ−１）で表される基であることが特に好ましい。

式（Ｄｉ−１）〜式（Ｄｉ−６）中、Ｒ^ｓはそれぞれ独立に、水素原子又はＲ^Ｄを表し、Ｒ^Ｄはそれぞれ独立に、前記式（Ｄ）で表される基を表し、波線部分はＡｒとの結合位置を表す。

式（１−１）で表される化合物として具体的には、下記に示す化合物が好適に挙げられるが、これらに限定されないことは言うまでもない。

式（１−１）で表される化合物の合成方法は、特に制限はないが、例えば、１−ブロモ−３，５−ジフルオロベンゼンを出発原料とし、フルオロ基のカルバゾール置換を行い２つのカルバゾール環を導入し、ブロモ基のカルバゾール置換、インドール置換又はジアリールアミノ置換を行い、また、式（Ｄ）で表される基の導入を行う方法が好適に挙げられる。

前記有機化合物層において、式（１−１）で表されるアミン化合物として、１種を用いてもよく、複数種を併用してもよい。
また、前記有機化合物層に含まれる前記硬化物は、式（１−１）で表されるアミン化合物と他のモノマーとの共重合体であってもよいが、式（１−１）で表されるアミン化合物の単独重合体であることが好ましい。
他のモノマーとしては、公知のエチレン性不飽和化合物を用いることができ、単官能干エチレン性不飽和化合物であっても、多官能エチレン性不飽和化合物であってもよいが、多官能エチレン性不飽和化合物であることが好ましい。
また、他のモノマーの使用量は、式（１−１）で表されるアミン化合物よりも少ないことが好ましく、式（１−１）で表されるアミン化合物の使用量の１／５であることがより好ましく、式（１−１）で表されるアミン化合物の使用量の１／１０であることが更に好ましく、使用しないことが特に好ましい。

また、前記有機化合物層は、オニウム塩、プロトン酸、金属ハロゲン化物及びハロゲンよりなる群から選択される少なくとも１種のドーパントを含有していてもよい。以下、これらドーパントについて説明する。

〔オニウム塩〕
オニウム塩としては、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、アンモニウム塩、カルボニウム塩、ホスホニウム塩などが挙げられる。オニウム塩としては、電荷輸送性膜の抵抗をより低下させる観点から、一般式（７−１）乃至（７−４）で表される化合物から選択される少なくとも１種が好ましい。

一般式（７−１）中、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３はそれぞれ独立に、アルキル基、アリール基、アラルキル基又は芳香族複素環基を表し、Ｘ⁻は対アニオンを表す。

一般式（７−２）中、Ｒ^４及びＲ^５はそれぞれ独立に、アルキル基、アリール基、アラルキル基又は芳香族複素環基を表し、Ｘ⁻は対アニオンを表す。

一般式（７−３）中、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８及びＲ^９はそれぞれ独立に、アルキル基、アリール基、アラルキル基又は芳香族複素環基を表し、Ｘ⁻は対アニオンを表す。

一般式（７−４）中、Ｒ^１０、Ｒ^１１及びＲ^１２はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基又は芳香族複素環基を表し、Ｘ⁻は対アニオンを表す。

一般式（７−１）〜（７−４）において、下記の基が好ましい。
アルキル基としては、炭素数１以上４以下のアルキル基が好ましい。
アリール基としては、無置換のフェニル基、又は炭素数１以上４以下のアルキル基で置換されたフェニル基が好ましい。
アラルキル基としては、炭素数７以上１０以下のアラルキル基が好ましい。
アルコキシ基としては、炭素数１以上４以下のアルコキシ基が好ましい。
アリールオキシ基としては、フェニルオキシ基が好ましい。
芳香族複素環基としては、フラン基、ピロール基、イミダゾール基、ピラゾール基、オキサゾール基、チアゾール基、チエニル基（チオフェンから水素１原子を除いた基）等が挙げられ、イミダゾール基、ピラゾール基が好ましい。

一般式（７−１）〜（７−４）においてＸ⁻で表される対アニオンとしては、例えば、アルキルボレートアニオン、アリールボレートアニオン、過塩素酸イオン、ハロゲンアニオン等が挙げられ、アルキルボレートアニオン又はアリールボレートアニオンが好ましい。アルキルボレートアニオンとしては、例えば、テトラエチルボレートアニオン、テトラメチルボレートアニオン、テトライソブチルボレートアニオン、テトラ−ｎ−プロピルボレートアニオンが挙げられる。アリールボレートアニオンとしては、例えば、テトラフェニルボレートアニオン、テトラ−４−メチルフェニルボレートアニオンが挙げられる。

一般式（７−１）においてＲ^１、Ｒ^２及びＲ^３としては、アリール基、アルキル基が好ましく、無置換のフェニル基、又は、炭素数１以上４以下のアルキル基で置換されたフェニル基がより好ましい。Ｘ⁻としては、ＰＦ_６ ⁻、ＳｂＦ_６ ⁻、ＣＦ_３ＳＯ_３ ⁻、ＣＨ_３ＰｈＳＯ_３ ⁻、ＢＦ_４ ⁻、（Ｃ_６Ｈ_５）_４Ｂ⁻、（Ｃ_６Ｆ_５）_４Ｂ⁻、ＲｆＳＯ_３ ⁻、Ｃｌ⁻、ＣｌＯ_４ ⁻が好ましい。なお、アニオンの記載において、Ｒｆは、パーフルオロアルキル基を表し、Ｐｈはフェニレン基を表す。

一般式（７−２）においてＲ^４及びＲ^５としては、アリール基が好ましく、無置換のフェニル基、又は、炭素数１以上４以下のアルキル基で置換されたフェニル基がより好ましい。Ｘ⁻としては、ＰＦ_６ ⁻、ＳｂＦ_６ ⁻、ＣＦ_３ＳＯ_３ ⁻、ＣＨ_３ＰｈＳＯ_３ ⁻、ＢＦ_４ ⁻、（Ｃ_６Ｈ_５）_４Ｂ⁻、（Ｃ_６Ｆ_５）_４Ｂ⁻、ＲｆＳＯ_３ ⁻、Ｃｌ⁻、ＣｌＯ_４ ⁻が好ましい。

一般式（７−３）においてＲ^６、Ｒ^７、Ｒ^８及びＲ^９としては、アリール基、アルキル基が好ましく、無置換のフェニル基、又は、炭素数１以上４以下のアルキル基で置換されたフェニル基がより好ましい。Ｘ⁻としては、ＰＦ_６ ⁻、ＳｂＦ_６ ⁻、ＣＦ_３ＳＯ_３ ⁻、ＣＨ_３ＰｈＳＯ_３ ⁻、ＢＦ_４ ⁻、（Ｃ_６Ｈ_５）_４Ｂ⁻、（Ｃ_６Ｆ_５）_４Ｂ⁻、ＲｆＳＯ_３ ⁻、Ｃｌ⁻、ＣｌＯ_４ ⁻が好ましい。

一般式（７−４）においてＲ^１０、Ｒ^１１及びＲ^１２としては、アリール基、アルキル基が好ましく、無置換のフェニル基、又は、炭素数１以上４以下のアルキル基で置換されたフェニル基がより好ましい。Ｘ⁻としては、ＰＦ_６ ⁻、ＳｂＦ_６ ⁻、ＣＦ_３ＳＯ_３ ⁻、ＣＨ_３ＰｈＳＯ_３ ⁻、ＢＦ_４ ⁻、（Ｃ_６Ｈ_５）_４Ｂ⁻、（Ｃ_６Ｆ_５）_４Ｂ⁻、ＲｆＳＯ_３ ⁻、Ｃｌ⁻、ＣｌＯ_４ ⁻が好ましい。

オニウム塩の具体的な化合物としては、下記の構造式で表される化合物が挙げられる。下記の構造式において、Ｘ⁻としては、ＰＦ_６ ⁻、ＳｂＦ_６ ⁻、ＣＦ_３ＳＯ_３ ⁻、ＣＨ_３ＰｈＳＯ_３ ⁻、ＢＦ_４ ⁻、（Ｃ_６Ｈ_５）_４Ｂ⁻、（Ｃ_６Ｆ_５）_４Ｂ⁻、ＲｆＳＯ_３ ⁻、Ｃｌ⁻、ＣｌＯ_４ ⁻が挙げられる。

〔プロトン酸〕
プロトン酸としては、例えば、ＨＦ、ＨＣｌ、ＨＢｒ、ＨＮＯ_３、Ｈ_２ＳＯ_４、ＨＣｌＯ等の無機塩；ベンゼンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、ポリビニルスルホン酸、メタンスルホン酸、トリフルロメタンスルホン酸、トリフロロ酢酸；などが挙げられる。プロトン酸としては、電荷輸送性膜の抵抗をより低下させる観点から、スルホン酸化合物が好ましい。

〔金属ハロゲン化物〕
金属ハロゲン化物としては、塩化第二鉄、臭化第二鉄、ヨウ化第二鉄、塩化アルミニウム、臭化アルミニウム、ヨウ化アルミニウム、塩化ガリウム、臭化ガリウム、ヨウ化ガリウム、塩化インジウム、臭化インジウム、ヨウ化インジウム、三塩化アンチモン、五塩化アンチモン、五フッ化ヒ素、三フッ化ホウ素、四塩化チタン等が挙げられる。

金属ハロゲン化物に含まれる金属としては、電荷輸送性膜の抵抗をより低下させる観点から、８族乃至１５族かつ３周期乃至６周期の金属が好ましく、１０族乃至１５族かつ３周期乃至５周期の金属がより好ましい。

金属ハロゲン化物に含まれるハロゲンとしては、安定性、ドーピングのし易さの観点から、塩素、ヨウ素が好ましい。

金属ハロゲン化物として、具体的には、五塩化アンチモン、塩化第二鉄が好ましい。

〔ハロゲン〕
ハロゲンとしては、塩素、臭素、及び、ヨウ素が挙げられ、電荷輸送性膜の抵抗をより低下させる観点から、塩素、又は、ヨウ素が好ましい。

これらドーパントを１種のみ用いてもよく、２種以上併用してもよい。これらドーパントが前記有機化合物層に占める質量割合は、電荷輸送性膜の電荷輸送性能と抵抗の低さとのバランスの観点から、０．１質量％以上２０質量％以下が好ましく、０．１質量％以上１０質量％以下がより好ましく、０．１質量％以上５質量％以下が更に好ましい。

〔熱ラジカル発生剤、光ラジカル発生剤〕
前記有機化合物層の形成する際に、式（１−１）で表されるアミン化合物を硬化させ硬化物を形成するため、熱ラジカル発生剤又は光ラジカル発生剤を用いることが好ましい。

熱ラジカル発生剤としては、例えば、アゾ化合物、有機過酸化物が挙げられる。

熱ラジカル発生剤の市販品としては、Ｖ−３０（１０時間半減期温度：１０４℃）、Ｖ−４０（同：８８℃）、Ｖ−５９（同：６７℃）、Ｖ−６０１（同：６６℃）、Ｖ−６５（同：５１℃）、Ｖ−７０（同：３０℃）、ＶＦ−０９６（同：９６℃）、Ｖａｍ−１１０（同：１１１℃）、Ｖａｍ−１１１（同：１１１℃）（以上、和光純薬工業（株）製）、ＯＴＡＺＯ−１５（同：６１℃）、ＯＴＡＺＯ−３０、ＡＩＢＮ（同：６５℃）、ＡＭＢＮ（同：６７℃）、ＡＤＶＮ（同：５２℃）、ＡＣＶＡ（同：６８℃）（以上、大塚化学（株）製）等のアゾ系開始剤；パーテトラＡ、パーヘキサＨＣ、パーヘキサＣ、パーヘキサＶ、パーヘキサ２２、パーヘキサＭＣ、パーブチルＨ、パークミルＨ、パークミルＰ、パーメンタＨ、パーオクタＨ、パーブチルＣ、パーブチルＤ、パーヘキシルＤ、パーロイルＩＢ、パーロイル３５５、パーロイルＬ、パーロイルＳＡ、ナイパーＢＷ、ナイパーＢＭＴ−Ｋ４０／Ｍ、パーロイルＩＰＰ、パーロイルＮＰＰ、パーロイルＴＣＰ、パーロイルＯＰＰ、パーロイルＳＢＰ、パークミルＮＤ、パーオクタＮＤ、パーヘキシルＮＤ、パーブチルＮＤ、パーブチルＮＨＰ、パーヘキシルＰＶ、パーブチルＰＶ、パーヘキサ２５０、パーオクタＯ、パーヘキシルＯ、パーブチルＯ、パーブチルＬ、パーブチル３５５、パーヘキシルＩ、パーブチルＩ、パーブチルＥ、パーヘキサ２５Ｚ、パーブチルＡ、パーへヘキシルＺ、パーブチルＺＴ、パーブチルＺ（以上、日油（株）製）、カヤケタールＡＭ−Ｃ５５、トリゴノックス３６−Ｃ７５、ラウロックス、パーカドックスＬ−Ｗ７５、パーカドックスＣＨ−５０Ｌ、トリゴノックスＴＭＢＨ、カヤクメンＨ、カヤブチルＨ−７０、ペルカドックスＢＣ−ＦＦ、カヤヘキサＡＤ、パーカドックス１４、カヤブチルＣ、カヤブチルＤ、カヤヘキサＹＤ−Ｅ８５、パーカドックス１２−ＸＬ２５、パーカドックス１２−ＥＢ２０、トリゴノックス２２−Ｎ７０、トリゴノックス２２−７０Ｅ、トリゴノックスＤ−Ｔ５０、トリゴノックス４２３−Ｃ７０、カヤエステルＣＮＤ−Ｃ７０、カヤエステルＣＮＤ−Ｗ５０、トリゴノックス２３−Ｃ７０、トリゴノックス２３−Ｗ５０Ｎ、トリゴノックス２５７−Ｃ７０、カヤエステルＰ−７０、カヤエステルＴＭＰＯ−７０、トリゴノックス１２１、カヤエステルＯ、カヤエステルＨＴＰ−６５Ｗ、カヤエステルＡＮ、トリゴノックス４２、トリゴノックスＦ−Ｃ５０、カヤブチルＢ、カヤカルボンＥＨ−Ｃ７０、カヤカルボンＥＨ−Ｗ６０、カヤカルボンＩ−２０、カヤカルボンＢＩＣ−７５、トリゴノックス１１７、カヤレン６−７０（以上、化薬アクゾ（株）製）、ルペロックスＬＰ（同：６４℃）、ルペロックス６１０（同：３７℃）、ルペロックス１８８（同：３８℃）、ルペロックス８４４（同：４４℃）、ルペロックス２５９（同：４６℃）、ルペロックス１０（同：４８℃）、ルペロックス７０１（同：５３℃）、ルペロックス１１（同：５８℃）、ルペロックス２６（同：７７℃）、ルペロックス８０（同：８２℃）、ルペロックス７（同：１０２℃）、ルペロックス２７０（同：１０２℃）、ルペロックスＰ（同：１０４℃）、ルペロックス５４６（同：４６℃）、ルペロックス５５４（同：５５℃）、ルペロックス５７５（同：７５℃）、ルペロックスＴＡＮＰＯ（同：９６℃）、ルペロックス５５５（同：１００℃）、ルペロックス５７０（同：９６℃）、ルペロックスＴＡＰ（同：１００℃）、ルペロックスＴＢＩＣ（同：９９℃）、ルペロックスＴＢＥＣ（同：１００℃）、ルペロックスＪＷ（同：１００℃）、ルペロックスＴＡＩＣ（同：９６℃）、ルペロックスＴＡＥＣ（同：９９℃）、ルペロックスＤＣ（同：１１７℃）、ルペロックス１０１（同：１２０℃）、ルペロックスＦ（同：１１６℃）、ルペロックスＤＩ（同：１２９℃）、ルペロックス１３０（同：１３１℃）、ルペロックス２２０（同：１０７℃）、ルペロックス２３０（同：１０９℃）、ルペロックス２３３（同：１１４℃）、ルペロックス５３１（同：９３℃）（以上、アルケマ吉富（株）製）などが挙げられる。

熱ラジカル発生剤の使用量は、式（１−１）で表されるアミン化合物１００質量部に対して、０．００１質量部以上１０質量部以下が好ましく、０．０１質量部以上５質量部以下がより好ましく、０．１質量部以上３質量部以下が更に好ましい。

光ラジカル発生剤としては、例えば、芳香族ケトン類、アシルフォスフィンオキサイド化合物、芳香族オニウム塩、有機過酸化物、チオ化合物（チオキサントン化合物、チオフェニル基含有化合物等）、ヘキサアリールビイミダゾール化合物、ケトオキシムエステル化合物、ボレート化合物、アジニウム化合物、メタロセン化合物、活性エステル化合物、炭素ハロゲン結合を有する化合物、アルキルアミン化合物等が挙げられる。

光ラジカル発生剤として具体例には、例えば、アセトフェノン、アセトフェノンベンジルケタール、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、キサントン、フルオレノン、べンズアルデヒド、フルオレン、アントラキノン、トリフェニルアミン、カルバゾール、３−メチルアセトフェノン、４−クロロベンゾフェノン、４，４’−ジメトキシベンゾフェノン、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、ミヒラーケトン、ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンジルジメチルケタール、１−（４−イソプロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、チオキサントン、ジエチルチオキサントン、２−イソプロピルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルホリノプロパン−１−オン、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキサイド、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド、２，４−ジエチルチオキサントン、及び、ビス（２，６−ジメトキシベンゾイル）−２，４，４−トリメチルペンチルフォスフィンオキサイド等が挙げられる。

光ラジカル発生剤の使用量は、式（１−１）で表されるアミン化合物１００質量部に対して、０．００１質量部以上１０質量部以下が好ましく、０．０１質量部以上５質量部以下がより好ましく、０．１質量部以上３質量部以下が更に好ましい。

前記有機化合物層は、用途に応じ、例えば、発光材料、色素化合物、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料及び電子注入材料よりなる群から選択される少なくとも１種を含有していてもよい。これら材料の具体例については後述する。
また、前記有機化合物層における式（１−１）で表されるアミン化合物を少なくとも硬化してなる硬化物の含有量は、特に制限はなく、用途に応じ適宜設定すればよいが、前記有機化合物層の全質量に対し、５質量％以上であることが好ましく、２０質量％以上であることがより好ましく、５０質量％以上であることが更に好ましく、７０質量％以上であることが特に好ましい。また、好ましい上限値は、１００質量％である。

本実施形態に係る電子デバイスは、例えば、有機電界発光素子、有機トランジスタ、有機太陽電池、有機フォトディテクタ、電子写真感光体等に好適に用いられる。
中でも、本実施形態に係る電子デバイスは、一方が透明である一対の電極を更に有し、前記有機化合物層が前記一対の電極間に設けられている有機電界発光素子であることが好ましい。前記有機電界発光素子において、前記有機化合物層が単層の場合は、前記有機化合物層が電荷輸送機能を有する発光層であることが好ましい。
また、本実施形態に係る電子デバイスは、前記有機化合物層を有する電子写真感光体であることが好ましい。前記電子写真感光体において、前記有機化合物層は、電荷輸送層であることが好ましい。

−有機電界発光素子−
前記有機電界発光素子は、一方が透明である一対の電極を更に有し、前記有機化合物層が前記一対の電極間に設けられていることが好ましい。
前記有機電界発光素子において、有機化合物層が複数層の場合（即ち、各層が異なる機能を有する機能分離型の場合）は、少なくともいずれか１層が発光層であり、例えば、下記の層構成（１）〜（３）が挙げられる。層構成（１）〜（３）において、いずれか１層が、本実施形態に係る組成物が硬化した硬化膜を含む。
層構成（１）：正孔輸送層と、発光層と、を有する機能分離型の層構成。本構成においては、正孔輸送層が、本実施形態に係る組成物が硬化した硬化膜であることが好ましい。
層構成（２）：正孔輸送層と、発光層と、電子輸送層と、を有する機能分離型の層構成。本構成においては、正孔輸送層が、本実施形態に係る組成物が硬化した硬化膜であることが好ましい。
層構成（３）：発光層と、電子輸送層と、を有する機能分離型の層構成。本構成においては、発光層が、本実施形態に係る組成物が硬化した硬化膜であることが好ましい。

以下、図面を参照しつつ、前記有機電界発光素子を説明するが、本実施形態はこれに限定されるわけではない、

図１乃至図４は、前記有機電界発光素子の層構成を説明するための模式的断面図であって、図１、図２、図３は、有機化合物層が複数層からなる場合の一例であり、図４は、有機化合物層が単層からなる場合の一例である。図１乃至図４において、同様の機能を有する層には同じ符号を付して説明する。

図１は、前記の層構成（１）を示す。図１に示す有機電界発光素子は、透明絶縁体基板１上に、透明電極２、正孔輸送層３、発光層４、背面電極７がこの順に積層された素子である。透明電極２と正孔輸送層３との間には、正孔注入層が配置されていてもよい。図１に示す形態例においては、正孔輸送層３を、本実施形態に係る組成物が硬化した硬化膜とすることが好ましい。

図２は、前記の層構成（２）を示す。図２に示す有機電界発光素子は、透明絶縁体基板１上に、透明電極２、正孔輸送層３、発光層４、電子輸送層５、背面電極７がこの順に積層された素子である。透明電極２と正孔輸送層３との間には、正孔注入層が配置されていてもよい。電子輸送層５と背面電極７との間には、電子注入層が配置されていてもよい。図２に示す形態例においては、正孔輸送層３を、本実施形態に係る組成物が硬化した硬化膜とすることが好ましい。

図３は、前記の層構成（３）を示す。図３に示す有機電界発光素子は、透明絶縁体基板１上に、透明電極２、発光層６、電子輸送層５、背面電極７がこの順に積層された素子である。電子輸送層５と背面電極７との間には、電子注入層が配置されていてもよい。図３に示す形態例においては、発光層６を、本実施形態に係る組成物が硬化した硬化膜とすることが好ましい。この場合、本実施形態に係る組成物には、発光材料を少なくとも１種含有させる。

図４は、単層型の層構成を示す。図４に示す有機電界発光素子は、透明絶縁体基板１上に、透明電極２、電荷輸送機能を有する発光層６、背面電極７がこの順に積層された素子である。図４に示す形態例においては、発光層６を、本実施形態に係る組成物が硬化した硬化膜とする。この場合、本実施形態に係る組成物には、発光材料を少なくとも１種含有させる。

図１乃至図４に示す各有機電界発光素子において、背面電極７上には、水分や酸素による有機電界発光素子の劣化を防ぐ目的で、保護層を設けてもよい。

トップエミッション構造とする場合、又は、２つの電極を共に透明電極とする場合は、図１乃至図４に示される層構成を複数段積み重ねた構造とすることも可能である。

以下、図１乃至図４における各層をより詳細に説明する。

透明絶縁体基板１について透明とは、可視領域の光の透過率が１０％以上であることを意味し、透過率が７５％以上であることが好ましい。透明絶縁体基板１としては、例えば、ガラス板、石英板、金属箔、樹脂製フィルムが用いられる。樹脂製フィルムの材料としては、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等のメタクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂が挙げられる。透明絶縁体基板１は、透水性や透ガス性を抑える目的で、表面処理を行なってもよく、積層構造にしてもよい。

透明電極２は、透明絶縁体基板１と同様に発光を取り出すため透明であって、かつ正孔の注入を行うため仕事関数の大きな電極が好ましく、仕事関数が４ｅＶ以上の電極が好ましい。

透明電極２について透明とは、可視領域の光の透過率が１０％以上であることを意味し、透過率が７５％以上であることが好ましい。透明電極２の材料としては、酸化スズインジウム（ＩＴＯ）、酸化スズ、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化インジウム亜鉛等の金属酸化物；アルミニウム、ニッケル、金、銀、白金、パラジウム等の金属；ヨウ化銅等のハロゲン化金属；カーボンブラック、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子；が挙げられる。透明電極２のシート抵抗は、低いほど好ましく、数百Ω／□以下が好ましく、１００Ω／□以下がより好ましい。

有機化合物層（図１乃至図４において、符号３乃至６で示される層）は、その機能に応じて、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、及び発光材料から選択される材料を含む。これら材料と本実施形態に係る組成物とを混合して膜形成に用いてもよい。

正孔輸送材料としては、テトラフェニレンジアミン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、カルバゾール誘導体、スチルベン誘導体、アリールヒドラゾン誘導体、ポルフィリン系化合物が挙げられ、テトラフェニレンジアミン誘導体、スピロフルオレン誘導体、トリフェニルアミン誘導体が挙げられる。

正孔注入材料としては、フェニレンジアミン誘導体、フタロシアニン誘導体、インダンスレン誘導体、ポリアルキレンジオキシチオフェン誘導体等が挙げられ、これらには、ルイス酸、スルホン酸等の有機酸、塩化鉄等の無機酸を混合してもよい。

電子輸送材料としては、オキサジアゾール誘導体、ニトロ置換フルオレノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、シロール誘導体、キレート型有機金属錯体、多核または縮合芳香環化合物、ペリレン誘導体、トリアゾール誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体等が挙げられる。

電子注入材料としては、Ｌｉ、Ｃａ、Ｓｒ等の金属やＬｉＦ、ＭｇＦ等の金属フッ化物、ＭｇＯ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＬｉＯ等の金属酸化物が挙げられる。

発光材料としては、固体状態で高い発光量子効率を示す化合物が好ましい。発光材料は、低分子化合物及び高分子化合物のいずれでもよい。有機低分子化合物としては、キレート型有機金属錯体、多核または縮合芳香環化合物、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、スチリルアリーレン誘導体、シロール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサチアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体が挙げられる。有機高分子化合物としては、ポリパラフェニレン誘導体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリアセチレン誘導体が挙げられる。発光材料の具体例として、例示化合物（ＶＩ−１）乃至（ＶＩ−１７）が挙げられる。例示化合物（ＶＩ−１）乃至（ＶＩ−１７）は、電子輸送材料として用いることもできる。

例示化合物（ＶＩ−１３）乃至（ＶＩ−１７）中、ｎ及びｇはそれぞれ独立に１以上の整数であり、Ｖは２価の連結基である。Ｖとしては、例えば、下記の基が挙げられる。下記の構造式において、ｇは１以上の整数を表し、ｈは０以上５以下の整数を表す。

有機電界発光素子の耐久性の向上又は発光効率の向上を目的に、発光材料又は電荷輸送性重合体の中に、発光材料とは異なる色素化合物をゲスト材料としてドーピングしてもよい。色素化合物のドーピング量は、ホスト１００質量部に対して、０．００１質量部以上４０質量部以下が好ましく、０．０１質量部以上１０質量部以下がより好ましい。

ドーピング用の色素化合物としては、クマリン誘導体、ＤＣＭ誘導体、キナクリドン誘導体、ペリミドン誘導体、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、ルブレン誘導体、ポルフィリン誘導体；ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスニウム、イリジウム、白金、及び金等の金属錯体化合物；などが挙げられる。ドーピング用の色素化合物の具体例として、例示化合物（ＶＩＩ−１）〜（ＶＩＩ−６）が挙げられる。

各有機化合物層は、結着樹脂を含有していてもよい。結着樹脂としては、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、スチレンブタジエン共重合体、塩化ビニルデン−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、シリコーン樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール樹脂、ポリシラン樹脂、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂が挙げられる。各有機化合物層は、公知の酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤等を含有していてもよい。

背面電極７の材料としては、真空蒸着可能で、電子注入を行なうため仕事関数の小さな材料が好ましく、金属、金属酸化物、金属フッ化物が好ましい。金属としては、マグネシウム、アルミニウム、金、銀、インジウム、リチウム、カルシウム及びこれらの合金が挙げられる。金属酸化物としては、酸化リチウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、酸化スズインジウム、酸化スズ、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化インジウム亜鉛が挙げられる。金属フッ化物としては、フッ化リチウム、フッ化マグネシウム、フッ化ストロンチウム、フッ化カルシウム、フッ化アルミニウムが挙げられる。

背面電極７上には、保護層を設けてもよい。保護層の材料としては、インジウム、スズ、鉛、金、銀、銅、アルミニウム等の金属；酸化マグネシウム、二酸化ケイ素、酸化チタン等の金属酸化物；ポリエチレン樹脂、ポリウレア樹脂、ポリイミド樹脂等の樹脂；が挙げられる。

透明電極２、各有機化合物層、背面電極７及び保護層の厚さはそれぞれ独立に、０．００１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、０．００１μｍ以上５μｍ以下であることがより好ましい。

図１乃至図４に示される有機電界発光素子は、透明絶縁体基板１上に、透明電極２、各有機化合物層、及び背面電極７を順次形成することで作製される。透明電極２、各有機化合物層、及び背面電極７は、例えば、真空蒸着法、スパッタ法、塗布法等により形成できる。塗布法は、材料を適切な溶媒に溶解又は分散した塗布液を透明電極２上に塗布し、塗布膜を乾燥させる成膜法である。塗布液の塗布方法としては、スピンコーティング法、ダイコート法、インクジェット法、キャスト法、ディップ法等が挙げられる。

前記有機化合物層における各材料の含有状態は、分子が分散した状態（分子分散状態）でもよく、粒子を形成して分散した状態（粒子分散状態）でもよい。塗布液を用いた成膜法において分子分散状態にするためには、塗布液の溶媒を、各材料の分散性及び溶解性を考慮して選択する。塗布液を用いた成膜法において粒子分散状態にするためには、ボールミル、サンドミル、ペイントシェイカー、アトライター、ホモジナイザー、超音波のいずれかを利用して塗布液を調製する。

前記有機電界発光素子を、マトリクス状又はセグメント状に配置して画像表示媒体が構成される。有機電界発光素子をマトリクス状に配置する場合、電極のみをマトリクス状に配置する形態であってもよいし、電極及び有機化合物層をマトリクス状に配置する形態であってもよい。有機電界発光素子をセグメント状に配置する場合、電極のみをセグメント状に配置する形態であってもよいし、電極及び有機化合物層をセグメント状に配置する形態であってもよい。マトリクス状又はセグメント状の有機化合物層は、インクジェット法により形成可能である。

マトリクス状の有機電界発光素子及びセグメント状の有機電界発光素子の駆動装置及び駆動方法としては、特開平２−１４８６８７号公報、特開平６−３０１３５５号公報、特開平５−２９０８０号、特開平７−１３４５５８号公報、特開平８−２３４６８５号公報、特開平８−２４１０４７号公報、特許第２７８４６１５号公報、米国特許第５８２８４２９号明細書、米国特許第６０２３３０８号明細書などに記載の駆動装置及び駆動方法を適用し得る。

−電子写真感光体−
前記電子写真感光体は、電荷輸送層として、前記有機化合物層を有することが好ましく、導電性基体上に、前記有機化合物層を含む感光層を備えることがより好ましい。また、感光層上に表面保護層を更に有していてもよい。
また、前記電子写真感光体は、最外層として、前記有機化合物層を有することが好ましい。
感光層は、電荷発生材料と電荷輸送材料とを同一の感光層に含有して機能を一体化した単層型感光層でもよく、電荷発生層と電荷輸送層とを有する機能が分離された積層型感光層でもよい。感光層が積層型感光層である場合、電荷発生層と電荷輸送層との順序は特に限定されないが、像保持体は、導電性基体上に、電荷発生層、電荷輸送層及び表面保護層をこの順に有する構成が好ましい。また、像保持体は、これらの層以外の層を含んでいてもよい。
なお、電子写真感光体は、下引層を設けてもよいし、設けなくてもよい。

＜＜導電性基体＞＞
導電性基体としては、例えば、金属（アルミニウム、銅、亜鉛、クロム、ニッケル、モリブデン、バナジウム、インジウム、金、白金等）又は合金（ステンレス鋼等）を含む金属板、金属ドラム、及び金属ベルト等が挙げられる。また、導電性基体としては、例えば、導電性化合物（例えば導電性ポリマー、酸化インジウム等）、金属（例えばアルミニウム、パラジウム、金等）又は合金を塗布、蒸着又はラミネートした紙、樹脂フィルム、ベルト等も挙げられる。ここで、「導電性」とは体積抵抗率が１０^１３Ωｃｍ未満であることをいう。

導電性基体の表面は、像保持体がレーザプリンタに使用される場合、レーザ光を照射する際に生じる干渉縞を抑制する目的で、中心線平均粗さＲａで０．０４μｍ以上０．５μｍ以下に粗面化されていることが好ましい。なお、非干渉光を光源に用いる場合、干渉縞防止の粗面化は、特に必要ないが、導電性基体の表面の凹凸による欠陥の発生を抑制するため、より長寿命化に適する。

粗面化の方法としては、例えば、研磨剤を水に懸濁させて支持体に吹き付けることによって行う湿式ホーニング、回転する砥石に導電性基体を圧接し、連続的に研削加工を行うセンタレス研削、陽極酸化処理等が挙げられる。

粗面化の方法としては、導電性基体の表面を粗面化することなく、導電性又は半導電性粉体を樹脂中に分散させて、導電性基体の表面上に層を形成し、その層中に分散させる粒子により粗面化する方法も挙げられる。

陽極酸化による粗面化処理は、金属製（例えばアルミニウム製）の導電性基体を陽極とし電解質溶液中で陽極酸化することにより導電性基体の表面に酸化膜を形成するものである。電解質溶液としては、例えば、硫酸溶液、シュウ酸溶液等が挙げられる。しかし、陽極酸化により形成された多孔質陽極酸化膜は、そのままの状態では化学的に活性であり、汚染され易く、環境による抵抗変動も大きい。そこで、多孔質陽極酸化膜に対して、酸化膜の微細孔を加圧水蒸気又は沸騰水中（ニッケル等の金属塩を加えてもよい。）で水和反応による体積膨張でふさぎ、より安定な水和酸化物に変える封孔処理を行うことが好ましい。

陽極酸化膜の膜厚は、例えば、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。この膜厚が前記範囲内にあると、注入に対するバリア性が発揮される傾向があり、また繰り返し使用による残留電位の上昇が抑えられる傾向にある。

導電性基体には、酸性処理液による処理又はベーマイト処理を施してもよい。
酸性処理液による処理は、例えば、以下のようにして実施される。まず、リン酸、クロム酸及びフッ酸を含む酸性処理液を調製する。酸性処理液におけるリン酸、クロム酸及びフッ酸の配合割合は、例えば、リン酸が１０質量％以上１１質量％以下の範囲、クロム酸が３質量％以上５質量％以下の範囲、フッ酸が０．５質量％以上２質量％以下の範囲であって、これらの酸全体の濃度は１３．５質量％以上１８質量％以下の範囲がよい。処理温度は例えば４２℃以上４８℃以下が好ましい。被膜の膜厚は、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。

ベーマイト処理は、例えば９０℃以上１００℃以下の純水中に５分から６０分間浸漬すること、又は９０℃以上１２０℃以下の加熱水蒸気に５分から６０分間接触させて行うことが好ましい。被膜の膜厚は、０．１μｍ以上５μｍ以下が好ましい。これを更にアジピン酸、硼酸、硼酸塩、燐酸塩、フタル酸塩、マレイン酸塩、安息香酸塩、酒石酸塩、クエン酸塩等の被膜溶解性の低い電解質溶液を用いて陽極酸化処理してもよい。

＜＜下引層＞＞
下引層は、例えば、無機粒子と結着樹脂とを含む層である。
無機粒子としては、例えば、粉体抵抗（体積抵抗率）１０^２Ωｃｍ以上１０^１１Ωｃｍ以下の無機粒子が挙げられる。これらの中でも、前記抵抗値を有する無機粒子としては、例えば、酸化錫粒子、酸化チタン粒子、酸化亜鉛粒子、酸化ジルコニウム粒子等の金属酸化物粒子がよく、特に、酸化亜鉛粒子が好ましい。

無機粒子のＢＥＴ法による比表面積は、例えば、１０ｍ^２／ｇ以上が好ましい。
無機粒子の体積平均粒径は、例えば、５０ｎｍ以上２，０００ｎｍ以下（好ましくは６０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下）が好ましい。

無機粒子の含有量は、例えば、結着樹脂に対して、１０質量％以上８０質量％以下であることが好ましく、４０質量％以上８０質量％以下であることがより好ましい。

無機粒子は、表面処理が施されていてもよい。無機粒子は、表面処理の異なるもの、又は、粒子径の異なるものを２種以上混合して用いてもよい。

表面処理剤としては、例えば、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、界面活性剤等が挙げられる。特に、シランカップリング剤が好ましく、アミノ基を有するシランカップリング剤がより好ましい。

アミノ基を有するシランカップリング剤としては、例えば、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

シランカップリング剤は、２種以上混合して使用してもよい。例えば、アミノ基を有するシランカップリング剤と他のシランカップリング剤とを併用してもよい。この他のシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピル−トリス（２−メトキシエトキシ）シラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

表面処理剤による表面処理方法は、公知の方法であればいかなる方法でもよく、乾式法又は湿式法のいずれでもよい。

表面処理剤の処理量は、例えば、無機粒子に対して、０．５質量％以上１０質量％以下が好ましい。

ここで、下引層は、無機粒子と共に電子受容性化合物（アクセプター化合物）を含有することが、電気特性の長期安定性、キャリアブロック性が高まる観点からよい。

電子受容性化合物としては、例えば、クロラニル、ブロモアニル等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン等のフルオレノン化合物；２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（４−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（４−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール等のオキサジアゾール系化合物；キサントン系化合物；チオフェン化合物；３，３’，５，５’テトラ−ｔ−ブチルジフェノキノン等のジフェノキノン化合物；等の電子輸送性物質等が挙げられる。
特に、電子受容性化合物としては、アントラキノン構造を有する化合物が好ましい。
アントラキノン構造を有する化合物としては、例えば、ヒドロキシアントラキノン化合物、アミノアントラキノン化合物、アミノヒドロキシアントラキノン化合物等が好ましく、具体的には、例えば、アントラキノン、アリザリン、キニザリン、アントラルフィン、プルプリン等が好ましい。

電子受容性化合物は、下引層中に無機粒子と共に分散して含まれていてもよいし、無機粒子の表面に付着した状態で含まれていてもよい。

電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着させる方法としては、例えば、乾式法、又は、湿式法が挙げられる。

乾式法は、例えば、無機粒子をせん断力の大きなミキサ等で撹拌しながら、直接又は有機溶媒に溶解させた電子受容性化合物を滴下、乾燥空気や窒素ガスとともに噴霧させて、電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着する方法である。電子受容性化合物の滴下又は噴霧するときは、溶剤の沸点以下の温度で行うことがよい。電子受容性化合物を滴下又は噴霧した後、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に制限されない。

湿式法は、例えば、撹拌、超音波、サンドミル、アトライター、ボールミル等により、無機粒子を溶剤中に分散しつつ、電子受容性化合物を添加し、撹拌又は分散した後、溶剤除去して、電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着する方法である。溶剤除去方法は、例えば、ろ過又は蒸留により留去される。溶剤除去後には、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に限定されない。湿式法においては、電子受容性化合物を添加する前に無機粒子の含有水分を除去してもよく、その例として溶剤中で加熱撹拌しながら除去する方法、溶剤と共沸させて除去する方法が挙げられる。

なお、電子受容性化合物の付着は、表面処理剤による表面処理を無機粒子に施す前又は後に行ってよく、電子受容性化合物の付着と表面処理剤による表面処理と同時に行ってもよい。

電子受容性化合物の含有量は、無機粒子の全質量に対して、０．０１質量％以上２０質量％以下であることが好ましく、０．０１質量％以上１０質量％以下であることがより好ましい。

下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の公知の高分子化合物；ジルコニウムキレート化合物；チタニウムキレート化合物；アルミニウムキレート化合物；チタニウムアルコキシド化合物；有機チタニウム化合物；シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、電荷輸送性基を有する電荷輸送性樹脂、導電性樹脂（例えばポリアニリン等）等も挙げられる。これらの中でも、下引層に用いる結着樹脂としては、上層の塗布溶剤に不溶な樹脂が好適であり、特に、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂；ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂及びポリビニルアセタール樹脂よりなる群から選択される少なくとも１種の樹脂と硬化剤との反応により得られる樹脂が好適である。
これら結着樹脂を２種以上組み合わせて使用する場合には、その混合割合は、必要に応じて設定される。

下引層には、電気特性向上、環境安定性向上、画質向上のために種々の添加剤を含んでいてもよい。
添加剤としては、多環縮合系、アゾ系等の電子輸送性顔料、ジルコニウムキレート化合物、チタニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、チタニウムアルコキシド化合物、有機チタニウム化合物、シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。シランカップリング剤は前述のように無機粒子の表面処理に用いられるが、添加剤として更に下引層に添加してもよい。

添加剤としてのシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピル−トリス（２−メトキシエトキシ）シラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。

ジルコニウムキレート化合物としては、例えば、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセト酢酸エチル、ジルコニウムトリエタノールアミン、アセチルアセトネートジルコニウムブトキシド、アセト酢酸エチルジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムオキサレート、ジルコニウムラクテート、ジルコニウムホスホネート、オクタン酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウム、ラウリン酸ジルコニウム、ステアリン酸ジルコニウム、イソステアリン酸ジルコニウム、メタクリレートジルコニウムブトキシド、ステアレートジルコニウムブトキシド、イソステアレートジルコニウムブトキシド等が挙げられる。

チタニウムキレート化合物としては、例えば、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２−エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート等が挙げられる。

アルミニウムキレート化合物としては、例えば、アルミニウムイソプロピレート、モノブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムブチレート、ジエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）等が挙げられる。

これらの添加剤は、単独で、又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。

下引層は、ビッカース硬度が３５以上であることがよい。
下引層の表面粗さ（十点平均粗さ）は、モアレ像抑制のために、使用される露光用レーザ波長λの１／（４ｎ）（ｎは上層の屈折率）から１／２までに調整されていることがよい。
表面粗さ調整のために下引層中に樹脂粒子等を添加してもよい。樹脂粒子としてはシリコーン樹脂粒子、架橋型ポリメタクリル酸メチル樹脂粒子等が挙げられる。また、表面粗さ調整のために下引層の表面を研磨してもよい。研磨方法としては、バフ研磨、サンドブラスト処理、湿式ホーニング、研削処理等が挙げられる。

下引層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、前記成分を溶剤に加えた下引層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。

下引層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、公知の有機溶剤、例えば、アルコール系溶剤、芳香族炭化水素溶剤、ハロゲン化炭化水素溶剤、ケトン系溶剤、ケトンアルコール系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤等が挙げられる。
これらの溶剤として具体的には、例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉｓｏ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等の通常の有機溶剤が挙げられる。

下引層形成用塗布液を調製するときの無機粒子の分散方法としては、例えば、ロールミル、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、コロイドミル、ペイントシェーカー等の公知の方法が挙げられる。

下引層形成用塗布液を導電性基体上に塗布する方法としては、例えば、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。

下引層の膜厚は、例えば、好ましくは１５μｍ以上、より好ましくは２０μｍ以上５０μｍ以下の範囲内に設定される。

＜＜中間層＞＞
前記電子写真感光体は、下引層と感光層との間に中間層を更に設けてもよい。
中間層は、例えば、樹脂を含む層である。中間層に用いる樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂等の高分子化合物が挙げられる。
中間層は、有機金属化合物を含む層であってもよい。中間層に用いる有機金属化合物としては、ジルコニウム、チタニウム、アルミニウム、マンガン、ケイ素等の金属原子を含有する有機金属化合物等が挙げられる。
これらの中間層に用いる化合物は、単独で又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。

これらの中でも、中間層は、ジルコニウム原子又はケイ素原子を含有する有機金属化合物を含む層であることが好ましい。

中間層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、前記成分を溶剤に加えた中間層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。
中間層を形成する塗布方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が用いられる。

中間層の膜厚は、例えば、好ましくは０．１μｍ以上３μｍ以下の範囲に設定される。なお、中間層を下引層として使用してもよい。

＜＜電荷発生層＞＞
電荷発生層は、例えば、電荷発生材料と結着樹脂とを含む層である。また、電荷発生層は、電荷発生材料の蒸着層であってもよい。電荷発生材料の蒸着層は、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）イメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合に好適である。

電荷発生材料としては、ビスアゾ、トリスアゾ等のアゾ顔料；ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；ペリレン顔料；ピロロピロール顔料；フタロシアニン顔料；酸化亜鉛；三方晶系セレン等が挙げられる。

これらの中でも、近赤外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、金属フタロシアニン顔料、又は無金属フタロシアニン顔料を用いることが好ましい。具体的には、例えば、特開平５−２６３００７号公報、特開平５−２７９５９１号公報等に開示されたヒドロキシガリウムフタロシアニン；特開平５−９８１８１号公報等に開示されたクロロガリウムフタロシアニン；特開平５−１４０４７２号公報、特開平５−１４０４７３号公報等に開示されたジクロロスズフタロシアニン；特開平４−１８９８７３号公報等に開示されたチタニルフタロシアニンがより好ましい。

一方、近紫外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；チオインジゴ系顔料；ポルフィラジン化合物；酸化亜鉛；三方晶系セレン；特開２００４−７８１４７号公報、特開２００５−１８１９９２号公報に開示されたビスアゾ顔料等が好ましい。

４５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下に発光の中心波長があるＬＥＤ、有機ＥＬイメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合にも、前記電荷発生材料を用いてもよいが、解像度の観点より、感光層を２０μｍ以下の薄膜で用いるときには、感光層中の電界強度が高くなり、基体からの電荷注入による帯電低下、いわゆる黒点と呼ばれる画像欠陥を生じやすくなる。これは、三方晶系セレン、フタロシアニン顔料等のｐ−型半導体で暗電流を生じやすい電荷発生材料を用いたときに顕著となる。

これに対し、電荷発生材料として、縮環芳香族顔料、ペリレン顔料、アゾ顔料等のｎ−型半導体を用いた場合、暗電流を生じ難く、薄膜にしても黒点と呼ばれる画像欠陥を抑制し得る。ｎ−型の電荷発生材料としては、例えば、特開２０１２−１５５２８２号公報の段落０２８８乃至０２９１に記載された化合物（ＣＧ−１）乃至（ＣＧ−２７）が挙げられるがこれに限られるものではない。
なお、ｎ−型の判定は、通常使用されるタイムオブフライト法を用い、流れる光電流の極性によって判定され、正孔よりも電子をキャリアとして流しやすいものをｎ−型とする。

電荷発生層に用いる結着樹脂としては、広範な絶縁性樹脂から選択され、また、結着樹脂としては、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン、ポリシラン等の有機光導電性ポリマーから選択してもよい。
結着樹脂としては、例えば、ポリビニルブチラール樹脂、ポリアリレート樹脂（ビスフェノール類と芳香族２価カルボン酸の重縮合体等）、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルピリジン樹脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂等が挙げられる。ここで、「絶縁性」とは、体積抵抗率が１０^１３Ωｃｍ以上であることをいう。
これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上を混合して用いられる。

なお、電荷発生材料と結着樹脂との配合比は、質量比で１０：１から１：１０までの範囲内であることが好ましい。

電荷発生層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。

電荷発生層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、前記成分を溶剤に加えた電荷発生層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。なお、電荷発生層の形成は、電荷発生材料の蒸着により行ってもよい。電荷発生層の蒸着による形成は、特に、電荷発生材料として縮環芳香族顔料、ペリレン顔料を利用する場合に好適である。

電荷発生層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等が挙げられる。これら溶剤は、１種を単独で又は２種以上を混合して用いる。

電荷発生層形成用塗布液中に粒子（例えば電荷発生材料）を分散させる方法としては、例えば、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、横型サンドミル等のメディア分散機や、攪拌、超音波分散機、ロールミル、高圧ホモジナイザー等のメディアレス分散機が利用される。高圧ホモジナイザーとしては、例えば、高圧状態で分散液を液−液衝突や液−壁衝突させて分散する衝突方式や、高圧状態で微細な流路を貫通させて分散する貫通方式等が挙げられる。
なお、この分散の際、電荷発生層形成用塗布液中の電荷発生材料の平均粒径を、好ましくは０．５μｍ以下、より好ましくは０．３μｍ以下、更に好ましくは０．１５μｍ以下にすることが有効である。

電荷発生層形成用塗布液を下引層上（又は中間層上）に塗布する方法としては、例えばブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。

電荷発生層の膜厚は、例えば、好ましくは０．１μｍ以上５．０μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以上２．０μｍ以下の範囲内に設定される。

＜＜電荷輸送層＞＞
電荷輸送層は、前記有機化合物層であることが好ましい。
また、電荷輸送層は、前記式（１−１）で表されるアミン化合物を少なくとも硬化してなる硬化物以外に、他の電荷輸送材料を含んでいてもよいが、含まないことが好ましい。
更に、電荷輸送層は、結着樹脂を含んでいてもよい。

他の電荷輸送材料としては、ｐ−ベンゾキノン、クロラニル、ブロマニル、アントラキノン等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７−トリニトロフルオレノン等のフルオレノン化合物；キサントン系化合物；ベンゾフェノン系化合物；シアノビニル系化合物；エチレン系化合物等の電子輸送性化合物が挙げられる。電荷輸送材料としては、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、アリールアルカン系化合物、アリール置換エチレン系化合物、スチルベン系化合物、アントラセン系化合物、ヒドラゾン系化合物等の正孔輸送性化合物も挙げられる。これらの電荷輸送材料は１種を単独で又は２種以上で用いられるが、これらに限定されるものではない。

電荷輸送層に用いる結着樹脂は、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアリレート樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、シリコーン樹脂、シリコーンアルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、スチレン−アルキッド樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等が挙げられる。これらの中でも、結着樹脂としては、ポリカーボネート樹脂又はポリアリレート樹脂が好適である。これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上で用いる。
なお、前記式（１−１）で表されるアミン化合物を少なくとも硬化してなる硬化物と結着樹脂との配合比は、質量比で１０：１から１：５までが好ましい。

電荷輸送層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。

電荷輸送層の膜厚は、例えば、好ましくは５μｍ以上５０μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以上３０μｍ以下の範囲内に設定される。

＜＜表面保護層＞＞
表面保護層（以下単に「保護層」ともいう。）は、感光層上に設けられていてもよい。保護層は、例えば、帯電時の感光層の化学的変化を防止したり、感光層の機械的強度を更に改善したりする目的で設けられる。
表面保護層の材質としては、公知の材質が用いられるが、前記式（１−１）で表されるアミン化合物を少なくとも硬化してなる硬化物を含む、すなわち、前記有機化合物層であることが好ましい。
また、表面保護層は、前記式（１−１）で表されるアミン化合物を少なくとも硬化してなる硬化物以外の公知の添加剤を含んでいてもよい。

前記式（１−１）で表されるアミン化合物を少なくとも硬化してなる硬化物の含有量は、表面保護層をの全質量に対して、３０質量％以上１００質量％以下が好ましく、４０質量％以上１００質量％以下がより好ましく、５０質量％以上１００質量％以下が更に好ましい。この範囲とすることで、硬化膜の電気特性に優れ、硬化膜を厚膜化し得る。

表面保護層の硬さ（ユニバーサル硬さ）は、１４０Ｎ／ｍｍ^２以上３００Ｎ／ｍｍ^２以下であることが好ましく、１６０ｍＮ／ｍｍ^２以上２８０Ｎ／ｍｍ^２以下でがより好ましく、１８０ｍＮ／ｍｍ^２以上２６０ｍＮ／ｍｍ^２以下であることが更に好ましい。

表面保護層のユニバーサル硬さは、下記の方法で測定する。
表面保護層のユニバーサル硬さは、２５℃相対湿度５０％の環境下で、ビッカース四角錐ダイヤモンド圧子を用いて硬度試験を行い、最大荷重２０ｍＮで押し込んだときの、ユニバーサル硬さとする。
（測定の詳細）
測定機器としては、フィッシャー・インストルメンツ社製のフィッシャースコープＨ１００Ｖ（微小硬さ測定装置）を使用する。測定に用いた圧子は、対面角１３６°のビッカース四角錐ダイヤモンド圧子である。
（測定条件）
・負荷条件：４ｍＮ／ｓｅｃの速度で像保持体の表面保護層の表面からビッカース圧子を押し込む。
・負荷時間：５ｓｅｃ。
・保持時間：５ｓｅｃ。
・除荷条件：負荷と同じ速度で負荷を除く。
測定試料は、作製した像保持体をＨ１００Ｖ機に固定し、表面保護層の表面に対して垂直にビッカース圧子を押し込み、測定する。測定は、圧子負荷（５ｓｅｃ）、荷重保持（５ｓｅｃ）、除荷の手順で行う。

保護層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。

保護層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、前記成分を溶剤に加えた保護層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱等の硬化処理することで行う。

保護層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、トルエン、キシレン等の芳香族系溶剤；メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤；酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶剤；テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル等のセロソルブ系溶剤；イソプロピルアルコール、ブタノール等のアルコール系溶剤等が挙げられる。これら溶剤は、単独で又は２種以上混合して用いる。なお、保護層形成用塗布液は、無溶剤の塗布液であってもよい。

保護層形成用塗布液を感光層（例えば電荷輸送層）上に塗布する方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。

保護層の膜厚は、例えば、好ましくは１μｍ以上２０μｍ以下、より好ましくは２μｍ以上１０μｍ以下の範囲内に設定される。

＜＜単層型感光層＞＞
単層型感光層（電荷発生／電荷輸送層）は、例えば、電荷発生材料と前記式（１−１）で表されるアミン化合物を少なくとも硬化してなる硬化物と、必要に応じて、結着樹脂、及びその他周知の添加剤と、を含む層である。なお、これら材料は、電荷発生層及び電荷輸送層で説明した材料と同様である。
そして、単層型感光層中、電荷発生材料の含有量は、単層型感光層の全固形分に対して、０．１質量％以上１０質量％以下であることが好ましく、０．８質量％以上５質量％以下であることがより好ましい。また、単層型感光層中、前記式（１−１）で表されるアミン化合物を少なくとも硬化してなる硬化物の含有量は、全固形分に対して５質量％以上５０質量％以下が好ましい。
単層型感光層の形成方法は、電荷発生層や電荷輸送層の形成方法と同様である。
単層型感光層の膜厚は、例えば、５μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上４０μｍ以下であることがより好ましい。

＜電荷輸送性膜＞
本実施形態に係る電荷輸送性膜は、下記式（１−１）で表されるアミン化合物を少なくとも硬化してなる硬化物を含む。
また、本実施形態に係る電荷輸送性膜は、下記式（１−１）で表されるアミン化合物を少なくとも硬化してなる硬化物を含むことにより、前述と同様の推定理由により、耐熱性に優れる。

式（１−１）〜式（１−４）中、
Ｘは、前記式（１−２）乃至式（１−４）のいずれかで表される基を表し、
Ａｒは、置換基を有してもよい、三価の単環の芳香環基又は三価の複素芳香環基を表し、
Ｚ^１〜Ｚ^２８及びＺ^３１〜Ｚ^４０はそれぞれ独立に、Ｃ−Ｒ^Ａ、Ｃ−Ｒ^Ｄ又はＮを表し、
Ｚ^２９及びＺ^３０はそれぞれ独立に、Ｃ−Ｒ^Ｂ又はＣ−Ｒ^Ｄを表し、
Ｒ^Ａはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、又は、アラルキル基を表し、
Ｒ^Ｂはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アラルキル基、又は、２つのＲ^Ｂが結合して５員若しくは６員の脂環構造を形成する基を表し、
Ｒ^Ｄはそれぞれ独立に、下記式（Ｄ）で表される基を表し、
また、式（１−１）で表されるアミン化合物は、Ｒ^Ｄを１つ以上有する。

式（Ｄ）中、
Ｌ^１は、アルキレン基、−Ｃ＝Ｃ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒ）−、−Ｏ−、−Ｓ−、アルカン若しくはアルケンから３つの水素原子を除いた三価の基、又は、これらの基を２以上組み合わせてなる基であり、かつ、４つ以上の原子から構成される長さの（ｎ＋１）価の連結基を表し、
Ｒはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、又は、アラルキル基を表し、
Ｒ^ｓＤはそれぞれ独立に、アルキル基、アリール基、又は、アラルキル基を表し、
ｎは、１又は２を表し、
ｎＤは０〜４の整数を表し、
波線部分は、他の構造との結合位置を表す。

本実施形態に係る電荷輸送性膜における式（１−１）で表されるアミン化合物、及び、その硬化物の好ましい態様は、前述した本実施形態における電子デバイスの前記有機化合物層における式（１−１）で表されるアミン化合物、及び、その硬化物の好ましい態様と同様である。
本実施形態に係る電荷輸送性膜中の、式（１−１）で表されるアミン化合物を少なくとも硬化してなる硬化物の含有量は、電荷輸送性膜の用途に応じて設定されればよいが、電荷輸送膜の全質量に対し、５０質量％以上９９質量％以下であることが好ましい。

本実施形態に係る電荷輸送性膜は、抵抗値が１×１０^５Ω・ｃｍ以上１×１０^１５Ω・ｃｍ以下であることが好ましく、１×１０^５Ω・ｃｍ以上１×１０^１３Ω・ｃｍ以下であることがより好ましく、１×１０^５Ω・ｃｍ以上１×１０^１０Ω・ｃｍ以下であることが更に好ましい。

本実施形態に係る電荷輸送性膜は、有機電界発光素子が備える電荷輸送性膜として好適である。
また、本実施形態に係る電荷輸送性膜は、他の成分を含んでいてもよく、前記有機電界発光素子が備える電荷輸送層において含まれる結着樹脂等の他の成分が好適に挙げられる。

＜アミン化合物＞
本実施形態に係るアミン化合物は、下記式（１−１）で表されるアミン化合物であり、新規な化合物である。
また、本実施形態に係るアミン化合物を少なくとも硬化してなる硬化物は、前述と同様の推定理由により、耐熱性に優れる。

式（１−１）〜式（１−４）中、
Ｘは、前記式（１−２）乃至式（１−４）のいずれかで表される基を表し、
Ａｒは、置換基を有してもよい、三価の単環の芳香環基又は三価の複素芳香環基を表し、
Ｚ^１〜Ｚ^２８及びＺ^３１〜Ｚ^４０はそれぞれ独立に、Ｃ−Ｒ^Ａ、Ｃ−Ｒ^Ｄ又はＮを表し、
Ｚ^２９及びＺ^３０はそれぞれ独立に、Ｃ−Ｒ^Ｂ又はＣ−Ｒ^Ｄを表し、
Ｒ^Ａはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、又は、アラルキル基を表し、
Ｒ^Ｂはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アラルキル基、又は、２つのＲ^Ｂが結合して５員若しくは６員の脂環構造を形成する基を表し、
Ｒ^Ｄはそれぞれ独立に、下記式（Ｄ）で表される基を表し、
また、式（１−１）で表されるアミン化合物は、Ｒ^Ｄを１つ以上有する。

式（Ｄ）中、
Ｌ^１は、アルキレン基、−Ｃ＝Ｃ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒ）−、−Ｏ−、−Ｓ−、アルカン若しくはアルケンから３つの水素原子を除いた三価の基、又は、これらの基を２以上組み合わせてなる基であり、かつ、４つ以上の原子から構成される長さの（ｎ＋１）価の連結基を表し、
Ｒはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、又は、アラルキル基を表し、
Ｒ^ｓＤはそれぞれ独立に、アルキル基、アリール基、又は、アラルキル基を表し、
ｎは、１又は２を表し、
ｎＤは０〜４の整数を表し、
波線部分は、他の構造との結合位置を表す。

本実施形態に係るアミン化合物における式（１−１）で表されるアミン化合物の好ましい態様は、前述した本実施形態における電子デバイスの前記有機化合物層における式（１−１）で表されるアミン化合物の好ましい態様と同様である。

以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。なお、以下の説明において、特に断りのない限り、「部」及び「％」はすべて質量基準である。

＜合成例１−１：化合物１−１の合成＞
下記に示すスキームに従い、化合物１−１を合成した。なお、Ｍｅはメチル基を表す。

２Ｌ三つ口フラスコに、化合物２（カルバゾール）を５０ｇ、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）５００ｍＬを添加し、窒素気流下で撹拌し、溶解させた後、０℃に冷却して撹拌させながら、水素化ナトリウム３１．１ｇを少しずつ添加した。室温へと昇温させながら、化合物１（１−ブロモ−３，５−ジフルオロベンゼン）を８６．６ｇ添加した後、１００℃で２時間撹拌した。その後、化合物１を２５ｇ添加した後、１１０℃で８時間撹拌した。次いで、室温まで冷却し、蒸留水中に滴下することによって、結晶を析出させた。メタノール２００ｍＬで２回洗浄し、酢酸エチル／メタノール＝１／１の混合溶液３００ｍＬで洗浄した後、乾燥させ、固体の化合物３を７０．５ｇ得た。

５００ｍＬ三つ口フラスコに、化合物３を１５．０ｇ、化合物４を１０．５、炭酸ルビシウム（Ｒｂ_２ＣＯ_３）を３５．５ｇ、キシレン（ｘｙｌｅｎｅ）を２００ｍＬ添加し、室温にて窒素気流下で撹拌した。１１０℃で撹拌し、溶解させた後、酢酸パラジウム（Ｐｄ（ＯＡｃ）_２）を０．３４５ｇ、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン（Ｐ（ｔＢｕ）_３）を２．４９ｇ添加し、１８時間撹拌した。室温まで冷却したのち、セライトにて濾過を行い、オイル状の化合物を３２．５ｇ得た。酢酸エチルとヘキサンとの混合溶液にて結晶を析出させ、固体の化合物５を１４．１ｇ得た。

５００ｍＬ三つ口フラスコに、固体の化合物５を１３．２ｇ加え、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）１００ｍＬに溶解させ、０℃に冷却した後、水素化ホウ素ナトリウム５．３４ｇを加えた後、メタノール（ＭｅＯＨ）／テトラヒドロフラン＝１／１．２５を５５ｍＬ滴下し、窒素気流下で室温にて７２時間撹拌した。次いで、酢酸をｐＨ＝６になるように滴下し、水２Ｌ中に２時間かけて滴下し、一時間撹拌した。蒸留２５０ｍＬで３回洗浄した後、硫酸ナトリウムで脱水し、有機層を濃縮し、乾燥させ、固体の化合物６を１２．２ｇ得た。

５００ｍＬ三つ口フラスコに、化合物６を１０．０ｇ加え、テトラヒドロフラン１００ｍｌに溶解した後、０℃にて化合物７を１７．６ｇ、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（ｔ−ＢｕＯＮａ）８．２０ｇを徐々に加え、窒素気流下で室温にて１８時間撹拌した。次いで、１Ｎ塩酸をｐＨ＝５になるまで加え、酢酸エチル１５０ｍｌを加え、有機層を蒸留水１００ｍＬ、飽和食塩水１００ｍｌで洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧下溶剤を留去した。次いで、カラムクロマトグラフィー（吸着剤：シリカゲル、溶剤：ヘキサン／トルエン＝５／５）にて精製し、オイル状の化合物１−１を１１．３ｇ得た。
得られた化合物１−１の^１Ｈ−ＮＭＲチャートを、図５に示す。

＜化合物１−２乃至１−１０の合成＞
原料を変更した以外は、合成例１−１と同様にして、化合物１−２乃至１−１０をそれぞれ合成した。

＜比較化合物２−１乃至２−４＞
後述する比較例において使用した比較化合物２−１乃至２−４は、以下に示す化合物である。

（実施例１乃至１０、及び、比較例１乃至４）
＜有機電界発光素子の作製＞
厚さ１５０ｎｍの酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）膜（ＩＴＯ電極）を設けたガラス基板を、プラズマ洗浄機（サムコインターナショナル社製、ＢＰ１）を用い、酸素プラズマにて３０秒間洗浄した。更に、中性洗剤、水、アセトン（電子工業用、関東化学（株）製）及びイソプロパノール（電子工業用、関東化学（株）製）の順に、各液に浸して超音波を各５分間印加して洗浄した後、スピンコーターで乾燥させた。表１に記載のアミン化合物を３質量部と、ＯＴＡＺＯ−１５（アゾ系重合開始剤、大塚化学（株）製、分子量３５４．４）０．０６質量部と、をジクロロメタン９７質量部に溶解した溶液を、孔径０．１μｍのポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルターで濾過し塗布液を得た。塗布液を前記ガラス基板にスピンコートした（回転数は２００ｒｐｍを１０秒行った後、２，０００ｒｐｍにて２０秒回転させた）。酸素濃度１５０ｐｐｍの不活性ガス雰囲気下で、１６０℃で１時間加熱することにより、膜厚４００ｎｍ（触針膜厚計にて測定）の正孔輸送層（有機化合物層、電荷輸送性膜）を形成した。次に、この正孔輸送層上に、トリス（２−フェニルピリジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｐｐｙ）_３）と４，４’−ビス（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）ビフェニル（ＣＢＰ、質量比７：９３）を５０ｎｍの厚さに真空蒸着して発光層を形成した後、トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（Ａｌｑ３）を５０ｎｍの厚さに真空蒸着した。更に、１ｎｍ厚のＬｉＦ層を蒸着し、最後にスパッタ法で１００ｎｍ厚のＡｌ層（Ａｌ電極）を形成し、有機電界発光素子を作製した。

＜評価＞
−輝度、及び、長期輝度安定性−
以上のように作製した有機電界発光素子のＩＴＯ電極を陽極とし、Ａｌ電極を陰極として、有機ＥＬ発光効率測定装置（（株）東京インスツルメンツ製）を用い、測定条件を２５℃に調整して直流８Ｖを印加し、電流密度を求めるとともに、発光特性の指標として輝度（単位：ｃｄ／ｍ^２）を測定した。更に、１，０００時間動作後の輝度を測定し、以下の式から相対輝度を算出して発光寿命の指標とした。
１，０００時間動作後の相対輝度（％）＝（１，０００時間動作後の輝度／初期の輝度）×１００

−耐熱性−
耐熱性の評価に関しては、ガラス基板に形成した硬化膜を２３０℃で１時間再加熱した後、加熱前後での膜厚を測定し、以下の式から算出した。下記耐熱性評価値が１００％に近いほど、耐熱性に優れる。
耐熱性評価値（％）＝（加熱後の膜厚／加熱前の膜厚）×１００

評価結果を表１にまとめて示す。

前記表１に示す結果から、本実施例の有機電界発光素子（電子デバイス）は、比較例の有機電界発光素子に比べ、耐熱性に優れることがわかる。
また、前記表１に示す結果から、本実施例の有機電界発光素子（電子デバイス）は、輝度、及び、長期輝度安定性にも優れることがわかる。

１：透明絶縁体基板、２：透明電極、３：正孔輸送層、４：発光層、５：電子輸送層、６：発光層、７：背面電極

Claims (21)

1. 有機化合物層を有し、
   前記有機化合物層が、下記式（１−１）で表されるアミン化合物を少なくとも硬化してなる硬化物を含む
   電子デバイス。
   

   

   
   

   

   
   式（１−１）〜式（１−４）中、
   Ｘは、前記式（１−２）乃至式（１−４）のいずれかで表される基を表し、
   Ａｒは、置換基を有してもよい、三価の単環の芳香環基又は三価の複素芳香環基を表し、
   Ｚ^１〜Ｚ^２８及びＺ^３１〜Ｚ^４０はそれぞれ独立に、Ｃ−Ｒ^Ａ、Ｃ−Ｒ^Ｄ又はＮを表し、
   Ｚ^２９及びＺ^３０はそれぞれ独立に、Ｃ−Ｒ^Ｂ又はＣ−Ｒ^Ｄを表し、
   Ｒ^Ａはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、又は、アラルキル基を表し、
   Ｒ^Ｂはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アラルキル基、又は、２つのＲ^Ｂが結合して５員若しくは６員の脂環構造を形成する基を表し、
   Ｒ^Ｄはそれぞれ独立に、下記式（Ｄ）で表される基を表し、
   また、式（１−１）で表されるアミン化合物は、Ｒ^Ｄを１つ以上有する。
   

   

   
   式（Ｄ）中、
   Ｌ^１は、アルキレン基、−Ｃ＝Ｃ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒ）−、−Ｏ−、−Ｓ−、アルカン若しくはアルケンから３つの水素原子を除いた三価の基、又は、これらの基を２以上組み合わせてなる基であり、かつ、４つ以上の原子から構成される長さの（ｎ＋１）価の連結基を表し、
   Ｒはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、又は、アラルキル基を表し、
   Ｒ^ｓＤはそれぞれ独立に、アルキル基、アリール基、又は、アラルキル基を表し、
   ｎは、１又は２を表し、
   ｎＤは０〜４の整数を表し、
   波線部分は、他の構造との結合位置を表す。
2. Ａｒが、置換基を有してもよい、ベンゼン、フラン、チオフェン、ピリジン及びトリアジンよりなる群から選ばれた化合物から水素原子を３つ除いた三価の基である請求項１に記載の電子デバイス。
3. Ｚ^１〜Ｚ^８を含む環構造を有するＡｒに結合する基、Ｚ^９〜Ｚ^１６を含む環構造を有するＡｒに結合する基、及び、前記式（１−２）で表される基がそれぞれ独立に、下記式（Ｃａ−１）〜式（Ｃａ−６）のいずれかで表される基である請求項１又は請求項２に記載の電子デバイス。
   

   

   
   式（Ｃａ−１）〜式（Ｃａ−６）中、Ｒ^ｓはそれぞれ独立に、水素原子又はＲ^Ｄを表し、Ｒ^Ｄはそれぞれ独立に、前記式（Ｄ）で表される基を表し、波線部分はＡｒとの結合位置を表す。
4. 前記式（１−３）で表される基が、下記式（Ｉｎ−１）〜式（Ｉｎ−６）のいずれかで表される基である請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の電子デバイス。
   

   

   
   式（Ｉｎ−１）〜式（Ｉｎ−６）中、Ｒ^ｓはそれぞれ独立に、水素原子又はＲ^Ｄを表し、Ｒ^Ｄはそれぞれ独立に、前記式（Ｄ）で表される基を表し、波線部分はＡｒとの結合位置を表す。
5. 前記式（１−４）で表される基が、下記式（Ｄｉ−１）〜式（Ｄｉ−６）のいずれかで表される基である請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の電子デバイス。
   

   

   
   式（Ｄｉ−１）〜式（Ｄｉ−６）中、Ｒ^ｓはそれぞれ独立に、水素原子又はＲ^Ｄを表し、Ｒ^Ｄはそれぞれ独立に、前記式（Ｄ）で表される基を表し、波線部分はＡｒとの結合位置を表す。
6. Ｌ^１が、アルキレン基、−Ｃ＝Ｃ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｏ−、アルカン若しくはアルケンから３つの水素原子を除いた三価の基、又は、これらの基を２以上組み合わせてなる基であり、かつ、４つ以上の原子から構成される長さの（ｎ＋１）価の連結基である請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の電子デバイス。
7. 前記式（１−１）で表されるアミン化合物におけるビニルフェニル基の数の合計が、２以上６以下である請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の電子デバイス。
8. Ｘが、前記式（１−２）又は式（１−３）で表される基である請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の電子デバイス。
9. Ｘが、前記式（１−２）で表される基である請求項８に記載の電子デバイス。
10. 一方が透明である一対の電極を更に有し、前記有機化合物層が前記一対の電極間に設けられている有機電界発光素子である請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の電子デバイス。
11. 前記有機化合物層を有する電子写真感光体である請求項１乃至請求項１０のいずれか１項に記載の電子デバイス。
12. 式（１−１）で表されるアミン化合物を少なくとも硬化してなる硬化物を含む
    電荷輸送性膜。
    

    

    
    

    

    
    式（１−１）〜式（１−４）中、
    Ｘは、前記式（１−２）乃至式（１−４）のいずれかで表される基を表し、
    Ａｒは、置換基を有してもよい、三価の単環の芳香環基又は三価の複素芳香環基を表し、
    Ｚ^１〜Ｚ^２８及びＺ^３１〜Ｚ^４０はそれぞれ独立に、Ｃ−Ｒ^Ａ、Ｃ−Ｒ^Ｄ又はＮを表し、
    Ｚ^２９及びＺ^３０はそれぞれ独立に、Ｃ−Ｒ^Ｂ又はＣ−Ｒ^Ｄを表し、
    Ｒ^Ａはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、又は、アラルキル基を表し、
    Ｒ^Ｂはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アラルキル基、又は、２つのＲ^Ｂが結合して５員若しくは６員の脂環構造を形成する基を表し、
    Ｒ^Ｄはそれぞれ独立に、下記式（Ｄ）で表される基を表し、
    また、式（１−１）で表されるアミン化合物は、Ｒ^Ｄを１つ以上有する。
    

    

    
    式（Ｄ）中、
    Ｌ^１は、アルキレン基、−Ｃ＝Ｃ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒ）−、−Ｏ−、−Ｓ−、アルカン若しくはアルケンから３つの水素原子を除いた三価の基、又は、これらの基を２以上組み合わせてなる基であり、かつ、４つ以上の原子から構成される長さの（ｎ＋１）価の連結基を表し、
    Ｒはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、又は、アラルキル基を表し、
    Ｒ^ｓＤはそれぞれ独立に、アルキル基、アリール基、又は、アラルキル基を表し、
    ｎは、１又は２を表し、
    ｎＤは０〜４の整数を表し、
    波線部分は、他の構造との結合位置を表す。
13. 下記式（１−１）で表されるアミン化合物。
    

    

    
    

    

    
    式（１−１）〜式（１−４）中、
    Ｘは、前記式（１−２）乃至式（１−４）のいずれかで表される基を表し、
    Ａｒは、置換基を有してもよい、三価の単環の芳香環基又は三価の複素芳香環基を表し、
    Ｚ^１〜Ｚ^２８及びＺ^３１〜Ｚ^４０はそれぞれ独立に、Ｃ−Ｒ^Ａ、Ｃ−Ｒ^Ｄ又はＮを表し、
    Ｚ^２９及びＺ^３０はそれぞれ独立に、Ｃ−Ｒ^Ｂ又はＣ−Ｒ^Ｄを表し、
    Ｒ^Ａはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、又は、アラルキル基を表し、
    Ｒ^Ｂはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アラルキル基、又は、２つのＲ^Ｂが結合して５員若しくは６員の脂環構造を形成する基を表し、
    Ｒ^Ｄはそれぞれ独立に、下記式（Ｄ）で表される基を表し、
    また、式（１−１）で表されるアミン化合物は、Ｒ^Ｄを１つ以上有する。
    

    

    
    式（Ｄ）中、
    Ｌ^１は、アルキレン基、−Ｃ＝Ｃ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒ）−、−Ｏ−、−Ｓ−、アルカン若しくはアルケンから３つの水素原子を除いた三価の基、又は、これらの基を２以上組み合わせてなる基であり、かつ、４つ以上の原子から構成される長さの（ｎ＋１）価の連結基を表し、
    Ｒはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、又は、アラルキル基を表し、
    Ｒ^ｓＤはそれぞれ独立に、アルキル基、アリール基、又は、アラルキル基を表し、
    ｎは、１又は２を表し、
    ｎＤは０〜４の整数を表し、
    波線部分は、他の構造との結合位置を表す。
14. Ａｒが、置換基を有してもよい、ベンゼン、フラン、チオフェン、ピリジン及びトリアジンよりなる群から選ばれた化合物から水素原子を３つ除いた三価の基である請求項１３に記載のアミン化合物。
15. Ｚ^１〜Ｚ^８を含む環構造を有するＡｒに結合する基、Ｚ^９〜Ｚ^１６を含む環構造を有するＡｒに結合する基、及び、前記式（１−２）で表される基がそれぞれ独立に、下記式（Ｃａ−１）〜式（Ｃａ−６）のいずれかで表される基である請求項１３又は請求項１４に記載のアミン化合物。
    

    

    
    式（Ｃａ−１）〜式（Ｃａ−６）中、Ｒ^ｓはそれぞれ独立に、水素原子又はＲ^Ｄを表し、Ｒ^Ｄはそれぞれ独立に、前記式（Ｄ）で表される基を表し、波線部分はＡｒとの結合位置を表す。
16. 前記式（１−３）で表される基が、下記式（Ｉｎ−１）〜式（Ｉｎ−６）のいずれかで表される基である請求項１３乃至請求項１５のいずれか１項に記載のアミン化合物。
    

    

    
    式（Ｉｎ−１）〜式（Ｉｎ−６）中、Ｒ^ｓはそれぞれ独立に、水素原子又はＲ^Ｄを表し、Ｒ^Ｄはそれぞれ独立に、前記式（Ｄ）で表される基を表し、波線部分はＡｒとの結合位置を表す。
17. 前記式（１−４）で表される基が、下記式（Ｄｉ−１）〜式（Ｄｉ−６）のいずれかで表される基である請求項１３乃至請求項１６のいずれか１項に記載のアミン化合物。
    

    

    
    式（Ｄｉ−１）〜式（Ｄｉ−６）中、Ｒ^ｓはそれぞれ独立に、水素原子又はＲ^Ｄを表し、Ｒ^Ｄはそれぞれ独立に、前記式（Ｄ）で表される基を表し、波線部分はＡｒとの結合位置を表す。
18. Ｌ^１が、アルキレン基、−Ｃ＝Ｃ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｏ−、アルカン若しくはアルケンから３つの水素原子を除いた三価の基、又は、これらの基を２以上組み合わせてなる基であり、かつ、４つ以上の原子から構成される長さの（ｎ＋１）価の連結基である請求項１３乃至請求項１７のいずれか１項に記載のアミン化合物。
19. 前記式（１−１）で表されるアミン化合物におけるビニルフェニル基の数の合計が、２以上６以下である請求項１３乃至請求項１８のいずれか１項に記載のアミン化合物。
20. Ｘが、前記式（１−２）又は式（１−３）で表される基である請求項１３乃至請求項１９のいずれか１項に記載の電子デバイス。
21. Ｘが、前記式（１−２）で表される基である請求項２０に記載のアミン化合物。

Images