JP2021038136A5 - - Google Patents
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Claims (8)
- α－Ｇａ２Ｏ３、又はα－Ｇａ２Ｏ３系固溶体で構成されるコランダム型結晶構造を有する半導体膜であって、
前記半導体膜の一方の表面（おもて面）の結晶欠陥密度に対する、前記半導体膜の前記表面に対向する表面（裏面）の結晶欠陥密度の比が、１．０を超える、半導体膜。 - 前記半導体膜の少なくとも一方の表面における（１０４）面のＸ線ロッキングカーブ半値幅が５００ａｒｃｓｅｃ以下である、請求項１に記載の半導体膜。
- 前記半導体膜が、ドーパントとして１４族元素を１．０×１０１６～１．０×１０２１／ｃｍ３の割合で含む、請求項１又は２に記載の半導体膜。
- 前記半導体膜がｃ軸配向膜である、請求項１～３のいずれか一項に記載の半導体膜。
- ２５～４００℃での熱膨張率が６～１３ｐｐｍ／Ｋである支持基板上に設けられる、請求項１～４のいずれか一項に記載の半導体膜。
- 前記支持基板がＣｕ－Ｍｏ複合材料で構成される、請求項５に記載の半導体膜。
- 前記半導体膜の厚さが０．３～５０μｍである、請求項１～６のいずれか一項に記載の半導体膜。
- 前記半導体膜の片面が２０ｃｍ ２ 以上の面積を有する、請求項１～７のいずれか一項に記載の半導体膜。
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