JP2021034616A5 - - Google Patents
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Claims (4)
- 半導体装置であって、
メインスイッチング素子構造が形成されているアクティブ領域と、センススイッチング素子構造が形成されている電流センス領域と、前記アクティブ領域と前記電流センス領域の周囲に位置する周辺領域と、を有している半導体基板、を備えており、
前記半導体基板は、＜１１−２０＞方向にオフ角を有する４Ｈ−ＳｉＣ基板であり、
前記電流センス領域は、＜１−１００＞方向に沿って見たときに、前記アクティブ領域が存在しない範囲に配置されている、半導体装置。 - 前記アクティブ領域は、第１アクティブ領域と第２アクティブ領域を有しており、
前記第１アクティブ領域と前記第２アクティブ領域は、前記半導体基板内で離間して配置されており、
前記電流センス領域は、＜１−１００＞方向に沿って見たときに、前記第１アクティブ領域と前記第２アクティブ領域の間に配置されている、請求項１に記載の半導体装置。 - 温度センス素子をさらに備えており、
前記温度センス素子は、前記第１アクティブ領域と前記第２アクティブ領域の間に位置する前記周辺領域に配置されている、請求項２に記載の半導体装置。 - 前記電流センス領域は、前記第１アクティブ領域と前記第２アクティブ領域の間に位置する前記周辺領域から離れた位置の前記周辺領域に配置されている、請求項２又は３に記載の半導体装置。
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| JP2019154890A JP7167881B2 (ja) | 2019-08-27 | 2019-08-27 | 半導体装置 |
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