JP2021022635A - 半導体装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】受光画素領域に配された画素の光電変換部における暗電流を低減し且つ暗電流の不均一性を改善しうる半導体装置を提供する。【解決手段】各々が光電変換部を含む複数の画素が設けられた半導体層と、半導体層の上に配された配線構造体と、を有する半導体装置であって、複数の画素は、第１の受光画素及び第２の受光画素を含み、配線構造体は、第１の絶縁材料よりなる第１の絶縁膜と、第１の受光画素に対応して配され、第１の絶縁材料よりも水素含有量の多い第２の絶縁材料よりなる第１の絶縁部材と、第２の受光画素に対応して配され、第２の絶縁材料よりなる第２の絶縁部材と、を有し、第１の絶縁部材の体積は、第２の絶縁部材の体積よりも大きい。【選択図】図４

Description

本発明は、半導体装置に関する。
近年、固体撮像装置などの半導体装置において、シリコン中の結晶欠陥やシリコンと絶縁膜との間の界面状態の影響により生じるノイズを低減することが求められている。このような背景のもと、光電変換素子の近傍で生じるノイズや暗電流を、水素のダングリングボンド終端作用を利用して低減する技術が提案されている。例えば、光電変換素子の近傍に窒化シリコンよりなる部材を配置することで、窒化シリコンに含まれる水素を光電変換素子に供給することができ、暗電流のレベルを低下することが可能となる。
一方、特許文献１には、光電変換素子への光入射経路に窒化シリコンよりなる高屈折率領域を設けることにより、隣接画素への光漏れに起因する混色を低減する技術が開示されている。特許文献１に記載の高屈折率領域は光電変換素子の近傍に配されるため、この高屈折率領域に含まれる水素は光電変換素子における暗電流のレベルの低下に寄与しうる。
特開２０１４−０８６５５１号公報
しかしながら、特許文献１に記載の高屈折率領域を配置した場合、光電変換素子の暗電流のレベルを全体的に下げることはできるが、光電変換素子ごとに暗電流の均一性に検討の余地がある。
本発明の目的は、受光画素領域に配された画素の光電変換部における暗電流を低減し且つ暗電流の不均一性を改善しうる半導体装置を提供することにある。
本発明の一観点によれば、各々が光電変換部を含む複数の画素が設けられた半導体層と、前記半導体層の上に配された配線構造体と、を有する半導体装置であって、前記複数の画素は、第１の受光画素及び第２の受光画素を含み、前記配線構造体は、第１の絶縁材料よりなる第１の絶縁膜と、前記第１の受光画素に対応して配され、前記第１の絶縁材料よりも水素含有量の多い第２の絶縁材料よりなる第１の絶縁部材と、前記第２の受光画素に対応して配され、前記第２の絶縁材料よりなる第２の絶縁部材と、を有し、前記第１の絶縁部材の体積は、前記第２の絶縁部材の体積よりも大きい半導体装置が提供される。
また、本発明の他の一観点によれば、各々が光電変換部を含む複数の画素が設けられた半導体層と、前記半導体層に重なるように配された基板と、前記半導体層と前記基板との間に配された配線構造体と、を有する半導体装置であって、前記複数の画素は、第１の受光画素及び第２の受光画素を含み、前記配線構造体は、第１の絶縁材料よりなる第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁材料よりも水素含有量の多い第２の絶縁材料よりなる絶縁部材と、を有し、前記第１の受光画素に対応する部分における水素含有量が、前記第２の受光画素に対応する部分における水素含有量よりも多い半導体装置が提供される。
また、本発明の更に他の一観点によれば、各々が光電変換部を含む複数の画素が設けられた半導体層と、前記半導体層の上に配された配線構造体と、を有する半導体装置であって、前記複数の画素は、第１の受光画素及び第２の受光画素を含み、前記配線構造体は、第１の絶縁材料よりなる第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜よりも前記半導体層の側に設けられ、前記第１の絶縁材料よりも水素を透過しにくい第３の絶縁材料よりなる第２の絶縁膜と、を有し、前記第１の絶縁膜と前記半導体層との間に、前記第１の絶縁材料よりなる絶縁部材が位置し、前記第１の受光画素に対応する部分において、前記第１の絶縁膜と前記絶縁部材とが、前記第２の絶縁膜に設けられた第１の開口部を介して接続されており、前記第２の受光画素に対応する部分において、前記第１の絶縁膜と前記絶縁部材とが、前記第２の絶縁膜に設けられた第２の開口部を介して接続されており、前記第１の開口部は、前記第２の開口部よりも大きい半導体装置が提供される。
本発明によれば、受光画素領域に配された画素の光電変換部における暗電流を低減し且つ暗電流の不均一性を改善することができる。
本発明の第１実施形態による半導体装置の概略構成を示すブロック図である。 本発明の第１実施形態による半導体装置における画素領域の構成例を示す平面図である。 本発明の第１実施形態による半導体装置の構造を示す概略断面図である。 本発明の第１実施形態による半導体装置における受光画素領域の構造を示す平面図及び概略断面図である。 受光画素領域における暗電流の分布を示す図（その１）である。 受光画素領域における暗電流の分布を示す図（その２）である。 本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。 本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。 本発明の第２実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。 本発明の第３実施形態による半導体装置における受光画素領域の構造を示す平面図及び概略断面図である。 本発明の第４実施形態による半導体装置における受光画素領域の構造を示す概略断面図である。 本発明の第５実施形態による半導体装置における受光画素領域の構造を示す概略断面図である。 本発明の第６実施形態による撮像システムの概略構成を示すブロック図である。 本発明の第７実施形態による撮像システム及び移動体の構成例を示す図である。
［第１実施形態］
本発明の第１実施形態による半導体装置及びその製造方法について、図１乃至図８を用いて説明する。
はじめに、本実施形態による半導体装置の構造について、図１乃至図４を用いて説明する。図１は、本実施形態による半導体装置の概略構成を示すブロック図である。図２は、本実施形態による半導体装置における画素領域の構成例を示す平面図である。図３は、本実施形態による半導体装置の構造を示す概略断面図である。図４は、本実施形態による半導体装置における受光画素領域の構造を示す平面図及び概略断面図である。
本実施形態による半導体装置１は、図１に示すように、画素領域１０と、周辺回路領域２０と、を有する。周辺回路領域２０は、垂直走査回路３０と、読み出し回路４０と、水平走査回路５０と、出力回路６０と、制御回路７０と、を有する。
画素領域１０には、複数の行及び複数の列をなすようにマトリクス状に配された複数の画素１２が設けられている。各々の画素１２は、フォトダイオード等の光電変換素子からなる光電変換部を含み、入射光の光量に応じた画素信号を出力する。画素領域１０に配される画素アレイの行数及び列数は、特に限定されるものではない。また、画素領域１０には、入射光の光量に応じた画素信号を出力する受光画素（有効画素）のほか、遮光された遮光画素が配置されてもよい。遮光画素とは、例えば光電変換部が遮光されたオプティカルブラック画素（ＯＢ画素）や、光電変換部がないＮＵＬＬ画素、信号を出力しないダミー画素などでありうる。
画素領域１０の画素アレイの各行には、第１の方向（図１においてＸ方向）に延在して、制御線１４が配されている。制御線１４の各々は、第１の方向に並ぶ画素１２にそれぞれ接続され、これら画素１２に共通の信号線をなしている。制御線１４の延在する第１の方向は、行方向或いは水平方向と呼ぶことがある。制御線１４は、垂直走査回路３０に接続されている。
画素領域１０の画素アレイの各列には、第１の方向と交差する第２の方向（図１においてＹ方向）に延在して、出力線１６が配されている。出力線１６の各々は、第２の方向に並ぶ画素１２にそれぞれ接続され、これら画素１２に共通の信号線をなしている。出力線１６の延在する第２の方向は、列方向或いは垂直方向と呼ぶことがある。出力線１６は、読み出し回路４０に接続されている。
垂直走査回路３０は、画素１２から信号を読み出す際に画素１２内の読み出し回路を駆動するための制御信号を、画素アレイの各行に設けられた制御線１４を介して画素１２に供給する制御回路部である。垂直走査回路３０は、シフトレジスタやアドレスデコーダを用いて構成され得る。垂直走査回路３０は、制御線１４を介して供給する制御信号によって画素領域１０の画素１２を行単位で駆動する。行単位で画素１２から読み出された信号は、画素アレイの各列に設けられた出力線１６を介して読み出し回路４０に入力される。
読み出し回路４０は、各列の画素１２から出力線１６を介して読み出された信号に対して所定の信号処理、例えば、増幅処理やＡ／Ｄ変換処理等の信号処理を実施する回路部である。読み出し回路４０は、信号保持部、列アンプ、相関二重サンプリング（ＣＤＳ）回路、加算回路、Ａ／Ｄ変換回路、列メモリ等を含み得る。
水平走査回路５０は、読み出し回路４０において処理された信号を列毎に順次、出力回路６０に転送するための制御信号を、読み出し回路４０に供給する回路部である。水平走査回路５０は、シフトレジスタやアドレスデコーダを用いて構成され得る。出力回路６０は、バッファアンプや差動増幅器などから構成され、水平走査回路５０によって選択された列の信号を増幅して出力するための回路部である。
制御回路７０は、垂直走査回路３０、読み出し回路４０及び水平走査回路５０に、それらの動作やタイミングを制御する制御信号を供給するための回路部である。なお、垂直走査回路３０、読み出し回路４０及び水平走査回路５０に供給する制御信号のうちの少なくとも一部は、半導体装置１の外部から供給してもよい。
画素領域１０は、図２に示すように、画像信号を出力するための画素１２が配された受光画素領域１０Ａと、黒レベルの基準となる基準信号を出力するための画素１２が配された遮光画素領域１０Ｂ（オプティカルブラック領域、遮光画素領域）と、を含む。受光画素領域１０Ａは、光を受けるように構成された受光画素が配された領域である。遮光画素領域１０Ｂは、オプティカルブラック画素（ＯＢ画素）などの遮光された画素が配された領域である。遮光画素領域１０Ｂは、特に限定されるものではないが、例えば図２に示すように、画素領域１０の周囲の２辺に沿って配される。また、周辺回路領域２０は、例えば図２に示すように、画素領域１０の周囲に配される。
図３は、図２のＡ−Ａ′線に沿った概略断面図である。図３には、受光画素領域１０Ａ、遮光画素領域１０Ｂ及び周辺回路領域２０の各々から、Ａ−Ａ′線上に位置する素子の一部を抜き出して示している。図４には、これらのうち受光画素領域１０Ａの外縁部の概略断面図を平面図とともに示している。図４（ａ）が受光画素領域１０Ａの平面図であり、図４（ｂ）が図４（ａ）のＢ−Ｂ′線断面図である。なお、図４（ａ）は、半導体層１２０の主面に平行な投影面に各部を垂直投影した平面図である。
本実施形態による半導体装置１は、図３及び図４に示すように、半導体基板２１０と、配線構造体１８０と、半導体層１２０と、光学構造体３２０と、を有する。半導体基板２１０は、互いに反対の表面をなす一対の第１面２１２及び第２面２１４を有する。配線構造体１８０、半導体層１２０及び光学構造体３２０は、半導体基板２１０の第１面２１２の側にこの順番で積層されている。半導体基板２１０は、半導体層１２０に重なるように配されている。
配線構造体１８０は、半導体基板２１０の側から順に積層された絶縁膜１６２，１６０，１５２，１４８，１４４，１４０，１３６，１３０，１２８と、この中に配された複数の配線層を含む。図３及び図４には、この複数の配線層により構成される金属部材のうち、異なる層に配された配線１５８，１４６，１３８を示している。なお、配線構造体１８０の中に配される配線層の層数は、特に限定されるものではない。
配線構造体１８０を構成する絶縁膜のうち、絶縁膜１２８，１３６，１４４，１５２，１６２は、配線間容量の低減の観点から、一般的に比誘電率が相対的に低い絶縁材料により構成される。比誘電率が相対的に低い絶縁材料としては、例えば、酸化シリコンや酸炭化シリコンなどが挙げられる。酸化シリコンや酸炭化シリコンなどの絶縁材料は、水素を透過する性質を有する。一方、絶縁膜１３０，１４０，１４８，１６０は、配線１３８，１４６，１５８の形成時のエッチングストッパ膜や配線材料の拡散防止膜としての役割を備える。これら役割のもと絶縁膜１３０，１４０，１４８，１６０は、例えば、炭化シリコン、炭窒化シリコン、窒化シリコンなどにより構成される。炭化シリコン、炭窒化シリコン、窒化シリコンなどの絶縁材料は、水素の拡散を阻害する性質を有する。
このように、配線構造体１８０は、水素を透過する絶縁材料よりなる複数の第１の絶縁膜と、水素の拡散を阻害する絶縁材料よりなる複数の第２の絶縁膜と、が交互に積層されてなる積層体を有する。第１の絶縁膜を構成する第１の絶縁材料は、第２の絶縁膜を構成する第２の絶縁材料よりも水素を透過しやすい。
半導体層１２０は、互いに反対の表面をなす一対の第１面１１２及び第２面１１４を有する。半導体層１２０は、一方の面の側、すなわち第１面１１２の側において配線構造体１８０に接している。或いは、配線構造体１８０は、半導体層１２０の上に配されているとも言える。
受光画素領域１０Ａ及び遮光画素領域１０Ｂにおいて、半導体層１２０の第１面１１２の側には、光電変換部１２４及びゲート電極１２６を含むＭＯＳトランジスタを各々が含む複数の画素と、素子分離部１２２と、が設けられている。複数の画素は、アレイ状に配列されており、受光画素領域１０Ａ及び遮光画素領域１０Ｂを構成している。
周辺回路領域２０において、半導体層１２０の第１面１１２の側には、ゲート電極１２６を含むＭＯＳトランジスタと、素子分離部１２２と、が設けられている。
半導体層１２０の他方の面の側、すなわち第２面１１４の側には、光学構造体３２０が設けられている。光学構造体３２０は、半導体層１２０に対して配線構造体１８０とは反対側に配されている。受光画素領域１０Ａにおいて、光学構造体３２０は、半導体層１２０の第２面１１４の側から順に設けられた絶縁膜３０２と、カラーフィルタ層３０８と、マイクロレンズ３１０と、を有する。カラーフィルタ層３０８及びマイクロレンズ３１０は、複数の画素の各々に対応して設けられている。遮光画素領域１０Ｂ及び周辺回路領域２０において、光学構造体３２０は、絶縁膜３０２と、絶縁膜３０２内に配された遮光膜３１２と、絶縁膜３０２の上に配された絶縁膜３０６と、を有する。
半導体基板２１０は、支持基板としての役割のみを有する基板であってもよい。この場合、半導体基板２１０の代わりに絶縁性基板を用いてもよい。また、半導体基板２１０は、周辺回路領域２０を構成する回路要素の少なくとも一部や半導体装置１から出力される信号を処理するための信号処理回路などを有する基板であってもよい。この場合、半導体基板２１０と配線構造体１８０との間に、配線構造体１８０とは別の他の配線構造体を更に有してもよい。
このように、本実施形態による半導体装置１は、積層型のセンサであり、裏面照射型のセンサでもある。半導体装置１を光電変換装置や撮像装置と称することもできる。
ここで、本実施形態による半導体装置は、図３及び図４に示すように、受光画素領域１０Ａにおける絶縁膜１２８の中に、絶縁膜１２８よりも水素含有量の多い絶縁部材１７０を有している。絶縁部材１７０は、受光画素領域１０Ａに配された画素１２の各々に対応して設けられている。そして、半導体層１２０の主面に平行な投影面における絶縁部材１７０の面積は、図４（ａ）に示すように、受光画素領域１０Ａの外側に向かうほど大きくなっている。図３及び図４には受光画素領域１０Ａの外縁部を構成する周囲４辺のうち右側の１辺のみを示しているが、他の３辺についても同様である。
ここで、受光画素領域１０Ａの外縁部に配された受光画素のうち、一の受光画素（第２の受光画素）と、当該一の受光画素よりも受光画素領域１０Ａの外側に配された他の受光画素（第１の受光画素）とに着目する。この場合、半導体層１２０の主面に平行な投影面において、第１の受光画素に対応して絶縁膜１２８の中に配された絶縁部材１７０の面積は、第２の受光画素に対応して絶縁膜１２８の中に配された絶縁部材１７０の面積よりも大きい。別の言い方をすると、配線構造体１８０は、第１の受光画素に対応する部分における水素含有量が、第２の受光画素に対応する部分における水素含有量よりも多い。なお、受光画素に対応する部分とは、半導体層１２０の主面に平行な投影面において当該受光画素と重なる部分である。
次に、本実施形態の半導体装置により奏される効果について、図５及び図６を用いて説明する。図５及び図６は、受光画素領域１０Ａ内における光電変換部の暗電流の分布を示す図である。図５及び図６において、横軸は受光画素領域１０ＡのＣ−Ｃ′線に沿った画素の位置を示し、縦軸は対応する画素の光電変換部における暗電流のレベルを示している。
図５において、破線は、絶縁部材１７０を設けていない参考例による半導体装置の場合（比較例１）を示している。一点鎖線は、面積の等しい絶縁部材１７０を受光画素領域１０Ａの全体に渡って均等に配置した半導体装置の場合（比較例２）を示している。
図５に示すように、絶縁部材１７０を設けていない比較例１による半導体装置においては、受光画素領域１０Ａの外周の近傍において暗電流が大きくなっている。本発明者が確認したところ、暗電流の増加は、受光画素領域１０Ａの外周から幅数百μｍの範囲において顕著に表れることが判明した。受光画素領域１０Ａの外周の近傍における暗電流の増加は、受光画素領域１０Ａと周辺回路領域２０との間の境界部だけでなく、受光画素領域１０Ａと遮光画素領域１０Ｂとの間の境界部においても生じている。
受光画素領域１０Ａの周縁部において暗電流が増加する原因は必ずしも明らかではないが、１つの原因として、遮光画素領域１０Ｂ及び周辺回路領域２０に配された遮光膜３１２の影響が推定される。遮光膜３１２は、一般的にはタングステンなどの金属材料により構成され、水素拡散の阻害膜となる。そのため、受光画素領域１０Ａの周縁部では、遮光膜３１２の影響により、受光画素領域１０Ａの中央部と比較して、受光画素への水素供給量が減少する可能性がある。その場合、受光画素領域１０Ａの周縁部では、ダングリングボンド終端作用による暗電流低減効果が低くなり、暗電流が増加する虞がある。
そこで、本発明者は、水素のダングリングボンド終端作用による暗電流の低減を期待し、受光画素領域１０Ａの各画素１２の光電変換部１２４の近傍に水素含有量の多い絶縁部材を均等に配置することを試みた。その結果、暗電流のレベルは、図５に比較例２として示すように、受光画素領域１０Ａの全体に渡って一様に低減することはできた。しかしながら、この場合においても、受光画素領域１０Ａの外周の近傍において暗電流が大きくなる現象を抑制することはできなかった。
本発明者は、光電変換部の周囲の構成が変わると暗電流が変化するという事実を基にして種々の構成の半導体装置を試作した。そして、完成した光電変換部の暗電流値と光電変換部中の水素濃度とをそれぞれ測定した。水素濃度の測定には種々ある測定方法のうちＳＩＭＳ法を用いた。その結果、光電変換部の暗電流値と光電変換部中の水素濃度との間には負の相関があることが判明した。具体的には、光電変換部の単位面積当たりの暗電流値は、光電変換部中の水素濃度の対数に比例する。その直線の傾きは−８［ｐＡ／ｃｍ２／ｄｅｃ］程度である。例えば、光電変換部中の水素濃度が１０倍になると、光電変換部の暗電流値は８［ｐＡ／ｃｍ２］少なくなる。実際のところ、半導体装置の構成の工夫により制御可能な水素濃度の変化は数倍であり、８［ｐＡ／ｃｍ２］より小さい範囲で暗電流の制御が可能である。
また、本発明者は、光電変換部１２４の水素濃度の変化を与える構成として、水素供給源となる絶縁部材１７０の面積を変えることが有効であるという事実に想到した。例えば、受光画素領域１０Ａの中心部における画素１２の光電変換部１２４の暗電流値を基準として、受光画素領域１０Ａの外縁部における画素１２の光電変換部１２４の暗電流値を４［ｐＡ／ｃｍ２］程度少なくすることを考える。この場合、水素供給源となる絶縁部材１７０の面積を、受光画素領域１０Ａの外縁部では中心部の５倍程度に設定すればよい。光電変換部１２４の暗電流が増加する領域は、半導体装置の具体的な構造に応じて変化するため必ずしも一意的に定めることはできないが、典型的には受光画素領域１０Ａの外周から幅３００μｍ以下の領域である。
例えば、受光画素領域１０Ａにおいて光電変換部１２４の暗電流が増加する外縁部の幅が２００μｍであるとすると、４μｍ角の光電変換部１２４は外縁部の幅方向に沿って最大で５０個配置することができる。これら光電変換部１２４に受光画素領域１０Ａの外側から１番、２番、…、５０番と番号を付したとすると、絶縁部材１７０の面積は、１番の光電変換部１２４で最大とし、２番、３番、…、５０番の光電変換部１２４で徐々に小さくなるように設計すればよい。
光電変換部１２４における暗電流は受光画素領域１０Ａ内における画素１２の場所によって異なるため、暗電流のばらつきを抑制するためには各画素１２で独立した絶縁部材１７０を設けることが有効である。また、絶縁部材１７０から光電変換部１２４への水素供給の効率を高める観点からは、半導体層１２０の主面に平行な投影面において光電変換部１２４と絶縁部材１７０とは少なくとも一部が重なっていることが望ましい。
図６において、実線は、受光画素領域１０Ａの外側に向かうほど絶縁部材１７０の面積が大きくなるように構成した本実施形態の半導体装置の場合（実施例）を示している。破線は、絶縁部材１７０を設けていない参考例による半導体装置の場合（比較例１）を示している。
本実施形態の半導体装置においては、前述のように、受光画素領域１０Ａの外縁部に配された画素１２において、受光画素領域１０Ａの外側に向かうほど絶縁部材１７０の面積を、光電変換部１２４の暗電流値に応じた適切な割合で徐々に大きくしている。このように構成することにより、図６に実線で示すように、光電変換部１２４における暗電流を低減し且つ受光画素領域１０Ａの面内での不均一性を改善することが可能となる。
なお、暗電流が増加する範囲や画素１２毎の暗電流の増加量は、受光画素領域１０Ａを構成する画素１２の構造、受光画素領域１０Ａに隣接する遮光画素領域１０Ｂや周辺回路領域２０に配された素子の構造、半導体装置の製造条件等によって変化する。したがって、絶縁部材１７０を有する画素１２を配置する領域やこれら画素１２における絶縁部材１７０の面積は、各画素１２において暗電流が増加する状況を把握したうえで適宜設定することが望ましい。
次に、本実施形態による半導体装置の製造方法について、図７及び図８を用いて説明する。図７及び図８は、本実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。なお、図７及び図８は、図４（ａ）のＢ−Ｂ′線断面図に対応している。
まず、第１部品１００の基材として、半導体基板１１０を用意する。半導体基板１１０は、例えばシリコン基板であり、互いに反対の表面をなす一対の第１面１１２と第２面１１４とを有する。
次いで、半導体基板１１０の第１面１１２の側に、公知の半導体装置の製造プロセスにより、素子分離部１２２、光電変換部１２４、ゲート電極１２６を含むＭＯＳトランジスタ等を形成する。なお、図面にはこれらのうち光電変換部１２４のみが現れる断面を示している。
次いで、素子分離部１２２、光電変換部１２４、ＭＯＳトランジスタ等が設けられた半導体基板１１０の第１面１１２の側に、例えば酸化シリコンよりなる絶縁膜１２８を形成する（図７（ａ））。例えば、半導体基板１１０の第１面１１２の上に、ＣＶＤ法により酸化シリコンを堆積後、この酸化シリコンの表面を平坦化し、酸化シリコン膜よりなる絶縁膜１２８を形成する。絶縁膜１２８は、水素透過性の高い絶縁材料により構成され、酸化シリコンのほか、例えば酸炭化シリコンによっても構成され得る。
次いで、フォトリソグラフィを用いて、絶縁膜１２８の上に、絶縁部材１７０を形成する領域に対応する部分に開口部を有するフォトレジスト膜１２９を形成する。
次いで、フォトレジスト膜１２９をマスクとして絶縁膜１２８をドライエッチングし、絶縁膜１２８に開口部１３４を形成する（図７（ｂ））。この際、光電変換部１２４へのエッチングダメージを軽減するため、開口部１３４の底部に少なくとも１０ｎｍ程度の絶縁膜１２８が残存するようにする。絶縁膜１２８の下層にエッチングストッパ膜となる他の絶縁膜、例えば窒化シリコン膜を設け、このエッチングストッパ膜をストッパとして開口部１３４を形成するようにしてもよい。開口部１３４を形成する場所は、絶縁部材１７０の配置場所に対応する。
次いで、フォトレジスト膜１２９を除去した後、開口部１３４が設けられた絶縁膜１２８上の全面に、ＣＶＤ法により例えば窒化シリコンを堆積し、窒化シリコンよりなる絶縁膜１７０ａを形成する（図７（ｃ））。絶縁膜１７０ａの堆積後、開口部１３４の中には空隙が存在しないことが望ましい。絶縁膜１７０ａは、絶縁膜１２８を構成する絶縁部材よりも水素含有量の大きい絶縁材料により構成される。
次いで、例えばＣＭＰ法により絶縁膜１２８上の絶縁膜１７０ａを除去し、開口部１３４内に配された絶縁部材１７０を形成する（図７（ｄ））。絶縁部材１７０は、開口部１３４の底部に残存する絶縁膜１２８の厚さに対応して、半導体基板１１０の第１面１１２から１０ｎｍ以上離間して設けられることになる。
次いで、絶縁部材１７０が設けられた絶縁膜１２８の上に、ＣＶＤ法により、炭化シリコンを堆積し、炭化シリコン膜よりなる絶縁膜１３０を形成する。なお、絶縁膜１３０は、窒化シリコン膜や炭窒化シリコン膜により構成してもよい。
次いで、公知の半導体装置の製造プロセスにより、コンタクトプラグ１３２、配線１３８、絶縁膜１３６，１４０，１４４，配線１４６、絶縁膜１４８，１５２、配線１５８、絶縁膜１６０，１６２等を形成し、配線構造体１８０を形成する（図８（ａ））。
以上により、光電変換素子を含む接合前の第１部品１００が完成する。
また、第１部品１００とは別に、第２部品２００の基材として、半導体基板２１０を用意する。半導体基板２１０は、例えばシリコン基板であり、互いに反対の表面をなす一対の第１面２１２と第２面２１４とを有する。なお、半導体基板２１０は、支持基板としての役割のみを有する基板であってもよい。この場合、半導体基板２１０の代わりに絶縁性基板を用いてもよい。また、半導体基板２１０は、周辺回路領域２０を構成する回路要素の少なくとも一部や、画素信号を処理するための信号処理回路などを有する基板であってもよい。この場合、半導体基板２１０と配線構造体１８０との間に、配線構造体１８０とは別の他の配線構造体を更に有してもよい。
次いで、第１部品１００と第２部品２００とを、第１部品１００の絶縁膜１６２側の面と第２部品２００の第１面２１２側の面とが向き合うように対向配置し、貼り合わせる。
次いで、第１部品１００の半導体基板１１０を、第２面１１４から所定の厚さまで薄化し、半導体基板１１０を薄化してなる半導体層１２０を形成する（図８（ｂ））。半導体基板１１０の薄化には、バックグラインド、ＣＭＰ、エッチング等の方法を適用可能である。或いは、３次元実装やＴＳＶ（貫通電極）形成プロセスなどで採用されている他の公知の基板薄膜化技術を適用することも可能である。以後の説明では、半導体基板１１０を薄化することにより露出した半導体層１２０の新たな面についても便宜上、第２面１１４と呼ぶものとする。
次いで、窒素雰囲気中や水素含有雰囲気（例えば、フォーミングガス雰囲気）中で熱処理を行う。この熱処理により、絶縁部材１７０から水素が放出され、この水素が光電変換部１２４に達することによって、半導体層１２０の第１面１１２の側のダングリングボンドが水素終端される。この際、受光画素領域１０Ａの外縁部では、光電変換部１２４に対向する絶縁部材１７０の面積が大きい外側の画素１２の光電変換部１２４ほど水素供給量が多くなり、暗電流低減の効果が高くなる。これにより、光電変換部１２４における暗電流を低減し且つ受光画素領域１０Ａの面内での均一性を向上することが可能となる。
なお、この熱処理を行うタイミングは、半導体基板１１０の薄化後に限定されるものではなく、第１部品１００と第２部品２００とを接合する際の熱処理を利用してもよいし、第１部品１００と第２部品２００とを接合する前のタイミングで行ってもよい。また、この熱処理を、第１部品１００と第２部品２００とを接合する前に行い、第１部品１００と第２部品２００との接合時や半導体基板１１０の薄化後に更に行ってもよい。また、絶縁膜１５２，１６０，１６２の成膜過程など、バックエンドプロセスの熱履歴によって水素を十分に光電変換部１２４まで拡散できる場合には、必ずしも別途の熱処理を行う必要はない。
次いで、半導体層１２０の第２面１１４の上に、公知の半導体装置の製造プロセスを用いて、絶縁膜３０２、カラーフィルタ層３０８、マイクロレンズ３１０等を形成し、本実施形態による半導体装置を完成する（図８（ｃ））。
このように、本実施形態によれば、受光画素領域に配された画素の光電変換部における暗電流を低減し且つ不均一性を改善することができる。
［第２実施形態］
本発明の第２実施形態による半導体装置の製造方法について、図９を用いて説明する。第１実施形態による半導体装置と同様の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。図９は、本実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
まず、第１部品１００の基材として、半導体基板１１０を用意する。半導体基板１１０は、例えばシリコン基板であり、互いに反対の表面をなす一対の第１面１１２と第２面１１４とを有する。
次いで、半導体基板１１０の第１面１１２の側に、公知の半導体装置の製造プロセスにより、素子分離部１２２、光電変換部１２４、ゲート電極１２６を含むＭＯＳトランジスタ等を形成する。なお、図面にはこれらのうち光電変換部１２４のみが現れる断面を示している。
次いで、素子分離部１２２、光電変換部１２４、ＭＯＳトランジスタ等が設けられた半導体基板１１０の第１面１１２の側に、例えばＣＶＤ法や熱酸化法により、酸化シリコンよりなる絶縁膜１２８ａを形成する。絶縁膜１２８ａは、水素透過性の高い絶縁材料により構成され、酸化シリコンのほか、例えば酸炭化シリコンによっても構成され得る。
次いで、絶縁膜１２８ａの上に、例えばＣＶＤ法により、例えば窒化シリコンよりなる絶縁膜１７０ａを形成する（図９（ａ））。絶縁膜１７０ａは、絶縁膜１２８を構成する絶縁部材よりも水素含有量の大きい絶縁材料により構成される。
次いで、フォトリソグラフィを用いて、絶縁膜１７０ａの上に、絶縁部材１７０を形成する領域に対応するパターンを有するフォトレジスト膜１２９を形成する。
次いで、フォトレジスト膜１２９をマスクとして絶縁膜１７０ａをドライエッチングし、絶縁膜１７０ａよりなる絶縁部材１７０を形成する（図９（ｂ））。この際、光電変換部１２４へのエッチングダメージを軽減するため、絶縁膜１７０ａを除去した部分の絶縁膜１２８ａが少なくとも１０ｎｍ程度残存するようにする。
次いで、フォトレジスト膜１２９を除去した後、絶縁部材１７０が設けられた絶縁膜１２８ａの上に、例えば酸化シリコンよりなる絶縁膜１２８ｂを形成する。例えば、ＣＶＤ法により酸化シリコンを堆積後、この酸化シリコンの表面を平坦化し、酸化シリコン膜よりなる絶縁膜１２８ｂを形成する（図９（ｃ））。絶縁膜１２８ｂは、水素透過性の高い絶縁材料により構成され、酸化シリコンのほか、例えば酸炭化シリコンによっても構成され得る。なお、絶縁膜１２８ｂは、図示するように絶縁部材１７０上に延在していてもよいし、絶縁部材１７０と同じ高さでもよい。
この後、第１実施形態と同様にして第１部品１００を形成後、第２部品と接合し、光学構造体３２０等を形成することにより、半導体装置を完成する。
［第３実施形態］
本発明の第３実施形態による半導体装置及びその製造方法について、図１０を用いて説明する。第１及び第２実施形態による半導体装置と同様の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。図１０は、本実施形態による半導体装置の構成例を示す概略断面図である。
第１実施形態においては、受光画素領域１０Ａの外側に向かうほど絶縁部材１７０の面積を大きくして水素供給量を増加したが、受光画素領域１０Ａの外側に向かうほど絶縁部材１７０の体積を大きくして水素供給量を増加してもよい。絶縁部材１７０に蓄積される水素の量は、絶縁部材１７０の体積が大きいほどに多くなる。したがって、受光画素領域１０Ａの外縁部において、受光画素領域１０Ａの外側に向かうほど絶縁部材１７０の体積を増加することによっても、光電変換部１２４における暗電流を低減し且つ受光画素領域１０Ａの面内での暗電流レベルのばらつきを低減にすることが可能となる。
図１０では、受光画素領域１０Ａの外側に向かうほど半導体層１２０の主面に平行な投影面における絶縁部材１７０の面積及び絶縁部材１７０の厚さを大きくすることで、受光画素領域１０Ａの外側に向かうほど絶縁部材１７０の体積を増加している。絶縁部材１７０の面積に加えて絶縁部材１７０の厚さをも変化することにより、絶縁部材１７０からの水素供給量の範囲を更に広げることが可能となる。或いは、半導体層１２０の主面に平行な投影面における絶縁部材１７０の面積を一定として、受光画素領域１０Ａの外側に向かうほど絶縁部材１７０の厚さを大きくするように構成してもよい。
ここで、受光画素領域１０Ａの外縁部に配された受光画素のうち、一の受光画素（第２の受光画素）と、当該一の受光画素よりも受光画素領域１０Ａの外側に配された他の受光画素（第１の受光画素）とに着目する。この場合、半導体層１２０の主面に平行な投影面において、第１の受光画素に対応して絶縁膜１２８の中に配された絶縁部材１７０の体積は、第２の受光画素に対応して絶縁膜１２８の中に配された絶縁部材１７０の体積よりも大きい。別の言い方をすると、配線構造体１８０は、第１の受光画素に対応する部分における水素含有量が、第２の受光画素に対応する部分における水素含有量よりも多い。なお、受光画素に対応する部分とは、半導体層１２０の主面に平行な投影面において当該受光画素と重なる部分である。
なお、暗電流が増加する範囲や画素１２毎の暗電流の増加量は、受光画素領域１０Ａを構成する画素１２の構造、受光画素領域１０Ａに隣接する遮光画素領域１０Ｂや周辺回路領域２０に配された素子の構造、半導体装置の製造条件等によって変化する。したがって、絶縁部材１７０を有する画素１２を配置する領域やこれら画素１２における絶縁部材１７０の面積及び厚さは、各画素１２において暗電流が増加する状況を把握したうえで適宜設定することが望ましい。
本実施形態による半導体装置の製造方法は、特に限定されるものではない。例えば、絶縁部材１７０の厚さが異なる領域毎に、図７に示す工程を用いて絶縁部材１７０を形成することができる。
このように、本実施形態によれば、受光画素領域に配された画素の光電変換部における暗電流を低減し且つばらつきを軽減することができる。
［第４実施形態］
本発明の第４実施形態による半導体装置及びその製造方法について、図１１を用いて説明する。第１乃至第３実施形態による半導体装置と同様の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。図１１は、本実施形態による半導体装置の構成例を示す概略断面図である。
第１乃至第３実施形態では、絶縁部材１７０から供給される水素を利用して光電変換部１２４における暗電流の低減と受光画素領域１０Ａにおける面内の均一性の向上を実現したが、水素供給源は絶縁部材１７０に限定されるものではない。
例えば、配線構造体１８０を構成する絶縁膜のうち、絶縁膜１２８，１３６，１４４，１５２，１６２は、配線間容量の低減の観点から、一般的に比誘電率が相対的に低い絶縁材料により構成される。比誘電率が相対的に低い絶縁材料としては、例えば、酸化シリコンや酸炭化シリコンなどが挙げられる。酸化シリコンや酸炭化シリコンなどの絶縁材料は、水素を透過する性質を有する。したがって、絶縁膜１２８，１３６，１４４，１５２，１６２は、水素供給源として利用することも可能である。
一方、絶縁膜１３０，１４０，１４８，１６０は、配線１３８，１４６，１５８の形成時のエッチングストッパ膜や配線材料の拡散防止膜としての役割を備える。これら役割のもと絶縁膜１３０，１４０，１４８，１６０は、例えば、炭化シリコン、炭窒化シリコン、窒化シリコンなどにより構成される。炭化シリコン、炭窒化シリコン、窒化シリコンなどの絶縁材料は、水素の拡散を阻害する性質を有する。
そこで、本実施形態においては、図１１に示すように、絶縁膜１３０，１４０，１４８，１６０に開口部１５４を設け、絶縁膜１３６，１４４，１５２，１６２と光電変換部１２４との間に水素が拡散する経路を構成している。開口部１５４は、受光画素領域１０Ａに配された画素１２の各々に対応して設けられている。なお、開口部１５４は、水素透過性の高い絶縁材料よりなる絶縁膜が埋め込まれた部位であり、物理的な孔ではないが、水素の拡散抑止効果の高い絶縁材料よりなる絶縁膜１３０，１４０，１４８，１６０から見ると水素を透過する孔（開口部）であるといえる。
また、本実施形態においては、受光画素領域１０Ａの外側の画素１２ほど、半導体層１２０の主面に平行な投影面における開口部１５４の面積が大きくなっている。このように構成することで、受光画素領域１０Ａの外縁部の外側の画素１２ほど光電変換部１２４への水素供給量を多くすることができる。これにより、第１乃至第３実施形態と同様、光電変換部１２４における暗電流を低減し且つ受光画素領域１０Ａの面内での不均一性を改善することが可能となる。
なお、図１１の例では、絶縁膜１３０，１４０，１４８，１６０に開口部１５４を設けているが、絶縁膜１３０，１４０，１４８，１６０のうち半導体層１２０の側の１層以上の絶縁膜に開口部１５４を設ければよい。
また、画素１２の場所に応じて開口部１５４を形成する絶縁膜が異なっていてもよい。例えば、受光画素領域１０Ａの外縁部の外側の画素１２では絶縁膜１３０，１４０，１４８，１６０に開口部１５４を設け、受光画素領域１０Ａの外縁部の内側の画素１２では絶縁膜１３０にのみ開口部１５４を設けるように構成することも可能である。この場合、半導体層１２０の主面に平行な投影面における開口部１５４の面積は、必ずしも受光画素領域１０Ａの外側の画素１２ほど大きくする必要はない。
また、絶縁膜１３０，１４０，１４８，１６０に開口部１５４を設けることに加えて、第１乃至第３実施形態で説明した絶縁部材１７０を更に配置する様に構成してもよい。この場合、絶縁部材１７０は、必ずしも絶縁膜１２８の中に設ける必要はなく、開口部１５４を介して光電変換部１２４に水素を供給できる経路を確保できる場所であれば、例えば絶縁膜１３６や１４４の中に配置してもよい。
このように、本実施形態によれば、受光画素領域に配された画素の光電変換部における暗電流を低減し且つばらつきを低減することができる。
［第５実施形態］
本発明の第５実施形態による半導体装置について、図１２を用いて説明する。第１乃至第４実施形態による半導体装置と同様の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。図１２は、本実施形態による半導体装置の構成例を示す概略断面図である。
第１乃至第４実施形態では本発明を裏面照射型のセンサに適用した例を説明したが、本発明は表面照射型のセンサに適用することも可能である。本実施形態では、本発明を表面照射型のセンサに適用した場合の構成例を説明する。
本実施形態による半導体装置１は、図１２に示すように、半導体層１２０と、配線構造体１８０と、光学構造体３２０と、を有する。
半導体層１２０は、互いに反対の表面をなす一対の第１面１１２及び第２面１１４を有する。配線構造体１８０及び光学構造体３２０は、半導体層１２０の第１面１１２の側にこの順番で積層されている。なお、半導体層１２０は、半導体基板でありうる。
配線構造体１８０は、半導体層１２０の側から順に積層された絶縁膜１２８，１３０，１３６，１４０，１４４，１４８，１５２，１６０，１６２と、この中に配された複数の配線層を含む。図１２には、この複数の配線層により構成される金属部材のうち、異なる層に配された配線１３８，１４６，１５８を示している。配線構造体１８０は、第１乃至第４実施形態と同様、水素を透過する絶縁材料よりなる複数の第１の絶縁膜と、水素の拡散を阻害する絶縁材料よりなる複数の第２の絶縁膜と、が交互に積層されてなる積層体を有する。第１の絶縁膜を構成する第１の絶縁材料は、第２の絶縁膜を構成する第２の絶縁材料よりも水素を透過しやすい。
受光画素領域１０Ａにおける絶縁膜１２８の中には、第１乃至第３実施形態と同様、絶縁膜１２８よりも水素含有量の多い絶縁部材１７０が設けられている。絶縁部材１７０は、受光画素領域１０Ａに配された画素１２の各々に対応して設けられている。そして、半導体層１２０の主面に平行な投影面における絶縁部材１７０の面積が、図１２に示すように、受光画素領域１０Ａの外側に向かうほど大きくなっている。
配線構造体１８０の上には、光学構造体３２０が設けられている。光学構造体３２０は、半導体層１２０の第２面１１４の側から順に設けられた絶縁膜３０２と、カラーフィルタ層３０８と、マイクロレンズ３１０と、を有する。カラーフィルタ層３０８及びマイクロレンズ３１０は、複数の画素の各々に対応して設けられている。
本実施形態による半導体装置においても、受光画素領域１０Ａの外縁部では、受光画素領域１０Ａの外側の画素１２ほど、半導体層１２０の主面に平行な投影面における絶縁部材１７０の面積が大きくなっている。このように構成することで、受光画素領域１０Ａの外縁部の外側の画素１２ほど光電変換部１２４への水素供給量を多くすることができる。これにより、第１乃至第３実施形態と同様、光電変換部１２４における暗電流を低減し且つ受光画素領域１０Ａの面内での不均一性を改善することが可能となる。
なお、表面照射型のセンサの場合、入射光は配線構造体１８０を介して各画素１２の光電変換部１２４へと入射する。そのため、絶縁部材１７０を配置する場所によっては入射光が絶縁部材１７０を介して光電変換部１２４へと入射する場合もあり、画素１２毎に光電変換部１２４に入射する光の特性が変化する可能性がある。このような場合、絶縁部材１７０は、半導体層１２０の主面に平行な投影面において光電変換部１２４と重ならない画素１２内の領域に配置するようにしてもよい。絶縁部材１７０から光電変換部１２４への水素供給は、半導体層１２０の主面に平行な投影面において光電変換部１２４と絶縁部材１７０とが重なっている場合に最も効率的ではあるが、必ずしも重なっている必要はない。
このように、本実施形態によれば、受光画素領域に配された画素の光電変換部における暗電流を低減し且つ均一性を向上することができる。
［第６実施形態］
本発明の第６実施形態による撮像システムについて、図１３を用いて説明する。図１３は、本実施形態による撮像システムの概略構成を示すブロック図である。
上記第１乃至第５実施形態で述べた光電変換装置としての半導体装置は、種々の撮像システムに適用可能である。適用可能な撮像システムの例としては、デジタルスチルカメラ、デジタルカムコーダ、監視カメラ、複写機、ファックス、携帯電話、車載カメラ、観測衛星などが挙げられる。また、レンズなどの光学系と撮像装置としての半導体装置とを備えるカメラモジュールも、撮像システムに含まれる。図１３には、これらのうちの一例として、デジタルスチルカメラのブロック図を例示している。
図１３に例示した撮像システム４００は、半導体装置４０１、被写体の光学像を半導体装置４０１に結像させるレンズ４０２、レンズ４０２を通過する光量を可変にするための絞り４０４、レンズ４０２の保護のためのバリア４０６を有する。レンズ４０２及び絞り４０４は、半導体装置４０１に光を集光する光学系である。半導体装置４０１は、第１乃至第５実施形態のいずれかで説明した半導体装置１であって、レンズ４０２により結像された光学像を画像データに変換する。
撮像システム４００は、また、半導体装置４０１より出力される出力信号の処理を行う信号処理部４０８を有する。信号処理部４０８は、半導体装置４０１が出力するデジタル信号から画像データの生成を行う。また、信号処理部４０８は必要に応じて各種の補正、圧縮を行って画像データを出力する動作を行う。半導体装置４０１は、信号処理部４０８で処理されるデジタル信号を生成するＡＤ変換部を備えうる。ＡＤ変換部は、半導体装置４０１の光電変換部が形成された半導体層（半導体基板）に形成されていてもよいし、半導体装置４０１の光電変換部が形成された半導体層とは別の半導体基板に形成されていてもよい。また、信号処理部４０８が半導体装置４０１と同一の半導体基板に形成されていてもよい。
撮像システム４００は、更に、画像データを一時的に記憶するためのメモリ部４１０、外部コンピュータ等と通信するための外部インターフェース部（外部Ｉ／Ｆ部）４１２を有する。更に撮像システム４００は、撮像データの記録又は読み出しを行うための半導体メモリ等の記録媒体４１４、記録媒体４１４に記録又は読み出しを行うための記録媒体制御インターフェース部（記録媒体制御Ｉ／Ｆ部）４１６を有する。なお、記録媒体４１４は、撮像システム４００に内蔵されていてもよく、着脱可能であってもよい。
更に撮像システム４００は、各種演算とデジタルスチルカメラ全体を制御する全体制御・演算部４１８、半導体装置４０１と信号処理部４０８に各種タイミング信号を出力するタイミング発生部４２０を有する。ここで、タイミング信号などは外部から入力されてもよく、撮像システム４００は少なくとも半導体装置４０１と、半導体装置４０１から出力された出力信号を処理する信号処理部４０８とを有すればよい。
半導体装置４０１は、撮像信号を信号処理部４０８に出力する。信号処理部４０８は、半導体装置４０１から出力される撮像信号に対して所定の信号処理を実施し、画像データを出力する。信号処理部４０８は、撮像信号を用いて、画像を生成する。
このように、本実施形態によれば、第１乃至第５実施形態による半導体装置を適用した撮像システムを実現することができる。
［第７実施形態］
本発明の第７実施形態による撮像システム及び移動体について、図１４を用いて説明する。図１４は、本実施形態による撮像システム及び移動体の構成を示す図である。
図１４（ａ）は、車載カメラに関する撮像システムの一例を示したものである。撮像システム５００は、半導体装置５１０を有する。半導体装置５１０は、上記第１乃至第５実施形態のいずれかに記載の半導体装置１である。撮像システム５００は、半導体装置５１０により取得された複数の画像データに対し、画像処理を行う画像処理部５１２と、撮像システム５００により取得された複数の画像データから視差（視差画像の位相差）の算出を行う視差取得部５１４を有する。また、撮像システム５００は、算出された視差に基づいて対象物までの距離を算出する距離取得部５１６と、算出された距離に基づいて衝突可能性があるか否かを判定する衝突判定部５１８と、を有する。ここで、視差取得部５１４や距離取得部５１６は、対象物までの距離情報を取得する距離情報取得手段の一例である。すなわち、距離情報とは、視差、デフォーカス量、対象物までの距離等に関する情報である。衝突判定部５１８はこれらの距離情報のいずれかを用いて、衝突可能性を判定してもよい。距離情報取得手段は、専用に設計されたハードウェアによって実現されてもよいし、ソフトウェアモジュールによって実現されてもよい。また、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）やＡＳＩＣ（Application Specific Integrated circuit）等によって実現されてもよいし、これらの組合せによって実現されてもよい。
撮像システム５００は車両情報取得装置５２０と接続されており、車速、ヨーレート、舵角などの車両情報を取得することができる。また、撮像システム５００は、衝突判定部５１８での判定結果に基づいて、車両に対して制動力を発生させる制御信号を出力する制御装置である制御ＥＣＵ５３０が接続されている。また、撮像システム５００は、衝突判定部５１８での判定結果に基づいて、ドライバーへ警報を発する警報装置５４０とも接続されている。例えば、衝突判定部５１８の判定結果として衝突可能性が高い場合、制御ＥＣＵ５３０はブレーキをかける、アクセルを戻す、エンジン出力を抑制するなどして衝突を回避、被害を軽減する車両制御を行う。警報装置５４０は音等の警報を鳴らす、カーナビゲーションシステムなどの画面に警報情報を表示する、シートベルトやステアリングに振動を与えるなどしてユーザに警告を行う。
本実施形態では、車両の周囲、例えば前方又は後方を撮像システム５００で撮像する。図１４（ｂ）に、車両前方（撮像範囲５５０）を撮像する場合の撮像システムを示した。車両情報取得装置５２０が、撮像システム５００ないしは半導体装置５１０に指示を送る。このような構成により、測距の精度をより向上させることができる。
また、本実施形態では、他の車両と衝突しないように制御する例を説明したが、他の車両に追従して自動運転する制御や、車線からはみ出さないように自動運転する制御などにも適用可能である。更に、撮像システムは、自車両等の車両に限らず、例えば、船舶、航空機或いは産業用ロボットなどの移動体（移動装置）に適用することができる。加えて、移動体に限らず、高度道路交通システム（ＩＴＳ）等、広く物体認識を利用する機器に適用することができる。
［変形実施形態］
本発明は、上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
例えば、いずれかの実施形態の一部の構成を他の実施形態に追加した例や、他の実施形態の一部の構成と置換した例も、本発明の実施形態である。
また、上記第６及び第７実施形態に示した撮像システムは、本発明の半導体装置を適用しうる撮像システム例を示したものであり、本発明の半導体装置を適用可能な撮像システムは図１３及び図１４に示した構成に限定されるものではない。
本発明の半導体装置は、撮像システムや移動体のみならず、広く物体認識を利用する機器に適用することができる。ここで言う機器の範疇には、電子機器（カメラやスマートフォン等）、事務機器（スキャナ等）、輸送機器（車両、船舶、航空機等）、医療機器（内視鏡、放射線検査装置等）、分析機器（ＳＥＭ、ＴＥＭ等）、産業機器（ロボット等）などが含まれる。これら機器は、上記実施形態で説明した半導体装置と、当該半導体装置から出力される信号を処理する信号処理部と、を含んで構成されうる。
なお、上記実施形態は、いずれも本発明を実施するにあたっての具体化の例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその技術思想、又はその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。
１０Ａ…受光画素領域
１０Ｂ…遮光画素領域
２０…周辺回路領域
１１０，２１０…半導体基板
１２０…半導体層
１２４…光電変換部
１２８，１３０，１３６，１４０，１４４，１４８，１５２，１６０，１６２…絶縁膜
１３８，１４６，１５８…配線
１５４…開口部
１８０…配線構造体

Claims (20)

  1. 各々が光電変換部を含む複数の画素が設けられた半導体層と、
    前記半導体層の上に配された配線構造体と、
    を有する半導体装置であって、
    前記複数の画素は、第１の受光画素及び第２の受光画素を含み、
    前記配線構造体は、
    第１の絶縁材料よりなる第１の絶縁膜と、
    前記第１の受光画素に対応して配され、前記第１の絶縁材料よりも水素含有量の多い第２の絶縁材料よりなる第１の絶縁部材と、
    前記第２の受光画素に対応して配され、前記第２の絶縁材料よりなる第２の絶縁部材と、を有し、
    前記第１の絶縁部材の体積は、前記第２の絶縁部材の体積よりも大きい
    ことを特徴とする半導体装置。
  2. 各々が光電変換部を含む複数の画素が設けられた半導体層と、
    前記半導体層に重なるように配された基板と、
    前記半導体層と前記基板との間に配された配線構造体と、
    を有する半導体装置であって、
    前記複数の画素は、第１の受光画素及び第２の受光画素を含み、
    前記配線構造体は、
    第１の絶縁材料よりなる第１の絶縁膜と、
    前記第１の絶縁材料よりも水素含有量の多い第２の絶縁材料よりなる絶縁部材と、を有し、
    前記第１の受光画素に対応する部分における水素含有量が、前記第２の受光画素に対応する部分における水素含有量よりも多い
    ことを特徴とする半導体装置。
  3. 前記絶縁部材は、
    前記第１の受光画素に対応して配され、前記第２の絶縁材料よりなる第１の絶縁部材と、
    前記第２の受光画素に対応して配され、前記第２の絶縁材料よりなる第２の絶縁部材と、を有し、
    前記第１の絶縁部材の体積は、前記第２の絶縁部材の体積よりも大きい
    ことを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
  4. 前記半導体層の主面に平行な投影面に垂直投影した場合に、前記投影面における前記第１の絶縁部材の面積は、前記投影面における前記第２の絶縁部材の面積よりも大きい
    ことを特徴とする請求項１又は３記載の光電変換。
  5. 前記半導体層の主面に平行な投影面に垂直投影した場合に、前記投影面において、前記第１の受光画素の前記光電変換部と前記第１の絶縁部材の少なくとも一部が重なり、前記第２の受光画素の前記光電変換部と前記第２の絶縁部材の少なくとも一部が重なっている
    ことを特徴とする請求項１、３及び４のいずれか１項に記載の半導体装置。
  6. 前記第１の絶縁部材及び前記第２の絶縁部材は、前記半導体層から１０ｎｍ以上、離間して設けられている
    ことを特徴とする請求項１、３、４及び５のいずれか１項に記載の半導体装置。
  7. 前記複数の画素は、遮光画素を含み、
    前記配線構造体は、前記遮光画素が配された遮光画素領域に対応する部分の前記第１の絶縁膜の中に、前記第２の絶縁材料よりなる絶縁部材を含まない
    ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置。
  8. 前記半導体層は、前記複数の画素を駆動する回路が配された周辺回路領域を更に有し、
    前記配線構造体は、前記周辺回路領域に対応する部分の前記第１の絶縁膜の中に、前記第２の絶縁材料よりなる絶縁部材を含まない
    ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の半導体装置。
  9. 前記第２の絶縁材料は、窒化シリコンである
    ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の半導体装置。
  10. 各々が光電変換部を含む複数の画素が設けられた半導体層と、
    前記半導体層の上に配された配線構造体と、
    を有する半導体装置であって、
    前記複数の画素は、第１の受光画素及び第２の受光画素を含み、
    前記配線構造体は、第１の絶縁材料よりなる第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜よりも前記半導体層の側に設けられ、前記第１の絶縁材料よりも水素を透過しにくい第３の絶縁材料よりなる第２の絶縁膜と、を有し、
    前記第１の絶縁膜と前記半導体層との間に、前記第１の絶縁材料よりなる絶縁部材が位置し、
    前記第１の受光画素に対応する部分において、前記第１の絶縁膜と前記絶縁部材とが、前記第２の絶縁膜に設けられた第１の開口部を介して接続されており、
    前記第２の受光画素に対応する部分において、前記第１の絶縁膜と前記絶縁部材とが、前記第２の絶縁膜に設けられた第２の開口部を介して接続されており、
    前記第１の開口部は、前記第２の開口部よりも大きい
    ことを特徴とする半導体装置。
  11. 前記半導体層の主面に平行な投影面に垂直投影した場合に、前記投影面において、前記第１の受光画素の前記光電変換部と前記第１の開口部の少なくとも一部が重なり、前記第２の受光画素の前記光電変換部と前記第２の開口部の少なくとも一部が重なっている
    ことを特徴とする請求項１０記載の半導体装置。
  12. 前記第３の絶縁材料は、炭化シリコン、窒化シリコン又は炭窒化シリコンである
    ことを特徴とする請求項１０又は１１記載の半導体装置。
  13. 前記第１の受光画素及び前記第２の受光画素は、前記複数の画素が配列されてなる受光画素領域の外縁部に配されており、
    前記第１の受光画素は、前記第２の受光画素よりも前記受光画素領域の外側に位置している
    ことを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の半導体装置。
  14. 前記外縁部は、前記受光画素領域の外周から幅３００μｍ以下の領域である
    ことを特徴とする請求項１３記載の半導体装置。
  15. 前記第１の絶縁材料は、水素を含有する
    ことを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の半導体装置。
  16. 前記第１の絶縁材料は、酸化シリコン又は酸炭化シリコンである
    ことを特徴とする請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の半導体装置。
  17. 前記半導体層に対して前記配線構造体とは反対側に配された光学構造体を更に有する
    ことを特徴とする請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の半導体装置。
  18. 前記配線構造体に対して前記半導体層とは反対側に配された光学構造体を更に有する
    ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
  19. 前記基板は信号処理回路を有する
    ことを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
  20. 請求項１乃至１９のいずれか１項に記載の半導体装置と、
    前記半導体装置から出力される信号を処理する信号処理部と
    を有することを特徴とする機器。
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002184966A (ja) * 2000-12-15 2002-06-28 Sony Corp 固体撮像素子
US20080142919A1 (en) * 2006-12-19 2008-06-19 Shin Jong-Cheol CMOS image sensors with light shielding patterns and methods of forming the same
JP2010016128A (ja) * 2008-07-02 2010-01-21 Canon Inc 固体撮像装置及びその製造方法
JP2012023319A (ja) * 2010-07-16 2012-02-02 Sharp Corp 固体撮像素子およびその製造方法、電子情報機器
JP2012124377A (ja) * 2010-12-09 2012-06-28 Sony Corp 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器
JP2012164944A (ja) * 2011-02-09 2012-08-30 Canon Inc 固体撮像装置、及び固体撮像装置の製造方法
JP2017199875A (ja) * 2016-04-28 2017-11-02 キヤノン株式会社 光電変換装置およびカメラ

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080083479A (ko) * 2007-03-12 2008-09-18 삼성전자주식회사 반도체 소자의 제조방법
US7633125B2 (en) * 2007-08-31 2009-12-15 Intel Corporation Integration of silicon boron nitride in high voltage and small pitch semiconductors
JP2009140996A (ja) * 2007-12-04 2009-06-25 Fujifilm Corp 固体撮像素子およびその製造方法
JP2009188068A (ja) 2008-02-04 2009-08-20 Sharp Corp 固体撮像素子およびその製造方法、電子情報機器
JP2010016242A (ja) 2008-07-04 2010-01-21 Canon Inc 光電変換装置、撮像システム、及び光電変換装置の製造方法
JP5899519B2 (ja) * 2009-11-05 2016-04-06 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 固体撮像装置
JP2011258884A (ja) 2010-06-11 2011-12-22 Panasonic Corp 固体撮像装置およびその製造方法
JP2014086551A (ja) 2012-10-23 2014-05-12 Canon Inc 撮像装置及びカメラ
JP6368177B2 (ja) * 2014-07-07 2018-08-01 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びその製造方法
JP6598436B2 (ja) * 2014-08-08 2019-10-30 キヤノン株式会社 光電変換装置、撮像システム、及び光電変換装置の製造方法
JP2016146376A (ja) * 2015-02-06 2016-08-12 ルネサスエレクトロニクス株式会社 撮像装置およびその製造方法
JP2016219550A (ja) 2015-05-18 2016-12-22 キヤノン株式会社 撮像装置、撮像システムおよび撮像装置の製造方法
JP6671864B2 (ja) 2015-05-18 2020-03-25 キヤノン株式会社 撮像装置の製造方法および撮像装置
JP6711673B2 (ja) * 2016-04-06 2020-06-17 キヤノン株式会社 光電変換装置、光電変換装置の製造方法及び撮像システム

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002184966A (ja) * 2000-12-15 2002-06-28 Sony Corp 固体撮像素子
US20080142919A1 (en) * 2006-12-19 2008-06-19 Shin Jong-Cheol CMOS image sensors with light shielding patterns and methods of forming the same
JP2010016128A (ja) * 2008-07-02 2010-01-21 Canon Inc 固体撮像装置及びその製造方法
JP2012023319A (ja) * 2010-07-16 2012-02-02 Sharp Corp 固体撮像素子およびその製造方法、電子情報機器
JP2012124377A (ja) * 2010-12-09 2012-06-28 Sony Corp 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器
JP2012164944A (ja) * 2011-02-09 2012-08-30 Canon Inc 固体撮像装置、及び固体撮像装置の製造方法
JP2017199875A (ja) * 2016-04-28 2017-11-02 キヤノン株式会社 光電変換装置およびカメラ

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