JP2021009911A

JP2021009911A - 電子部品の製造方法

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Publication number: JP2021009911A
Application number: JP2019122750A
Authority: JP
Inventors: 大輔廣庭; Daisuke Hironiwa
Original assignee: Ulvac Inc
Current assignee: Ulvac Inc
Priority date: 2019-07-01
Filing date: 2019-07-01
Publication date: 2021-01-28

Abstract

【課題】金属層の腐蝕が生じにくい樹脂基板の製造方法を提供する。【解決手段】樹脂基板の加工方法は、樹脂層に凹部を形成し、プラズマエッチング処理し、ラジカル処理する。凹部の形成工程では、フィラーをなす無機部材が有機部材に分散して含まれる、第１の面と第２の面を有する樹脂層と、樹脂層の第１の面上に形成された導体とを有する樹脂基板の、樹脂層に第２の面側からレーザ光で凹部を形成する。プラズマエッチン処理工程では、凹部の内部表面を含む第２の面を、フッ素を含む反応ガスを用いてプラズマエッチングする。ラジカル処理工程では、プラズマエッチング工程後、第２の面をラジカル処理する。【選択図】図６

Description

本発明は、電子部品の製造方法に関する。

特許文献１には、フィラーをなす無機部材が有機部材に分散して含まれてなる樹脂基板にドリル加工やレーザ加工などで非貫通孔を形成し、フッ素を含むガスを用いてプラズマエッチング処理して非貫通孔の内底面を除去して貫通孔を形成した後、貫通孔の内側面や内底面に沿ってシード層を形成することが記載されている。

特開２０１６−９２３０７号公報

特許文献１に記載される発明では、フッ素を含む反応ガスを用いてプラズマエッチングが行われるため、貫通孔の内側面の表面はフッ素化され表面にフッ化物が形成される。シード層には例えば銅等の金属層が用いられており、フッ化物が残存した状態で金属層が形成された場合、金属層が腐蝕し、接続不良が生じる場合がある。

以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、金属層の腐蝕が生じにくい樹脂基板の製造方法を提供することにある。

上記目的を達成するため、本発明の一形態に樹脂基板の加工方法は、樹脂層に凹部を形成し、プラズマエッチング処理し、ラジカル処理する。
上記凹部の形成工程では、フィラーをなす無機部材が有機部材に分散して含まれる、第１の面と第２の面を有する樹脂層と、上記樹脂層の上記第１の面上に形成された導体とを有する樹脂基板の、上記樹脂層に上記第２の面側からレーザ光で凹部を形成する。
上記プラズマエッチング処理工程では、上記凹部の内部表面を含む上記第２の面を、フッ素を含む反応ガスを用いてプラズマエッチングする。
上記ラジカル処理工程では、上記プラズマエッチング工程後、上記第２の面をラジカル処理する。

本発明のこのような構成によれば、凹部の内部表面の平滑性を維持しつつ、金属層の腐蝕の原因となるプラズマエッチング処理工程で生じたフッ化物を除去することができ、金属層の腐蝕の発生を抑制することができる。

上記プラズマエッチング工程は上記凹部の内部表面の表面粗さを０．５μｍ以下とする工程であってもよい。

上記ラジカル処理工程後、上記第２の面にスパッタによりシード層を形成してもよい。

上記ラジカルは酸素ラジカルであり、上記ラジカル処理工程後、上記樹脂基板をめっき液に浸漬して上記第２の面にシード層を形成してもよい。

上記ラジカル処理工程は、上記樹脂基板が載置されるステージに高周波バイアスが無印加の状態で行ってもよい。

上記ラジカル処理工程は、ダウンフロー方式で行われてもよい。

上記ラジカル処理工程は、上記樹脂基板の温度が１２０℃以下の状態で行ってもよい。

以上述べたように、本発明によれば、フッ化物によるシード層の腐蝕の発生を抑制することができる。

２つの半導体パッケージが重なったＰＯＰ構造の電子部品の概略断面図である。上記半導体パッケージの製造時に用いられるプラズマエッチング処理及びラジカル処理を行う製造装置の概略構成図である。上記製造装置のチャンバの概略断面図である。上記半導体パッケージの製造工程（その１）を示す概略断面図である。図２に示す製造工程に続く半導体パッケージの製造工程（その２）を示す概略断面図である。上記半導体パッケージ製造時における銅ピラー用の貫通孔の形成工程に係るフロー図である。上記半導体パッケージ製造時のプラズマエッチング工程における異なるエッチング条件毎の処理時間と表面粗さとの関係を説明するための図である。上記銅ピラー用の貫通孔形成を詳細に説明するための半導体パッケージの概略部分断面図である。

以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。
本発明は、導体上に樹脂層が形成されてなる樹脂基板の加工方法、より詳細には樹脂基板の樹脂層に貫通孔を形成する加工方法に関する。
本実施形態では、２つの半導体パッケージが重なったＰＯＰ（Package on Package）構造の電子部品の一方の半導体パッケージを例にあげ、半導体パッケージの銅ピラー用の貫通孔の形成方法について説明する。当該半導体パッケージ（後述するＡＰの半導体パッケージ）は、ＩＣ（Integrated circuit）を覆うように形成された樹脂層としてのモールド樹脂層と、当該モールド樹脂層の一方の面に形成された再配置層とを含む。再配置層の一部を構成する再配線層は導体である。

図１は、本発明の樹脂基板の加工方法を用いて形成された半導体パッケージを用いた電子部品１の模式断面図である。
電子部品１は、ＦＯ−ＷＬＰ（Fan Out-Wafer Level Package）構造の第１の半導体パッケージ４と、チップスタックＣＳＰ（Chip-Scale-Package）構造の第２の半導体パッケージ５とが積層されたＰＯＰ（Package on Package）構造を有している。ＰＯＰ構造を採用することにより、スマートフォン等の小型の電子機器の限られたマザー基板面積上に多くのＩＣを搭載することが可能となり、電子機器の更なる高性能化が実現される。

図１に示すように、電子部品１は、ＡＰ（アプリケーションプロセッサ）の第１の半導体パッケージ４と、ＤＲＡＭの第２の半導体パッケージ５とが積層されて構成される。第１の半導体パッケージ４と第２の半導体パッケージ５とは、半田ボール２を介して電気的に接続する。

第１の半導体パッケージ４は、第１のＩＣ４１と、モールド樹脂層４３と、再配置層４５及び４６と、銅ピラー４４と、半田ボール４２と、を有する。
モールド樹脂層４３は、第１のＩＣ４１を覆う。モールド樹脂層４３は第１の面４３ａと第２の面４３ｂとを有する。
再配置層４５及び再配置層４６は、それぞれ、モールド樹脂層４３の第１の面４３ａ上と第２の面４３ｂ上に位置する。再配置層４５（４６）は、絶縁層４５２（４６２）と再配線層４５１（４６１）とを有する。再配線層４５１（４６１）は配線やランドとして機能する。再配線層４５１は第１のＩＣ４１と電気的に接続する。再配線層４６１は銅ピラー４４と電気的に接続する。再配線層４５１と再配線層４６１は銅ピラー４４を介して電気的に接続する。
半田ボール４２は、再配置層４５の再配線層４５１が樹脂層４５２から露出した部分に配置される。半田ボール４２は、電子機器のマザー基板と再配線層４５１とを電気的に接続する。
スルーホールとしての銅ピラー４４は、モールド樹脂層４３を厚さ方向に貫通した貫通孔６５に形成される。銅ピラー４４は、貫通孔６５の内表面６１にシード層４４１と金属層としての銅層とが積層されて構成される。
再配線層４６１は、銅ピラーと同様にシード層と銅層とが積層されて構成され、銅ピラー４４と電気的に接続する。
再配置層４６の再配線層４６１が絶縁層４６２から露出した部分と後述する第２の半導体パッケージ５の再配線層５５１とは第２の半導体パッケージ５の半田ボール２を介して接続する。

モールド樹脂層４３は、フィラーをなす無機部材が有機部材に分散して形成される。典型的には、無機部材としてはシリカ、有機部材としてはエポキシ樹脂が用いられる。
本実施形態においては、樹脂層を有する基板を樹脂基板と称して説明する。第１の半導体パッケージ４はモールド樹脂層を有する樹脂基板である。

第２の半導体パッケージ５は、第１のメモリＩＣ５１と、第２のメモリＩＣ５２と、再配置層５５と、第１のメモリＩＣ５１及び第２のメモリＩＣ５２と再配置層５５とを電気的に接続するワイヤ５７と、メモリＩＣ及びワイヤを覆うモールド樹脂層５３と、半田ボール２と、を有する。
再配置層５５は、絶縁層５５２と再配線層５５１とを有する。半田ボール２は、再配置層５５の再配線層５５１が樹脂層５５２から露出した部分に配置される。再配線層５５１とワイヤ５７とは電気的に接続する。

半導体パッケージ４の貫通孔６５の形成にはエッチング処理工程及びラジカル処理工程がある。以下、これらの処理が行われる製造装置について以下に説明する。
［製造装置の構成］
図２は製造装置の概略構成図、図３は製造装置のチャンバの概略断面図である。本実施形態における製造装置は、エッチング処理及びラジカル処理が可能に構成される。

図２に示すように、製造装置１０は、チャンバ（処理室）１１と、プラズマ室１３と、輸送管１２と、マグネトロン１５と、μ波電源１６と、ガス導入管１７と、マスフローコントローラ１８ａ〜１８ｃと、ガス供給源１９ａ〜１９ｃと、真空予備室２２と、制御装置２６と、排気管２４と、プレッシャコントローラ２５とを具備する。

チャンバ１１は、被処理対象物であるウェハ等の樹脂基板Ｗを収容する。樹脂基板Ｗはチャンバ１１内でエッチング処理及びラジカル処理が施される。チャンバ１１内には、基板Ｗが載置される基板ステージ２０が配置される。チャンバ１１には、ゲート２１を介して予備室２２が接続されている。

チャンバ１１の底部には排気口２３が形成されている。その排気口２３は排気管２４を介して図示しない排気用ポンプに接続され、この排気用ポンプによってチャンバ１１内が減圧される。排気管２４にはプレッシャコントローラ２５が配設され、そのプレッシャコントローラ２５によりチャンバ１１内の圧力が調整される。

チャンバ１１の上部は輸送管１２を介してプラズマ室１３に接続されている。プラズマ室１３はマイクロ波導波管１４を介してマグネトロン１５に接続されている。プラズマ室１３とマイクロ波導波管１４とは、石英等よりなるマイクロ波透過窓１３ａにより区画されている。マグネトロン１５にはマイクロ波導波源１６が接続され、マグネトロン１５にて発生したマイクロ波（μ波）はマイクロ波導波管１４を介してプラズマ室１３内に導かれる。

プラズマ室１３は、ガス導入管１７を介して複数（本実施形態においては３つ）のマスフローコントローラ１８ａ〜１８ｃに接続され、各マスフローコントローラ１８ａ〜１８ｃはそれぞれガス供給源に接続されている。本実施形態においては、ガス供給源１９ａは酸素（Ｏ_２）を蓄積し、ガス供給源１９ｂは窒素（Ｎ_２）を蓄積し、ガス供給源１９ｃは四フッ化炭素（ＣＦ_４）を蓄積する。各ガス供給源１９ａ〜１９ｃに蓄積されたガスの流量はマスフローコントローラ１８ａ〜１８ｃにより調整され、所定流量に調整された各反応ガスはガス導入管１７を介してプラズマ室１３内に導入される。
上記マイクロ波及び反応ガスによりプラズマ室１３内にプラズマが発生し、そのプラズマ中の活性種としてのラジカルが輸送管１２を介してチャンバ１１内に導かれる。

上記μ波（マイクロ波）電源１６、各マスフローコントローラ１８ａ〜１８ｃ、プレッシャコントローラ２５は制御装置２６に接続されている。制御装置２６は、図示しない記憶装置を有し、その記憶装置には各種の基板を処理するための条件の情報が記憶されている。チャンバ１１内に搬入される基板Ｗに応じた処理条件情報を基に、制御装置２６は、マイクロ波電源１６、各マスフローコントローラ１８ａ〜１８ｃ、プレッシャコントローラ２５を制御する。

次に、チャンバ１１の構成について図３を用いて説明する。
チャンバ１１の上部に連結された輸送管１２の下端には円盤状に形成されるとともに多くの貫通孔を有するシャワー板（拡散板）３１が樹脂基板Ｗの載置される基板ステージ２０の載置面と対向して配置されている。シャワー板３１は、チャンバ１１の上部に固定されるとともに、シャワー板に支柱があることによって上部内面１１ａから所定距離だけ離間して配置されている。チャンバ１１の上部内面１１ａとシャワー板３１との距離は、上記輸送管１２を介してチャンバ１１内に導入されるラジカルが、シャワー板３１に形成された貫通孔を通過するとともに、シャワー板３１とチャンバ１１の上部との間を通過して周辺に向かって導かれるように設定されている。

チャンバ１１の上部内面１１ａには、円筒状に形成された拡散防止壁３３の上端が取着され、該拡散防止壁３３によりシャワー板３１が囲まれている。拡散防止壁３３の内径は、基板ステージ２０上に載置される基板Ｗの外径よりもやや大きく設定されている。

基板ステージ２０の周辺上部は基板ガイド３６により覆われている。基板ステージ２０内には上下方向に移動可能に支持されたリフトピン３７の先端が配設されており、そのリフトピン３７を上下動させることにより、リフトピン３７と図示しない搬送装置との間の樹脂基板Ｗを基板ステージ２０上に載置するようにしている。

基板ステージ２０とチャンバ１１下部との間には絶縁板３８が介在されている。また、基板ステージ２０には配管３９が接続され、その配管３９を介して基板ステージ２０内部に形成された図示しない水路に冷却水が供給され、基板ステージ２０の温度調節を行っている。更にまた、基板ステージ２０にはコンデンサＣを介して高周波電源４０が接続されており、その高周波電源４０から基板ステージ２０に高周波バイアス（ＲＦバイアス）が供給可能となっている。

一方、上記チャンバ１１は接地されており、高周波電源４０から基板ステージ２０に対して供給される高周波バイアスに対して電気的な対向電極となる。そして、このチャンバ１１には、シャワー板３１の第１層が取付部材３２を介して電気的に接続されるとともに、拡散防止壁３３が電気的に接続されている。

［半導体パッケージの製造方法概略］
次に、上記の製造装置を用いた半導体パッケージ４の製造方法について図４及び図５６を用いて説明する。図４及び図５は半導体パッケージ４の製造工程を示す模式部分断面図である。

まず、図４（Ａ）に示すように、仮接着剤７５付きのキャリア７０上に第１のＩＣ４１が搭載される。
次に、図４（Ｂ）に示すように、仮接着剤７５付きのキャリア７０上に第１のＩＣ４１が埋め込まれるようにモールド樹脂層４３が形成され、樹脂基板７８が形成される。
次に、図上、下から順にモールド樹脂層４３、第１のＩＣ４１が位置するように樹脂基板７８が図示しない載置台に載置され、仮接着剤７５付きのキャリア７０が剥離された後、図４（Ｃ）に示すようにモールド樹脂層４３の第１の面４３ａ上に再配置層４５が形成される。再配置層４５は、例えば絶縁層塗布、絶縁層のパターニング、銅再配線形成、上層絶縁層塗布、上層絶縁層のパターニングにより形成される。再配置層４５は、絶縁層４５２と、銅再配線からなる再配線層４５１とから構成される。

次に、図４（Ｄ）に示すように、図上、モールド樹脂層４３の第１の面４３ａ側が下に、第２の面４３ｂが上に位置するように、樹脂基板７８は仮接着剤７６付きのキャリア７１上に載置される。

次に、上記製造装置１０のチャンバ１１内に樹脂基板７８が搬入されてモールド樹脂層４３に凹部である貫通孔６５が形成され、上記製造装置１０から搬出された後、図４（Ｅ）に示すように、第２の面４３ｂ上にシード層４４１´が形成される。シード層４４１´は、後工程の電界めっき処理時に陰極として機能する。貫通孔６５の形成の詳細については後述する。
シード層４４１´は、例えば、スパッタ成膜法により銅層とチタン層が順次積層されることにより、貫通孔６５の内表面６１を含むモールド樹脂層４３の第２の面４３ｂ全面に形成される。
チタン層は、銅層と後述するマスクとなる有機樹脂層との間に配置され、両者の密着性を向上させるための密着層として機能する。尚、銅層と有機樹脂層との間に形成される金属層はチタンに限定されず、チタンの合金等を用いることができる。
尚、シード層４４１´は、無電解めっき液に樹脂基板７８を浸漬することにより形成してもよい。

次に、図５（Ａ）に示すように、シード層４４１´上に有機樹脂層がパターニングされてなるマスク７２が形成される。マスク７２は、貫通孔６５に対応する領域及び第２の面４３ｂ側に後に形成される再配置層４６の再配線層４６１に対応する領域以外のシード層４４１´を覆うように形成される。有機樹脂層には、ポリイミド（ＰＩ）やポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）等の耐熱性の有機樹脂を用いることができる。

次に、電界めっき液に樹脂基板７８が浸漬され、めっき処理が行われる。これにより、マスク７２によって覆われていないシード層４４１´上に金属層、例えば銅からなる銅層４４２が形成される。その後、マスク７２及びマスク７２により覆われた領域のシード層４４１´を除去した後、パターニングした絶縁層４６２を形成する。
これにより、図５（Ｂ）に示すように、モールド樹脂層４３を厚み方向に貫通する貫通孔６５にシード層４４１及び銅層４４２が積層されてなる銅ピラー４４が形成される。更に、モールド樹脂層４３の第２の面４３ｂにはシード層と銅層の積層構造からなる再配線層４６１と絶縁層４６２からなる再配置層４６が形成される。
再配線層４６１と銅ピラー４４とは電気的に接続している。また、銅ピラー４４と第１の面４３ａ側に位置する再配置層４５の再配線層４５１とは電気的に接続している。
尚、パターニング前のシード層には符号４４１´を、パターニング後のシード層には符号４４１を付した。

次に、図５（Ｃ）に示すように、図上、モールド樹脂層４３の第１の面４３ａ側が上側に位置するように樹脂基板７８が載置され、仮接着剤７６付きのキャリア７１が剥離される。
その後、再配線層４５の絶縁層４５２が形成されず再配線層４５１が露出した領域に半田ボール４２が配置され、第１の半導体パッケージ４が製造される。

［半導体パッケージ製造時の貫通孔形成方法］
次に、上述の貫通孔６５の形成方法の詳細について説明する。図６は貫通孔形成工程に係る製造フロー図である。図８は、図４及び図５に示す製造工程の一部の工程である貫通孔形成工程をより詳細に説明する製造工程図である。

図４（Ｄ）に示す仮接着剤７６付きのキャリア７１上に載置された樹脂基板７８を加工することにより、図４（Ｅ）に示すようにモールド樹脂層４３に貫通孔６５が形成される。この貫通孔は、レーザ加工による非貫通孔の形成工程、フッ素系ガスを用いたプラズマエッチングによる平滑工程、ラジカル処理によるフッ化物除去工程を経て形成される。
以下、図６のフローに沿って図８を用いて詳細に説明する。

図８（Ａ）に示すように、樹脂基板７８のモールド樹脂層４３の一部を、第２の面４３ｂ側から再配置層４５が形成される第１の面４３ａに向かってレーザ加工によって除去し、非貫通孔６０を形成する（Ｓ１０１）。この非貫通孔６０は再配置層４５の導体としての再配線層４５１まで達しておらず、基板全面において、再配線層４５１が露出している領域はない状態となっている。非貫通孔６０が形成される領域は、銅ピラー４４が形成される領域に相当する。非貫通孔６０において、再配線層４５１が露出しないようにモールド樹脂層４３を部分的に残すことにより、レーザ加工処理による再配線層４５１の損傷を抑制することができる。
レーザ加工処理により、モールド樹脂層４３に形成された非貫通孔６０の内表面６１には凹凸が生じている。

次に、上記製造装置１０のチャンバ１１内に樹脂基板７８が搬入され、樹脂基板７８は、モールド樹脂層４３が形成される面（処理面）を上にして基板ステージ２０上に載置される。次に、チャンバ１１内部が減圧され、基板ステージ２０に高周波バイアス（ＲＦバイアス）が印加される。
一方、プラズマ室１３には、ガス供給源１９ｃから、四フッ化炭素（ＣＦ_４）のガスが、更に、マグネトロン１５にて発生したマイクロ波がマイクロ波導波管１４を介して、供給される。プラズマ室１３では、マイクロ波及びＣＦ_４の反応ガスによりプラズマが発生し、そのプラズマ中のイオン、活性種としてのＣＦラジカルが輸送管１２を介してチャンバ１１内に導かれる。
イオン及びＣＦラジカルがチャンバ１１内に導かれることにより、非貫通孔６０の内表面６１を含むモールド樹脂層４３の第２の面４３ｂ全面がエッチング処理される（Ｓ１０２）。
本実施形態では、エッチング処理工程を、ＣＦ_４の流量を１００ｓｃｃｍ、チャンバ１１内圧力を１５Ｐａ、高周波バイアスのパワーを２ｋＷ、処理時間２０分の処理条件で行った。これにより、非貫通孔６０の底面を形成するモールド樹脂層４３が除去されて再配線層４５１が露出するようにモールド樹脂層４３を厚さ方向で貫通する貫通孔６５が形成されるとともに、貫通孔６５の内表面６１が平滑化される。ここで平滑化処理とは、貫通孔６５の内表面６１の表面粗さが０．５μｍ以下となる処理をいう。表面粗さの測定は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）による断面写真を用いて行う。

ここで、エッチング処理工程では、印加するＲＦバイアスのパワーを高出力とすることが好ましい。
図７は、エッチング処理条件毎の処理時間と貫通孔６５の内表面６１の表面粗さＲａ（μｍ）との関係を示す。
図７上、点線は、ＣＦ_４の流量が１００ｓｃｃｍ、チャンバ１１内圧力が１５Ｐａ、ＲＦバイアスのパワーが５００Ｗの処理条件での測定結果を示す。実線は、ＣＦ_４の流量が１００ｓｃｃｍ、チャンバ１１内圧力が１５Ｐａ、ＲＦバイアスのパワーが２ｋＷの処理条件での測定結果を示す。
図７に示すように、ＲＦバイアスのパワーが高い方が低い方よりも、貫通孔６５の内表面６１の表面粗さＲａを効率よく０．５μｍ以下とすることができる。例えば、図７に示すように、ＲＦバイアスのパワーが５００Ｗというように低いと、処理時間を長くしても表面粗さＲａを０．５μｍ以下とすることが難しく、効率が悪い。これに対し、ＲＦバイアスのパワーを高くすることにより、効率のよい平滑化処理が可能となる。

次に、同一チャンバ１１内に樹脂基板７８が載置された状態で、基板ステージ２０への高周波バイアス（ＲＦバイアス）の印加が停止される。一方、プラズマ室１３には、ガス供給源１９ａから酸素（Ｏ_２）が、更に、マイクロ波導波管１４を介してマグネトロン１５にて発生したマイクロ波が、供給される。プラズマ室１３では、マイクロ波及びＯ_２により酸素プラズマが発生し、その酸素プラズマ中の活性種としての酸素ラジカルが輸送管１２を介してチャンバ１１内に導かれる。本実施形態においては、ラジカル処理工程はダウンフロー方式で行われる。

酸素ラジカルがチャンバ１１内に導かれることにより、貫通孔６５の内表面６１を含むモールド樹脂層４３の表面がラジカル処理され（Ｓ１０３）、上述のＣＦ_４ガスを用いたエッチング処理工程でモールド樹脂層４３の表面に形成されたフッ化物が除去される。

酸素ラジカル処理は、基板ステージ２０の温度を１５℃とし、Ｏ_２の流量を１６００ｓｃｃｍ、チャンバ１１内圧力を７０Ｐａ、マイクロ波の電力を５００Ｗ、処理時間３秒の処理条件で行った。

本実施形態においては、ＲＦバイアスの印加が停止された状態でラジカル処理が行われる。これにより、エッチング処理により平滑化されたモールド樹脂層４３の表面の平滑性を保持しつつ、フッ化物を除去して表面を改質することができる。尚、ＲＦバイアスの印加を行ってもよいが、この場合、エッチング処理により平滑化された表面の平滑性を保持、具体的には、表面粗さＲａが０．５μｍ以下に保持されるように、パワーが調整されればよい。好ましくは、本実施形態のようにＲＦバイアスの印加を停止する。
また、ここでは、基板ステージ２０の温度を２５℃としたが、これに限定されず、基板ステージ２０に載置される樹脂基板７８の温度が１２０℃以下、より好ましくは１００℃以下となるように設定されればよい。これにより、貫通孔６５の内表面６１の平滑性を保持することができる。例えば、樹脂基板７８の処理時の温度が１２０℃よりも高くなると、モールド樹脂層４３を構成する有機部材が酸素ラジカルによって浸食されて貫通孔６５の内表面６１の平滑性が失われてしまう。これに対して樹脂基板７８の温度を１２０℃以下、より好ましくは１００℃以下とすることにより、貫通孔６５の内表面６１の平滑性を保持しつつモールド樹脂層表面を改質することができる。

次に、図８（Ｃ）に示すように、スパッタ成膜法により銅層とチタン層が順次積層されることにより、貫通孔６５を含むモールド樹脂層４３の第２の面４３ｂ全面にシード層４４１´が形成される（Ｓ１０４）。
その後、前述したように、マスクを介して電界めっき処理により銅層が形成され、銅ピラー４４及び再配置層４６の再配線層４６１が形成される。

本実施形態では、ラジカル処理によりモールド樹脂層４３の表面のフッ化物が除去されるので、フッ化物によって銅ピラー４４や再配線層４６１が腐蝕されることが抑制される。したがって、銅ピラーや再配線層の電気的特性が安定した半導体パッケージ４とすることができる。これに加え、本実施形態では、エッチング処理により銅ピラー４４が形成される貫通孔６５の内表面６１が平滑化されているので、貫通孔６５の内表面６１内全面にシード層及び銅層が途切れることなく成膜され得るので、銅ピラー４４の電気的特性を安定したものとすることができる。

尚、本実施形態では、シード層４４１´をスパッタにより形成する例をあげたが、例えば無電解めっき処理により配線層を形成することもできる。本実施形態ではラジカル処理時に酸素ラジカル処理を用いているため、ラジカル処理によって、モールド樹脂層の表面は改質処理されて親水性を呈する。したがって、無電解めっき処理時にめっき液の貫通孔６５内への入り込みが良好となり、配線層を良好に形成することができる。

例えば、レーザ処理（Ｓ１０１）が施され、エッチング処理（Ｓ１０２）が施される前の樹脂基板７８のモールド樹脂層４３の表面にめっき液が付着したときの接触角は８０°であった。エッチング処理（Ｓ１０２）が施され、ラジカル処理（Ｓ１０３）が施される前の樹脂基板７８のモールド樹脂層４３の表面にめっき液が付着したときの接触角は７８°程度であった。エッチング処理（Ｓ１０２）が施され、ラジカル処理（Ｓ１０３）が施された後の樹脂基板７８のモールド樹脂層４３の表面にめっき液が付着したときの接触角は８°程度であった。
このように、酸素ラジカル処理が施されることにより、ＣＦ_４ガスによるエッチング処理で表面にフッ化物が形成されて疎水性を呈していたモールド樹脂層の表面は親水化処理されて親水性を呈する。

以上のように、フッ素を含むガスを用いたエッチング処理によりレーザ加工処理で形成された凹部（非貫通孔）の内表面を平滑化処理し、その後、ラジカルダウンフロー処理を行うことにより凹部（貫通孔）の内表面の平滑性を維持しつつフッ化物を除去することができる。これにより、貫通孔の内表面全面に途切れることなくシード層及び銅層を形成することができ、配線不良のない銅ピラーを形成することができ、電気的特性の安定した半導体パッケージ４を得ることができる。

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。
例えば、上記実施形態では、ラジカル処理に酸素ラジカルを用いる例をあげたが、窒素ガスや水素ガスを反応ガスとし窒素ラジカルや水素ラジカルによってフッ化物を除去してもよい。この場合においても、ラジカルダウンフロー処理を行うことが好ましく、また、１２０℃以下の樹脂基板温度でラジカル処理することが好ましく、貫通孔の内表面の平滑性を維持しつつフッ化物除去を行うことができる。

４３…モールド樹脂層（樹脂層）
４３ａ…第１の面
４３ｂ…第２の面
６０…非貫通孔（凹部）
６１…内部表面
６５…貫通孔（凹部）
７８…樹脂基板
４３１…無機部材
４３２…有機部材
４５１…再配線層（導体）

Claims

フィラーをなす無機部材が有機部材に分散して含まれる、第１の面と第２の面を有する樹脂層と、前記樹脂層の前記第１の面上に形成された導体とを有する樹脂基板の、前記樹脂層に前記第２の面側からレーザ光で凹部を形成し、
前記凹部の内部表面を含む前記第２の面を、フッ素を含む反応ガスを用いてプラズマエッチングし、
前記プラズマエッチング工程後、前記第２の面をラジカル処理する
樹脂基板の加工方法。
請求項１に記載の樹脂基板の加工方法であって、
前記プラズマエッチング工程は前記凹部の内部表面の表面粗さを０．５μｍ以下とする工程である
樹脂基板の加工方法。
請求項１又は請求項２に記載の樹脂基板の加工方法であって、
前記ラジカル処理工程後、前記第２の面にスパッタによりシード層を形成する
樹脂基板の加工方法。
請求項１又は請求項２に記載の樹脂基板の加工方法であって、
前記ラジカルは酸素ラジカルであり、
前記ラジカル処理工程後、前記樹脂基板をめっき液に浸漬して前記第２の面にシード層を形成する
樹脂基板の加工方法。
請求項１〜４のいずれか１項に記載の樹脂基板の加工方法であって、
前記ラジカル処理工程は、前記樹脂基板が載置されるステージに高周波バイアスが無印加の状態で行う
樹脂基板の加工方法。
請求項１〜５に記載の樹脂基板の加工方法であって、
前記ラジカル処理工程は、ダウンフロー方式で行われる
樹脂基板の加工方法。
請求項１〜６のいずれか１項に記載の樹脂基板の加工方法であって、
前記ラジカル処理工程は、前記樹脂基板の温度が１２０℃以下の状態で行う
樹脂基板の加工方法。