JP2020529964A - Aei構造モレキュラーシーブ並びにその製造方法及び使用 - Google Patents
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Abstract
Description
(1)有機テンプレート剤、ケイ素源とアルミニウム源とを与えるFAU型アルミノシリケートモレキュラーシーブ、アルカリ液及び水を含む原料を水熱結晶化条件下で反応させる工程と、
(2)工程(1)で得られた生成物をろ過し、ろ過液に対し電気透析を行い、有機テンプレート剤とシリコンの種を次バッチのAEIモレキュラーシーブ合成原料として回収する工程と、
を含む、AEI構造モレキュラーシーブの製造方法を提供する。
(1)有機テンプレート剤、ケイ素源とアルミニウム源とを与えるFAU型アルミノシリケートモレキュラーシーブ、アルカリ液及び水を含む原料を水熱結晶化条件下で反応させる工程と、
(2)工程(1)で得られた生成物をろ過し、ろ過液に対し電気透析でめっきを行い、有機テンプレート剤とシリコンの種を次バッチのAEIモレキュラーシーブ合成原料として回収する工程と、
を含む方法により製造されたAEI構造モレキュラーシーブを提供する。
(1)有機テンプレート剤、ケイ素源とアルミニウム源とを与えるFAU型アルミノシリケートモレキュラーシーブ、アルカリ液及び水を含む原料を水熱結晶化条件下で反応させる工程と、
(2)工程(1)で得られた生成物をろ過し、ろ過液に対し電気透析を行い、有機テンプレート剤とシリコンの種を次バッチのAEIモレキュラーシーブ合成原料として回収する工程と、
を含む、AEI構造モレキュラーシーブの製造方法を提供する。
(1)有機テンプレート剤、ケイ素源とアルミニウム源とを与えるFAU型アルミノシリケートモレキュラーシーブ、アルカリ液及び水を含む原料を水熱結晶化条件下で反応させる工程と、
(2)工程(1)で得られた生成物をろ過し、ろ過液に対し電気透析を行い、有機テンプレート剤とシリコンの種を次バッチのAEIモレキュラーシーブ合成原料として回収する工程と、
を含むAEI構造モレキュラーシーブの製造方法を提供する。
(相対収率)R=(RP)/(RT)
式中、Rは反応物であり、RPは所望の生成物中に組み込まれている反応物R(又はその誘導体)の総重量であり、RTは当該化学プロセス中に導入された反応物Rの総重量である。「総相対収率」という用語とは、化学プロセス全体の相対収率を意味する。「シリカでの総相対収率」は、一又は複数の連続的なバッチ全体で生産されたゼオライトの総量に組み込まれているシリカの総量の、当該プロセス全体に導入されたシリカの総量に対するものを表す。「テンプレート剤での総相対収率」は、一又は複数の連続的なバッチのゼオライト骨格の構築に直接的に使用された有機テンプレート剤の量の、当該プロセスに導入されたシリカの量全体に対するものを表す。
(1)有機テンプレート剤であるN,N−ジメチル−3,5−ジメチルピペリジン水溶液(濃度:20wt%)に、所定量のシリカとアルミナのモル比(SAR)が28.7である脱アルミニウムのUSYゼオライトを加え、十分に攪拌し、さらにNaOH粒子(純度:96wt%)を加え、脱イオン水を追加し、十分に攪拌し、得られた混合スラリーを、室温下、密閉容器内にて、全ての原料の混合が均一となるように2時間連続攪拌した。以下のモル組成を有する混合ゾルのモル比は、
Na2O:SiO2:Al2O3:OSDA:H2O
=0.22:1.0:0.03484:0.20:25.0
であり;
得られた固体混合物を2000mlの水熱結晶化釜に移し、60rpmの速度で攪拌しながら、140℃に昇温して24時間結晶化し、続いて170℃に昇温して60時間結晶化した。
(1)実施例1で得られたSAA−1溶液に、所定量のHYゼオライト(シリカ対アルミナ比SARは5.3)、水ガラス(Na2O:7.44wt%,SiO2:27.40wt%)を混合させた混合物に、実施例1で得られたSDK−1溶液、所定量のN,N−ジメチル−3,5−ジメチルピペリジン水溶液(濃度:20wt%)、脱イオン水及びNaOH粒子(純度:96wt%)をこの順に添加し、この反応混合物を、室温下、密閉容器内にて、全ての原料の混合が均一となるように、200rpmの速度で2時間連続攪拌し、以下のモル組成を有する混合ゾルのモル比は、
Na2O:SiO2:Al2O3:OSDA:H2O
=0.24:1.0:0.03226:0.15:25.0
であり;得られた固体混合物を2000mlの水熱結晶化釜に移し、60rpmの速度で攪拌しながら、135℃に昇温して36時間結晶化し、続いて180℃に昇温して48時間結晶化した。
(1)実施例2で得られたSAA−2溶液に、所定量のシリカとアルミナのモル比(SAR)が20.6である脱アルミニウムのUSYゼオライト、水ガラス(Na2O:7.44wt%,SiO2:27.40wt%)を混合させた。この混合物に、実施例2で得られたSDK−2溶液、所定量のN,N−ジメチル−3,5−ジメチルピペリジン水溶液(濃度:20wt%)、脱イオン水及びNaOH粒子(純度:96wt%)をこの順に添加し、この反応混合物を、室温下、密閉容器内にて、全ての原料の混合が均一となるように、200rpmの速度で攪拌し、以下のモル組成を有する混合ゾルのモル比は、
Na2O:SiO2:Al2O3:OSDA:H2O
=0.26:1.0:0.02475:0.15:25.0
であり;
得られた固体混合物を2000mlの水熱結晶化釜に移し、60rpmの速度で攪拌しながら、130℃に昇温して48時間結晶化し、続いて185℃に昇温して60時間結晶化した。
(1)実施例3で得られたSAA−3溶液に、所定量のシリカとアルミナのモル比(SAR)が2.74であるXゼオライト、水ガラス(Na2O:7.44wt%,SiO2:27.40wt%)を混合させた混合物に、実施例3で得られたSDK−3溶液、所定量のN,N−ジメチル−3,5−ジメチルピペリジン水溶液(濃度:20wt%)、脱イオン水及びNaOH粒子(純度:96wt%)をこの順に添加し、この反応混合物を、室温下、密閉容器内にて、全ての原料の混合が均一となるように、200rpmの速度で攪拌し、以下のモル組成を有する混合ゾルのモル比は、
Na2O:SiO2:Al2O3:OSDA:H2O
=0.28:1.0:0.02045:0.15:25.0
であり;
得られた固体混合物を2000mlの水熱結晶化釜に移し、60rpmの速度で攪拌しながら、150℃に昇温して12時間結晶化し、続いて170℃に昇温して72時間結晶化した。
(1)実施例4で得られたSAA−4溶液に、所定量のシリカとアルミナのモル比(SAR)が28.7である脱アルミニウムのUSYゼオライト、水ガラス(Na2O:7.44wt%,SiO2:27.40wt%)を混合させた混合物に、実施例4で得られたSDK−4溶液、所定量のN,N−ジメチル−3,5−ジメチルピペリジン水溶液(濃度:20wt%)、脱イオン水及びNaOH粒子(純度:96wt%)をこの順に添加し、この反応混合物を、室温下、密閉容器内にて、全ての原料の混合が均一となるように、200rpmの速度で攪拌し、以下のモル組成を有する混合ゾルのモル比は、
Na2O:SiO2:Al2O3:OSDA:H2O
=0.36:1.0:0.01214:0.08:25.0
であり;
得られた固体混合物を2000mlの水熱結晶化釜に移し、60rpmの速度で攪拌しながら、140℃に昇温して24時間結晶化し、続いて170℃に昇温して60時間結晶化した。
(1)有機テンプレート剤である1−エチル−1−メチル−2,2,6,6−ヘキサメチルピペリジン水溶液(濃度:20wt%)に、所定量のシリカとアルミナのモル比(SAR)が28.7である脱アルミニウムのUSYゼオライト、シリカゾル(SiO2:30.0wt%)を加え、十分に攪拌し、更にNaOH粒子(純度:96wt%)を加え、脱イオン水を追加し、十分に攪拌し、得られた混合スラリーを、室温下、密閉容器内にて、全ての原料の混合が均一となるように2時間連続攪拌し、以下のモル組成を有する混合ゾルのモル比は、
Na2O:SiO2:Al2O3:OSDA:H2O
=0.29:1.0:0.01451:0.12:15.0
であり;
得られた固体混合物を2000mlの水熱結晶化釜に移し、60rpmの速度で攪拌しながら、135℃に昇温して24時間結晶化し、続いて180℃に昇温して48時間結晶化した。
(1)実施例6で得られたSAB−1溶液に、所定量のシリカとアルミナのモル比(SAR)が13.3である脱アルミニウムのUSYゼオライト、シリカゾル(SiO2:30.0wt%)を混合させた混合物に、実施例6で得られたSDL−1溶液、所定量の1−エチル−1−メチル−2,2,6,6−ヘキサメチルピペリジン水溶液(濃度:20wt%)、脱イオン水及びNaOH粒子(純度:96wt%)をこの順に添加し、この反応混合物を、室温下、密閉容器内にて、全ての原料の混合が均一となるように、200rpmの速度で攪拌し、以下のモル組成を有する混合ゾルのモル比は、
Na2O:SiO2:Al2O3:OSDA:H2O
=0.35:1.0:0.0126:0.08:15.0
であり;
得られた固体混合物を2000mlの水熱結晶化釜に移し、60rpmの速度で攪拌しながら、135℃に昇温して48時間結晶化し、続いて190℃に昇温して36時間結晶化した。
(1)実施例7で得られたSAB−2溶液に、所定量のシリカとアルミナのモル比(SAR)が5.3であるNaYゼオライト、シリカゾル(SiO2:30.0wt%)を混合させた混合物に、実施例7で得られたSDL−2溶液、所定量の1−エチル−1−メチル−2,2,6,6−ヘキサメチルピペリジン水溶液(濃度:20wt%)、脱イオン水及びNaOH粒子(純度:96wt%)をこの順に添加し、この反応混合物を、室温下、密閉容器内にて、全ての原料の混合が均一となるように、200rpmの速度で攪拌し、以下のモル組成を有する混合ゾルのモル比は、
Na2O:SiO2:Al2O3:OSDA:H2O
=0.34:1.0:0.01244:0.10:15.0
であり;
得られた固体混合物を2000mlの水熱結晶化釜に移し、60rpmの速度で攪拌しながら、135℃に昇温して24時間結晶化し、続いて160℃に昇温して120時間結晶化した。
(1)実施例8で得られたSAB−3溶液に、所定量のHYゼオライト(シリカ対アルミナ比5.3、アルミニウム源とケイ素源の一部とを与える)、シリカゾル(SiO2:30.0wt%)を混合させた混合物に、実施例8で得られたSDL−3溶液、所定量の1−エチル−1−メチル−2,2,6,6−ヘキサメチルピペリジン水溶液(濃度:20wt%)、脱イオン水及びNaOH粒子(純度:96wt%)をこの順に添加し、この反応混合物を、室温下、密閉容器内にて、全ての原料の混合が均一となるように、200rpmの速度で攪拌し、以下のモル組成を有する混合ゾルのモル比は、
Na2O:SiO2:Al2O3:OSDA:H2O
=0.28:1.0:0.02227:0.12:15.0
であり;
得られた固体混合物を2000mlの水熱結晶化釜に移し、60rpmの速度で攪拌しながら、140℃に昇温して24時間結晶化し、続いて180℃に昇温して72時間結晶化した。
(1)実施例9で得られたSAB−4溶液に、所定量のシリカとアルミナのモル比(SAR)が28.7である脱アルミニウムのUSYゼオライトを混合させた混合物に、実施例9で得られたSDL−4溶液、所定量の1−エチル−1−メチル−2,2,6,6−ヘキサメチルピペリジン水溶液(濃度:20wt%)、脱イオン水及びNaOH粒子(純度:96wt%)をこの順に添加し、この反応混合物を、室温下、密閉容器内にて、全ての原料の混合が均一となるように、200rpmの速度で攪拌し、以下のモル組成を有する混合ゾルのモル比は、
Na2O:SiO2:Al2O3:OSDA:H2O
=0.26:1.0:0.02778:0.15:15.0
であり;
得られた固体混合物を2000mlの水熱結晶化釜に移し、60rpmの速度で攪拌しながら、135℃に昇温して24時間結晶化し、続いて170℃に昇温して96時間結晶化した。
特許文献1の実施例における方法に従って、有機テンプレート剤としてN,N−ジメチル−3,5−ジメチルピペリジン水溶液を用い、リサイクル母液中でAEIゼオライトを合成した。
濃度が0.3mol/LであるCu(NO3)2・3H2O水溶液100.0gに、実施例1〜8及び比較例1〜5で合成されたAEIモレキュラーシーブ原粉10.0gを加え、均一になるように1時間攪拌した後、耐熱性容器に入れたものを、減圧弁付き乾燥器に入れた。乾燥器内の圧力を真空ポンプにより10Torr以下にした後、室温下で1時間脱気処理し、その後、90℃の温度に昇温して12時間乾燥し、乾燥した試料を正常な大気圧下で500℃の温度で4時間焼成して、前記銅修飾AEIモレキュラーシーブを得た。ICP分析の結果によれば、製造された触媒において、モレキュラーシーブ触媒の総重量に対し、銅(II)イオンの割合は表5に示す通りである。
実施例1〜8で合成されたAEIモレキュラーシーブで製造された10〜20メッシュのA1〜H1、比較例1〜5で合成されたAEIモレキュラーシーブで製造された10〜20メッシュのVS1〜VS5触媒粒子を反応器(φ25×500×1)に入れ、500ppmのNO、500ppmのNH3、10容積%のO2、5容積%の水蒸気、及びバランスガスとしてArを含む混合ガスを、160mL/minで予熱機(100℃に設定した)通し、次いでSCR反応器に導入した。試料を、150〜650℃の反応温度及び48000h−1の体積ベースでの時間当たりのガス空間速度で試験した。上記温度を試料の位置で内部熱電対によって監視した。
空間速度SV:30000/h
温度:800℃
時間:16時間
水分濃度:10%
酸素濃度:10%
窒素濃度:バンラス
(付記1)
次の工程:
(1)有機テンプレート剤、ケイ素源とアルミニウム源とを与えるFAU型アルミノシリケートモレキュラーシーブ、アルカリ液及び水を含む原料を水熱結晶化条件下で反応させる工程と、
(2)工程(1)で得られた生成物をろ過し、ろ過液に対し電気透析でめっきを行い、有機テンプレート剤とシリコンの種を次バッチのAEIモレキュラーシーブ合成原料として回収する工程と、
を含む、AEI構造モレキュラーシーブの製造方法。
工程(1)において、前記有機テンプレート剤が単環式又は多環式ピペリジン化合物であり、前記ピペリジン化合物が、N,N−ジメチル−3,5−ジメチルピペリジン、N,N−ジメチル−2,6−ジメチルピペリジン、1,1,2,2,6,6−ヘキサメチルピペリジン、1,1,2,2,6,6−ヘキサメチル−4−オキソピペリジン、1,1,3,5−テトラメチル−4−オキソピペリジン、1−ヒドロキシ−1,1,2,2,6,6−ヘキサメチルピペリジン、1,1−ジメチル−4,4−ジプロポキシピペリジン、3,5−ジメトキシ−1,1−ジメチルピペリジン、3,5−ジヒドロキシ−1,1−ジメチルピペリジン、4−エチル−1,1−ジメチル−3,5−ジオキソピペリジン、1−エチル−1−メチル−2,2,6,6−ヘキサメチルピペリジン、1−エポキシプロピル−1−メチル−2,2,6,6−ヘキサメチルピペリジン、N,N−ジメチル−2−(2−ヒドロキシエチル)ピペリジン及びN,N−ジメチル−2−エチルピペリジンの中から選ばれる1種又は2種以上である、付記1に記載の製造方法。
工程(1)において、前記FAU型アルミノシリケートモレキュラーシーブがYゼオライト及びXゼオライトの中から選ばれる1種であり、好ましくは、前記Yゼオライトが、HYゼオライト、USYゼオライト及びNaYゼオライトの中から選ばれる1種であり、前記Xゼオライトが、NaXゼオライト、KXゼオライト及びHXゼオライトの中から選ばれる1種である、付記1又は2に記載の製造方法。
工程(1)において、前記水熱結晶化が2段階に分けて行なわれ:(1)第1段階の結晶化温度は120〜150℃、好ましくは130〜150℃であり;(2)第2段階の結晶化温度は150〜200℃、好ましくは160〜190℃である、付記1〜3のいずれか1つに記載の製造方法。
工程(1)において、前記水熱結晶化が2段階に分けて行なわれ:(1)第1段階の結晶化時間は0.5〜3.0日、好ましくは0.5〜2.0日であり;(2)第2段階の結晶化時間は0.5〜6.0日、好ましくは1.0〜5.0日である、付記4に記載の製造方法。
工程(1)において、原料として追加的なケイ素源を添加し、前記追加的なケイ素源が、ホワイトカーボンブラック、マクロポーラスシリカゲル、C型シリカゲル、A型シリカゲル、薄層クロマトグラフィーシリカゲル、B型シリカゲル、メタケイ酸ナトリウム、シリカゾル、水ガラス、アルキルシリケート及び珪藻土の中から選ばれる1種又は2種以上である、付記1〜5のいずれか1つに記載の製造方法。
工程(1)において、前記アルカリ液が、NaOH、Na2O、Na2O2及びKOHの中から選ばれる1種又は2種以上である、付記1〜6のいずれか1つに記載の製造方法。
工程(1)において、前記ケイ素源、アルミニウム源、アルカリ液、テンプレート剤及び水のモル比が、1.0:0.00833〜0.1667:0.1〜0.5:0.05〜0.5:10〜50、好ましくは1.0:0.0121〜0.0417:0.22〜0.36:0.08〜0.20:15〜25である、付記1〜7のいずれか1つに記載の製造方法。
工程(2)において、前記電気透析が、4コンパートメント3膜電気透析、3コンパートメント2膜電気透析又は2コンパートメント1膜電気透析の中から選ばれる1種である、付記1〜8のいずれか1つに記載の製造方法。
工程(2)において、前記バイポーラ膜が、陽イオン交換層、界面親水層及び陰イオン交換層を複合してなるものである、付記1〜9のいずれか1つに記載の製造方法。
付記1〜10のいずれか1つに記載の方法により製造されたAEI構造モレキュラーシーブ。
シリカとアルミナとの分子モル比が、5〜100、好ましくは10〜80である付記11に記載のAEI構造モレキュラーシーブ。
付記1〜10のいずれか1つに記載の方法により製造されたAEI構造モレキュラーシーブ又は付記11若しくは12に記載のAEI構造モレキュラーシーブを金属塩溶液でイオン交換して得られたNOX選択的接触還元触媒。
前記金属塩が、銅、鉄、コバルト、タングステン、ニッケル、亜鉛、モリブデン、バナジウム、スズ、チタン、ジルコニウム、マンガン、クロム、ニオブ、ビスマス、アンチモン、ルテニウム、ゲルマニウム、パラジウム、インジウム、白金、金又は銀の可溶性塩の中から選ばれる1種又は2種以上である、付記13に記載の選択的接触還元触媒。
前記金属塩が、銅塩又は鉄塩の中から選ばれ、好ましくは銅塩である、付記14に記載の選択的接触還元触媒。
前記銅塩が硝酸銅、塩化銅、酢酸銅及び硫酸銅の中から選ばれる1種又は2種以上であり、前記銅塩の銅イオンの濃度が0.1〜1.5mol/Lである、付記15に記載の選択的接触還元触媒。
付記1〜10のいずれか1つに記載の方法により製造されたAEI構造モレキュラーシーブ又は付記11若しくは12に記載のAEI構造モレキュラーシーブを金属塩溶液に加えて、NOX選択的接触還元触媒を得た、付記13〜16のいずれか1つに記載の選択的接触還元触媒の製造方法。
多孔質規則性材料に、得られたNOX選択的接触還元触媒をバインダーを用いて付着させる工程をさらに含む、付記17に記載の製造方法。
前記バインダーが、シリカゾル、水ガラス、擬ベーマイト及びアルミナゾルの中から選ばれる1種又は2種以上である、付記18に記載の製造方法。
前記多孔質規則性材料が、ハニカム形状、板形状及び波形状の中から選ばれる1種である、付記18又は19に記載の製造方法。
前記多孔質規則性材料が、コージェライト、α−アルミナ、炭化ケイ素、チタン酸アルミニウム、窒化ケイ素、ジルコニア、ムライト、スポジュメン、アルミナ−シリカ−マグネシア、ケイ酸ジルコニウム又は金属フレークの中から選ばれる1種、好ましくはコージェライトである、付記18〜20のいずれか1つに記載の製造方法。
付記13〜16のいずれか1つに記載の選択的接触還元触媒又は付記17〜21のいずれか1つに記載の方法により製造された選択的接触還元触媒の、排ガス流れ、好ましくは自動車排ガス流れ浄化のための使用。
前記排ガス流れが、モータービークルからの排ガス流れ、好ましくはリーン燃焼エンジンからの排ガス流れ、より好ましくはディーゼルエンジン排ガス流れである、付記22に記載の使用。
付記13〜16のいずれか1つに記載の選択的接触還元触媒又は付記17〜21のいずれか1つに記載の方法により製造された選択的接触還元触媒に、NOX及び還元剤を含む自動車排ガス流れを接触させて、NOXをN2とH2Oに選択的に還元する、排ガス流れの浄化処理方法。
前記排気ガス流れを選択的接触還元触媒に接触させる前に、NOX含有量を100重量%とした場合、前記NO2含有量は、80重量%以下、好ましくは5〜70重量%、より好ましくは10〜60重量%、更に好ましくは15〜55重量%、特に好ましくは20〜50重量%である、付記24に記載の浄化処理方法。
窒素酸化物選択的接触還元触媒又は脱硝触媒である、付記13〜16のいずれか1つに記載の選択的接触還元触媒又は付記17〜21のいずれか1つに記載の方法により製造された選択的接触還元触媒。
Claims (26)
- 次の工程:
(1)有機テンプレート剤、ケイ素源とアルミニウム源とを与えるFAU型アルミノシリケートモレキュラーシーブ、アルカリ液及び水を含む原料を水熱結晶化条件下で反応させる工程と、
(2)工程(1)で得られた生成物をろ過し、ろ過液に対し電気透析でめっきを行い、有機テンプレート剤とシリコンの種を次バッチのAEIモレキュラーシーブ合成原料として回収する工程と、
を含む、AEI構造モレキュラーシーブの製造方法。 - 工程(1)において、前記有機テンプレート剤が単環式又は多環式ピペリジン化合物であり、前記ピペリジン化合物が、N,N−ジメチル−3,5−ジメチルピペリジン、N,N−ジメチル−2,6−ジメチルピペリジン、1,1,2,2,6,6−ヘキサメチルピペリジン、1,1,2,2,6,6−ヘキサメチル−4−オキソピペリジン、1,1,3,5−テトラメチル−4−オキソピペリジン、1−ヒドロキシ−1,1,2,2,6,6−ヘキサメチルピペリジン、1,1−ジメチル−4,4−ジプロポキシピペリジン、3,5−ジメトキシ−1,1−ジメチルピペリジン、3,5−ジヒドロキシ−1,1−ジメチルピペリジン、4−エチル−1,1−ジメチル−3,5−ジオキソピペリジン、1−エチル−1−メチル−2,2,6,6−ヘキサメチルピペリジン、1−エポキシプロピル−1−メチル−2,2,6,6−ヘキサメチルピペリジン、N,N−ジメチル−2−(2−ヒドロキシエチル)ピペリジン及びN,N−ジメチル−2−エチルピペリジンの中から選ばれる1種又は2種以上である、請求項1に記載の製造方法。
- 工程(1)において、前記FAU型アルミノシリケートモレキュラーシーブがYゼオライト及びXゼオライトの中から選ばれる1種であり、好ましくは、前記Yゼオライトが、HYゼオライト、USYゼオライト及びNaYゼオライトの中から選ばれる1種であり、前記Xゼオライトが、NaXゼオライト、KXゼオライト及びHXゼオライトの中から選ばれる1種である、請求項1又は2に記載の製造方法。
- 工程(1)において、前記水熱結晶化が2段階に分けて行なわれ:(1)第1段階の結晶化温度は120〜150℃、好ましくは130〜150℃であり;(2)第2段階の結晶化温度は150〜200℃、好ましくは160〜190℃である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の製造方法。
- 工程(1)において、前記水熱結晶化が2段階に分けて行なわれ:(1)第1段階の結晶化時間は0.5〜3.0日、好ましくは0.5〜2.0日であり;(2)第2段階の結晶化時間は0.5〜6.0日、好ましくは1.0〜5.0日である、請求項4に記載の製造方法。
- 工程(1)において、原料として追加的なケイ素源を添加し、前記追加的なケイ素源が、ホワイトカーボンブラック、マクロポーラスシリカゲル、C型シリカゲル、A型シリカゲル、薄層クロマトグラフィーシリカゲル、B型シリカゲル、メタケイ酸ナトリウム、シリカゾル、水ガラス、アルキルシリケート及び珪藻土の中から選ばれる1種又は2種以上である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の製造方法。
- 工程(1)において、前記アルカリ液が、NaOH、Na2O、Na2O2及びKOHの中から選ばれる1種又は2種以上である、請求項1〜6のいずれか1項に記載の製造方法。
- 工程(1)において、前記ケイ素源、アルミニウム源、アルカリ液、テンプレート剤及び水のモル比が、1.0:0.00833〜0.1667:0.1〜0.5:0.05〜0.5:10〜50、好ましくは1.0:0.0121〜0.0417:0.22〜0.36:0.08〜0.20:15〜25である、請求項1〜7のいずれか1項に記載の製造方法。
- 工程(2)において、前記電気透析が、4コンパートメント3膜電気透析、3コンパートメント2膜電気透析又は2コンパートメント1膜電気透析の中から選ばれる1種である、請求項1〜8のいずれか1項に記載の製造方法。
- 工程(2)において、前記バイポーラ膜が、陽イオン交換層、界面親水層及び陰イオン交換層を複合してなるものである、請求項1〜9のいずれか1項に記載の製造方法。
- 請求項1〜10のいずれか1項に記載の方法により製造されたAEI構造モレキュラーシーブ。
- シリカとアルミナとの分子モル比が、5〜100、好ましくは10〜80である請求項11に記載のAEI構造モレキュラーシーブ。
- 請求項1〜10のいずれか1項に記載の方法により製造されたAEI構造モレキュラーシーブ又は請求項11若しくは12に記載のAEI構造モレキュラーシーブを金属塩溶液でイオン交換して得られたNOX選択的接触還元触媒。
- 前記金属塩が、銅、鉄、コバルト、タングステン、ニッケル、亜鉛、モリブデン、バナジウム、スズ、チタン、ジルコニウム、マンガン、クロム、ニオブ、ビスマス、アンチモン、ルテニウム、ゲルマニウム、パラジウム、インジウム、白金、金又は銀の可溶性塩の中から選ばれる1種又は2種以上である、請求項13に記載の選択的接触還元触媒。
- 前記金属塩が、銅塩又は鉄塩の中から選ばれ、好ましくは銅塩である、請求項14に記載の選択的接触還元触媒。
- 前記銅塩が硝酸銅、塩化銅、酢酸銅及び硫酸銅の中から選ばれる1種又は2種以上であり、前記銅塩の銅イオンの濃度が0.1〜1.5mol/Lである、請求項15に記載の選択的接触還元触媒。
- 請求項1〜10のいずれか1項に記載の方法により製造されたAEI構造モレキュラーシーブ又は請求項11若しくは12に記載のAEI構造モレキュラーシーブを金属塩溶液に加えて、NOX選択的接触還元触媒を得た、請求項13〜16のいずれか1項に記載の選択的接触還元触媒の製造方法。
- 多孔質規則性材料に、得られたNOX選択的接触還元触媒をバインダーを用いて付着させる工程をさらに含む、請求項17に記載の製造方法。
- 前記バインダーが、シリカゾル、水ガラス、擬ベーマイト及びアルミナゾルの中から選ばれる1種又は2種以上である、請求項18に記載の製造方法。
- 前記多孔質規則性材料が、ハニカム形状、板形状及び波形状の中から選ばれる1種である、請求項18又は19に記載の製造方法。
- 前記多孔質規則性材料が、コージェライト、α−アルミナ、炭化ケイ素、チタン酸アルミニウム、窒化ケイ素、ジルコニア、ムライト、スポジュメン、アルミナ−シリカ−マグネシア、ケイ酸ジルコニウム又は金属フレークの中から選ばれる1種、好ましくはコージェライトである、請求項18〜20のいずれか1項に記載の製造方法。
- 請求項13〜16のいずれか1項に記載の選択的接触還元触媒又は請求項17〜21のいずれか1項に記載の方法により製造された選択的接触還元触媒の、排ガス流れ、好ましくは自動車排ガス流れ浄化のための使用。
- 前記排ガス流れが、モータービークルからの排ガス流れ、好ましくはリーン燃焼エンジンからの排ガス流れ、より好ましくはディーゼルエンジン排ガス流れである、請求項22に記載の使用。
- 請求項13〜16のいずれか1項に記載の選択的接触還元触媒又は請求項17〜21のいずれか1項に記載の方法により製造された選択的接触還元触媒に、NOX及び還元剤を含む自動車排ガス流れを接触させて、NOXをN2とH2Oに選択的に還元する、排ガス流れの浄化処理方法。
- 前記排気ガス流れを選択的接触還元触媒に接触させる前に、NOX含有量を100重量%とした場合、前記NO2含有量は、80重量%以下、好ましくは5〜70重量%、より好ましくは10〜60重量%、更に好ましくは15〜55重量%、特に好ましくは20〜50重量%である、請求項24に記載の浄化処理方法。
- 窒素酸化物選択的接触還元触媒又は脱硝触媒である、請求項13〜16のいずれか1項に記載の選択的接触還元触媒又は請求項17〜21のいずれか1項に記載の方法により製造された選択的接触還元触媒。
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