JP2020524408A - 下方電極機構および反応チャンバ - Google Patents
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Abstract
Description
2 チャンバ
3 反応チャンバ側壁部
4 マッチャ
7 シンブル機構
8 逆流送風ダクト
9 冷却ダクト
10 ワイヤ
11 処理対象のワークピース
12 下方電極チャンバ
14 第1のチャネル
15 第2のチャネル
16 第3のチャネル
17 第1の導電性チャネル
18 第2の導電性チャネル
19 第3の導電性チャネル
20 非電磁シールド空間
21 第1の延長部分
22 第2の延長部分
23 第1の貫通穴
24 第2の貫通穴
25 第1の構成要素
26 第2の構成要素
30 第3の貫通穴
31 第4の貫通穴
32 内部空間
40 第4のチャネル
41 第1の導入チャネル
42 第2の導入チャネル
43 第2のシールドモジュール
51 絶縁ディスク
52 連結ディスク
53 シールドスリーブ
54 第2のシールドチャンバ
55 電磁シールド空間
60 導入アセンブリ
61 第1の導入セクション
62 第2の導入セクション
63 第3の導入セクション
100 反応チャンバ
101 貫通穴
102 側部カバー
103 高周波コイル
104 マッチングユニット
105 水平方向レール
111 中心線
200 下方電極機構
231 第2の絶縁リング
501 加熱ワイヤ
502 静電吸着ワイヤ
531 第1の絶縁リング
541 高周波開口
542 ワイヤ開口
611 高周波スリーブ
611a 上方端部
611b 下方端部
612 連結バレル
613 中央部分
614 外方リング部分
615 上方接触表面
616 下方接触表面
618 第1の絶縁体
621 第1の高周波導管
622 第2の絶縁体
623 タブ
624 弾性導電性ウェーハ
631 第2の高周波導管
632 第3の絶縁体
634 導電性ピン
Claims (24)
- 処理対象のワークピースを担持するためのベースと、
前記ベースの下方に配設される下方電極チャンバであって、互いに隔離された電磁シールド空間および非電磁シールド空間を備え、前記下方電極チャンバのチャンバが、第1の貫通穴および第2の貫通穴を備え、前記電磁シールド空間および前記非電磁シールド空間は、前記電磁シールド空間内に配設された第1の構成要素が前記非電磁シールド空間内に配設された第2の構成要素により干渉されるのを防止するために前記第1の貫通穴および前記第2の貫通穴を通り外部にそれぞれ連結される、下方電極チャンバと、
を備える、下方電極機構。 - 前記下方電極チャンバの前記チャンバは、チャンバ本体を備え、第1の延長部分が、前記チャンバ本体の一方の側に形成され、前記第1の貫通穴および前記第2の貫通穴は、前記第1の延長部分中に形成され水平方向に配設される、請求項1に記載の下方電極機構。
- 第2の延長部分が、前記第1の延長部分の対向側である前記チャンバ本体の他方の側に形成され、前記第2の延長部分は、径方向において前記ベースの中心線に対して前記第1の延長部分と対称をなす、請求項2に記載の下方電極機構。
- 前記下方電極機構は、第1のシールドモジュールをさらに備え、
前記第1のシールドモジュールは、前記下方電極チャンバに連結された前記第1の貫通穴の内方端部と前記ベースとの間に配設され、前記下方電極チャンバ内に配設されて第1の電磁シールドチャンバを形成し、前記第1の電磁シールドチャンバは、前記電磁シールド空間であり、
前記下方電極チャンバ内の前記第1の電磁シールドチャンバ外部の空間が、前記非電磁シールド空間である、請求項1に記載の下方電極機構。 - 前記第1のシールドモジュールは、円弧形状を有するシールドスリーブを備え、
前記シールドスリーブの一方の端部は、前記ベースの下方に配設され、前記シールドスリーブの他方の端部は、前記第1の貫通穴に連結されて前記第1の電磁シールドチャンバを形成する、請求項4に記載の下方電極機構。 - 前記ベースは、頂部から底部に向かって順次配設されたベース本体および絶縁ディスクを備え、
前記下方電極機構は、導入アセンブリをさらに備え、
前記導入アセンブリは、順次連結される第1の導入セクション、第2の導入セクション、および第3の導入セクションを備え、前記第1の導入セクションは、前記絶縁ディスク内に埋設され、前記第2の導入セクションは、前記電磁シールド空間内に位置し、前記第3の導入セクションは、前記第1の貫通穴を通り前記下方電極チャンバの外部に突出する、請求項1に記載の下方電極機構。 - 前記第1の導入セクションは、
その上方端部が前記ベース本体に電気接続され、その下方端部が前記絶縁ディスクの下方表面まで延在し、前記第2の導入セクションに連結される、高周波スリーブと、
前記高周波スリーブ内に配設された第1の絶縁体であって、前記ベース本体の下方表面と接触状態にある上方接触表面と、前記第2の導入セクションの対向側の下方接触表面とを備える、第1の絶縁体と、
前記第1の絶縁体中に形成された複数の第1の導電性チャネルであって、前記第1の導電性チャネルのそれぞれが、前記上方接触表面から前記下方接触表面まで延在し、前記第1の構成要素のそれぞれが、1対1の対応関係で前記第1の導電性チャネルのそれぞれを通過する、複数の第1の導電性チャネルと、
を備える、請求項6に記載の下方電極機構。 - 前記高周波スリーブは、垂直方向に配置された直線状シリンダであり、前記直線状シリンダよりも小さな直径を有する連結バレルが、前記直線状シリンダの頂部に形成され、前記連結バレルは、前記ベース本体内に埋設され、
前記直線状シリンダの下方端部が、前記絶縁ディスクの前記下方表面まで延在し、前記第2の導入セクションに連結され、
前記第1の絶縁体は、前記直線状シリンダ内に埋設された中央部分と、前記直線状シリンダの外方周囲壁部の周りに配設された外方リング部分とを備え、前記中央部分の下方表面が、前記下方接触表面として使用され、前記外方リング部分の上方表面が、前記上方接触表面として使用され、
第1のチャネルが、前記中央部分中に形成され、第2のチャネルが、前記直線状シリンダの円筒状壁部中に形成され、第3のチャネルが、前記外方リング部分中に形成され、前記第1のチャネル、前記第2のチャネル、および前記第3のチャネルは、前記第1の導電性チャネルを形成するように連結される、請求項7に記載の下方電極機構。 - 前記複数の第1の導電性チャネルは、前記第1の絶縁体内において垂直方向に層状に配設される、請求項8に記載の下方電極機構。
- 前記複数の第1の導電性チャネルは、加熱ワイヤに対応する少なくとも1つの第1の導電性チャネルと、静電吸着ワイヤに対応する少なくとも1つの第1の導電性チャネルとを備え、
前記加熱ワイヤに対応する前記第1の導電性チャネルは、前記静電吸着ワイヤに対応する前記第1の導電性チャネルの下方層内に配置される、請求項9に記載の下方電極機構。 - 前記高周波スリーブは錐体であり、前記錐体の上方端部の直径は前記錐体の下方端部の直径よりも大きく、
前記錐体の前記上方端部は、前記ベース本体に電気接続され、前記錐体の前記下方端部は、前記絶縁ディスクの前記下方表面まで延在し、前記第2の導入セクションに連結され、
前記第1の絶縁体は、前記錐体内に埋設され、前記錐体の形状と形状合致する、請求項7に記載の下方電極機構。 - 前記第2の導入セクションは、
円弧形状を有する第1の高周波導管であって、前記第1の高周波導管の上方端部が前記第1の導入セクションに連結され、前記第1の高周波導管の下方端部が前記第3の導入セクションに連結される、第1の高周波導管と、
前記第1の高周波導管内に配設される第2の絶縁体であって、前記第2の絶縁体の第1の端部表面が、前記第1の導入セクションの対向側に位置し、前記第2の絶縁体の第2の端部表面が、前記第3の導入セクションの対向側に位置する、第2の絶縁体と、
前記第2の絶縁体中に形成された複数の第2の導電性チャネルであって、前記第2の導電性チャネルのそれぞれが、前記第1の高周波導管の軸に沿って配設され、前記第2の導電性チャネルが、前記第1の端部表面から前記第2の端部表面まで延在する、第2の導電性チャネルと、
を備えており、
前記第1の構成要素のそれぞれが、1対1の対応関係で前記第2の導電性チャネルのそれぞれを通過する、請求項6に記載の下方電極機構。 - 前記第3の導入セクションは、
第2の高周波導管の一方の端部が前記第2の導入セクションに連結され、前記第2の高周波導管の他方の端部が、前記第1の貫通穴の軸に沿って水平方向に前記下方電極チャンバの前記外部まで延在する、第2の高周波導管と、
前記第2の高周波導管内に配設される第3の絶縁体であって、前記第3の絶縁体の第1の端部表面が、前記第2の導入セクションの対向側に位置する、第3の絶縁体と、
前記第3の絶縁体中に形成された複数の第3の導電性チャネルであって、前記第3の導電性チャネルのそれぞれが、前記第2の高周波導管の軸に沿って配設され、前記第3の導電性チャネルが、前記第3の絶縁体の前記第1の端部表面から前記第3の絶縁体の第2の端部表面まで延在する、複数の第3の導電性チャネルと、
を備えており、
前記第1の構成要素のそれぞれが、1対1の対応関係で前記第3の導電性チャネルのそれぞれを通過し、前記第3の絶縁体の前記第2の端部表面から突出する、請求項6に記載の下方電極機構。 - 導電性ピンが、前記第3の絶縁体の前記第2の端部表面に対応する前記第2の高周波導管の一方の端部上に配設され、
第4のチャネルが、前記第3の絶縁体の前記第2の端部表面と前記導電性ピンとの間の前記第2の高周波導管の側壁部中に配設され、前記第3の絶縁体の前記第2の端部表面から延在する前記第1の構成要素は、前記第4のチャネルから外方に延在する、請求項13に記載の下方電極機構。 - 前記第1の構成要素は、複数の加熱ワイヤと、少なくとも1つの静電吸着ワイヤと、を備え、
前記複数の加熱ワイヤは、前記電磁シールド空間の軸の周囲に対称的に分布し、
前記少なくとも1つの静電吸着ワイヤは、前記複数の加熱ワイヤの内部に配設される、請求項1に記載の下方電極機構。 - 前記電磁シールド空間の内径が、前記第2の導入セクションの外径の2〜6倍である、請求項6に記載の下方電極機構。
- 前記第2の導入セクションの前記外径は、15〜50mmの範囲に及ぶ、請求項16に記載の下方電極機構。
- 前記絶縁ディスクの厚さが、60〜300mmの範囲に及ぶ、請求項6に記載の下方電極機構。
- 前記下方電極機構は、
前記第3の導入セクションが前記電磁シールド空間の内方壁部から隔離されるように第1の絶縁リングを介して前記電磁シールド空間の前記内方壁部に固定される、少なくとも1つの第1の絶縁リング、および/または
前記第3の導入セクションが前記第1の貫通穴の内方壁部から隔離されるように第2の絶縁リングを介して前記第1の貫通穴の前記内方壁部に固定される、少なくとも1つの第2の絶縁リング
をさらに備える、請求項6から14のいずれか一項に記載の下方電極機構。 - 反応チャンバであって、
前記反応チャンバの内部に配設された、請求項1から19のいずれか一項に記載の前記下方電極機構を備える、反応チャンバ。 - 前記下方電極機構は、前記反応チャンバに連結され、第3の貫通穴および第4の貫通穴が、前記反応チャンバ中に形成され、前記第3の貫通穴は、前記第1の貫通穴に連結されて第1の導入チャネルを形成し、前記第4の貫通穴は、前記第2の貫通穴に連結されて第2の導入チャネルを形成し、
前記第1の構成要素は、前記第1の導入チャネルを通り前記反応チャンバの外部に突出し、前記第2の構成要素は、前記第2の導入チャネルを通り前記反応チャンバの外部に突出する、請求項20に記載の反応チャンバ。 - 前記下方電極機構は、第2のシールドモジュールをさらに備え、
前記第2のシールドモジュールは、前記反応チャンバの外部に配設され、前記外部に連結された前記第1の導入チャネルの外方端部を閉じる第2のシールドチャンバを形成する、請求項21に記載の反応チャンバ。 - 前記下方電極チャンバの前記チャンバ本体は、前記反応チャンバの側壁部に連結され、前記第3の貫通穴および前記第4の貫通穴は、前記反応チャンバの前記側壁部上に形成される、請求項21に記載の反応チャンバ。
- 第5の貫通穴が、前記反応チャンバの側壁部上に配設され、側部カバーが、前記第5の貫通穴の外方側部上に配設され、前記下方電極チャンバの前記チャンバ本体は、前記側部カバーに連結され、前記第3の貫通穴および前記第4の貫通穴は、前記側部カバー中に形成され、
水平方向レールが、前記反応チャンバの底部に配設され、前記側部カバーは、前記水平方向レールに連結され、
前記側部カバーは、前記下方電極機構が単体として前記反応チャンバから外に移動し得るように前記反応チャンバの外部へ移動し得る、請求項21に記載の反応チャンバ。
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Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107093545B (zh) * | 2017-06-19 | 2019-05-31 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 反应腔室的下电极机构及反应腔室 |
CN109994356B (zh) * | 2017-12-29 | 2022-03-22 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 反应腔室和半导体加工设备 |
CN108346554A (zh) * | 2018-04-24 | 2018-07-31 | 西南林业大学 | 一种等离子体刻蚀与沉积设备及方法 |
CN112259429A (zh) * | 2020-09-30 | 2021-01-22 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种半导体工艺设备 |
CN113421812B (zh) * | 2021-06-23 | 2024-03-26 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体工艺设备及其承载装置 |
CN114121584B (zh) * | 2021-11-22 | 2024-04-16 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 下电极组件、半导体加工设备及下电极防冷凝方法 |
CN114141600A (zh) * | 2021-11-29 | 2022-03-04 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体工艺设备及下电极腔室的温度控制方法 |
CN115692263B (zh) * | 2022-10-31 | 2023-06-16 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体工艺腔室及半导体工艺设备 |
CN115881617B (zh) * | 2022-12-25 | 2023-10-24 | 北京屹唐半导体科技股份有限公司 | 载片台及反应腔室 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09167762A (ja) * | 1995-07-10 | 1997-06-24 | Watkins Johnson Co | プラズマ強化化学処理反応装置とその方法 |
JP2002208584A (ja) * | 2001-01-09 | 2002-07-26 | Tokyo Electron Ltd | 枚葉式の処理装置 |
CN1849033A (zh) * | 2005-12-09 | 2006-10-18 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 用于静电卡盘的信号传输装置 |
JP2011222931A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-11-04 | Tokyo Electron Ltd | 載置台構造及び処理装置 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6616767B2 (en) * | 1997-02-12 | 2003-09-09 | Applied Materials, Inc. | High temperature ceramic heater assembly with RF capability |
KR100262274B1 (ko) * | 1997-11-11 | 2000-07-15 | 전주범 | 전자 렌지용 초고주파 발진관의 그리드 조립체 |
US6395095B1 (en) * | 1999-06-15 | 2002-05-28 | Tokyo Electron Limited | Process apparatus and method for improved plasma processing of a substrate |
KR100629065B1 (ko) * | 1999-09-14 | 2006-09-27 | 주식회사 엘지생활건강 | 폴리에톡실레이티드 비타민 씨 유도체를 함유하는 피부 미백용 화장료 조성물 |
US20050022736A1 (en) * | 2003-07-29 | 2005-02-03 | Lam Research Inc., A Delaware Corporation | Method for balancing return currents in plasma processing apparatus |
US20050066902A1 (en) * | 2003-09-26 | 2005-03-31 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for plasma processing |
JP2007258585A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Tokyo Electron Ltd | 基板載置機構および基板処理装置 |
WO2012019017A2 (en) * | 2010-08-06 | 2012-02-09 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck and methods of use thereof |
US10586686B2 (en) * | 2011-11-22 | 2020-03-10 | Law Research Corporation | Peripheral RF feed and symmetric RF return for symmetric RF delivery |
CN104167343B (zh) * | 2013-05-17 | 2016-07-13 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 等离子体处理装置及其射频屏蔽装置 |
CN103337444A (zh) * | 2013-06-08 | 2013-10-02 | 天通吉成机器技术有限公司 | 一种干法等离子刻蚀机的反应腔 |
JP6043968B2 (ja) * | 2013-10-30 | 2016-12-14 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プラズマ処理方法並びに電子デバイスの製造方法 |
CN105632967B (zh) * | 2014-10-28 | 2018-08-24 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体加工设备 |
CN106158717B (zh) * | 2015-03-31 | 2019-08-23 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 机械卡盘及半导体加工设备 |
CN106816397A (zh) * | 2015-12-01 | 2017-06-09 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 下电极组件及半导体加工设备 |
CN107093545B (zh) * | 2017-06-19 | 2019-05-31 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 反应腔室的下电极机构及反应腔室 |
CN207074639U (zh) * | 2017-06-19 | 2018-03-06 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 反应腔室的下电极机构及反应腔室 |
-
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JPH09167762A (ja) * | 1995-07-10 | 1997-06-24 | Watkins Johnson Co | プラズマ強化化学処理反応装置とその方法 |
JP2002208584A (ja) * | 2001-01-09 | 2002-07-26 | Tokyo Electron Ltd | 枚葉式の処理装置 |
CN1849033A (zh) * | 2005-12-09 | 2006-10-18 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 用于静电卡盘的信号传输装置 |
JP2011222931A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-11-04 | Tokyo Electron Ltd | 載置台構造及び処理装置 |
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