CN109148251B - 反应腔室的下电极机构及反应腔室 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种反应腔室的下电极机构及反应腔室，其包括用于承载被加工工件的基座以及采用绝缘材料制作的转接盘，该转接盘设置在基座的底部，且在转接盘中设置有多条走线通道，多条走线通道的输入端汇聚至转接盘的底面中心位置处，多条走线通道的输出端分散布置在转接盘的顶面，且与基座中的不同功能的导电部件接口的位置一一对应。本发明提供的反应腔室的下电极机构，其不仅可以提高不同功能的导电部件的走线一致性，从而可以提高不同腔室中的基座对地电容的一致性，而且还可以避免生成偏斜的电磁场，从而可以提高工艺均匀性。

Description

反应腔室的下电极机构及反应腔室

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，具体地，涉及一种反应腔室的下电极机构及反应腔室。

背景技术

电感耦合等离子体刻蚀(Inductive Coupled Plasma，以下简称ICP)设备在半导体晶片领域，尤其是在硅刻蚀制作领域中被广泛的应用。

现有的ICP设备包括安装于反应腔室上方的进气机构和上电极机构，以及位于反应腔室内的下电极机构，其中，进气机构用于向反应腔室内输送工艺气体；上电极机构用于激发工艺气体形成等离子体；下电极机构用于承载被加工工件，并向被加工工件加载射频偏压，以吸引等离子体刻蚀被加工工件表面。

图1为现有的一种下电极机构的结构图。请参阅图1，下电极机构包括用于承载被加工工件的基座1，该基座1例如可以为静电卡盘。在该基座1的底部设置有接口盘2，并且在该接口盘2的下方设置有下电极腔3。其中，在下电极腔3的腔体上开设有与外界连通的通道4，具有不同功能的多条线缆5通过该通道4进入下电极腔3内，并通过接口盘2引入基座1的底部，并与基座1中对应的导电接口连接。线缆5例如为用于向基座1中的加热元件供电的交流线缆、用于向基座1中的直流电极供电的直流线缆等。如图2所示，多条线缆5无屏蔽保护措施，并以随机的路径通过下电极腔3到达接口盘2的底部。接口盘2采用金属材料制作，其上表面设有与基座1中的导电部件接口相对应的插头(图中未示出)，用于将多条线缆5与基座1中的导电接口电连接。

上述下电极结构在实际应用中不可避免地存在以下问题：

首先，在接口盘2中的多条走线通道在接口盘2底面上的输入端的位置与基座1中的导电部件接口的位置是一一对应的，这种分散式的分布很难保证不同腔室中的线缆5的安装一致性，影响不同腔室中多条线缆5在下电极腔3中的走线路径的一致性，造成不同腔室中的基座1对地电容不一致，进而影响腔室间匹配的一致性。

其次，接口盘2为金属材料，这使得接口盘2和基座1感应生成电磁场，该电磁场会影响工艺均匀性。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种反应腔室的下电极机构及反应腔室，其不仅可以提高不同腔室中的基座对地电容的一致性，而且还可以提高工艺均匀性。

为实现本发明的目的而提供一种反应腔室的下电极机构，包括用于承载被加工工件的基座，还包括采用绝缘材料制作的转接盘，所述转接盘设置在所述基座的底部，且在所述转接盘中设置有多条走线通道，多条所述走线通道的输入端汇聚至所述转接盘的底面中心位置处，多条所述走线通道的输出端分散布置在所述转接盘的顶面，且与所述基座中的不同功能的导电部件接口的位置一一对应。

优选的，所述转接盘包括盘状本体，所述盘状本体具有贯穿其厚度的第一中心孔，且在所述盘状本体的底面形成有呈辐射状分散延伸的多条凹道，多条所述凹道的一端汇聚至所述第一中心孔；另一端与所述基座中的不同功能的导电部件接口的位置一一对应；

在所述盘状本体中还设置有多个第一竖直通孔，各个所述第一竖直通孔的下端一一对应地与各条所述凹道的另一端连通，各个所述第一竖直通孔的上端位于所述盘状本体的顶面；所述第一中心孔、所述凹道和所述第一竖直通孔构成所述走线通道。

优选的，所述盘状本体为多个，且沿竖直方向依次对接，并且多个所述盘状本体的所述第一中心孔同轴；

不同的所述盘状本体中的所述第一竖直通孔对应不同的所述基座中的具有不同功能的导电部件接口的位置，并且在位于任意一个所述盘状本体上方的其他盘状本体中均设置有与该盘状本体中的所述第一竖直通孔一一对应且连通的第二竖直通孔。

优选的，所述盘状本体为两个，分别为第一盘状本体和设置在其底部的第二盘状本体，其中，

所述第一盘状本体中的所述第一竖直通孔对应所述基座中的直流导电部件接口；

所述第二盘状本体中的所述第一竖直通孔对应所述基座中的交流导电部件接口。

优选的，所述第一盘状本体中的所述第一竖直通孔靠近所述基座的中心，所述第二盘状本体中的所述第一竖直通孔靠近所述基座的边缘。

优选的，所述不同功能的导电部件包括射频导电部件、多条直流导线和多条交流导线，其中，

所述射频导电部件依次穿过所述第二盘状本体和所述第一盘状本体的所述第一中心孔与所述基座电连接；

多条所述直流导线依次穿过所述第二盘状本体和所述第一盘状本体的所述第一中心孔，所述第一盘状本体的所述走线通道，与所述基座中的所述直流导电部件接口电连接；

多条所述交流导线依次穿过所述第二盘状本体的所述第一中心孔，所述第二盘状本体的所述走线通道，与所述基座中的所述交流导电部件接口电连接。

优选的，所述转接盘还包括绝缘底盘，所述绝缘底盘设置在所述第二盘状本体的底部，并且，在所述绝缘底盘中设置有与所述第一中心孔同轴的第二中心孔。

优选的，在所述转接盘的顶面上设置有用于连接不同功能的导电部件的多个输入插头，多个所述输入插头与各条所述走线通道的输出端一一对应。

优选的，所述下电极机构还包括设置在所述第一中心孔中的集总插头，所述集总插头包括第一射频导管和设置在所述第一射频导管中的第一绝缘件，其中，

所述第一射频导管通过所述第一中心孔与所述基座中的射频导电部件接口连接，并且在所述第一射频导管的外周壁上设置有环绕所述外周壁的径向通孔，所述径向通孔的高度与所述凹道的高度一致；

在所述第一绝缘件中设置有沿所述第一射频导管延伸的多条第一导电通道，多条所述第一导电通道的输出端一一对应地与所述径向通孔连通；在所述第一导电通道中设置有导电接线，所述导电接线自所述第一绝缘件的下端依次经由所述第一导电通道、所述径向通孔和所述走线通道延伸至所述基座的底部，并与所述基座中的导电部件接口连接。

优选的，所述下电极机构还包括设置在所述基座下方的下电极腔和导电模组，其中，

在所述下电极腔的腔体与所述反应腔室的侧壁之间形成有引入通道，用以使所述下电极腔与外界连通；

所述导电模组集中所述不同功能的导电部件，且通过所述引入通道进入所述下电极腔内，并延伸至所述盘状本体的底部，与所述集总插头连接。

优选的，所述导电模组包括第二射频导管和设置在所述第二射频导管中的第二绝缘件，其中，

所述第二射频导管通过所述引入通道进入所述下电极腔内，并与所述第一射频导管连接；

在所述第二绝缘件中设置有沿所述第二射频导管延伸的多条第二导电通道，多条所述第二导电通道的输出端一一对应地与所述第一导电通道的输入端连接，用以将所述导电部件引入至所述第一导电通道的输入端，并与所述导电接线连接。

优选的，所述转接盘所采用的材料包括聚醚酰亚胺绝缘材料或者聚醚醚酮绝缘材料。

优选的，所述基座包括基座本体和设置在所述基座本体底部的绝缘盘，所述绝缘盘用于使所述基座本体与所述下电极腔的腔体电绝缘；

所述转接盘内嵌在所述绝缘盘中，且与所述基座本体相接触。

作为另一个技术方案，本发明还提供一种反应腔室，在反应腔室内设置有下电极机构。本发明具有以下有益效果：

本发明提供的反应腔室的下电极机构，其在基座的底部设置有采用绝缘材料制作的转接盘，且在该转接盘中设置有多条走线通道，多条走线通道的输入端汇聚至转接盘的底面中心位置处，多条走线通道的输出端分散布置在转接盘的顶面，且与基座中的不同功能的导电部件接口的位置一一对应。由于多条走线通道的输入端汇聚至转接盘的底面中心位置处，这可以使所有的导电部件均在该中心位置处集总，从而有利于对转接盘下方的所有导电部件进行统一管理，以提高导电部件的走线一致性，进而可以提高不同腔室中的基座对地电容的一致性。另外，由于多条走线通道的输入端汇聚至转接盘的底面中心位置处，而且转接盘采用绝缘材料，这可以避免基座感应产生电磁场，从而可以提高工艺均匀性。

本发明提供的反应腔室，其通过采用本发明提供的上述下电极机构，不仅可以提高具有不同功能的导电部件的走线一致性，从而可以提高不同腔室中的基座对地电容的一致性，而且还可以避免生成电磁场，从而可以提高工艺均匀性。

附图说明

图1为现有的一种下电极机构的结构图；

图2为现有多条线缆在接口盘底部的分布图；

图3A为本发明第一实施例提供的下电极机构的结构图；

图3B为本发明第一实施例采用的转接盘的剖视图；

图3C为本发明第一实施例采用的转接盘的顶面结构图；

图3D为本发明第一实施例采用的转接盘的底面结构图；

图3E为本发明第一实施例采用的转接盘的顶面的另一种结构图；

图4A为本发明第二实施例提供的下电极机构中转接盘的剖视图；

图4B为本发明第二实施例采用的转接盘的顶面结构图；

图5A为本发明第二实施例提供的下电极机构的剖视图；

图5B为本发明第二实施例采用的转接盘的底面结构图；

图5C为本发明第二实施例采用的导电模组的局部剖视图；

图5D为本发明第二实施例采用的导电模组的径向截面图；

图6A为本发明第二实施例采用的第二盘状本体的底面结构图；

图6B为本发明第二实施例采用的第一盘状本体的底面结构图。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的反应腔室的下电极机构及反应腔室进行详细描述。

请一并参阅图3A～图3E，本发明第一实施例提供了一种反应腔室的下电极机构，其包括用于承载被加工工件的基座11及转接盘13。其中，转接盘13用于将不同功能的导电部件14引入基座11，并与基座11中对应的导电部件接口(图中未示出)电导通。

在实际应用中，通常需要基座11具有加热功能，即，在基座11中设置有加热元件，以控制被加工工件的温度。在这种情况下，需要引入加热用导线，将该加热元件与反应腔室外部的交流电源电连接，以导入加热用的交流电。若基座11为静电卡盘，其内部还设置有用于与被加工工件之间产生静电引力的直流电极，在这种情况下，需要引入静电吸附用导线，将该直流电极与反应腔室外部的直流电源电连接，以导入静电吸附用的直流电。另外，若需要向基座11加载射频偏压，则需要引入射频导电部件，将基座11与反应腔室外部的匹配器和射频电源电连接，以导入射频电流。基于此，上述不同功能的导电部件14通常包括加热用的交流导线、静电吸附用的直流导线和射频导电部件，对应地与基座11中的加热元件、直流电极及射频的接口连接。

转接盘13采用绝缘材料制作，以保证良好的电气绝缘性。优选的，该转接盘13所采用的绝缘材料包括诸如聚醚酰亚胺绝缘材料或者聚醚醚酮绝缘材料等的电气绝缘性能较好的材料。另外，转接盘13的厚度可以在10mm以上，以保证良好的电气绝缘性。在实际应用中，也可以根据具体情况省去上述绝缘盘12，并采用其他任意方式将转接盘13设置在基座11的底部。

而且，在转接盘13中设置有多条走线通道15，多条走线通道15的输入端汇聚至转接盘13的底面132的中心位置处，多条走线通道15的输出端分散布置在转接盘13的顶面131，且与基座11中的具有不同功能的导电部件接口的位置一一对应。走线通道15用于将将上述导电部件14引入基座11底部的与导电部件接口相对应的位置处。由于多条走线通道15的输入端汇聚至转接盘13的底面132的中心位置处，这可以使所有的导电部件14均在该中心位置处集总，从而有利于对转接盘下方的所有导电部件14进行统一管理，以提高导电部件14的走线一致性，进而可以提高不同腔室中的基座对地电容的一致性。另外，由于多条走线通道15的输入端汇聚至转接盘13的底面132中心位置处，而且转接盘13采用绝缘材料，这可以避免基座11感应产生电磁场，从而可以提高工艺均匀性。

在本实施例中，转接盘13包括盘状本体，该盘状本体具有贯穿其厚度的第一中心孔151，且在盘状本体的底面132形成有呈辐射状分散延伸的多条凹道152，如图3D所示，多条凹道152的第一端152a汇聚至第一中心孔151；多条凹道152的第二端152b与基座11中的不同功能的导电部件接口的位置一一对应。并且，在盘状本体中还设置有多个第一竖直通孔153，各个第一竖直通孔153的下端一一对应地与各条凹道152的第二端152b连通，各个第一竖直通孔153的上端153a位于盘状本体的顶面131。第一中心孔151、凹道152和第一竖直通孔153构成上述走线通道15。如图3D所示，第一中心孔151的下端151b位于盘状本体的底面132的中心位置处，所有的导电部件14均从第一中心孔151的下端151b进入，并分别通过相应的凹道152和第一竖直通孔153延伸至基座11底部，并与对应的导电部件接口连接。上述第一中心孔151、凹道152和第一竖直通孔153的直径应略大于导电部件的直径。

由于导电部件14在转接盘13中的走线路径和走线方式固定化，这可以有效提高导电部件的安装一致性，从而可以保证基座11对地电容的稳定性，而且可以提高不同腔室中的基座对地电容的一致性。

可选的，上述第一中心孔151的上端151a与基座11中的射频导电部件接口的位置相对应。射频导电部件可以直接通过上述第一中心孔151与该射频导电部件接口连接。

优选的，如图3E所示，在转接盘13的顶面上设置有用于连接不同功能的导电部件14的多个输入插头，多个输入插头与各条走线通道15的输出端一一对应。可选的，多个输入插头包括射频输入插头181和多个交流导线/直流导线插头182。其中，射频输入插头181设置在上述第一中心孔151的上端151a。各个交流导线/直流导线插头182一一对应地设置在各个第一竖直通孔153的上端153a。上述输入插头可以方便、快速地将导电部件14与基座11中的导电部件接口插接。

请一并参阅图4A和图4B，本发明第二实施例提供的反应腔室的下电极机构，其与上述第一实施例相比，区别在于：盘状本体为多个，且沿竖直方向依次对接，并且不同的盘状本体中的走线通道对应不同功能的导电部件接口，以对导电部件进行分组，且使各组导电部件分层引入基座中。

具体地，在本实施例中，转接盘13包括两个盘状本体，分别为第一盘状本体13a和设置在其底部的第二盘状本体13b，其中，第一盘状本体13a和第二盘状本体13b的第一中心孔151同轴。第一盘状本体13a中的走线通道15对应基座11中的直流导电部件接口，用以将直流导线引入，并与直流导电部件接口连接；第二盘状本体13b中的走线通道15对应基座11中的交流导电部件接口，用以将交流导线引入，并与交流导电部件接口连接。进一步地，第一盘状本体13a中的第一竖直通孔153的位置与直流导电部件接口的位置相对应，第二盘状本体13b中的第一竖直通孔153的位置与交流导电部件接口的位置相对应，并且，在第一盘状本体13a中设置有与第二盘状本体13b中的第一竖直通孔153相对应的第二竖直通孔155，以将来自第一竖直通孔153的交流导电部件引入，并与交流导电部件接口连接。

射频导电部件可以直接通过第一盘状本体13a和第二盘状本体13b的第一中心孔151与基座11中的射频导电部件接口连接。直流导线依次穿过第一盘状本体13a和第二盘状本体13b的第一中心孔151，第一盘状本体13a中的走线通道15(凹道152和第一竖直通孔153)到达导电基座11的底部，并通过输入插头与直流导电部件接口连接。交流导线依次穿过第二盘状本体13b的第一中心孔151、第二盘状本体13b中的走线通道15(凹道152和第一竖直通孔153)和第一盘状本体13a中的第二竖直通孔155到达导电基座11的底部，并通过输入插头与交流导电部件接口连接。

通过使直流导线与交流导线在不同的盘状本体中走线，可以减少交流导线对直流导线的干扰。另外，根据直流导线和交流导线的供电电压的不同(通常，直流电压为2400V，交流电压为220V)，可以将更靠近接地位置的第二盘状本体13b用作引入交流导线的部件，而离接地位置较远的第一盘状本体13a用作引入直流导线的部件，以保证直流导线与交流导线均能够充分的与地绝缘隔离。

另外，优选的，第一盘状本体13a中的第一竖直通孔153靠近基座11的中心，而第二盘状本体13b中的第一竖直通孔153靠近基座11的边缘，如图4A所示。这样，虽然直流导线在第一中心孔151中的走线路径相对于交流导线在第一中心孔151中的走线路径较长，但是，直流导线在凹道152中的走线路径相对于交流导线在凹道152中的走线路径较短，从而可以使直流导线的总走线路径与交流导线的总走线路径大致相同，进而可以使电气性能更稳定。

进一步优选的，转接盘13还包括绝缘底盘16，该绝缘底盘16设置在第二盘状本体13b的底部，并且，在绝缘底盘16中设置有与上述第一中心孔151同轴的第二中心孔154，用以供导电部件14通过。借助绝缘底盘16，可以对第二盘状本体13b底部的凹道152进行电磁屏蔽，从而可以使射频导电部件对交流导线和直流导线的影响趋于一致。

需要说明的是，在本实施例中，盘状本体为两个，但是本发明并不局限于此，盘状本体还可以为三个及以上。并且，在位于任意一个盘状本体上方的其他盘状本体中均设置有与该盘状本体中的第一竖直通孔一一对应且连通的第二竖直通孔。

请一并参阅图5A～图6B，在本实施例中，如图5B所示，下电极机构还包括设置在转接盘13的盘状本体的第一中心孔151中的集总插头41，用以方便、快速地将导电模组中的导电部件与转接盘13插接。具体地，如图5C所示，该集总插头包括第一射频导管411和设置在该第一射频导管411中的第一绝缘件412，其中，第一射频导管411通过第一中心孔151与射频输入插头181连接，以实现与基座11中的射频导电部件接口连接。第一射频导管411和射频输入插头181也可以为一体式结构。并且，在第一射频导管411的外周壁上设置有环绕外周壁的径向通孔(图中未示出)，该径向通孔的高度与盘状本体中的凹道152的高度一致。

在第一绝缘件412中设置有沿第一射频导管411延伸的多条第一导电通道，多条第一导电通道的输出端一一对应地与上述径向通孔连通；在第一导电通道中设置有导电接线，如图6A中示出的交流导电接线14a和如图6B中示出的直流导电接线14b。如图5C所示，该导电接线自第一绝缘件412的下端依次经由第一导电通道、径向通孔进入盘状本体中的凹道152中，然后如图6A或图6B所示，通过盘状本体中的走线通道与输入插头连接，以实现与基座11中的导电部件接口连接。

下电极机构还包括设置在基座11下方的下电极腔21和导电模组17，其中，在下电极腔21的腔体211与反应腔室的侧壁31之间形成的引入通道，用以使下电极腔21与外界连通。具体地，基座11包括基座本体和设置在基座本体底部的绝缘盘12，该绝缘盘12用于使基座本体与下电极腔21的腔体211电绝缘；转接盘13内嵌在绝缘盘12中，且与基座本体相接触。

在本实施例中，下电极腔21的腔体211包括腔体本体，在该腔体本体一侧形成有第一延伸部212，该第一延伸部212延伸至反应腔室的腔室侧壁31的内表面；并且，在该第一延伸部212中形成有水平设置的第一通孔213。而且，在反应腔室的腔室侧壁31上，且与第一通孔213相对应的位置处水平设置有第二通孔311。该第一通孔213和第二通孔311形成上述引入通道。

导电模组集中不同功能的导电部件14(包括射频导电部件、直流导线和交流导线)，且通过上述引入通道进入下电极腔21内，并延伸至转接盘13的盘状本体的底部，与上述集总插头41连接。导电模组用作导电部件14的载体，集总了不同功能的导电部件，并引入转接盘13的底部，这可以使所有导电部件的引入路径相同，从而可以提高导电部件的布置一致性。另外，导电部件在进入转接盘13中之前均处于集总状态，这进一步提高了不同腔室中的基座对地电容的一致性。

进一步说，以上述第二实施例为例，如图5D所示，用于引入的交流导电接线14a的多条第一导电通道围绕第一射频导管411的轴线对称分布，而用于引入直流导电接线14b的多条第一导电通道位于用于引入的交流导电接线14a的多条第一导电通道的内侧。而且，如图6A所示，上述第一射频导管411中用于引入的交流导电接线14a的径向通孔的高度与第二盘状本体13b中的凹道152的高度一致，以使交流导电接线14a能够自该径向通孔进入第二盘状本体13b中的凹道152中，并依次通过该凹道152和第一竖直通孔153和第二竖直通孔154与交流输入插头连接。与之相类似的，如图6B所示，上述第一射频导管411中用于引入的直流导电接线14b的径向通孔的高度与第一盘状本体13a中的凹道152的高度一致，以使直流导电接线14b能够自该径向通孔进入第一盘状本体13a中的凹道152中，并依次通过该凹道152和第一竖直通孔153与交流输入插头连接。

适用于上述集总插头41，如图5A所示，导电模组17包括第二射频导管和设置在该第二射频导管中的第二绝缘件，其中，第二射频导管通过引入通道进入下电极腔内，并与第一射频导管连接；在第二绝缘件中设置有沿第二射频导管延伸的多条第二导电通道，多条第二导电通道的输出端一一对应地与上述第一导电通道的输入端连接，用以将导电部件引入至上述第一导电通道的输入端，并与该第一导电通道中的导电接线连接。为了实现各个导电部件一一对应地与各个导电接线连接，第二导电通道的数量和布置方式与上述第一导电通道的数量和布置方式相对应。

综上所述，本发明上述各个实施例提供的反应腔室的下电极机构，可以使所有的导电部件均在转接盘底面的中心位置处集总，从而有利于对转接盘下方的所有导电部件进行统一管理，以提高导电部件的走线一致性，进而可以提高不同腔室中的基座对地电容的一致性。另外，由于转接盘中的多条走线通道的输入端汇聚至转接盘的底面中心位置处，而且转接盘采用绝缘材料，这可以避免基座感应产生偏斜的电磁场，从而可以提高工艺均匀性。

作为另一个技术方案，本发明实施例还提供一种反应腔室，在该反应腔室内设置有本发明上述各个实施例提供的下电极机构。

本发明实施例提供的反应腔室，其通过采用本发明上述各个实施例提供的上述下电极机构，不仅可以提高具有不同功能的导电部件的走线一致性，从而可以提高不同腔室中的基座对地电容的一致性，而且还可以避免生成偏斜的电磁场，从而可以提高工艺均匀性。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (14)

1.一种反应腔室的下电极机构，包括用于承载被加工工件的基座，其特征在于，还包括采用绝缘材料制作的转接盘，所述转接盘设置在所述基座的底部，且在所述转接盘中设置有多条走线通道，多条所述走线通道的输入端汇聚至所述转接盘的底面中心位置处，多条所述走线通道的输出端分散布置在所述转接盘的顶面，且与所述基座中的不同功能的导电部件接口的位置一一对应。

2.根据权利要求1所述的反应腔室的下电极机构，其特征在于，所述转接盘包括盘状本体，所述盘状本体具有贯穿其厚度的第一中心孔，且在所述盘状本体的底面形成有呈辐射状分散延伸的多条凹道，多条所述凹道的一端汇聚至所述第一中心孔；另一端与所述基座中的不同功能的导电部件接口的位置一一对应；

在所述盘状本体中还设置有多个第一竖直通孔，各个所述第一竖直通孔的下端一一对应地与各条所述凹道的另一端连通，各个所述第一竖直通孔的上端位于所述盘状本体的顶面；所述第一中心孔、所述凹道和所述第一竖直通孔构成所述走线通道。

3.根据权利要求2所述的反应腔室的下电极机构，其特征在于，所述盘状本体为多个，且沿竖直方向依次对接，并且多个所述盘状本体的所述第一中心孔同轴；

不同的所述盘状本体中的所述第一竖直通孔对应不同的所述基座中的具有不同功能的导电部件接口的位置，并且在位于任意一个所述盘状本体上方的其他盘状本体中均设置有与该盘状本体中的所述第一竖直通孔一一对应且连通的第二竖直通孔。

4.根据权利要求3所述的反应腔室的下电极机构，其特征在于，所述盘状本体为两个，分别为第一盘状本体和设置在其底部的第二盘状本体，其中，

所述第一盘状本体中的所述第一竖直通孔对应所述基座中的直流导电部件接口；

所述第二盘状本体中的所述第一竖直通孔对应所述基座中的交流导电部件接口。

5.根据权利要求4所述的反应腔室的下电极机构，其特征在于，所述第一盘状本体中的所述第一竖直通孔靠近所述基座的中心，所述第二盘状本体中的所述第一竖直通孔靠近所述基座的边缘。

6.根据权利要求4所述的反应腔室的下电极机构，其特征在于，所述不同功能的导电部件包括射频导电部件、多条直流导线和多条交流导线，其中，

所述射频导电部件依次穿过所述第二盘状本体和所述第一盘状本体的所述第一中心孔与所述基座电连接；

多条所述直流导线依次穿过所述第二盘状本体和所述第一盘状本体的所述第一中心孔，所述第一盘状本体的所述走线通道，与所述基座中的所述直流导电部件接口电连接；

多条所述交流导线依次穿过所述第二盘状本体的所述第一中心孔，所述第二盘状本体的所述走线通道，与所述基座中的所述交流导电部件接口电连接。

7.根据权利要求4所述的反应腔室的下电极机构，其特征在于，所述转接盘还包括绝缘底盘，所述绝缘底盘设置在所述第二盘状本体的底部，并且，在所述绝缘底盘中设置有与所述第一中心孔同轴的第二中心孔。

8.根据权利要求1-7任意一项所述的反应腔室的下电极机构，其特征在于，在所述转接盘的顶面上设置有用于连接不同功能的导电部件的多个输入插头，多个所述输入插头与各条所述走线通道的输出端一一对应。

9.根据权利要求2-7任意一项所述的反应腔室的下电极机构，其特征在于，所述下电极机构还包括设置在所述第一中心孔中的集总插头，所述集总插头包括第一射频导管和设置在所述第一射频导管中的第一绝缘件，其中，

所述第一射频导管通过所述第一中心孔与所述基座中的射频导电部件接口连接，并且在所述第一射频导管的外周壁上设置有环绕所述外周壁的径向通孔，所述径向通孔的高度与所述凹道的高度一致；

在所述第一绝缘件中设置有沿所述第一射频导管延伸的多条第一导电通道，多条所述第一导电通道的输出端一一对应地与所述径向通孔连通；在所述第一导电通道中设置有导电接线，所述导电接线自所述第一绝缘件的下端依次经由所述第一导电通道、所述径向通孔和所述走线通道延伸至所述基座的底部，并与所述基座中的导电部件接口连接。

10.根据权利要求9所述的反应腔室的下电极机构，其特征在于，所述下电极机构还包括设置在所述基座下方的下电极腔和导电模组，其中，

在所述下电极腔的腔体与所述反应腔室的侧壁之间形成有引入通道，用以使所述下电极腔与外界连通；

所述导电模组集中所述不同功能的导电部件，且通过所述引入通道进入所述下电极腔内，并延伸至所述盘状本体的底部，与所述集总插头连接。

11.根据权利要求10所述的反应腔室的下电极机构，其特征在于，所述导电模组包括第二射频导管和设置在所述第二射频导管中的第二绝缘件，其中，

所述第二射频导管通过所述引入通道进入所述下电极腔内，并与所述第一射频导管连接；

在所述第二绝缘件中设置有沿所述第二射频导管延伸的多条第二导电通道，多条所述第二导电通道的输出端一一对应地与所述第一导电通道的输入端连接，用以将所述导电部件引入至所述第一导电通道的输入端，并与所述导电接线连接。

12.根据权利要求1所述的反应腔室的下电极机构，其特征在于，所述转接盘所采用的材料包括聚醚酰亚胺绝缘材料或者聚醚醚酮绝缘材料。

13.根据权利要求10所述的反应腔室的下电极机构，其特征在于，所述基座包括基座本体和设置在所述基座本体底部的绝缘盘，所述绝缘盘用于使所述基座本体与所述下电极腔的腔体电绝缘；

所述转接盘内嵌在所述绝缘盘中，且与所述基座本体相接触。

14.一种反应腔室，其特征在于，在所述反应腔室内设置有权利要求1-13任意一项所述的下电极机构。

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