CN202230975U - 一种能均匀抽气的处理腔室 - Google Patents
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Abstract
一种能均匀抽气的处理腔室，工作在真空状态下，将引入其中的反应气体制成等离子体，用于对晶圆表面进行处理，包含：基座，其顶部设置有介电层来承载晶圆；若干给送管道，分别从下方与基座连接，并均匀分布在基座周围；以及，用于抽吸气体，使处理腔室形成真空的真空泵，其设置在处理腔室的底部中间位置。由于与基座连接的每个给送管道，仅用来引入电气线路、氦气通道和冷却介质通道中的一种，相比现有需要同时引入三个通道的给送管道，本实用新型中每个给送管道在处理腔室内占据的空间缩小了很多。而且，由于三个给送管道是均匀分布在处理腔室内的，因此，设置在处理腔室底端中间的真空泵能够均匀抽吸气体，保证处理腔室的工作效率。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种用于产生等离子体对半导体器件进行处理的处理腔室，特别涉及一种能够均匀抽吸其中气体的处理腔室。
背景技术
目前在对半导体器件等的制造过程中，通常将晶圆放置在真空的处理腔室的基座上，在基座顶部的电极中施加射频，使在处理腔室内形成引入的反应气体的等离子体对晶圆进行加工处理。在该基座中一般设置有氦气通道，将氦气通入晶圆背面，进行晶圆温度的控制。基座中还设置有冷却介质通道，通过与其中流经的冷却液进行热交换，对基座温度进行控制。
如图1所示，是现有一种处理腔室100，其中用于施加射频的电气线路132，与氦气通道131、冷却介质通道133一起，从处理腔室100底部设置的给送管道130进入后，与基座110顶部的安装平台111连接。然而，该种结构设计，使处理腔室100中用于气体抽吸的真空泵120，只能被放置在给送管道130的一侧，造成处理腔室100内气体抽吸的不均匀，进而影响处理腔室100工作的效率。
如图2所示，是现有另一种处理腔室100，其将放置电气线路132、氦气通道131、冷却介质通道132的给送管道130开口设置在处理腔室100的一侧壁上，使真空泵120能被设置在处理腔室100底部的中间位置。但是，该给送管道130的设置占据了很大空间，仍然会阻碍处理腔室100中（如图2右上方）的气体流动，造成气体抽吸的不均匀，而影响处理腔室100的工作效率。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种能均匀抽气的处理腔室，将真空泵设置在处理腔室的底部中间位置，并通过设置若干较小的、独立的给送管道来分别放置电气线路、氦气通道、冷却介质通道，使气体抽吸均匀，从而保证处理腔室的工作效率。
为了达到上述目的，本实用新型的技术方案是提供一种能均匀抽气的处理腔室，工作在真空状态下，将引入其中的反应气体制成等离子体，用于对晶圆表面进行处理，包含：
基座，其顶部设置有安装平台来承载所述晶圆；
若干给送管道，均匀分布在基座周围以支撑基座；
以及，用于抽吸气体，使所述处理腔室形成真空的真空泵，其设置在所述处理腔室的底部中间位置。
在一种实施例中，所述若干给送管道分别在处理腔室底部开口，并均匀分布在基座底部和处理腔室底部之间。
在另一实施例中，所述若干给送管道分别在处理腔室侧壁开口，并均匀分布在基座侧壁和处理腔室侧壁之间。
所述给送管道中穿设有电气线路，其将电能从处理腔室外送入基座。
所述基座的安装平台中设置有电极；所述电气线路与所述电极连接，对其施加射频，使在所述处理腔室内形成所述反应气体的等离子体。
所述给送管道中穿设有冷却剂通道。
所述冷却剂是氦气，其经由所述冷却剂通道引入至所述晶圆与安装平台之间，从背面对所述晶圆进行冷却。
或者，所述冷却剂包含冷却液。
一种能均匀抽气的处理腔室，工作在真空状态下，将引入其中的反应气体制成等离子体，用于对晶圆表面进行处理，包含：
基座，其顶部设置有安装平台来承载所述晶圆；
一个抽气装置位于基座下方；
一个支撑装置，通过设置的多个支架，支撑所述基座，并使所述基座固定到处理腔室，其中所述多个支架固定在处理腔室和基座之间均匀分割基座与处理腔室侧壁之间的排气空间。
所述多个支架中包含用于电能输送的电气线路，以及用于温度控制的流体输送管道。
本实用新型所述能均匀抽气的处理腔室中，由于与基座连接的每个给送管道，优选地仅用来引入电气线路、氦气通道和冷却介质通道中的一种，相比现有需要同时引入三个通道的给送管道，本实用新型中每个给送管道在处理腔室内占据的空间缩小了很多。而且，由于三个给送管道是均匀分布在处理腔室内的，因此，设置在处理腔室底端中间的真空泵能够均匀抽吸气体，保证处理腔室的工作效率。
附图说明
图1是现有一种给送管道放置在底部中间的处理腔室的结构示意图。
图2是现有另一种真空泵放置在底部中间的处理腔室的结构示意图。
图3是本实用新型所述能均匀抽气的处理腔室的结构侧视图。
图4是本实用新型所述能均匀抽气的处理腔室的结构俯视图。
图5是本实用新型所述能均匀抽气的处理腔室的另一种结构侧视图。
具体实施方式
以下结合附图说明本实用新型的具体实施方式。
配合参见图3、图4所示，本实用新型提供一种能均匀抽气的处理腔室200。在处理腔室200内设置有一圆形基座210，其顶面设置有安装平台211来承载晶圆。
三个给送管道230从下方与该基座210连接，并分布排列在基座210的周围，均匀划分基座210圆周。该三个给送管道230还分别在处理腔室200的底面设有开口，使电气线路232、氦气通道231和冷却介质通道233，从处理腔室200下方分别经由该三个开口进入，并分别在所述三个给送管道230中穿过后，与所述基座210顶部的介电层211连接。
其中，电气线路232用于对安装平台211中埋设的电极施加射频，在处理腔室200内将引入的反应气体制成其等离子体，对所述放置在安装平台211上的晶圆表面进行处理。氦气通道231将氦气引入至晶圆的背面，对晶圆进行冷却。冷却介质通道233通过其中流经的冷却液对基座210进行降温。
处理腔室200的底端中间位置、基座210的下方设置有真空泵220，用于抽吸气体，使处理腔室200在正常工作时处于真空状态。
上述每个给送管道230，由于仅用来设置电气线路232、氦气通道231和冷却介质通道233中的一种，相比现有需要同时引入三个通道的给送管道，本实施例中每个给送管道230在处理腔室200内占据的空间缩小了很多。而且，由于三个给送管道230是均匀分布在处理腔室200内的，因此，真空泵220对处理腔室200内气体能够均匀抽吸，保证处理腔室200的工作效率。
给送管道230除了如图3所示在处理腔室200底面开口，并安装在基座210底部与处理腔室200底部之间以外，也可以如图5所示在处理腔室200的侧面开口，并安装在基座210侧面和处理腔室200侧面之间，只要多个给送管道230均匀分布就能实现本实用新型目的。
本实用新型除了可以是三个给送管道230支撑基座210外，也可以是四个甚至更多，电气线路、冷却气体、液体可以通过不同管道输送，也可以通过其中一个管道输送。只要保证给送管道230在整个排气的圆环空间中均匀分布就能保证排气流量在整个加工处理空间上的均匀。
尽管本实用新型的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本实用新型的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本实用新型的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本实用新型的保护范围应由所附的权利要求来限定。
Claims (10)
1.一种能均匀抽气的处理腔室，工作在真空状态下，将引入其中的反应气体制成等离子体，用于对晶圆表面进行处理，其特征在于，包含：
基座（210），其顶部设置有安装平台（211）来承载所述晶圆；
若干给送管道（230），均匀分布在基座（210）周围以支撑基座（210）；
以及，用于抽吸气体，使所述处理腔室（200）形成真空的真空泵（220），其设置在所述处理腔室（200）的底部中间位置。
2.如权利要求1所述能均匀抽气的处理腔室，其特征在于，所述若干给送管道（230）分别在处理腔室（200）底部开口，并均匀分布在基座（210）底部和处理腔室（200）底部之间。
3.如权利要求1所述能均匀抽气的处理腔室，其特征在于，所述若干给送管道（230）分别在处理腔室（200）侧壁开口，并均匀分布在基座（210）侧壁和处理腔室（200）侧壁之间。
4.如权利要求1所述能均匀抽气的处理腔室，其特征在于，所述给送管道（230）中穿设有电气线路（232），其将电能从处理腔室（200）外送入基座（210）。
5.如权利要求4所述能均匀抽气的处理腔室，其特征在于，所述基座（210）的安装平台（211）中设置有电极；所述电气线路（232）与所述电极连接，对其施加射频，使在所述处理腔室（200）内形成所述反应气体的等离子体。
6.如权利要求1所述能均匀抽气的处理腔室，其特征在于，所述给送管道（230）中穿设有冷却剂通道。
7.如权利要求6所述能均匀抽气的处理腔室，其特征在于，所述冷却剂是氦气，其经由所述冷却剂通道引入至所述晶圆与安装平台（211）之间，从背面对所述晶圆进行冷却。
8.如权利要求6所述能均匀抽气的处理腔室，其特征在于，所述冷却剂包含冷却液。
9.一种能均匀抽气的处理腔室，工作在真空状态下，将引入其中的反应气体制成等离子体，用于对晶圆表面进行处理，其特征在于，包含：
基座（210），其顶部设置有安装平台（211）来承载所述晶圆；
一个抽气装置位于基座（210）下方；
一个支撑装置，通过设置的多个支架，支撑所述基座（210），并使所述基座（210）固定到所述处理腔室（200），其中所述多个支架固定在所述处理腔室（200）和基座（210）之间均匀分割基座与所述处理腔室（200）侧壁之间的排气空间。
10.如权利要求9所述能均匀抽气的处理腔室，其特征在于，所述多个支架中包含用于电能输送的电气线路，以及用于温度控制的流体输送管道。
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| CN107146753A (zh) * | 2016-03-01 | 2017-09-08 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种等离子体处理装置 |
| CN109148251A (zh) * | 2017-06-19 | 2019-01-04 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 反应腔室的下电极机构及反应腔室 |
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Legal Events
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Denomination of utility model: Process chamber capable of uniformly pumping Effective date of registration: 20150202 Granted publication date: 20120523 Pledgee: China Development Bank Co Pledgor: Advanced Micro-Fabrication Equipment (Shanghai) Inc. Registration number: 2009310000663 |
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| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right |
Date of cancellation: 20170809 Granted publication date: 20120523 Pledgee: China Development Bank Co Pledgor: Advanced Micro-Fabrication Equipment (Shanghai) Inc. Registration number: 2009310000663 |
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| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 201201 No. 188 Taihua Road, Jinqiao Export Processing Zone, Pudong New Area, Shanghai Patentee after: Medium and Micro Semiconductor Equipment (Shanghai) Co., Ltd. Address before: 201201 No. 188 Taihua Road, Jinqiao Export Processing Zone, Pudong New Area, Shanghai Patentee before: Advanced Micro-Fabrication Equipment (Shanghai) Inc. |
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| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20120523 |