CN1849033A - 用于静电卡盘的信号传输装置 - Google Patents
用于静电卡盘的信号传输装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1849033A CN1849033A CN 200510126443 CN200510126443A CN1849033A CN 1849033 A CN1849033 A CN 1849033A CN 200510126443 CN200510126443 CN 200510126443 CN 200510126443 A CN200510126443 A CN 200510126443A CN 1849033 A CN1849033 A CN 1849033A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- radio frequency
- conducting body
- electrostatic chuck
- frequency conducting
- signal transmitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
本发明涉及半导体刻蚀设备。本发明用于静电卡盘的信号传输装置包括一端与静电卡盘连接的射频导通体,射频导通体的另一端部设有射频导通体接头,所述射频导通体外设有屏蔽管,接头端部设有屏蔽端盖,所述射频导通体与屏蔽管之间设有若干绝缘环。本发明的用于静电卡盘的信号传输装置的优点和积极效果在于:本发明中连接射频信号发生装置和等离子体反应室,结构紧凑,拆装方便,多次拆装不容易损坏;射频导通体不随射频信号功率的改变而改变,适用范围广。由于单独设置了屏蔽端盖和屏蔽管,对射频信号具有良好的屏蔽作用,使系统安全可靠。
Description
技术领域
本发明涉及半导体刻蚀设备,特别是一种半导体刻蚀设备中用于静电卡盘的信号传输装置。
背景技术
在刻蚀、氧化及化学气相沉积(CVD)等半导体设备中应用等离子体处理半导体晶片。图1为一种等离子体处理装置,图中15为气体注入口,2为等离子体反应室,16为等离子体,17为半导体晶片,2为静电卡盘,18为射频输入口。注入等离子反应室的气体在射频信号的作用下形成等离子体。其中射频发生器产生的射频功率要经过传输装置传送到等离子体反应室。传统的用于静电卡盘的信号传输装置为电缆,电缆的一端连接射频发生器,另一端连接到等离子体反应室的射频输入口18。该传统结构的缺点是:
1.电缆线连接结构不紧凑,安装、拆卸不方便,多次拆装容易损坏电缆线接头部分。
2.电缆线的规格随着射频信号的功率不同而不同。
3.电缆线的屏蔽作用有限,容易受到系统其他信号的干扰,或者产生对系统其他信号的干扰,降低系统可靠性。
发明内容
(一)要解决的技术问题
本发明的目的在于针对上述现有技术的不足,提供一种可靠性高、适用范围广的用于静电卡盘的信号传输装置。
(二)技术方案
为实现上述目的,本发明采用如下技术方案:
本发明用于静电卡盘的信号传输装置,包括一端与静电卡盘连接的射频导通体,射频导通体的另一端部设有射频导通体接头,所述射频导通体外设有屏蔽管,接头端部设有屏蔽端盖,所述射频导通体与屏蔽管之间设有若干绝缘环。
其中所述射频导通体为“”形状,所述屏蔽管包括连接在一起的竖直屏蔽管I、竖直屏蔽管II和与竖直屏蔽管II管壁连接的水平屏蔽管。
其中所述射频导通体为中空管状。
其中所述射频导通体的外表面镀有金或银。
其中静电卡盘下端部设有与射频导通体配合的凹槽,射频导通体上与凹槽配合部分装有射频连接环。
其中还包括与静电卡盘连接的直流导线,该导线上端部连接在射频导通体内的静电卡盘上,下端部伸出射频导通体,在直流导线和射频导通体之间设有绝缘体。
其中所述直流导线上端部连接有直流探针,直流探针与静电卡盘连接。
其中还包括射频信号发生装置,该射频信号发生装置与屏蔽端盖之间连接有具有中心通孔的连接套,所述射频导通体接头上设有与其一体的射频传输柄,该射频传输柄穿过连接套的中心通孔伸入到射频信号发生装置内,所述连接套和射频信号发生装置的连接部分之间设有锁紧螺母。
(三)有益效果
本发明的用于静电卡盘的信号传输装置的优点和积极效果在于:本发明中连接射频信号发生装置和等离子体反应室,结构紧凑,拆装方便,多次拆装不容易损坏;射频导通体不随射频信号功率的改变而改变,适用范围广。由于单独设置了屏蔽端盖和屏蔽管,对射频信号具有良好的屏蔽作用,使系统安全可靠。
附图说明
图1是现有的等离子体反应室的结构示意图;
图2是本发明的用于静电卡盘的信号传输装置的第一种实施例的结构示意图;
图3是图2中A部分放大结构示意图;
图4是图2中B部分放大结构示意图;
图5是本发明的用于静电卡盘的信号传输装置的第二种实施例的结构示意图。
图中:1.等离子体反应室;2.静电卡盘;3.射频导通体;4.绝缘环;5.竖直屏蔽管I;6.竖直屏蔽管II;7.水平屏蔽管;8.屏蔽端盖;9.射频导通体接头;10.射频信号发生装置;11.直流导线;12.绝缘体;13.基座;14.射频连接环;15.气体注入口;16.等离子体;17.半导体晶片;18.射频输入口;19.射频传输柄;20.连接套;21.锁紧螺母。
具体实施方式
下面结合附图,进一步详细说明本发明用于静电卡盘的信号传输装置的具体实施方式,但不用来限制本发明的保护范围。
参见图2、图3和图4。本发明的用于静电卡盘的信号传输装置的第一种实施例的结构,其包括“”形射频导通体3和射频信号发生装置10。其中静电卡盘下端部设有凹槽,射频导通体3的上端部配合在该凹槽内,并在射频导通体3上与凹槽配合部分装有射频连接环。射频连接环可选用BAND8型的,也可以选用其他型号,其主要作用是加强射频导通体3和静电卡盘连接的紧密性,增加导通面积。射频导通体3的下端部设有射频导通体接头9。射频导通体接头9与射频信号发生装置10连接;射频导通体3外设有屏蔽管,接头9端部设有屏蔽端盖8。为了方便加工,屏蔽管由分体的竖直屏蔽管I5、竖直屏蔽管II6、水平屏蔽管7三部分组成,其中竖直屏蔽管I5与等离子反应室通过螺钉或其他方式连接,竖直屏蔽管I5和竖直屏蔽管II6端部连接在一起水平屏蔽管7端部与竖直屏蔽管II6管壁连接在一起,为了起到更好的屏蔽效果,可以适当加大各屏蔽管和屏蔽端盖8的厚度。在射频导通体3与竖直屏蔽管I5之间、射频导通体3与水平屏蔽管7之间各自设有一个绝缘环4,绝缘环的数量不限于两个,具体根据用于静电卡盘的信号传输装置的尺寸而定。绝缘环4有仅起到绝缘的作用,而且还有利于射频导通体3安装稳定。由于射频信号在导体的表面传输,因此射频导通体3设计为中空管状,由铜、铝或钢等材料制成。这时射频导通体接头9配合在射频导通体3的内孔内,并在二者相互配合部分的射频导通体接头9上加装两个射频连接环14,射频连接环14可选用BAND8型的,也可以选用其他型号,其主要作用是使射频导通体接头9和射频导通体3连接得更加紧密,增加导通面积,提高射频传输质量。中空管状射频导通体3的可以减轻本发明用于静电卡盘的信号传输装置的重量,节约原材料,而传输质量不会受到影响。“”形射频导通体3可以通过整体机械加工得到,也可以通过两部分或多部分以焊接加工得到。为了进一步提高射频导通体3的传输质量,射频导通体3的表面可以通过电镀或者其他方法得到一层导电率好的材料,比如金、银等。本发明中,为了方便水路、气路等其他部件的安装,在反应室1内安装在有基座13,静电卡盘2置放在基座13上。
如图4所示,本发明中的射频信号发生装置10与屏蔽端盖8之间连接有具有中心通孔的连接套20,射频导通体接头9上设有与其一体的射频传输柄19,该射频传输柄19穿过连接套20的中心通孔伸入到射频信号发生装置10内,连接套20和射频信号发生装置10的连接部分之间设有锁紧螺母21。射频信号发生装置10通过连接套20和锁紧螺母21与射频导通体接头9紧密地接触,以保证射频信号的良好传输。当然也可以使用其他的连接方式。
参见图5。本发明的用于静电卡盘的信号传输装置的第二种实施例的结构与第一种实施例结构基本相同,不同之处仅在于在原有结构基础上增加了直流导线11,用于传递直流电信号,产生对晶片的吸附力。直流导线11的一端连接在射频导通体3内的静电卡盘上,直流导线11上端部连接有直流探针22,直流探针22与静电卡盘连接,直流导线11的下端伸出射频导通体3。直流探针22的作用是可以保证直流信号安全、可靠地传递到静电卡盘的直流电极上。在直流导线11和射频导通体3之间设有绝缘体12,用于隔离直流信号与射频信号。将直流信号线安装于射频导通管中,可以提高安全性,节省空间。
以上为本发明的最佳实施方式,依据本发明公开的内容,本领域的普通技术人员能够显而易见地想到的一些雷同、替代方案,均应落入本发明保护的范围。
Claims (8)
1.用于静电卡盘的信号传输装置,其特征在于包括一端与静电卡盘连接的射频导通体(3),射频导通体(3)的另一端部设有射频导通体接头(9),所述射频导通体(3)外设有屏蔽管,接头(9)端部设有屏蔽端盖(8),所述射频导通体(3)与屏蔽管之间设有若干绝缘环(4)。
2.根据权利要求1所述的用于静电卡盘的信号传输装置,其特征在于所述射频导通体(3)为“”形状,所述屏蔽管包括连接在一起的竖直屏蔽管I(5)、竖直屏蔽管II(6)和与竖直屏蔽管II(6)管壁连接的水平屏蔽管(7)。
3.根据权利要求1所述的用于静电卡盘的信号传输装置,其特征在于所述射频导通体(3)为中空管状。
4.根据权利要求1所述的用于静电卡盘的信号传输装置,其特征在于所述射频导通体(3)的外表面镀有金或银。
5.根据权利要求1所述的用于静电卡盘的信号传输装置,其特征在于静电卡盘下端部设有与射频导通体(3)配合的凹槽,射频导通体(3)上与凹槽配合部分装有射频连接环。
6.根据权利要求1所述的用于静电卡盘的信号传输装置,其特征在于还包括与静电卡盘连接的直流导线(11),该导线上端部连接在射频导通体(3)内的静电卡盘上,下端部伸出射频导通体(3),在直流导线(11)和射频导通体(3)之间设有绝缘体(12)。
7.根据权利要求1所述的用于静电卡盘的信号传输装置,其特征在于所述直流导线(11)上端部连接有直流探针(22),直流探针(22)与静电卡盘连接。
8.根据权利要求1~7之任一所述的用于静电卡盘的信号传输装置,其特征在于还包括射频信号发生装置(10),该射频信号发生装置(10)与屏蔽端盖(8)之间连接有具有中心通孔的连接套(20),所述射频导通体接头(9)上设有与其一体的射频传输柄(19),该射频传输柄(19)穿过连接套(20)的中心通孔伸入到射频信号发生装置(10)内,所述连接套(20)和射频信号发生装置(10)的连接部分之间设有锁紧螺母(21)。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNB2005101264436A CN100499958C (zh) | 2005-12-09 | 2005-12-09 | 用于静电卡盘的信号传输装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNB2005101264436A CN100499958C (zh) | 2005-12-09 | 2005-12-09 | 用于静电卡盘的信号传输装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1849033A true CN1849033A (zh) | 2006-10-18 |
CN100499958C CN100499958C (zh) | 2009-06-10 |
Family
ID=37078343
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB2005101264436A Active CN100499958C (zh) | 2005-12-09 | 2005-12-09 | 用于静电卡盘的信号传输装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN100499958C (zh) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104167343A (zh) * | 2013-05-17 | 2014-11-26 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 等离子体处理装置及其射频屏蔽装置 |
CN104332378A (zh) * | 2013-07-22 | 2015-02-04 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 等离子体处理装置及其温度测试装置 |
CN106816397A (zh) * | 2015-12-01 | 2017-06-09 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 下电极组件及半导体加工设备 |
CN107093545A (zh) * | 2017-06-19 | 2017-08-25 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 反应腔室的下电极机构及反应腔室 |
CN109994356A (zh) * | 2017-12-29 | 2019-07-09 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 反应腔室和半导体加工设备 |
-
2005
- 2005-12-09 CN CNB2005101264436A patent/CN100499958C/zh active Active
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104167343A (zh) * | 2013-05-17 | 2014-11-26 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 等离子体处理装置及其射频屏蔽装置 |
CN104167343B (zh) * | 2013-05-17 | 2016-07-13 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 等离子体处理装置及其射频屏蔽装置 |
CN104332378A (zh) * | 2013-07-22 | 2015-02-04 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 等离子体处理装置及其温度测试装置 |
CN104332378B (zh) * | 2013-07-22 | 2016-09-07 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 等离子体处理装置及其温度测试装置 |
CN106816397A (zh) * | 2015-12-01 | 2017-06-09 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 下电极组件及半导体加工设备 |
CN107093545A (zh) * | 2017-06-19 | 2017-08-25 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 反应腔室的下电极机构及反应腔室 |
CN107093545B (zh) * | 2017-06-19 | 2019-05-31 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 反应腔室的下电极机构及反应腔室 |
JP2020524408A (ja) * | 2017-06-19 | 2020-08-13 | 北京北方華創微電子装備有限公司Beijing Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd. | 下方電極機構および反応チャンバ |
US11410833B2 (en) | 2017-06-19 | 2022-08-09 | Beijing Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd. | Lower electrode mechanism and reaction chamber |
CN109994356A (zh) * | 2017-12-29 | 2019-07-09 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 反应腔室和半导体加工设备 |
CN109994356B (zh) * | 2017-12-29 | 2022-03-22 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 反应腔室和半导体加工设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN100499958C (zh) | 2009-06-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN201438608U (zh) | 一种用于特高压gis设备的可拆卸母线 | |
CN1849033A (zh) | 用于静电卡盘的信号传输装置 | |
CN203013426U (zh) | 一种550kV低压强SF6气体绝缘复合套管 | |
CN108562646A (zh) | Gis电缆终端环氧套管超声相控阵检测装置及检测方法 | |
CN106054044B (zh) | 充气柜用绝缘试验装置 | |
CN211579549U (zh) | 一种避雷器用管母连接金具 | |
CN208026677U (zh) | Gis电缆终端环氧套管超声相控阵检测装置 | |
CN1377109A (zh) | 真空断路器 | |
CN202127229U (zh) | 一种电缆接头 | |
CN211742803U (zh) | 一种户外用针式支柱绝缘子 | |
CN202042292U (zh) | 35kV及以下电压跌落式熔断器用复合外套支柱绝缘子 | |
CN205724703U (zh) | 一种电缆壁架 | |
CN109839310B (zh) | 用于电缆线拉力检测的定位夹具 | |
CN107681298A (zh) | 一种双平面接触式式高压大电流接线端子 | |
CN207947124U (zh) | 用于油田专用环网柜的绝缘子 | |
CN109217170A (zh) | 接地极线路绝缘子和金具的更换工具 | |
CN217544308U (zh) | 一种用于互感器的固定装置及电流互感器 | |
CN202025025U (zh) | Gis局放在线监测传感器安装支架 | |
CN2183606Y (zh) | 充气式无局放高压试验变压器 | |
CN219801277U (zh) | 新型高防腐接地端子 | |
CN117471135A (zh) | 一种气体绝缘变压器试验装置 | |
CN204807662U (zh) | 一种简易式耐压试验工具 | |
CN2733687Y (zh) | 一种高电压作业绝缘操纵杆 | |
CN211266399U (zh) | 一种高压输电线一字间隔棒防脱开结构 | |
CN2770177Y (zh) | 真空负荷开关柜 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CP03 | Change of name, title or address | ||
CP03 | Change of name, title or address |
Address after: 100176 8 Wenchang Avenue, Beijing economic and Technological Development Zone Patentee after: Beijing North China microelectronics equipment Co Ltd Address before: 100016 Jiuxianqiao East Road, Chaoyang District, Chaoyang District, Beijing Patentee before: Beifang Microelectronic Base Equipment Proces Research Center Co., Ltd., Beijing |