JP2020519029A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2020519029A5
JP2020519029A5 JP2019560386A JP2019560386A JP2020519029A5 JP 2020519029 A5 JP2020519029 A5 JP 2020519029A5 JP 2019560386 A JP2019560386 A JP 2019560386A JP 2019560386 A JP2019560386 A JP 2019560386A JP 2020519029 A5 JP2020519029 A5 JP 2020519029A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
terminal
substrate
power
power semiconductor
semiconductor module
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2019560386A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2020519029A (ja
JP7030844B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from PCT/EP2018/061017 external-priority patent/WO2018202615A1/en
Publication of JP2020519029A publication Critical patent/JP2020519029A/ja
Publication of JP2020519029A5 publication Critical patent/JP2020519029A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7030844B2 publication Critical patent/JP7030844B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2019560386A 2017-05-02 2018-04-30 露出した端子領域を有する樹脂封止パワー半導体モジュール Active JP7030844B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP17169008.4 2017-05-02
EP17169008 2017-05-02
PCT/EP2018/061017 WO2018202615A1 (en) 2017-05-02 2018-04-30 Resin encapsulated power semiconductor module with exposed terminal areas

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2020519029A JP2020519029A (ja) 2020-06-25
JP2020519029A5 true JP2020519029A5 (enExample) 2021-03-04
JP7030844B2 JP7030844B2 (ja) 2022-03-07

Family

ID=58664584

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019560386A Active JP7030844B2 (ja) 2017-05-02 2018-04-30 露出した端子領域を有する樹脂封止パワー半導体モジュール

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10950516B2 (enExample)
EP (1) EP3613075B1 (enExample)
JP (1) JP7030844B2 (enExample)
CN (1) CN110785838B (enExample)
WO (1) WO2018202615A1 (enExample)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE112018003850B4 (de) * 2017-07-28 2023-04-27 Mitsubishi Electric Corporation Halbleitereinheit und halbleitermodul
US10796998B1 (en) * 2019-04-10 2020-10-06 Gan Systems Inc. Embedded packaging for high voltage, high temperature operation of power semiconductor devices
US11342248B2 (en) 2020-07-14 2022-05-24 Gan Systems Inc. Embedded die packaging for power semiconductor devices
DE102020124149A1 (de) * 2020-09-16 2022-03-17 Danfoss Silicon Power Gmbh Leistungsmodul
EP4050645B1 (en) 2021-02-24 2023-02-22 Hitachi Energy Switzerland AG Power semiconductor device and manufacturing method
EP4060724B1 (en) * 2021-03-19 2023-08-23 Hitachi Energy Switzerland AG A power module comprising at least one semiconductor module, and a method for manufacturing a power module
JP7779690B2 (ja) * 2021-09-24 2025-12-03 ローム株式会社 半導体装置、及び半導体モジュール
KR20230131024A (ko) * 2022-03-04 2023-09-12 현대자동차주식회사 차량용 파워 모듈 및 이의 제조 방법
TWI787111B (zh) * 2022-04-08 2022-12-11 強茂股份有限公司 具複合式針腳結構的封裝元件及其製法
JP7771869B2 (ja) * 2022-05-19 2025-11-18 株式会社デンソー 半導体モジュールおよびその製造方法
DE102022205490A1 (de) * 2022-05-31 2023-11-30 Rolls-Royce Deutschland Ltd & Co Kg Thermische Schnittstellenmaterialien
US20240186218A1 (en) * 2022-10-21 2024-06-06 Semiconductor Components Industries, Llc Molded power modules with fluidic-channel cooled substrates
EP4687170A1 (en) * 2024-07-31 2026-02-04 Hitachi Energy Ltd Power semiconductor module and method for manufacturing a power semiconductor module

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000196011A (ja) * 1998-12-28 2000-07-14 Mitsubishi Electric Corp 電子装置及びその製造方法
KR100608608B1 (ko) * 2000-06-23 2006-08-09 삼성전자주식회사 혼합형 본딩패드 구조를 갖는 반도체 칩 패키지 및 그제조방법
JP4070531B2 (ja) * 2002-07-19 2008-04-02 株式会社日立製作所 半導体装置
US20050062155A1 (en) * 2003-09-24 2005-03-24 Chung-Che Tsai Window ball grid array semiconductor package and method for fabricating the same
US8039956B2 (en) * 2005-08-22 2011-10-18 Texas Instruments Incorporated High current semiconductor device system having low resistance and inductance
JP5536975B2 (ja) * 2007-01-31 2014-07-02 セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー 回路装置およびその製造方法
JP2009246116A (ja) * 2008-03-31 2009-10-22 Yamaha Corp リードフレーム及びパッケージ本体、パッケージ、半導体装置、並びにマイクロフォンパッケージ
DE102008001413A1 (de) 2008-04-28 2009-10-29 Robert Bosch Gmbh Elektrische Leistungseinheit
WO2010004802A1 (ja) * 2008-07-10 2010-01-14 三菱電機株式会社 電力用半導体モジュール
DE102008045615C5 (de) 2008-09-03 2018-01-04 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls
JP5136458B2 (ja) * 2009-02-20 2013-02-06 ヤマハ株式会社 半導体パッケージ及びその製造方法
DE102010001545A1 (de) 2010-02-03 2011-08-04 Robert Bosch GmbH, 70469 Elektrische Kontaktierung von Leistungsmodulen
DE102010002945A1 (de) 2010-03-17 2011-09-22 Robert Bosch Gmbh Schaltungsanordnung und zugehöriges steuergerät für ein kraftfahrzeug
JP2011228528A (ja) 2010-04-21 2011-11-10 Mitsubishi Electric Corp パワーブロック及びそれを用いたパワー半導体モジュール
CN102354688A (zh) 2011-10-11 2012-02-15 深圳市威怡电气有限公司 一种功率模块
JP2014013848A (ja) * 2012-07-05 2014-01-23 Uacj Corp 熱交換器
JP5818102B2 (ja) * 2012-07-13 2015-11-18 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
JP5741565B2 (ja) * 2012-12-25 2015-07-01 三菱電機株式会社 半導体モジュール
JP6028592B2 (ja) * 2013-01-25 2016-11-16 三菱電機株式会社 半導体装置
US9666557B2 (en) * 2013-05-30 2017-05-30 Infineon Technologies Ag Small footprint semiconductor package
JP6115505B2 (ja) * 2013-06-21 2017-04-19 株式会社デンソー 電子装置
CN203394862U (zh) 2013-08-12 2014-01-15 沃德(天津)传动有限公司 一种减速机及其风扇罩
US9431394B2 (en) * 2013-08-29 2016-08-30 Infineon Technologies Ag Power semiconductor package with gate and field electrode leads
WO2015039771A1 (en) * 2013-09-17 2015-03-26 Abb Technology Ag Method for ultrasonic welding with particles trapping
DE102013219833B4 (de) * 2013-09-30 2020-02-13 Infineon Technologies Ag Halbleitermodul mit leiterplatte und vefahren zur hertellung eines halbleitermoduls mit einer leiterplatte
KR102143890B1 (ko) 2013-10-15 2020-08-12 온세미컨덕터코리아 주식회사 파워 모듈 패키지 및 이의 제조 방법
KR20150060036A (ko) 2013-11-25 2015-06-03 삼성전기주식회사 전력 반도체 모듈 및 그 제조 방법
EP3089209B1 (en) 2013-12-25 2019-12-04 Mitsubishi Materials Corporation Substrate for power module, method for manufacturing same, and power module
DE102014219998B4 (de) 2014-10-02 2020-09-24 Vitesco Technologies GmbH Leistungsmodul, Leistungsmodulgruppe, Leistungsendstufe sowie Antriebssystem mit einer Leistungsendstufe
JP6053858B2 (ja) * 2015-04-06 2016-12-27 三菱電機株式会社 パワー半導体装置および車載用回転電機の駆動装置
JP6482955B2 (ja) * 2015-06-02 2019-03-13 昭和電工株式会社 液冷式冷却装置
DE102015112451B4 (de) 2015-07-30 2021-02-04 Danfoss Silicon Power Gmbh Leistungshalbleitermodul
US9728493B2 (en) * 2015-08-28 2017-08-08 Infineon Technologies Ag Mold PackageD semiconductor chip mounted on a leadframe and method of manufacturing the same
EP3217774B1 (en) * 2016-03-08 2018-06-13 ABB Schweiz AG Semiconductor module

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2020519029A5 (enExample)
CN114175234B (zh) 半导体装置及电子装置
US9837338B2 (en) Semiconductor module with mounting case and method for manufacturing the same
KR101928681B1 (ko) 전력용 반도체 장치 및 그 제조 방법
JP7030844B2 (ja) 露出した端子領域を有する樹脂封止パワー半導体モジュール
CN101253627B (zh) 电路装置及其制造方法
JP6813259B2 (ja) 半導体装置
TWI855173B (zh) 半導體裝置
JP4254527B2 (ja) 半導体装置
US20170103962A1 (en) Semiconductor device and method for manufacturing same
JP4804497B2 (ja) 半導体装置
US9275983B2 (en) Integrated circuit package
TWI485819B (zh) 封裝結構及其製造方法
KR20160045477A (ko) 전력 모듈 및 그 제조 방법
US20150221580A1 (en) Semiconductor device and manufacturing method of the same
CN108735614B (zh) 半导体装置及半导体装置的制造方法
WO2005081311A1 (ja) 回路装置およびその製造方法
CN110959191B (zh) 半导体装置
JP2020072094A (ja) パワーユニット、パワーユニットの製造方法及びパワーユニットを有する電気装置
CN114649271A (zh) 半导体封装件及形成半导体封装件的方法
KR101644913B1 (ko) 초음파 용접을 이용한 반도체 패키지 및 제조 방법
US10622290B2 (en) Packaged multichip module with conductive connectors
JP2014103183A (ja) 電子回路、その製造方法、および電子部品
TWI570855B (zh) 微電子封裝以及製造其之方法
JP4676252B2 (ja) 回路装置の製造方法