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  1. ａ． 約０．１μｍから約１００μｍの粒径を有する約１００ｇから約１２，０００ｇのＳｉＣ顆粒であって、
    ｂ． 構造的一体性を有する体積形状物を画定するＳｉＣ顆粒と；
    ｃ． 該ＳｉＣ顆粒を結合し、ブール（ｂｏｕｌｅ）の成長サイクルにおいて該体積形状物が蒸着装置に配置されたときに、当該体積形状物の構造的一体性を維持することができるようにするバインダーと、を備え；
    ｄ． 該体積形状物は空隙を有し；
    ｅ． 該体積形状物が多孔質で見掛け密度が３．０ｇ／ｃｃ未満である、ＳｉＣの体積形状物。
  2. 該ＳｉＣ顆粒が、約０．１μｍから約２０．０μｍの一次粒子Ｄ５０サイズを有する、請求項１に記載の体積形状物。
  3. 該ＳｉＣ顆粒が、約０．５μｍから約１０．０μｍの一次粒子Ｄ５０サイズを有する、請求項１に記載の体積形状物。
  4. 該空隙が、該体積形状物の上部に位置する、請求項１に記載の体積形状物。
  5. 該空隙は、該体積形状物の底部に位置する、請求項１に記載の体積形状物。
  6. 該空隙は、該体積形状物の上部および底部に位置する空隙を含む、請求項１に記載の体積形状物。
  7. 該空隙が、該体積形状物を通って延びる円筒形チャネルを画定する、請求項１に記載の体積形状物。
  8. 該体積形状物がパック（ｐｕｃｋ）である、請求項１に記載の体積形状物。
  9. 該ＳｉＣ顆粒が、０．５：２のＳｉ：Ｃのモル比を有する、請求項１に記載の体積形状物。
  10. 該ＳｉＣ顆粒が、２：０．５のＳｉ：Ｃのモル比を有する、請求項１に記載の体積形状物。
  11. ａ． 約０．１μｍから約１００μｍの粒径を有する約１００ｇから約１２，０００ｇのＳｉＣ顆粒を有し；
    ｂ． 該ＳｉＣ顆粒は、構造的一体性を有する体積形状物を画定し、該体積形状物が、ブールの成長サイクル中に蒸着装置内に配置されたときに構造的一体性を維持することができるようにされ；
    ｃ． 該体積形状物は１つの空隙を有し；
    ｄ． 該体積形状物が多孔質で３．０ｇ／ｃｃ未満の見掛け密度を有する、ＳｉＣの体積形状物。
  12. 該ＳｉＣ顆粒の重量が約２０００ｇから約９０００ｇである、請求項１又は１１に記載の体積形状物。
  13. 該ＳｉＣ顆粒の重量が約２５００ｇから約８０００ｇである、請求項１又は１１に記載の体積形状物。
  14. 該ＳｉＣ顆粒が約１μｍから約５μｍの一次粒子Ｄ５０サイズを有する、請求項１１に記載の体積形状物。
  15. 該ＳｉＣ顆粒が約０．５μｍから約３μｍの一次粒子Ｄ５０サイズを有する、請求項１１に記載の体積形状物。
  16. 該空隙は、該体積形状物の上部にチャネルを画定する、請求項１又は１１に記載の体積形状物。
  17. 該チャネルが角度の付いた環状チャネルである、請求項１６に記載の体積形状物。
  18. 平坦な上部、平坦な底部、および傾斜した側面を有する、請求項１又は１１に記載の体積形状物。
  19. 該見掛け密度が２．５ｇ／ｃｃ未満である、請求項１又は１１に記載の体積形状物。
  20. 該見掛け密度は約１．５ｇ／ｃｃから２．８ｇ／ｃｃである請求項１又は１１に記載の体積形状物。
  21. 該ＳｉＣ顆粒がポリマー由来ＳｉＣであり、少なくとも９９．９９９９％の純度を有する、請求項１又は１１に記載の体積形状物。
  22. ａ． 約０．１μｍから約１００μｍの粒径を有する約１００ｇから約１２，０００ｇのＳｉＣ顆粒であって、
    ｂ． 構造的一体性を有する体積形状物を画定するＳｉＣ顆粒と；
    ｃ． 該ＳｉＣ顆粒を結合し、該体積形状物がブールの成長サイクル中における蒸着装置に配置されたときに構造的一体性を維持することができるようにするバインダーと；
    を有し；
    ｄ． 該体積形状物が空隙を有する、ＳｉＣの体積形状物。
  23. ａ． 約０．１μｍ〜約１００μｍの粒径を有するＳｉＣ顆粒であって、
    ｂ． 構造的一体性を有する体積形状物を画定するＳｉＣ顆粒と；
    ｃ． 該ＳｉＣ顆粒を結合し、該体積形状物がブールの成長サイクル中において蒸着装置に配置されたときに構造的一体性を維持することができるようにするバインダーと；
    を備え、
    ｄ． 該体積形状物は空隙を有し；
    ｅ． 該体積形状物は多孔質を有し、３．１ｇ／ｃｃ未満の見掛け密度を有し、
    ｆ． 該体積形状物は、ブールの成長サイクル中に所定のフラックスを提供することができる、ＳｉＣの体積形状物。
  24. ａ． 約０．１μｍ〜約１００μｍの粒径を有するＳｉＣ顆粒であって、
    ｂ． 構造的一体性を有する体積形状物を画定するＳｉＣ顆粒を有し；
    ｃ． 該体積形状物は空隙を有し；
    ｄ． 該体積形状物は多孔質で３．１ｇ／ｃｃ未満の見掛け密度を有し；
    ｅ． 該体積形状物は、成長サイクルにおいて所定のフラックスを提供することができる、ＳｉＣの体積形状物。
  25. ａ． 約０．１μｍ〜約１００μｍの粒径を有するＳｉＣ顆粒であって、
    ｂ． 構造的一体性を有する体積形状物を画定するＳｉＣ顆粒と；
    ｃ． 該ＳｉＣ顆粒を結合し、ブールの成長サイクルにおいて該体積形状物が蒸着装置に配置されたときに構造的一体性を維持することができるようにするバインダーと；
    を備え、
    ｄ． 該体積形状物は、所定のフラックスを提供することができる、ＳｉＣの体積形状物。
  26. 該所定のフラックスが、均一で一貫したフラックスである、請求項２３乃至２５のいずれか一項に記載の体積形状物。
  27. 該所定のフラックスが、ブールの成長サイクルの最後の２０％の間にブールの成長面の外側領域付近で増加したフラックス密度を有する、請求項２３乃至２５のいずれか一項に記載の体積形状物。
  28. 該所定のフラックスが、ブールの成長サイクルの最後の３０％の間にブールの成長面の外側領域付近で増加したフラックス密度を有する、請求項２３乃至２５のいずれか一項に記載の体積形状物。
  29. 該所定のフラックスが、ブールの成長サイクルの最後の４０％の間にブールの成長面の外側領域付近で増加したフラックス密度を有する、請求項２３乃至２５のいずれか一項に記載の体積形状物。
  30. ａ． 約０．１μｍから約１００μｍの粒径を有する約１００ｇから約１２，０００ｇのＳｉＣ顆粒であって、
    ｂ． 体積形状物を画定するＳｉＣ顆粒を有し、
    ｃ． 該体積形状物は多孔質で、２．９ｇ／ｃｃ未満の見掛け密度を有し、
    ｄ． 該体積形状物は、ブールの成長サイクルにおいて蒸着装置内に配置されたときに、成長サイクル中に一貫した速度のフラックス形成を提供することができる、ＳｉＣの体積形状物。
  31. ａ． 約０．１μｍから約１００μｍの粒径を有する約１００ｇから約１２，０００ｇのＳｉＣ顆粒であって、
    ｂ． 体積形状物を画定するＳｉＣ顆粒を有し；
    ｃ． 該体積形状物は空隙を有し；
    ｄ． 該体積形状物は、蒸着装置内に配置されたブールの成長サイクルにおいて、成長サイクル中に一貫した速度のフラックス形成を提供することができる、ＳｉＣの体積形状物。
  32. ａ． 約０．１μｍから約１００μｍの粒径を有する約１００ｇから約１２，０００ｇのＳｉＣ顆粒であって、
    ｂ． 体積形状物を画定するＳｉＣ顆粒と；
    ｃ． 該ＳｉＣ顆粒を結合するバインダーと、を備え；
    ｄ． 該体積形状物は、ブールの成長サイクルにおいて蒸着装置内に配置されたときに、成長サイクル中に所定の流量のフラックス形成を提供することができる、ＳｉＣの体積形状物。
  33. ａ． 約０．１μｍから約１００μｍの粒径を有する約１００ｇから約１２，０００ｇのＳｉＣ顆粒であって、
    ｂ． 体積形状物を画定するＳｉＣ顆粒と；
    ｃ． 該ＳｉＣ顆粒を結合するバインダーと、を備え；
    ｄ． 該体積形状物は多孔質で、容積形状は２．９ｇ／ｃｃ未満の見掛け密度を有し；
    ｅ． 該体積形状物は、ブールの成長サイクル中に蒸着装置内に配置されたときに、成長サイクル中に均一なフラックス形成を提供することができる、ＳｉＣの体積形状物。
  34. ａ． 約０．１μｍから約１００μｍの粒径を有する約１００ｇから約１２，０００ｇのＳｉＣ顆粒であって、
    ｂ． 体積形状物を画定するＳｉＣ顆粒を有し；
    ｃ． 該体積形状物は空隙を有し；
    ｄ． 該体積形状物は、ブールの成長サイクル中に蒸着装置内に配置されたときに、成長サイクル中に均一なフラックス形成を提供することができる、ＳｉＣの体積形状物。
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