JP2020514226A - 濡れ長さを短くした光ファイバ被覆ダイ - Google Patents
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Abstract
Description
光ファイバ被覆装置において、
2°≦α≦25°の半角αで傾いたテーパ状壁部、および、2.2mm未満の円錐高さL1を有する円錐状入口部分、並びに、0.1mm≦d2≦0.5mmの内径d2、および、0.05mm≦L2≦1.25mmの円筒高さL2を有する円筒状部分を含む円錐のみの被覆ダイと、
光ファイバ出口を有するガイドダイであって、前記円錐のみの被覆ダイに隣接して、前記ガイドダイの前記光ファイバ出口と該円錐のみの被覆ダイの入口との間の濡れ長さ(L5)が、1mmから5mmとなるように配置された該ガイドダイと、
前記円錐のみの被覆ダイ、および、前記ガイドダイを、固定した関係で保持して、該ガイドダイと該円錐のみの被覆ダイとの間に、被覆室を画定する保持部と
を含み、
前記被覆室は、3mmから10mmである前記光ファイバの軸部から前記保持部の内壁までの内側半径L6を有するものである装置。
前記濡れ長さ(L5)が、4.5mm未満である、実施形態1に記載の装置。
前記濡れ長さ(L5)が、1.5mm未満である、実施形態1に記載の装置。
前記被覆室の前記内側半径L6が、7mmから9mmである、実施形態1から3のいずれか1つに記載の装置。
前記円錐高さL1が、0.25mmと2.0mmの間である、実施形態1から4のいずれか1つに記載の装置。
前記ダイ内の潤滑圧は、500psi(約3.4MPa)未満である、実施形態1から5のいずれか1つに記載の装置。
前記被覆室中に形成された渦流の最高温度は、175℃未満である、実施形態1から6のいずれか1つに記載の装置。
前記被覆室中に形成された渦流の最高温度は、100℃未満である、実施形態1から6のいずれか1つに記載の装置。
光ファイバがドロー速度Vdで引き出されるファイバ線引き処理中の光ファイバ被覆処理において、
前記引き出される光ファイバを、ガイドダイに通し、次に、円錐のみの被覆ダイを通す工程を含み、
前記円錐のみの被覆ダイは、壁部温度Tdie、2°≦α≦25°の半角αで傾いたテーパ状壁部、および、2.2mm未満の円錐高さL1を有する円錐状入口部分、並びに、0.1mm≦d2≦0.5mmの内径d2、および、0.05mm≦L2≦1.25mmの円筒高さL2を有する円筒状部分を含むものであり、
前記ガイドダイは、光ファイバ出口を有し、前記円錐のみの被覆ダイに隣接して、該ガイドダイの前記光ファイバ出口と該円錐のみの被覆ダイの入口との間の濡れ長さL5が、1mmから5mmとなるように配置されたものであり、
前記円錐のみの被覆ダイ、および、前記ガイドダイは、保持部によって、固定した関係で保持されて、該ガイドダイと該円錐のみの被覆ダイとの間に、3mmから10mmである前記光ファイバから前記保持部の内壁までの内側半径L6を有する被覆室を画定し、前記被覆室は、該光ファイバが該円錐のみの被覆ダイを通って引き出される時に該光ファイバの表面で連行されて、結果的に、該光ファイバの前記表面に、dcoatの被覆厚さを生じる液体状被覆組成物を、保持するものである処理。
前記濡れ長さ(L5)は、4.5mm未満である、実施形態9に記載の処理。
前記被覆室の内側半径L6は、7mmから9mmである、実施形態9または10に記載の処理。
前記円錐高さL1は、0.25mmと2.0mmの間である、実施形態9から11のいずれか1つに記載の処理。
前記ドロー速度Vdは、45m/秒より速いものである、実施形態9から12のいずれか1つに記載の処理。
前記ドロー速度Vdは、60m/秒より速いものである、実施形態9から12のいずれか1つに記載の処理。
前記濡れ長さL5の前記ドロー速度Vdに対する比は、0.01ミリ秒と0.15ミリ秒の間である、実施形態9から12のいずれか1つに記載の処理。
前記濡れ長さL5の前記ドロー速度Vdに対する比は、0.025ミリ秒と0.125ミリ秒の間である、実施形態9から12のいずれか1つに記載の処理。
前記光ファイバの前記表面の前記液体状被覆組成物の前記厚さdcoatは、2マイクロメートルと50マイクロメートルの間である、実施形態9から16のいずれか1つに記載の処理。
前記光ファイバの前記表面で連行される前記液体状被覆組成物は、UV硬化性アクリレート酸組成物であり、ピーク波長が300nm〜450nmの間の範囲である発光スペクトルを有する発光ダイオードUV光源を用いて硬化されるものである、実施形態9から17のいずれか1つに記載の処理。
前記円錐のみの被覆ダイは、一次被覆ダイであり、前記光ファイバの前記表面で連行される前記液体状被覆組成物は、一次被覆物であり、該光ファイバの該表面の該液体状一次被覆組成物の前記厚さdcoatは、10マイクロメートルと50マイクロメートルの間である、実施形態9から18のいずれか1つに記載の処理。
前記円錐のみの被覆ダイは、二次被覆ダイであり、前記光ファイバの前記表面で連行される前記液体状被覆組成物は、二次被覆物であり、該光ファイバの前記表面の該液体状二次被覆組成物の前記厚さdcoatは、10マイクロメートルと50マイクロメートルの間である、実施形態9から18のいずれか1つに記載の処理。
前記円錐のみの被覆ダイは、三次インク被覆ダイであり、前記光ファイバの前記表面で連行される前記液体状被覆組成物は、インク層であり、該光ファイバの前記表面の該液体状インク被覆組成物の前記厚さdcoatは、2マイクロメートルと10マイクロメートルの間である、実施形態9から18のいずれか1つに記載の処理。
前記円錐のみの被覆ダイの壁部温度Tdieは、25℃と75℃の間である、実施形態9から21のいずれか1つに記載の処理。
前記円錐のみの被覆ダイに入る時の前記ファイバの温度は、40℃と85℃の間である、実施形態9から22のいずれか1つに記載の処理。
2 冷却装置
3 一次被覆部
4、7 硬化装置
6 二次被覆部
25 渦流
30 ベル状部分
32 テーパ状部分
34 ランド部分
50 円錐のみの被覆ダイ
52 円錐領域
54 円筒状ランド領域
55 円筒状脚部分
58 ダイ保持部
62 被覆室
Claims (10)
- 光ファイバ被覆装置において、
2°≦α≦25°の半角αで傾いたテーパ状壁部、および、2.2mm未満の円錐高さL1を有する円錐状入口部分、並びに、0.1mm≦d2≦0.5mmの内径d2、および、0.05mm≦L2≦1.25mmの円筒高さL2を有する円筒状部分を含む円錐のみの被覆ダイと、
光ファイバ出口を有するガイドダイであって、前記円錐のみの被覆ダイに隣接して、前記ガイドダイの前記光ファイバ出口と該円錐のみの被覆ダイの入口との間の濡れ長さ(L5)が、1mmから5mmとなるように配置された該ガイドダイと、
前記円錐のみの被覆ダイ、および、前記ガイドダイを、固定した関係で保持して、該ガイドダイと該円錐のみの被覆ダイとの間に、被覆室を画定する保持部と
を含み、
前記被覆室は、3mmから10mmである前記光ファイバの軸部から前記保持部の内壁までの内側半径L6を有するものである装置。 - 前記濡れ長さ(L5)が、3.5mm未満である、請求項1に記載の装置。
- 前記ダイ内の潤滑圧は、500psi(約3.4MPa)未満である、請求項1または2に記載の装置。
- 前記被覆室中に形成された渦流の最高温度は、175℃未満である、請求項1から3のいずれか1項に記載の装置。
- 光ファイバがドロー速度Vdで引き出されるファイバ線引き処理中の光ファイバ被覆処理において、
前記引き出される光ファイバを、ガイドダイに通し、次に、円錐のみの被覆ダイを通す工程を含み、
前記円錐のみの被覆ダイは、壁部温度Tdie、2°≦α≦25°の半角αで傾いたテーパ状壁部、および、2.2mm未満の円錐高さL1を有する円錐状入口部分、並びに、0.1mm≦d2≦0.5mmの内径d2、および、0.05mm≦L2≦1.25mmの円筒高さL2を有する円筒状部分を含むものであり、
前記ガイドダイは、光ファイバ出口を有し、前記円錐のみの被覆ダイに隣接して、該ガイドダイの前記光ファイバ出口と該円錐のみの被覆ダイの入口との間の濡れ長さL5が、1mmから5mmとなるように配置されたものであり、
前記円錐のみの被覆ダイ、および、前記ガイドダイは、保持部によって、固定した関係で保持されて、該ガイドダイと該円錐のみの被覆ダイとの間に、3mmから10mmである前記光ファイバから前記保持部の内壁までの内側半径L6を有する被覆室を画定し、前記被覆室は、該光ファイバが該円錐のみの被覆ダイを通って引き出される時に該光ファイバの表面で連行されて、結果的に、該光ファイバの前記表面に、dcoatの被覆厚さを生じる液体状被覆組成物を、保持するものである処理。 - 前記ドロー速度Vdは、60m/秒より速いものである、請求項5に記載の処理。
- 前記濡れ長さL5の前記ドロー速度Vdに対する比は、0.01ミリ秒と0.15ミリ秒の間である、請求項5または6に記載の処理。
- 前記光ファイバの前記表面で連行される前記液体状被覆組成物は、UV硬化性アクリレート酸組成物であり、ピーク波長が300nm〜450nmの間の範囲である発光スペクトルを有する発光ダイオードUV光源を用いて硬化されるものである、請求項5から7のいずれか1項に記載の処理。
- 前記円錐のみの被覆ダイの壁部温度Tdieは、25℃と75℃の間である、請求項5から8のいずれか1項に記載の処理。
- 前記円錐のみの被覆ダイに入る時の前記ファイバの温度は、40℃と85℃の間である、請求項5から9のいずれか1項に記載の処理。
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