JP2020503752A - 動的ビジョンセンサアーキテクチャ - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、いずれもそれらの全体が参照により本明細書に組み込まれる、2016年12月30日出願のスイス仮特許出願第CH20160001764号、および2016年12月30日出願のスイス仮特許出願第CH20160001765号の優先権を主張する。
本発明は、ビジョンセンサ、より詳しくは動的または変化検出センサに関する。これらのセンサは、光強度の変化に反応し、このような方法でシーンがどのように変化するかをモニタする。
Claims (20)
- 画素のアレイを備えるセンサであって、前記画素の各々は、
入射光を検出するフォトセンサであって、フォトレセプタ信号は、前記フォトセンサによって受光された光の量の関数である、フォトセンサ、
メモリキャパシタであって、前記キャパシタの第1のプレートは、前記フォトレセプタ信号からの電荷を帯び、前記キャパシタの第2のプレートは、比較器ノードに接続されて、その電圧が前記フォトレセプタ信号の変化とともに変動する、メモリキャパシタ、および、
前記フォトレセプタ信号の変化を1つ以上の閾値に対して評価するために、前記比較器ノードの電圧を1つ以上の基準電圧と比較する1つ以上の比較器、
を含む、センサ。 - 前記フォトセンサと前記メモリキャパシタとの間にフォトレセプタ回路をさらに備える、請求項1に記載のセンサ。
- 前記フォトレセプタ回路は、前記フォトセンサからの電流に対数的応答を提供する、請求項2に記載のセンサ。
- 前記キャパシタの前記第2のプレートは、前記比較器に直接接続される、請求項1に記載のセンサ。
- 前記比較器ノードの電圧をリセットするためのリセット回路をさらに備える、請求項1に記載のセンサ。
- 画素のアレイを備えるセンサであって、前記画素の各々は、
フォトセンサであって、フォトレセプタ信号は、前記フォトセンサによって受光された光の量を示す、フォトセンサ、
前記フォトレセプタ信号からの電荷を帯びるメモリキャパシタ、および、
前記フォトレセプタ信号の変化を1つ以上の閾値に対して評価するために、比較器ノードの電圧を1つ以上の基準電圧と比較する1つだけの比較器、
を含む、センサ。 - 画素のアレイを備えるセンサであって、前記画素の各々は、
フォトセンサであって、フォトレセプタ信号は、前記フォトセンサによって受光された光の量の関数である、フォトセンサ、
前記フォトレセプタ信号からの電荷を帯びるメモリキャパシタ、および、
前記フォトレセプタ信号の変化を1つ以上の閾値に対して評価するために、前記メモリキャパシタからの電圧を1つ以上の基準電圧と比較して、前記メモリキャパシタにリセット電圧を提供する比較器、
を含む、センサ。 - 画素のアレイを備えるセンサであって、前記画素の各々は、
フォトセンサであって、フォトレセプタ信号は、前記フォトセンサによって受光された光の量の関数である、フォトセンサ、
前記フォトレセプタ信号からの電荷を帯びるメモリキャパシタ、および、
前記フォトレセプタ信号の変化をそれぞれのオン閾値およびオフ閾値に対して評価するために、前記メモリキャパシタの電圧を2つの基準電圧と連続して比較する比較器、
を含む、センサ。 - 画素のアレイを備えるセンサであって、前記画素の各々は、
フォトセンサであって、フォトレセプタ信号は、前記フォトセンサによって受光された光の量の関数である、フォトセンサ、
前記フォトレセプタ信号からの電荷を帯びるメモリキャパシタ、および、
前記フォトレセプタ信号の変化を1つ以上の閾値に対して評価するために、前記メモリキャパシタからの電圧を比較する1つ以上の比較器、ならびに、
前記1つ以上の比較器の出力を保存するための少なくとも1つのメモリ構造、
を含む、センサ。 - 前記メモリ構造は、スイッチおよび寄生キャパシタンスである、請求項9に記載のセンサ。
- 前記フォトセンサを前記メモリキャパシタに接続するためのスイッチをさらに備える、請求項1〜10のいずれか一項に記載のセンサ。
- グローバルリセット信号に応答して前記メモリキャパシタをリセットするためのリセット回路をさらに備える、請求項1〜11のいずれか一項に記載のセンサ。
- グローバルリセット信号に応答して、かつメモリ構造のコンテンツに応じて前記メモリキャパシタをリセットするためのリセット回路をさらに備える、請求項1〜11のいずれか一項に記載のセンサ。
- 前記フォトセンサは、フォトダイオード、フォトトランジスタ、またはフォトアクティブエリアを備える、請求項1〜13のいずれか一項に記載のセンサ。
- センサであり、
画素のアレイであって、前記画素の各々は、
フォトセンサであって、フォトレセプタ信号は、前記フォトセンサによって受光された光の量の関数である、フォトセンサ、および、
前記フォトレセプタ信号からの電荷を帯びるメモリキャパシタ、
シャッタ信号によって制御され、前記フォトセンサを前記メモリキャパシタに接続するスイッチ、
を含む、画素のアレイと、
前記フォトレセプタ信号の変化が1つ以上の閾値を超えるかどうかを判定するために、前記メモリキャパシタの電圧を1つ以上の基準電圧と比較する1つ以上の比較器と、
を備える、センサ。 - 前記1つ以上の比較器は、画素の前記アレイの周辺にある回路中に配置される、請求項15に記載のセンサ。
- 前記1つ以上の比較器は、前記画素の列に割り当てられる、請求項15に記載のセンサ。
- センサであり、
画素のアレイであって、前記画素の各々は、
フォトセンサであって、フォトレセプタ信号は、前記フォトセンサによって受光された光の量の関数である、フォトセンサ、および、
前記フォトレセプタ信号からの電荷を帯びるメモリキャパシタ、
を含む、画素のアレイと、
前記フォトレセプタ信号の変化が1つ以上の閾値を超えるかどうかを判定するために、前記画素のメモリキャパシタの電圧を基準電圧と比較する読み出し回路中の1つ以上の比較器と、
を備える、センサ。 - センサであり、
1つ以上の画素であって、前記1つ以上の画素の各々は、
フォトダイオードに入射する光を電流に変換できる前記フォトダイオードであって、前記電流の振幅は前記光の強度に比例する、フォトダイオード、
フォトレセプタ回路が前記フォトダイオードからの前記電流を受け取ることができるように前記フォトダイオードに接続された前記フォトレセプタ回路であって、前記フォトレセプタ回路は、前記フォトダイオードから受け取る前記電流を電圧に変換できるように、そしてその電圧を前記フォトレセプタ回路の出力として出力するように構成された、フォトレセプタ回路、および、
メモリキャパシタ、
第1および第2の入力を有する少なくとも1つの比較器であって、前記第1の入力は閾値電圧に設定されることでき、前記キャパシタが前記フォトレセプタ回路の前記出力と前記比較器の前記第2の入力との間にあるように、前記キャパシタは前記第2の入力に電気的に接続された、少なくとも1つの比較器、
少なくとも1つのメモリであって、前記比較器によって出力された値が前記メモリに割り当てられ、保存されることができるように前記比較器の出力に電気的に接続された、少なくとも1つのメモリ、ならびに、
前記比較器の前記第2の入力における電圧を予め定義された基準電圧に設定するために選択的に作動可能であるように構成されたリセット回路アセンブリ、
を含む、1つ以上の画素と、
1つ以上の閾値電圧を前記比較器の前記第1の入力に適用し、前記1つ以上の閾値電圧が前記比較器の前記第1の入力に適用された後に、前記比較器によって出力される前記1つ以上の値を保存するために前記メモリを始動し、前記比較器によって出力された前記値を前記メモリが保存した後に、前記比較器の前記第2の入力における電圧を予め定義された基準電圧に設定するために前記リセット回路を始動するように構成された、コントローラと、
を備える、センサ。 - センサの作動の方法であって、
到来光を検出するアレイの画素のフォトセンサ、
前記フォトセンサによって受光された光の量の関数であるフォトレセプタ信号を生成するステップ、
前記フォトセンサによって前に検出された光に対応する電荷を保存するためにメモリキャパシタを用いるステップであって、前記キャパシタの第1のプレートは前記フォトレセプタ信号からの電荷を帯び、前記キャパシタの第2のプレートは、比較器ノードに接続されて、それらの電圧が前記フォトレセプタ信号の変化とともに変動する、ステップ、および、
前記フォトレセプタ信号の変化を1つ以上の閾値に対して評価するために、前記比較器ノードの電圧を1つ以上の基準電圧と比較するステップ、
を含む方法。
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JP2024022196A Pending JP2024056930A (ja) | 2016-12-30 | 2024-02-16 | 事象ベースの視覚センサのためのデータ速度制御 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (9) | US10715750B2 (ja) |
EP (3) | EP3869791A1 (ja) |
JP (6) | JP7074954B2 (ja) |
KR (4) | KR20230087615A (ja) |
CN (3) | CN110192387B (ja) |
DE (1) | DE202017007535U1 (ja) |
WO (2) | WO2018122800A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6923240B1 (ja) * | 2021-02-12 | 2021-08-18 | 株式会社SensAI | 固体撮像装置、及び固体撮像装置の駆動方法 |
WO2022009720A1 (ja) * | 2020-07-09 | 2022-01-13 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置、撮像方法および電子機器 |
US11895411B2 (en) | 2019-09-20 | 2024-02-06 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Imaging device with extended event signal detection timing |
Families Citing this family (73)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20230087615A (ko) * | 2016-12-30 | 2023-06-16 | 소니 어드밴스드 비주얼 센싱 아게 | 동적 비전 센서 아키텍쳐 |
JP2018125599A (ja) * | 2017-01-30 | 2018-08-09 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置、電子機器、及び駆動方法 |
CN108574793B (zh) * | 2017-03-08 | 2022-05-10 | 三星电子株式会社 | 被配置为重新生成时间戳的图像处理设备及包括其在内的电子设备 |
US10257456B2 (en) * | 2017-09-07 | 2019-04-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Hardware friendly virtual frame buffer |
EP3725068B1 (en) * | 2017-12-11 | 2021-07-14 | Prophesee | Event-based image sensor and operating method thereof |
CN112262568B (zh) | 2018-03-14 | 2024-03-29 | 索尼高级视觉传感股份公司 | 具有直接存储器控制的基于事件的视觉传感器 |
US10923520B2 (en) | 2018-03-14 | 2021-02-16 | Sony Advanced Visual Sensing Ag | Event-based vision sensor manufactured with 3D-IC technology |
TWI815841B (zh) * | 2018-03-15 | 2023-09-21 | 日商尼康股份有限公司 | 控制裝置、控制方法以及程式 |
CN108827461B (zh) * | 2018-04-25 | 2019-05-03 | 上海芯仑光电科技有限公司 | 像素采集电路及光流传感器 |
US11368645B2 (en) * | 2018-06-27 | 2022-06-21 | Prophesee Sa | Image sensor with a plurality of super-pixels |
US10887535B2 (en) * | 2018-07-18 | 2021-01-05 | The Regents Of The University Of California | Query driven image sensing |
US11140349B2 (en) | 2018-09-07 | 2021-10-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor incuding CMOS image sensor pixel and dynamic vision sensor pixel |
CN110971792B (zh) * | 2018-09-29 | 2021-08-13 | 华为技术有限公司 | 一种动态视觉传感器 |
IL262372B (en) * | 2018-10-14 | 2020-05-31 | Semi Conductor Devices An Elbit Systems Rafael Partnership | Pixel reading circuit and imaging method |
CN109842767B (zh) * | 2019-01-09 | 2020-07-14 | 上海芯仑光电科技有限公司 | 一种防闪光电路组件及图像传感器 |
US11526209B2 (en) | 2019-01-21 | 2022-12-13 | Sony Advanced Visual Sensing Ag | Transparent smartphone |
CN109842768B (zh) * | 2019-01-29 | 2020-05-15 | 上海芯仑光电科技有限公司 | 一种像素采集电路及图像传感器 |
EP3690736A1 (en) * | 2019-01-30 | 2020-08-05 | Prophesee | Method of processing information from an event-based sensor |
KR102656177B1 (ko) | 2019-02-11 | 2024-04-12 | 삼성전자주식회사 | 신호를 축적하기 위한 센서 |
JP2020136811A (ja) * | 2019-02-15 | 2020-08-31 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置及び撮像装置 |
KR20200115881A (ko) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 삼성전자주식회사 | 옵티컬 블랙 영역을 이용하여 이벤트 신호들을 보정하도록 구성되는 다이나믹 비전 센서 및 그 동작 방법 |
TWI831962B (zh) * | 2019-04-26 | 2024-02-11 | 日商索尼半導體解決方案公司 | 事件檢測裝置、具備事件檢測裝置之系統及事件檢測方法 |
US20220224853A1 (en) | 2019-05-10 | 2022-07-14 | Sony Advanced Visual Sensing Ag | NMOS Comparator for Image Sensor Pixel |
EP3967028B1 (en) | 2019-05-10 | 2023-11-01 | Sony Advanced Visual Sensing AG | Event-based vision sensor using on/off event and grayscale detection ramps |
WO2020229981A1 (en) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | Sony Advanced Visual Sensing Ag | Dynamic vision sensor with in-pixel digital change detection |
KR20200143141A (ko) * | 2019-06-14 | 2020-12-23 | 삼성전자주식회사 | Cis, 및 그 cis에서 픽셀별 ae 방법 |
KR20210000985A (ko) | 2019-06-26 | 2021-01-06 | 삼성전자주식회사 | 비전 센서, 이를 포함하는 이미지 처리 장치 및 비전 센서의 동작 방법 |
CN114026844A (zh) | 2019-07-01 | 2022-02-08 | 索尼高级视觉传感股份公司 | 基于事件的视觉传感器的动态感兴趣区域(roi) |
KR20210006106A (ko) | 2019-07-08 | 2021-01-18 | 삼성전자주식회사 | 다이내믹 비젼 센서의 이벤트 보정 방법 및 이를 수행하는 이미지 센서 장치 |
CN112311964B (zh) * | 2019-07-26 | 2022-06-07 | 华为技术有限公司 | 一种像素采集电路、动态视觉传感器以及图像采集设备 |
JP7101721B2 (ja) * | 2019-08-01 | 2022-07-15 | シャープ株式会社 | 固体撮像素子 |
JP7451110B2 (ja) * | 2019-08-27 | 2024-03-18 | ソニーグループ株式会社 | 測距システム及び電子機器 |
CN110536083B (zh) * | 2019-08-30 | 2020-11-06 | 上海芯仑光电科技有限公司 | 一种图像传感器及图像采集系统 |
WO2021044299A1 (en) | 2019-09-04 | 2021-03-11 | Sony Advanced Visual Sensing Ag | Delay equalization in event-based vision sensors |
CN112738432B (zh) * | 2019-10-28 | 2022-06-21 | 天津大学青岛海洋技术研究院 | 一种事件阈值自适应型动态视觉传感器 |
US11694304B2 (en) * | 2019-11-26 | 2023-07-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Jointly learning visual motion and confidence from local patches in event cameras |
CN111107287B (zh) * | 2019-11-29 | 2021-06-04 | 豪威芯仑传感器(上海)有限公司 | 一种像素采集电路及图像传感器 |
KR20210077840A (ko) * | 2019-12-17 | 2021-06-28 | 삼성전자주식회사 | 다이나믹 비전 센서 시스템 |
WO2021127809A1 (en) * | 2019-12-23 | 2021-07-01 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Imaging apparatus and imaging method |
JP2021103842A (ja) * | 2019-12-25 | 2021-07-15 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子、および、撮像装置 |
KR20210102511A (ko) * | 2020-02-10 | 2021-08-20 | 삼성전자주식회사 | 버퍼를 포함하는 동적 비전 센서 장치 |
JP2023076773A (ja) * | 2020-04-14 | 2023-06-02 | ソニーグループ株式会社 | 物体認識システム及び電子機器 |
CN111510650B (zh) * | 2020-04-26 | 2021-06-04 | 豪威芯仑传感器(上海)有限公司 | 一种图像传感器 |
FR3109667B1 (fr) * | 2020-04-28 | 2024-04-05 | Commissariat Energie Atomique | Capteur d’image piloté par évènements et son procédé de lecture |
WO2021242941A1 (en) | 2020-05-28 | 2021-12-02 | Apple Inc. | Sensor-based user detection for electronic devices |
ES2947688T3 (es) | 2020-08-14 | 2023-08-16 | Alpsentek Gmbh | Sensor de imágenes con circuito de píxeles configurable y método |
WO2022047651A1 (zh) * | 2020-09-02 | 2022-03-10 | 华为技术有限公司 | 视觉传感器芯片及其操作方法和电子设备 |
KR20220039022A (ko) | 2020-09-21 | 2022-03-29 | 삼성전자주식회사 | 비전 센서를 포함하는 이미지 처리 장치 및 그 동작 방법 |
CN112261297B (zh) * | 2020-10-22 | 2022-07-01 | 维沃移动通信有限公司 | 动态视觉传感器的控制方法、装置和电子设备 |
WO2022093123A1 (en) * | 2020-10-29 | 2022-05-05 | Nanyang Technological University | A computer vision sensor for efficient real time object detection under varying lighting conditions |
TWI795870B (zh) * | 2020-11-06 | 2023-03-11 | 大陸商廣州印芯半導體技術有限公司 | 影像感測器以及影像感測方法 |
CN114519017B (zh) * | 2020-11-18 | 2024-03-29 | 舜宇光学(浙江)研究院有限公司 | 用于事件相机的数据传输方法及其系统和电子设备 |
KR20220076943A (ko) | 2020-12-01 | 2022-06-08 | 삼성전자주식회사 | 비전 센서, 이를 포함하는 이미지 처리 장치 및 비전 센서의 동작 방법 |
KR20220085619A (ko) | 2020-12-15 | 2022-06-22 | 삼성전자주식회사 | 비전 센서 및 이의 동작 방법 |
CN113155032A (zh) * | 2020-12-16 | 2021-07-23 | 重庆邮电大学 | 一种基于动态视觉传感器dvs的建筑物结构位移测量方法 |
US11430828B2 (en) * | 2020-12-17 | 2022-08-30 | Omnivision Technologies, Inc. | Event driven pixel for spatial information extraction |
WO2022143462A1 (zh) * | 2020-12-30 | 2022-07-07 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 图像信号检测电路、控制方法以及运动检测方法 |
KR102445008B1 (ko) | 2020-12-31 | 2022-09-21 | 한국전자통신연구원 | 이벤트 기반 영상 센싱 장치 및 방법 |
KR20220108608A (ko) | 2021-01-27 | 2022-08-03 | 삼성전자주식회사 | 비전 센서 및 이를 포함하는 이미지 처리 장치 |
CN113132656B (zh) * | 2021-04-20 | 2022-01-28 | 豪威芯仑传感器(上海)有限公司 | 一种图像传感器及图像处理系统 |
KR20220164354A (ko) | 2021-06-04 | 2022-12-13 | 삼성전자주식회사 | 비전 센서 및 비전 센서의 동작 방법 |
CN113365004B (zh) * | 2021-06-07 | 2022-03-29 | 豪威芯仑传感器(上海)有限公司 | 一种像素采集电路及图像传感器 |
CN113518159B (zh) * | 2021-06-08 | 2022-11-01 | 天津大学 | 同步读出的大阵列动态视觉传感器及读出方法 |
FR3125666A1 (fr) * | 2021-07-26 | 2023-01-27 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Architecture de lecture à base de drapeau pour un réseau matriciel de pixels événementiels |
FR3125665B1 (fr) * | 2021-07-26 | 2023-11-10 | Commissariat Energie Atomique | Circuit de lecture rapide pour un réseau matriciel de pixels événementiels |
KR20230018044A (ko) * | 2021-07-29 | 2023-02-07 | 삼성전자주식회사 | 다이나믹 비전 센서의 시간 지연을 보상하기 위한 전자 장치 |
CN113747090B (zh) * | 2021-09-01 | 2022-09-30 | 豪威芯仑传感器(上海)有限公司 | 一种像素采集电路及图像传感器 |
CN117223293A (zh) * | 2022-02-10 | 2023-12-12 | 华为技术有限公司 | 一种高速、低功耗像素偏置电路 |
CN114422725B (zh) * | 2022-03-15 | 2022-07-01 | 深圳锐视智芯科技有限公司 | 一种图像输出方法、图像传感器及其应用 |
WO2023186468A1 (en) * | 2022-03-31 | 2023-10-05 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Image sensor including pixel circuits for event detection connected to a column signal line |
CN114581490B (zh) * | 2022-04-29 | 2022-09-20 | 北京大学 | 一种场景设置方法、装置、控制设备及可读存储介质 |
US11812139B1 (en) | 2022-06-20 | 2023-11-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Closed loop dynamic ISP throttling |
US11848173B1 (en) * | 2023-01-31 | 2023-12-19 | Integrated Dynamic Electron Solutions, Inc. | Methods and systems for event modulated electron microscopy |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20140204250A1 (en) * | 2013-01-24 | 2014-07-24 | Moo Young Kim | Image sensor, operating method thereof, and system including same |
WO2015166176A1 (fr) * | 2014-04-30 | 2015-11-05 | Centre National De La Recherche Scientifique - Cnrs - | Procédé de suivi de forme dans une scène observée par un capteur asynchrone de lumière |
JP2016533140A (ja) * | 2013-09-16 | 2016-10-20 | クロノカム | 動的な、単一光ダイオードの画素回路およびその作動方法 |
Family Cites Families (51)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH176516A (de) | 1933-10-01 | 1935-04-15 | Enderlin Charles | Vorrichtung an Fahrrädern zur Ermöglichung der Unterstützung des Fussantriebes durch Handantrieb. |
CH176416A (de) | 1933-10-23 | 1935-04-15 | Fa Fr Speidel | Karabinerhaken, insbesondere für Uhrarmbänder. |
US5107103A (en) | 1990-01-26 | 1992-04-21 | Carnegie-Mellon University | Integrated circuit having at least a sensor and a processor thereon |
DE69218755T2 (de) | 1992-01-24 | 1997-07-10 | Rockwell International Corp | Ausleseverstärker für starrende Infrarotbildebenenanlage |
US5488415A (en) | 1993-07-09 | 1996-01-30 | Olympus Optical Co., Ltd. | Solid-state image pickup device having a photoelectric conversion detection cell with high sensitivity |
CA2242622A1 (en) | 1997-07-10 | 1999-01-10 | Universite Laval | Integrated motion vision sensor |
US6624849B1 (en) | 1997-12-08 | 2003-09-23 | Nikon Corporation | Solid-state imaging apparatus for motion detection |
DE10125307A1 (de) | 2000-10-07 | 2002-08-01 | Silicon Vision Ag | Optischer Sensor |
US7443427B2 (en) * | 2002-08-23 | 2008-10-28 | Micron Technology, Inc. | Wide dynamic range linear-and-log active pixel |
DE10301598A1 (de) | 2002-09-13 | 2004-03-25 | Conti Temic Microelectronic Gmbh | Photodetektor-Anordnung und Verfahren zur Störlichtkompensation |
US20040212678A1 (en) * | 2003-04-25 | 2004-10-28 | Cooper Peter David | Low power motion detection system |
GB0412296D0 (en) * | 2004-06-02 | 2004-07-07 | Council Cent Lab Res Councils | Imaging device |
EP1657910A1 (en) | 2004-11-12 | 2006-05-17 | STMicroelectronics Limited | Image sensor |
SG162756A1 (en) | 2005-06-03 | 2010-07-29 | Universitaet Zuerich | Photoarray for detecting time-dependent image data |
US7821558B2 (en) * | 2005-11-15 | 2010-10-26 | Stmicroelectronics S.A. | Image sensor with circuitry for detecting each pixel receiving a given light intensity and providing addresses thereof |
JP2007166581A (ja) * | 2005-11-16 | 2007-06-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高速撮影用固体撮像装置 |
WO2007085942A2 (en) | 2006-01-25 | 2007-08-02 | Melexis Nv | Image sensor with a photodiode readout circuit |
US20070222879A1 (en) * | 2006-03-24 | 2007-09-27 | Intel Corporation | Sub-ranging pixel sample and hold |
AT504582B1 (de) * | 2006-11-23 | 2008-12-15 | Arc Austrian Res Centers Gmbh | Verfahren zur generierung eines bildes in elektronischer form, bildelement für einen bildsensor zur generierung eines bildes sowie bildsensor |
US8026960B2 (en) * | 2008-04-29 | 2011-09-27 | Xerox Corporation | Image sensor and associated readout system |
WO2010032842A1 (ja) * | 2008-09-19 | 2010-03-25 | 国立大学法人静岡大学 | 情報取得装置及び光通信システム |
US8436288B2 (en) * | 2009-04-24 | 2013-05-07 | Quantum Semiconductor Llc | Image sensors with photo-current mode and solar cell operation |
WO2012093387A2 (en) * | 2011-01-09 | 2012-07-12 | Emza Visual Sense Ltd. | Pixel design with temporal analysis capabilities for scene interpretation |
US8890052B2 (en) * | 2011-05-03 | 2014-11-18 | Raytheon Company | Shift register with two-phase non-overlapping clocks |
FR2977055B1 (fr) | 2011-06-21 | 2013-07-12 | Astrium Sas | Detecteur a fonction d'imagerie selective et procede de detection d'eclairs |
US9521338B2 (en) * | 2011-11-08 | 2016-12-13 | Rambus Inc. | Image sensor sampled at non-uniform intervals |
WO2013092666A1 (en) | 2011-12-19 | 2013-06-27 | Universität Zürich | Photoarray, particularly for combining sampled brightness sensing with asynchronous detection of time-dependent image data |
JP6029286B2 (ja) * | 2012-02-17 | 2016-11-24 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置および撮像システム |
JP5973758B2 (ja) * | 2012-03-22 | 2016-08-23 | オリンパス株式会社 | 固体撮像装置 |
WO2013158965A1 (en) * | 2012-04-19 | 2013-10-24 | Raytheon Company | Repartitioned digital pixel |
EP2677500B1 (en) | 2012-06-19 | 2021-06-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Event-based image processing apparatus and method |
US9521337B1 (en) * | 2012-07-13 | 2016-12-13 | Rambus Inc. | Reset-marking pixel sensor |
ES2476115B1 (es) | 2012-12-11 | 2015-04-20 | Consejo Superior De Investigaciones Científicas (Csic) | Metodo y dispositivo para la deteccion de la variacion temporal de la intensidad luminosa en una matriz de fotosensores |
JP6145655B2 (ja) * | 2012-12-18 | 2017-06-14 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 半導体光検出器 |
FR3000347B1 (fr) * | 2012-12-21 | 2016-03-04 | Trixell | Procede de lecture d'un dispositif d'imagerie |
JP5925713B2 (ja) * | 2013-02-26 | 2016-05-25 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
CN103259985B (zh) | 2013-05-17 | 2016-08-17 | 昆山锐芯微电子有限公司 | Cmos图像传感器、像素单元及其控制方法 |
KR102102702B1 (ko) * | 2013-06-19 | 2020-04-21 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서의 단위 픽셀 및 이를 포함하는 이미지 센서 |
KR102054774B1 (ko) | 2013-09-10 | 2019-12-11 | 삼성전자주식회사 | 동적 비전 센서, 조도 센서, 및 근접 센서 기능을 구비한 이미지 장치 |
US9094628B2 (en) * | 2013-10-27 | 2015-07-28 | Raytheon Company | Address mapped repartitioned digital pixel |
KR102136055B1 (ko) | 2014-01-08 | 2020-07-21 | 삼성전자 주식회사 | 오픈-루프 증폭기를 포함하는 비전 센서 칩, 이의 동작 방법, 및 이를 포함하는 데이터 처리 시스템 |
US9846677B2 (en) | 2014-09-16 | 2017-12-19 | Qualcomm Incorporated | Event-based spatial transformation |
US20160093273A1 (en) * | 2014-09-30 | 2016-03-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Dynamic vision sensor with shared pixels and time division multiplexing for higher spatial resolution and better linear separable data |
KR102357680B1 (ko) | 2014-11-17 | 2022-02-03 | 삼성전자주식회사 | 이벤트에 기반하여 객체의 이동을 감지하는 장치 및 방법 |
KR102426677B1 (ko) | 2015-03-09 | 2022-07-28 | 삼성전자주식회사 | 오프셋 및 잡음이 감소되는 차분 증폭기 및 이벤트에 기반한 비전 센서 |
KR102407274B1 (ko) * | 2015-07-31 | 2022-06-10 | 삼성전자주식회사 | 임계 전압 제어 방법 및 임계 전압 제어 장치 |
KR102399017B1 (ko) | 2015-11-16 | 2022-05-17 | 삼성전자주식회사 | 이미지 생성 방법 및 장치 |
US10498977B2 (en) | 2016-03-03 | 2019-12-03 | Insightness Ag | Event-based vision sensor |
US10652489B2 (en) | 2016-03-14 | 2020-05-12 | Insightness Ag | Vision sensor, a method of vision sensing, and a depth sensor assembly |
WO2017174579A1 (en) | 2016-04-04 | 2017-10-12 | Chronocam | Sample and hold based temporal contrast vision sensor |
KR20230087615A (ko) * | 2016-12-30 | 2023-06-16 | 소니 어드밴스드 비주얼 센싱 아게 | 동적 비전 센서 아키텍쳐 |
-
2017
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-
2024
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20140204250A1 (en) * | 2013-01-24 | 2014-07-24 | Moo Young Kim | Image sensor, operating method thereof, and system including same |
JP2016533140A (ja) * | 2013-09-16 | 2016-10-20 | クロノカム | 動的な、単一光ダイオードの画素回路およびその作動方法 |
WO2015166176A1 (fr) * | 2014-04-30 | 2015-11-05 | Centre National De La Recherche Scientifique - Cnrs - | Procédé de suivi de forme dans une scène observée par un capteur asynchrone de lumière |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Y. M. CHI ET AL.: "CMOS Camera With In-Pixel Temporal Change Detection and ADC", IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, vol. 42, no. 10, JPN6021039322, 1 October 2007 (2007-10-01), US, pages 2187 - 2196, XP011193056, ISSN: 0004613334, DOI: 10.1109/JSSC.2007.905295 * |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11895411B2 (en) | 2019-09-20 | 2024-02-06 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Imaging device with extended event signal detection timing |
WO2022009720A1 (ja) * | 2020-07-09 | 2022-01-13 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置、撮像方法および電子機器 |
JP6923240B1 (ja) * | 2021-02-12 | 2021-08-18 | 株式会社SensAI | 固体撮像装置、及び固体撮像装置の駆動方法 |
JP2022123740A (ja) * | 2021-02-12 | 2022-08-24 | 株式会社SensAI | 固体撮像装置、及び固体撮像装置の駆動方法 |
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