JP7101721B2 - 固体撮像素子 - Google Patents
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Description
(2)また、本発明のある実施形態は、前記(1)の構成に加え、前記垂直駆動部による複数回の前記シャッター動作および前記AD変換部による複数回の前記アナログデジタル変換がパイプライン処理されるように、前記垂直駆動部および前記AD変換部を制御する制御部をさらに備えた、固体撮像素子。
(3)また、本発明のある実施形態は、前記(1)または(2)の構成に加え、前記AD変換部は、前記垂直駆動部が前記シャッター動作を開始してから終了するまでの間、前記デジタル信号を出力する動作を停止する、固体撮像素子。
(4)また、本発明のある実施形態は、前記(3)の構成に加え、前記AD変換部から前記アナログデジタル変換が実行される毎に出力される複数の前記デジタル信号を記憶する記憶部と、前記AD変換部から前記アナログデジタル変換が実行される毎に出力される複数の前記デジタル信号を信号処理する処理部と、をさらに備え、前記AD変換部は、前記垂直駆動部が前記シャッター動作を開始してから終了するまでの間、前記アナログデジタル変換を停止し、前記処理部は、前記記憶部に記憶された複数の前記デジタル信号の中から、前記AD変換部が前記アナログデジタル変換を停止した期間に生成される予定であった2行分以上の前記単位画素に対応する前記デジタル信号を、バッファデータとして前記信号処理に使用する、固体撮像素子。
(5)また、本発明のある実施形態は、グローバルシャッター方式の固体撮像素子であって、入射光量に応じた電荷量の電荷を発生させて蓄積する光電変換素子と、前記光電変換素子から転送された前記電荷を蓄積するメモリと、を有する、マトリックス状に配置された複数の単位画素と、シャッター動作を行い、かつ、前記複数の単位画素から前記メモリに蓄積された前記電荷の前記電荷量に関するアナログ信号を読み出す垂直駆動部と、前記垂直駆動部によって読み出された前記アナログ信号をアナログデジタル変換するAD変換部と、を備え、前記垂直駆動部は、前記AD変換部が前記アナログデジタル変換を開始してから終了するまでの間に前記シャッター動作を行い、前記AD変換部は、前記垂直駆動部が前記シャッター動作を開始してから終了するまでの間も前記アナログデジタル変換を行うとともに、前記アナログデジタル変換により生成したデジタル信号を無効化する、固体撮像素子。
まず、図1を用いて、本発明の一実施形態に係る固体撮像素子1の回路構成について説明する。固体撮像素子1は、グローバルシャッターCISであり、例えばグローバルシャッター方式のCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)イメージセンサである。
次に、図2を用いて、固体撮像素子1の動作概要について説明する。まず、垂直駆動部3はシャッター動作を行う(S10)。シャッター動作とは、垂直駆動部3が、複数の単位画素21のすべてについて、フォトダイオード21aに蓄積された不要な電荷を一旦掃き出させ、その後、すべてのフォトダイオード21aに新たな電荷の蓄積を開始させることを指す。言い換えれば、シャッター動作とは、垂直駆動部3が複数の単位画素21のフォトダイオード21aをすべてリセットして、リセット後のフォトダイオード21aに新たな露光を開始させることを指す。
次に、図3を用いて、固体撮像素子1の画像データの出力原理について説明する。なお、図3中の「H」は単位画素21の行を表し、例えば「1H~4H」は第1行目の単位画素21の行から第4行目の単位画素21の行までを表す。また、図3中の「GR」はシャッター動作を表し、「M」は電荷のアナログメモリ21bへの転送を表し、「R」はアナログデジタル変換により生成された単位画素21の列分のデジタル信号を表す。
次に、図4および図5を用いて、本発明の一実施形態に係る固体撮像素子1の変形例について説明する。なお、説明の便宜上、上記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。
まず固体撮像素子1は、図4に示すように、処理部7が信号処理で3行分の単位画素21に対応するバッファデータを使用してもよい。図4の例の場合、図4中の時間軸よりも紙面向かって上側の図に示すように、垂直駆動部3は、本来9Hのアナログ信号がアナログデジタル変換されるタイミングで2回目の「GR」を行う。AD変換部4は、2回目の「GR」の開始から終了までの間(以下、「2回目の「GR」中」と表記)、および本来8Hのアナログ信号がアナログデジタル変換される間は、アナログデジタル変換を一時的に停止する。つまりAD変換部4は、2回目の「GR」中の他、2回目の「GR」が行われるタイミングの1つ前のタイミングでアナログデジタル変換が行われる間、該アナログデジタル変換を一時的に停止する。
次に、固体撮像素子1は、図5に示すように、AD変換部4が、垂直駆動部3が2回目の「GR」を開始してから終了するまでの間もアナログデジタル変換を行ってもよい。この場合、AD変換部4は、アナログデジタル変換により生成したデジタル信号を無効化する。
本発明の態様1に係る固体撮像素子(1)は、グローバルシャッター方式の固体撮像素子であって、入射光量に応じた電荷量の電荷を発生させて蓄積する光電変換素子(フォトダイオード21a)と、前記光電変換素子から転送された前記電荷を蓄積するメモリ(アナログメモリ21b)と、を有する、マトリックス状に配置された複数の単位画素(21)と、シャッター動作を行い、かつ、複数の単位画素から前記メモリに蓄積された前記電荷の前記電荷量に関するアナログ信号を読み出す垂直駆動部(3)と、前記垂直駆動部によって読み出された前記アナログ信号をアナログデジタル変換するAD変換部(4)と、を備え、前記垂直駆動部は、前記AD変換部が前記アナログデジタル変換を開始してから終了するまでの間に前記シャッター動作を行い、前記AD変換部は、前記垂直駆動部が前記シャッター動作を開始してから終了するまでの間はデジタル信号を出力しない。
本発明は上述した実施形態および変形例に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態および変形例のそれぞれに開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態および変形例のそれぞれに開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
3 垂直駆動部
4 AD変換部
7 処理部
21 単位画素
21a フォトダイオード(光電変換素子)
21b アナログメモリ(メモリ)
71 記憶部
Claims (1)
- グローバルシャッター方式の固体撮像素子であって、
入射光量に応じた電荷量の電荷を発生させて蓄積する光電変換素子と、前記光電変換素子から転送された前記電荷を蓄積するメモリと、を有する、マトリックス状に配置された複数の単位画素と、
シャッター動作を行い、かつ、前記複数の単位画素から前記メモリに蓄積された前記電荷の前記電荷量に関するアナログ信号を読み出す垂直駆動部と、
前記垂直駆動部によって読み出された前記アナログ信号をアナログデジタル変換するAD変換部と、
前記AD変換部から前記アナログデジタル変換が実行される毎に出力される複数のデジタル信号を記憶する記憶部と、
前記記憶部に記憶された前記複数のデジタル信号を信号処理する処理部と、を備え、
前記垂直駆動部は、前記AD変換部が前記アナログデジタル変換を開始してから終了するまでの間に前記シャッター動作を行い、
前記AD変換部は、前記垂直駆動部が前記シャッター動作を開始してから終了するまでの間も前記アナログデジタル変換を行うとともに、前記アナログデジタル変換により生成した前記デジタル信号を消去することにより、前記シャッター動作に起因するノイズの影響を受けた前記デジタル信号を無効化し、
前記処理部は、前記信号処理にて、1行分以上の前記単位画素に対応する前記デジタル信号を読み出す時間分だけずれるように設定された記憶部読み出しタイミングで、前記記憶部から前記デジタル信号を読み出す、固体撮像素子。
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