JP2020501353A5 - - Google Patents
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Description
さらに他の実施形態によれば、ＤＣ＋およびＤＣ−電源端子は、第１の側に導かれ、ＡＣ−端子は、第２の側に導かれる。これに関して、それぞれの外側電源端子はそれぞれの側に導かれ得、それぞれ配置され得る。この実施形態は、例示的にＤＣ＋端子およびＤＣ−端子が互いの近くに配置されることができるので、パワー半導体モジュールの改善されたスイッチング動作を可能とする。
Claims (8)
- ベースプレート（１２）を備えるパワー半導体モジュールであって、前記ベースプレート（１２）上に少なくとも１つの基板（１１，１３，１５，１７）が配置され、電子回路は前記少なくとも１つの基板（１１，１３，１５，１７）上に提供され、ＤＣ＋電源端子（１４）とＤＣ−電源端子（１６）とＡＣ電源端子（１８）とを備える電気コネクタおよびさらに制御コネクタが前記少なくとも１つの基板（１１，１３，１５，１７）上に配置され、前記パワー半導体モジュール（１０）は第１の数量（２４）のスイッチングパワー半導体デバイス（２６，２８）と第２の数量（３０）のスイッチングパワー半導体デバイス（３２，３４）とを備えるハーフブリッジモジュールとして設計され、前記ベースプレート（１２）は接触領域（３６）と第１のデバイス領域（３８）と第２のデバイス領域（４０）とを備え、前記第１のデバイス領域（３８）が前記接触領域（３６）の第１の側に配置され、前記第２のデバイス領域（４０）が前記接触領域（３６）の第２の側に配置されるように、前記接触領域（３６）は前記ベースプレート（１２）の中央部において配置され、前記第２の側は前記第１の側とは反対に配置され、前記ＤＣ＋電源端子（１４）と前記ＤＣ−電源端子（１６）と前記ＡＣ電源端子（１８）および前記制御コネクタは前記接触領域（３６）において配置され、前記第１の数量（２４）のスイッチングパワー半導体デバイス（２６，２８）は前記第１のデバイス領域（３８）において配置され、前記第２の数量（３０）のスイッチングパワー半導体デバイス（３２，３４）は前記第２のデバイス領域（４０）において配置され、前記第１のデバイス領域（３８）内のすべての前記パワー半導体デバイス（２８，３０）は前記ベースプレート（１２）の幅に平行に整列された２つの平行線（４２，４４）において配置され、前記第２のデバイス領域（４０）内のすべての前記パワー半導体デバイス（３２，３４）は前記ベースプレート（１２）の前記幅に平行に整列された２つの平行線（４６，４８）において配置され、
パワー半導体デバイス（２６，２８，３２，３４）のいずれかと前記ＤＣ＋電源端子（１４）、前記ＤＣ−電源端子（１６）および前記ＡＣ電源端子（１８）の固定位置（１４’，１６’，１８’）のいずれかとの間の距離は、６ｍｍ以上であり、
前記接続領域（３６）は、１５ｍｍ以上４０ｍｍ以下の長さを有し、
前記第１のデバイス領域（３８）および前記第２のデバイス領域（４０）のうちの少なくとも１つは、２０ｍｍ以上４０ｍｍ以下の長さを有することを特徴とする、パワー半導体モジュール。 - 前記第１の数量（２４）のスイッチングパワー半導体デバイス（２６，２８）は、ＩＧＢＴデバイスおよびダイオードを備え、前記第２の数量（３０）のスイッチングパワー半導体デバイス（３２，３４）は、ＩＧＢＴデバイスおよびダイオードを備えることを特徴とする、請求項１に記載のパワー半導体モジュール。
- 前記ＩＧＢＴデバイスおよび前記ダイオードは、すべてのＩＧＢＴデバイスが前記ベースプレート（１２）の幅に平行に整列された各デバイス領域（３８，４０）の第１の線（４４，４６）において配置され、すべてのダイオードが前記ベースプレート（１２）の幅に平行に整列された各デバイス領域（３８，４０）の第２の線（４２，４８）において提供されるように配置されることを特徴とする、請求項２に記載のパワー半導体モジュール。
- 前記ＤＣ＋電源端子（１４）と前記ＤＣ−電源端子（１６）とは、前記パワー半導体モジュール（１０）の前記第１の側に導かれ、前記ＡＣ電源端子（１８）は、前記パワー半導体モジュール（１０）の前記第２の側に導かれることを特徴とする、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のパワー半導体モジュール。
- 前記制御コネクタは、前記基板（１１，１３，１５，１７）にボンドワイヤによって接続されることを特徴とする、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のパワー半導体モジュール。
- 前記接触領域（３６）は、長方形にされることを特徴とする、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のパワー半導体モジュール。
- ４つの基板（１１，１３，１５，１７）は、前記ベースプレート（１２）上に配置され、各基板（１１，１３，１５，１７）は前記電子回路の一部を担持することを特徴とする、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載のパワー半導体モジュール。
- 少なくとも２つの基板（１１，１３，１５，１７）は、同様に配置されることを特徴とする、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載のパワー半導体モジュール。
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