JP2020189781A - 欠陥ドーピングによるｐ型酸化ガリウム薄膜の製造手順およびその利用 - Google Patents

Abstract

【課題】不純物元素を添加せずにＧａ２Ｏ３のｐ型ドーピングを行う方法の提供。【解決手段】酸素の化学量論にのみ従って、成長温度、酸化剤ガスの性質／圧力およびまたは成長層度などを制御することにより、不純物元素の添加を必要とせずに、真性欠陥ドーピングによりｐ型酸化ガリウムが形成されるように、従来の薄膜成長技術を使用して、基板上で酸化ガリウムを成長させることを含む、欠陥ドーピングによる、ワイドバンドギャップｐ型Ｇａ２Ｏ３（α、β、εまたはκ）の製造手順。酸化ガリウムのｐ型ドーピングの活性化を強化するために、ポストアニール（インサイチュまたはエクスサイチュ）を含み、このアニールは、１０ｎｓから１０時間の間継続する、ｐ型Ｇａ２Ｏ３（α、β、εまたはκ）の製造手順。【選択図】なし

Description

本発明は、ｐ型Ｇａ_２Ｏ_３（酸化ガリウム）の成長のための手順に関する。より具体的には、本発明の目的は、不純物元素を添加せずに欠陥ドーピングによりｐ型Ｇａ_２Ｏ_３（α、β、εまたはκ相）を製造する工程、ならびに前述の工程によって得られた薄膜、および、たとえばパワーエレクトロニクス、高周波電子機器、熱電機器、ＵＶＣ光検出器などにおいて、ｐ−ｎ接合のｐ型Ｇａ_２Ｏ_３薄膜を利用することである。

酸化ガリウムは、三二酸化無機化合物である（すなわち、化学式Ｇａ_２Ｏ_３を持つ）。それはいくつかの多形または相の形で存在する。そのような５つの相、α、β、γ、δおよびε（およびその変形κ）が認識されている。これらの中で、β相は化学的にも熱的にも最も安定しており、融点は約１９００℃である。

酸化ガリウム（ＩＩＩ）は、レーザー、発光体、発光材料での使用が研究されてきた。Ｇａ_２Ｏ_３はガスセンサーで発光体として使用され、太陽電池の誘電体層として使用できる。この熱力学的に安定な酸化物は、深紫外線透明導電体として、およびパワートランジスタのチャネル層として使用できる可能性もある。

酸化ガリウムは多くの方法で合成でき、その特定の製造条件により膜の特性が決まる。精巧な薄膜の物理的特性は、一般的な成長パラメータ、基板の性質と配向によって決まり、成長方法の選択によっても決まる。酸化ガリウムβ−Ｇａ_２Ｏ_３は、本質的に誘電材料である。また、特定の成長条件下で、抵抗値が１０^−２Ω・ｃｍと低いｎ型半導体特性を示し、このことは、酸素空孔の存在または（シリコンまたはスズのような不純物元素の）外部ドーピングで説明できる。

β−Ｇａ_２Ｏ_３結晶の導電率は、ガス環境を変更することにより、または不純物のドーピングにより制御できる。酸素含有量を減らすことにより、導電率を高めることができる。水素の存在も、ドープされたβ−Ｇａ_２Ｏ_３で観察される電気伝導率に影響することが示唆される。さらに、他の元素によるドーピングも、β−Ｇａ_２Ｏ_３結晶の電気伝導率と自由電子密度に影響を与える。たとえば、Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｎなどのＩＶ族元素はＧａの代わりになり、ＣｌまたはＦなどのＶＩＩ族元素はＯの代わりになり、浅いドナーとして作用する。

米国特許出願公開第２００８−００３８９０６号公報は、Ｇａ_２Ｏ_３のｐ型薄膜とＧａ_２Ｏ_３薄膜ｐ−ｎ接合を製造する方法について説明している。この方法は、酸素空孔密度が低減されたＧａ_２Ｏ_３の薄膜を製造する第１段階と、Ｇａ_２Ｏ_３にアクセプターをドープすることによりｐ型Ｇａ_２Ｏ_３膜を形成する第２段階を含む。この方法で使用されるアクセプターはマグネシウム、Ｍｇである。

米国特許出願公開第２０１２−０３０４９１８号公報は、Ｇａ_２Ｏ_３の成長技術、Ｇａ_２Ｏ_３に基づくエレクトロルミネセンスデバイスおよびその製造方法について説明している。より具体的には、膜中のＧａをＨ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｆｒ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｒａ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、ＴｌおよびＰｂから選択されるアクセプタードーパントで置き換えるｐ型Ｇａ_２Ｏ_３膜の成長手順を明らかにしている。

最新技術から、酸化ガリウム（α、β、εまたはκ）は本来ｎ型であることが分かっている。また、浅いドナーとして作用する不純物元素（典型的な例は、ゲルマニウム、スズ、フッ素、塩素またはシリコン）を追加することにより、ｎ型ドーピングを促進できることも分かっている。上記の文書で、β−Ｇａ_２Ｏ_３は、浅いアクセプターとして作用できる不純物の導入による成長中の外因性ドーピングによってｐ型にドープされることが分かる。不純物を添加するには、Ｇａ_２Ｏ_３に第３の元素を制御された再現性のある方法で導入する必要があり、これにより製造工程が大幅に複雑になる。その他の問題の中で、ドーパントはＧａ_２Ｏ_３結晶構造内で移動する可能性があり、そのため電気特性が時間とともに変化する。このようなドーパントの拡散は、高温電子機器、熱電電子機器、宇宙用電子機器、および熱的堅牢性に挑む可能性のある予期しない状況を含むその他の応用において予想されるような高温によって引き起こされることもある。

本発明は、不純物元素を添加せずにＧａ_２Ｏ_３のｐ型ドーピングを行う方法を提供する。この真性ドーピングのアプローチは、外因性の不純物元素のドーピングに比べて大幅に簡素化されるので、製造コストを削減できる。さらに、このようにして得られたＧａ_２Ｏ_３のｐ型ドーピングは、欠陥ドーパントがその影響を変えるのにより高い温度を必要とするので、より耐熱性がある。

より具体的には、本発明の目的は、欠陥ドーピングによるワイドバンドギャップｐ型Ｇａ_２Ｏ_３（α、β、εまたはκ相）の製造工程であって、たとえば、成長温度、酸化剤ガスの性質／圧力、（酸素ラジカル原子を生成する）酸素プラズマセルの出力、または成長速度などを制御して、酸素の化学量論にのみ従って、不純物元素の添加を必要とせずに、真性欠陥ドーピングによりｐ型酸化ガリウムが形成されるように、（従来の薄膜成長技術を使用して）基板上で酸化ガリウムを成長させることを含む。

本発明の変形例によれば、基板は（ａ、ｃ、ｒまたはｍ配向の）サファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ_３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化銅（ＣｕＯまたはＣｕ_２Ｏ）、シリコン（Ｓｉ）、酸化ガリウム（Ｇａ_２Ｏ_３）、炭化ケイ素（ＳｉＣ−４ＨまたはＳｉＣ−６Ｈ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、ガラス、石英、金属、グラフェン、グラファイト、酸化グラフェン、ポリマーなどであり得る。

本発明の変形例によれば、基板上での酸化ガリウムの成長は、液相析出、ゾルゲル、物理蒸着（ＰＶＤ）、熱蒸発、電子ビーム蒸発、ＤＣマグネトロンスパッタリング、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ）、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）、化学蒸着（ＣＶＤ）、有機金属ＣＶＤ、原子層堆積（ＡＬＤ）などによって行うことができる。

より具体的には、成長温度を一定に保つか、または（３００℃から１５００℃の温度範囲で）変化させることができ、分圧も一定に保つか、または１０^−２から１０^−１１Ｔｏｒｒの間で（所望のドーピングのレベル／プロファイルに従って）変化させることができる。

酸化剤雰囲気は、ガス状分子酸素、水蒸気、ガス状オゾン、ガス状一酸化窒素または二酸化窒素（ＮＯまたはＮＯ_２）、またはプラズマ源からの原子状酸素であり得る。

特定の変形例では、手順には酸化物または窒化物材料中に存在できる（結晶構造、格子パラメータ、結晶配向、層の厚さ、表面形態、および／または所望の粒径などの材料パラメータに対して選択される）緩衝層の使用が含まれても良い。緩衝層の厚さは、１ｎｍから５００ｎｍまで変化し得る。

特定の変形例では、手順には酸化ガリウムのｐ型ドーピングの活性化を強化するために、ポストアニール（インサイチュまたはエクスサイチュ）が含まれても良い。このアニールは、１０ｎｓから１０時間の間継続できる。

特定の変形例では、アニールは、熱的またはレーザーまたはランプによるものであり得る。アニールは、固定温度または可変温度で行うことができる。アニール温度は６００℃から１５００℃の間である。アニールのための雰囲気は、分子状酸素、ＮＯ_２、ＮＯ、オゾン、Ｎ_２、Ａｒ、Ｋｒまたは空気であり得る。

特定の変形例では、レーザーアニールは、Ｇａ_２Ｏ_３のバンドギャップに対応する波長以下の波長（つまり、エネルギー≧５ｅＶ）のＵＶ光で実現できる。露出時間は１０ｎｓから１秒の間であり得る。光源のエネルギー密度は、１ｍＪ／ｃｍ^２から１ｋＪ／ｃｍ^２の間であり得る。

本発明の特定の変形例では、ランプアニールは、ハロゲンランプまたは白熱ランプまたは放電ランプを用いて行うことができ、アニール温度は１５００℃までであり得る。エネルギー密度は１００Ｊ／ｃｍ^２を超え、１００μｓから３００秒の間継続できる。

本発明は、欠陥ドーピングによる１ｎｍから１０ミクロンの間の厚さを有するｐ型Ｇａ_２Ｏ_３薄膜（α、β、εまたはκ相）に関し、上記の手順に従って、意図的に不純物元素を添加することなく、真性ｐ型欠陥ドーピングにより、基板上での酸化ガリウムの成長を通じて実現されることを特徴とする。

また、本発明は、Ｇａ_２Ｏ_３ｐ-ｎ接合における、上記の手順によって得られたｐ型Ｇａ_２Ｏ_３薄膜（α、β、εまたはκ）の利用に関する。

さらに、本発明は、ｐ型透明電極として、またはＵＶＣ光検出器として、または高周波スイッチとして、上記の手順によって得られたｐ型Ｇａ_２Ｏ_３薄膜（α、β、εまたはκ）の利用に関する。

また、本発明は、高温電子機器、パワーエレクトロニクス、高周波電子機器、熱電機器、または宇宙用電子機器における、上記の工程によって得られたｐ型Ｇａ_２Ｏ_３薄膜の利用に関する。

ｐ型酸化ガリウムの成長工程を活用するために、たとえば、分子線エピタキシー、ＤＣマグネトロンスパッタリング、レーザーアブレーション（パルスレーザー堆積（ＰＬＤ）と呼ばれることもある）、化学蒸着（ＣＶＤ）、有機金属ＣＶＤ、液相析出、ゾルゲル、または原子層堆積などの薄膜堆積方法を使用できる。

基板はサファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ_３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化銅（ＣｕＯまたはＣｕ_２Ｏ）、シリコン（Ｓｉ）、酸化ガリウム（Ｇａ_２Ｏ_３）、炭化ケイ素（ＳｉＣ−４ＨまたはＳｉＣ−６Ｈ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、ガラス、石英、金属、グラフェン、グラファイト、酸化グラフェン、ポリマーなどであり得る。基板を洗浄し、脱気するために十分高い温度にする。酸化剤雰囲気は、ガス状分子酸素、水蒸気、ガス状オゾン、ガス状一酸化窒素または二酸化窒素（ＮＯまたはＮＯ_２）、またはプラズマ源からの原子状酸素であり得る。バックグラウンド圧力は、一定に保つか、または１０^−２から１０^−１１Ｔｏｒｒの間で（所望のドーピングのレベル／プロファイルに従って）変化させることができる。

成長温度は、一定に保つか、所望のドーピングレベルに応じて３００℃から１５００℃の温度範囲で変化させることができる（温度が高いほど、ドーピングレベルが下がる）。膜の厚さは１ｎｍから１０ミクロンの間であり得る。典型的な成長速度は毎分約０．５ｎｍである。

バッファ層は、ｐ型Ｇａ_２Ｏ_３層におけるキャリア濃度および／または移動度を向上させるために、またはｐ型Ｇａ_２Ｏ_３の導電率を向上させるために使用することができる。緩衝層の厚さは、１ｎｍから５００ｎｍの間であり得る。
ｐ型ドーピングの活性化を高めるために、ポストアニール工程を使用することができる。アニールは、熱的またはレーザーまたはランプによるものであり得る。熱アニールの場合、アニールは固定温度または６００℃から１５００℃の間の可変温度で行うことができる。熱アニールは、１０ｎｓから１０時間継続できる。アニールのための雰囲気は、分子状酸素、ＮＯ_２、ＮＯ、オゾン、Ｎ_２、Ａｒ、Ｋｒまたは空気であり得る。

レーザーアニール（連続波またはパルス）は、Ｇａ_２Ｏ_３のバンドギャップに対応する波長以下の波長（つまり、エネルギー≧５ｅＶ）のＵＶ光で実現できる。露出時間は１０ｎｓから１ｓの間であり得る。光源のエネルギー密度は、１ｍＪ／ｃｍ^２から１ｋＪ／ｃｍ^２の間であり得る。

ランプアニールの場合、光源は多くの場合ハロゲンランプである。この技術は、温度上昇に関して比較的柔軟性があり、アニールの大きな熱原動力になり得る。アニール温度は、１５００℃まで可能である。エネルギー密度は１００Ｊ／ｃｍ^２を超え、１００μｓから３００秒の間継続できる。

現在の最新技術におけるｐ型Ｇａ_２Ｏ_３の薄膜の成長は、Ｇａ_２Ｏ_３層中のＧａがｐ型ドーパントによって置き換えられるようにｐ型ドーパントを導入することによって達成される。本発明では、ドーパントを導入しないで、その手順は、成長条件、たとえば成長温度および／または酸化剤ガスの性質／圧力および／または成長速度などを制御することにより、酸素の化学量論のみを変化させることに基づいている。本発明の手順に従って、ｐ型酸化ガリウムは、不純物元素の添加を必要とせずに、真性欠陥ドーピングによって形成される。このアプローチは、既存の最新アプローチに比べて大幅な簡素化を意味するので、製造コストを削減できる。さらに、このようにして得られたＧａ_２Ｏ_３のｐ型ドーピングは、高温での不純物欠陥分布に比べて欠陥ドーパント分布が容易には変わらないので、より高い温度耐性と放射線耐性がある。

ここで、本発明に係るｐ型Ｇａ_２Ｏ_３の製造手順を例示する。この場合、ｐ型Ｇａ_２Ｏ_３は、パルスレーザー堆積（ＰＬＤまたはレーザーアブレーションと呼ばれることが多い）により、ｃ面配向サファイア（ｃ−Ａｌ_２Ｏ_３）基板上に形成される。基板は、アセトン、エタノール、脱イオン水に順次浸漬し、続いて乾燥窒素流で乾燥することにより洗浄される。次に、真空下（＜１０^−６Ｔｏｒｒ）で７００±１５０℃の間の温度まで加熱し、３０分間保持して脱気する。その成長は、コヒーレントＬＰＸ２００ＫｒＦ（２４８ｎｍ）またはＡｒＦ（１９３ｎｍ）エキシマレーザー（１０±８Ｈｚのパルス繰り返し率および３０±１５ｎｓのパルス持続時間）およびＧａ_２Ｏ_３の圧縮／焼結された化学量論的４Ｎ粉末からなる固体ソースを用いて行われる。そのビームは、約１０^８±５ｘ１０^７Ｗ／ｃｍ^２のパワー密度を与えるために、ターゲットに焦点が当てられる。

直径２インチのｃサファイアウェーハの均一な被覆は、ターゲットへの入射レーザービームの光学ラスターを使用して得られる。Ａｌ_２Ｏ_３ターゲットの温度は３８０℃から５５０℃の間に維持され、成長中の酸素圧は１０^−４Ｔｏｒｒである。このようにして、厚さ約３００ｎｍのε／κ−Ｇａ_２Ｏ_３の膜が得られる。成長速度は約５ｎｍ／ｍｉｎである。そして、その膜を管状炉で７００±１００℃で３０分間空気アニールすることにより、ｐ型キャリアを濃縮する。Ｇａ_２Ｏ_３が成長するＡｌ_２Ｏ_３基板は、最新技術で一般的に使用されているＧａ_２Ｏ_３バルク基板よりも安価であるという利点があり、より大きな型とはるかに大きな生産量の両方を得ることができる。これにより、ｐ型Ｇａ_２Ｏ_３の製造に対する本発明のアプローチがより安価になり、迅速な工業化により適している。

また、本発明は、上記の工程によって得られるｐ型Ｇａ_２Ｏ_３（α、β、εまたはκ）薄膜に関する。得られた膜は、成長時間に応じて１ｎｍから１０マイクロメートルの厚さを持ち得る。

また、本発明は、上記の工程によって得られるｐ型Ｇａ_２Ｏ_３（α、β、εまたはκ）膜のｐ-ｎ接合における使用に関し、ｎ型およびｐ型領域は両方とも、上記の工程に従って真性ドープされたＧａ_２Ｏ_３から作られる。

さらに、本発明は、上記の手順によって得られるｐ型Ｇａ_２Ｏ_３薄膜（α、β、εまたはκ）のＵＶＣ光検出器、ｐ型透明電極、耐放射線電子機器（例えばベタボルタイック）、高温電子機器、熱電機器、パワーエレクトロニクス、高周波電子機器、宇宙用電子機器およびその他の応用分野における使用に関する。たとえば、絶縁体上のベータ酸化ガリウムの薄膜で実現された電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）の性能は、２０１７年１月にＩＥＥＥ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ Ｌｅｔｔｅｒｓで発表された「絶縁体（ＧＯＯＩ）電界効果トランジスタ上の高性能空乏／エンハンスメントモードβ−Ｇａ_２Ｏ_３」という論文で紹介された。

ｐ型Ｇａ_２Ｏ_３（α、β、εまたはκ）の非常に広いバンドギャップにより、高電圧／周波数スイッチでの使用が比較的効率的になり、この高効率により、現在高電力／周波数スイッチで使用されているシリコン系デバイスを置き換えることにより、エネルギー消費を削減するのに役立つ可能性があることが分かっている。

本発明に従って得られたｐ型Ｇａ_２Ｏ_３膜の研究および構造的／化学的分析、ならびに電気的特性が、Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｔｏｄａｙ Ｐｈｙｓｉｃｓの論文「ｐ型Ｇａ_２Ｏ_３酸化物；パワーおよびオプトエレクトロニクスデバイスの新しい展望」で発表された。

Claims (12)

1. 欠陥ドーピングによるワイドバンドギャップｐ型Ｇａ_２Ｏ_３（α、β、εまたはκ）の製造手順であって、酸素の化学量論にのみ従って、成長温度、酸化剤ガスの性質／圧力、または成長速度などを制御することにより、不純物元素の添加を必要とせずに、真性欠陥ドーピングによりｐ型酸化ガリウムが形成されるように、従来の薄膜成長技術を使用して、基板上で酸化ガリウムを成長させることを含むｐ型Ｇａ_２Ｏ_３（α、β、εまたはκ）の製造手順。
2. 前記基板は（ａ、ｃ、ｒまたはｍ配向の）サファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ_３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、シリコン（Ｓｉ）、酸化ガリウム（Ｇａ_２Ｏ_３）、炭化ケイ素（ＳｉＣ−４ＨまたはＳｉＣ−６Ｈ）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化銅（ＣｕＯまたはＣｕ_２Ｏ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、ガラス、石英、金属、グラフェン、グラファイト、酸化グラフェン、ポリマーなどであることができる、請求項１に記載のｐ型Ｇａ_２Ｏ_３（α、β、εまたはκ）の製造手順。
3. 前記成長温度を一定に保つか、または３００℃から１５００℃の温度範囲で変化させることができ、前記酸化剤ガスの分圧を一定に保つか、または１０^−２から１０^−１１Ｔｏｒｒの間で（所望のドーピングのレベル／プロファイルに従って）変化させることができる、請求項１または２に記載のｐ型Ｇａ_２Ｏ_３（α、β、εまたはκ）の製造手順。
4. 前記酸化剤雰囲気は、ガス状分子酸素、水蒸気、ガス状オゾン、ガス状一酸化窒素または二酸化窒素（ＮＯまたはＮＯ_２）、またはプラズマ源からの原子状酸素であることができる、請求項１〜３のいずれか一項に記載のｐ型Ｇａ_２Ｏ_３（α、β、εまたはκ）の製造手順。
5. 酸化物または窒化物材料中に存在できる緩衝層の使用を含み、前記緩衝層の厚さは、１ｎｍから５００ｎｍまで変化する、請求項１〜４のいずれか一項に記載のｐ型Ｇａ_２Ｏ_３（α、β、εまたはκ）の製造手順。
6. 酸化ガリウムのｐ型ドーピングの活性化を強化するために、ポストアニール（インサイチュまたはエクスサイチュ）を含み、このアニールは、１０ｎｓから１０時間の間継続する、請求項１〜５のいずれか一項に記載のｐ型Ｇａ_２Ｏ_３（α、β、εまたはκ）の製造手順。
7. 熱的またはレーザーまたはランプによるアニールを含み、前記アニールは、固定温度または可変温度で行うことができ、前記アニールの温度は６００℃から１５００℃の間であり、前記アニールのための雰囲気は、分子状酸素、ＮＯ_２、ＮＯ、オゾン、Ｎ_２、Ａｒ、Ｋｒまたは空気である、請求項６に記載のｐ型Ｇａ_２Ｏ_３（α、β、εまたはκ）の製造手順。
8. レーザーアニールは、Ｇａ_２Ｏ_３のバンドギャップに対応する波長以下の波長（つまり、エネルギー≧５ｅＶ）のＵＶ光（連続波またはパルス）で実現でき、露出時間は１０ｎｓから１秒の間であり、前記光源のエネルギー密度は、１ｍＪ／ｃｍ^２から１ｋＪ／ｃｍ^２の間である、請求項６に記載のｐ型Ｇａ_２Ｏ_３（α、β、εまたはκ）の製造手順。
9. ランプアニールは、ハロゲンランプまたは白熱ランプまたは放電ランプを用いて行うことができ、アニール温度は１５００℃までであり、エネルギー密度は１００Ｊ／ｃｍ^２を超え、１００μｓから３００秒の間継続する、請求項６に記載のｐ型Ｇａ_２Ｏ_３（α、β、εまたはκ）の製造手順。
10. 請求項１から９のいずれか一項に記載の前記製造手順に従って、不純物元素の添加を必要とせずに、真性欠陥ドーピングにより基板上に酸化ガリウムを成長させることにより得られる、厚さが１ｎｍから１０μｍのｐ型Ｇａ_２Ｏ_３（α、β、εまたはκ）の薄膜。
11. Ｇａ_２Ｏ_３系ｐ-ｎ接合における、請求項１から９のいずれか一項に記載の前記製造手順によって得られるｐ型Ｇａ_２Ｏ_３（α、β、εまたはκ）薄膜の使用。
12. ＵＶＣ光検出器、高周波スイッチ、高温電子機器、パワーエレクトロニクス、熱電機器、耐放射線電子機器（例えばベタボルタイック）、および宇宙用電子機器における、請求項１から９のいずれか一項に記載の前記製造手順によって得られるｐ型Ｇａ_２Ｏ_３（α、β、εまたはκ）薄膜のｐ型透明電極としての使用。