JP7477407B2 - 酸化ガリウム系半導体の製造方法 - Google Patents
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Description
《態様1》
酸化ガリウム系半導体の製造方法であって、
400℃以下で、物理蒸着法によって、基材上にGa、O、及びSを含有する薄膜を形成すること、及び
前記基材上に形成された前記薄膜を700℃以上に加熱すること、
を含む、酸化ガリウム系半導体の製造方法。
《態様2》
前記物理蒸着法による前記薄膜の形成と前記薄膜の加熱とを行うサイクルを、複数回行うことを含む、態様1に記載の製造方法。
《態様3》
前記基材がβ-Ga2O3系単結晶である、態様1又は2に記載の製造方法。
《態様4》
製造される酸化ガリウム系半導体が、Ga2(O1-xSx)3、ここで、0.00<x≦0.24である、態様1~3のいずれか一つに記載の製造方法。
《態様5》
前記物理蒸着法が、真空蒸着法、分子線蒸着法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法、コンベンショナル・スパッタリング法、マグネトロン・スパッタリング法、イオンビーム・スパッタリング法、又はECRスパッタリング法である、態様1~4のいずれか一つに記載の製造方法。
《態様6》
前記分子線蒸着法が、パルスレーザー堆積法である、態様5に記載の製造方法。
《態様7》
前記パルスレーザー堆積法を、ターゲットをGaS焼結体とし、かつOを含有するガス雰囲気下で行う、態様6に記載の製造方法。
本開示の製造方法は、400℃以下で、物理蒸着法によって、基材上にGa、O、及びSを含有する薄膜を形成することを含む。
本開示の製造方法に用いられる基材は、その表面にGa2(O,S)3混晶を成膜することによって酸化ガリウム系半導体を得ることができる任意の基材であってよい。より具体的には、基材は、酸化ガリウム単結晶層であってよい。酸化ガリウム単結晶層は、任意の手法で作製したものを用いることができる。酸化ガリウム単結晶層は、α-Ga2O3単結晶、β-Ga2O3単結晶、又は他の結晶構造を有するGa2O3単結晶の層であることができ、好ましくはβ-Ga2O3単結晶の層である。
物理蒸着法によって薄膜を形成する際の温度は、400℃以下である。
本開示の製造方法において使用することができる物理蒸着法は、特に限定するものではないが、例えば真空蒸着法、分子線蒸着法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法、コンベンショナル・スパッタリング法、マグネトロン・スパッタリング法、イオンビーム・スパッタリング法、又はECRスパッタリング法を挙げることができる。
本開示の製造方法は、基材上に形成された薄膜を700℃以上に加熱することを含む。
本開示の製造方法によって製造される酸化ガリウム系半導体は、Ga2(O1-xSx)3であってよい。ここで、0.00<x≦0.24であってよい。xは、0超、0.01以上、0.05以上、0.08以上、0.10以上、又は0.15以上であってよく、0.24以下、0.20以下、0.18以下、0.15以下、又は0.12以下であってよい。
〈実施例1〉
以下の低温成膜プロセス及び高温アニールプロセスをこの順に行って、実施例1の試料を調製した。
パルスレーザー堆積(PLD)法によって、実施例1の酸化ガリウム系半導体を製造した。具体的には、真空チャンバ内にターゲットとしてのGaS焼結体及び基材としての市販のβ-Ga2O3単結晶を配置し、真空チャンバ内を1×10-3Torrまで減圧しつつNOガスを流通させつつ行った。レーザーのエネルギー密度は0.3J/cm3、周波数が10Hz、パルス幅が20ns、かつ波長が248nmであり、堆積時間は100秒であった。
低温成膜プロセス終了後に、真空チャンバの温度を400℃から800℃まで、1000℃/分の昇温速度で昇温させ、その後、800℃で40秒間アニールした。アニール後に、真空チャンバ内の温度を800℃から400℃まで、200℃/分の降温速度で降温させた。
高温アニールプロセスを行わなかったことを除いて実施例1と同様にして、参考例1の試料を調製した。また、高温アニールプロセスにおけるアニール温度を、それぞれ順に650℃、700℃、及び750℃としたことを除いて実施例1と同様にして、参考例2、並びに実施例2及び3の試料を調製した。
低温成膜プロセスにおける真空チャンバ内の温度をそれぞれ順に500℃、700℃、及び900℃としたことを除いて、実施例1と同様にして、低温成膜プロセスを行い、かつ高温アニールプロセスを行わなかったことを除いて、参考例3~5の試料を調製した。
各例の試料の薄膜における、OとSの合計に対するSの組成比を、オージェ電子分光(AES)法によって測定した。
各例の試料の調製の条件及び薄膜の分析・評価結果を、表1に示す。
Claims (7)
- 酸化ガリウム系半導体の製造方法であって、
400℃以下で、物理蒸着法によって、基材上にGa、O、及びSを含有する薄膜を形成すること、及び
前記基材上に形成された前記薄膜を700℃以上に加熱すること、
を含む、酸化ガリウム系半導体の製造方法。 - 前記物理蒸着法による前記薄膜の形成と前記薄膜の加熱とを行うサイクルを、複数回行うことを含む、請求項1に記載の製造方法。
- 前記基材がβ-Ga2O3系単結晶である、請求項1又は2に記載の製造方法。
- 製造される酸化ガリウム系半導体が、Ga2(O1-xSx)3、ここで、0.00<x≦0.24、である、請求項1~3のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記物理蒸着法が、真空蒸着法、分子線蒸着法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法、コンベンショナル・スパッタリング法、マグネトロン・スパッタリング法、イオンビーム・スパッタリング法、又はECRスパッタリング法である、請求項1~4のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記分子線蒸着法が、パルスレーザー堆積法である、請求項5に記載の製造方法。
- 前記パルスレーザー堆積法を、ターゲットをGaS焼結体とし、かつOを含有するガス雰囲気下で行う、請求項6に記載の製造方法。
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