JP2020164959A5 - - Google Patents

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US11900978B1 (en) 2022-08-11 2024-02-13 Western Digital Technologies, Inc. Magnetic recording medium with underlayer configured to reduce diffusion of titanium into a magnetic recording layer
US12272392B2 (en) 2022-08-25 2025-04-08 Western Digital Technologies, Inc. Media structure with selected segregants configured to improve heat-assisted magnetic recording
US12412598B2 (en) 2023-09-01 2025-09-09 Western Digital Technologies, Inc. Media underlayer structure for heat-assisted magnetic recording and media fabrication methods therefor
US12308056B2 (en) 2023-10-12 2025-05-20 Western Digital Technologies, Inc. Magnetic recording medium with magnesium-titanium oxide (MTO) layer formed using pulsed direct current sputter deposition

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103687977B (zh) 2011-07-01 2016-08-17 宇部材料工业株式会社 溅射用MgO靶材
SG11201501372QA (en) 2013-03-29 2015-05-28 Jx Nippon Mining & Metals Corp Mgo-tio sintered compact target and method for producing same
KR102309879B1 (ko) 2013-12-12 2021-10-07 삼성전자주식회사 투명 전도막
WO2016088867A1 (ja) 2014-12-05 2016-06-09 宇部マテリアルズ株式会社 スパッタリング用MgOターゲット材及び薄膜
JP7183158B2 (ja) 2017-06-30 2022-12-05 三井金属鉱業株式会社 担体付き触媒及びその製造方法

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