JP2020161539A5 - - Google Patents

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KR1020200029577A KR102387812B1 (ko) 2019-03-25 2020-03-10 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램
US16/815,284 US20200312632A1 (en) 2019-03-25 2020-03-11 Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium
CN202010177044.7A CN111739779A (zh) 2019-03-25 2020-03-13 基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质

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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210044849A (ko) * 2018-09-20 2021-04-23 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램
WO2021053987A1 (ja) * 2019-09-20 2021-03-25 株式会社Kokusai Electric 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム
WO2021109424A1 (zh) * 2019-12-04 2021-06-10 江苏菲沃泰纳米科技有限公司 电极支架、支撑结构、支架、镀膜设备及应用
CN215925072U (zh) 2020-09-24 2022-03-01 株式会社国际电气 基板处理装置
JP7633113B2 (ja) * 2021-07-21 2025-02-19 株式会社ジェイテクトサーモシステム ヒータ端子カバー、ヒータユニット、および、熱処理装置
KR102622739B1 (ko) * 2022-02-10 2024-01-09 주식회사 유진테크 배치식 기판처리장치
CN115020179B (zh) * 2022-05-31 2025-08-26 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺设备
CN121748250A (zh) * 2024-09-23 2026-03-27 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺腔室及半导体热处理设备

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DD150318A3 (de) * 1980-02-08 1981-08-26 Rainer Moeller Verfahren und rohrreaktor zur plasmachemischen dampfphasenabscheidung und zum plasmaaetzen
JP2010103544A (ja) * 2001-01-11 2010-05-06 Hitachi Kokusai Electric Inc 成膜装置および成膜方法
US20030164143A1 (en) * 2002-01-10 2003-09-04 Hitachi Kokusai Electric Inc. Batch-type remote plasma processing apparatus
KR100829327B1 (ko) * 2002-04-05 2008-05-13 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치 및 반응 용기
WO2005083766A1 (ja) * 2004-02-27 2005-09-09 Hitachi Kokusai Electric Inc. 基板処理装置
US8240271B2 (en) * 2005-11-10 2012-08-14 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus
JP4828599B2 (ja) * 2006-05-01 2011-11-30 株式会社日立国際電気 基板処理装置
JP5098882B2 (ja) * 2007-08-31 2012-12-12 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US20090056877A1 (en) * 2007-08-31 2009-03-05 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
JP2009209447A (ja) * 2008-02-04 2009-09-17 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2010129666A (ja) * 2008-11-26 2010-06-10 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP5099101B2 (ja) * 2009-01-23 2012-12-12 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP5136574B2 (ja) * 2009-05-01 2013-02-06 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
TWI562204B (en) * 2010-10-26 2016-12-11 Hitachi Int Electric Inc Substrate processing apparatus, semiconductor device manufacturing method and computer-readable recording medium
JP5703315B2 (ja) * 2011-02-08 2015-04-15 株式会社アルバック ラジカルエッチング方法
JP5362782B2 (ja) 2011-07-14 2013-12-11 株式会社日立国際電気 基板処埋装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法
JP6125247B2 (ja) * 2012-03-21 2017-05-10 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム
JP6476369B2 (ja) * 2013-03-25 2019-03-06 株式会社Kokusai Electric クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム
JP2017183392A (ja) * 2016-03-29 2017-10-05 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体
JP6567489B2 (ja) * 2016-12-27 2019-08-28 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
CN118315255A (zh) * 2017-08-14 2024-07-09 株式会社国际电气 等离子体生成装置

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