JPWO2021044504A5 - 基板処理装置、プラズマ生成装置、半導体装置の製造方法、プラズマ生成方法およびプログラム - Google Patents
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Claims (20)
- 基板を処理する処理室と、
プラズマを形成するバッファ室と、を備え、
前記バッファ室に、高周波電力が印加される長さが異なる少なくとも２本の印加電極と、基準電位が与えられる基準電極と、を備える基板処理装置。 - 複数の前記基板を積載して保持する基板保持具を備える請求項１に記載の基板処理装置。
- 前記少なくとも２本の印加電極の長さが、前記基板を積載する方向に対して長さが異なるよう構成される請求項１記載の基板処理装置。
- 前記印加電極と前記基準電極を保護する電極保護管を備える請求項１～３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記電極保護管は、前記バッファ室内の上部でＵ字形状をしており、前記Ｕ字形状をしている前記電極保護管内で前記印加電極の長さを調整できる構造をしている請求項４に記載の基板処理装置。
- 前記印加電極は、前記電極保護管の前記Ｕ字形状の曲がり部で折り返し、前記印加電極の先端が前記電極保護管の上部に位置するように配置される請求項５に記載の基板処理装置。
- 前記電極保護管は、前記少なくとも２本の印加電極が接触しないように構成される請求項４～６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記電極保護管は、前記少なくとも２本の印加電極が接触しないように括れ形状を有する請求項７に記載の基板処理装置。
- 前記印加電極を保護する電極保護管と前記基準電極を保護する電極保護管とが、前記バッファ室内の上部で接続されるよう構成される請求項４に記載の基板処理装置。
- 前記印加電極の間に前記基準電極が配置されている請求項１～９のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記バッファ室は、前記処理室内に設けられる請求項１～１０のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記バッファ室は、前記処理室内に複数設けられる請求項１～１１のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記バッファ室は、前記処理室を形成する反応管の内壁に沿って設けられる請求項１～１０のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記基板を加熱する加熱装置を備える請求項１～１３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記印加電極に前記高周波電力を供給する高周波電源を備える請求項１～１４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- プラズマを形成するバッファ室内に、高周波電力が印加される長さが異なる少なくとも２本の印加電極と、基準電位が与えられる基準電極と、が配置されるプラズマ生成装置。
- 基板を処理する処理室と、プラズマを形成するバッファ室と、を備え、前記バッファ室に、高周波電力が印加される長さが異なる少なくとも２本の印加電極と、基準電位が与えられる基準電極と、を備える基板処理装置内に前記基板を搬入する工程と、
前記処理室内に前記プラズマを生成して前記基板を処理する工程と、
前記基板を前記処理室から搬送する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 基板を処理する処理室と、プラズマを形成するバッファ室と、を備え、前記バッファ室に、高周波電力が印加される長さが異なる少なくとも２本の印加電極と、基準電位が与えられる基準電極と、を備える基板処理装置内に前記基板を搬入する手順と、
前記処理室内に前記プラズマを生成して前記基板を処理する手順と、
前記基板を前記処理室から搬送する手順と、
をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラム。 - プラズマを形成するバッファ室内に、高周波電力が印加される長さが異なる少なくとも２本の印加電極と、基準電位が与えられる基準電極と、が配置されるプラズマ生成装置に高周波電力を印加する工程と、
前記バッファ室内にプラズマを発生する工程と、
を有するプラズマ生成方法。 - プラズマを形成するバッファ室内に、高周波電力が印加される長さが異なる少なくとも２本の印加電極と、基準電位が与えられる基準電極と、が配置されるプラズマ生成装置に高周波電力を印加する手順と、
前記バッファ室内にプラズマを発生する手順と、
をコンピュータによって前記プラズマ生成装置に実行させるプログラム。
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