TWI632610B - 基板處理裝置 - Google Patents

基板處理裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI632610B
TWI632610B TW105113014A TW105113014A TWI632610B TW I632610 B TWI632610 B TW I632610B TW 105113014 A TW105113014 A TW 105113014A TW 105113014 A TW105113014 A TW 105113014A TW I632610 B TWI632610 B TW I632610B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
plasma
reaction container
conductor
impedance
substrate processing
Prior art date
Application number
TW105113014A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201709325A (zh
Inventor
佐藤聖信
Original Assignee
東京威力科創股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 東京威力科創股份有限公司 filed Critical 東京威力科創股份有限公司
Publication of TW201709325A publication Critical patent/TW201709325A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI632610B publication Critical patent/TWI632610B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/34—Nitrides
    • C23C16/345—Silicon nitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/452—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by activating reactive gas streams before their introduction into the reaction chamber, e.g. by ionisation or addition of reactive species
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • C23C16/507—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using external electrodes, e.g. in tunnel type reactors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • H01J37/32183—Matching circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

本發明之基板處理裝置，其係將複數片基板成架狀固持於基板固持具並搬入立式反應容器內，再藉由已電漿化的處理氣體，進行基板處理，該基板處理裝置具備：排氣機構，用以使該反應容器內真空排氣；電漿形成室，以沿著該反應容器的側壁往該反應容器的外方側膨出且於縱向延伸的方式形成；處理氣體供給部，經由該電漿形成室，對該基板供給處理氣體；電漿產生用導電體，於該反應容器之外側中，與該電漿形成室相鄰而設置於縱向，並連接至高頻電源；電漿調整用導電體，於該反應容器之外側中，設置於從該導電體觀察為靠近反應容器側的位置；及阻抗調整部，設置於該電漿調整用導電體與接地之間。

Description

基板處理裝置
本發明係關於一種基板處理裝置，其將複數片基板成架狀地固持於基板固持具，並搬入立式反應容器內，將已電漿化的處理氣體供給至基板而進行處理。
現有之基板處理方法如為：於立式反應容器內，對於成架狀地固持於晶舟之半導體晶圓(以下稱「晶圓」)，將由氣體供給部所供給之氣體予以電漿化，而進行成膜處理。例如，使反應容器的側壁之一部分往外方凸出而形成電漿形成室，藉由對在縱向設置於該電漿形成室外部之電極施加高頻電力，而產生電漿。
此電漿之產生狀態會影響成膜，例如，當電漿強度為大時，若搭載於晶舟的晶圓的外緣附近曝露於電漿下，則該外緣附近之膜會收縮，而使得厚度變成較中央區域的膜厚為薄。因此，若電漿強度於晶圓排列方向中為不一致的情形時，膜厚的面內均勻性於該排列方向中有差異，而有無法以良好均勻性進行處理之疑慮。然而，因電漿強度與電極構成有關，故即使改變氣體流量或壓力等處理條件，仍難以調整晶圓排列方向中的電漿強度變化趨勢。
例如，一般習知的構成為：於電漿形成室，設置蜿蜒並延伸於上下方向的電感耦合電漿產生用電極，並於此電極連接高頻電源。又，於電漿形成室外部，配置已接地之接地電極，而抑制於晶圓附近產生電漿。然而，此接地電極並無法於晶圓排列方向中調整電漿強度，故無法解決本發明之課題。
[發明欲解決之問題] 本發明旨在提供一種技術，其在立式反應容器內，對於成架狀地固持於基板固持具之複數基板，供給已電漿化的處理氣體而進行處理時，可改善基板之面內及排列方向之處理均勻性。 [解決問題之方法]
因此，本發明之基板處理裝置，其係將複數片基板成架狀固持於基板固持具並搬入立式反應容器內，再藉由已電漿化的處理氣體，進行基板處理，該基板處理裝置具備： 排氣機構，用以使該反應容器內真空排氣； 電漿形成室，以沿著該反應容器的側壁往該反應容器的外方側膨出且於縱向延伸的方式形成； 處理氣體供給部，經由該電漿形成室，對該基板供給處理氣體； 電漿產生用導電體，於該反應容器之外側中，與該電漿形成室相鄰而設置於縱向，並連接至高頻電源； 電漿調整用導電體，於該反應容器之外側中，設置於從該導電體觀察為靠近反應容器側的位置；及 阻抗調整部，設置於該電漿調整用導電體與接地之間。
又，本發明之其他發明之基板處理裝置，其係將複數片基板成架狀固持於基板固持具並搬入立式反應容器內，再藉由已電漿化的處理氣體，進行基板處理，該基板處理裝置具備： 排氣機構，用以使該反應容器內真空排氣； 電漿形成室，以沿著該反應容器的側壁往該反應容器的外方側膨出且於縱向延伸的方式形成； 處理氣體供給部，經由該電漿形成室，對該基板供給處理氣體； 電漿產生用導電體，於該反應容器之外側中，與該電漿形成室相鄰而設置於縱向，並連接至高頻電源；及 電漿調整用導電體，於該反應容器之外側中，設置於從該導電體觀察為靠近反應容器側的位置，並於反應容器的長度方向分割成複數個， 分割成複數個的該電漿調整用導電體中，至少2個該電漿調整用導電體與接地間的阻抗互不相同。
以下，參考圖式，說明本發明之數種實施形態。又，於所有圖中，對於共同部分賦予共同之參考符號。於以下詳細說明中，為了能充分理解本發明，提供許多具體詳述。然而，即使無如此詳細之說明，熟悉該技藝者當可完成本發明係顯而易見。於其他例中，為避免難以理解各種實施形態，對於周知方法、順序、系統或構成要件，未進一步詳述。 (第1實施形態)
參考圖1及圖2，說明適用本發明之基板處理裝置之立式熱處理裝置之第1實施形態。圖1係立式熱處理裝置之縱剖面圖，圖2係其橫剖面圖。圖1及圖2之符號1，係利用介電質(例如石英)而形成為立式圓筒狀反應管，此反應管1內之上部側以石英製之頂板11加以密封。又，於反應管1之下端側，連結著利用如不鏽鋼而形成為圓筒狀歧管2，藉由反應管1與歧管2形成反應容器10。歧管2之下端係作為基板搬出/搬入口之開口，可藉由設於升降機20之石英製蓋體21，而成氣密關閉。於蓋體21之中央部，貫穿設置著旋轉軸22，於旋轉軸22之上端部搭載著作為基板固持具之晶舟23。
晶舟23具備複數根(例如3根)支柱231，支撐著晶圓W的外緣部，而可將複數片晶圓W固持成架狀。晶舟23構成為：該晶舟23被搬入之反應管1內，可於以蓋體21塞住反應管1之基板搬出/搬入口的處理位置及反應管1下方側的搬出位置之間自由升降，並藉由旋轉機構24透過旋轉軸22而繞著垂直軸周圍自由旋轉。圖1中之25係隔熱單元。
於反應管1的側壁，形成開口部12，於此開口部12的外側，設置電漿產生部3。開口部12形成為如從高於晶舟23上端的位置直至低於下端的晶圓W的位置之上下細長狀，俾以將於電漿產生部3所產生的活性種供給至各晶圓W。此開口部12利用以如石英形成為橫剖面成凹部狀之電漿形成用箱體31，而從外側塞住。如此，電漿形成室32以沿著反應管1的側壁往反應管1的外方側膨出且於縱向延伸的方式形成。電漿產生部3之進一步構成於後說明。
於反應管1中之與開口部12相對的區域，為了使反應管1內之環境排真空，而形成上下細長的排氣口13。於此排氣口13，以覆蓋排氣口13的方式，安裝例如由石英所成並形成剖面為ㄈ字形的排氣蓋構件14。排氣蓋構件14，例如以沿著反應管1側壁上下延伸並覆蓋反應管1上方側的方式構成，例如於排氣蓋構件14之頂部側，形成氣體出口15。於此氣體出口15，為了使反應容器10內排真空，而連接著由真空泵及排氣流量之調整部等所構成之排氣機構16。
於反應管1的外側，以圍住反應管1外周的方式，設置具有頂面之筒狀遮蔽罩17。此遮蔽罩17由金屬所構成且為接地，具備遮蔽電漿產生部3所產生的電場之功能。又，於遮蔽罩17的內側面，設置未圖示之加熱器，可達到加熱反應管1內部的功能。
於上述歧管2的側壁，插入用以供給如矽烷系氣體之二氯矽烷(DCS：SiH2 Cl2 )的第1氣體供給通路41，此第1氣體供給通路41的前端側例如分支成2條，分別連接至氣體噴嘴42、43。氣體噴嘴42、43例如由石英管所成，設置為與排氣口13相對，且於偏離開口部12的位置沿著反應管1側壁往上方延伸。於該等氣體噴嘴42、43，分別沿著其長度方向以既定間隔形成複數個氣體噴注孔421、431。
又，於歧管2的側壁，分別插入用以供給作為處理氣體之氨氣(NH3 )的第2氣體供給通路51的一端、及用以將作為置換用氣體之氮氣(N2 )供給至反應管1內的置換氣體供給通路61的一端。於第2氣體供給通路51的前端部，設置如由石英管所成並作為處理氣體供給部的氣體噴嘴52。氣體噴嘴52設置成於反應管1內往上方延伸途中彎曲，並於上述電漿形成室32內往上方延伸。於該氣體噴嘴52，沿著其長度方向以既定間隔形成複數個氣體噴注孔521。
第1氣體供給通路41的上游側，依序經由閥V1、流量調整部MF1，而連接至DCS氣體供給源44。又，第2氣體供給通路51的上游側，依序經由閥V2、流量調整部MF2，而連接至NH3 氣體供給源53。再者，置換氣體供給通路61的上游側，依序經由閥V3、流量調整部MF3，而連接至N2 氣體供給源62。各閥V1~V3執行氣體之供應或停止；流量調整部MF1~MF3則執行氣體供給量之調整。
接著，說明電漿產生部3。於說明該電漿產生部3時，將靠近載置於晶舟23的晶圓W之側設為前方側；將遠離晶圓W之側設為後方側。於電漿形成室32內，上述氣體噴嘴52設置為：配置於後方側，朝前方側噴注NH3 氣體。於反應管1的外側，以分別與電漿形成室32相鄰的方式，設置成為電漿產生用導電體之一對電極33、34。該等電極33、34構成平行平板電極，設置成：分別沿著與電漿形成用箱體31的左右方向相對的側壁，而於縱向從箱體31的下端部起延伸至上端部。該等電極33、34分別連接著導電通路35的一端，該導電通路35的另一端拉出至遮蔽罩17外側，經由整合電路36而連接至高頻電源37。高頻電源37構成為：可將如13.56MHz的高頻電力施加於電極33、34。
於電漿形成用箱體31的外側，以隔著空間圍住電極33、34的方式，分別配設於縱向延伸且橫剖面為凹部狀的絕緣構件38、39。又，例如於其中之一的絕緣構件38外側，於從電極33觀之為靠近反應管1側的位置，設置電漿調整用的導電體7。導電體7例如形成為俯視成L字形，以橫跨各側壁的方式，配置於絕緣構件38與電漿形成用箱體31的連接部。如圖3所示，此例的導電體7沿著反應管1的長度方向分割成複數個(例如3個)，從上方側起分別設為：第1導電體71、第2導電體72、第3導電體73。此等第1~第3導電體71~73，例如分別形成為從側邊觀之為細長四角形，並以例如從電漿形成用箱體31的下端側覆蓋至上端側的方式，沿著反應管1的長度方向而配置成分別排列於縱向。
第1~第3導電體71~73各自經由作為阻抗調整部的阻抗調整電路81~83而連接至接地。於後述中，有時會以導電體7代表第1~第3導電體71~73，以阻抗調整電路8代表阻抗調整電路81~83。如圖2所示，阻抗調整電路8具備：可變電容器841及可變電感器842，相互串聯；第1切換器85，設置成與可變電容器841及可變電感器842串聯；及第2切換器86，設置成與第1切換器85並聯。以可改變可變電容器841的電容及可變電感842的電感而調整阻抗的方式構成。如此一來，阻抗調整電路81~83之調整範圍構成為：包含從相當於電漿調整用導電體7為接地狀態的阻抗至導電體7相當於浮置狀態的阻抗。
例如，於阻抗調整電路81~83中，藉由將第1及第2切換器85、86設為斷開(off)，而設定為浮置狀態。又，藉由將第1切換器85設為斷開，將第2切換器86設為導通(on)，而設定為接地狀態。藉由將第1切換器85設為導通，將第2切換器86設為斷開，而改變可變電容器841的電容及可變電感器842的電感，以調整第1~第3導電體71~73與接地間的阻抗。如此，藉由將可變電容器841的電容及可變電感器842的電感之變化與第1及第2切換器85、86的導通、斷開之組合，第1~第3導電體71~73與接地間的阻抗，可從浮置狀態調整至已接地狀態。例如，可變電容器841的電容及可變電感器842的電感以手動或自動調整，而第1及第2切換器85、86的導通、斷開狀態則藉由後述之控制部100設定，但亦可以手動設定。又，圖2係顯示利用阻抗調整電路8(81)，將導電體7(71)設定為接地狀態的情形。
使用圖4，說明電漿調整用導電體7及阻抗調整電路8之功能。圖4(a)係顯示未設置導電體7的構成；圖4(b)係顯示設定阻抗調整電路8使導電體7成為浮置狀態的構成；圖4(c)係顯示設定阻抗調整電路8使導電體7成為接地狀態的構成。藉由施加來自高頻電源37的高頻電力，從電極33、34產生電場，於電漿形成室32內，產生電容耦合型電漿並擴散。圖4中，虛線部分P1~P3係顯示各構成中所產生的電漿發光區。利用電極33、34形成可到達晶圓W配置區之電場，因此，電漿雖肉眼看不見，但擴展至發光區外。
如圖4(b)所示，於設定使導電體7成為浮置狀態的情形時，導電體7接收從電極33、34所產生的電場之電位，而具有如電極的功能。因此，如同圖所示，電漿發光區P2往反應管1側擴散，若從反應管1內的晶圓W觀之，成為電漿往晶圓W側靠近的狀態，晶圓W附近的電漿強度變強。
另一方面，如圖4(c)所示，於設定使導電體7成為接地狀態的情形時，因由電極33、34所產生的電場被導電體7吸收，經由導電體7而逸散至接地，使得電場強度變小。因此，與未設置導電體7的情形時相比，電漿發光區P3退縮，藉此，晶圓W周緣部位的電漿強度亦變小。又，圖4(b)、(c)中，簡略繪製阻抗調整電路8。
如此，藉由改變阻抗調整電路8之可變電容器841的電容及可變電感器842的電感，可於維持從高頻電源37所見的阻抗之整合下，改變阻抗而調整高頻的振幅。換言之，藉由使用可變電容器841及可變電感器842，針對高頻的振幅，可確保寬的調整幅度，藉此，可於導電體7為浮置狀態時之「強」的狀態及導電體7為已接地的狀態時之「弱」的狀態之間，自由調整電漿。簡言之，若加大阻抗(接近浮置狀態)，則導電體7作為電極之作用變強，電漿往載置於晶舟23的晶圓W側靠近。反之，若減小阻抗(接近接地狀態)，則被導電體7吸收之程度變大，而使電漿變弱。
如本實施形態所示，於利用平行平板電極形成電漿之裝置中，如圖5(a)所示意之電漿的狀態，電漿有於晶舟23的上段側變強，而於下段側變弱的趨勢。圖5中，虛線並非表示電漿發光區，而為於縱向將電漿強度相同部位連結而成的示意線，圖5(a)顯示未設置電漿調整用導電體7的構成。因此，於此例中，如圖5(b)所示，分別設定各阻抗調整電路81、83，以使上段側的第1導電體71接地而減弱電漿，將下段側的第3導電體73設為浮置狀態以增強電漿。又，設定阻抗調整電路82，使中段側的第2導電體72成為接地狀態及浮置狀態間的阻抗，如此，使晶圓W的排列方向的電漿強度一致。如此，第1~第3導電體71~73各分別連接著阻抗調整電路81~83，因可相互獨立調整阻抗，故可調整反應管1的長度方向(晶圓W的排列方向)的電漿強度。
又圖6(a)顯示設置於反應管1的長度方向且未分割之電漿調整用的導電體7 4，該導電體74為接地的構成。此構成中，因使導電體74接地，故與未設置導電體74的構成相比，電漿變弱，可改善晶舟23上段側的面內均勻性。然而，由於晶圓W的排列方向的電漿強度變化之趨勢無法調整，故於晶舟23下段側電漿產生狀態變得過弱，結果，上段側及下段側的晶圓W的面內均勻性變差。又，圖6(a)、(b)中，右側圖係晶舟中晶圓W的位置與晶圓W上所形成的薄膜的膜厚面內均勻性之關係示意圖。
相對於此，於本實施形態所示之圖6(b)的構成中，以使晶圓W的排列方向(面間方向)的電漿強度成一致的方式，調整第1~第3導電體71~73的阻抗。因此，可使處理的面內均勻性於晶舟23之上段(T)、中段(C)、下段(B)之間一致，可確保良好的面間均勻性(排列方向的均勻性)。
將具備上述構成之立式熱處理裝置與控制部100相連接。控制部100例如由具備CPU與記憶部的電腦所成，記憶部記錄有內建步驟(命令)群的程式，該步驟群係關於立式熱處理裝置的作用，於此例中為於反應管1內對晶圓W進行成膜處理時的控制。此程式係儲存於例如硬碟、光碟、磁光碟、記憶卡等記憶媒體，從該處安裝至電腦。
接著，說明於本發明之立式熱處理裝置所實施的成膜方法之一例。首先，將數片晶圓W以架狀載置於晶舟23，從反應管1下方搬入反應管1內，並以蓋體21關閉基板搬出/搬入口，而使反應管1密閉。接著，利用排氣機構16使反應管1內抽真空，以使成為既定壓力的真空環境，同時將反應管1內的溫度加熱至既定溫度。又，利用旋轉機構24使晶舟23旋轉。
其後，於關閉高頻電源37的狀態下，藉由利用氣體噴嘴42、43對反應管1內供給DCS氣體。反應管1經由以相對於氣體噴嘴42、43夾著晶舟23而相對設置的排氣口13進行真空排氣，因此DCS氣體從反應管1之左右方向的一方向側往另一方向側流通，而使DCS氣體的分子依附於各晶圓W的表面。其後，停止DCS氣體之供給，並對反應管1內供給N2 氣體，以沖淨殘留的DCS氣體。接著，停止N2 氣體之供給，並從氣體噴嘴52開始進行NH3 氣體之噴注，於開始進行該NH3 氣體之噴注的同時，將高頻電源37設為開啟。
此時，分別進行下述設定：第1導電體71的阻抗調整電路81中，使導電體71成為接地狀態；第2導電體72的阻抗調整電路82中，使導電體72成為既定的阻抗；第3導電體73的阻抗調整電路83中，使導電體73成為浮置狀態。於電漿形成室32內，從氣體噴嘴52所噴注之NH3 氣體電離，而產生N自由基、H自由基、NH自由基、NH2 自由基、NH3 自由基等各種活性種。此活性種到達晶圓W表面全面，晶圓W表面的DCS藉由自由基而氮化，而形成SiN膜。
於晶舟23的上段側，藉由將第1導電體71設定成接地狀態而減弱電漿強度，另一方面，於晶舟23的下段側，藉由將第3導電體73設定成浮置狀態而增強電漿強度。又，於第2導電體72的阻抗調整電路82中，調整可變電容器841的電容及可變電感器842的電感，以使晶舟23之中段側與上段側及下段側的電漿強度一致。如此，因電漿強度於晶圓W的排列方向中調整，故可確保排列方向之處理的良好均勻性。
之後，停止NH3 氣體之供給，並供給N2 氣體，以沖淨殘留於反應管1內之NH3 氣體及其分解物。藉由重複數次如此之由DCS氣體之供給、沖淨、NH3 氣體之活性種之供給、沖淨所成的循環，使SiN膜的薄膜於晶圓W表面一層層地堆疊生長，而於晶圓W表面，形成期望厚度的SiN膜。製程結束後，將晶舟23從反應管1搬出。
又，製程不限於以上所述之所謂ALD法，亦可使用例如同時噴注DCS氣體及NH3 氣體之CVD法。
依據上述實施形態，於從電漿產生用之電極33、34所見靠近反應管1側的位置，設置電漿調整用導電體7，並於該導電體7與接地之間設有阻抗調整電路8。因此，藉由調整導電體7與接地間的阻抗，而使從電漿產生用之電極33、34所產生的電場被導電體7吸收的程度改變，故可調整電漿強度。藉此，可改善晶圓W的排列方向的電漿強度的均勻性，使處理的面內均勻性於排列方向一致。於上述成膜處理中，於晶舟23的上段側中，可抑制晶圓W外緣附近膜厚變得較中央部為薄，並使膜厚的面內均勻性於排列方向中一致。結果，可改善膜厚之面內及排列方向的均勻性。
又，將電漿調整用導電體7於反應管1的長度方向分割成複數個，再於各個導電體7分別連接阻抗調整電路8，藉此可獨立調整各導電體7與接地間的阻抗。因此，於反應管1的長度方向中，可更均勻地使電漿產生狀態一致，可進行於晶圓的面內及排列方向具有更良好均勻性之處理。藉此，使處理之再現性變佳，可提升裝置之生產性。再者，因其構成係於電漿形成室32外部設置電漿調整用導電體7，再於該導電體7與接地之間設置阻抗調整電路8，故亦具有利用現有裝置而不需大幅改造裝置之優點。
(第2實施形態) 接著，參考圖7~圖9，說明適用本發明之基板處理裝置之立式熱處理裝置之第2實施形態。此實施形態與第1實施形態之相異點在於電漿產生用導電體之構造。於此例中，用以使於電漿形成室32內產生電感耦合電漿之導電體的電極9，以從電漿形成用箱體31之下端部至上端部於縱向延伸的方式設置。此電極以於縱向延伸途中於前後重複蜿蜒的方式形成，以下記為蜿蜒電極9。該蜿蜒電極9之周圍由絕緣構件91所包圍，設置為如：蜿蜒電極9之上端側於電漿形成用箱體31之上方側，與電漿形成用箱體31成相反方向折返，而垂直延伸至下方側。
於蜿蜒電極9之基端部，連接著導電通路92之一端，而該導電通路92之另一端則拉出至遮蔽罩17之外側，經由整合電路93而連接至高頻電源94。又，蜿蜒電極9之前端部，連接至導電通路95之一端。導電通路95之另一端，而拉出至遮蔽罩17之外側，再經由整合電路93而分支，分支後之一端接地，而分支後之另一端則連接至高頻電源94。高頻電源94例如以將13.56MHz之高頻電力施加於蜿蜒電極9的方式構成。反應管1或遮蔽罩17、第1~第3導電體71~73、第1~第3阻抗調整電路81~83等之其他構成，與第1實施形態相同，對於相同構成構件賦予同一符號而省略說明。
若從高頻電源94施加高頻，則電場以將蜿蜒電極9作為中心而擴散的方式形成，從氣體噴嘴52噴注至靠近電漿形成室32側之NH3 氣體，於電漿形成室32產生電感耦合型電漿。接著，產生NH3 自由基等各種自由基，該等自由基供給至晶圓W。電漿形成用之電極不限於蜿蜒電極9，例如亦可配置線圈狀電極。
於如本實施形態之利用蜿蜒電極9形成電漿之裝置中，如圖9(a)之電漿狀態示意圖所示，電漿有於晶舟23的下段側變強而於上段側變弱之趨勢。又，圖9(a)係為設置電漿調整用導電體7的構成，圖9中之虛線並非為電漿發光區，而是將電漿強度相同部位於縱向連結所成之示意線。因此，於此例中，如圖9(b)所示，分別設定阻抗調整電路81、83，以使上段側的第1導電體71成為浮置狀態而增強電漿，使下段側的第3導電體73接地而減弱電漿。又，設定阻抗調整電路82，使中段側之第2導電體72成為接地狀態與浮置狀態間的阻抗，如此，使晶圓W的排列方向的電漿強度一致。因此，即使於此構成中，亦可使處理的面內均勻性於晶圓W的排列方向中一致，可確保良好的面內均勻性及排列方向的均勻性。
第1實施形態及第2實施形態中，第1~第3導電體71~73係設定為與接地間的阻抗互不相同，但本發明中，只要將電漿調整用之複數個導電體7中之至少2個導電體設定為與接地間的阻抗互不相同即可。例如，於第1實施形態中，將第1導電體71設定為接地狀態，而將第2導電體72及第3導電體73設定為浮置、或與接地間的阻抗互相相同亦可。
(第3實施形態) 接著，參考圖10及圖11，說明適用本發明之基板處理裝置之立式熱處理裝置之第3實施形態。此實施形態與第1實施形態及第2實施形態之相異點為：電漿調整用導電體之構造。此例中，電漿調整用導電體96未分割，設定為於縱向沿著反應管1的長度方向之大致整體而延伸。於導電體96與接地之間，設置與第1及第2實施形態為同樣構成的阻抗調整電路97。反應管1、遮蔽罩17或電漿產生用電極等之其他構成，與第1實施形態或第2實施形態相同，對於相同構成之構件賦予同一符號而省略其說明。
圖10係顯示將本實施形態之導電體96設置於具備第2實施形態之電漿產生用之蜿蜒電極9之構成之立式熱處理裝置。於此例中，因亦可利用阻抗調整電路97調整導電體96與接地間的阻抗，而控制電漿的狀態，故可調整晶圓W的排列方向中的電漿強度。因此，可改善處理的面內均勻性及排列方向的均勻性。
又，如圖11所示，亦可將導電體96縱向設置於反應管1的長度方向之一部分。圖11係顯示將導電體96設置於具備第1實施形態之電漿產生用之電極33、34的構成之例。於此立式熱處理裝置中，如上所述，因上段側的電漿變強，故如圖11(a)所示，將導電體96設置於對應反應管1的上段側之高度位置，而利用阻抗調整電路97，將導電體96設定為接地狀態或接近接地狀態的阻抗。藉此，因可使上段側的電漿變弱，故可使晶圓W的排列方向的電漿強度一致。又，如圖11(b)所示，亦可將導電體96設置於對應反應管1的下段側之高度位置，而利用阻抗調整電路97將導電體96設定為浮置狀態或接近浮置狀態的阻抗。藉此，因下段側的電漿變強，故可使晶圓W的排列方向之電漿強度一致。結果，可改善處理的面內均勻性及排列方向的均勻性。
以上說明中，將電漿調整用導電體設置於從電漿產生用導電體觀察為靠近反應容器側的位置，但此位置不限於反應容器與該導電體間的區域，只要為可調整晶圓所放置區域的電漿強度的位置，則即使為從該區域偏離反應容器的圓周方向的位置亦可包含。又，電漿調整用導電體的形狀不限於上述構成，只要平面形狀為四角形等之可調整電漿強度的形狀即可。又，於第1~第3實施形態的構成中，以將一個電漿調整用導電體設於反應容器的圓周方向的情形時為例加以說明，但例如以分別設置於電漿形成室之相對側壁的情形等，於反應容器的圓周方向之相異位置配置2個以上亦可。
又，作為阻抗調整部的阻抗調整電路，不限於上述之例，亦可使用可變電容器與可變電感器之任一者而構成。再者，阻抗調整電路若為於設定浮置狀態時可切分電漿調整用導電體與接地而於設定接地狀態時可切分該導電體與可變電容器及可變電感器(或可變電容器與可變電感器之任一者)而接地的構成，則不限於上述構成。
再者，於將電漿調整用導電體於反應容器的長度方向分割而設定的情形時，例如，隨著從上段側愈往下段側阻抗變愈小的情形等時，亦可將阻抗固定為事先所設定的值，而不限於阻抗為可變之構成。再者，於將電漿調整用導電體於反應容器的長度方向分割而設置的情形時，該導電體亦可為2個。例如，亦可將反應管1分割為2個，以覆蓋各分割區的方式配置；亦可將反應管1於長度方向分割為3個以上，而配置於其中的2個分割區。例如，於將反應管1於長度方向分割成3個時，亦可僅於上段側的區域及下段側的區域設置導電體。設置2個導電體時，導電體與接地間的阻抗可互不相同，亦可為相同。再者，於將電漿調整用導電體於反應容器的長度方向分割而設置的情形時，不必一定要使其配置成於縱向並排。例如，亦可將上段側的導電體與中段側之導電體彼此設置於圓周方向的不同位置。
以上，以形成SiN膜的情形時為例說明，但本發明中所形成之膜的種類並無特別限定。又，電漿處理係以電漿ALD處理為例說明，但不限於此，對於電漿CVD處理、電漿改質處理、電漿氧化擴散處理、電漿濺鍍處理、電漿氮化處理等使用電漿之全部處理，可適用本發明。
(評價測試) 說明與本發明相關所進行之評價測試。於此評價測試中，使用已述之圖10之立式熱處理裝置，使晶圓搭載於晶舟23之各槽縫，以於實施形態所說明之順序進行ALD，而形成SiN膜。成膜條件設為：將處理壓力於DCS之吸附製程中設為133Pa(1Torr)，於使用電漿之氮化製程中，設為39.9Pa(0.3Torr)；將處理溫度設為550度；將DCS氣體之流量設為1L/分；將NH3 氣體之流量設為1L/分。此時，針對將導電體96設定於接地狀態的情形(實施例1)與將導電體96設定為浮置狀態的情形(實施例2)，分別進行成膜處理，並對於在此等實施例1、實施例2所成膜的晶圓，求得膜厚的面內均勻性。面內均勻性係測定包含晶圓中心之49處之SiN膜的膜厚，藉由(最大膜厚－最小膜厚)/(膜厚之平均值×2)而算出，值愈小代表均勻性愈良好。
此結果示於圖12，分別以◇圖形表示實施例1(接地狀態)，以□圖形表示實施例2(浮置狀態)。又，縱軸代表膜厚的面內均勻性；橫軸的上段(T)代表從晶舟上方算起第3片的晶圓；中段(C)代表從晶舟上方算起第55片的晶圓；下段(B)代表從晶舟上方算起第107片的晶圓之資料。依據圖12，確認於將導電體96設定為接地狀態的情形(實施例1)與設定為浮置狀態的情形(實施例2)中，晶舟23的上段、中段、下段的面內均勻性大幅改變。藉此，確認：利用設置電漿調整用導電體，調整該導電體與接地間的阻抗，可調整膜厚的面內均勻性。資料中，若將導電體96設定為接地狀態，則與設定為浮置狀態時之間，面內均勻性具有寛度，故藉由調整阻抗調整電路97之可變電容器的電容及可變電感器的電感，可將面內均勻性調整成既定之值。又，此評價測試係用以確認利用調整導電體96的阻抗可調整面內均勻性，而並非以改善面內均勻性為目的。
依據本發明，於從電漿產生用導電體觀察為靠近反應容器側的位置設置電漿調整用導電體，並於此導電體與接地之間具備阻抗調整部。藉由調整電漿調整用導電體與接地間的阻抗，可改變從電漿產生用導電體所產生的電場被電漿調整用導電體所吸收之程度，故可調整電漿強度。藉此，可改善基板之排列方向的電漿強度的均勻性，因處理的面內均勻性於該排列方向中一致，故可改善基板的面內及排列方向之處理的均勻性。
又，依據本發明，具備於反應容器的長度方向分割成複數個電漿調整用導電體，於該等分割成複數個電漿調整用導電體中，至少2個構成與接地之間的阻抗互不相同。因此，於基板之排列方向中可使電漿強度調整成更為均勻，可於基板的面內及排列方向中，以良好均勻性進行處理。
此次所揭露之實施形態皆為例示，而非以此為限。事實上，上述實施形態可以多樣形態具體實現。又，上述實施形態在不超出附加請求範圍及其主旨下，亦可以各種形態進行省略、取代或變更。本發明之範圍包含所附加之專利請求範圍及在其均等意義及範圍內中之所有變更。
1‧‧‧反應管
2‧‧‧歧管
3‧‧‧電漿產生部
7‧‧‧導電體
8‧‧‧阻抗調整電路
9‧‧‧蜿蜒電極
10‧‧‧反應容器
11‧‧‧頂板
12‧‧‧開口部
13‧‧‧排氣口
14‧‧‧排氣蓋構件
15‧‧‧氣體出口
16‧‧‧排氣機構
17‧‧‧遮蔽罩
20‧‧‧升降機
21‧‧‧蓋體
22‧‧‧旋轉軸
23‧‧‧晶舟
24‧‧‧旋轉機構
25‧‧‧隔熱單元
31‧‧‧箱體
32‧‧‧電漿形成室
33、34‧‧‧電極
35‧‧‧導電通路
36‧‧‧整合電路
37‧‧‧高頻電源
38、39‧‧‧絕緣構件
41‧‧‧第1氣體供給通路
42、43‧‧‧氣體噴嘴
44‧‧‧DCS氣體供給源
51‧‧‧第2氣體供給通路
52‧‧‧氣體噴嘴
53‧‧‧NH3氣體供給源
61‧‧‧置換氣體供給通路
62‧‧‧N2氣體供給源
71~73‧‧‧第1~第3導電體
74‧‧‧導電體
81~83‧‧‧阻抗調整電路
85‧‧‧第1切換器
86‧‧‧第2切換器
91‧‧‧絕緣構件
92‧‧‧導電通路
93‧‧‧整合電路
94‧‧‧高頻電源
95‧‧‧導電通路
96‧‧‧導電體
97‧‧‧阻抗調整電路
100‧‧‧控制部
231‧‧‧支柱
421、431‧‧‧氣體噴注孔
521‧‧‧氣體噴注孔
841‧‧‧可變電容器
842‧‧‧可變電感器
B‧‧‧下段
C‧‧‧中段
MF1~MF3‧‧‧流量調整部
P1~P3‧‧‧電漿發光區
T‧‧‧上段
V1~V3‧‧‧閥
W‧‧‧晶圓
所附加之圖式納入作為本說明書之一部分以顯示本發明之實施形態，與上述一般說明及後述實施形態之詳細內容，共同說明本發明之概念。
【圖1】適用本發明之基板處理裝置之立式熱處理裝置之第1實施形態之縱剖面圖。
【圖2】立式熱處理裝置之橫剖面圖。
【圖3】立式熱處理裝置之側視圖。
【圖4】(a)~(c)立式熱處理裝置之橫剖面圖。
【圖5】(a)、(b)立式熱處理裝置之縱剖面圖。
【圖6】(a)、(b)用以說明立式熱處理裝置之作用之側視圖及特性圖。
【圖7】適用本發明之基板處理裝置之立式熱處理裝置之第2實施形態之概略立體圖。
【圖8】立式熱處理裝置之橫剖面圖。
【圖9】(a)、(b)立式熱處理裝置之縱剖面圖。
【圖10】適用本發明之基板處理裝置之立式熱處理裝置之第3實施形態之側視圖。
【圖11】(a)、(b)立式熱處理裝置之縱剖面圖。
【圖12】本發明之評價測試結果之特性圖。

Claims (6)

  1. 一種基板處理裝置，其係將複數片基板成架狀固持於基板固持具並搬入立式反應容器內，再藉由已電漿化的處理氣體，進行基板處理，該基板處理裝置具備：排氣機構，用以使該反應容器內真空排氣；電漿形成室，以沿著該反應容器的側壁往該反應容器的外方側膨出且於縱向延伸的方式形成；處理氣體供給部，經由該電漿形成室，對該基板供給處理氣體；電漿產生用導電體，於該反應容器之外側中，與該電漿形成室相鄰而設置於縱向，並連接至高頻電源；電漿調整用導電體，於該反應容器之外側中，設置於從該電漿產生用導電體觀察為靠近反應容器側的位置；及阻抗調整部，設置於該電漿調整用導電體與接地之間。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，該電漿調整用導電體於反應容器的長度方向分割成複數個，於所分割的各導電體與接地之間，設置該阻抗調整部。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，該阻抗調整部之調整範圍，包含相當於該電漿調整用導電體為接地狀態的阻抗。
  4. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，該阻抗調整部之調整範圍，包含相當於該電漿調整用導電體為浮置狀態的阻抗。
  5. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，該阻抗調整部包含可變電容之電容器與電感為可變之電感器。
  6. 一種基板處理裝置，其係將複數片基板成架狀固持於基板固持具並搬入立式反應容器內，再藉由已電漿化的處理氣體，進行基板處理，該基板處理裝置具備：排氣機構，用以使該反應容器內真空排氣；電漿形成室，以沿著該反應容器的側壁往該反應容器的外方側膨出且於縱向延伸的方式形成；處理氣體供給部，經由該電漿形成室，對該基板供給處理氣體；電漿產生用導電體，於該反應容器之外側中，與該電漿形成室相鄰而設置於縱向，並連接至高頻電源；及電漿調整用導電體，於該反應容器之外側中，設置於從該電漿產生用導電體觀察為靠近反應容器側的位置，並於反應容器的長度方向分割成複數個，分割成複數個的該電漿調整用導電體中，至少2個該電漿調整用導電體與接地間的阻抗互不相同。
TW105113014A 2015-05-07 2016-04-27 基板處理裝置 TWI632610B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015-095130 2015-05-07
JP2015095130A JP6515665B2 (ja) 2015-05-07 2015-05-07 基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201709325A TW201709325A (zh) 2017-03-01
TWI632610B true TWI632610B (zh) 2018-08-11

Family

ID=57223210

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105113014A TWI632610B (zh) 2015-05-07 2016-04-27 基板處理裝置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20160326651A1 (zh)
JP (1) JP6515665B2 (zh)
KR (1) KR102021169B1 (zh)
TW (1) TWI632610B (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102009348B1 (ko) * 2017-09-20 2019-08-09 주식회사 유진테크 배치식 플라즈마 기판처리장치
JP6952595B2 (ja) * 2017-12-20 2021-10-20 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置
KR102474847B1 (ko) 2018-04-25 2022-12-06 삼성전자주식회사 가스 인젝터 및 웨이퍼 처리 장치
KR102139296B1 (ko) * 2019-05-02 2020-07-30 주식회사 유진테크 배치식 기판처리장치
WO2021044504A1 (ja) * 2019-09-02 2021-03-11 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、プラズマ生成装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
US11626272B2 (en) * 2020-08-14 2023-04-11 Au Optronics Corporation Sputtering equipment and operation method thereof

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100186898A1 (en) * 2009-01-23 2010-07-29 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0613352A (ja) * 1992-06-29 1994-01-21 Nec Corp プラズマアッシング装置
US5811022A (en) * 1994-11-15 1998-09-22 Mattson Technology, Inc. Inductive plasma reactor
JPH09330798A (ja) * 1996-06-11 1997-12-22 Asahi Glass Co Ltd プラズマ発生装置
JP4326895B2 (ja) * 2003-09-25 2009-09-09 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタリング装置
JP5098882B2 (ja) * 2007-08-31 2012-12-12 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP2010212321A (ja) * 2009-03-09 2010-09-24 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置
JP2015005475A (ja) * 2013-06-24 2015-01-08 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP6037292B2 (ja) * 2013-08-20 2016-12-07 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP6268363B2 (ja) 2013-12-25 2018-01-31 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 ナトリウムイオン二次電池の負極材料用炭素材料とその製造方法、およびそれを用いたナトリウムイオン二次電池

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100186898A1 (en) * 2009-01-23 2010-07-29 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JP6515665B2 (ja) 2019-05-22
TW201709325A (zh) 2017-03-01
KR20160131904A (ko) 2016-11-16
US20160326651A1 (en) 2016-11-10
KR102021169B1 (ko) 2019-09-11
JP2016213033A (ja) 2016-12-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI632610B (zh) 基板處理裝置
TWI719333B (zh) 基板處理設備
US8267041B2 (en) Plasma treating apparatus
US11276562B2 (en) Plasma processing using multiple radio frequency power feeds for improved uniformity
TWI404165B (zh) 基材支撐裝置及包含該裝置之電漿蝕刻裝置
TWI423328B (zh) 電漿處理裝置
JP5443127B2 (ja) プラズマ処理装置
TW201012312A (en) Method for generating hollow cathode plasma and method for treating large area substrate using hollow cathode plasma
TWI602213B (zh) Plasma processing method, and plasma processing apparatus
JP6647354B2 (ja) バッチ式プラズマ基板処理装置
US20200194235A1 (en) Apparatus for manufacturing semiconductor device
JP2009191311A (ja) 原子層成長装置
KR20180014656A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP7107917B2 (ja) 基板処理装置用ガス噴射装置および基板処理装置
KR20210018232A (ko) 기판 처리 장치 및 샤워 헤드
US20150284847A1 (en) Method of Forming an Epitaxial Layer and Apparatus for Processing a Substrate Used for the Method
JP2006278652A (ja) 基板処理装置
KR101696252B1 (ko) 기판처리장치의 샤워헤드 어셈블리
JP6394466B2 (ja) 基板処理装置
US11031214B2 (en) Batch type substrate processing apparatus
KR101798376B1 (ko) 유도결합 플라즈마 처리장치의 유전체창
JP5078656B2 (ja) 原子層成長装置
TW202229639A (zh) 分批型基底處理設備
JP2012097356A (ja) 基板処理装置及び方法
JP2013201157A (ja) プラズマ処理装置