JP2013201157A - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】プラズマを生成して基板に対し処理を行う装置において、プラズマ密度の不均一さが改善されたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、プラズマを生成して基板に対し処理を行うプラズマ処理装置であって、開口部を有し、前記基板が配されて減圧される減圧容器と、前記減圧容器の開口部を覆うよう配され、高周波電流が供給されて高周波電流が第1の方向に流れる平板状電極と、を備えている。前記平板状電極は、前記減圧容器を向く側の面に、前記減圧容器の外側に向けて凹んだ凹部が高周波電流の流れる前記第1の方向に沿って延在して形成された1つの溝を有し、前記凹部の最深部が、前記平板状電極の前記第1の方向と直交する第2の方向における前記平板状電極の幅の中央部に位置する、ことを特徴とする。
【選択図】図2
【解決手段】プラズマ処理装置は、プラズマを生成して基板に対し処理を行うプラズマ処理装置であって、開口部を有し、前記基板が配されて減圧される減圧容器と、前記減圧容器の開口部を覆うよう配され、高周波電流が供給されて高周波電流が第1の方向に流れる平板状電極と、を備えている。前記平板状電極は、前記減圧容器を向く側の面に、前記減圧容器の外側に向けて凹んだ凹部が高周波電流の流れる前記第1の方向に沿って延在して形成された1つの溝を有し、前記凹部の最深部が、前記平板状電極の前記第1の方向と直交する第2の方向における前記平板状電極の幅の中央部に位置する、ことを特徴とする。
【選択図】図2
Description
本発明は、プラズマを生成して基板に対し処理を行うプラズマ処理装置に関する。
プラズマを生成して、基板に対し薄膜を形成するためのプラズマ処理装置が知られている。従来のプラズマ処理装置として、減圧容器と、減圧容器の壁面に設けられた開口部と、開口部を覆うように取り付けられる板状の高周波アンテナ導体と、を備える誘導結合プラズマ(Inductively Coupled Plasma:ICP)方式のプラズマ処理装置が知られている(特許文献1)。
当該プラズマ処理装置は、減圧容器の開口部に高周波アンテナ導体が取り付けられた構造のため、広い範囲に亘って均一性の高いプラズマを生成することができる。特許文献1のプラズマ処理装置では、電極としての高周波アンテナ導体は、一方向に長い平板形状に形成され、通常、長手方向と直交する方向に複数本が並べて配されている。そして、高周波電流は、各電極の長手方向に流れる。
当該プラズマ処理装置は、減圧容器の開口部に高周波アンテナ導体が取り付けられた構造のため、広い範囲に亘って均一性の高いプラズマを生成することができる。特許文献1のプラズマ処理装置では、電極としての高周波アンテナ導体は、一方向に長い平板形状に形成され、通常、長手方向と直交する方向に複数本が並べて配されている。そして、高周波電流は、各電極の長手方向に流れる。
上述のような平板形状の電極では、減圧容器内で生成したプラズマ密度は、通常、電流が流れる方向と直交する電極の幅方向の中央部において最も高く、電極の幅方向におけるプラズ密度は均一には分布していない。
ところで、近年の薄膜太陽電池パネルのように大型化された基板に対しては、均一なアモルファスSi薄膜や微結晶Si薄膜を形成することが望まれ、薄膜形成時に高密度なプラズマが均一に形成されている必要がある。しかし、上述のようにプラズマ密度は電極の幅方向に均一に分布しないために、大型化された基板に対し均一に成膜を行うことは難しい。
本発明は、プラズマを生成して基板に対し処理を行う装置において、プラズマ密度の不均一さが改善されたプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
ところで、近年の薄膜太陽電池パネルのように大型化された基板に対しては、均一なアモルファスSi薄膜や微結晶Si薄膜を形成することが望まれ、薄膜形成時に高密度なプラズマが均一に形成されている必要がある。しかし、上述のようにプラズマ密度は電極の幅方向に均一に分布しないために、大型化された基板に対し均一に成膜を行うことは難しい。
本発明は、プラズマを生成して基板に対し処理を行う装置において、プラズマ密度の不均一さが改善されたプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
本発明の一態様は、プラズマを生成して基板に対し処理を行うプラズマ処理装置であって、
開口部を有し、前記基板が配されて減圧される減圧容器と、
前記減圧容器の開口部を覆うよう配され、高周波電流が供給されて高周波電流が第1の方向に流れる平板状電極と、を備え、
前記平板状電極は、前記減圧容器を向く側の面に、前記減圧容器の外側に向けて凹んだ凹部が高周波電流の流れる前記第1の方向に沿って延在して形成された1つの溝を有し、
前記凹部の最深部が、前記平板状電極の前記第1の方向と直交する第2の方向における前記平板状電極の幅の中央部に位置する、
ことを特徴とする。
開口部を有し、前記基板が配されて減圧される減圧容器と、
前記減圧容器の開口部を覆うよう配され、高周波電流が供給されて高周波電流が第1の方向に流れる平板状電極と、を備え、
前記平板状電極は、前記減圧容器を向く側の面に、前記減圧容器の外側に向けて凹んだ凹部が高周波電流の流れる前記第1の方向に沿って延在して形成された1つの溝を有し、
前記凹部の最深部が、前記平板状電極の前記第1の方向と直交する第2の方向における前記平板状電極の幅の中央部に位置する、
ことを特徴とする。
本発明のプラズマ処理装置によれば、プラズマを生成して基板に対し処理を行う際のプラズマ密度の不均一さが改善される。
以下、本発明のプラズマ処理装置について詳細に説明する。
図1は、本発明の一実施形態であるプラズマ処理装置10の構成を示す概略図である。
図1は、本発明の一実施形態であるプラズマ処理装置10の構成を示す概略図である。
図1に示すプラズマ処理装置10は、生成されるプラズマを用いて、基板に薄膜を形成するCVD装置である。プラズマ処理装置10は、電極板を流れる電流によって生成される磁界により、プラズマを生成するICP方式である。この方式は、モノポールアンテナ等のアンテナ素子の共振により発生する高電圧によりプラズマを生成する容量結合プラズマ(Capacitive Coupled Plasma:CCP)方式と異なる。
(プラズマ処理装置)
以下、薄膜としてアモルファスSi膜を形成する例を用いて、プラズマ処理装置10について説明する。
プラズマ処理装置10は、給電ユニット12と、成膜容器(減圧容器)14と、ガス供給部16と、ガス排気部18と、を有する。
以下、薄膜としてアモルファスSi膜を形成する例を用いて、プラズマ処理装置10について説明する。
プラズマ処理装置10は、給電ユニット12と、成膜容器(減圧容器)14と、ガス供給部16と、ガス排気部18と、を有する。
給電ユニット12は、高周波電源22と、高周波ケーブル24と、マッチングボックス26と、伝送線28,29と、電極板(平板状電極)30と、を有する。
高周波電源22は、例えば、100〜3000Wで数MHz〜数10MHzの高周波電力を電極板30に給電する。マッチングボックス26は、高周波ケーブル24を通して提供される電力が電極板30に効率よく供給されるように、インピーダンスを整合する。マッチングボックス26は、キャパシタおよびインダクタ等の素子を設けた公知の整合回路を備える。
マッチングボックス26から延びる伝送線28は、例えば、一定の幅を備える銅板状の伝送線路であり、電極板30へ、例えば数アンペアの電流を流すことができる。
伝送線29は、電極板30から延び接地されている。
高周波電源22は、例えば、100〜3000Wで数MHz〜数10MHzの高周波電力を電極板30に給電する。マッチングボックス26は、高周波ケーブル24を通して提供される電力が電極板30に効率よく供給されるように、インピーダンスを整合する。マッチングボックス26は、キャパシタおよびインダクタ等の素子を設けた公知の整合回路を備える。
マッチングボックス26から延びる伝送線28は、例えば、一定の幅を備える銅板状の伝送線路であり、電極板30へ、例えば数アンペアの電流を流すことができる。
伝送線29は、電極板30から延び接地されている。
電極板30は、後述する隔壁32上に固定された一方向に長い平板状の部材である。なお、図1において、電極板30は、長手方向断面が示されている。電極板30は、成膜容器14の上部に設けられた開口部41を覆うよう配されている。電極板30は、伝送線28が接続されている端面と伝送線29が接続されている端面との間を、長手方向(図中、X方向)に沿って電流が流れる。電極板30は、例えば、銅、アルミニウム等が用いられる。電極板30の、成膜容器14を向いて配された面(本実施形態では下面)30a(図2参照)には、1本の溝31(図2参照)が形成されている。電極板30の溝31については、後述する。
成膜容器14は、成膜空間40を有している。成膜空間40は、ガラス基板20が配されて減圧される空間である。なお、成膜容器14の上方には、上部空間39が隣接して、成膜容器14と一体に形成されている。開口部41は、上部空間39側に開口する。開口部41には、隔壁32が配され、成膜空間40を上部空間39に対してシールしている。成膜容器14は、例えば、アルミニウム等の材質で形成され、成膜空間40を1〜100Paの減圧状態にできるように、密閉されている。
上部空間39には、マッチングボックス26と、伝送線28,29と、電極板30と、が配されている。隔壁32の上部空間39に面する側には、電極板30が固定されている。電極板30の周囲には、周囲の隔壁32と絶縁するための絶縁部材34が設けられている。絶縁部材34は、例えば石英板である。一方、隔壁32の成膜空間40に面する側には、誘電体36が設けられている。誘電体36には、例えば石英板が用いられる。誘電体36を設けるのは、電極板30がプラズマに晒されるのを防ぎ、かつ効率よくプラズマへ電力を伝播させるためである。
上部空間39には、マッチングボックス26と、伝送線28,29と、電極板30と、が配されている。隔壁32の上部空間39に面する側には、電極板30が固定されている。電極板30の周囲には、周囲の隔壁32と絶縁するための絶縁部材34が設けられている。絶縁部材34は、例えば石英板である。一方、隔壁32の成膜空間40に面する側には、誘電体36が設けられている。誘電体36には、例えば石英板が用いられる。誘電体36を設けるのは、電極板30がプラズマに晒されるのを防ぎ、かつ効率よくプラズマへ電力を伝播させるためである。
成膜容器14の成膜空間40には、ヒータ42と、サセプタ44と、昇降機構46と、が設けられている。
ヒータ42は、サセプタ44に載置するガラス基板20を所定の温度、例えば250℃程度に加熱する。
サセプタ44は、ガラス基板20を載置する。
昇降機構46は、ガラス基板20を載置したサセプタ44をヒータ42ともに、成膜空間40内を自在に昇降する。成膜プロセス段階では、電極板30に近接するように、ガラス基板20を所定の位置にセットする。
ヒータ42は、サセプタ44に載置するガラス基板20を所定の温度、例えば250℃程度に加熱する。
サセプタ44は、ガラス基板20を載置する。
昇降機構46は、ガラス基板20を載置したサセプタ44をヒータ42ともに、成膜空間40内を自在に昇降する。成膜プロセス段階では、電極板30に近接するように、ガラス基板20を所定の位置にセットする。
ガス供給部16は、ガスタンク48と、マスフローコントローラ50と、を有する。
ガスタンク48は、薄膜用原料ガスであるモノシランガス(SiH4)を貯蔵する。
マスフローコントローラ50は、モノシランガスの流量を調整する部分である。例えば形成される膜の膜厚や膜質等の結果に応じてモノシランガスの流量を調整することができる。モノシランガスは、成膜容器14の成膜空間40の側壁から成膜空間40内に供給される。
ガスタンク48は、薄膜用原料ガスであるモノシランガス(SiH4)を貯蔵する。
マスフローコントローラ50は、モノシランガスの流量を調整する部分である。例えば形成される膜の膜厚や膜質等の結果に応じてモノシランガスの流量を調整することができる。モノシランガスは、成膜容器14の成膜空間40の側壁から成膜空間40内に供給される。
ガス排気部18は、成膜空間40内の側壁から延びる排気管と、ターボ分子ポンプ52と、ドライポンプ54と、を有する。ドライポンプ54は、成膜空間40内を粗引きし、ターボ分子ポンプ52は、成膜空間40内の圧力を1×10-4Pa以下に高精度に減圧を維持する。ターボ分子ポンプ52とドライポンプ54とは、排気管で接続されている。
(電極板)
次に、図2及び図3を参照しながら、電極板30について詳細に説明する。
図2は、電極板30を示す斜視図である。図3は、電極板30の幅方向断面を示す図である。
電極板30の溝31には、電極板30の上面側に凹んだ凹部33が形成されている。凹部33は、電極板30の長手方向(第1の方向)に延びて形成されている。凹部33は、電極板30の長手方向と直交する幅方向(第2の方向)に滑らかに湾曲する凹曲面からなり、電極板30の幅方向両端部に対して、幅方向中央部に近づくにつれ凹部33の深さが深くなるように凹んでいる。凹部33の凹み深さが最も深い最深部33aは、電極板30の幅方向中央部にある。中央部とは、電極板30の幅方向の中央(中心)から電極板30の幅の30%以内の範囲をいう。このような構造により、中央部の断面積が小さくなり、その結果中央部の抵抗が高くなるので、電極板30の幅方向中央部において高周波電流は、幅方向両端部よりも小さくなり、幅方向中央部の鉛直下方の、成膜空間40内における電磁波の強度は低くなる。その結果、中央部が、生成するプラズマに与える影響は相対的に小さくなる。
次に、図2及び図3を参照しながら、電極板30について詳細に説明する。
図2は、電極板30を示す斜視図である。図3は、電極板30の幅方向断面を示す図である。
電極板30の溝31には、電極板30の上面側に凹んだ凹部33が形成されている。凹部33は、電極板30の長手方向(第1の方向)に延びて形成されている。凹部33は、電極板30の長手方向と直交する幅方向(第2の方向)に滑らかに湾曲する凹曲面からなり、電極板30の幅方向両端部に対して、幅方向中央部に近づくにつれ凹部33の深さが深くなるように凹んでいる。凹部33の凹み深さが最も深い最深部33aは、電極板30の幅方向中央部にある。中央部とは、電極板30の幅方向の中央(中心)から電極板30の幅の30%以内の範囲をいう。このような構造により、中央部の断面積が小さくなり、その結果中央部の抵抗が高くなるので、電極板30の幅方向中央部において高周波電流は、幅方向両端部よりも小さくなり、幅方向中央部の鉛直下方の、成膜空間40内における電磁波の強度は低くなる。その結果、中央部が、生成するプラズマに与える影響は相対的に小さくなる。
また、凹部33は、図3に示すように、絶縁部材35で埋められている。凹部33に絶縁部材35が埋められることにより、放電を引き起こす余地をなくすことができる。なお、図3において、絶縁部材35は、破線で示す。また、図3において、絶縁部材34や誘電体36等の、電極板30周辺の部材の図示は省略している。なお、凹部33に配される絶縁部材35は、他の実施形態では、凹部33の空間の全てを埋めるよう設けられていなくてもよく、例えば、電極板30の下面30a側にのみ配され、この部分と最深部33aとの間に空間を有してもよい。この場合、この空間は、放電を抑制するために、成膜プロセスにおける成膜容器14内の圧力よりも高い圧力の雰囲気を有することが好ましく、例えば大気圧の雰囲気を有することができる。
以上のプラズマ処理装置10を用いたアモルファスSi薄膜の成膜プロセスでは、まず、成膜の対象であるガラス基板20をサセプタ44に載置し、昇降機構46により、電極板30に近接するよう所定の高さ位置にセットされる。そして、ガラス基板20は、ヒータ42により加熱される。一方、ガス供給部16からモノシランガスが、マスフローコントローラ50により流量を調整されながら、成膜容器14の成膜空間40内に供給される。このとき、高周波電源22から電極板30に高周波電流が供給されることにより、成膜空間40内に誘導電界が発生し、この誘導電界によって成膜空間40内のモノシランガスが電離し、プラズマが生成する。これにより、ガラス基板20表面にアモルファスSi薄膜が形成される。なお、成膜空間40は、プロセスの間、常時、ガス排気部18によって排気され、成膜空間40内で成膜に用いられなかったモノシランガスは排気される。
この成膜プロセスにおいて、電極板30の幅方向中央部に最深部33aを有する凹部33が形成されているため、電極板30を流れる電流は、電極板30の幅方向両端部では幅方向中央部よりも多く、成膜空間40内の両端部の鉛直下方の場所の電磁波の強度は、従来に比べて高くなり、成膜空間40内の中央部の鉛直下方の場所の電磁波の強度は、従来に比べて低くなる。このため、電極板30の幅方向中央部がプラズマに与える影響は相対的に小さくなる。また、電極板30の中央部の表面は、両端部の表面に比べて、凹部33の深さ分成膜空間40から離れているので、成膜空間40内の中央部の鉛直下方の場所の電磁波の強度は低下する。これにより、電極板30の幅方向中央部の鉛直下方の成膜空間40内の場所におけるプラズマ密度が小さくなり、電極板30の幅方向におけるプラズマ密度の分布の不均一さが緩和される。これにより、電極板30の幅方向に不均一に成膜されてしまうのが改善される。
また、凹部33は、電極板30の幅方向中央部に近づくにつれ凹部33の深さが深くなるように凹んでいるため、生成するプラズマの密度が、従来に比べて、近接する幅方向位置同士で大きく異なることが少なくなり、ガラス基板20上に形成された薄膜の不均一さが強調されるのを回避できる。また、凹部33は滑らかな凹曲面からなるため、このような効果がより顕著に現れる。
なお、本実施形態の凹部33は、中央部に向かって深さが滑らかに深くなる形状を有するが、複数の微小な段差によって中央部に進むほど段階的に深さが深くなる形状を有してもよい。
なお、本実施形態の凹部33は、中央部に向かって深さが滑らかに深くなる形状を有するが、複数の微小な段差によって中央部に進むほど段階的に深さが深くなる形状を有してもよい。
(変形例1)
次に、本実施形態の変形例1について説明する。
図4は、電極板30とは異なる電極板60の斜視図である。図5は、電極板60の幅方向断面図である。
電極板60は、下面60aに、電極板60の長手方向に延びる1つの溝61を有し、溝61の断面は、凹部63の形状を成している。凹部63は、下面60aに対して段差を伴って形成された凹部底面63aを有する。凹部底面63aは、下面60aと平行な面を有し、一定の凹み深さを有している。また、変形例1において、絶縁部材34は、電極板60を囲むとともに、図5に示すように、電極板60の凹部63の入り口を覆うように配されている。なお、図5において、絶縁部材34は、破線で示す。また、図5において、凹部63内に配された部分以外の絶縁部材64や誘電体等の、電極板60周辺の部材は、図示を省略している。凹部63内に配された絶縁部材64は、電極板60の下面60aを形成するよう平面状に形成され、凹部底面63aとの厚み方向間にスペース63bを形成している。このスペース63bは、成膜プロセスにおいて、グロー放電を抑制するために、成膜容器内の圧力よりも高い圧力、例えば大気圧を示す。
次に、本実施形態の変形例1について説明する。
図4は、電極板30とは異なる電極板60の斜視図である。図5は、電極板60の幅方向断面図である。
電極板60は、下面60aに、電極板60の長手方向に延びる1つの溝61を有し、溝61の断面は、凹部63の形状を成している。凹部63は、下面60aに対して段差を伴って形成された凹部底面63aを有する。凹部底面63aは、下面60aと平行な面を有し、一定の凹み深さを有している。また、変形例1において、絶縁部材34は、電極板60を囲むとともに、図5に示すように、電極板60の凹部63の入り口を覆うように配されている。なお、図5において、絶縁部材34は、破線で示す。また、図5において、凹部63内に配された部分以外の絶縁部材64や誘電体等の、電極板60周辺の部材は、図示を省略している。凹部63内に配された絶縁部材64は、電極板60の下面60aを形成するよう平面状に形成され、凹部底面63aとの厚み方向間にスペース63bを形成している。このスペース63bは、成膜プロセスにおいて、グロー放電を抑制するために、成膜容器内の圧力よりも高い圧力、例えば大気圧を示す。
このような変形例1によれば、電極板60の幅方向両端部の断面積が中央部に比べて大きく、中央部の抵抗が高くなるので、両端部に電流が流れ易い。この結果、電極板60の幅方向両端部それぞれの鉛直下方の場所において、電流の流れる量が多いために、成膜空間40内の、電極板60の両端部の鉛直下方の場所における電磁波の強度は高くなる。一方、電極板60の中央部に流れる弱い電流によって形成される、中央部の鉛直下方の場所における電磁波の強度は弱いため、電極板60の中央部の鉛直下方の場所に形成される電磁波の強度は中央部でピークになるものの、穏やかな山形状分布を示す。したがって、この電磁波の強度分布に応じて形成されるプラズマ密度の分布は、電極板60の幅方向全域にわたって比較的フラットなものとなり、幅方向におけるプラズマ密度の不均一さが緩和されている。したがって、この変形例1の電極板60を用いたプラズマ処理装置によっても、ガラス基板20に対し、電極板30の幅方向に不均一に成膜されてしまうのが改善される。
(変形例2)
次に、本実施形態の変形例2について説明する。
図6は、プラズマ処理装置の電極板30付近を拡大して模式的に示す幅方向断面図である。なお、図6において、マッチンボックス等は、図示を省略する。
変形例2のプラズマ処理装置は、上述の電極板30を3本備えている。3本の電極板30は、電極板30の幅方向に等間隔に、互いに平行に配されている。電極板30は、いずれも凹部33が下方を向いて配され、絶縁部材64を介して隔壁32に固定されている。マッチングボックス26から延びる伝送線28は、3つに分岐して、それぞれ、各電極板30の長手方向の一方の端面に接続されている。また、各電極板30の長手方向の他方の端面からは、伝送線29が延びてそれぞれ接地されている。これにより、高周波電源22からの高周波電流が、各電極板30に対して、分岐して供給される。
次に、本実施形態の変形例2について説明する。
図6は、プラズマ処理装置の電極板30付近を拡大して模式的に示す幅方向断面図である。なお、図6において、マッチンボックス等は、図示を省略する。
変形例2のプラズマ処理装置は、上述の電極板30を3本備えている。3本の電極板30は、電極板30の幅方向に等間隔に、互いに平行に配されている。電極板30は、いずれも凹部33が下方を向いて配され、絶縁部材64を介して隔壁32に固定されている。マッチングボックス26から延びる伝送線28は、3つに分岐して、それぞれ、各電極板30の長手方向の一方の端面に接続されている。また、各電極板30の長手方向の他方の端面からは、伝送線29が延びてそれぞれ接地されている。これにより、高周波電源22からの高周波電流が、各電極板30に対して、分岐して供給される。
この変形例2によれば、幅方向に複数の電極板30が配されていることで、各電極板30において上述のようにプラズマ密度の不均一さが改善される効果に加え、それぞれの電極版30によるプラズマ密度の分布が重なり合うことによるプラズマ密度の不均一さが改善される効果が得られる。
なお、プラズマ処理装置が複数の電極板を備える場合の電極板の数は、3本に制限されず、2本又は4本以上であってよい。この場合、高周波電流を各電極板に対して均等に供給することが容易な点で、偶数本用いることが好ましい。また、複数の電極板を用いる場合に、電極板同士は、互いに間隔をあけず、絶縁部材を挟んで配されてもよい。
なお、プラズマ処理装置が複数の電極板を備える場合の電極板の数は、3本に制限されず、2本又は4本以上であってよい。この場合、高周波電流を各電極板に対して均等に供給することが容易な点で、偶数本用いることが好ましい。また、複数の電極板を用いる場合に、電極板同士は、互いに間隔をあけず、絶縁部材を挟んで配されてもよい。
(実験例)
従来のプラズマ処理装置及び本発明のプラズマ処理装置を用いて、プラズマ密度として電子密度の分布をそれぞれ測定し、比較した。
従来のプラズマ処理装置では、下面が凹部を有しない平坦な形状の電極板を用い、本発明のプラズマ処理装置では、下面が上述の電極板30と同様の形状の電極版を用いた点を除き、同様に構成した2台のプラズマ処理装置を用意した。
なお、各装置で用いた電極板は、1本である。電極板のサイズは、いずれも幅75mm、縦(長手方向)150mm、厚さ12mmであった。さらに、本発明の装置では、電極板の下面に、幅63mm、最深部の深さ10mmの凹部を形成した。最深部は、凹部の幅方向中央部に形成した。また、凹部は、下面の幅方向両端部にそれぞれ幅6mmの平坦部分が残るよう、下面の幅方向中央に形成した。
従来のプラズマ処理装置及び本発明のプラズマ処理装置を用いて、プラズマ密度として電子密度の分布をそれぞれ測定し、比較した。
従来のプラズマ処理装置では、下面が凹部を有しない平坦な形状の電極板を用い、本発明のプラズマ処理装置では、下面が上述の電極板30と同様の形状の電極版を用いた点を除き、同様に構成した2台のプラズマ処理装置を用意した。
なお、各装置で用いた電極板は、1本である。電極板のサイズは、いずれも幅75mm、縦(長手方向)150mm、厚さ12mmであった。さらに、本発明の装置では、電極板の下面に、幅63mm、最深部の深さ10mmの凹部を形成した。最深部は、凹部の幅方向中央部に形成した。また、凹部は、下面の幅方向両端部にそれぞれ幅6mmの平坦部分が残るよう、下面の幅方向中央に形成した。
以上の要領で用意した各プラズマ処理装置において、電極板に、2kWで13.56MHzの高周波電流を流して、成膜空間内でプラズマを発生させ、電極板の幅方向にわたる電子密度の分布を測定した。測定は、ラングミュアプローブを用いて行った。試料ガスとして、アルゴンガスを用いた。結果を、図7に示す。なお、図7において、(a)は、従来のプラズマ処理装置、(b)は、本発明のプラズマ処理装置、によるそれぞれ測定結果である。各グラフにおいて、縦軸は電子密度を示す。各測定値は、最大値が1となるよう規格化した。横軸は、電極板の幅方向を示す。横軸は、幅方向中央部の幅方向位置を0とし、幅方向中央部から最も離れた幅方向両端部の位置が−1,1となるよう規格化した。
図7から明らかなように、本発明のプラズマ処理装置では、従来のプラズマ処理装置に比べ、電極板の幅方向にわたるプラズマ密度の高低差が半分程度に抑えられており、プラズマ密度の不均一さが改善されている。
以上、本発明のプラズマ処理装置について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更をしてもよいのはもちろんである。
10 プラズマ処理装置
14 成膜容器
20 ガラス基板
28,29 伝送線
30,60 電極板
30a,60a 下面
31,61 溝
33,63 凹部
33a,63a 最深部
34,35,64 絶縁部材
40 成膜空間
63b スペース
14 成膜容器
20 ガラス基板
28,29 伝送線
30,60 電極板
30a,60a 下面
31,61 溝
33,63 凹部
33a,63a 最深部
34,35,64 絶縁部材
40 成膜空間
63b スペース
Claims (6)
- プラズマを生成して基板に対し処理を行うプラズマ処理装置であって、
開口部を有し、前記基板が配されて減圧される減圧容器と、
前記減圧容器の開口部を覆うよう配され、高周波電流が供給されて高周波電流が第1の方向に流れる平板状電極と、を備え、
前記平板状電極は、前記減圧容器を向く側の面に、前記減圧容器の外側に向けて凹んだ凹部が高周波電流の流れる前記第1の方向に沿って延在して形成された1つの溝を有し、
前記凹部の最深部が、前記平板状電極の前記第1の方向と直交する第2の方向における前記平板状電極の幅の中央部に位置する、
ことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記凹部は、前記第2の方向における前記平板状電極の両端部に対して、前記中央部に進むにしたがって前記凹部の深さが深くなるように凹んでいる、
請求項1に記載のプラズマ処理装置。 - 前記平板状電極の凹部は、滑らかな凹曲面からなる、
請求項2に記載のプラズマ処理装置。 - 前記平板状電極の凹部は、前記減圧容器の内側を向く面に対して段差のある凹部底面を有する、
請求項2に記載のプラズマ処理装置。 - 前記平板状電極は、絶縁部材で囲まれ、さらに、前記凹部の面と前記減圧容器との間には、前記減圧容器の圧力よりも高い圧力の空間を画するように絶縁部材が設けられている、
請求項1〜3のいずれかに記載のプラズマ処理装置。 - 前記平板状電極を第1平板状電極というとき、前記第1平板状電極に沿って並列状に並べて配された少なくとも1つ以上の第2平板状電極を有し、前記第1平板状電極と前記第2平板状電極は、高周波電流を分岐して供給される、
請求項1から4のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
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---|---|---|---|---|
WO2011058608A1 (ja) * | 2009-11-13 | 2011-05-19 | 日新電機株式会社 | プラズマ処理装置 |
WO2011108219A1 (ja) * | 2010-03-03 | 2011-09-09 | 三井造船株式会社 | 薄膜形成装置 |
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