JP5362782B2 - 基板処埋装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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そこで、反応室内の圧力を上げるには原料を急速に供給することが必要となる。通常原料ガスの供給は、MFCを使用するが、MFCの最大流量の制限から供給速度が制限されてしまう。
図6はガス供給配管にガス溜め部を取り付けた例を示す図である。
図6に示すように、ガス溜め部10の前後のガス供給配管51に開閉用の第1、第2バルブ1、2をそれぞれ設け、原料ガスの供給の際には、MFC27とガス溜め部10との間にある第1バルブ1を開けて原料ガスを一旦ガス溜め部10に溜めてから、ガス溜め部10と反応室である反応管6との間にある第2バルブ2を開けるという動作を実施する。するとガス溜め部10と反応管6との間には配管51と開いた第2バルブ2しかなく、MFC27を通す従来の供給法ではさらにMFC27と長い配管51があることからそれに比べて、経路のコンダクタンスが大きくなり、供給速度が大きくなる。式を用いて説明すると、供給速度、コンダクタンス、圧力の関係式Q=C×(P1−P2)である。ここでQは供給速度(Pa・m3/sec)、Cはコンダクタンス(m3/sec)、P1、P2は配管前後の圧力(Pa)を示す。
基板を処理する処理室と、
前記処理室内で前記基板を回転させる回転機構と、
処理ガスを前記処理室内に供給するガス供給系と、
前記処理室内の雰囲気を排気する排気系と、
前記回転機構、前記ガス供給系及び前記排気系を制御する制御部と、を備え、
前記ガス供給系は、前記処理室に接続されたガス供給路と、前記ガス供給路の開閉を行うガス供給バルブと、を有し、
前記排気系は、前記処理室に接続された排気路と、前記排気路の開閉を行う排気バルブと、を有し、
前記制御部は、前記処理ガスを前記処理室内に供給するときは、前記排気バルブを閉じて前記処理室内の排気を実質的に停止した状態で、前記ガス供給バルブを開いて前記ガス供給路から前記処理ガスを前記処理室内に供給するように前記ガス供給系及び前記排気系を制御し、
前記制御部は、前記処理ガスを周期的に前記処理室内に供給する際、前記処理ガスが前記基板に対し、先に供給される時の前記基板の周縁箇所と、その次に前記処理ガスが供給される時の前記基板の周縁箇所とが、異なる箇所になるように前記処理ガスの供給周期又は前記基板の回転周期を制御することを特徴とする基板処理装置が提供される。
基板を処理する処理室と、
前記処理室内で前記基板を回転させる回転機構と、
前記処理室内に第1の処理ガスを供給する第1ガス供給系と、
前記処理室内に第2の処理ガスを供給する第2ガス供給系と、
前記処理室内の雰囲気を排気する排気系と、
前記回転機構、前記第1ガス供給系、前記第2ガス供給系及び前記排気系を制御する制御部と、を備え、
前記第1ガス供給系は、前記処理室に接続された第1ガス供給路と、前記第1ガス供給路の開閉を行う第1ガス供給バルブと、を有し、
前記第2ガス供給系は、前記処理室に接続された第2ガス供給路と、前記第2ガス供給路の開閉を行う第2ガス供給バルブと、を有し、
前記排気系は、前記処理室に接続された排気路と、前記排気路の開閉を行う排気バルブと、を有し、
前記制御部は、前記第1の処理ガスを前記処理室内に供給するときは、前記排気バルブを閉じて前記処理室内の排気を実質的に停止した状態で、前記第1ガス供給バルブを開いて前記第1ガス供給路から前記第1の処理ガスを前記処理室内に供給するように前記第1ガス供給系及び前記排気系を制御し、
前記制御部は、前記第2の処理ガスを前記処理室内に供給するときは、前記排気バルブを開いて前記処理室内の排気を実施した状態で、前記第2ガス供給バルブを開いて前記第2ガス供給路から前記第2の処理ガスを前記処理室内に供給するように前記第2ガス供給系及び前記排気系を制御し、
前記制御部は、前記第1の処理ガスと前記第2の処理ガスとを周期的に前記処理室内に供給する際、前記第1の処理ガスが前記基板に対し、先に供給される時の前記基板の周縁箇所と、その次に前記第1の処理ガスが供給される時の前記基板の周縁箇所とが、異なる箇所になるように前記第1の処理ガスの供給周期又は前記基板の回転周期を制御することを特徴とする基板処理装置が提供される。
本発明によれば、処理室内に基板を収容する工程と、前記処理室内で前記基板を回転させた状態で、前記処理室内に第1の処理ガスと第2の処理ガスとを周期的に供給して、前記基板を処理する工程と、を有し、前記基板を処理する工程において、前記処理室内に前記第1の処理ガスを供給するときは、前記処理室内の排気を実質的に停止した状態で、前記第1の処理ガスを前記処理室内に供給し、前記処理室内に前記第2の処理ガスを供給するときは、前記処理室内の排気を実施した状態で、前記第2の処理ガスを前記処理室内に供給し、前記処理室内に前記第1の処理ガスと前記第2の処理ガスとを周期的に供給する際は、前記第1の処理ガスが前記基板に対し、先に供給される時の前記基板の周縁箇所と、その次に前記第1の処理ガスが供給される時の前記基板の周縁箇所とが、異なる箇所になるように前記第1の処理ガスの供給周期又は前記基板の回転周期を制御することを特徴とする基板処理方法が提供される。
本発明によれば、処理室内に基板を収容する工程と、前記処理室内で前記基板を回転させた状態で、前記処理室内に処理ガスを周期的に供給して、前記基板を処理する工程と、を有し、前記基板を処理する工程において、前記処理室内に前記処理ガスを供給するときは、前記処理室内の排気を実質的に停止した状態で、前記処理ガスを前記処理室内に供給し、前記処理室内に前記処理ガスを周期的に供給する際は、前記処理ガスが前記基板に対し、先に供給される時の前記基板の周縁箇所と、その次に前記処理ガスが供給される時の前記基板の周縁箇所とが、異なる箇所になるように前記処理ガスの供給周期又は前記基板の回転周期を制御することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
本発明によれば、処理室内に基板を収容する工程と、前記処理室内で前記基板を回転させた状態で、前記処理室内に第1の処理ガスと第2の処理ガスとを周期的に供給して、前記基板を処理する工程と、を有し、前記基板を処理する工程において、前記処理室内に前記第1の処理ガスを供給するときは、前記処理室内の排気を実質的に停止した状態で、前記第1の処理ガスを前記処理室内に供給し、前記処理室内に前記第2の処理ガスを供給するときは、前記処理室内の排気を実施した状態で、前記第2の処理ガスを前記処理室内に供給し、前記処理室内に前記第1の処理ガスと前記第2の処理ガスとを周期的に供給する際は、前記第1の処理ガスが前記基板に対し、先に供給される時の前記基板の周縁箇所と、その次に前記第1の処理ガスが供給される時の前記基板の周縁箇所とが、異なる箇所になるように前記第1の処理ガスの供給周期又は前記基板の回転周期を制御することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
本発明の実施の形態にておこなった、基板へのプロセス処理例としてALD(Atomic Layer Deposition)法を用いた成膜処理について説明する。
図1及び図2に示すように、ヒータ31の内側に、被処理基板である例えば直径200mmのウェーハ(基板)7を処理する反応室を構成する石英製の反応管6が設けられる。反応管6の下端開口はシールキャップ35により気密に閉塞され、シールキャップ35にボート39が立設されて反応管6内に挿入される。ボート39は、軸受18に回転自在に軸支されている回転軸19を介して回転機構20に連結されており、処理の均一性を向上する為にボート39(基板7)が回転し得る構造になっている。ボート39にはバッチ処理される複数の基板7が水平姿勢で管軸方向に多段に積載される。前記ヒータ31は反応管6内の基板7を所定の温度に加熱するようになっている。
第2バッファ室41は、反応管6の内壁と基板7との間の空間、図示例では反応管6の内壁に沿って円弧状に設けられている。また、第2バッファ室41は、反応管6の内壁に沿っていると共に、反応管6の内壁の下部より上部までわたって基板7の積載方向に沿って設けられている。第2バッファ室41の基板7と隣接する壁の端部にはガス供給口としての第2バッファ室孔46が設けられている。この第2バッファ室孔46は反応管6(基板7)の中心へ向けて開口している。
図3(a)は、図1に示されたノズルの斜視図であり、(b)は、同じく図1に示された第2バッファ室41の斜視図である。
活性化したNH3活性種である。
従って、ノズル孔47を通過して第2バッファ室41に噴出するNH3は、流速において、上流側で速く下流側で遅くなるが、流量においては、全てのノズル孔47において同一となる。
この第2バッファ室41に噴出したNH3は、ここに一旦導入され、第2バッファ室41の内部の圧力は均一になる。
さらに、第2バッファ室孔46は、多段に載置された基板7の間隔の中間に位置するよう設けることにより、処理用ガスであるNH3は、積載された各基板7へ充分に供給される。
このときの反応管6内圧力はNH3のときよりも高い圧力266〜931Paに昇圧する。DCSの供給により下地膜上のNH3とDCSとが表面反応して、Si3N4膜が成膜される。
しかし、本実施の形態において、DCSの供給は、ノズル43と第2バッファ室41の組合わせよりも簡易的な、第1バッファ室42を用いて、ガス流量を等しくすれば、基板7において充分均一な成膜処理が可能である。
また、第1ガス供給配管51のMFC27の下流側には、ガス溜め部10をバイパスするバイパスラインであるバイパス配管11が接続されている。
第1、第2、第3バルブ1、2、3を開閉することにより、第1ガス供給配管51を介して第1の種類のガスとしてのDCSガスをガス溜め部10に溜めたり、溜めたDCSガスを反応管6に供給できたり、ガス溜め部10を使用せずにDCSガスをバイパス配管11を介して反応管6に供給できるようになっている。
原料ガスとしてDCS及びNH3を用いた場合について説明する。NH3のガス供給配管52(ライン)はガス溜め部10がなく、DCSはガス溜め部10を有するガス供給配管51(ライン)を使って供給を行う例で示す。下記の例ではガス溜め部10がない配管を用いて原料ガスを先に反応管6内に流しているが、ガス溜め部10を有する配管を使って原料ガスを先に流す方法でも同様である。
2 第2バルブ
3 第3バルブ
4 第4バルブ
6 反応管
7 基板
10 ガス溜め部
20 回転機構
11 バイパス配管
40 ガス排気配管
41 第2バッファ室
42 第1バッファ室
46 第2バッファ室孔
48 第1バッファ室孔
51 第1ガス供給配管
52 第2ガス供給配管
60 制御部
Claims (15)
- 基板を処理する処理室と、
前記処理室内で前記基板を回転させる回転機構と、
処理ガスを前記処理室内に供給するガス供給系と、
前記処理室内の雰囲気を排気する排気系と、
前記回転機構、前記ガス供給系及び前記排気系を制御する制御部と、を備え、
前記ガス供給系は、前記処理室に接続されたガス供給路と、前記ガス供給路の開閉を行うガス供給バルブと、を有し、
前記排気系は、前記処理室に接続された排気路と、前記排気路の開閉を行う排気バルブと、を有し、
前記制御部は、前記処理ガスを前記処理室内に供給するときは、前記排気バルブを閉じて前記処理室内の排気を実質的に停止した状態で、前記ガス供給バルブを開いて前記ガス供給路から前記処理ガスを前記処理室内に供給するように前記ガス供給系及び前記排気系を制御し、
前記制御部は、前記処理ガスを周期的に前記処理室内に供給する際、前記処理ガスが前記基板に対し、先に供給される時の前記基板の周縁箇所と、その次に前記処理ガスが供給される時の前記基板の周縁箇所とが、異なる箇所になるように前記処理ガスの供給周期又は前記基板の回転周期を制御することを特徴とする基板処理装置。 - 前記ガス供給系は、前記ガス供給バルブより上流側に配置され前記処理ガスを溜めるガス溜り部を更に有し、
前記制御部は、前記ガス供給バルブを閉じた状態で、前記処理ガスを前記ガス供給路に供給して前記処理ガスを前記ガス溜り部に溜めた後、前記ガス供給バルブを開いて前記ガス溜り部に溜めた前記処理ガスを前記処理室内に供給するよう前記ガス供給系を制御することを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、前記処理ガスの供給周期と前記基板の回転周期とが一定時間以上同期しないように前記回転機構又は前記ガス供給系を制御することを特徴とする請求項1または2に記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記処理ガスの供給周期と前記基板の回転周期とを異ならせるように前記回転機構又は前記ガス供給系を制御することを特徴とする請求項1または2に記載の基板処理装置。
- 前記処理ガスは、プラズマにより励起しない状態で前記処理室内に供給されることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 基板を処理する処理室と、
前記処理室内で前記基板を回転させる回転機構と、
前記処理室内に第1の処理ガスを供給する第1ガス供給系と、
前記処理室内に第2の処理ガスを供給する第2ガス供給系と、
前記処理室内の雰囲気を排気する排気系と、
前記回転機構、前記第1ガス供給系、前記第2ガス供給系及び前記排気系を制御する制御部と、を備え、
前記第1ガス供給系は、前記処理室に接続された第1ガス供給路と、前記第1ガス供給路の開閉を行う第1ガス供給バルブと、を有し、
前記第2ガス供給系は、前記処理室に接続された第2ガス供給路と、前記第2ガス供給路の開閉を行う第2ガス供給バルブと、を有し、
前記排気系は、前記処理室に接続された排気路と、前記排気路の開閉を行う排気バルブと、を有し、
前記制御部は、前記第1の処理ガスを前記処理室内に供給するときは、前記排気バルブを閉じて前記処理室内の排気を実質的に停止した状態で、前記第1ガス供給バルブを開いて前記第1ガス供給路から前記第1の処理ガスを前記処理室内に供給するように前記第1ガス供給系及び前記排気系を制御し、
前記制御部は、前記第2の処理ガスを前記処理室内に供給するときは、前記排気バルブを開いて前記処理室内の排気を実施した状態で、前記第2ガス供給バルブを開いて前記第2ガス供給路から前記第2の処理ガスを前記処理室内に供給するように前記第2ガス供給系及び前記排気系を制御し、
前記制御部は、前記第1の処理ガスと前記第2の処理ガスとを周期的に前記処理室内に供給する際、前記第1の処理ガスが前記基板に対し、先に供給される時の前記基板の周縁箇所と、その次に前記第1の処理ガスが供給される時の前記基板の周縁箇所とが、異なる箇所になるように前記第1の処理ガスの供給周期又は前記基板の回転周期を制御することを特徴とする基板処理装置。 - 前記第1ガス供給系は、前記第1ガス供給バルブより上流側に配置され前記第1の処理ガスを溜めるガス溜り部を更に有し、
前記制御部は、前記第1ガス供給バルブを閉じた状態で、前記第1の処理ガスを前記第1ガス供給路に供給して前記第1の処理ガスを前記ガス溜り部に溜めた後、前記第1ガス供給バルブを開いて前記ガス溜り部に溜めた前記第1の処理ガスを前記処理室内に供給するよう前記第1ガス供給系を制御することを特徴とする請求項6に記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、前記第1の処理ガスの供給周期と前記基板の回転周期とが一定時間以上同期しないように前記回転機構又は前記第1ガス供給系を制御することを特徴とする請求項6または7に記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記第1の処理ガスの供給周期と前記基板の回転周期とを異ならせるように前記回転機構又は前記第1ガス供給系を制御することを特徴とする請求項6または7に記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記第1の処理ガスと前記第2の処理ガスとを交互に前記処理室内に供給するように前記第1ガス供給系及び前記第2ガス供給系を制御することを特徴とする請求項6乃至9のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記第1の処理ガスは、プラズマにより励起しない状態で前記処理室内に供給され、前記第2の処理ガスは、プラズマにより励起された状態で前記処理室内に供給されることを特徴とする請求項6乃至10のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 処理室内に基板を収容する工程と、
前記処理室内で前記基板を回転させた状態で、前記処理室内に処理ガスを周期的に供給して、前記基板を処理する工程と、を有し、
前記基板を処理する工程において、
前記処理室内に前記処理ガスを供給するときは、前記処理室内の排気を実質的に停止した状態で、前記処理ガスを前記処理室内に供給し、
前記処理室内に前記処理ガスを周期的に供給する際は、前記処理ガスが前記基板に対し、先に供給される時の前記基板の周縁箇所と、その次に前記処理ガスが供給される時の前記基板の周縁箇所とが、異なる箇所になるように前記処理ガスの供給周期又は前記基板の回転周期を制御することを特徴とする基板処理方法。 - 処理室内に基板を収容する工程と、
前記処理室内で前記基板を回転させた状態で、前記処理室内に第1の処理ガスと第2の処理ガスとを周期的に供給して、前記基板を処理する工程と、を有し、
前記基板を処理する工程において、
前記処理室内に前記第1の処理ガスを供給するときは、前記処理室内の排気を実質的に停止した状態で、前記第1の処理ガスを前記処理室内に供給し、
前記処理室内に前記第2の処理ガスを供給するときは、前記処理室内の排気を実施した状態で、前記第2の処理ガスを前記処理室内に供給し、
前記処理室内に前記第1の処理ガスと前記第2の処理ガスとを周期的に供給する際は、前記第1の処理ガスが前記基板に対し、先に供給される時の前記基板の周縁箇所と、その次に前記第1の処理ガスが供給される時の前記基板の周縁箇所とが、異なる箇所になるように前記第1の処理ガスの供給周期又は前記基板の回転周期を制御することを特徴とする基板処理方法。 - 処理室内に基板を収容する工程と、
前記処理室内で前記基板を回転させた状態で、前記処理室内に処理ガスを周期的に供給して、前記基板を処理する工程と、を有し、
前記基板を処理する工程において、
前記処理室内に前記処理ガスを供給するときは、前記処理室内の排気を実質的に停止した状態で、前記処理ガスを前記処理室内に供給し、
前記処理室内に前記処理ガスを周期的に供給する際は、前記処理ガスが前記基板に対し、先に供給される時の前記基板の周縁箇所と、その次に前記処理ガスが供給される時の前記基板の周縁箇所とが、異なる箇所になるように前記処理ガスの供給周期又は前記基板の回転周期を制御することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 処理室内に基板を収容する工程と、
前記処理室内で前記基板を回転させた状態で、前記処理室内に第1の処理ガスと第2の処理ガスとを周期的に供給して、前記基板を処理する工程と、を有し、
前記基板を処理する工程において、
前記処理室内に前記第1の処理ガスを供給するときは、前記処理室内の排気を実質的に停止した状態で、前記第1の処理ガスを前記処理室内に供給し、
前記処理室内に前記第2の処理ガスを供給するときは、前記処理室内の排気を実施した状態で、前記第2の処理ガスを前記処理室内に供給し、
前記処理室内に前記第1の処理ガスと前記第2の処理ガスとを周期的に供給する際は、前記第1の処理ガスが前記基板に対し、先に供給される時の前記基板の周縁箇所と、その次に前記第1の処理ガスが供給される時の前記基板の周縁箇所とが、異なる箇所になるように前記第1の処理ガスの供給周期又は前記基板の回転周期を制御することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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