JP2020155190A

JP2020155190A - 磁気テープ、磁気テープカートリッジおよび磁気記録再生装置

Info

Publication number: JP2020155190A
Application number: JP2019054337A
Authority: JP
Inventors: 吉弘沢屋敷; Yoshihiro Sawayashiki; 成人笠田; Naruto Kasada
Original assignee: Fujifilm Corp
Current assignee: Fujifilm Corp
Priority date: 2019-03-22
Filing date: 2019-03-22
Publication date: 2020-09-24
Anticipated expiration: 2039-03-22
Also published as: US20200302962A1; JP7098562B2; US11355147B2

Abstract

【課題】六方晶ストロンチウムフェライト粉末およびε−酸化鉄粉末からなる群から選ばれる強磁性粉末を含む磁性層とバックコート層とを有し、ドロップアウトの低減が可能な磁気テープを提供すること。【解決手段】非磁性支持体の一方の表面側に強磁性粉末を含む磁性層を有し、他方の表面側に非磁性粉末を含むバックコート層を有し、上記強磁性粉末は六方晶ストロンチウムフェライト粉末およびε−酸化鉄粉末からなる群から選択される強磁性粉末であり、上記バックコート層の表面における高さが５０ｎｍ以上７５ｎｍ未満の突起の個数が、７００個／６４００μｍ２以下である磁気テープ。この磁気テープを含む磁気カートリッジおよび磁気記録再生装置。【選択図】なし

Description

本発明は、磁気テープ、磁気テープカートリッジおよび磁気記録再生装置に関する。

磁気記録媒体にはテープ状のものとディスク状のものがあり、データバックアップ、アーカイブ等のデータストレージ用途には、テープ状の磁気記録媒体、即ち磁気テープが主に用いられている。磁気テープとしては、非磁性支持体の磁性層を有する表面側とは反対の表面側にバックコート層を有する磁気テープが知られている（特許文献１参照）。

特開２００５−８５３０５号公報

特許文献１には、実施例として、磁性層に強磁性金属粉末を含む磁気テープが開示されている。これに対し、近年、高密度記録適性等の観点から、磁気記録のために使用する強磁性粉末として、六方晶ストロンチウムフェライト粉末およびε−酸化鉄粉末が注目を集めている。

そこで本発明者らが、六方晶ストロンチウムフェライト粉末およびε−酸化鉄粉末からなる群から選ばれる強磁性粉末を含む磁性層とバックコート層とを有する磁気テープについて検討したところ、ドロップアウトが顕著に発生する現象が確認された。ドロップアウトとは、信号の読み取り不良であり、ドロップアウトの発生はエラーレートを増加させてしまうため、低減することが望まれる。

本発明の一態様は、六方晶ストロンチウムフェライト粉末およびε−酸化鉄粉末からなる群から選ばれる強磁性粉末を含む磁性層とバックコート層とを有し、ドロップアウトの低減が可能な磁気テープを提供することを目的とする。

本発明の一態様は、
非磁性支持体の一方の表面側に強磁性粉末を含む磁性層を有し、他方の表面側に非性粉末を含むバックコート層を有する磁気テープであって、
上記強磁性粉末は、六方晶ストロンチウムフェライト粉末およびε−酸化鉄粉末からなる群から選択される強磁性粉末であり、
上記バックコート層の表面における高さが５０ｎｍ以上７５ｎｍ未満の突起の個数が、７００個／６４００μｍ^２以下である磁気テープ、
に関する。

一態様では、上記バックコート層の表面における高さが７５ｎｍ以上の突起の個数は、２００個／６４００μｍ^２以下であることができる。

一態様では、上記磁性層の表面においてメチルエチルケトン洗浄後に光学干渉法により測定されるスペーシングＳ_{ａｆｔｅｒ}と、上記磁性層の表面においてメチルエチルケトン洗浄前に光学干渉法により測定されるスペーシングＳ_{ｂｅｆｏｒｅ}との差分（Ｓ_{ａｆｔｅｒ}−Ｓ_{ｂｅｆｏｒｅ}）は、０ｎｍ超１５．０ｎｍ以下であることができる。以下において、上記差分を、「メチルエチルケトン洗浄前後のスペーシング差分（Ｓ_{ａｆｔｅｒ}−Ｓ_{ｂｅｆｏｒｅ}）」または単に「差分（Ｓ_{ａｆｔｅｒ}−Ｓ_{ｂｅｆｏｒｅ}）」とも記載する。

一態様では、上記磁気テープは、上記非磁性支持体と上記磁性層との間に、非磁性粉末を含む非磁性層を有することができる。

本発明の一態様は、上記磁気テープを含む磁気テープカートリッジに関する。

本発明の一態様は、上記磁気テープと、磁気ヘッドと、を含む磁気記録再生装置に関する。

本発明の一態様によれば、六方晶ストロンチウムフェライト粉末およびε−酸化鉄粉末からなる群から選ばれる強磁性粉末を含む磁性層とバックコート層とを有し、ドロップアウトの低減が可能な磁気テープを提供することができる。また、本発明の一態様によれば、かかる磁気テープを含む磁気記録再生装置を提供することができる。

［磁気テープ］
本発明の一態様は、非磁性支持体の一方の表面側に強磁性粉末を含む磁性層を有し、他方の表面側に非磁性粉末を含むバックコート層を有する磁気テープであって、上記強磁性粉末は、六方晶ストロンチウムフェライト粉末およびε−酸化鉄粉末からなる群から選択される強磁性粉末であり、上記バックコート層の表面における高さが５０ｎｍ以上７５ｎｍ未満の突起の個数が７００個／６４００μｍ^２以下である磁気テープに関する。

ドロップアウトの発生には磁性層表面の凹みが影響し、この凹みは磁気テープが巻かれた状態でバックコート層表面の突起が磁性層表面に食い込むこと（いわゆる「写り」）により形成され得る。
上記の点に関して本発明者らは鋭意検討を重ねる中で、六方晶ストロンチウムフェライト粉末およびε−酸化鉄粉末からなる群から選ばれる強磁性粉末を含む磁性層を有する磁気テープにおいて、ドロップアウトの発生に大きく影響する凹みを磁性層に形成し得るバックコート層表面の突起は、高さが５０ｎｍ以上７５ｎｍ未満の突起であるとの新たな知見を得たうえで更に検討を重ねた。その結果、バックコート層表面の高さが５０ｎｍ以上７５ｎｍ未満の突起の個数を７００個／６４００μｍ^２以下とすることが、六方晶ストロンチウムフェライト粉末およびε−酸化鉄粉末からなる群から選ばれる強磁性粉末を含む磁性層を有する磁気テープにおいてドロップアウトを低減することにつながることを新たに見出した。
これに対し、特開２００５−８５３０５号公報（特許文献１）には、バックコート層表面の高さが５０ｎｍ以上７５ｎｍ未満の突起の個数を、上記範囲を超える範囲に制御すべきことが提案されている。しかし本発明者らは、バックコート層表面の高さが５０ｎｍ以上７５ｎｍ未満の突起の個数をそのような範囲にすると、六方晶ストロンチウムフェライト粉末およびε−酸化鉄粉末からなる群から選ばれる強磁性粉末を含む磁性層を有する磁気テープでは、ドロップアウトの発生を抑制することは困難であることを新たに見出した。これは、磁気テープに従来使用されていた強磁性粉末を含む磁性層と比べて、六方晶ストロンチウムフェライト粉末およびε−酸化鉄粉末からなる群から選択される強磁性粉末を含む磁性層は一般に異方性磁界Ｈｋが高いためと推察される。詳しくは、次の通りである。磁性層表面に凹みが存在すると、磁性層に記録されたデータを再生するために磁性層表面と磁気ヘッドとを接触させ摺動させる際の磁性層表面と磁気ヘッドとの間の距離（スペーシング）は、凹みの深さ分広がってしまう。スペーシングが広がることは信号の読み取り不良の発生原因となり得る。六方晶ストロンチウムフェライト粉末およびε−酸化鉄粉末からなる群から選択される強磁性粉末を含む磁性層は一般に異方性磁界Ｈｋが高いため、スペーシングの広がりがわずかであっても、その影響を受け易いと推察される。そのため、バックコート層表面の高さが５０ｎｍ以上７５ｎｍ未満の突起の個数を特開２００５−８５３０５号公報（特許文献１）に記載されている範囲よりも低減し、この突起に起因する磁性層表面の凹みの形成を抑制することが、ドロップアウトの低減につながると考えられる。
ただし上記には本発明者らの推察が含まれ、かかる推察に本発明は限定されるものではない。また、本明細書に記載の他の推察にも、本発明は限定されない。
以下、上記磁気テープについて、更に詳細に説明する。本発明および本明細書において、磁気テープの「バックコート層（の）表面」とは、磁気テープのバックコート層側表面と同義であり、「磁性層（の）表面」とは、磁気テープの磁性層側表面と同義である。

＜バックコート層＞
（突起の個数）
上記磁気テープは、非磁性支持体の磁性層を有する表面側とは反対の表面側に、非磁性粉末を含むバックコート層を有する。このバックコート層の表面における高さが５０ｎｍ以上７５ｎｍ未満の突起の個数は、７００個／６４００μｍ^２以下である。ドロップアウトの更なる低減の観点から、上記突起の個数は、５００個／６４００μｍ^２以下であることが好ましく、３００個／６４００μｍ^２以下であることがより好ましく、１００個／６４００μｍ^２以下であることが更に好ましく、５０個／６４００μｍ^２以下であることが一層好ましく、３０個／６４００μｍ^２以下であることがより一層好ましく、１０個／６４００μｍ^２以下であることが更に一層好ましい。上記突起の個数は、例えば、１個／６４００μｍ^２以上、２個／６４００μｍ^２以上または３個／６４００μｍ^２以上であることもできる。上記突起の個数が少ないことはドロップアウト低減の観点から好ましいため、上記突起の個数は、０個／６４００μｍ^２以上であることもでき、０個／６４００μｍ^２であることもできる。
また、上記バックコート層の表面における高さが７５ｎｍ以上の突起の個数は、２００個／６４００μｍ^２以下であることが好ましく、１００個／６４００μｍ^２以下であることがより好ましく、５０個／６４００μｍ^２以下であることが更に好ましく、１０個／６４００μｍ^２以下であることが一層好ましく、５個／６４００μｍ^２以下であることがより一層好ましい。上記バックコート層の表面における高さが７５ｎｍ以上の突起の個数は、例えば、０個／６４００μｍ^２以上、１個／６４００μｍ^２以上、２個／６４００μｍ^２以上または３個／６４００μｍ^２以上であることができる。

バックコート層表面の高さ５０ｎｍ以上７５ｎｍ未満の突起の個数および高さ７５ｎｍ以上の突起の個数は、原子間力顕微鏡（ＡｔｏｍｉｃＦｏｒｃｅＭｉｃｒｏｓｃｏｐｅ；ＡＦＭ）によりバックコート層表面の面積８０μｍ×８０μｍの領域において測定される値とする。バックコート層表面の異なる３箇所の測定領域において得られた値の算術平均として、上記突起の個数を求める。測定条件の一例としては、下記の測定条件を挙げることができる。後述の実施例に示す突起の個数は、下記測定条件下での測定によって求められた値である。

（バックコート層の非磁性粉末）
バックコート層は、非磁性粉末および結合剤を含む層である。バックコート層の非磁性粉末は、カーボンブラックおよび無機粉末のいずれか一方または両方であることができる。例えば、バックコート層の非磁性粉末として、平均粒子サイズが１７〜５０ｎｍのカーボンブラック（以下、「微粒子カーボンブラック」と記載する。）を使用し、その含有量を調整することによって、バックコート層表面の突起の個数を制御することができる。また、上記の微粒子カーボンブラックより平均粒子サイズが大きいカーボンブラックを併用してもよく、併用しなくてもよい。併用する場合、例えば、平均粒子サイズが７５〜３００ｎｍのカーボンブラック（以下、「粗粒子カーボンブラック」と記載する。）を上記の微粒子カーボンブラックと併用し、両カーボンブラックの混合比率を調整することによって、バックコート層の突起の個数を制御することができる。バックコート層において、バックコート層のカーボンブラックの含有量については、カーボンブラックの合計量が、バックコート層の固形分総量に対して、例えば３０〜７０質量％の範囲であることができ、４０〜６０質量％の範囲であることが好ましい。平均粒子サイズが１７〜５０ｎｍの微粒子カーボンブラックと平均粒子サイズが７５〜３００ｎｍの粗粒子カーボンブラックとを併用する場合、それらの混合比率は、前者：後者＝９８：２〜７５：２５の範囲であることが好ましく、９７：３〜８５：１５の範囲であることがより好ましい。

バックコート層は、カーボンブラックとともに、一種以上の無機粉末を含むことができ、含まなくてもよい。無機粉末としては、例えば、平均粒子サイズが５〜２５０ｎｍでモース硬度が５〜９の無機粉末が挙げられる。無機粉末としては、一般に非磁性層に使用される非磁性粉末、一般に磁性層に研磨剤として使用される非磁性粉末等を挙げることができ、中でもα−酸化鉄、α−アルミナ等が好ましい。バックコート層の無機粉末の含有量は、結合剤１００．０質量部に対して、好ましくは０〜４０．０質量部の範囲であり、より好ましくは０〜３５．０質量部の範囲であり、更に好ましくは０〜３０．０質量部の範囲である。

バックコート層は上記非磁性粉末を含み、結合剤を含むことができ、更に任意に一種以上の添加剤を含むことができる。バックコート層に含まれ得る結合剤および添加剤については、バックコート層に関する公知技術を適用することができ、磁性層および／または非磁性層の処方に関する公知技術を適用することもできる。例えば、特開２００６−３３１６２５号公報の段落００１８〜００２０および米国特許第７，０２９，７７４号明細書の第４欄６５行目〜第５欄３８行目の記載を、バックコート層について参照できる。また、バックコート層の分散剤として、例えば、カプリル酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、オレイン酸、エライジン酸、リノール酸等の炭素数８〜１８の脂肪酸、オレイン酸銅、銅フタロシアニン、硫酸バリウム、塩基性有機色素化合物等を使用することができる。これらは、一種単独で使用してもよく、二種以上を組み合わせて使用してもよい。バックコート層の分散剤の含有量は、結合剤１００．０質量部に対して、例えば０．５〜２０．０質量部であることができる。

＜磁性層＞
（強磁性粉末）
上記磁気テープの磁性層は、六方晶ストロンチウムフェライト粉末およびε−酸化鉄粉末からなる群から選択される強磁性粉末を含む。強磁性粉末として平均粒子サイズの小さいものを使用することは、記録密度向上の観点から好ましい。この点から、強磁性粉末の平均粒子サイズは５０ｎｍ以下であることが好ましく、４５ｎｍ以下であることがより好ましく、４０ｎｍ以下であることが更に好ましく、３５ｎｍ以下であることが一層好ましく、３０ｎｍ以下であることがより一層好ましく、２５ｎｍ以下であることが更に一層好ましく、２０ｎｍ以下であることがなお一層好ましい。一方、磁化の安定性の観点からは、強磁性粉末の平均粒子サイズは５ｎｍ以上であることが好ましく、８ｎｍ以上であることがより好ましく、１０ｎｍ以上であることが更に好ましく、１５ｎｍ以上であることが一層好ましく、２０ｎｍ以上であることがより一層好ましい。

上記磁気テープの磁性層には、強磁性粉末として、六方晶ストロンチウムフェライト粉末のみが含まれていてもよく、ε−酸化鉄粉末のみが含まれていてもよく、六方晶ストロンチウムフェライト粉末およびε−酸化鉄粉末が含まれていてもよい。以下、六方晶ストロンチウムフェライト粉末およびε−酸化鉄粉末について、更に説明する。

六方晶ストロンチウムフェライト粉末
本発明および本明細書において、「六方晶フェライト粉末」とは、Ｘ線回折分析によって、主相として六方晶フェライト型の結晶構造が検出される強磁性粉末をいうものとする。主相とは、Ｘ線回折分析によって得られるＸ線回折スペクトルにおいて最も高強度の回折ピークが帰属する構造をいう。例えば、Ｘ線回折分析によって得られるＸ線回折スペクトルにおいて最も高強度の回折ピークが六方晶フェライト型の結晶構造に帰属される場合、六方晶フェライト型の結晶構造が主相として検出されたと判断するものとする。Ｘ線回折分析によって単一の構造のみが検出された場合には、この検出された構造を主相とする。六方晶フェライト型の結晶構造は、構成原子として、少なくとも鉄原子、二価金属原子および酸素原子を含む。二価金属原子とは、イオンとして二価のカチオンになり得る金属原子であり、ストロンチウム原子、バリウム原子、カルシウム原子等のアルカリ土類金属原子、鉛原子等を挙げることができる。本発明および本明細書において、六方晶ストロンチウムフェライト粉末とは、この粉末に含まれる主な二価金属原子がストロンチウム原子であるものをいう。また、六方晶バリウムフェライト粉末とは、この粉末に含まれる主な二価金属原子がバリウム原子であるものをいう。主な二価金属原子とは、この粉末に含まれる二価金属原子の中で、原子％基準で最も多くを占める二価金属原子をいうものとする。ただし、上記の二価金属原子には、希土類原子は包含されないものとする。本発明および本明細書における「希土類原子」は、スカンジウム原子（Ｓｃ）、イットリウム原子（Ｙ）、およびランタノイド原子からなる群から選択される。ランタノイド原子は、ランタン原子（Ｌａ）、セリウム原子（Ｃｅ）、プラセオジム原子（Ｐｒ）、ネオジム原子（Ｎｄ）、プロメチウム原子（Ｐｍ）、サマリウム原子（Ｓｍ）、ユウロピウム原子（Ｅｕ）、ガドリニウム原子（Ｇｄ）、テルビウム原子（Ｔｂ）、ジスプロシウム原子（Ｄｙ）、ホルミウム原子（Ｈｏ）、エルビウム原子（Ｅｒ）、ツリウム原子（Ｔｍ）、イッテルビウム原子（Ｙｂ）、およびルテチウム原子（Ｌｕ）からなる群から選択される。

六方晶ストロンチウムフェライト粉末の活性化体積は、好ましくは８００〜１５００ｎｍ^３の範囲である。上記範囲の活性化体積を示す微粒子化された六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、優れた電磁変換特性を発揮する磁気テープの作製のために好適である。六方晶ストロンチウムフェライト粉末の活性化体積は、好ましくは８００ｎｍ^３以上であり、例えば８５０ｎｍ^３以上であることもできる。また、電磁変換特性の更なる向上の観点から、六方晶ストロンチウムフェライト粉末の活性化体積は、１４００ｎｍ^３以下であることがより好ましく、１３００ｎｍ^３以下であることが更に好ましく、１２００ｎｍ^３以下であることが一層好ましく、１１００ｎｍ^３以下であることがより一層好ましい。

「活性化体積」とは、磁化反転の単位であって、粒子の磁気的な大きさを示す指標である。本発明および本明細書に記載の活性化体積および後述の異方性定数Ｋｕは、振動試料型磁力計を用いて保磁力Ｈｃ測定部の磁場スイープ速度３分と３０分とで測定し（測定温度：２３℃±１℃）、以下のＨｃと活性化体積Ｖとの関係式から求められる値である。なお異方性定数Ｋｕの単位に関して、１ｅｒｇ／ｃｃ＝１．０×１０^−１Ｊ／ｍ^３である。
Ｈｃ＝２Ｋｕ／Ｍｓ｛１−［（ｋＴ／ＫｕＶ）ｌｎ（Ａｔ／０．６９３）］^１／２｝
［上記式中、Ｋｕ：異方性定数（単位：Ｊ／ｍ^３）、Ｍｓ：飽和磁化（単位：ｋＡ／ｍ）、ｋ：ボルツマン定数、Ｔ：絶対温度（単位：Ｋ）、Ｖ：活性化体積（単位：ｃｍ^３）、Ａ：スピン歳差周波数（単位：ｓ^−１）、ｔ：磁界反転時間（単位：ｓ）］

熱揺らぎの低減、換言すれば熱的安定性の向上の指標としては、異方性定数Ｋｕを挙げることができる。六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、好ましくは１．８×１０^５Ｊ／ｍ^３以上のＫｕを有することができ、より好ましくは２．０×１０^５Ｊ／ｍ^３以上のＫｕを有することができる。また、六方晶ストロンチウムフェライト粉末のＫｕは、例えば２．５×１０^５Ｊ／ｍ^３以下であることができる。ただしＫｕが高いほど熱的安定性が高いことを意味し好ましいため、上記例示した値に限定されるものではない。

六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、希土類原子を含んでいてもよく、含まなくてもよい。六方晶ストロンチウムフェライト粉末が希土類原子を含む場合、鉄原子１００原子％に対して、０．５〜５．０原子％の含有率（バルク含有率）で希土類原子を含むことが好ましい。希土類原子を含む六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、一態様では、希土類原子表層部偏在性を有することができる。本発明および本明細書における「希土類原子表層部偏在性」とは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を酸により部分溶解して得られた溶解液中の鉄原子１００原子％に対する希土類原子含有率（以下、「希土類原子表層部含有率」または希土類原子に関して単に「表層部含有率」と記載する。）が、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を酸により全溶解して得られた溶解液中の鉄原子１００原子％に対する希土類原子含有率（以下、「希土類原子バルク含有率」または希土類原子に関して単に「バルク含有率」と記載する。）と、
希土類原子表層部含有率／希土類原子バルク含有率＞１．０
の比率を満たすことを意味する。後述の六方晶ストロンチウムフェライト粉末の希土類原子含有率とは、希土類原子バルク含有率と同義である。これに対し、酸を用いる部分溶解は六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部を溶解するため、部分溶解により得られる溶解液中の希土類原子含有率とは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部における希土類原子含有率である。希土類原子表層部含有率が、「希土類原子表層部含有率／希土類原子バルク含有率＞１．０」の比率を満たすことは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子において、希土類原子が表層部に偏在（即ち内部より多く存在）していることを意味する。本発明および本明細書における表層部とは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表面から内部に向かう一部領域を意味する。

六方晶ストロンチウムフェライト粉末が希土類原子を含む場合、希土類原子含有率（バルク含有率）は、鉄原子１００原子％に対して０．５〜５．０原子％の範囲であることが好ましい。上記範囲のバルク含有率で希土類原子を含み、かつ六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部に希土類原子が偏在していることは、繰り返し再生における再生出力の低下を抑制することに寄与すると考えられる。これは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末が上記範囲のバルク含有率で希土類原子を含み、かつ六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部に希土類原子が偏在していることにより、異方性定数Ｋｕを高めることができるためと推察される。異方性定数Ｋｕは、この値が高いほど、いわゆる熱揺らぎと呼ばれる現象の発生を抑制すること（換言すれば熱的安定性を向上させること）ができる。熱揺らぎの発生が抑制されることにより、繰り返し再生における再生出力の低下を抑制することができる。六方晶ストロンチウムフェライト粉末の粒子表層部に希土類原子が偏在することが、表層部の結晶格子内の鉄（Ｆｅ）のサイトのスピンを安定化することに寄与し、これにより異方性定数Ｋｕが高まるのではないかと推察される。
また、希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末を磁性層の強磁性粉末として用いることは、磁気ヘッドとの摺動によって磁性層表面が削れることを抑制することにも寄与すると推察される。即ち、磁気テープの走行耐久性の向上にも、希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末が寄与し得ると推察される。これは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表面に希土類原子が偏在することが、粒子表面と磁性層に含まれる有機物質（例えば、結合剤および／または添加剤）との相互作用の向上に寄与し、その結果、磁性層の強度が向上するためではないかと推察される。
繰り返し再生における再生出力の低下をより一層抑制する観点および／または走行耐久性の更なる向上の観点からは、希土類原子含有率（バルク含有率）は、０．５〜４．５原子％の範囲であることがより好ましく、１．０〜４．５原子％の範囲であることが更に好ましく、１．５〜４．５原子％の範囲であることが一層好ましい。

上記バルク含有率は、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を全溶解して求められる含有率である。なお本発明および本明細書において、特記しない限り、原子について含有率とは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を全溶解して求められるバルク含有率をいうものとする。希土類原子を含む六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、希土類原子として一種の希土類原子のみ含んでもよく、二種以上の希土類原子を含んでもよい。二種以上の希土類原子を含む場合の上記バルク含有率とは、二種以上の希土類原子の合計について求められる。この点は、本発明および本明細書における他の成分についても同様である。即ち、特記しない限り、ある成分は、一種のみ用いてもよく、二種以上用いてもよい。二種以上用いられる場合の含有量または含有率とは、二種以上の合計についていうものとする。

六方晶ストロンチウムフェライト粉末が希土類原子を含む場合、含まれる希土類原子は、希土類原子のいずれか一種以上であればよい。繰り返し再生における再生出力の低下をより一層抑制する観点から好ましい希土類原子としては、ネオジム原子、サマリウム原子、イットリウム原子およびジスプロシウム原子を挙げることができ、ネオジム原子、サマリウム原子およびイットリウム原子がより好ましく、ネオジム原子が更に好ましい。

希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末において、希土類原子は六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部に偏在していればよく、偏在の程度は限定されるものではない。例えば、希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末について、後述する溶解条件で部分溶解して求められた希土類原子の表層部含有率と後述する溶解条件で全溶解して求められた希土類原子のバルク含有率との比率、「表層部含有率／バルク含有率」は１．０超であり、１．５以上であることができる。「表層部含有率／バルク含有率」が１．０より大きいことは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子において、希土類原子が表層部に偏在（即ち内部より多く存在）していることを意味する。また、後述する溶解条件で部分溶解して求められた希土類原子の表層部含有率と後述する溶解条件で全溶解して求められた希土類原子のバルク含有率との比率、「表層部含有率／バルク含有率」は、例えば、１０．０以下、９．０以下、８．０以下、７．０以下、６．０以下、５．０以下、または４．０以下であることができる。ただし、希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末において、希土類原子は六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部に偏在していればよく、上記の「表層部含有率／バルク含有率」は、例示した上限または下限に限定されるものではない。

六方晶ストロンチウムフェライト粉末の部分溶解および全溶解について、以下に説明する。粉末として存在している六方晶ストロンチウムフェライト粉末については、部分溶解および全溶解する試料粉末は、同一ロットの粉末から採取する。一方、磁気テープの磁性層に含まれている六方晶ストロンチウムフェライト粉末については、磁性層から取り出した六方晶ストロンチウムフェライト粉末の一部を部分溶解に付し、他の一部を全溶解に付す。磁性層からの六方晶ストロンチウムフェライト粉末の取り出しは、例えば、特開２０１５−９１７４７号公報の段落００３２に記載の方法によって行うことができる。
上記部分溶解とは、溶解終了時に液中に六方晶ストロンチウムフェライト粉末の残留が目視で確認できる程度に溶解することをいう。例えば、部分溶解により、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子について、粒子全体を１００質量％として１０〜２０質量％の領域を溶解することができる。一方、上記全溶解とは、溶解終了時に液中に六方晶ストロンチウムフェライト粉末の残留が目視で確認されない状態まで溶解することをいう。
上記部分溶解および表層部含有率の測定は、例えば、以下の方法により行われる。ただし、下記の試料粉末量等の溶解条件は例示であって、部分溶解および全溶解が可能な溶解条件を任意に採用できる。
試料粉末１２ｍｇおよび１ｍｏｌ／Ｌ塩酸１０ｍＬを入れた容器（例えばビーカー）を、設定温度７０℃のホットプレート上で１時間保持する。得られた溶解液を０．１μｍのメンブレンフィルタでろ過する。こうして得られたろ液の元素分析を誘導結合プラズマ（ＩＣＰ；ＩｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙＣｏｕｐｌｅｄＰｌａｓｍａ）分析装置によって行う。こうして、鉄原子１００原子％に対する希土類原子の表層部含有率を求めることができる。元素分析により複数種の希土類原子が検出された場合には、全希土類原子の合計含有率を、表層部含有率とする。この点は、バルク含有率の測定においても、同様である。
一方、上記全溶解およびバルク含有率の測定は、例えば、以下の方法により行われる。
試料粉末１２ｍｇおよび４ｍｏｌ／Ｌ塩酸１０ｍＬを入れた容器（例えばビーカー）を、設定温度８０℃のホットプレート上で３時間保持する。その後は上記の部分溶解および表層部含有率の測定と同様に行い、鉄原子１００原子％に対するバルク含有率を求めることができる。

磁気テープに記録されたデータを再生する際の再生出力を高める観点から、磁気テープに含まれる強磁性粉末の質量磁化σｓが高いことは望ましい。この点に関して、希土類原子を含むものの希土類原子表層部偏在性を持たない六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、希土類原子を含まない六方晶ストロンチウムフェライト粉末と比べてσｓが大きく低下する傾向が見られた。これに対し、そのようなσｓの大きな低下を抑制するうえでも、希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末は好ましいと考えられる。一態様では、六方晶ストロンチウムフェライト粉末のσｓは、４５Ａ・ｍ^２／ｋｇ以上であることができ、４７Ａ・ｍ^２／ｋｇ以上であることもできる。一方、σｓは、ノイズ低減の観点からは、８０Ａ・ｍ^２／ｋｇ以下であることが好ましく、６０Ａ・ｍ^２／ｋｇ以下であることがより好ましい。σｓは、振動試料型磁力計等の磁気特性を測定可能な公知の測定装置を用いて測定することができる。本発明および本明細書において、特記しない限り、質量磁化σｓは、磁場強度１５ｋＯｅで測定される値とする。１［ｋＯｅ］＝１０^６／４π［Ａ／ｍ］である。

六方晶ストロンチウムフェライト粉末の構成原子の含有率（バルク含有率）に関して、ストロンチウム原子含有率は、鉄原子１００原子％に対して、例えば２．０〜１５．０原子％の範囲であることができる。一態様では、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、この粉末に含まれる二価金属原子がストロンチウム原子のみであることができる。また他の一態様では、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、ストロンチウム原子に加えて一種以上の他の二価金属原子を含むこともできる。例えば、バリウム原子および／またはカルシウム原子を含むことができる。ストロンチウム原子以外の他の二価金属原子が含まれる場合、六方晶ストロンチウムフェライト粉末におけるバリウム原子含有率およびカルシウム原子含有率は、それぞれ、例えば、鉄原子１００原子％に対して、０．０５〜５．０原子％の範囲であることができる。

六方晶フェライトの結晶構造としては、マグネトプランバイト型（「Ｍ型」とも呼ばれる。）、Ｗ型、Ｙ型およびＺ型が知られている。六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、いずれの結晶構造を取るものであってもよい。結晶構造は、Ｘ線回折分析によって確認することができる。六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、Ｘ線回折分析によって、単一の結晶構造または二種以上の結晶構造が検出されるものであることができる。例えば一態様では、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、Ｘ線回折分析によってＭ型の結晶構造のみが検出されるものであることができる。例えば、Ｍ型の六方晶フェライトは、ＡＦｅ_１２Ｏ_１９の組成式で表される。ここでＡは二価金属原子を表し、六方晶ストロンチウムフェライト粉末がＭ型である場合、Ａはストロンチウム原子（Ｓｒ）のみであるか、またはＡとして複数の二価金属原子が含まれる場合には、上記の通り原子％基準で最も多くをストロンチウム原子（Ｓｒ）が占める。六方晶ストロンチウムフェライト粉末の二価金属原子含有率は、通常、六方晶フェライトの結晶構造の種類により定まるものであり、特に限定されるものではない。鉄原子含有率および酸素原子含有率についても、同様である。六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、少なくとも、鉄原子、ストロンチウム原子および酸素原子を含み、更に希土類原子を含むこともできる。更に、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、これら原子以外の原子を含んでもよく、含まなくてもよい。一例として、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、アルミニウム原子（Ａｌ）を含むものであってもよい。アルミニウム原子の含有率は、鉄原子１００原子％に対して、例えば０．５〜１０．０原子％であることができる。繰り返し再生における再生出力低下をより一層抑制する観点からは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、鉄原子、ストロンチウム原子、酸素原子および希土類原子を含み、これら原子以外の原子の含有率が、鉄原子１００原子％に対して、１０．０原子％以下であることが好ましく、０〜５．０原子％の範囲であることがより好ましく、０原子％であってもよい。即ち、一態様では、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、鉄原子、ストロンチウム原子、酸素原子および希土類原子以外の原子を含まなくてもよい。上記の原子％で表示される含有率は、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を全溶解して求められる各原子の含有率（単位：質量％）を、各原子の原子量を用いて原子％表示の値に換算して求められる。また、本発明および本明細書において、ある原子について「含まない」とは、全溶解してＩＣＰ分析装置により測定される含有率が０質量％であることをいう。ＩＣＰ分析装置の検出限界は、通常、質量基準で０．０１ｐｐｍ（ｐａｒｔｓｐｅｒｍｉｌｌｉｏｎ）以下である。上記の「含まない」とは、ＩＣＰ分析装置の検出限界未満の量で含まれることを包含する意味で用いるものとする。六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、一態様では、ビスマス原子（Ｂｉ）を含まないものであることができる。

上記磁気テープが磁性層に六方晶ストロンチウムフェライト粉末を含む場合、磁性層の異方性磁界Ｈｋは、１４ｋＯｅ以上であることが好ましく、１６ｋＯｅ以上であることがより好ましく、１８ｋＯｅ以上であることが更に好ましい。また、上記磁性層の異方性磁界Ｈｋは、９０ｋＯｅ以下であることが好ましく、８０ｋＯｅ以下であることがより好ましく、７０ｋＯｅ以下であることが更に好ましい。
本発明および本明細書における異方性磁界Ｈｋとは、磁化困難軸方向に磁界を印加したときに、磁化が飽和する磁界をいう。異方性磁界Ｈｋは、振動試料型磁力計等の磁気特性を測定可能な公知の測定装置を用いて測定することができる。六方晶ストロンチウムフェライト粉末を含む磁性層において、磁性層の磁化困難軸方向は、面内方向である。

ε−酸化鉄粉末
本発明および本明細書において、「ε−酸化鉄粉末」とは、Ｘ線回折分析によって、主相としてε−酸化鉄型の結晶構造が検出される強磁性粉末をいうものとする。例えば、Ｘ線回折分析によって得られるＸ線回折スペクトルにおいて最も高強度の回折ピークがε−酸化鉄型の結晶構造に帰属される場合、ε−酸化鉄型の結晶構造が主相として検出されたと判断するものとする。ε−酸化鉄粉末の製造方法としては、ゲーサイトから作製する方法、逆ミセル法等が知られている。上記製造方法は、いずれも公知である。また、Ｆｅの一部がＧａ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｒｈ等の置換原子によって置換されたε−酸化鉄粉末を製造する方法については、例えば、Ｊ．Ｊｐｎ．Ｓｏｃ．ＰｏｗｄｅｒＭｅｔａｌｌｕｒｇｙＶｏｌ．６１Ｓｕｐｐｌｅｍｅｎｔ，Ｎｏ．Ｓ１，ｐｐ．Ｓ２８０−Ｓ２８４、Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．Ｃ，２０１３，１，ｐｐ．５２００−５２０６等を参照できる。ただし、上記磁気テープの磁性層において強磁性粉末として使用可能なε−酸化鉄粉末の製造方法は、ここで挙げた方法に限定されない。

ε−酸化鉄粉末の活性化体積は、好ましくは３００〜１５００ｎｍ^３の範囲である。上記範囲の活性化体積を示す微粒子化されたε−酸化鉄粉末は、優れた電磁変換特性を発揮する磁気テープの作製のために好適である。ε−酸化鉄粉末の活性化体積は、好ましくは３００ｎｍ^３以上であり、例えば５００ｎｍ^３以上であることもできる。また、電磁変換特性の更なる向上の観点から、ε−酸化鉄粉末の活性化体積は、１４００ｎｍ^３以下であることがより好ましく、１３００ｎｍ^３以下であることが更に好ましく、１２００ｎｍ^３以下であることが一層好ましく、１１００ｎｍ^３以下であることがより一層好ましい。

熱揺らぎの低減、換言すれば熱的安定性の向上の指標としては、異方性定数Ｋｕを挙げることができる。ε−酸化鉄粉末は、好ましくは３．０×１０^４Ｊ／ｍ^３以上のＫｕを有することができ、より好ましくは８．０×１０^４Ｊ／ｍ^３以上のＫｕを有することができる。また、ε−酸化鉄粉末のＫｕは、例えば３．０×１０^５Ｊ／ｍ^３以下であることができる。ただしＫｕが高いほど熱的安定性が高いことを意味し、好ましいため、上記例示した値に限定されるものではない。

磁気テープに記録されたデータを再生する際の再生出力を高める観点から、磁気テープに含まれる強磁性粉末の質量磁化σｓが高いことは望ましい。この点に関して、一態様では、ε−酸化鉄粉末のσｓは、８Ａ・ｍ^２／ｋｇ以上であることができ、１２Ａ・ｍ^２／ｋｇ以上であることもできる。一方、ε−酸化鉄粉末のσｓは、ノイズ低減の観点からは、４０Ａ・ｍ^２／ｋｇ以下であることが好ましく、３５Ａ・ｍ^２／ｋｇ以下であることがより好ましい。

上記磁気テープが磁性層にε−酸化鉄粉末を含む場合、磁性層の異方性磁界Ｈｋは、１８ｋＯｅ以上であることが好ましく、３０ｋＯｅ以上であることがより好ましく、３８ｋＯｅ以上であることが更に好ましい。また、磁性層の異方性磁界Ｈｋは、１００ｋＯｅ以下であることが好ましく、９０ｋＯｅ以下であることがより好ましく、７５ｋＯｅ以下であることが更に好ましい。ε−酸化鉄粉末を含む磁性層において、磁性層の磁化困難軸方向は、面内方向である。

本発明および本明細書において、特記しない限り、強磁性粉末等の各種粉末の平均粒子サイズは、透過型電子顕微鏡を用いて、以下の方法により測定される値とする。
粉末を、透過型電子顕微鏡を用いて撮影倍率１０００００倍で撮影し、総倍率５０００００倍になるように印画紙にプリントするか、ディスプレイに表示する等して、粉末を構成する粒子の写真を得る。得られた粒子の写真から目的の粒子を選びデジタイザーで粒子の輪郭をトレースし粒子（一次粒子）のサイズを測定する。一次粒子とは、凝集のない独立した粒子をいう。
以上の測定を、無作為に抽出した５００個の粒子について行う。こうして得られた５００個の粒子の粒子サイズの算術平均を、粉末の平均粒子サイズとする。上記透過型電子顕微鏡としては、例えば日立製透過型電子顕微鏡Ｈ−９０００型を用いることができる。また、粒子サイズの測定は、公知の画像解析ソフト、例えばカールツァイス製画像解析ソフトＫＳ−４００を用いて行うことができる。後述の実施例に示す平均粒子サイズは、特記しない限り、透過型電子顕微鏡として日立製透過型電子顕微鏡Ｈ−９０００型、画像解析ソフトとしてカールツァイス製画像解析ソフトＫＳ−４００を用いて測定された値である。本発明および本明細書において、粉末とは、複数の粒子の集合を意味する。例えば、強磁性粉末とは、複数の強磁性粒子の集合を意味する。また、複数の粒子の集合とは、集合を構成する粒子が直接接触している態様に限定されず、後述する結合剤、添加剤等が、粒子同士の間に介在している態様も包含される。粒子との語が、粉末を表すために用いられることもある。

粒子サイズ測定のために磁気テープから試料粉末を採取する方法としては、例えば特開２０１１−０４８８７８号公報の段落００１５に記載の方法を採用することができる。

本発明および本明細書において、特記しない限り、粉末を構成する粒子のサイズ（粒子サイズ）は、上記の粒子写真において観察される粒子の形状が、
（１）針状、紡錘状、柱状（ただし、高さが底面の最大長径より大きい）等の場合は、粒子を構成する長軸の長さ、即ち長軸長で表され、
（２）板状または柱状（ただし、厚みまたは高さが板面または底面の最大長径より小さい）の場合は、その板面または底面の最大長径で表され、
（３）球形、多面体状、不特定形等であって、かつ形状から粒子を構成する長軸を特定できない場合は、円相当径で表される。円相当径とは、円投影法で求められるものを言う。

また、粉末の平均針状比は、上記測定において粒子の短軸の長さ、即ち短軸長を測定し、各粒子の（長軸長／短軸長）の値を求め、上記５００個の粒子について得た値の算術平均を指す。ここで、特記しない限り、短軸長とは、上記粒子サイズの定義で（１）の場合は、粒子を構成する短軸の長さを、同じく（２）の場合は、厚みまたは高さを各々指し、（３）の場合は、長軸と短軸の区別がないから、（長軸長／短軸長）は、便宜上１とみなす。
そして、特記しない限り、粒子の形状が特定の場合、例えば、上記粒子サイズの定義（１）の場合、平均粒子サイズは平均長軸長であり、同定義（２）の場合、平均粒子サイズは平均板径である。同定義（３）の場合、平均粒子サイズは、平均直径（平均粒径、平均粒子径ともいう）である。

磁性層における強磁性粉末の含有量（充填率）は、好ましくは５０〜９０質量％の範囲であり、より好ましくは６０〜９０質量％の範囲である。磁性層の強磁性粉末以外の成分は、少なくとも結合剤であり、任意に一種以上の更なる添加剤が含まれ得る。磁性層において強磁性粉末の充填率が高いことは、記録密度向上の観点から好ましい。

（結合剤、硬化剤）
上記磁気テープは塗布型の磁気テープであることができ、磁性層に結合剤を含むことができる。結合剤とは、一種以上の樹脂である。結合剤としては、塗布型磁気記録媒体の結合剤として通常使用される各種樹脂を用いることができる。例えば、結合剤としては、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、塩化ビニル樹脂、スチレン、アクリロニトリル、メチルメタクリレート等を共重合したアクリル樹脂、ニトロセルロース等のセルロース樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール、ポリビニルブチラール等のポリビニルアルキラール樹脂等から選ばれる樹脂を単独で用いるか、または複数の樹脂を混合して用いることができる。これらの中で好ましいものはポリウレタン樹脂、アクリル樹脂、セルロース樹脂、および塩化ビニル樹脂である。これらの樹脂は、ホモポリマーでもよく、コポリマー（共重合体）でもよい。これらの樹脂は、後述する非磁性層および／または先に記載のバックコート層においても結合剤として使用することができる。
以上の結合剤については、特開２０１０−２４１１３号公報の段落００２８〜００３１を参照できる。結合剤として使用される樹脂の平均分子量は、重量平均分子量として、例えば１０，０００以上２００，０００以下であることができる。本発明および本明細書における重量平均分子量とは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって、下記測定条件により測定された値をポリスチレン換算して求められる値である。後述の実施例に示す結合剤の重量平均分子量は、下記測定条件によって測定された値をポリスチレン換算して求めた値である。
ＧＰＣ装置：ＨＬＣ−８１２０（東ソー社製）
カラム：ＴＳＫｇｅｌＭｕｌｔｉｐｏｒｅＨＸＬ−Ｍ（東ソー社製、７．８ｍｍＩＤ(ＩｎｎｅｒＤｉａｍｅｔｅｒ)×３０．０ｃｍ）
溶離液：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）

一態様では、結合剤として、活性水素含有基を含む結合剤を用いることができる。本発明および本明細書における「活性水素含有基」とは、この基が硬化性官能基と硬化反応するとともにこの基に含まれる水素原子が脱離することによって架橋構造を形成可能な官能基をいう。活性水素含有基としては、ヒドロキシ基、アミノ基（好ましくは一級アミノ基または二級アミノ基）、メルカプト基、カルボキシ基等を挙げることができ、ヒドロキシ基、アミノ基およびメルカプト基が好ましく、ヒドロキシ基がより好ましい。活性水素含有基を含む結合剤において、活性水素含有基濃度は、０．１０ｍｅｑ／ｇ〜２．００ｍｅｑ／ｇの範囲であることが好ましい。「ｅｑ」は当量（ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ）であり、ＳＩ単位に換算不可の単位である。また、活性水素含有基濃度は単位「ｍｇＫＯＨ／ｇ」により表示することもできる。一態様では、活性水素含有基を含む樹脂において、活性水素含有基濃度は、１〜２０ｍｇＫＯＨ／ｇの範囲であることが好ましい。

一態様では、結合剤として、酸性基を含む結合剤を用いることができる。本発明および本明細書における「酸性基」とは、水中または水を含む溶媒（水性溶媒）中でＨ^＋を放出してアニオンに解離可能な基およびその塩の形態を包含する意味で用いるものとする。酸性基の具体例としては、例えば、スルホン酸基（−ＳＯ_３Ｈ）、硫酸基（−ＯＳＯ_３Ｈ）、カルボキシ基、リン酸基、それらの塩の形態等を挙げることができる。例えば、スルホン酸基（−ＳＯ_３Ｈ）の塩の形態とは、−ＳＯ_３Ｍで表され、Ｍが水中または水性溶媒中でカチオンになり得る原子（例えばアルカリ金属原子等）を表す基を意味する。この点は、上記の各種の基の塩の形態についても同様である。酸性基を含む結合剤の一例としては、例えば、スルホン酸基およびその塩からなる群から選ばれる少なくとも一種の酸性基を含む樹脂（例えばポリウレタン樹脂、塩化ビニル樹脂等）を挙げることができる。ただし、磁性層に含まれる樹脂は、これらの樹脂に限定されるものではない。また、酸性基を含む結合剤において、酸性基含有量は、例えば０．０３〜０．５０ｍｅｑ／ｇの範囲であることができる。樹脂に含まれる酸性基等の各種官能基の含有量は、官能基の種類に応じて公知の方法で求めることができる。結合剤は、磁性層形成用組成物中に、強磁性粉末１００．０質量部に対して、例えば１．０〜３０．０質量部の量で使用することができる。

また、結合剤として使用可能な樹脂とともに硬化剤を使用することもできる。硬化剤は、一態様では加熱により硬化反応（架橋反応）が進行する化合物である熱硬化性化合物であることができ、他の一態様では光照射により硬化反応（架橋反応）が進行する光硬化性化合物であることができる。硬化剤は、磁気テープの製造工程の中で硬化剤が有する硬化性官能基の硬化反応が進行することにより、少なくとも一部は、結合剤等の他の成分と反応（架橋）した状態で磁性層に含まれ得る。この点は、他の層を形成するために用いられる組成物が硬化剤を含む場合に、この組成物を用いて形成される層についても同様である。好ましい硬化剤は、熱硬化性化合物であり、ポリイソシアネートが好適である。ポリイソシアネートの詳細については、特開２０１１−２１６１４９号公報の段落０１２４〜０１２５を参照できる。硬化剤は、磁性層形成用組成物中に、結合剤１００．０質量部に対して例えば０〜８０．０質量部、磁性層の強度向上の観点からは好ましくは５０．０〜８０．０質量部の量で使用することができる。

（添加剤）
磁性層には、必要に応じて一種以上の添加剤が含まれていてもよい。添加剤としては、一例として、上記の硬化剤が挙げられる。また、磁性層に含まれる添加剤としては、非磁性粉末（例えば無機粉末、カーボンブラック等）、潤滑剤、分散剤、分散助剤、防黴剤、帯電防止剤、酸化防止剤等を挙げることができる。例えば、潤滑剤については、特開２０１６−１２６８１７号公報の段落００３０〜００３３、００３５および００３６を参照できる。後述する非磁性層に潤滑剤が含まれていてもよい。非磁性層に含まれ得る潤滑剤については、特開２０１６−１２６８１７号公報の段落００３０〜００３１、００３４、００３５および００３６を参照できる。分散剤については、特開２０１２−１３３８３７号公報の段落００６１および００７１を参照できる。また、磁性層の添加剤については、特開２０１６−５１４９３号公報の段落００３５〜００７７も参照できる。分散剤を非磁性層形成用組成物に添加してもよい。非磁性層形成用組成物に添加し得る分散剤については、特開２０１２−１３３８３７号公報の段落００６１を参照できる。また、磁性層に含まれ得る非磁性粉末としては、研磨剤として機能することができる非磁性粉末、磁性層表面に適度に突出する突起を形成する突起形成剤として機能することができる非磁性粉末（例えば非磁性コロイド粒子等）等が挙げられる。なお後述の実施例に示すコロイダルシリカ（シリカコロイド粒子）の平均粒子サイズは、特開２０１１−０４８８７８号公報の段落００１５に平均粒径の測定方法として記載されている方法により求められた値である。添加剤は、所望の性質に応じて市販品を適宜選択して、または公知の方法で製造して、任意の量で使用することができる。研磨剤を含む磁性層に研磨剤の分散性を向上させるために使用され得る添加剤の一例としては、特開２０１３−１３１２８５号公報の段落００１２〜００２２に記載の分散剤を挙げることができる。

（メチルエチルケトン洗浄前後のスペーシング差分（Ｓ_{ａｆｔｅｒ}−Ｓ_{ｂｅｆｏｒｅ}））
上記磁気テープは、一態様では、磁性層の表面において、メチルエチルケトン洗浄後に光学干渉法により測定されるスペーシングＳ_{ａｆｔｅｒ}とメチルエチルケトン洗浄前に光学干渉法により測定されるスペーシングＳ_{ｂｅｆｏｒｅ}との差分（Ｓ_{ａｆｔｅｒ}−Ｓ_{ｂｅｆｏｒｅ}）が、０ｎｍ超１５．０ｎｍ以下であることができる。

本発明および本明細書において、「メチルエチルケトン洗浄」とは、磁気テープから切り出した試料片を液温２０〜２５℃のメチルエチルケトン（２００ｇ）に浸漬して１００秒間超音波洗浄（超音波出力：４０ｋＨｚ）することをいうものとする。洗浄対象の磁気テープから、長さ５ｃｍの試料片を切り出してメチルエチルケトン洗浄に付す。磁気テープの幅および磁気テープから切り出される試料片の幅は、通常、１／２インチ（１インチは０．０２５４メートル）である。１／２インチ幅以外の磁気テープについても、長さ５ｃｍの試料片を切り出してメチルエチルケトン洗浄に付せばよい。以下に詳述するメチルエチルケトン洗浄後のスペーシングの測定は、メチルエチルケトン洗浄後の試料片を、温度２３℃相対湿度５０％の環境下に２４時間放置した後に行うものとする。

本発明および本明細書において、磁気テープの磁性層表面において光学干渉法により測定されるスペーシングとは、以下の方法により測定される値とする。
磁気テープ（詳しくは上記の試料片。以下同様。）と透明な板状部材（例えばガラス板等）を、磁気テープの磁性層表面が透明な板状部材と対向するように重ね合わせた状態で、磁気テープの磁性層側とは反対側から０．５ａｔｍ（１ａｔｍは１０１３２５Ｐａ（パスカル））の圧力で押圧部材を押しつける。この状態で、透明な板状部材を介して磁気テープの磁性層表面に光を照射し（照射領域：１５００００〜２０００００μｍ^２）、磁気テープの磁性層表面からの反射光と透明な板状部材の磁気テープ側表面からの反射光との光路差によって発生する干渉光の強度（例えば干渉縞画像のコントラスト）に基づき、磁気テープの磁性層表面と透明な板状部材の磁気テープ側表面との間のスペーシング（距離）を求める。ここで照射される光は特に限定されるものではない。照射される光が、複数波長の光を含む白色光のように、比較的広範な波長範囲にわたり発光波長を有する光の場合には、透明な板状部材と反射光を受光する受光部との間に、干渉フィルタ等の特定波長の光または特定波長域以外の光を選択的にカットする機能を有する部材を配置し、反射光の中の一部の波長の光または一部の波長域の光を選択的に受光部に入射させる。照射させる光が単一の発光ピークを有する光（いわゆる単色光）の場合には、上記の部材は用いなくてもよい。受光部に入射させる光の波長は、一例として、例えば５００〜７００ｎｍの範囲にあることができる。ただし、受光部に入射させる光の波長は、上記範囲に限定されるものではない。また、透明な板状部材は、この部材を介して磁気テープに光を照射し干渉光が得られる程度に、照射される光を透過する透明性を有する部材であればよい。
上記スペーシングの測定により得られる干渉縞画像を３０００００ポイントに分割して各ポイントのスペーシング（磁気テープの磁性層表面と透明な板状部材の磁気テープ側表面との間の距離）を求め、これをヒストグラムとし、このヒストグラムにおける最頻値を、スペーシングとする。差分（Ｓ_{ａｆｔｅｒ}−Ｓ_{ｂｅｆｏｒｅ}）は、上記３０００００ポイントにおけるメチルエチルケトン洗浄後の最頻値からメチルエチルケトン洗浄前の最頻値を差し引いた値をいうものとする。
同じ磁気テープから２つの試料片を切り出し、一方をメチルエチルケトン洗浄なしで上記スペーシングの値Ｓ_{ｂｅｆｏｒｅ}を求め、他方をメチルエチルケトン洗浄に付した後に上記スペーシングの値Ｓ_{ａｆｔｅｒ}を求めることによって、差分（Ｓ_{ａｆｔｅｒ}−Ｓ_{ｂｅｆｏｒｅ}）を求めてもよい。または、メチルエチルケトン洗浄前に上記スペーシングの値を求めた試料片を、その後にメチルエチルケトン洗浄に付した後に上記スペーシングの値を求めることによって差分（Ｓ_{ａｆｔｅｒ}−Ｓ_{ｂｅｆｏｒｅ}）を求めてもよい。
以上の測定は、例えばＭｉｃｒｏＰｈｙｓｉｃｓ社製ＴａｐｅＳｐａｃｉｎｇＡｎａｌｙｚｅｒ等の市販のテープスペーシングアナライザー（ＴａｐｅＳｐａｃｉｎｇＡｎａｌｙｚｅｒ；ＴＳＡ）を用いて行うことができる。実施例におけるスペーシング測定は、ＭｉｃｒｏＰｈｙｓｉｃｓ社製ＴａｐｅＳｐａｃｉｎｇＡｎａｌｙｚｅｒを用いて実施した。

磁性層表面には、通常、磁性層表面と磁気ヘッドとが接触し摺動する際に磁気ヘッドと主に接触（いわゆる真実接触）する部分（突起）と、この部分より低い部分（以下、「素地部分」と記載する。）とが存在する。上記スペーシングは、磁性層表面と磁気ヘッドとが摺動する際の磁気ヘッドと素地部分との距離の指標になる値であると考えられる。ただし磁性層表面上に何らかの成分が存在していると、素地部分と磁気ヘッドとの間に介在している上記成分の量が多いほど、スペーシングは狭くなると考えられる。他方、この成分がメチルエチルケトン洗浄によって除去されるとスペーシングが広がるため、メチルエチルケトン洗浄後のスペーシングＳ_{ａｆｔｅｒ}の値が、メチルエチルケトン洗浄前のスペーシングＳ_{ｂｅｆｏｒｅ}の値より大きくなる。したがって、メチルエチルケトン洗浄前後の上記スペーシングの差分（Ｓ_{ａｆｔｅｒ}−Ｓ_{ｂｅｆｏｒｅ}）は、素地部分と磁気ヘッドとの間に介在する上記成分の量の指標とすることができると考えられる。
以上の点に関して本発明者らは、メチルエチルケトン洗浄によって除去される成分は、磁性層に記録されたデータを再生するために磁性層表面と磁気ヘッドとを接触させ摺動させる際に磁性層表面と磁気ヘッドとのスペーシングが変動することの一因になり得ると考えている。このようなスペーシングの変動も抑制できれば、ドロップアウトをより一層低減することができると推察される。そのため、メチルエチルケトン洗浄前後の上記スペーシングの差分（Ｓ_{ａｆｔｅｒ}−Ｓ_{ｂｅｆｏｒｅ}）を小さくすること、即ち上記成分量を低減することは、スペーシングの変動を抑制してドロップアウトをより一層低減することに寄与すると考えられる。この点に関して、本発明者らの検討によれば、メチルエチルケトン以外の有機溶媒、例えばｎ−ヘキサンを用いる洗浄前後のスペーシングの差分の値と、メチルエチルケトン洗浄前後のスペーシング差分（Ｓ_{ａｆｔｅｒ}−Ｓ_{ｂｅｆｏｒｅ}）との間には、相関は見られなかった。これは、メチルエチルケトン以外の溶媒では、上記成分を除去できないか十分に除去できないことによるものと推察される。
上記成分の詳細は明らかではない。あくまでも推察として、本発明者らは、上記成分は、磁性層に添加剤として通常添加される有機化合物より分子量が大きい成分ではないかと考えている。この成分の一態様について、本発明者らは以下のように推察している。磁性層は、一態様では、強磁性粉末および結合剤に加えて、硬化剤を含む磁性層形成用組成物を非磁性支持体上に直接または他の層を介して塗布し、硬化処理を施し形成される。ここでの硬化処理により、結合剤と硬化剤とを硬化反応（架橋反応）させることができる。ただし、硬化剤と硬化反応しなかった結合剤または硬化剤との硬化反応が不十分であった結合剤は磁性層から遊離しやすく、磁性層表面上にも存在する場合があると考えられる。このような結合剤が磁性層表面に存在することも、磁性層表面と磁気ヘッドとが接触して摺動する際に磁性層表面と磁気ヘッドとのスペーシングが変動することの一因になり得ると本発明者らは推察している。
ただし以上は本発明者らの推察であって、本発明を何ら限定するものではない。

上記の差分（Ｓ_{ａｆｔｅｒ}−Ｓ_{ｂｅｆｏｒｅ}）は、ドロップアウトをより一層低減する観点からは、０ｎｍ超１５．０ｎｍ以下であることが好ましい。ドロップアウトを更に一層低減する観点からは、差分（Ｓ_{ａｆｔｅｒ}−Ｓ_{ｂｅｆｏｒｅ}）は、１４．０ｎｍ以下であることが好ましく、１３．０ｎｍ以下であることがより好ましく、１２．０ｎｍ以下であることが更に好ましい。詳細を後述するように、差分（Ｓ_{ａｆｔｅｒ}−Ｓ_{ｂｅｆｏｒｅ}）は磁気テープの製造工程における磁性層の表面処理によって制御することができる。メチルエチルケトン洗浄前後の差分（Ｓ_{ａｆｔｅｒ}−Ｓ_{ｂｅｆｏｒｅ}）が０ｎｍになるほど磁性層の表面処理を実施してしまうと、磁性層の添加剤（例えば潤滑剤）が磁気テープの磁性層から多量に除去されてしまうと考えられる。この点を考慮すると、差分（Ｓ_{ａｆｔｅｒ}−Ｓ_{ｂｅｆｏｒｅ}）は、０ｎｍ超であることが好ましく、１．０ｎｍ以上であることがより好ましく、２．０ｎｍ以上であることが更に好ましく、３．０ｎｍ以上であることが一層好ましく、４．０ｎｍ以上であることがより一層好ましい。

以上説明した磁性層は、非磁性支持体表面上に直接、または非磁性層を介して間接的に、設けることができる。

＜非磁性層＞
次に非磁性層について説明する。上記磁気テープは、非磁性支持体表面上に直接磁性層を有していてもよく、非磁性支持体表面上に非磁性粉末を含む非磁性層を介して磁性層を有していてもよい。非磁性層に使用される非磁性粉末は、無機粉末でも有機粉末でもよい。また、カーボンブラック等も使用できる。無機粉末としては、例えば金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物、金属硫化物等の粉末が挙げられる。これらの非磁性粉末は、市販品として入手可能であり、公知の方法で製造することもできる。その詳細については、特開２０１１−２１６１４９号公報の段落０１４６〜０１５０を参照できる。非磁性層に使用可能なカーボンブラックについては、特開２０１０−２４１１３号公報の段落００４０〜００４１も参照できる。非磁性層における非磁性粉末の含有量（充填率）は、好ましくは５０〜９０質量％の範囲であり、より好ましくは６０〜９０質量％の範囲である。

非磁性層は、結合剤を含むことができ、更に一種以上の添加剤を含むこともできる。非磁性層の結合剤、添加剤等のその他詳細は、非磁性層に関する公知技術が適用できる。また、例えば、結合剤の種類および含有量、添加剤の種類および含有量等に関しては、磁性層に関する公知技術も適用できる。

本発明および本明細書において、非磁性層には、非磁性粉末とともに、例えば不純物として、または意図的に、少量の強磁性粉末を含む実質的に非磁性な層も包含されるものとする。ここで実質的に非磁性な層とは、この層の残留磁束密度が１０ｍＴ以下であるか、保磁力が１００Ｏｅ以下であるか、または、残留磁束密度が１０ｍＴ以下であり、かつ保磁力が１００Ｏｅ以下である層をいうものとする。非磁性層は、残留磁束密度および保磁力を持たないことが好ましい。

＜非磁性支持体＞
非磁性支持体（以下、単に「支持体」とも記載する。）としては、二軸延伸を行ったポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアミド、ポリアミドイミド、芳香族ポリアミド等の公知のものが挙げられる。これらの中でもポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、およびポリアミドが好ましい。これらの支持体には、あらかじめコロナ放電、プラズマ処理、易接着処理、熱処理等を行ってもよい。例えば、支持体表面に、支持体に含まれている非磁性粉末によって突起が形成されている場合、バックコート層の厚みを厚くするほど、非磁性支持体の突起の影響を抑えてバックコート層表面の突起の個数を減らすことができる。また、支持体を公知の方法により製造する場合、支持体に含有させる非磁性粉末のサイズおよび含有量によって、支持体表面の突起の存在状態を調整することができる。

＜各種厚み＞
非磁性支持体の厚みは、例えば３．０〜８０．０μｍであり、好ましくは３．０〜５０．０μｍの範囲であり、より好ましくは３．０〜１０．０μｍの範囲である。
磁性層の厚みは、用いる磁気ヘッドの飽和磁化量やヘッドギャップ長、記録信号の帯域により最適化することができ、例えば１０ｎｍ〜１００ｎｍであり、高密度記録化の観点から、好ましくは２０〜９０ｎｍの範囲であり、更に好ましくは３０〜７０ｎｍの範囲である。磁性層は少なくとも一層あればよく、磁性層を異なる磁気特性を有する２層以上に分離してもかまわず、公知の重層磁性層に関する構成が適用できる。２層以上に分離する場合の磁性層の厚みとは、これらの層の合計厚みとする。
非磁性層の厚みは、例えば５０ｎｍ以上であり、好ましくは７０ｎｍ以上であり、より好ましくは１００ｎｍ以上である。一方、非磁性層の厚みは、８００ｎｍ以下であることが好ましく、５００ｎｍ以下であることがより好ましい。
バックコート層の厚みは、０．９μｍ以下であることが好ましく、０．１〜０．７μｍの範囲であることが更に好ましい。
磁気テープの各層および非磁性支持体の厚みは、公知の膜厚測定法により求めることができる。一例として、例えば、磁気テープの厚み方向の断面を、イオンビーム、ミクロトーム等の公知の手法により露出させた後、露出した断面において走査型電子顕微鏡を用いて断面観察を行う。断面観察において１箇所において求められた厚み、または無作為に抽出した２箇所以上の複数箇所、例えば２箇所、において求められた厚みの算術平均として、各種厚みを求めることができる。または、各層の厚みは、製造条件から算出される設計厚みとして求めてもよい。

＜製造工程＞
磁性層、非磁性層およびバックコート層を形成するための組成物は、先に説明した各種成分とともに、通常、溶媒を含む。溶媒としては、塗布型磁気記録媒体を製造するために一般に使用される各種有機溶媒を用いることができる。各層形成用組成物における溶媒量は特に限定されるものではなく、通常の塗布型磁気記録媒体の各層形成用組成物と同様にすることができる。各層形成用組成物を調製する工程は、通常、少なくとも混練工程、分散工程、およびこれらの工程の前後に必要に応じて設けた混合工程を含むことができる。個々の工程はそれぞれ２段階以上に分かれていてもかまわない。各層形成用組成物の調製に用いられる各種成分は、どの工程の最初または途中で添加してもよい。また、個々の成分を２つ以上の工程で分割して添加してもよい。

各層形成用組成物を調製するためには、公知技術を用いることができる。混練工程では、オープンニーダ、連続ニーダ、加圧ニーダ、エクストルーダ等の強い混練力をもつニーダを使用することが好ましい。これらの混練処理の詳細については、特開平１−１０６３３８号公報および特開平１−７９２７４号公報に記載されている。また、各層形成用組成物を分散させるためには、分散メディアとして、ガラスビーズおよびその他の分散ビーズからなる群から選ばれる一種以上の分散ビーズを用いることができる。このような分散ビーズとしては、高比重の分散ビーズであるジルコニアビーズ、チタニアビーズ、およびスチールビーズが好適である。これら分散ビーズの粒径（ビーズ径）および充填率は最適化して用いることができる。分散機は公知のものを使用することができる。バックコート層の表面の突起の個数については、バックコート層の形成に用いる非磁性粉末のサイズが小さいほど、バックコート層形成用組成物の分散性は低下し、バックコート層表面に突起が形成され易くなる傾向がある。バックコート層形成用組成物の調製のために混合する非磁性粉末と結合剤の組み合わせによってもバックコート層形成用組成物の分散性は変化し得るため、非磁性粉末と結合剤との組み合わせによってバックコート層表面の突起の個数を制御することもできる。また、バックコート層形成用組成物の混練に関しては、溶剤量が少ないほど混練物の分散性が低下してバックコート層表面の突起の個数は増える傾向がある。また、混練しないで直接分散するとバックコート層の表面の突起の個数は減る傾向がある。分散条件に関しては、一般にバックコート層形成用組成物調製時の分散時間を長くすると、バックコート層の表面の突起の個数は減る傾向がある。バックコート層形成用組成物等の各層形成用組成物は、塗布工程に付す前に公知の方法によってろ過してもよい。ろ過は、例えばフィルタろ過によって行うことができる。ろ過に用いるフィルタとしては、例えば孔径０．０１〜３μｍのフィルタ（例えばガラス繊維製フィルタ、ポリプロピレン製フィルタ等）を用いることができる。

磁性層は、磁性層形成用組成物を、例えば、非磁性支持体上に直接塗布するか、または非磁性層形成用組成物と逐次もしくは同時に重層塗布することにより形成することができる。バックコート層は、バックコート層形成用組成物を、非磁性支持体の磁性層を有する（または磁性層が追って設けられる）側とは反対側に塗布することにより形成することができる。各層形成のための塗布の詳細については、特開２０１０−２４１１３号公報の段落００５１を参照できる。

塗布工程後には、乾燥処理、磁性層の配向処理、表面平滑化処理（カレンダ処理）等の各種処理を行うことができる。各種工程については、例えば特開２０１０−２４１１３号公報の段落００５２〜００５７等の公知技術を参照できる。例えば、磁性層形成用組成物の塗布層には、この塗布層が湿潤（未乾燥）状態にあるうちに配向処理を施すことが好ましい。配向処理については、特開２０１０−２３１８４３号公報の段落００６７の記載をはじめとする各種公知技術を適用することができる。例えば、垂直配向処理は、異極対向磁石を用いる方法等の公知の方法によって行うことができる。配向ゾーンでは、乾燥風の温度、風量および／または配向ゾーンにおける磁気テープの搬送速度によって塗布層の乾燥速度を制御することができる。配向ゾーンに搬送する前に塗布層を予備乾燥させてもよい。また、カレンダ処理については、カレンダ条件を強化すると、バックコート層の表面の突起は少なくなる傾向がある。カレンダ条件としては、カレンダ圧力、カレンダ温度（カレンダロールの表面温度）、カレンダ速度、カレンダロールの硬度等が挙げられ、カレンダ圧力、カレンダ温度およびカレンダロールの硬度は、これらの値を大きくするほどカレンダ処理は強化され、カレンダ速度は遅くするほどカレンダ処理は強化される。

磁性層形成用組成物の塗布工程後の任意の段階で、磁性層形成用組成物を塗布して形成された塗布層の加熱処理を行うことが好ましい。この加熱処理は、一例として、カレンダ処理の前および／または後に実施することができる。加熱処理は、例えば、磁性層形成用組成物の塗布層が形成された支持体を加熱雰囲気下に置くことにより実施することができる。加熱雰囲気は、雰囲気温度６５〜９０℃の雰囲気であることができ、雰囲気温度６５〜７５℃の雰囲気であることが好ましい。この雰囲気は、例えば大気雰囲気であることができる。加熱雰囲気下での加熱処理は、例えば２０〜５０時間実施することができる。一態様では、この加熱処理により、硬化剤の硬化性官能基の硬化反応を進行させることができる。

上記磁気テープの製造方法の一態様としては、磁性層表面を、好ましくは上記加熱処理の後に、メチルエチルケトンを浸潤させたワイピング材によって拭き取ること（以下、「メチルエチルケトン拭き取り処理」とも記載する。）を含む製造方法を挙げることができる。メチルエチルケトン拭き取り処理によって、先に記載した差分（Ｓ_{ａｆｔｅｒ}−Ｓ_{ｂｅｆｏｒｅ}）の値を小さくすることができる。メチルエチルケトン拭き取り処理によって除去可能な成分が磁性層表面上に存在することも、磁性層表面と磁気ヘッドとが接触し摺動する際に磁性層表面と磁気ヘッドとのスペーシングが変動することの一因になり得ると考えられる。

メチルエチルケトン拭き取り処理は、磁気記録媒体の製造工程において一般に実施される乾式拭き取り処理に準じて、乾式拭き取り処理で使用されるワイピング材に代えて、メチルエチルケトンを浸潤させたワイピング材を用いて実施することができる。例えば、磁気テープを磁気テープカートリッジに収容する幅にスリットした後またはスリットする前に、磁気テープを送り出しローラーと巻き取ローラーとの間で走行させ、走行中の磁気テープの磁性層表面にメチルエチルケトンを浸潤させたワイピング材（例えば布（例えば不織布）または紙（例えばティッシュペーパー））を押し付けることにより、磁性層表面のメチルエチルケトン拭き取り処理を行うことができる。上記走行における磁気テープの走行速度および磁性層表面の長手方向に与えられる張力（以下、単に「張力」と記載する。）は、磁気記録媒体の製造工程において一般に実施される乾式拭き取り処理で一般に採用されている処理条件と同様にすることができる。例えば、メチルエチルケトン拭き取り処理における磁気テープの走行速度は、６０〜６００ｍ／分程度とすることができ、張力は、０．１９６〜３．９２０Ｎ（ニュートン）程度とすることができる。メチルエチルケトン拭き取り処理は、少なくとも１回行うことができる。

また、磁性層表面に、塗布型磁気記録媒体の製造工程において一般に実施される研磨処理および／または乾式拭き取り処理（以下、これらを「乾式表面処理」と記載する。）を１回以上行うこともできる。乾式表面処理によれば、例えばスリットにより発生した切り屑等の製造工程中で発生して磁性層表面に付着している異物を除去することができる。メチルエチルケトン拭き取り処理を行う場合、乾式表面処理は、メチルエチルケトン拭き取り処理の前および／または後に実施することができる。また、バックコート層については、研磨テープ、ダイヤモンドホイール等の研磨手段をバックコート層表面に押しつけて研磨することもできる。ここで用いる研磨手段の種類、研磨時にバックコート層表面に研磨手段を押し付ける押し付け圧等によっても、バックコート層表面の突起の個数を制御することができる。

上記のように製造された磁気テープには、磁気記録再生装置における磁気ヘッドのトラッキング制御、磁気テープの走行速度の制御等を可能とするために、公知の方法によってサーボパターンを形成することができる。「サーボパターンの形成」は、「サーボ信号の記録」ということもできる。以下に、サーボパターンの形成について説明する。

サーボパターンは、通常、磁気テープの長手方向に沿って形成される。サーボ信号を利用する制御（サーボ制御）の方式としては、タイミングベースサーボ（ＴＢＳ）、アンプリチュードサーボ、周波数サーボ等が挙げられる。

ＥＣＭＡ（ＥｕｒｏｐｅａｎＣｏｍｐｕｔｅｒＭａｎｕｆａｃｔｕｒｅｒｓＡｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ）―３１９に示される通り、ＬＴＯ（ＬｉｎｅａｒＴａｐｅ−Ｏｐｅｎ）規格に準拠した磁気テープ（一般に「ＬＴＯテープ」と呼ばれる。）では、タイミングベースサーボ方式が採用されている。このタイミングベースサーボ方式において、サーボパターンは、互いに非平行な一対の磁気ストライプ（「サーボストライプ」とも呼ばれる。）が、磁気テープの長手方向に連続的に複数配置されることによって構成されている。本発明および本明細書において、「タイミングベースサーボパターン」とは、タイミングベースサーボ方式のサーボシステムにおけるヘッドトラッキングを可能とするサーボパターンをいう。上記のように、サーボパターンが互いに非平行な一対の磁気ストライプにより構成される理由は、サーボパターン上を通過するサーボ信号読み取り素子に、その通過位置を教えるためである。具体的には、上記の一対の磁気ストライプは、その間隔が磁気テープの幅方向に沿って連続的に変化するように形成されており、サーボ信号読み取り素子がその間隔を読み取ることによって、サーボパターンとサーボ信号読み取り素子との相対位置を知ることができる。この相対位置の情報が、データトラックのトラッキングを可能にする。そのために、サーボパターン上には、通常、磁気テープの幅方向に沿って、複数のサーボトラックが設定されている。

サーボバンドは、磁気テープの長手方向に連続するサーボ信号により構成される。このサーボバンドは、通常、磁気テープに複数本設けられる。例えば、ＬＴＯテープにおいて、その数は５本である。隣接する２本のサーボバンドに挟まれた領域は、データバンドと呼ばれる。データバンドは、複数のデータトラックで構成されており、各データトラックは、各サーボトラックに対応している。

また、一態様では、特開２００４−３１８９８３号公報に示されているように、各サーボバンドには、サーボバンドの番号を示す情報（「サーボバンドＩＤ（ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）」または「ＵＤＩＭ（ＵｎｉｑｕｅＤａｔａＢａｎｄＩｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎＭｅｔｈｏｄ）情報」とも呼ばれる。）が埋め込まれている。このサーボバンドＩＤは、サーボバンド中に複数ある一対のサーボストライプのうちの特定のものを、その位置が磁気テープの長手方向に相対的に変位するように、ずらすことによって記録されている。具体的には、複数ある一対のサーボストライプのうちの特定のもののずらし方を、サーボバンド毎に変えている。これにより、記録されたサーボバンドＩＤはサーボバンド毎にユニークなものとなるため、一つのサーボバンドをサーボ信号読み取り素子で読み取るだけで、そのサーボバンドを一意に（ｕｎｉｑｕｅｌｙ）特定することができる。

なお、サーボバンドを一意に特定する方法には、ＥＣＭＡ―３１９に示されているようなスタッガード方式を用いたものもある。このスタッガード方式では、磁気テープの長手方向に連続的に複数配置された、互いに非平行な一対の磁気ストライプ（サーボストライプ）の群を、サーボバンド毎に磁気テープの長手方向にずらすように記録する。隣接するサーボバンド間における、このずらし方の組み合わせは、磁気テープ全体においてユニークなものとされているため、２つのサーボ信号読み取り素子によりサーボパターンを読み取る際に、サーボバンドを一意に特定することも可能となっている。

また、各サーボバンドには、ＥＣＭＡ―３１９に示されている通り、通常、磁気テープの長手方向の位置を示す情報（「ＬＰＯＳ（ＬｏｎｇｉｔｕｄｉｎａｌＰｏｓｉｔｉｏｎ）情報」とも呼ばれる。）も埋め込まれている。このＬＰＯＳ情報も、ＵＤＩＭ情報と同様に、一対のサーボストライプの位置を、磁気テープの長手方向にずらすことによって記録されている。ただし、ＵＤＩＭ情報とは異なり、このＬＰＯＳ情報では、各サーボバンドに同じ信号が記録されている。

上記のＵＤＩＭ情報およびＬＰＯＳ情報とは異なる他の情報を、サーボバンドに埋め込むことも可能である。この場合、埋め込まれる情報は、ＵＤＩＭ情報のようにサーボバンド毎に異なるものであってもよいし、ＬＰＯＳ情報のようにすべてのサーボバンドに共通のものであってもよい。
また、サーボバンドに情報を埋め込む方法としては、上記以外の方法を採用することも可能である。例えば、一対のサーボストライプの群の中から、所定の対を間引くことによって、所定のコードを記録するようにしてもよい。

サーボパターン形成用ヘッドは、サーボライトヘッドと呼ばれる。サーボライトヘッドは、上記一対の磁気ストライプに対応した一対のギャップを、サーボバンドの数だけ有する。通常、各一対のギャップには、それぞれコアとコイルが接続されており、コイルに電流パルスを供給することによって、コアに発生した磁界が、一対のギャップに漏れ磁界を生じさせることができる。サーボパターンの形成の際には、サーボライトヘッド上に磁気テープを走行させながら電流パルスを入力することによって、一対のギャップに対応した磁気パターンを磁気テープに転写させて、サーボパターンを形成することができる。各ギャップの幅は、形成されるサーボパターンの密度に応じて適宜設定することができる。各ギャップの幅は、例えば、１μｍ以下、１〜１０μｍ、１０μｍ以上等に設定可能である。

磁気テープにサーボパターンを形成する前には、磁気テープに対して、通常、消磁（イレース）処理が施される。このイレース処理は、直流磁石または交流磁石を用いて、磁気テープに一様な磁界を加えることによって行うことができる。イレース処理には、ＤＣ（ＤｉｒｅｃｔＣｕｒｒｅｎｔ）イレースとＡＣ（ＡｌｔｅｒｎａｔｉｎｇＣｕｒｒｅｎｔ）イレースとがある。ＡＣイレースは、磁気テープに印加する磁界の方向を反転させながら、その磁界の強度を徐々に下げることによって行われる。一方、ＤＣイレースは、磁気テープに一方向の磁界を加えることによって行われる。ＤＣイレースには、更に２つの方法がある。第一の方法は、磁気テープの長手方向に沿って一方向の磁界を加える、水平ＤＣイレースである。第二の方法は、磁気テープの厚み方向に沿って一方向の磁界を加える、垂直ＤＣイレースである。イレース処理は、磁気テープ全体に対して行ってもよいし、磁気テープのサーボバンド毎に行ってもよい。

形成されるサーボパターンの磁界の向きは、イレースの向きに応じて決まる。例えば、磁気テープに水平ＤＣイレースが施されている場合、サーボパターンの形成は、磁界の向きがイレースの向きと反対になるように行われる。これにより、サーボパターンが読み取られて得られるサーボ信号の出力を、大きくすることができる。なお、特開２０１２−５３９４０号公報に示されている通り、垂直ＤＣイレースされた磁気テープに、上記ギャップを用いた磁気パターンの転写を行った場合、形成されたサーボパターンが読み取られて得られるサーボ信号は、単極パルス形状となる。一方、水平ＤＣイレースされた磁気テープに、上記ギャップを用いた磁気パターンの転写を行った場合、形成されたサーボパターンが読み取られて得られるサーボ信号は、双極パルス形状となる。

磁気テープは、通常、磁気テープカートリッジに収容され、磁気テープカートリッジが磁気記録再生装置に装着される。

［磁気テープカートリッジ］
本発明の一態様は、上記磁気テープを含む磁気テープカートリッジに関する。

上記磁気テープカートリッジに含まれる磁気テープの詳細は、先に記載した通りである。

磁気テープカートリッジでは、一般に、カートリッジ本体内部に磁気テープがリールに巻き取られた状態で収容されている。リールは、カートリッジ本体内部に回転可能に備えられている。磁気テープカートリッジとしては、カートリッジ本体内部にリールを１つ具備する単リール型の磁気テープカートリッジおよびカートリッジ本体内部にリールを２つ具備する双リール型の磁気テープカートリッジが広く用いられている。単リール型の磁気テープカートリッジは、磁気テープへのデータの記録および／または再生のために磁気記録再生装置に装着されると、磁気テープカートリッジから磁気テープが引き出されて磁気記録再生装置側のリールに巻き取られる。磁気テープカートリッジから巻き取りリールまでの磁気テープ搬送経路には、磁気ヘッドが配置されている。磁気テープカートリッジ側のリール（供給リール）と磁気記録再生装置側のリール（巻き取りリール）との間で、磁気テープの送り出しと巻き取りが行われる。この間、磁気ヘッドと磁気テープの磁性層表面とが接触し摺動することにより、データの記録および／または再生が行われる。これに対し、双リール型の磁気テープカートリッジは、供給リールと巻き取りリールの両リールが、磁気テープカートリッジ内部に具備されている。上記磁気テープカートリッジは、単リール型および双リール型のいずれの磁気テープカートリッジであってもよい。上記磁気テープカートリッジは、本発明の一態様にかかる磁気テープを含むものであればよく、その他については公知技術を適用することができる。

［磁気記録再生装置］
本発明の一態様は、上記磁気テープと、磁気ヘッドと、を含む磁気記録再生装置に関する。

本発明および本明細書において、「磁気記録再生装置」とは、磁気テープへのデータの記録および磁気テープに記録されたデータの再生の少なくとも一方を行うことができる装置を意味するものとする。かかる装置は、一般にドライブと呼ばれる。上記磁気記録再生装置は、摺動型の磁気記録再生装置であることができる。摺動型の磁気記録再生装置とは、磁気テープへのデータの記録および／または記録されたデータの再生を行う際に磁性層表面と磁気ヘッドとが接触し摺動する装置をいう。

上記磁気記録再生装置に含まれる磁気ヘッドは、磁気テープへのデータの記録を行うことができる記録ヘッドであることができ、磁気テープに記録されたデータの再生を行うことができる再生ヘッドであることもできる。また、上記磁気記録再生装置は、一態様では、別々の磁気ヘッドとして、記録ヘッドと再生ヘッドの両方を含むことができる。他の一態様では、上記磁気記録再生装置に含まれる磁気ヘッドは、データの記録のための素子（記録素子）とデータの再生のための素子（再生素子）の両方を１つの磁気ヘッドに備えた構成を有することもできる。以下において、データの記録のための素子および再生のための素子を、「データ用素子」と総称する。再生ヘッドとしては、磁気テープに記録されたデータを感度よく読み取ることができる磁気抵抗効果型（ＭＲ；Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子を再生素子として含む磁気ヘッド（ＭＲヘッド）が好ましい。ＭＲヘッドとしては、ＡＭＲ（ＡｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃＭａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）ヘッド、ＧＭＲ（ＧｉａｎｔＭａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）ヘッド、ＴＭＲ（ＴｕｎｎｅｌＭａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）ヘッド等の公知の各種ＭＲヘッドを用いることができる。また、データの記録および／またはデータの再生を行う磁気ヘッドには、サーボ信号読み取り素子が含まれていてもよい。または、データの記録および／またはデータの再生を行う磁気ヘッドとは別のヘッドとして、サーボ信号読み取り素子を備えた磁気ヘッド（サーボヘッド）が上記磁気記録再生装置に含まれていてもよい。例えば、データの記録および／または記録されたデータの再生を行う磁気ヘッド（以下、「記録再生ヘッド」とも呼ぶ。）は、サーボ信号読み取り素子を２つ含むことができ、２つのサーボ信号読み取り素子のそれぞれが、隣接する２つのサーボバンドを同時に読み取ることができる。２つのサーボ信号読み取り素子の間に、１つまたは複数のデータ用素子を配置することができる。

上記磁気記録再生装置において、磁気テープへのデータの記録および／または磁気テープに記録されたデータの再生は、磁気テープの磁性層表面と磁気ヘッドとを接触させて摺動させることにより行うことができる。上記磁気記録再生装置は、本発明の一態様にかかる磁気テープを含むものであればよく、その他については公知技術を適用することができる。

例えば、データの記録および／または記録されたデータの再生の際には、まず、サーボ信号を用いたトラッキングが行われる。すなわち、サーボ信号読み取り素子を所定のサーボトラックに追従させることによって、データ用素子が、目的とするデータトラック上を通過するように制御される。データトラックの移動は、サーボ信号読み取り素子が読み取るサーボトラックを、テープ幅方向に変更することにより行われる。
また、記録再生ヘッドは、他のデータバンドに対する記録および／または再生を行うことも可能である。その際には、先に記載したＵＤＩＭ情報を利用してサーボ信号読み取り素子を所定のサーボバンドに移動させ、そのサーボバンドに対するトラッキングを開始すればよい。

以下に、本発明を実施例により更に具体的に説明する。ただし本発明は、実施例に示す態様に限定されるものではない。以下に記載の「部」および「％」は、特記しない限り、「質量部」および「質量％」を示す。下記工程および評価は、特記しない限り、２３℃±１℃の大気中で行った。

後述の表１中、「ＳｒＦｅ１」および「ＳｒＦｅ２」は六方晶ストロンチウムフェライト粉末を示し、「ε−酸化鉄」はε−酸化鉄粉末を示し、「ＢａＦｅ」は平均粒子サイズ２１ｎｍの六方晶バリウムフェライト粉末を示す。
以下に記載の各種強磁性粉末の活性化体積および異方性定数Ｋｕは、各強磁性粉末について、振動試料型磁力計（東英工業社製）を用いて、先に記載の方法により求められた値である。
また、質量磁化σｓは、振動試料型磁力計（東英工業社製）を用いて磁場強度１５ｋＯｅで測定された値である。
また、以下に記載の磁性層の異方性磁界Ｈｋは、振動試料型磁力計ＴＭ−ＶＳＭ５０５０−ＳＭＳ型（玉川製作所製）を用いて測定された値である。

［強磁性粉末の作製方法］
＜六方晶ストロンチウムフェライト粉末の作製方法１＞
表１に示す「ＳｒＦｅ１」は、以下の方法により作製された六方晶ストロンチウムフェライト粉末である。
ＳｒＣＯ_３を１７０７ｇ、Ｈ_３ＢＯ_３を６８７ｇ、Ｆｅ_２Ｏ_３を１１２０ｇ、Ａｌ（ＯＨ）_３を４５ｇ、ＢａＣＯ_３を２４ｇ、ＣａＣＯ_３を１３ｇ、およびＮｄ_２Ｏ_３を２３５ｇ秤量し、ミキサーにて混合し原料混合物を得た。
得られた原料混合物を、白金ルツボで溶融温度１３９０℃で溶融し、融液を撹拌しつつ白金ルツボの底に設けた出湯口を加熱し、融液を約６ｇ／秒で棒状に出湯させた。出湯液を水冷双ローラーで圧延急冷して非晶質体を作製した。
作製した非晶質体２８０ｇを電気炉に仕込み、昇温速度３．５℃／分にて６３５℃（結晶化温度）まで昇温し、同温度で５時間保持して六方晶ストロンチウムフェライト粒子を析出（結晶化）させた。
次いで六方晶ストロンチウムフェライト粒子を含む上記で得られた結晶化物を乳鉢で粗粉砕し、ガラス瓶に粒径１ｍｍのジルコニアビーズ１０００ｇと濃度１％の酢酸水溶液を８００ｍＬ加えてペイントシェーカーにて３時間分散処理を行った。その後、得られた分散液をビーズと分離させステンレスビーカーに入れた。分散液を液温１００℃で３時間静置させてガラス成分の溶解処理を行った後、遠心分離器で沈澱させてデカンテーションを繰り返して洗浄し、炉内温度１１０℃の加熱炉内で６時間乾燥させて六方晶ストロンチウムフェライト粉末を得た。
上記で得られた六方晶ストロンチウムフェライト粉末（表１中、「ＳｒＦｅ１」）の平均粒子サイズは１８ｎｍ、活性化体積は９０２ｎｍ^３、異方性定数Ｋｕは２.２×１０^５Ｊ／ｍ^３、質量磁化σｓは４９Ａ・ｍ^２／ｋｇであった。
上記で得られた六方晶ストロンチウムフェライト粉末から試料粉末を１２ｍｇ採取し、この試料粉末を先に例示した溶解条件によって部分溶解して得られたろ液の元素分析をＩＣＰ分析装置によって行い、ネオジム原子の表層部含有率を求めた。
別途、上記で得られた六方晶ストロンチウムフェライト粉末から試料粉末を１２ｍｇ採取し、この試料粉末を先に例示した溶解条件によって全溶解して得られたろ液の元素分析をＩＣＰ分析装置によって行い、ネオジム原子のバルク含有率を求めた。
上記で得られた六方晶ストロンチウムフェライト粉末の鉄原子１００原子％に対するネオジム原子の含有率（バルク含有率）は、２．９原子％であった。また、ネオジム原子の表層部含有率は８．０原子％であった。表層部含有率とバルク含有率との比率、「表層部含有率／バルク含有率」は２．８であり、ネオジム原子が粒子の表層に偏在していることが確認された。

上記で得られた粉末が六方晶フェライトの結晶構造を示すことは、ＣｕＫα線を電圧４５ｋＶかつ強度４０ｍＡの条件で走査し、下記条件でＸ線回折パターンを測定すること（Ｘ線回折分析）により確認した。上記で得られた粉末は、マグネトプランバイト型（Ｍ型）の六方晶フェライトの結晶構造を示した。また、Ｘ線回折分析により検出された結晶相は、マグネトプランバイト型の単一相であった。
ＰＡＮａｌｙｔｉｃａｌＸ’ＰｅｒｔＰｒｏ回折計、ＰＩＸｃｅｌ検出器
入射ビームおよび回折ビームのＳｏｌｌｅｒスリット：０．０１７ラジアン
分散スリットの固定角：１／４度
マスク：１０ｍｍ
散乱防止スリット：１／４度
測定モード：連続
１段階あたりの測定時間：３秒
測定速度：毎秒０．０１７度
測定ステップ：０．０５度

＜六方晶ストロンチウムフェライト粉末の作製方法２＞
表１に示す「ＳｒＦｅ２」は、以下の方法により作製された六方晶ストロンチウムフェライト粉末である。
ＳｒＣＯ_３を１７２５ｇ、Ｈ_３ＢＯ_３を６６６ｇ、Ｆｅ_２Ｏ_３を１３３２ｇ、Ａｌ（ＯＨ）_３を５２ｇ、ＣａＣＯ_３を３４ｇ、ＢａＣＯ_３を１４１ｇ秤量し、ミキサーにて混合し原料混合物を得た。
得られた原料混合物を、白金ルツボで熔融温度１３８０℃で溶解し、融液を撹拌しつつ白金ルツボの底に設けた出湯口を加熱し、融液を約６ｇ／秒で棒状に出湯させた。出湯液を水冷双ロールで急冷圧延して非晶質体を作製した。
得られた非晶質体２８０ｇを電気炉に仕込み、６４５℃（結晶化温度）まで昇温し、同温度で５時間保持し六方晶ストロンチウムフェライト粒子を析出（結晶化）させた。
次いで六方晶ストロンチウムフェライト粒子を含む上記で得られた結晶化物を乳鉢で粗粉砕し、ガラス瓶に粒径１ｍｍのジルコニアビーズ１０００ｇと濃度１％の酢酸水溶液を８００ｍＬ加えてペイントシェーカーにて３時間分散処理を行った。その後、得られた分散液をビーズと分離させステンレスビーカーに入れた。分散液を液温１００℃で３時間静置させてガラス成分の溶解処理を行った後、遠心分離器で沈澱させてデカンテーションを繰り返して洗浄し、炉内温度１１０℃の加熱炉内で６時間乾燥させて六方晶ストロンチウムフェライト粉末を得た。
得られた六方晶ストロンチウムフェライト粉末（表１中、「ＳｒＦｅ２」）の平均粒子サイズは１９ｎｍ、活性化体積は１１０２ｎｍ^３、異方性定数Ｋｕは２.０×１０^５Ｊ／ｍ^３、質量磁化σｓは５０Ａ・ｍ^２／ｋｇであった。

＜ε−酸化鉄粉末の作製方法＞
表１に示す「ε−酸化鉄」は、以下の方法により作製されたε−酸化鉄粉末である。
純水９０ｇに、硝酸鉄（ＩＩＩ）９水和物８．３ｇ、硝酸ガリウム（ＩＩＩ）８水和物１．３ｇ、硝酸コバルト（ＩＩ）６水和物１９０ｍｇ、硫酸チタン（ＩＶ）１５０ｍｇ、およびポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）１．５ｇを溶解させたものを、マグネチックスターラーを用いて撹拌しながら、大気雰囲気中、雰囲気温度２５℃の条件下で、濃度２５％のアンモニア水溶液４．０ｇを添加し、雰囲気温度２５℃の温度条件のまま２時間撹拌した。得られた溶液に、クエン酸１ｇを純水９ｇに溶解させて得たクエン酸水溶液を加え、１時間撹拌した。撹拌後に沈殿した粉末を遠心分離によって採集し、純水で洗浄し、炉内温度８０℃の加熱炉内で乾燥させた。
乾燥させた粉末に純水８００ｇを加えて再度粉末を水に分散させて分散液を得た。得られた分散液を液温５０℃に昇温し、撹拌しながら濃度２５％アンモニア水溶液を４０ｇ滴下した。５０℃の温度を保ったまま１時間撹拌した後、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）１４ｍＬを滴下し、２４時間撹拌した。得られた反応溶液に、硫酸アンモニウム５０ｇを加え、沈殿した粉末を遠心分離によって採集し、純水で洗浄し、炉内温度８０℃の加熱炉内で２４時間乾燥させ、強磁性粉末の前駆体を得た。
得られた強磁性粉末の前駆体を、大気雰囲気下、炉内温度１０００℃の加熱炉内に装填し、４時間の加熱処理を施した。
加熱処理した強磁性粉末の前駆体を、４ｍｏｌ／Ｌの水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）水溶液中に投入し、液温を７０℃に維持して２４時間撹拌することにより、加熱処理した強磁性粉末の前駆体から不純物であるケイ酸化合物を除去した。
その後、遠心分離処理により、ケイ酸化合物を除去した強磁性粉末を採集し、純水で洗浄を行い、強磁性粉末を得た。
得られた強磁性粉末の組成を高周波誘導結合プラズマ発光分光分析(ＩＣＰ−ＯＥＳ；ＩｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙＣｏｕｐｌｅｄＰｌａｓｍａ−ＯｐｔｉｃａｌＥｍｉｓｓｉｏｎＳｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により確認したところ、Ｇａ、ＣｏおよびＴｉ置換型ε−酸化鉄（ε−Ｇａ_０．５８Ｆｅ_１．４２Ｏ_３）であった。また、先に六方晶ストロンチウムフェライト粉末の作製方法１について記載した条件と同様の条件でＸ線回折分析を行い、Ｘ線回折パターンのピークから、得られた強磁性粉末が、α相およびγ相の結晶構造を含まない、ε相の単相の結晶構造（ε−酸化鉄型の結晶構造）を有することを確認した。
得られたε−酸化鉄粉末（表１中、「ε−酸化鉄」）の平均粒子サイズは１２ｎｍ、活性化体積は７４６ｎｍ^３、異方性定数Ｋｕは１．２×１０^５Ｊ／ｍ^３、質量磁化σｓは１６Ａ・ｍ^２／ｋｇであった。

［実施例１］
各層形成用組成物の処方を、下記に示す。

＜磁性層形成用組成物の処方＞
（磁性液）
強磁性粉末（種類：表１参照）：１００．０部
オレイン酸：２.０部
塩化ビニル共重合体（カネカ社製ＭＲ−１０４）：１０.０部
（重量平均分子量：５５０００、活性水素含有基（ヒドロキシ基）：０．３３ｍｅｑ／ｇ、ＯＳＯ_３Ｋ基（硫酸基のカリウム塩）：０．０９ｍｅｑ／ｇ）
ＳＯ_３Ｎａ基含有ポリウレタン樹脂：４.０部
（重量平均分子量：７００００、活性水素含有基（ヒドロキシ基）：４〜６ｍｇＫＯＨ／ｇ、ＳＯ_３Ｎａ基（スルホン酸基のナトリウム塩）：０.０７ｍｅｑ／ｇ）
ポリアルキレンイミン系ポリマー（特開２０１６−５１４９３号公報の段落０１１５〜０１２３に記載の方法により得られた合成品）：６.０部
メチルエチルケトン：１５０.０部
シクロヘキサノン：１５０.０部
（研磨剤液）
α−アルミナ（ＢＥＴ（Ｂｒｕｎａｕｅｒ−Ｅｍｍｅｔｔ−Ｔｅｌｌｅｒ）比表面積１９ｍ^２／ｇ）：６.０部
ＳＯ_３Ｎａ基含有ポリウレタン樹脂：０.６部
（重量平均分子量７００００、ＳＯ_３Ｎａ基：０.１ｍｅｑ／ｇ）
２，３−ジヒドロキシナフタレン：０.６部
シクロヘキサノン：２３.０部
（突起形成剤液）
コロイダルシリカ（平均粒子サイズ１２０ｎｍ）：２．０部
メチルエチルケトン：８.０部
（その他の成分）
ステアリン酸：３.０部
ステアリン酸アミド：０.３部
ステアリン酸ブチル：６.０部
メチルエチルケトン：１１０.０部
シクロヘキサノン：１１０.０部
ポリイソシアネート（東ソー社製コロネート（登録商標）Ｌ）：３．０部

＜非磁性層形成用組成物の処方＞
非磁性無機粉末 α−酸化鉄（平均粒子サイズ１０ｎｍ、ＢＥＴ比表面積７５ｍ^２／ｇ）：１００．０部
カーボンブラック（平均粒子サイズ：２０ｎｍ）：２５．０部
ＳＯ_３Ｎａ基含有ポリウレタン樹脂（重量平均分子量７００００、ＳＯ_３Ｎａ基含有量０.２ｍｅｑ/ｇ）：１８．０部
ステアリン酸：１．０部
シクロヘキサノン：３００．０部
メチルエチルケトン：３００．０部

＜バックコート層形成用組成物の処方＞
微粒子カーボンブラック（平均粒子サイズ：表１参照）：１００．０部
粗粒子カーボンブラック（平均粒子サイズ：表１参照）：表１参照
α−酸化鉄（平均粒子サイズ：表１参照）：表１参照
α−アルミナ（平均粒子サイズ：０．２０μｍ）：５．０部
ニトロセルロース樹脂：５５．０部
ポリウレタン樹脂：４０．０部
オレイン酸銅：０．１部
銅フタロシアニン：０．２部

＜磁性層形成用組成物の調製＞
磁性層形成用組成物を、以下の方法によって調製した。
上記磁性液の各種成分をバッチ式縦型サンドミルを用いて２４時間分散（ビーズ分散）することにより、磁性液を調製した。分散ビーズとしては、ビーズ径０．５ｍｍのジルコニアビーズを使用した。
研磨剤液は、上記の研磨剤液の各種成分を混合してビーズ径０．３ｍｍのジルコニアビーズとともに横型ビーズミル分散機に入れ、ビーズ体積／（研磨剤液体積＋ビーズ体積）が８０％になるように調整し、１２０分間ビーズミル分散処理を行い、処理後の液を取り出し、フロー式の超音波分散ろ過装置を用いて、超音波分散ろ過処理を施した。こうして研磨剤液を調製した。
調製した磁性液および研磨剤液、ならびに上記の突起形成剤液およびその他の成分をディゾルバー撹拌機に導入し、周速１０ｍ／秒で３０分間撹拌した後、フロー式超音波分散機により流量７．５ｋｇ／分で３パス処理した後に、孔径１μｍのフィルタでろ過して磁性層形成用組成物を調製した。

＜非磁性層形成用組成物の調製＞
上記の非磁性層形成用組成物の各種成分を、バッチ式縦型サンドミルによりビーズ径０.１ｍｍのジルコニアビーズを使用して２４時間分散し、その後、０.５μｍの平均孔径を有するフィルタを用いてろ過することにより、非磁性層形成用組成物を調製した。

＜バックコート層形成用組成物の調製＞
上記のバックコート層形成用組成物の各種成分をサンドミルにより１２０分間分散させた後、ポリイソシアネート１５．０部を添加して、孔径１μｍのフィルタを用いてろ過することにより、バックコート層形成用組成物を調製した。

＜磁気テープの作製＞
厚み５．０μｍの二軸延伸ポリエチレンナフタレート製支持体の表面上に、乾燥後の厚みが４００ｎｍになるように上記で調製した非磁性層形成用組成物を塗布および乾燥させて非磁性層を形成した後、非磁性層の表面上に乾燥後の厚みが７０ｎｍになるように上記で調製した磁性層形成用組成物を塗布して塗布層を形成した。この磁性層形成用組成物の塗布層が湿潤（未乾燥）状態にあるうちに、磁場強度０.３Ｔの磁場を塗布層の表面に対し垂直方向に印加する垂直配向処理を施し、乾燥させた。その後、この支持体の反対面に乾燥後の厚みが０.４μｍになるように上記で調製したバックコート層形成用組成物を塗布し、乾燥させた。こうして磁気テープ原反を作製した。
作製された磁気テープ原反に対し、金属ロールのみから構成されるカレンダにより、速度１００ｍ／ｍｉｎ、線圧２９４ｋＮ／ｍ（１ｋｇ／ｃｍは０．９８ｋＮ／ｍ）、カレンダロールの表面温度１００℃でカレンダ処理（表面平滑化処理）し、その後、表１に示す雰囲気温度の環境で表１に示す時間、加熱処理を施した。加熱処理後、磁気テープ原反を裁断機によりスリットし、１／２インチ幅の磁気テープを得た。この磁気テープを送り出しローラーと巻き取りローラーとの間で走行させながら（走行速度１２０ｍ／分、張力：表１参照）、磁性層表面のブレード研磨および乾式拭き取り処理をこの順で実施した。具体的には、上記２つのローラーの間にサファイアブレードおよび乾いたワイピング材（東レ社製トレシー（登録商標））を配置し、上記２つのローラー間で走行している磁気テープの磁性層表面にサファイアブレードを押し当ててブレード研磨し、その後に上記の乾いたワイピング材により磁性層表面の乾式拭き取り処理を行った。以上により、ブレード研磨および乾式拭き取り処理がそれぞれ１回磁性層表面に施された。
以上により、実施例１の磁気テープを得た。

［実施例２〜１２、比較例１〜６、参考例１、２］
表１に示すように各種条件を変更した点以外、実施例１と同様の方法で磁気テープを作製した。
実施例９〜１２では、表１に示すように各種条件を変更した点以外は実施例１と同様の方法により作製された磁気テープ原反に対し、金属ロールのみから構成されるカレンダにより、速度１００ｍ／ｍｉｎ、線圧２９４ｋＮ／ｍ、カレンダロールの表面温度１００℃でカレンダ処理（表面平滑化処理）し、その後、表１に示す雰囲気温度の環境で表１に示す時間、加熱処理を施した。加熱処理後、磁気テープ原反を裁断機によりスリットし、１／２インチ幅の磁気テープを得た。この磁気テープを送り出しローラーと巻き取りローラーとの間で走行させながら（走行速度１２０ｍ／分、張力：表１参照）、磁性層表面のブレード研磨、乾式拭き取り処理およびメチルエチルケトン拭き取り処理をこの順で実施した。具体的には、上記２つのローラーの間にサファイアブレード、乾いたワイピング材（東レ社製トレシー（登録商標））およびメチルエチルケトンを浸潤させたワイピング材（東レ社製トレシー（登録商標））を配置し、上記２つのローラー間で走行している磁気テープの磁性層表面にサファイアブレードを押し当ててブレード研磨し、その後に上記の乾いたワイピング材により磁性層表面の乾式拭き取り処理を行い、その後に上記のメチルエチルケトンを浸潤させたワイピング材により磁性層表面のメチルエチルケトン拭き取り処理を行った。以上により、ブレード研磨、乾式拭き取り処理およびメチルエチルケトン拭き取り処理がそれぞれ１回磁性層表面に施された。

［評価方法］
（１）バックコート層の突起の個数
各磁気テープについて、バックコート層表面の高さ５０ｎｍ以上７５ｎｍ未満の突起の個数および高さ７５ｎｍ以上の突起の個数を、以下の方法により求めた。

（２）メチルエチルケトン洗浄前後のスペーシング差分（Ｓ_{ａｆｔｅｒ}−Ｓ_{ｂｅｆｏｒｅ}）
ＴＳＡ（ＴａｐｅＳｐａｃｉｎｇＡｎａｌｙｚｅｒ（ＭｉｃｒｏＰｈｙｓｉｃｓ社製））を用いて、以下の方法により、メチルエチルケトン洗浄前後のスペーシング差分（Ｓ_{ａｆｔｅｒ}−Ｓ_{ｂｅｆｏｒｅ}）を求めた。
各磁気テープから長さ５ｃｍの試料片を２つ切り出し、一方の試料片についてはメチルエチルケトン洗浄を行わずに、以下の方法によりスペーシング（Ｓ_{ｂｅｆｏｒｅ}）を求めた。他方の試料片については先に記載した方法によりメチルエチルケトン洗浄を行った後に、以下の方法によりスペーシング（Ｓ_{ａｆｔｅｒ}）を求めた。
磁気テープ（詳しくは上記試料片）の磁性層表面上に、ＴＳＡに備えられたガラス板（Ｔｈｏｒｌａｂｓ，Ｉｎｃ．社製ガラス板（型番：ＷＧ１０５３０））を配置した状態で、押圧部材としてＴＳＡに備えられているウレタン製の半球を用いて、この半球を磁気テープのバックコート層表面に、０．５ａｔｍの圧力で押しつけた。この状態で、ＴＳＡに備えられているストロボスコープから白色光を、ガラス板を通して磁気テープの磁性層表面の一定領域（１５００００〜２０００００μｍ^２）に照射し、得られる反射光を、干渉フィルタ（波長６３３ｎｍの光を選択的に透過するフィルタ）を通してＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ−ＣｏｕｐｌｅｄＤｅｖｉｃｅ）で受光することで、この領域の凹凸で生じた干渉縞画像を得た。
この画像を３０００００ポイントに分割して各ポイントのガラス板の磁気テープ側の表面から磁気テープの磁性層表面までの距離（スペーシング）を求めこれをヒストグラムとし、メチルエチルケトン洗浄後の試料片について得られたヒストグラムの最頻値Ｓ_{ａｆｔｅｒ}から、メチルエチルケトン洗浄なしの試料片について得られたヒストグラムの最頻値Ｓ_{ｂｅｆｏｒｅ}を差し引いて、差分（Ｓ_{ａｆｔｅｒ}−Ｓ_{ｂｅｆｏｒｅ}）を求めた。

（３）ｎ−ヘキサン洗浄前後のスペーシング差分（Ｓ_{ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ}−Ｓ_{ｂｅｆｏｒｅ}）（参考値）
各磁気テープから長さ５ｃｍの試料片を更に１つ切り出し、メチルエチルケトンに代えてｎ−ヘキサンを用いた点以外は上記と同様に洗浄した後に上記と同様にｎ−ヘキサン洗浄後のスペーシングを求めた。参考値として、ここで求められたスペーシングＳ_{ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ}と上記（２）で求めた洗浄なしの試料片について得られたスペーシングＳ_{ｂｅｆｏｒｅ}の差分（Ｓ_{ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ}−Ｓ_{ｂｅｆｏｒｅ}）を求めた。

（４）ドロップアウト
ドロップアウトの測定は、ヘッドを固定した１／２インチリールテスターを用いて行った。記録ヘッドを用いて線記録密度３００ｋｆｃｉの信号を記録し、トラック幅１μｍのＧＭＲ（ＧｉａｎｔＭａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）ヘッドで再生した。単位ｋｆｃｉとは、線記録密度の単位（ＳＩ単位系に換算不可）である。平均の出力に対して４０％以上の出力落ちで長さが０．４μｍ以上の信号抜けの個数を検出し、テープ長１ｍ当たり（測定面積１ｍｍ^２（＝トラック幅（１μｍ）×テープ長（１ｍ））当たり）の個数をドロップアウトとした。

以上の結果を、表１（表１−１〜表１−３）に示す。

実施例１〜１２および比較例１〜６の磁気テープは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末およびε−酸化鉄粉末からなる群から選択される強磁性粉末を含む磁性層およびバックコート層を有する磁気テープである。表１に示されているように、比較例１〜６の磁気テープではドロップアウトが多く発生したのに対し、高さ５０ｎｍ以上７５ｎｍ未満のバックコート層表面の突起の個数が先に記載の範囲である実施例１〜１２の磁気テープでは、ドロップアウトの低減が可能であった。
一方、磁性層に六方晶バリウムフェライト粉末を含む磁気テープである参考例２の磁気テープでは、高さ５０ｎｍ以上７５ｎｍ未満のバックコート層表面の突起の個数が先に記載の範囲を大きく超えても、比較例１〜６の磁気テープと比べてドロップアウトの発生は少なかった。このことは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末およびε−酸化鉄粉末からなる群から選択される強磁性粉末を含む磁性層を有する磁気テープでは、バックコート層の表面の高さ５０ｎｍ以上７５ｎｍ未満の突起がドロップアウトに大きく影響することを示していると考えられる。
なお表１に示されているように、ｎ−ヘキサン洗浄前後のスペーシング差分（Ｓ_{ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ}−Ｓ_{ｂｅｆｏｒｅ}）の値とメチルエチルケトン洗浄前後のスペーシング差分（Ｓ_{ａｆｔｅｒ}−Ｓ_{ｂｅｆｏｒｅ}）の値との間には相関は見られなかった。

本発明の一態様は、高密度記録用磁気テープの技術分野において有用である。

Claims

非磁性支持体の一方の表面側に強磁性粉末を含む磁性層を有し、他方の表面側に非磁性粉末を含むバックコート層を有する磁気テープであって、
前記強磁性粉末は、六方晶ストロンチウムフェライト粉末およびε−酸化鉄粉末からなる群から選択される強磁性粉末であり、
前記バックコート層の表面における高さが５０ｎｍ以上７５ｎｍ未満の突起の個数が、７００個／６４００μｍ^２以下である磁気テープ。
前記バックコート層の表面における高さが７５ｎｍ以上の突起の個数が、２００個／６４００μｍ^２以下である、請求項１に記載の磁気テープ。
前記磁性層の表面においてメチルエチルケトン洗浄後に光学干渉法により測定されるスペーシングＳ_{ａｆｔｅｒ}と、前記磁性層の表面においてメチルエチルケトン洗浄前に光学干渉法により測定されるスペーシングＳ_{ｂｅｆｏｒｅ}との差分、Ｓ_{ａｆｔｅｒ}−Ｓ_{ｂｅｆｏｒｅ}、は０ｎｍ超１５．０ｎｍ以下である、請求項１または２に記載の磁気テープ。
前記非磁性支持体と前記磁性層との間に、非磁性粉末を含む非磁性層を有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の磁気テープ。
請求項１〜４のいずれか１項に記載の磁気テープを含む磁気テープカートリッジ。
請求項１〜４のいずれか１項に記載の磁気テープと、
磁気ヘッドと、
を含む磁気記録再生装置。