JP2020153857A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 55
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 187
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 17
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 238000007872 degassing Methods 0.000 claims description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 7
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
Images
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
- B81C1/00261—Processes for packaging MEMS devices
- B81C1/00309—Processes for packaging MEMS devices suitable for fluid transfer from the MEMS out of the package or vice versa, e.g. transfer of liquid, gas, sound
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- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
- B81B7/0032—Packages or encapsulation
- B81B7/0035—Packages or encapsulation for maintaining a controlled atmosphere inside of the chamber containing the MEMS
- B81B7/0041—Packages or encapsulation for maintaining a controlled atmosphere inside of the chamber containing the MEMS maintaining a controlled atmosphere with techniques not provided for in B81B7/0038
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
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- B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
- B81B7/0032—Packages or encapsulation
- B81B7/0061—Packages or encapsulation suitable for fluid transfer from the MEMS out of the package or vice versa, e.g. transfer of liquid, gas, sound
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- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/02—Sensors
- B81B2201/0228—Inertial sensors
- B81B2201/0242—Gyroscopes
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
- B81B2203/03—Static structures
- B81B2203/0315—Cavities
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2207/00—Microstructural systems or auxiliary parts thereof
- B81B2207/09—Packages
- B81B2207/091—Arrangements for connecting external electrical signals to mechanical structures inside the package
- B81B2207/094—Feed-through, via
- B81B2207/096—Feed-through, via through the substrate
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B81C2203/00—Forming microstructural systems
- B81C2203/01—Packaging MEMS
- B81C2203/0172—Seals
- B81C2203/019—Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2203/00—Forming microstructural systems
- B81C2203/03—Bonding two components
- B81C2203/038—Bonding techniques not provided for in B81C2203/031 - B81C2203/037
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
Description
第1実施形態について図面を参照しつつ説明する。なお、本実施形態では、角速度センサを例に挙げて説明する。
上記第1実施形態の変形例について説明する。上記第1実施形態において、例えば、凹部31(すなわち、排出路80)は、図5Aおよび図5Bに示されるように、断面形状が半円状とされていてもよい。なお、図5Aに示す凹部31は、例えば、絶縁膜30をウェットエッチングすること形成される。また、図5Bに示す凹部31は、例えば、第2基板40の一面40aにウェットエッチングを行って凹部42を形成し、その後に凹部42の壁面に沿って絶縁膜30を形成することによって形成される。
第2実施形態について説明する。第2実施形態は、第1実施形態に対し、排出路80の構成を変更したものである。なお、その他の構成に関しては、第1実施形態と同様であるため、詳細な説明は省略する。
第3実施形態について説明する。第3実施形態は、第1実施形態に対し、排出路80の構成を変更したものである。なお、その他の構成に関しては、第1実施形態と同様であるため、詳細な説明は省略する。
第4実施形態について説明する。第4実施形態は、第1実施形態に対し、排出路80の構成を変更したものである。なお、その他の構成に関しては、第1実施形態と同様であるため、詳細な説明は省略する。
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
10a 一面
30 絶縁膜
40 第2基板
40a 一面
50 気密室
61 貫通孔
63 貫通電極
80 排出路
Claims (7)
- 第1基板(10)と第2基板(40)との間に構成された気密室(50)に振動子を有するセンシング部(20)が配置された半導体装置であって、
一面(10a)を有する前記第1基板と、
一面(40a)を有し、当該一面が前記第1基板の一面と対向する状態で前記第1基板に接合される前記第2基板と、
前記第1基板の一面と前記第2基板の一面との間に配置された絶縁膜(30)と、
前記第1基板と前記第2基板との間に構成された前記気密室に配置され、前記振動子を有する前記センシング部と、
前記第1基板と前記第2基板との積層方向に沿って前記第1基板の一面を露出させるように前記第2基板に形成された貫通孔(61)の壁面上に形成され、前記センシング部と電気的に接続される貫通電極(63)と、を備え、
前記気密室と前記貫通孔との間に位置する部分には、空間である排出路(80)が形成されている半導体装置。 - 前記排出路は、前記貫通孔および前記気密室から離れた位置に形成されている請求項1に記載の半導体装置。
- 前記排出路は、前記貫通孔と連通すると共に、前記気密室から離れた位置に形成されている請求項1に記載の半導体装置。
- 前記排出路は、前記気密室と連通すると共に、前記貫通孔から離れた位置に形成されている請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1基板、前記第2基板、および前記絶縁膜は、前記気密室と前記貫通孔との間に位置する互いに対向する部分において、前記排出路が構成される部分と異なる全領域が互いに接合されている請求項1ないし4のいずれか1つに記載の半導体装置。
- 第1基板(10)と第2基板(40)との間に構成された気密室(50)に振動子を有するセンシング部(20)が配置された半導体装置の製造方法であって、
一面(10a)を有する前記第1基板を用意することと、
前記第1基板の一面側に前記センシング部を形成することと、
一面(40a)を有する前記第2基板を用意することと、
前記第1基板または前記第2基板に絶縁膜(30)を形成することと、
前記第1基板と前記第2基板との間に前記気密室が構成され、前記気密室に前記センシング部が配置されるように、前記第1基板の一面と前記第2基板の一面とを前記絶縁膜を介して接合することと、
前記第1基板と前記第2基板との積層方向に沿って前記第1基板の一面を露出させるように前記第2基板および前記絶縁膜を貫通する貫通孔(61)を形成することと、
前記貫通孔に前記センシング部と電気的に接続される貫通電極(63)を形成することと、を行い、
前記接合することの前に、前記接合することおよび前記貫通孔を形成することを行った際、前記気密室と前記貫通孔との間となる部分に凹部(31、15)を形成することを行い、
前記接合することでは、前記貫通孔を形成することを行った際、前記気密室と前記貫通孔との間となる部分に前記凹部によって排出路(80)が構成されるように、前記第1基板の一面と前記第2基板の一面とを前記絶縁膜を介して接合し、
前記貫通孔を形成することの後であって前記貫通電極を形成することの前に、加熱処理を行い、前記接合することの際に発生するアウトガス(90)を前記排出路を通じて前記貫通孔から排出するガス抜きを行う半導体装置の製造方法。 - 前記ガス抜きを行うことでは、前記接合することよりも高い温度で加熱処理する請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019053429A JP7147650B2 (ja) | 2019-03-20 | 2019-03-20 | 半導体装置およびその製造方法 |
US16/805,112 US11027968B2 (en) | 2019-03-20 | 2020-02-28 | Semiconductor device with discharge path, and method for producing the same |
CN202010185159.0A CN111725078B (zh) | 2019-03-20 | 2020-03-17 | 具有排出路径的半导体装置及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019053429A JP7147650B2 (ja) | 2019-03-20 | 2019-03-20 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020153857A true JP2020153857A (ja) | 2020-09-24 |
JP7147650B2 JP7147650B2 (ja) | 2022-10-05 |
Family
ID=72514177
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019053429A Active JP7147650B2 (ja) | 2019-03-20 | 2019-03-20 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11027968B2 (ja) |
JP (1) | JP7147650B2 (ja) |
CN (1) | CN111725078B (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2019
- 2019-03-20 JP JP2019053429A patent/JP7147650B2/ja active Active
-
2020
- 2020-02-28 US US16/805,112 patent/US11027968B2/en active Active
- 2020-03-17 CN CN202010185159.0A patent/CN111725078B/zh active Active
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---|---|
CN111725078B (zh) | 2024-03-22 |
US11027968B2 (en) | 2021-06-08 |
JP7147650B2 (ja) | 2022-10-05 |
CN111725078A (zh) | 2020-09-29 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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