JP2020145418A5 - - Google Patents
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- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 105
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 66
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 57
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 12
- 238000002407 reforming Methods 0.000 claims description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022094669A JP7500655B2 (ja) | 2019-02-05 | 2022-06-10 | 基板を製造する方法、及び基板の製造用システム |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102019201438.0 | 2019-02-05 | ||
| DE102019201438.0A DE102019201438B4 (de) | 2019-02-05 | 2019-02-05 | Verfahren zum Herstellen eines Substrats und System zum Herstellen eines Substrats |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022094669A Division JP7500655B2 (ja) | 2019-02-05 | 2022-06-10 | 基板を製造する方法、及び基板の製造用システム |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020145418A JP2020145418A (ja) | 2020-09-10 |
| JP2020145418A5 true JP2020145418A5 (https=) | 2021-11-25 |
| JP7135016B2 JP7135016B2 (ja) | 2022-09-12 |
Family
ID=71615816
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020017355A Active JP7135016B2 (ja) | 2019-02-05 | 2020-02-04 | 基板を製造する方法、及び基板の製造用システム |
| JP2022094669A Active JP7500655B2 (ja) | 2019-02-05 | 2022-06-10 | 基板を製造する方法、及び基板の製造用システム |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022094669A Active JP7500655B2 (ja) | 2019-02-05 | 2022-06-10 | 基板を製造する方法、及び基板の製造用システム |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11201126B2 (https=) |
| JP (2) | JP7135016B2 (https=) |
| KR (1) | KR102392426B1 (https=) |
| CN (2) | CN111524804B (https=) |
| DE (1) | DE102019201438B4 (https=) |
| SG (1) | SG10202001021YA (https=) |
| TW (2) | TWI849524B (https=) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102017007586A1 (de) * | 2017-08-11 | 2019-02-14 | Siltectra Gmbh | Fertigungsanlage zum Abtrennen von Wafern von Spendersubstraten |
| WO2019106846A1 (ja) * | 2017-12-01 | 2019-06-06 | 日立化成株式会社 | 半導体装置の製造方法、仮固定材用樹脂組成物、及び仮固定材用積層フィルム |
| JP7024626B2 (ja) * | 2018-06-27 | 2022-02-24 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法 |
| US11295982B2 (en) * | 2019-06-11 | 2022-04-05 | International Business Machines Corporation | Forming ultra-thin chips for flexible electronics applications |
| JP7604137B2 (ja) * | 2020-09-04 | 2024-12-23 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
| JP7542917B2 (ja) * | 2020-11-10 | 2024-09-02 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
| US11996384B2 (en) | 2020-12-15 | 2024-05-28 | Pulseforge, Inc. | Method and apparatus for debonding temporarily bonded wafers in wafer-level packaging applications |
| JP2024049656A (ja) * | 2022-09-29 | 2024-04-10 | 株式会社デンソー | 半導体装置とその製造方法 |
| WO2025188114A1 (ko) * | 2024-03-08 | 2025-09-12 | 웨이브로드 주식회사 | 핫 셀프스플릿 공정을 통한 고품질 그룹 3족 질화물 반도체를 위한 엔지니어드 성장기판 제작 방법 |
| KR102923406B1 (ko) * | 2024-03-08 | 2026-02-05 | 웨이브로드 주식회사 | 핫 셀프스플릿 공정을 통한 고품질 그룹 3족 질화물 반도체를 위한 엔지니어드 성장기판 제작 방법 |
| DE102024118365A1 (de) * | 2024-06-28 | 2025-12-31 | Disco Hi-Tec Europe Gmbh | Waferherstellungsverfahren |
Family Cites Families (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6071795A (en) | 1998-01-23 | 2000-06-06 | The Regents Of The University Of California | Separation of thin films from transparent substrates by selective optical processing |
| JP4659300B2 (ja) | 2000-09-13 | 2011-03-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法 |
| KR101190454B1 (ko) | 2004-08-06 | 2012-10-11 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 레이저 가공 장치 |
| KR101400699B1 (ko) | 2007-05-18 | 2014-05-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 기판 및 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
| WO2009139376A1 (ja) * | 2008-05-14 | 2009-11-19 | 昭和電工株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法及びｉｉｉ族窒化物半導体発光素子、並びにランプ |
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| JP2011040564A (ja) * | 2009-08-11 | 2011-02-24 | Toshiba Corp | 半導体素子の製造方法および製造装置 |
| TWI508327B (zh) * | 2010-03-05 | 2015-11-11 | 並木精密寶石股份有限公司 | An internal modified substrate for epitaxial growth, a multilayer film internal modified substrate, a semiconductor device, a semiconductor bulk substrate, and the like |
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| KR20110124112A (ko) | 2010-05-10 | 2011-11-16 | 경희대학교 산학협력단 | 레이저 리프트 오프 공정을 이용한 플렉서블 ｃｉｓ계 태양전지의 제조 방법 |
| JP5653110B2 (ja) | 2010-07-26 | 2015-01-14 | 浜松ホトニクス株式会社 | チップの製造方法 |
| JP2013042119A (ja) * | 2011-07-21 | 2013-02-28 | Hamamatsu Photonics Kk | 発光素子の製造方法 |
| US9214353B2 (en) | 2012-02-26 | 2015-12-15 | Solexel, Inc. | Systems and methods for laser splitting and device layer transfer |
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| JP2014041924A (ja) | 2012-08-22 | 2014-03-06 | Hamamatsu Photonics Kk | 加工対象物切断方法 |
| JP6318900B2 (ja) * | 2014-06-18 | 2018-05-09 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子の製造方法 |
| JP6506520B2 (ja) | 2014-09-16 | 2019-04-24 | 株式会社ディスコ | ＳｉＣのスライス方法 |
| EP4122633B1 (de) | 2014-11-27 | 2025-03-19 | Siltectra GmbH | Festkörperteilung mittels stoffumwandlung |
| JP6399913B2 (ja) | 2014-12-04 | 2018-10-03 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
| US9697989B2 (en) * | 2015-02-26 | 2017-07-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Method for generating parameter pattern, ion implantation method and feed forward semiconductor manufacturing method |
| DE102015006971A1 (de) | 2015-04-09 | 2016-10-13 | Siltectra Gmbh | Verfahren zum verlustarmen Herstellen von Mehrkomponentenwafern |
| JP6478801B2 (ja) * | 2015-05-19 | 2019-03-06 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
| JP6265175B2 (ja) * | 2015-06-30 | 2018-01-24 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
| JP6486240B2 (ja) * | 2015-08-18 | 2019-03-20 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
| JP6619685B2 (ja) | 2016-04-19 | 2019-12-11 | 株式会社ディスコ | ＳｉＣウエーハの加工方法 |
| JP6789675B2 (ja) * | 2016-06-02 | 2020-11-25 | ローム株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| US12159805B2 (en) | 2017-04-20 | 2024-12-03 | Siltectra Gmbh | Method for producing wafers with modification lines of defined orientation |
| JP6994852B2 (ja) | 2017-06-30 | 2022-01-14 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置及びレーザー加工方法 |
| JP6957252B2 (ja) * | 2017-07-20 | 2021-11-02 | 岩谷産業株式会社 | 切断加工方法 |
| DE102017007586A1 (de) * | 2017-08-11 | 2019-02-14 | Siltectra Gmbh | Fertigungsanlage zum Abtrennen von Wafern von Spendersubstraten |
| JP7217426B2 (ja) * | 2019-02-22 | 2023-02-03 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | レーザ加工装置およびレーザ加工方法 |
-
2019
- 2019-02-05 DE DE102019201438.0A patent/DE102019201438B4/de active Active
-
2020
- 2020-01-24 US US16/751,937 patent/US11201126B2/en active Active
- 2020-02-03 CN CN202010078537.5A patent/CN111524804B/zh active Active
- 2020-02-03 CN CN202410535287.1A patent/CN118352440A/zh active Pending
- 2020-02-04 KR KR1020200013216A patent/KR102392426B1/ko active Active
- 2020-02-04 TW TW111138362A patent/TWI849524B/zh active
- 2020-02-04 TW TW109103393A patent/TWI783208B/zh active
- 2020-02-04 JP JP2020017355A patent/JP7135016B2/ja active Active
- 2020-02-05 SG SG10202001021YA patent/SG10202001021YA/en unknown
-
2022
- 2022-06-10 JP JP2022094669A patent/JP7500655B2/ja active Active
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