JP2020141203A - クロック再生回路及び受信装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】一つの実施形態は、クロックを適正に再生できるクロック再生回路及び受信装置を提供することを目的とする。【解決手段】一つの実施形態によれば、多相サンプラと位相比較回路とリカバリクロック生成回路と位相シフタとを有するクロック再生回路が提供される。多相サンプラは、データがそれぞれ入力される複数のエッジサンプラ及び複数のデータサンプラを含む。位相比較回路は、多相サンプラの出力側に配されている。リカバリクロック生成回路は、位相比較回路の出力側に配されている。リカバリクロック生成回路は、多相クロックを出力する。位相シフタは、リカバリクロック生成回路と多相サンプラとを接続する経路上に配されている。位相シフタは、リカバリクロック生成回路から出力された多相クロックのうち一部のクロックを他のクロックのシフト量と異なるシフト量でシフトさせた、多相サンプラに供給される複数のクロックを生成する。【選択図】図3
Description
本実施形態は、クロック再生回路及び受信装置に関する。
クロック再生回路を含む受信装置では、受信された信号からデータを取得するためのクロックを再生する。このとき、クロックを適正に再生することが望まれる。
一つの実施形態は、クロックを適正に再生できるクロック再生回路及び受信装置を提供することを目的とする。
一つの実施形態によれば、多相サンプラと位相比較回路とリカバリクロック生成回路と位相シフタとを有するクロック再生回路が提供される。多相サンプラは、データがそれぞれ入力される複数のエッジサンプラ及び複数のデータサンプラを含む。位相比較回路は、多相サンプラの出力側に配されている。リカバリクロック生成回路は、位相比較回路の出力側に配されている。リカバリクロック生成回路は、多相クロックを出力する。位相シフタは、リカバリクロック生成回路と多相サンプラとを接続する経路上に配されている。位相シフタは、リカバリクロック生成回路から出力された多相クロックのうち一部のクロックを他のクロックのシフト量と異なるシフト量でシフトさせた、多相サンプラに供給される複数のクロックを生成する。
以下に添付図面を参照して、実施形態にかかるクロック再生回路を詳細に説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではない。
(実施形態)
実施形態にかかる受信装置は、有線通信を行う通信システムに適用可能であり、例えば、図1に示すような通信システム400に適用され得る。図1は、実施形態にかかる受信装置200が適用された通信システム400の構成を示すブロック図である。通信システム400は、送信装置100、受信装置200、及び伝送路300を有する。
実施形態にかかる受信装置は、有線通信を行う通信システムに適用可能であり、例えば、図1に示すような通信システム400に適用され得る。図1は、実施形態にかかる受信装置200が適用された通信システム400の構成を示すブロック図である。通信システム400は、送信装置100、受信装置200、及び伝送路300を有する。
送信装置100及び受信装置200は、伝送路300を介して通信可能に接続されている。送信装置100は、送信回路101、イコライザ(EQ)回路102、及び信号生成回路103を有する。信号生成回路103は、送信データにクロックの情報が含まれるように変調した変調信号を生成してイコライザ回路102へ供給する。イコライザ回路102は、変調信号に対して所定の補償量で等化を行って得られる伝送信号を生成して送信回路101へ供給する。送信回路101は、伝送信号を伝送路300経由で受信装置200へ送信する。
受信装置200は、受信回路202、クロック再生回路(CDR:Clock Data Recovery)回路1、内部回路203、及びモード制御回路204を有する。受信回路202は、伝送信号を送信装置100から伝送路300経由で受信する。受信回路202は、イコライザ回路201を有する。イコライザ回路201は、伝送信号を所定の補償量で等化して得られる変調信号を生成する。伝送信号は、伝送路300の減衰特性の影響で劣化し得る。イコライザ回路201は、等化した変調信号をデータ信号DEとしてCDR回路1へ供給する。CDR回路1は、データ信号DEに含まれた情報からクロック(リカバリクロック)CKを再生し、再生されたリカバリクロックCKを内部回路203へ出力する。また、CDR回路1は、CDR回路1内でサンプリングしたデータDTを内部回路203へ出力する。内部回路203は、リカバリクロックCK及びデータDTを用いて所定の動作を行うことができる。
CDR回路1は、データ信号DEを受けると、データ信号DEにおけるエッジ部分の値及びデータ部分の値を所定のクロックに基づいてサンプリングする。CDR回路1は、サンプリング結果のパターンに応じて、リカバリクロックCKの位相が進相しているのか遅相しているのか判定し、その判定結果に応じてデータ信号DEに対するリカバリクロックCKの位相を調整する。CDR回路1は、エッジサンプリングタイミング(すなわち、エッジ部分の値をサンプリングするタイミング)がデータ信号DEのエッジ部分に合い、且つ、リカバリクロックCKの位相が適正に調整された状態で、データ信号DEとリカバリクロックCKとの位相関係がロックされ得る。これにより、データ信号DEに埋め込まれたリカバリクロックCKを再生することができる。
CDR回路1は、低コスト化の要求に応じて、構成の単純なバイナリ出力位相比較器を用いて構成され得る。このとき、伝送路300の周波数特性において、イコライザ回路201の等化特性が高周波領域にピークを持つ場合、イコライザ回路201による等化がオーバーイコライズとなり得る。これにより、イコライザ回路201からCDR回路1へ入力されるデータ信号DEのアイパターン波形が時間軸方向にスプリットし得る。CDR回路1に用いられるバイナリ出力位相比較器による位相比較結果は、位相差の情報を含まない。このため、時間的に隣接するデータ信号DEの波形とそのスプリット波形とを連続的にサンプリングしてしまうと、この2つの波形(データ信号DEの波形とそのスプリット波形)の時間的に隣接するエッジ部分のサンプリング結果に応じたリカバリクロックCKの位相の判定結果が逆になることがある。すなわち、進相の判定(Early)と遅相の判定(Late)とが時間的に交互に繰り返されると、エッジサンプリングタイミングがデータ信号DEのエッジ部分に合っていない状態でデータ信号DEとリカバリクロックCKとの位相関係がロックされる誤ロックが起こることがある。誤ロックが起こると、リカバリクロックCKを適正に再生することが困難になる。
それに対して、CDR回路1をバイナリ出力位相比較器に代えてオーバーサンプリング型CDRで構成することが考えられる。この場合、遷移に応じて最適なサンプリングクロックの位相を探索することで誤ロックを回避できるが、高速もしくは多位相のクロックを生成するための回路とサンプラとを追加することになるため、回路面積が増大しやすく、コストが増大する可能性がある。また、高速信号経路の負荷容量が増大するため、消費電力が増大しやすい。
そこで、本実施形態では、CDR回路1において、互いに異なる位相の複数のクロックを含む多相クロックのうち一部のクロックを他のクロックと異なるシフト量でシフトさせて疑似的にデータ信号のオーバーサンプリングを行うことで、コスト及び消費電力を抑制しながらリカバリクロックCKの適正な再生を図る。
具体的には、CDR回路1の動作モードとして、オーバーサンプリングモードと通常動作モードとを設ける。受信装置200は、起動時等の初期設定を行う期間に、CDR回路1の動作モードをオーバーサンプリングモードに切り替える。これに応じて、CDR回路1は、多相クロックのうち一部のクロックを他のクロックと異なるシフト量でシフトさせて疑似的にデータ部分のオーバーサンプリングを行う。CDR回路1は、誤ロックを検出すると、各クロックの位相シフト量を変更したり、多相クロックを生成する回路をリセットしたりする。これらの処理により、受信装置200は、CDR回路1が適正にロック可能な状態になると、CDR回路1の動作モードをオーバーサンプリングモードから通常モードに切り替える。
より具体的には、受信装置200は、モード制御回路204をさらに有する。モード制御回路204は、オーバーサンプリングモードと通常動作モードとのいずれにすべきかを指示するモード制御信号MDを生成してCDR回路1へ供給する。これに応じて、CDR回路1は、多相クロックを互いに均等なシフト量でシフトさせてサンプリングを行い、進相・遅相を判定しながらリカバリクロックCKの位相を調整する。これにより、リカバリクロックCKの位相が適正に調整された状態でロックされ得るので、データ信号DEに埋め込まれたリカバリクロックCKが適正に再生され得る。
CDR回路1は、図2に示すように構成され得る。図2は、CDR回路1の回路構成を示す図である。CDR回路1は、リカバリクロック生成回路5、位相シフタ6、多相サンプラ7、位相比較回路4、及び誤ロック検出回路8を有する。
リカバリクロック生成回路5は、位相比較回路4及び誤ロック検出回路8と内部回路203(図1参照)との間に配されている。リカバリクロック生成回路5は、入力ノードが位相比較回路4及び誤ロック検出回路8に並列に電気的に接続され、出力ノードが内部回路203に電気的に接続されている。
位相シフタ6は、リカバリクロック生成回路5から多相サンプラ7への帰還経路上に配されている。位相シフタ6は、入力ノードがリカバリクロック生成回路5に電気的に接続され、出力ノードが多相サンプラ7に電気的に接続され、制御ノードがモード制御回路204に電気的に接続されている。
多相サンプラ7は、データサンプラ2及びエッジサンプラ3を複数含む。図2の場合、データサンプラ2−1及びエッジサンプラ3−1は、そのデータサンプリングタイミング及びエッジサンプリングタイミングが対応している。データサンプラ2−2及びエッジサンプラ3−2は、そのデータサンプリングタイミング及びエッジサンプリングタイミングが対応している。
データサンプラ2及びエッジサンプラ3は、例えばそれぞれフリップフロップであり、イコライザ回路201(図1参照)及び位相比較回路4の間に互いに並列に電気的に接続されている。データサンプラ2は、データ入力端子Dがイコライザ回路201に電気的に接続され、クロック入力端子CKが位相シフタ6の出力側に電気的に接続されている。エッジサンプラ3は、データ入力端子Dがイコライザ回路201に電気的に接続され、クロック入力端子CKが位相シフタ6の出力側に電気的に接続されている。
位相比較回路4は、多相サンプラ7とリカバリクロック生成回路5との間に、誤ロック検出回路8と並列に配されている。位相比較回路4は、入力ノードがデータサンプラ2及びエッジサンプラ3に並列に電気的に接続され、出力ノードがリカバリクロック生成回路5に電気的に接続され、制御ノードがモード制御回路204に電気的に接続されている。位相比較回路4は、構成の単純なバイナリ出力位相比較器で構成され得る。
誤ロック検出回路8は、多相サンプラ7とリカバリクロック生成回路5との間に、位相比較回路4と並列に配されている。誤ロック検出回路8は、入力ノードがデータサンプラ2及びエッジサンプラ3に並列に電気的に接続され、出力ノードがリカバリクロック生成回路5に電気的に接続され、制御ノードがモード制御回路204に電気的に接続されている。
CDR回路1は、モード制御回路204から受けるモード制御信号MDの値に応じて、CDR回路1の動作モードをオーバーサンプリングモードと通常モードとの間で切り替える。
例えば、受信装置200の起動時などの誤ロックが起こり得る期間において、モード制御回路204は、モード制御信号MDを、オーバーサンプリングモードを示す値(例えば、MD=1)にしてCDR回路1へ供給する。CDR回路1は、モード制御信号MD=1であれば、CDR回路1の動作モードをオーバーサンプリングモードに切り替え、図3に示すような動作を行う。図3は、オーバーサンプリングモードにおける位相シフト動作を示す図である。
図3に示すように、リカバリクロック生成回路5は、リカバリクロックCKとしての多相クロックCK[3:0]を生成する。多相クロックは、互いに位相が異なる複数のクロックCK[0],CK[1],CK[2],CK[3]を含む。多相クロックにおける各クロックCK[0],CK[1],CK[2],CK[3]は、最も位相の近いクロックとの位相差が均等(例えば、90°)である。このうち、CK[0]、CK[2]がエッジサンプリング用であり、CK[1]、CK[3]がデータサンプリング用である。CK[0]の位相を基準にした各クロックCK[0],CK[1],CK[2],CK[3]の位相差を、エッジサンプリング用(E)かデータサンプリング用(D)かとともに示すと、それぞれ、0°(E),90°(D),180°(E),270°(D)となる。すなわち、位相差の昇順にクロックを並べると、次の数式1となる。
(CK[0]の位相差:0°(E))<(CK[1]の位相差:90°(D))<(CK[2]の位相差:180°(E))<(CK[3]の位相差:270°(D))・・・数式1
(CK[0]の位相差:0°(E))<(CK[1]の位相差:90°(D))<(CK[2]の位相差:180°(E))<(CK[3]の位相差:270°(D))・・・数式1
数式1に示されるように、エッジサンプリング用のクロックCKのエッジタイミングとデータサンプリング用のクロックCKのエッジタイミングとが時間的に交互に繰り返される。また、図3には、クロックCK[0],CK[1],CK[2],CK[3]に対して、それぞれ、位相シフト動作が施されたクロックCKS[0],CKS[1],CKS[2],CKS[3]が示されている。このうち、CKS[0]、CKS[2]がエッジサンプリング用であり、CKS[1]、CKS[3]がデータサンプリング用である。
図2のリカバリクロック生成回路5は、多相クロックCK[3:0]を内部回路203(図1参照)及び位相シフタ6へそれぞれ供給する。
位相シフタ6は、リカバリクロック生成回路5から多相クロックCK[3:0]を受け、モード制御信号MD(=1)をモード制御回路204から受ける。位相シフタ6は、モード制御信号MD=1であることに応じて、多相クロックCK[3:0]における各クロックのうち一部のクロックを他のクロックと異なる位相となるシフト量でシフトさせ、クロックCKS[3:0]を生成する。このとき、位相シフタ6は、2つのエッジサンプラ3−1,3−2に供給すべき2つのクロックCKS[0],CKS[2]のエッジタイミングの間に、2つのデータサンプラ2−1,2−2に供給すべき2つのクロックCKS[1],CKS[3]のエッジタイミングを位置させる。
例えば、図3の場合、位相シフタ6は、クロックCK[0]をシフト量0°でシフトさせ(即ちシフトしない)、クロックCKS[0]を生成しエッジサンプラ3−1へ供給する。Δφを0°より大きく90°より小さい任意の位相角とすると、位相シフタ6は、クロックCK[1]をシフト量90°−Δφでシフトさせ、クロックCKS[1]を生成しデータサンプラ2−1へ供給する。位相シフタ6は、クロックCK[2]をシフト量0°でシフトさせ(即ちシフトしない)、クロックCKS[2]を生成しエッジサンプラ3−2へ供給する。位相シフタ6は、クロックCK[3]をシフト量90°+Δφでシフトさせ、クロックCKS[3]を生成しデータサンプラ2−1へ供給する。
CKS[0]の位相を基準にした各クロックCKS[0],CKS[1],CKS[2],CKS[3]の位相差を、エッジサンプリング用(E)かデータサンプリング用(D)かとともに示すと、それぞれ、0°(E),Δφ(D),180°(E),180°−Δφ(D)となる。すなわち、位相差の昇順にクロックを並べると、次の数式2となる。
(CKS[0]の位相差:0°(E))<(CKS[1]の位相差:Δφ(D))<(CKS[3]の位相差:180°−Δφ(D))<(CKS[2]の位相差:180°(E))・・・数式2
(CKS[0]の位相差:0°(E))<(CKS[1]の位相差:Δφ(D))<(CKS[3]の位相差:180°−Δφ(D))<(CKS[2]の位相差:180°(E))・・・数式2
数式2に示されるように、エッジサンプリング用の複数のクロックCKS[0],CKS[2]のエッジタイミングの間に、データサンプリング用の複数のクロックCKS[1],CKS[3]のエッジタイミングが位置させられ得る。これにより、データ信号DEにおけるデータ部分を疑似的にオーバーサンプリングすることに適したクロックCKS[3:0]が生成され得る。データ信号DEは、例えば差動信号であり、P側の信号DEPとN側の信号DENとを含む。
図2の位相シフタ6は、生成されたクロックCKS[3:0]を多相サンプラ7へ供給する。
多相サンプラ7において、エッジサンプラ3−1は、データ信号DEをイコライザ回路201から受け、クロックCKS[0]を位相シフタ6から受ける。エッジサンプラ3−1は、クロックCKS[0]の立ち上がりエッジに同期したタイミングtE1(位相差0°に対応したエッジサンプリングタイミングtE[0°])で、データ信号DE(すなわち、信号DEP,DEN)におけるエッジ部分をサンプリングする。エッジサンプラ3−1は、サンプリング結果Edge[0]を位相比較回路4及び誤ロック検出回路8へ供給する。
データサンプラ2−1は、データ信号DEをイコライザ回路201から受け、データサンプリング用(D)CKS[1]を位相シフタ6から受ける。データサンプラ2−1は、クロックCKS[1]の立ち上がりエッジに同期したタイミングtD1(位相差Δφに対応したデータサンプリングタイミングtD[Δφ])で、データ信号DE(すなわち、信号DEP,DEN)におけるデータ部分をサンプリングする。データサンプラ2−1は、サンプリング結果Data[0]を位相比較回路4及び誤ロック検出回路8へ供給する。
データサンプラ2−2は、データ信号DEをイコライザ回路201から受け、データサンプリング用(D)CKS[3]を位相シフタ6から受ける。データサンプラ2−2は、データサンプリング用(D)CKS[3]の立ち上がりエッジに同期したタイミングtD2(位相差180°−Δφに対応したデータサンプリングタイミングtD[180°−Δφ])で、データ信号DE(すなわち、信号DEP,DEN)におけるデータ部分をサンプリングする。データサンプラ2−2は、サンプリング結果Data[1]を位相比較回路4及び誤ロック検出回路8へ供給する。
エッジサンプラ3−2は、データ信号DEをイコライザ回路201から受け、クロックCKS[2]を位相シフタ6から受ける。エッジサンプラ3−2は、クロックCKS[2]の立ち上がりエッジに同期したタイミングtE2(位相差180°に対応したエッジサンプリングタイミングtE[180°])で、データ信号DE(すなわち、信号DEP,DEN)におけるエッジ部分をサンプリングする。エッジサンプラ3−2は、サンプリング結果Edge[1]を位相比較回路4及び誤ロック検出回路8へ供給する。
位相比較回路4は、エッジサンプリングタイミングtE[0°]のサンプリング結果Edge[0]をエッジサンプラ3−1から受ける。位相比較回路4は、データサンプリングタイミングtD[Δφ]のサンプリング結果Data[0]をデータサンプラ2−1から受ける。位相比較回路4は、データサンプリングタイミングtD[180°−Δφ]のサンプリング結果Data[1]をデータサンプラ2−2から受ける。位相比較回路4は、エッジサンプリングタイミングtE[180°]のサンプリング結果Edge[1]をエッジサンプラ3−2から受ける。位相比較回路4は、モード制御信号MDをモード制御回路204から受ける。位相比較回路4は、モード制御信号MD=1に応じて、受けた複数のサンプリング結果の時系列のパターンに対して位相比較動作を行う。すなわち、位相比較回路4は、クロックCKS[0][2]のエッジ部分がデータ信号DEのエッジ部分に対して進相している(「Early」)のか遅相している(「Late」)のか判定し、その判定結果PDをリカバリクロック生成回路5へ供給する。
ここで、図4を用いて、オーバーサンプリングモードにおける判定動作及び誤ロック検出動作を説明する。図4は、オーバーサンプリングモードにおける判定動作及び誤ロック検出動作を示す図である。例えば、位相比較回路4は、図4に示すサンプリング結果(Edge[0],Data[0],Data[1],Edge[1])=(0,1,1,1)に応じて、クロックCKS[0]のエッジ部分がデータ信号DEのエッジ部分に対して進相している(「Early」)と判定する。位相比較回路4は、進相の判定結果に応じて、判定結果PD=‘Early’を生成してリカバリクロック生成回路5へ供給する。なお、図4に示すサンプリング結果における0/1は、DEN、DEPの何れにも該当する値である。
あるいは、位相比較回路4は、サンプリング結果(Edge[0],Data[0],Data[1],Edge[1])=(1,1,1,0)に応じて、クロックCKS[0]のエッジ部分がデータ信号DEのエッジ部分に対して遅相している(「Late」)と判定する。位相比較回路4は、遅相の判定結果に応じて、判定結果PD=‘Late’を生成してリカバリクロック生成回路5へ供給する。
あるいは、位相比較回路4は、サンプリング結果(Edge[0],Data[0],Data[1],Edge[1])=(0,0,0,1)に応じて、クロックCKS[0]のエッジ部分がデータ信号DEのエッジ部分に対して遅相している(「Late」)と判定する。位相比較回路4は、遅相の判定結果に応じて、判定結果PD=‘Late’を生成してリカバリクロック生成回路5へ供給する。
あるいは、位相比較回路4は、サンプリング結果(Edge[0],Data[0],Data[1],Edge[1])=(1,0,0,0)に応じて、クロックCKS[0]のエッジ部分がデータ信号DEのエッジ部分に対して進相している(「Early」)と判定する。位相比較回路4は、進相の判定結果に応じて、判定結果PD=‘Early’を生成してリカバリクロック生成回路5へ供給する。
図2に示す誤ロック検出回路8は、エッジサンプリングタイミングtE[0°]のサンプリング結果Edge[0]をエッジサンプラ3−1から受ける。誤ロック検出回路8は、データサンプリングタイミングtD[Δφ]のサンプリング結果Data[0]をデータサンプラ2−1から受ける。誤ロック検出回路8は、データサンプリングタイミングtD[180°−Δφ]のサンプリング結果Data[1]をデータサンプラ2−2から受ける。誤ロック検出回路8は、エッジサンプリングタイミングtE[180°]のサンプリング結果Edge[1]をエッジサンプラ3−2から受ける。誤ロック検出回路8は、モード制御信号MDをモード制御回路204から受ける。誤ロック検出回路8は、モード制御信号MD=1であることに応じて、サンプリング結果の時系列のパターンに対して、誤ロック検出動作を行う。すなわち、誤ロック検出回路8は、クロックCKS[0]のエッジ部分がデータ信号DEのエッジ部分に対して、誤ロックしやすい位相関係(「誤ロック」)にあるのか誤ロックしにくい位相関係(「適正にロック可能」)にあるのか検出し、その検出結果FLをリカバリクロック生成回路5へ供給する。
例えば、誤ロック検出回路8は、図4に示すサンプリング結果(Edge[0],Data[0],Data[1],Edge[1])=(1,1,0,0)に応じて、クロックCKS[0]のエッジ部分がデータ信号DEのエッジ部分に対して誤ロックしやすい位相関係にある(「誤ロック」)と検出する。誤ロック検出回路8は、「誤ロック」の検出結果に応じて、検出結果FL=‘誤ロック’を生成してリカバリクロック生成回路5へ供給する。
あるいは、誤ロック検出回路8は、サンプリング結果(Edge[0],Data[0],Data[1],Edge[1])=(0,0,1,1)に応じて、クロックCKS[0]のエッジ部分がデータ信号DEのエッジ部分に対して誤ロックしやすい位相関係にある(「誤ロック」)と検出する。誤ロック検出回路8は、「誤ロック」の検出結果に応じて、検出結果FL=‘誤ロック’を生成してリカバリクロック生成回路5へ供給する。
あるいは、誤ロック検出回路8は、サンプリング結果(Edge[0],Data[0],Data[1],Edge[1])の値が、図4に示した値以外のサンプリング結果(図示せず)に応じて、クロックCKS[0]のエッジ部分がデータ信号DEのエッジ部分に対して誤ロックしにくい位相関係にある(「適正にロック可能」)と検出する。誤ロック検出回路8は、「適正にロック可能」の検出結果に応じて、検出結果FL=‘適正にロック可能’を生成してリカバリクロック生成回路5へ供給する。
図2のリカバリクロック生成回路5は、判定結果PDを位相比較回路4から受け、検出結果FLを誤ロック検出回路8から受ける。リカバリクロック生成回路5は、判定結果PD及び検出結果FLに応じて、多相クロックCK[3:0]を生成する。リカバリクロック生成回路5は、基準クロックを生成する原発振回路と基準クロックを用いて発振するPLL等の発振回路とを有する。リカバリクロック生成回路5は、判定結果PD及び検出結果FLに応じて、発振回路に対する位相制御量(発振回路で生成される各クロックCK[3:0]の位相を基準クロックに対して進相又は遅相させるための制御量)を調整することで、互いが所定の位相関係に調整された多相クロックCK[3:0]を生成する。リカバリクロック生成回路5は、生成した多相クロックCK[3:0]を出力して内部回路203及び位相シフタ6へ供給する。
例えば、フロンドエンド回路202による等化がオーバーイコライズである場合、データ信号DEのアイパターン波形は、図3上図に示すように、破線の波形と実線の波形とにスプリットし得る。図3上図は、データ信号DEのアイパターン波形を示す図であり、横軸が時間を表し、縦軸が振幅レベルを表している。図3上図では、Lレベルに対応した振幅レベルが論理値「0」で示され、Hレベルに対応した振幅レベルが論理値「1」で示されている。
例えば、図2に示すリカバリクロック生成回路5は、検出結果FL=‘適正にロック可能’であり判定結果PD=‘Early’であれば、クロックCKS[0]を現在より遅相させるように発振回路に対する位相制御量を調整する。これにより、リカバリクロック生成回路5は、基準クロックに対して位相関係が遅相された多相クロックCK[3:0]を出力する。
あるいは、リカバリクロック生成回路5は、検出結果FL=‘適正にロック可能’であり判定結果PD=‘Late’であれば、クロックCKS[0]を現在より進相させるように発振回路に対する位相制御量を調整する。これにより、リカバリクロック生成回路5は、基準クロックに対して位相関係が進相された多相クロックCK[3:0]を出力する。
一方、図3上図の実線と破線とは、それぞれ、FL=‘誤ロック’の状態である場合を例示している。リカバリクロック生成回路5は、検出結果FL=‘誤ロック’である場合、誤ロックしやすい状態から抜け出すために、発振回路に対する位相制御量を現在の位相制御量から大幅に変更したり、発振回路をリセットして初期状態に戻したりする。これにより、リカバリクロック生成回路5は、基準クロックに対して位相関係が大幅に変更された多相クロックCK[3:0]を出力して内部回路203及び位相シフタ6へ供給する。すなわち、通常モードと同じリカバリクロック生成回路5を用いながら(すなわち、既存の回路リソースを活用しながら)疑似的にデータ信号DEのオーバーサンプリングを行うので、コスト及び消費電力の増加を抑制しながら誤ロックを回避できる。
例えば、CDR回路1の動作モードがオーバーサンプリングモードにおいて、誤ロック検出回路8が検出結果FL=‘適正にロック可能’を継続的に出力する状態など適正にロック可能であることに応じて、モード制御回路204は、モード制御信号MDを、通常モードを示す値(例えば、MD=0)にしてCDR回路1へ供給する。CDR回路1は、モード制御信号MD=0であれば、CDR回路1の動作モードを通常モードに切り替え、図5に示すような動作を行う。図5は、通常モードにおける位相シフト動作を示す図である。
図5に示すように、位相シフタ6は、リカバリクロック生成回路5から多相クロックCK[3:0]を受け、モード制御信号MD(=0)をモード制御回路204から受けて通常モードで動作する。すなわち、位相シフタ6は、モード制御信号MD=0であることに応じて、多相クロックCK[3:0]を均等なシフト量でシフトさせたサンプリング用のクロックCKS[3:0]を生成する。
例えば、図5の場合、位相シフタ6は、クロックCK[0]をシフト量0°でシフトさせ(即ちシフトしない)、クロックCKS[0]を生成しエッジサンプラ3−1へ供給する。位相シフタ6は、クロックCK[1]をシフト量0°でシフトさせ(即ちシフトしない)、クロックCKS[1]を生成しデータサンプラ2−1へ供給する。位相シフタ6は、クロックCK[2]をシフト量0°でシフトさせ(即ちシフトしない)、クロックCKS[2]を生成しエッジサンプラ3−2へ供給する。位相シフタ6は、クロックCK[3]をシフト量0°でシフトさせ(即ちシフトしない)、クロックCKS[3]を生成しデータサンプラ2−2へ供給する。
CKS[0]の位相を基準にした各クロックCKS[0],CKS[1],CKS[2],CKS[3]の位相差を、エッジサンプリング用(E)かデータサンプリング用(D)かとともに示すと、それぞれ、0°(E),90°(D),180°(E),270°(D)となる。すなわち、位相差の昇順にクロックを並べると、次の数式3となる。
(CKS[0]の位相差:0°(E))<(CKS[1]の位相差:90°(D))<(CKS[2]の位相差:180°(E))<(CKS[3]の位相差:270°(D))・・・数式3
(CKS[0]の位相差:0°(E))<(CKS[1]の位相差:90°(D))<(CKS[2]の位相差:180°(E))<(CKS[3]の位相差:270°(D))・・・数式3
数式3に示されるように、エッジサンプリング用のクロックCKSのエッジタイミングとデータサンプリング用のクロックCKSのエッジタイミングとが時間的に交互に繰り返される。
図2の位相シフタ6は、生成されたクロックCKS[3:0]を多相サンプラ7へ供給する。
多相サンプラ7において、エッジサンプラ3−1は、クロックCKS[0]の立ち上がりエッジに同期したタイミングtE1(位相差0°に対応したエッジサンプリングタイミングtE[0°])で、データ信号DE(すなわち、信号DEP,DEN)におけるエッジ部分をサンプリングする。エッジサンプラ3−1は、サンプリング結果Edge[0]を位相比較回路4及び誤ロック検出回路8へ供給する。
データサンプラ2−1は、クロックCKS[1]の立ち上がりエッジに同期したタイミングtD1(位相差90°に対応したデータサンプリングタイミングtD[90°])で、データ信号DE(すなわち、信号DEP,DEN)のデータ部分をサンプリングする。データサンプラ2−1は、サンプリング結果Data[0]を位相比較回路4及び誤ロック検出回路8へ供給する。
エッジサンプラ3−2は、クロックCKS[2]の立ち上がりエッジに同期したタイミングtE2(位相差180°に対応したエッジサンプリングタイミングtE[180°])で、データ信号DE(すなわち、信号DEP,DEN)におけるエッジ部分をサンプリングする。エッジサンプラ3−1は、サンプリング結果Edge[1]を位相比較回路4及び誤ロック検出回路8へ供給する。
データサンプラ2−2は、データサンプリング用(D)CKS[3]の立ち上がりエッジに同期したタイミングtD2(位相差270°に対応したデータサンプリングタイミングtD[270°])で、データ信号DE(すなわち、信号DEP,DEN)におけるデータ部分をサンプリングする。データサンプラ2−2は、サンプリング結果Data[1]を位相比較回路4及び誤ロック検出回路8へ供給する。
位相比較回路4は、エッジサンプリングタイミングtE[0°]のサンプリング結果Edge[0]をエッジサンプラ3−1から受ける。位相比較回路4は、データサンプリングタイミングtD[90°]のサンプリング結果Data[0]をデータサンプラ2−1から受ける。位相比較回路4は、エッジサンプリングタイミングtE[180°]のサンプリング結果Edge[1]をエッジサンプラ3−2から受ける。位相比較回路4は、データサンプリングタイミングtD[270°]のサンプリング結果Data[1]をデータサンプラ2−2から受ける。位相比較回路4は、モード制御信号MDをモード制御回路204から受ける。位相比較回路4は、モード制御信号MD=0に応じて、受けた複数のサンプリング結果の時系列のパターンに対して位相比較動作を行う。
ここで、図6を用いて、通常モードにおける判定動作を説明する。図6は、通常モードにおける判定動作を示す図である。例えば、位相比較回路4は、図6に示すサンプリング結果(Edge[0],Data[0],Edge[1])=(0,1,1)に応じて、クロックCKS[0]のエッジ部分がデータ信号DEのエッジ部分に対して進相している(「Early」)と判定する。位相比較回路4は、進相の判定結果に応じて、判定結果PD=‘Early’を生成してリカバリクロック生成回路5へ供給する。
あるいは、位相比較回路4は、サンプリング結果(Edge[0],Data[0],Edge[1])=(1,1,0)に応じて、クロックCKS[0]のエッジ部分がデータ信号DEのエッジ部分に対して遅相している(「Late」)と判定する。位相比較回路4は、遅相の判定結果に応じて、判定結果PD=‘Late’を生成してリカバリクロック生成回路5へ供給する。
あるいは、位相比較回路4は、サンプリング結果(Edge[0],Data[0],Edge[1])=(0,0,1)に応じて、クロックCKS[0]のエッジ部分がデータ信号DEのエッジ部分に対して遅相している(「Late」)と判定する。位相比較回路4は、遅相の判定結果に応じて、判定結果PD=‘Late’を生成してリカバリクロック生成回路5へ供給する。
あるいは、位相比較回路4は、サンプリング結果(Edge[0],Data[0],Edge[1])=(1,0,0)に応じて、クロックCKS[0]のエッジ部分がデータ信号DEのエッジ部分に対して進相している(「Early」)と判定する。位相比較回路4は、進相の判定結果に応じて、判定結果PD=‘Early’を生成してリカバリクロック生成回路5へ供給する。
なお、図2に示す誤ロック検出回路8は、モード制御信号MD=0を受けると、動作を停止する。これにより、通常モードにおいて、誤ロック検出回路8は、検出結果FLをリカバリ生成回路5へ供給しない。あるいは、通常モードにおいて、誤ロック検出回路8は、正常である旨の検出結果FLをリカバリ生成回路5へ供給してもよい。また、MDの値の定義は逆でもよく、モード制御信号MD=0がオーバーサンプリングモードを示し、モード制御信号MD=1が通常モードを示していてもよい。
図2に示すリカバリクロック生成回路5は、判定結果PDを位相比較回路4から受ける。リカバリクロック生成回路5は、判定結果PDに応じて、発振回路に対する位相制御量を調整することで、所定の位相関係に調整された多相クロックCK[3:0]を生成する。リカバリクロック生成回路5は、多相クロックCK[3:0]を内部回路203及び位相シフタ6へ供給する。すなわち、通常モードにおいて、リカバリクロックCKの位相が適正に調整された状態でロックされ得るので、データ信号DEに埋め込まれたリカバリクロックCKが適正に再生され得る。
以上のように、実施形態では、CDR回路1が、オーバーサンプリングモードにおいて、多相クロックのうち一部のクロックを他のクロックと異なるシフト量でシフトさせて疑似的にデータ信号DEのオーバーサンプリングを行う。これにより、コスト及び消費電力を抑制しながら、誤ロックを回避でき、リカバリクロックCKを適正に再生できる。
なお、オーバーサンプリングモードにおけるデータサンプリング用(D)CKS[1]とCKS[0]との位相差は、CKS[3]とCKS[2]との位相差と異なっていてもよい。例えば、Δφ1及びΔφ2を互いに異なり且つ0°より大きく90°より小さい任意の位相角とすると、CKS[0]の位相を基準にした各クロックCKS[0],CKS[1],CKS[2],CKS[3]の位相差は、それぞれ、0°(E),Δφ1(D),180°(E),180°−Δφ2(D)であってもよい。
あるいは、通常モードにおける位相調整は、1周期中に複数回行われてもよい。例えば、位相比較回路4は、図6に示す位相比較動作に加えて、図6でEdge[0],Data[0],Edge[1]がそれぞれEdge[1],Data[1],Edge[0]に置き換えられた位相比較動作を行ってもよい。
例えば、位相比較回路4は、サンプリング結果(Edge[1],Data[1],Edge[0])=(0,1,1)に応じて、クロックCKS[0]のエッジ部分がデータ信号DEのエッジ部分に対して進相している(「Early」)と判定する。位相比較回路4は、進相の判定結果に応じて、判定結果PD=‘Early’を生成してリカバリクロック生成回路5へ供給する。
あるいは、位相比較回路4は、サンプリング結果(Edge[1],Data[1],Edge[0])=(1,1,0)に応じて、クロックCKS[0]のエッジ部分がデータ信号DEのエッジ部分に対して遅相している(「Late」)と判定する。位相比較回路4は、遅相の判定結果に応じて、判定結果PD=‘Late’を生成してリカバリクロック生成回路5へ供給する。
あるいは、位相比較回路4は、サンプリング結果(Edge[1],Data[1],Edge[0])=(0,0,1)に応じて、クロックCKS[0]のエッジ部分がデータ信号DEのエッジ部分に対して遅相している(「Late」)と判定する。位相比較回路4は、遅相の判定結果に応じて、判定結果PD=‘Late’を生成してリカバリクロック生成回路5へ供給する。
あるいは、位相比較回路4は、サンプリング結果(Edge[1],Data[1],Edge[0])=(1,0,0)に応じて、クロックCKS[0]のエッジ部分がデータ信号DEのエッジ部分に対して進相している(「Early」)と判定する。位相比較回路4は、進相の判定結果に応じて、判定結果PD=‘Early’を生成してリカバリクロック生成回路5へ供給する。
このように、通常モードにおける位相調整が1周期中に複数回行われることで、位相がロック状態になるまでの時間を短縮でき、位相調整の精度を向上できる。
あるいは、図7に示すように、CDR回路1iにおいて、誤ロック検出回路8iは、検出信号FLを、リカバリクロック生成回路5に代えて位相シフタ6iへ供給してもよい。図7は、実施形態の第1の変形例にかかるCDR回路1iの回路構成を示す図である。この場合、位相シフタ6iは、モード制御回路204からモード制御信号MDを受けなくてもよい。例えば、オーバーサンプリングモードにおいて、誤ロック検出回路8iは、検出結果FL=‘適正にロック可能’又は検出結果FL=‘誤ロック’を生成して位相シフタ6iへ供給する。位相シフタ6iは、検出結果FL=‘適正にロック可能’を受けている間、多相クロックCK[3:0]における各クロックのうち一部のクロックを他のクロックと異なるシフト量でシフトさせ、クロックCKS[3:0]を生成する。位相シフタ6iは、検出結果FL=‘誤ロック’を受けると、各クロックのシフト量を現在のシフト量から変更したりリセットしたり(例えば、シフト量0°に戻したり)する。位相シフタ6iは、多相クロックCK[3:0]における各クロックを変更後のシフト量でシフトさせ、クロックCKS[3:0]を生成する。この動作によっても、誤ロックしやすい状態から抜け出すことが可能である。
あるいは、図8に示すように、CDR回路1jにおいて、誤ロック検出回路8jは、検出信号FLを、リカバリクロック生成回路5に代えて受信回路202jのイコライザ回路201jへ供給してもよい。図8は、実施形態の第2の変形例にかかる受信回路202j及びCDR回路1jの回路構成を示す図である。例えば、オーバーサンプリングモードにおいて、誤ロック検出回路8jは、検出結果FL=‘適正にロック可能’又は検出結果FL=‘誤ロック’を生成してイコライザ回路201jへ供給する。イコライザ回路201jは、検出結果FL=‘適正にロック可能’を受けている間、伝送信号から変調信号を現在の補償量で等化する。イコライザ回路201jは、検出結果FL=‘誤ロック’を受けると、補償量を現在の補償量から変更したりリセットしたり(例えば、基準の補償量に戻したり)する。イコライザ回路201jは、伝送信号から変調信号を変更後の補償量で等化する。イコライザ回路201jは、補償後の信号をデータ信号DEとしてCDR回路1jへ供給する。この動作によっても、誤ロックしやすい状態から抜け出すことが可能である。
あるいは、図9に示すように、CDR回路1kにおいて、誤ロック検出回路8kは、検出信号FLを、リカバリクロック生成回路5に代えて送信装置100kのイコライザ回路102kへ供給してもよい。図9は、実施形態の第3の変形例にかかるCDR回路1kが適用された通信システム400kを示す図である。例えば、オーバーサンプリングモードにおいて、誤ロック検出回路8kは、検出結果FL=‘適正にロック可能’又は検出結果FL=‘誤ロック’を生成してイコライザ回路102kへ供給する。イコライザ回路102kは、検出結果FL=‘適正にロック可能’を受けている間、変調信号に対して所定の補償量で等化を行い、伝送信号を生成して送信回路101へ供給する。イコライザ回路102kは、検出結果FL=‘誤ロック’を受けると、補償量を現在の補償量から変更したりリセットしたり(例えば、基準の補償量に戻したり)する。イコライザ回路102kは、変調信号に対して所定の補償量で等化を行い、伝送信号を生成して送信回路101へ供給する。送信回路101は、伝送信号を伝送路300経由で受信装置200kへ送信する。この動作によっても、受信装置200kにおけるCDR回路1kは、誤ロックしやすい状態から抜け出すことが可能である。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1,1i,1j,1k CDR回路、2,2−1,2−2 データサンプラ、3,3−1,3−2 エッジサンプラ、4 位相比較回路、5 リカバリクロック生成回路、6 位相シフタ、7 多相サンプラ、8 誤ロック検出回路、100,100k 送信装置、200,200k 受信装置、202,202j 受信回路、300 伝送路、400,400k 通信システム。
Claims (8)
- データがそれぞれ入力される複数のエッジサンプラ及び複数のデータサンプラを含む多相サンプラと、
前記多相サンプラの出力側に配された位相比較回路と、
前記位相比較回路の出力側に配され、多相クロックを出力するリカバリクロック生成回路と、
前記リカバリクロック生成回路と前記多相サンプラとを接続する経路上に配され、前記リカバリクロック生成回路から出力された多相クロックのうち一部のクロックを他のクロックのシフト量と異なるシフト量でシフトさせた、前記多相サンプラに供給される複数のクロックを生成する位相シフタと、
を備えたクロック再生回路。 - 前記多相サンプラの出力側に前記位相比較回路と並列して配された誤ロック検出回路をさらに備えた
請求項1に記載のクロック再生回路。 - 前記誤ロック検出回路の出力は、前記リカバリクロック生成回路に電気的に接続されている
請求項2に記載のクロック再生回路。 - 前記誤ロック検出回路の出力は、前記位相シフタに電気的に接続されている
請求項2に記載のクロック再生回路。 - 前記位相シフタは、前記複数のエッジサンプラ各々に供給される複数のクロックのエッジタイミングの間に、前記複数のデータサンプラ各々に供給される複数のクロックのエッジタイミングが位置する複数のクロックを生成する、
請求項1から4のいずれか1項に記載のクロック再生回路。 - 前記多相サンプラは、
第1のエッジサンプラと、
第1のデータサンプラと、
第2のエッジサンプラと、
第2のデータサンプラと、
を有し、
前記位相シフタが生成したクロックは、
前記第1のエッジサンプラに供給される第1のクロックと、
前記第2のエッジサンプラに供給され前記第1のクロックと位相が異なる第2のクロックと、
エッジタイミングが前記第1のクロックのエッジタイミングと前記第2のクロックのエッジタイミングとの間に位置し、前記第1及び前記第2のクロック夫々と位相が異なり、前記第1のデータサンプラに供給される第3のクロックと、
エッジタイミングが前記第1のクロックのエッジタイミングと前記第2のクロックのエッジタイミングとの間に位置し、前記第1乃至前記第3のクロック夫々と位相が異なり、前記第2のデータサンプラに供給される第4のクロックと、
を含む
請求項5に記載のクロック再生回路。 - 伝送路を介してデータを受信可能であるフロンドエンド回路と、
前記フロンドエンド回路からデータを受けるクロック再生回路と、
を備え、
前記クロック再生回路は、
データがそれぞれ入力されるデータサンプラ及びエッジサンプラの対を複数対含む多相サンプラと、
前記多相サンプラの出力側に配された位相比較回路と、
前記位相比較回路の出力側に配され、多相クロックを出力するリカバリクロック生成回路と、
前記リカバリクロック生成回路から前記多相サンプラへの帰還経路上に配され、前記リカバリクロック生成回路から出力された多相クロックのうち一部のクロックを他のクロックと異なるシフト量でシフトさせて、サンプリング用のクロックを生成する位相シフタと、
を有する
受信装置。 - データをクロックに基づいてサンプルする回路を複数含む第1回路と、
前記第1回路の前記複数の回路からの出力に基づく判定結果を出力する第2回路と、
前記第2回路から出力された判定結果に基づいて、互いに位相が異なる第1クロック及び第2のクロックを含む第1の複数クロックを出力する第3回路と、
前記第3回路から出力された前記第1の複数クロックを受け、前記第1クロックの位相と同じ位相を有する第3クロックと、前記第2クロックの位相と同じ位相を有する第4クロックと、前記第1クロックの位相及び前記第2のクロックの位相夫々と異なり且つ前記第3クロックのエッジと前記第4クロックのエッジとの間にエッジを有する第5クロックと、を含む第2の複数クロックを前記第1回路に供給する第4回路と、
を備えたクロック再生回路。
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