JP2020129685A - バルクマグネット構造体、これを用いたnmr用マグネットシステム、およびバルクマグネット構造体の着磁方法 - Google Patents
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Abstract
Description
不均一な静磁場に応じて、バルクマグネット構造体の内径を軸方向に変化させれば、着磁後の磁場を均一にできることを見出した。バルクマグネット構造体は、一般にリング状酸化物超電導バルク体を重ねて構成されるため、異なる内径のリング状酸化物超電導バルク体を組み合わせることで、適切な内径の軸方向の分布を有するバルクマグネット構造体を得ることができる。
バルクマグネット構造体の内径の軸方向の変化は少なくとも一つの前記リング状酸化物超電導バルク体の内周径を、当該酸化物超電導バルク体に隣接する前記リング状酸化物超電導バルク体の内周径よりも大きくすることで実現できる。
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、複数のリング状酸化物超電導バルク体と、複数積層されたリング状酸化物超電導バルク体の外周面を覆うように嵌合された少なくとも1つの外周補強リングと、を備え、少なくとも一つのリング状酸化物超電導バルク体の内周径は、当該酸化物超電導バルク体に隣接するリング状酸化物超電導バルク体の内周径よりも大きい、バルクマグネット構造体が提供される。
211相+液相(BaとCuの複合酸化物) → 123相
によりできる。そして、この包晶反応により、123相ができる温度(Tf:123相生成温度)は、ほぼRE元素のイオン半径に関連し、イオン半径の減少に伴いTfも低くなる。また、低酸素雰囲気及びAg添加に伴い、Tfは低下する傾向にある。
211相+液相(BaとCuの複合酸化物) → 123相+211相
で示される反応によりできる。
図1は、本実施形態に係るバルクマグネット構造体を着磁するための着磁システム1の概略構成を示す説明図である。本実施形態に係る着磁システム1は、図1に示すように、磁場発生装置5と、内部にバルクマグネット構造体100が収容される真空断熱容器10と、冷却装置20と、温度制御装置30とを含んで構成される。
図1に示した着磁システム1を用いてバルクマグネット構造体を着磁するにあたり、例えばNMR、MRIへ適用するバルクマグネット構造体には、数Tの強磁場とppmオーダーの高い均一性とが必要とされる。しかし、従来のNMR/MRI用のマグネットではない比較的安価で一般的な磁場発生装置5によってバルクマグネット構造体に印加される印加磁場の分布は、図2左側に示すように、バルクマグネット構造体の軸方向(Z方向)において均一ではない。例えば、磁場強度のピークを中心として当該ピークを含む軸方向10mmの範囲内において、磁場強度に500ppm程度のずれがある場合もある。このような印加磁場によってバルクマグネット構造体を従来の着磁方法により着磁すると、バルクマグネット構造体の磁場分布も同様の分布となり、不均一な磁場がバルクマグネット構造体に複写されてしまうことになる。
まず、着磁条件1として、常伝導状態のリング状酸化物超電導バルク体を磁場B1中に置き、超電導転移温度(Tc)以下の温度Tsに冷却した後、印加磁場を徐々に減らすようにした。このときの酸化物超電導バルク体内の超電導電流の分布および磁場分布を図5Aに示す。状態Aは減磁前の状態であり、酸化物超電導バルク体内には超電導電流は流れていない。印加磁場を徐々に低下させると、状態Bに示すように、リング状酸化物超電導バルク体内には、臨界電流密度Jc(Ts)の値を有する超電導電流が流れる領域72bが外周部分から現れる。さらに印加磁場を低下させた後、印加磁場をゼロとすると、状態Cに示すように、臨界電流密度Jc(Ts)値を有する超電導電流が流れる領域72bがさらに内側に広がる。着磁条件1では、状態Cに示すように、印加磁場がゼロになったときにも酸化物超電導バルク体断面の内側に超電導電流が流れていない領域72aが存在する。このような状態を、以下、「非フル着磁状態」と称する。
次に、着磁条件2は、印加磁場は着磁条件1と同一であるが、酸化物超電導バルク体を着磁条件1での温度TSよりも高い温度Thとした。着磁条件1に対し温度が高く、臨界電流密度Jcが低い着磁条件2では、図5Bに示すように、減磁前の状態である状態Aでは、着磁条件1と同様、酸化物超電導バルク体内には超電導電流は流れていない。印加磁場を徐々に低下させると、状態Bに示すように、リング状酸化物超電導バルク体内には、臨界電流密度Jc(Ts)の値を有する超電導電流が流れる領域72bが外周部分から現れる。このとき、着磁条件1よりも早く内側まで超電導電流が流れる領域72bが現れる。そして、さらに印加磁場を低下させた後、印加磁場をゼロとした状態Cでは、酸化物超電導バルク体の断面全体に超電導電流が流れるようになる。このような状態を、以下、「フル着磁状態」と称する。
一方、着磁条件3は、着磁温度は着磁条件1と同一であるが、印加磁場を着磁条件1よりも高くした。このような着磁条件では、図5Cに示すように、減磁前の状態である状態Aでは、着磁条件1、2と同様、酸化物超電導バルク体内には超電導電流は流れていない。印加磁場を徐々に低下させると、状態Bに示すように、リング状酸化物超電導バルク体内には、臨界電流密度Jc(Ts)の値を有する超電導電流が流れる領域72bが外周部分から現れる。このとき、着磁条件2と同様、着磁条件1よりも早く内側まで超電導電流が流れる領域72bが現れる。そして、さらに印加磁場を低下させた後、印加磁場をゼロとした状態Cでは、酸化物超電導バルク体の断面全体に超電導電流が流れ、フル着磁状態となっている。
例えば、図6に示すバルクマグネット構造体50Aは、複数のリング状バルク体51a〜51gからなるリング状バルク体部51Aと、各リング状バルク体51a〜51gの外周にそれぞれ嵌合された複数の外周補強リング53a〜53gからなる外周補強リング部53とを含んでなる。バルクマグネット構造体50Aは、各リング状バルク体51a〜51gの中心軸を揃えて積層し構成されている。各リング状バルク体51a〜51gは、外径は同一であるが、内径は軸方向中心に向かうほど大きくなるように(すなわち、半径方向の厚みが小さくなるように)積層されている。具体的には、軸方向の両端に位置するリング状バルク体51a、51gの内径が最小であり、中央部のリング状バルク体51dの内径が最大となっている。図6においては、リング状バルク体51b、51c、51e、51fの内径は、最大内径よりも小さく、最小内径より大きく設定されている。本発明の一態様による着磁方法においては、リング状バルク体に大きな電磁気力が作用し得る。例えば、リング状バルク体を膨らませようとする周方向への引っ張り力(フープ力)等のリング状バルク体に破壊をもたらす応力が働く。そのため、本発明の一態様によるバルクマグネット構造体は、外周補強リングを備える。外周補強リングを備えることにより、リング状バルク体に大きな電磁気力(応力)が作用した場合でも、リング状バルク体が破壊することを防ぐことができる。
NMR分光に用いられる試料管の軸方向の長さは、20mm程度が一般的であり、この領域の磁場の均一度が重要であり、51d等の各リング状バルク体のZ軸方向の厚さが10mmから30mmの場合、より、効果的に均一化できる。また、例として、図6の51dの内径とその両隣の51c、および51eとの内径の差は、寸法精度の観点から、1mm以上であることが望ましい。
「円柱形状となる外形の軸芯と同軸芯の内側空間部を備えた筒形状を有する超電導体であって、
前記内側空間部は、前記軸芯に沿った方向で中央に位置する中央空間部分と、前記軸芯に沿った方向で前記中央空間部分の両側に位置する端空間部分とを含み、
前記中央空間部分の前記軸芯に垂直な方向の内側寸法は前記端空間部分の前記軸芯に垂直な方向の内側寸法よりも大きい、構成であり、
前記内側空間部は、前記中央空間部分の前記軸芯に直交する姿勢で交差する第1面及び第2面と2つの前記端空間部分の前記軸芯の方向に沿う側面とが交わる第1角部と、前記第1面及び前記第2面と前記中央空間部分の前記軸芯の方向に沿う側面とが交わる第2角部を有し、
前記第2角部は、前記超電導体の内部で超電導電流が流れる領域より内側で、超電導電流が流れない領域に位置している超電導体。」が開示されている。この超電導体では、超電導体の全体で、非フル着磁の状態であって、フル着磁状態のリング状バルク体が存在していない。
特許文献5の第2角部は、本発明に係る図6の51dの内周角部に相当するが、51dの内周角部は、フル着磁状態であり、すなわち超電導電流が流れる領域である。言い換えると、本願発明の一態様では「前記第2角部は、前記超電導体の内部で超電導電流が流れる領域の境界(外側)で、超電導電流が流れる領域(境界)に位置している超電導体」が得られる。
図6に示した構成Aでは、バルクマグネット構造体50Aの軸方向中央部の高すぎる磁束密度を低下させるために、当該領域に半径方向の厚みの小さいリング状バルク体を配置したが、他の構成として、例えば軸方向中央部のリング状バルク体を、軸方向の厚みが小さいリング状バルク体と第1平面リングとを交互に積層して構成することで、中央部分の磁束を低下させることもできる。つまり、第1平面リングは、バルクマグネット構造体の積層方向軸方向中央部のリング状バルク体に採用してもよい。
また、均一な強磁場を必要とするNMRおよびMRIへ応用する場合には、リング状バルク体に大きな電磁気力が作用する。例えば、リング状バルク体を膨らませようとする周方向への引っ張り力(フープ力)等のリング状バルク体に破壊をもたらす応力が働く。そのため、従来の外周補強リングでの補強では、不十分な場合がある。そこで、バルクマグネット構造体において最も大きな応力が作用する軸方向両端のリング状バルク体を、軸方向の厚みが小さいリング状バルク体と第2平面リングとを交互に積層して構成し補強してもよい。つまり、第2平面リングは、バルクマグネット構造体の積層方向軸方向の両端のリング状バルク体に採用してもよい。
まず、図10に基づいて、積層体の第1の形態を説明する。図10は、第1の形態に係る積層体の一例を示す概略分解斜視図である。
次に、図11A〜図11Cに基づいて、第2の形態に係るvを説明する。図11Aは、第2の形態に係る積層体の一例を示す概略分解斜視図である。図11Bは、図11Aに示すバルクマグネット200の部分断面図である。図11Cは、第2の積層体の変形例であって、バルクマグネット200の中心軸線に沿って切断したときの部分断面図を示す。
次に、図12に基づいて、第3の形態に係る積層体を説明する。図12は、第3の形態に係る積層体の一例を示す概略分解斜視図である。
次に、図13に基づいて、第4の形態に係る積層体を説明する。図13は、第4の形態に係る積層体の一例を示す概略分解斜視図である。
次に、図14A〜図14Eに基づいて、第5の形態に係る積層体を説明する。図14Aは、第5の形態に係る積層体の一例を示す概略分解斜視図である。図14B〜図14Eは、第5の形態に係る積層体の変形例であって、バルクマグネット500の中心軸線に沿って切断したときの部分断面図を示す。
次に、図15A〜図15Cに基づいて、第6の形態に係る積層体を説明する。図15A〜図15Cは、第6の形態に係る積層体600の中心軸線に沿って切断したときの部分断面図を示す。
次に、図16に基づいて、第7の形態に係る積層体を説明する。図16は、リング状バルク体610の結晶学的方位の揺らぎを示す説明図である。
次に、図17A〜図17Dに基づいて、第8の形態に係る積層体を説明する。図17Aは、第8の形態に係る積層体の一例を示す概略分解斜視図である。図17B〜図17Dは、第8の形態に係る積層体のリング状バルク体710の一構成例であって、リング状バルク体710の平面図を示す。
本発明に係るバルクマグネット構造体の他の構成として、例えば図9に示した構成Cのバルクマグネット構造体のうち、少なくとも一端側のリング状バルク体と第2平面リングが交互に積層された積層体をリング状ではなく、円柱状に形成してもよい。すなわち、円柱状酸化物超電導バルク体と円柱状の平面補強板とを交互に積層させた積層体を構成する。これにより、より高い機械強度を得ることが可能となる。
実施例1では、上述した本発明の一実施形態に係るバルクマグネット構造体の着磁方法により、図6に示したバルクマグネット構造体50Aを着磁した。具体的には、磁場発生装置として、室温ボア径150mmの超電導マグネット(JASTEC製 10T150)を約5Tに励磁し、着磁のための印加磁場とした。このときの印加磁場の分布は図2左側に示すような形状であった。すなわち、印加磁場の磁場強度がピークとなる位置を中心として、両側約10mmの区間で、500ppm程度の不均一な磁場分布を有していることが確認された。
実施例2では、上述した本発明の一実施形態に係るバルクマグネット構造体の着磁方法により、図8に示したバルクマグネット構造体50Bを着磁した。具体的には、磁場発生装置として、室温ボア径150mmの超電導マグネット(JASTEC製 10T150)を約5Tに励磁し、着磁のための印加磁場とした。このときの印加磁場の分布は、実施例1と同様、図2左側に示すような形状であった。
実施例3では、上述した本発明の一実施形態に係るバルクマグネット構造体の着磁方法により、図19に示すリング状バルク体部51Dを有するバルクマグネット構造体50Dを着磁した。具体的には、磁場発生装置として、室温ボア径150mmの超電導マグネット(JASTEC製 10T150)を約6Tに励磁し、着磁のための印加磁場とした。このときの印加磁場の分布は、実施例1と同様、図2左側に示すような形状であった。
実施例4では、上述した本発明の一実施形態に係るバルクマグネット構造体の着磁方法により、図20Aに示したバルクマグネット構造体50Eを着磁した。具体的には、磁場発生装置として、室温ボア径150mmの超電導マグネット(JASTEC製 10T150)を約7Tに励磁し、着磁のための印加磁場とした。このときの印加磁場の分布は、実施例1と同様、図2左側に示すような形状であった。
実施例5では、上述した本発明の一実施形態に係るバルクマグネット構造体の着磁方法により、図21Aに示すバルクマグネット構造体50Fを着磁した。具体的には、図21Cに示すような、磁場発生装置5と、内部にバルクマグネット構造体50Fが収容される真空断熱容器10Bと、冷却装置20と、温度制御装置30とを含んで構成される着磁システム1Bを用いて着磁を行った。図21Cに示す着磁システム1Bは、図1に示した着磁システム1と構成は同一である。バルクマグネット構造体50Fは、図21Cに示すように、円柱状のバルクマグネット側がコールドヘッド21と接触するように載置される。磁場発生装置として、室温ボア径150mmの超電導マグネット(JASTEC製 10T150)を約6Tに励磁し、着磁のための印加磁場とした。このときの印加磁場の分布は、実施例1と同様、図2左側に示すような形状であった。
外周補強リングを用いずにバルクマグネット構造体を構成した点を除いて、実施例1と同様の条件で、着磁し、磁場分布を測定した。その結果、少なくとも中央部の51dに割れが発生し、中央部の捕捉磁束密度は、2T程度にまでで低下した。この結果から外周補強リングなしでは、5Tレベルの強磁場を捕捉することすら困難であることが確かめられた。
図6の中央の51dの内径を51cおよび51eと同一にした点を除いて、実施例1と同様の条件で、着磁し、磁場分布を測定した。その結果、マグネット構造体の積層方向の中心から軸方向に10mmの範囲内の空間で、磁場均一性は500ppmであり、中心部分での磁場の均一化は見られなかった。
51d 積層体
51d2 第1平面リング
100、200、300、400、500、600、700 バルクマグネット
110、210、310、410、510、610、710 リング状酸化物超電導バルク体
120、220、320、420、520、620 第2平面リング
130、230、330、430、530、6300 外周補強リング
540、6400 内周補強リング
6310 第2外周補強リング
6410 第2内周補強リング
910 円柱状酸化物超電導バルク体
920 平面補強板
Claims (15)
- 複数のリング状酸化物超電導バルク体と、
複数積層された前記リング状酸化物超電導バルク体の外周面を覆うように嵌合された少なくとも1つの外周補強リングと、
を備え、
少なくとも一つの前記リング状酸化物超電導バルク体の内周径は、当該酸化物超電導バルク体に隣接する前記リング状酸化物超電導バルク体の内周径よりも大きい、バルクマグネット構造体。 - 複数のリング状酸化物超電導バルク体と、
複数積層された前記リング状酸化物超電導バルク体の外周面を覆うように嵌合された少なくとも1つの外周補強リングと、
を備え、
少なくとも一つの前記リング状酸化物超電導バルク体は、前記リング状酸化物超電導バルク体と第1平面リングとが交互に配置された積層体からなる、バルクマグネット構造体。 - 複数の酸化物超電導バルク体と、
複数積層された前記酸化物超電導バルク体の外周面を覆うように嵌合された少なくとも1つの外周補強リングと、
を備え、
複数の前記酸化物超電導バルク体は、少なくとも1つのリング状酸化物超電導バルク体を含み、かつ、前記リング状酸化物超電導バルク体または円柱状酸化物超電導バルク体を積層して構成され、
バルクマグネット構造体を構成する前記酸化物超電導バルク体のうち少なくとも1つは、前記リング状酸化物超電導バルク体と第2平面リングとが交互に配置された積層体からなり、
前記第2平面リングは、金属からなる、バルクマグネット構造体。 - 前記リング状酸化物超電導バルク体のうち積層方向中央部に位置する中央酸化物超電導バルク体の内周径は、当該中央酸化物超電導バルク体に隣接する前記リング状酸化物超電導バルク体の内周径よりも大きい、請求項1〜3のいずれか1項に記載のバルクマグネット構造体。
- 前記隣接するリング状酸化物超電導バルク体の内周径よりも大きいリング状酸化物超電導バルク体の積層方向(Z軸方向)高さが10mmから30mmであることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載のバルクマグネット構造体。
- バルクマグネット構造体の積層方向端部のうちいずれか一方には、円柱状酸化物超電導バルク体が配置される、請求項1〜5のいずれか1項に記載のバルクマグネット構造体。
- 前記第2平面リングと積層体を構成する前記リング状酸化物超電導バルク体の厚さは10mm以下である、請求項3〜6のいずれか1項に記載のバルクマグネット構造体。
- 前記酸化物超電導バルク体と前記外周補強リングとの間に、第2外周補強リングを備える、請求項3〜7のいずれか1項に記載のバルクマグネット構造体。
- 前記リング状酸化物超電導バルク体は、内部に内周補強リングを備え、前記リング状酸化物超電導バルク体と前記内周補強リングとの間に、第2内周補強リングを備える請求項3〜8のいずれか1項に記載のバルクマグネット構造体。
- 前記酸化物超電導バルク体は、単結晶状のREBa2Cu3Oy中にRE2BaCuO5(REは希土類元素から選ばれる1種又は2種以上の元素。6.8≦y≦7.1)が分散された組織を有する酸化物を含んでなる、請求項1〜9のいずれか1項に記載のバルクマグネット構造体。
- バルクマグネット構造体の着磁方法であって、
前記バルクマグネット構造体は、少なくとも1つのリング状酸化物超電導バルク体を有し、かつ、前記リング状酸化物超電導バルク体または円柱状酸化物超電導バルク体を積層して構成され、
前記バルクマグネット構造体の温度を調整する温度制御装置および前記バルクマグネット構造体に磁場を印加する磁場発生装置により、前記バルクマグネット構造体の超電導状態が維持されている状態で、前記磁場発生装置により、前記バルクマグネット構造体に印加される印加磁場の強度を減じる基本着磁工程を含み、
当該基本着磁工程の後、前記バルクマグネット構造体の軸方向における少なくとも一部の領域の磁場分布が着磁前の印加磁場分布よりも均一となる磁場均一化領域となるように、前記温度制御装置または前記磁場発生装置のうち少なくともいずれか一方を制御して、前記バルクマグネット構造体を着磁する、バルクマグネット構造体の着磁方法。 - 前記基本着磁工程の後、前記バルクマグネット構造体の温度を保持または所定の温度まで昇温し、前記磁場均一化領域の磁場分布の均一性を向上させる第1温度調整工程と、
前記第1温度調整工程の後、前記バルクマグネット構造体を降温する第2温度調整工程と、
を含む、請求項11に記載のバルクマグネット構造体の着磁方法。 - 前記磁場発生装置による着磁前の前記バルクマグネット構造体の軸方向における印加磁場分布は、磁場中心部で上に凸または下に凸であり、
前記第1温度調整工程において、少なくとも前記バルクマグネット構造体の中央部分に配置された前記リング状酸化物超電導バルク体の超電導電流分布を変化させる、請求項12に記載のバルクマグネット構造体の着磁方法。 - 前記第1温度調整工程において、前記バルクマグネット構造体の中央部分に配置された前記リング状酸化物超電導バルク体を、当該リング状酸化物超電導バルク体全体に超電導電流が流れるフル着磁状態にする、請求項13に記載のバルクマグネット構造体の着磁方法。
- 真空容器内に収容された前記請求項1〜10のいずれか1項に記載のバルクマグネット構造体と、
前記バルクマグネット構造体を冷却する冷却装置と、
前記バルクマグネット構造体の温度を調整する温度制御装置と、
を含む、NMR用マグネットシステム。
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